JP3167101B2 - 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法Info
- Publication number
- JP3167101B2 JP3167101B2 JP25283695A JP25283695A JP3167101B2 JP 3167101 B2 JP3167101 B2 JP 3167101B2 JP 25283695 A JP25283695 A JP 25283695A JP 25283695 A JP25283695 A JP 25283695A JP 3167101 B2 JP3167101 B2 JP 3167101B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- exposure
- light receiving
- exposure apparatus
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の
半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイスや液晶パネル
等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイスを製造する
工程の内、フォトリソグラフィー工程に使用される露光
装置に関するものである。
半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイスや液晶パネル
等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイスを製造する
工程の内、フォトリソグラフィー工程に使用される露光
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスをフォ
トリソグラフィー技術を用いて製造する際に、レチクル
（マスク）のパターンを直接に、または所定の割合で縮
小してウエハ（感光基板）に塗布された感光材に露光す
る露光装置が使用されている。一般に、ウエハに塗布さ
れた感光材には適性露光量が定められており、従来の露
光装置では照明光学系の中にハーフミラーを配置し、こ
のハーフミラーによって分岐した露光光の光量をモニタ
し、その結果に応じて前述の適正露光量となるよう露光
量制御を行っている。
トリソグラフィー技術を用いて製造する際に、レチクル
（マスク）のパターンを直接に、または所定の割合で縮
小してウエハ（感光基板）に塗布された感光材に露光す
る露光装置が使用されている。一般に、ウエハに塗布さ
れた感光材には適性露光量が定められており、従来の露
光装置では照明光学系の中にハーフミラーを配置し、こ
のハーフミラーによって分岐した露光光の光量をモニタ
し、その結果に応じて前述の適正露光量となるよう露光
量制御を行っている。
【０００３】近年の半導体デバイスの微細化に伴って、
遠紫外領域の光を発するエキシマレーザが露光装置の光
源として用いられてきている。しかしながら、露光光と
してエキシマレーザ光を使用した場合、照明光学系、ハ
ーフミラー等の光学部品の硝材及びコーティング膜の光
学特性が次第に変化することが分かった。これはエキシ
マレーザ光の照射により、光学部品の硝材及びコーティ
ング膜の屈折率等が変化することによるものと考えられ
る。したがって、ハーフミラーによって分岐されたエキ
シマレーザ光の光量と、ウエハ上に達するエキシマレー
ザ光の光量との比も変化することになり、この比が一定
のものと仮定して露光量制御を行うと、実際の露光量と
適性露光量との差が所定の許容値を越えることがある。
遠紫外領域の光を発するエキシマレーザが露光装置の光
源として用いられてきている。しかしながら、露光光と
してエキシマレーザ光を使用した場合、照明光学系、ハ
ーフミラー等の光学部品の硝材及びコーティング膜の光
学特性が次第に変化することが分かった。これはエキシ
マレーザ光の照射により、光学部品の硝材及びコーティ
ング膜の屈折率等が変化することによるものと考えられ
る。したがって、ハーフミラーによって分岐されたエキ
シマレーザ光の光量と、ウエハ上に達するエキシマレー
ザ光の光量との比も変化することになり、この比が一定
のものと仮定して露光量制御を行うと、実際の露光量と
適性露光量との差が所定の許容値を越えることがある。
【０００４】このような問題を避けるために、ウエハ近
傍に配置された第２の受光素子によって、照明光学系内
の光量モニタの感度を補正する露光装置が知られてい
る。
傍に配置された第２の受光素子によって、照明光学系内
の光量モニタの感度を補正する露光装置が知られてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
述の装置では照明光学系内の光量モニタの感度を補正す
る際、実際に露光に用いるレチクル（実レチクル）を感
度補正用のパターンを有した専用のテストレチクルに交
換する、あるいは実レチクルを取りはずす必要があり、
事実上、補正するタイミングがレチクルの交換時に限定
されていた。
述の装置では照明光学系内の光量モニタの感度を補正す
る際、実際に露光に用いるレチクル（実レチクル）を感
度補正用のパターンを有した専用のテストレチクルに交
換する、あるいは実レチクルを取りはずす必要があり、
事実上、補正するタイミングがレチクルの交換時に限定
されていた。
【０００６】本発明は、実レチクルを搭載したまま光量
モニタの感度を補正することのできる露光装置を提供す
ることを目的とする。
モニタの感度を補正することのできる露光装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願第１発明は、光源と、該光源から発した露光光
により転写パターンが形成されたマスクを照明する照明
光学系とを有し、前記転写パターンを感光基板上に露光
転写する露光装置において、前記光源と前記マスクの間
に置かれ、前記露光光の一部を受光する第１の受光手段
と、前記マスクを載置した状態で前記転写パターン以外
の箇所に前記露光光が透過する透過部を設け、光軸と直
交する方向に移動可能なマスクステージと、前記透過部
を透過した前記露光光を受光する第２の受光手段とを有
することを特徴とする。
め、本願第１発明は、光源と、該光源から発した露光光
により転写パターンが形成されたマスクを照明する照明
光学系とを有し、前記転写パターンを感光基板上に露光
転写する露光装置において、前記光源と前記マスクの間
に置かれ、前記露光光の一部を受光する第１の受光手段
と、前記マスクを載置した状態で前記転写パターン以外
の箇所に前記露光光が透過する透過部を設け、光軸と直
交する方向に移動可能なマスクステージと、前記透過部
を透過した前記露光光を受光する第２の受光手段とを有
することを特徴とする。
【０００８】本願第２発明は、本願第１発明の露光装置
を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス
の製造方法である。
を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス
の製造方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例を示す概
略図であり、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶デ
バイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデバ
イスを製造する際に用いる走査型の投影露光装置であ
る。
略図であり、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶デ
バイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデバ
イスを製造する際に用いる走査型の投影露光装置であ
る。
【００１０】図１において、高圧水銀ランプ、エキシマ
レーザ等の光源１からの光束は、透過率調整用の所定の
透過率を有するＮＤフィルタ２０を透過した後、ビーム
整形光学系２によって所望の形状のビームに整形され、
ハエノ目レンズ等のオプティカルインテグレータ３の光
入射面に指向される。ハエノ目レンズは複数の微小レン
ズの集合からなるものであり、その光射出面近傍に複数
の２次光源が形成される。２１は２次光源の大きさや形
状を決定する開口絞りであり、照明のσ値を変更する場
合や斜入射照明を行う場合は、この開口絞り２１を交換
する。４はコンデンサレンズであり、コンデンサレンズ
４はオプティカルインテグレータ３の２次光源からの光
束でマスキングブレード６をケーラー照明している。マ
スキングブレード６とレチクルＲは結像レンズ７とミラ
ー８によって共役な関係に配置されており、マスキング
ブレード６の開口の形状を定めることによってレチクル
Ｒにおける照明領域の形状と寸法が規定される。レチク
ルＲはレチクルステージ９に吸着され、レチクルステー
ジ９とレチクルＲは図１の矢印の方向に走査される。レ
チクルステージ９には、露光光を透過する透過部１４が
設けられている。通常レチクルＲにおける照明領域は、
図１の走査方向に短手方向を設定した長方形のスリット
状である。１０は投影光学系であり、レチクルＲに描か
れた回路パターンを感光材を塗布したウエハＷに縮小投
影する。１１はウエハＷが置かれたウエハステージであ
り、図１の矢印の方向に走査され、かつ紙面に垂直な方
向に移動することで、ウエハＷの各露光領域に対してレ
チクルＲの回路パターンの像を形成する。１０１は不図
示の駆動機構によって、レチクルステージ９とウエハス
テージ１１を投影光学系１０の投影倍率と同じ比率で、
正確に、一定速度で走査させるための走査制御系であ
る。
レーザ等の光源１からの光束は、透過率調整用の所定の
透過率を有するＮＤフィルタ２０を透過した後、ビーム
整形光学系２によって所望の形状のビームに整形され、
ハエノ目レンズ等のオプティカルインテグレータ３の光
入射面に指向される。ハエノ目レンズは複数の微小レン
ズの集合からなるものであり、その光射出面近傍に複数
の２次光源が形成される。２１は２次光源の大きさや形
状を決定する開口絞りであり、照明のσ値を変更する場
合や斜入射照明を行う場合は、この開口絞り２１を交換
する。４はコンデンサレンズであり、コンデンサレンズ
４はオプティカルインテグレータ３の２次光源からの光
束でマスキングブレード６をケーラー照明している。マ
スキングブレード６とレチクルＲは結像レンズ７とミラ
ー８によって共役な関係に配置されており、マスキング
ブレード６の開口の形状を定めることによってレチクル
Ｒにおける照明領域の形状と寸法が規定される。レチク
ルＲはレチクルステージ９に吸着され、レチクルステー
ジ９とレチクルＲは図１の矢印の方向に走査される。レ
チクルステージ９には、露光光を透過する透過部１４が
設けられている。通常レチクルＲにおける照明領域は、
図１の走査方向に短手方向を設定した長方形のスリット
状である。１０は投影光学系であり、レチクルＲに描か
れた回路パターンを感光材を塗布したウエハＷに縮小投
影する。１１はウエハＷが置かれたウエハステージであ
り、図１の矢印の方向に走査され、かつ紙面に垂直な方
向に移動することで、ウエハＷの各露光領域に対してレ
チクルＲの回路パターンの像を形成する。１０１は不図
示の駆動機構によって、レチクルステージ９とウエハス
テージ１１を投影光学系１０の投影倍率と同じ比率で、
正確に、一定速度で走査させるための走査制御系であ
る。
【００１１】１２は光量をモニタするための光量検出器
であり、コンデンサレンズ４からの照明光束の一部をハ
ーフミラー５によって分割し、分割された光束をモニタ
することにより間接的にウエハＷに供給される露光量を
モニタしている。ウエハステージ１１上のウエハＷの近
傍には、受光面の高さがウエハＷとほぼ同じ高さになる
様に調整されたウエハＷ相当面上の光量を検出する照射
光量モニタ１３が置かれる。光量検出器１２はコンデン
サレンズ４とハーフミラー５によってマスキングブレー
ド６と共役な関係となるよう配置され、ウエハＷの露光
面、すなわち照射光量モニタ１３の受光面とも共役な関
係になっている。１０２は光量検出器１２からの信号を
処理して、光源１の出力エネルギを適正な光量となるよ
う決定する光量演算器であり、光源制御系１０３は光量
演算器１０２からの指令に応じて光源１の出力エネルギ
を制御する。
であり、コンデンサレンズ４からの照明光束の一部をハ
ーフミラー５によって分割し、分割された光束をモニタ
することにより間接的にウエハＷに供給される露光量を
モニタしている。ウエハステージ１１上のウエハＷの近
傍には、受光面の高さがウエハＷとほぼ同じ高さになる
様に調整されたウエハＷ相当面上の光量を検出する照射
光量モニタ１３が置かれる。光量検出器１２はコンデン
サレンズ４とハーフミラー５によってマスキングブレー
ド６と共役な関係となるよう配置され、ウエハＷの露光
面、すなわち照射光量モニタ１３の受光面とも共役な関
係になっている。１０２は光量検出器１２からの信号を
処理して、光源１の出力エネルギを適正な光量となるよ
う決定する光量演算器であり、光源制御系１０３は光量
演算器１０２からの指令に応じて光源１の出力エネルギ
を制御する。
【００１２】図２は、光量検出器１２と照射光量モニタ
１３の感度補正を行う際のレチクルステージ９、透過部
１４及び照射光量モニタ１３の位置関係を示した装置全
体図である。レチクルステージ９は、透過部１４が投影
光学系１０の光軸上に位置するよう不図示の駆動機構に
よって駆動され、ウエハステージ１１は照射光量モニタ
１３が光軸上に位置するよう同じく不図示の駆動機構に
よって駆動される。
１３の感度補正を行う際のレチクルステージ９、透過部
１４及び照射光量モニタ１３の位置関係を示した装置全
体図である。レチクルステージ９は、透過部１４が投影
光学系１０の光軸上に位置するよう不図示の駆動機構に
よって駆動され、ウエハステージ１１は照射光量モニタ
１３が光軸上に位置するよう同じく不図示の駆動機構に
よって駆動される。
【００１３】図３は、図２に示した感度補正を行なう際
の照射光量モニタ１３の受光面と、レチクルステージ９
の透過部１４の投影光学系１０による投影像の関係を示
した図である。図中に実線で示した範囲が、照明光学系
１００、及び投影光学系１０によって照明される露光可
能範囲（照明領域）である。走査型露光装置において
は、この露光可能範囲は、通常、矢印で示した走査方向
に短手方向を有する長方形、あるいは円弧のスリット形
状である。
の照射光量モニタ１３の受光面と、レチクルステージ９
の透過部１４の投影光学系１０による投影像の関係を示
した図である。図中に実線で示した範囲が、照明光学系
１００、及び投影光学系１０によって照明される露光可
能範囲（照明領域）である。走査型露光装置において
は、この露光可能範囲は、通常、矢印で示した走査方向
に短手方向を有する長方形、あるいは円弧のスリット形
状である。
【００１４】照射光量モニタ１３の受光面は、走査方向
に関しては露光可能範囲よりも長く、走査方向と直交す
る方向に関しては露光可能範囲よりも十分に短い形状で
あることが望ましい。走査露光でウエハＷ面における露
光量の均一性を維持するためには、走査方向に積算した
光量が、走査方向と直交する長手方向に一定であればよ
い。したがって、照射光量モニタ１３を長手方向の複数
の位置に移動させながら各位置での光量を測定すること
によって、スリットの長手方向の単位長さあたりの走査
方向に関する積算照度（ｍＷ／ｃｍ）が分かり、長手方
向に関する照度分布の測定ができる。
に関しては露光可能範囲よりも長く、走査方向と直交す
る方向に関しては露光可能範囲よりも十分に短い形状で
あることが望ましい。走査露光でウエハＷ面における露
光量の均一性を維持するためには、走査方向に積算した
光量が、走査方向と直交する長手方向に一定であればよ
い。したがって、照射光量モニタ１３を長手方向の複数
の位置に移動させながら各位置での光量を測定すること
によって、スリットの長手方向の単位長さあたりの走査
方向に関する積算照度（ｍＷ／ｃｍ）が分かり、長手方
向に関する照度分布の測定ができる。
【００１５】この状態で、光源制御系１０３からの指令
で光源１を発光させて、光量検出器１２と照射光量モニ
タ１３に入射する光量を計測する。ここで光量検出器１
２で得られる信号をＳ０、照射光量モニタ１３で得られ
る信号をＳ１とする。各々の信号Ｓ０とＳ１は、ウエハ
Ｗに相当する面上における単位時間内の、あるいは光源
１がパルス光源の場合には１パルス当たりの光量、また
は所定パルス毎の積算された光量に対応する値である。
初期設定時（装置の立ち上げ時や定期的なメンテナンス
時）には、ウエハステージ１１上に絶対照度計を取りつ
けて光量の測定を行い、（ｇＳ０）ini ＝（ｆＳ１）
ini ＝Ｅとなるよう感度調整（ゲイン調整）を行う。こ
こで、Ｅは絶対照度計で計測されたウエハＷ上の光量で
あり、ｇ、ｆは、それぞれ出力信号Ｓ０、Ｓ１を光量に
変換するゲインである。
で光源１を発光させて、光量検出器１２と照射光量モニ
タ１３に入射する光量を計測する。ここで光量検出器１
２で得られる信号をＳ０、照射光量モニタ１３で得られ
る信号をＳ１とする。各々の信号Ｓ０とＳ１は、ウエハ
Ｗに相当する面上における単位時間内の、あるいは光源
１がパルス光源の場合には１パルス当たりの光量、また
は所定パルス毎の積算された光量に対応する値である。
初期設定時（装置の立ち上げ時や定期的なメンテナンス
時）には、ウエハステージ１１上に絶対照度計を取りつ
けて光量の測定を行い、（ｇＳ０）ini ＝（ｆＳ１）
ini ＝Ｅとなるよう感度調整（ゲイン調整）を行う。こ
こで、Ｅは絶対照度計で計測されたウエハＷ上の光量で
あり、ｇ、ｆは、それぞれ出力信号Ｓ０、Ｓ１を光量に
変換するゲインである。
【００１６】光学部材の経時変化がない場合には、ｇＳ
０と実際のウエハ面上の光量は等しいが、経時変化が生
じるとｇＳ０と実際のウエハ面上の露光量とが異なって
くる。そこで光学部材の経時変化による光量測定誤差を
補正するために、光量検出器１２と照射光量モニタ１３
からの出力信号を光量演算器１０２に取り込み、補正係
数α＝（ｆＳ１／ｇＳ０）cal を計算し、ｇ＝ｇold ×
αとなるようにゲインの補正を行う。ここで、ｇold は
感度調整前のゲインである。これによりウエハＷ上の光
量が正確に測定でき、適正な露光量で露光可能になる。
０と実際のウエハ面上の光量は等しいが、経時変化が生
じるとｇＳ０と実際のウエハ面上の露光量とが異なって
くる。そこで光学部材の経時変化による光量測定誤差を
補正するために、光量検出器１２と照射光量モニタ１３
からの出力信号を光量演算器１０２に取り込み、補正係
数α＝（ｆＳ１／ｇＳ０）cal を計算し、ｇ＝ｇold ×
αとなるようにゲインの補正を行う。ここで、ｇold は
感度調整前のゲインである。これによりウエハＷ上の光
量が正確に測定でき、適正な露光量で露光可能になる。
【００１７】図４は、図３に示したものとはレチクルス
テージ９の透過部１４の形状が異なり、投影光学系１０
で投影された透過部１４の像が照射光量モニタ１３の受
光部よりも小さい例を示している。
テージ９の透過部１４の形状が異なり、投影光学系１０
で投影された透過部１４の像が照射光量モニタ１３の受
光部よりも小さい例を示している。
【００１８】この例のような場合には、レチクルステー
ジ９からレチクルＲを取りはずし、照射光量モニタ１３
の受光部が全く遮光されない状態での光量信号Ｓ１と、
図４のように透過部１４で一部遮光された状態での光量
信号Ｓ１′を測定して、比例定数β＝（ｆＳ１／ｆＳ
１′）ini を求めておく。この比例定数は、光学部材の
経時変化には基本的に影響されないために、初期設定時
に測定する程度で良い。感度補正を行う際は、照射光量
モニタ１３と透過部１４を図４に示した位置関係にした
状態で、光源１を発光させて光量検出器１２と照射光量
モニタ１３に入射する光量を測定する。光量演算器１０
２に取り込まれるそれぞれの光量に対応する出力信号を
Ｓ０とＳ１′とすれば、比α′＝β×（ｆＳ１′／ｇＳ
０）cal が計算される。この場合も露光を行う際に、ｇ
＝ｇold ×α′となるように感度調整を行う。これによ
りウエハＷ上の光量が正確に測定でき、適正な露光量で
露光可能になる。
ジ９からレチクルＲを取りはずし、照射光量モニタ１３
の受光部が全く遮光されない状態での光量信号Ｓ１と、
図４のように透過部１４で一部遮光された状態での光量
信号Ｓ１′を測定して、比例定数β＝（ｆＳ１／ｆＳ
１′）ini を求めておく。この比例定数は、光学部材の
経時変化には基本的に影響されないために、初期設定時
に測定する程度で良い。感度補正を行う際は、照射光量
モニタ１３と透過部１４を図４に示した位置関係にした
状態で、光源１を発光させて光量検出器１２と照射光量
モニタ１３に入射する光量を測定する。光量演算器１０
２に取り込まれるそれぞれの光量に対応する出力信号を
Ｓ０とＳ１′とすれば、比α′＝β×（ｆＳ１′／ｇＳ
０）cal が計算される。この場合も露光を行う際に、ｇ
＝ｇold ×α′となるように感度調整を行う。これによ
りウエハＷ上の光量が正確に測定でき、適正な露光量で
露光可能になる。
【００１９】図２では、透過部１４と照射光量モニタ１
３を投影光学系１０の光軸上に配置した実施例を示した
が、透過部１４の像と照射光量モニタ１３の受光部の位
置関係が、図３及び図４に示したような関係であれば、
必ずしも光軸上である必要はない。
３を投影光学系１０の光軸上に配置した実施例を示した
が、透過部１４の像と照射光量モニタ１３の受光部の位
置関係が、図３及び図４に示したような関係であれば、
必ずしも光軸上である必要はない。
【００２０】また、図３、図４に示した照射光量モニタ
１３の受光面は、露光可能範囲の走査方向の幅よりも長
いが、受光面が露光可能範囲よりも短い場合は、ウエハ
ステージ１１を２次元的に駆動することにより照度分布
が計測できる。更に、走査方向の積算光量は、測定結果
を走査方向に関して積算することにより求められる。
１３の受光面は、露光可能範囲の走査方向の幅よりも長
いが、受光面が露光可能範囲よりも短い場合は、ウエハ
ステージ１１を２次元的に駆動することにより照度分布
が計測できる。更に、走査方向の積算光量は、測定結果
を走査方向に関して積算することにより求められる。
【００２１】次に、図１、図２に示した走査型の投影露
光装置で、光源１がパルスレーザである場合の光量の設
定方法について説明する。
光装置で、光源１がパルスレーザである場合の光量の設
定方法について説明する。
【００２２】まず、露光を行なうジョブをロードする。
この時、投影光学系１０のＮＡ、照明条件（σ値や変形
照明）、マスキングブレード６の範囲等の条件もロード
される。ロードされた照明条件に基づいて照明光学系１
００の開口絞り２１の大きさや形状を選択し、マスキン
グブレード６は所定の範囲を遮光するように駆動され
る。次に、レチクルステージ９とウエハステージ１１を
駆動して、透過部１４と照射光量モニタ１３を図２に示
すように投影光学系１０の光軸上に移動させる。設定電
圧Ｖ0 で光源制御系１０３は光源１を発光させ、その時
に得られた光量検出器１２の出力信号Ｓ０、及び照射光
量モニタ１３の出力信号Ｓ１を用いて、光量演算器１０
２は感度の補正係数、α＝（ｆＳ１／ｇＳ０）ini を計
算する。
この時、投影光学系１０のＮＡ、照明条件（σ値や変形
照明）、マスキングブレード６の範囲等の条件もロード
される。ロードされた照明条件に基づいて照明光学系１
００の開口絞り２１の大きさや形状を選択し、マスキン
グブレード６は所定の範囲を遮光するように駆動され
る。次に、レチクルステージ９とウエハステージ１１を
駆動して、透過部１４と照射光量モニタ１３を図２に示
すように投影光学系１０の光軸上に移動させる。設定電
圧Ｖ0 で光源制御系１０３は光源１を発光させ、その時
に得られた光量検出器１２の出力信号Ｓ０、及び照射光
量モニタ１３の出力信号Ｓ１を用いて、光量演算器１０
２は感度の補正係数、α＝（ｆＳ１／ｇＳ０）ini を計
算する。
【００２３】ここで、ステージの走査速度の最大値Ｖ
MAX （ｃｍ／ｓｅｃ）は、ステージを精度良く制御する
ためのメカニカルな最大速度と、走査露光中に必要な最
低パルス数から計算される最大速度のうち遅いほうの速
度とする。ウエハＷに供給すべき露光量をＥW （ｍＪ／
ｃｍ2 ）、光源１のパルス発振周波数をｆ（Ｈｚ）、１
パルスあたりのウエハＷ上の照射光量をＥP （ｍＪ／ｃ
ｍ）とすると、ウエハステージ１１の走査速度、Ｖ＝Ｅ
P ×ｆ／ＥW （ｃｍ／ｓｅｃ）である。
MAX （ｃｍ／ｓｅｃ）は、ステージを精度良く制御する
ためのメカニカルな最大速度と、走査露光中に必要な最
低パルス数から計算される最大速度のうち遅いほうの速
度とする。ウエハＷに供給すべき露光量をＥW （ｍＪ／
ｃｍ2 ）、光源１のパルス発振周波数をｆ（Ｈｚ）、１
パルスあたりのウエハＷ上の照射光量をＥP （ｍＪ／ｃ
ｍ）とすると、ウエハステージ１１の走査速度、Ｖ＝Ｅ
P ×ｆ／ＥW （ｃｍ／ｓｅｃ）である。
【００２４】Ｖ＜ＶMAX の場合には、ウエハステージ１
１は走査速度Ｖで、レチクルステージ９は投影光学系１
０の投影倍率の比を掛けた走査速度で、走査制御系１０
１によって各々定速走査され露光が行なわれる。露光量
制御は、光量検出器１２で検出される１パルス当たりの
光量がＥP となるように光源制御系１０３を制御する。
実際の露光では、光源１の出力エネルギはパルス毎にあ
る範囲内でバラツキがあるため、ウエハＷ上の光量もパ
ルス毎にバラツキが生じる。このパルス毎のバラツキを
補償する方法として、例えば以前のパルス光の光量に応
じて次回のパルスエネルギの目標値を修正する方法が知
られている。
１は走査速度Ｖで、レチクルステージ９は投影光学系１
０の投影倍率の比を掛けた走査速度で、走査制御系１０
１によって各々定速走査され露光が行なわれる。露光量
制御は、光量検出器１２で検出される１パルス当たりの
光量がＥP となるように光源制御系１０３を制御する。
実際の露光では、光源１の出力エネルギはパルス毎にあ
る範囲内でバラツキがあるため、ウエハＷ上の光量もパ
ルス毎にバラツキが生じる。このパルス毎のバラツキを
補償する方法として、例えば以前のパルス光の光量に応
じて次回のパルスエネルギの目標値を修正する方法が知
られている。
【００２５】Ｖ＞ＶMAX の場合には、１パルスあたりの
照射光量を減らす必要が有る。照射光量を減らす方法と
して、１パルスあたりの照射光量ＥP1＝ＶMAX ×ＥW ／
ｆを光量演算器１０２で演算し、照射光量がＥP1となる
よう光量制御系１０３によって設定電圧を下げる方法、
あるいは照明光学系１００内の光路中に適当な透過率の
ＮＤフィルタ２０を挿入する方法がある。最適なＮＤフ
ィルタ２０の透過率は、光量演算器１０２で計算され、
ＮＤフィルタ２０の透過率をγとすると、γ＜ＶMAX ×
ＥW ／ｆ／ＥP を満足する最も透過率の高いフィルタが
選択される。ＮＤフィルタ２０の選択方法には、複数の
フィルタがターレット状に配置され、この中から最適な
ものを選択して使用する方法や、複数のＮＤフィルタを
組み合わせて使用する方法が有る。
照射光量を減らす必要が有る。照射光量を減らす方法と
して、１パルスあたりの照射光量ＥP1＝ＶMAX ×ＥW ／
ｆを光量演算器１０２で演算し、照射光量がＥP1となる
よう光量制御系１０３によって設定電圧を下げる方法、
あるいは照明光学系１００内の光路中に適当な透過率の
ＮＤフィルタ２０を挿入する方法がある。最適なＮＤフ
ィルタ２０の透過率は、光量演算器１０２で計算され、
ＮＤフィルタ２０の透過率をγとすると、γ＜ＶMAX ×
ＥW ／ｆ／ＥP を満足する最も透過率の高いフィルタが
選択される。ＮＤフィルタ２０の選択方法には、複数の
フィルタがターレット状に配置され、この中から最適な
ものを選択して使用する方法や、複数のＮＤフィルタを
組み合わせて使用する方法が有る。
【００２６】更に、ＥW ＜ＥPMAX×ｆ／ＶMAX の場合に
は、光源１の設定電圧を変化させてパルスエネルギを調
整する方法と、ＮＤフィルタによってパルスエネルギを
調整する方法とを併用し、常にＶMAX で走査させること
がスループットを考慮すると望ましい。光源制御系１０
３で設定できる電圧の範囲内で調整可能なウエハＷ上の
光量ＥP の範囲をＥPMAX＞ＥP ＞ＥPMIN（ｍＪ／ｃｍ）
とすると、ＥPMAX＞ＶMAX ×ＥW ／ｆ／γ＞ＥPMINを満
足する透過率γのフィルタを設定すれば所望の光量が達
成できる。ＮＤフィルタ２０の透過率は（ＥPMIN／Ｅ
PMAX）N （Ｎは整数）の比率よりも細かい間隔で最低５
〜１０％まで準備してあればよい。
は、光源１の設定電圧を変化させてパルスエネルギを調
整する方法と、ＮＤフィルタによってパルスエネルギを
調整する方法とを併用し、常にＶMAX で走査させること
がスループットを考慮すると望ましい。光源制御系１０
３で設定できる電圧の範囲内で調整可能なウエハＷ上の
光量ＥP の範囲をＥPMAX＞ＥP ＞ＥPMIN（ｍＪ／ｃｍ）
とすると、ＥPMAX＞ＶMAX ×ＥW ／ｆ／γ＞ＥPMINを満
足する透過率γのフィルタを設定すれば所望の光量が達
成できる。ＮＤフィルタ２０の透過率は（ＥPMIN／Ｅ
PMAX）N （Ｎは整数）の比率よりも細かい間隔で最低５
〜１０％まで準備してあればよい。
【００２７】次に、走査型露光装置でパルス発振のタイ
ミングを制御することにより露光量制御を行なう例を図
５を用いて説明する。
ミングを制御することにより露光量制御を行なう例を図
５を用いて説明する。
【００２８】ウエハＷの露光量ＥW （ｍＪ／ｃｍ2 ）を
設定する（ステップ１０１）と、ＥW ＜ＥPMAX×ｆ／Ｖ
MAX の場合は、走査速度ＶMAX （ｃｍ／ｓｅｃ）、ＮＤ
フィルタ２０の透過率γ、１パルスあたりのウエハＷ上
の照射光量ＥP0（ｍＪ／ｃｍ）が決定される（ステップ
１０２）。光量演算器１０２で計算される感度の補正係
数をαとすると、光量検出器１２の出力信号に対するゲ
インは、ｇ＝ｇold ×αとなる（ステップ１０３）。次
に、レチクルステージ９とウエハステージ１１を所定の
位置から移動開始させ（ステップ１０４）、レチクルＲ
のパターンが照明系１００の露光領域に達する以前に光
源制御系１０３から光源１を発振させ（ステップ１０
５）、照射光量がＥP0となる様に光源制御系１０３の指
令電圧を調整する。
設定する（ステップ１０１）と、ＥW ＜ＥPMAX×ｆ／Ｖ
MAX の場合は、走査速度ＶMAX （ｃｍ／ｓｅｃ）、ＮＤ
フィルタ２０の透過率γ、１パルスあたりのウエハＷ上
の照射光量ＥP0（ｍＪ／ｃｍ）が決定される（ステップ
１０２）。光量演算器１０２で計算される感度の補正係
数をαとすると、光量検出器１２の出力信号に対するゲ
インは、ｇ＝ｇold ×αとなる（ステップ１０３）。次
に、レチクルステージ９とウエハステージ１１を所定の
位置から移動開始させ（ステップ１０４）、レチクルＲ
のパターンが照明系１００の露光領域に達する以前に光
源制御系１０３から光源１を発振させ（ステップ１０
５）、照射光量がＥP0となる様に光源制御系１０３の指
令電圧を調整する。
【００２９】レチクルステージ９とウエハステージの速
度が等速になり、ウエハＷへの露光が開始されると、光
量検出器１２でパルスあたりの光量を計測し（ステップ
１０６）、目標値との差分を求める。この結果から、光
量演算器１０２で光源１のパルス発振の間隔を計算し、
光源制御系１０３で光源１の発振のタイミングを制御す
る。初期設定のパルス発振周波数をｆ0 とすると、初期
設定させたパルス間隔はＴ0 ＝１／ｆ0 （ｓｅｃ）であ
る。光量検出器１２で測定された光量が、目標値ＥP0に
対してＥP0′である場合は、次のパルス発振までの間隔
Ｔi はＴi ＝Ｔ0 ×ＥP0′／ＥP0であり、Ｔi （ｓｅ
ｃ）経過後にパルスを発振させる（ステップ１０７）。
以降のパルスについてもこの制御を繰り返す（ステップ
１０８、ステップ１０９）。
度が等速になり、ウエハＷへの露光が開始されると、光
量検出器１２でパルスあたりの光量を計測し（ステップ
１０６）、目標値との差分を求める。この結果から、光
量演算器１０２で光源１のパルス発振の間隔を計算し、
光源制御系１０３で光源１の発振のタイミングを制御す
る。初期設定のパルス発振周波数をｆ0 とすると、初期
設定させたパルス間隔はＴ0 ＝１／ｆ0 （ｓｅｃ）であ
る。光量検出器１２で測定された光量が、目標値ＥP0に
対してＥP0′である場合は、次のパルス発振までの間隔
Ｔi はＴi ＝Ｔ0 ×ＥP0′／ＥP0であり、Ｔi （ｓｅ
ｃ）経過後にパルスを発振させる（ステップ１０７）。
以降のパルスについてもこの制御を繰り返す（ステップ
１０８、ステップ１０９）。
【００３０】図５の例の他に、パルス発振のタイミング
を制御する露光量制御の別の方法として、ウエハステー
ジ１１の位置をモニタする方法がある。初期設定のパル
ス発振周波数をｆ0 、走査速度がＶMAX の場合、基準と
なるウエハステージ１１の移動量Ｘ0 はＸ0 ＝ＶMAX ／
ｆ0 （ｃｍ）となる。光量検出器１２で測定された光量
に対応する検出信号が、目標値ＥP0に対してＥP0″であ
った場合、光量演算器１０２で次のパルス発振までの移
動量Ｘi を計算して、ウエハステージ１１がＸi だけ移
動した時点で次のパルスを発振させる。ここで、Ｘi ＝
Ｘ0 ×ＥP0″／ＥP0である。
を制御する露光量制御の別の方法として、ウエハステー
ジ１１の位置をモニタする方法がある。初期設定のパル
ス発振周波数をｆ0 、走査速度がＶMAX の場合、基準と
なるウエハステージ１１の移動量Ｘ0 はＸ0 ＝ＶMAX ／
ｆ0 （ｃｍ）となる。光量検出器１２で測定された光量
に対応する検出信号が、目標値ＥP0に対してＥP0″であ
った場合、光量演算器１０２で次のパルス発振までの移
動量Ｘi を計算して、ウエハステージ１１がＸi だけ移
動した時点で次のパルスを発振させる。ここで、Ｘi ＝
Ｘ0 ×ＥP0″／ＥP0である。
【００３１】図５において、光量検出器１２と照射光量
モニタ１３を使用した感度の補正は、ウエハ１枚毎、あ
るいはＮ枚毎の様に、タイミングは任意に設定できる。
モニタ１３を使用した感度の補正は、ウエハ１枚毎、あ
るいはＮ枚毎の様に、タイミングは任意に設定できる。
【００３２】本発明の実施例では走査型露光装置を例に
説明したが、ステップアンドリピート型の投影露光装置
（所謂ステッパ）や、コンタクト方式、プロキシミティ
方式の露光装置に適用した場合であっても同様の効果が
期待できる。
説明したが、ステップアンドリピート型の投影露光装置
（所謂ステッパ）や、コンタクト方式、プロキシミティ
方式の露光装置に適用した場合であっても同様の効果が
期待できる。
【００３３】次に図１の投影露光装置を利用した半導体
デバイスの製造方法の実施例を説明する。
デバイスの製造方法の実施例を説明する。
【００３４】図６は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ２（マスク制作）では設計した回
路パターンを形成したマスク（レチクルＲ）を制作す
る。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の
材料を用いてウエハ（ウエハＷ）を製造する。ステップ
４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した
マスクとウエハとを用いて、リソグラフィー技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
成されたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッ
センブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケー
ジング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作成された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうし
た工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ス
テップ７）される。
半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ２（マスク制作）では設計した回
路パターンを形成したマスク（レチクルＲ）を制作す
る。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の
材料を用いてウエハ（ウエハＷ）を製造する。ステップ
４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した
マスクとウエハとを用いて、リソグラフィー技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
成されたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッ
センブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケー
ジング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作成された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうし
た工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ス
テップ７）される。
【００３５】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハ（ウエハＷ）
の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエ
ハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形
成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジス
ト（感材）を塗布する。ステップ１６（露光）では上記
露光装置によってマスク（レチクルＲ）の回路パターン
の像でウエハを露光する。ステップ１７（現像）では露
光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）
では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらステップを繰り返し行
うことによりウエハ上に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハ（ウエハＷ）
の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエ
ハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形
成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジス
ト（感材）を塗布する。ステップ１６（露光）では上記
露光装置によってマスク（レチクルＲ）の回路パターン
の像でウエハを露光する。ステップ１７（現像）では露
光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）
では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらステップを繰り返し行
うことによりウエハ上に回路パターンが形成される。
【００３６】本実施例の製造方法を用いれば、従来は難
しかった高集積度の半導体デバイスを製造することが可
能になる。
しかった高集積度の半導体デバイスを製造することが可
能になる。
【００３７】
【発明の効果】以上、本発明の露光装置によれば、実レ
チクルを搭載したまま光量モニタの感度を補正すること
ができるので露光量を正確に測定することができる。
チクルを搭載したまま光量モニタの感度を補正すること
ができるので露光量を正確に測定することができる。
【図１】本発明の実施例を示した概略構成図である。
【図２】本発明の実施例で、感度補正を実施する場合の
位置関係を示した図。
位置関係を示した図。
【図３】照射光量モニタと透過部と露光可能範囲の関係
を示した図である。
を示した図である。
【図４】照射光量モニタと透過部と露光可能範囲の関係
を示した図である。
を示した図である。
【図５】図１の露光装置による露光量制御の一例を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
【図６】半導体デバイスの製造工程を示す図である。
【図７】図６の工程中のウエハプロセスの詳細を示す図
である。
である。
１ 光源 ２ ビーム整形光学系 ３ オプティカルインテグレータ ５ ハーフミラー ６ マスキングブレード ９ レチクルステージ １０ 投影光学系 １１ ウエハステージ １２ 光量検出器 １３ 照射光量モニタ １４ 透過部 ２０ ＮＤフィルタ １００ 照明光学系 １０１ 走査制御系 １０２ 光量演算器 １０３ 光源制御系 Ｒ レチクル Ｗ ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−144698（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−274131（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−34937（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−212406（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/20 H01L 21/027
Claims (7)
- 【請求項１】 光源と、該光源から発した露光光により
転写パターンが形成されたマスクを照明する照明光学系
とを有し、前記転写パターンを感光基板上に露光転写す
る露光装置において、 前記光源と前記マスクの間に置かれ、前記露光光の一部
を受光する第１の受光手段と、前記マスクを載置した状
態で前記転写パターン以外の箇所に前記露光光が透過す
る透過部を設け、光軸と直交する方向に移動可能なマス
クステージと、前記透過部を透過した前記露光光を受光
する第２の受光手段とを有することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２】 予め前記第１の受光手段の出力信号と前
記第２の受光手段の出力信号を用いて前記第１の受光手
段の感度を補正する補正情報を求めることを特徴とする
請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記補正情報は、前記第１の受光手段の
出力信号と前記第２の受光手段の出力信号の比より求め
ることを特徴とする請求項２記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記第２の受光手段は、前記感光基板の
露光面とほぼ同じ高さに受光面を有することを特徴とす
る請求項１乃至３記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記マスクと前記感光基板を、前記光軸
と直交する方向に前記露光光の照明領域に対して相対的
に走査する走査手段を有し、前記照明領域よりも広い前
記転写パターンを前記感光基板上に順次露光転写するこ
とを特徴とする請求項１乃至４記載の露光装置。 - 【請求項６】 前記第２の受光手段の受光面の走査方向
の長さは、前記露光光によって形成される前記感光基板
上の照明領域の走査方向の幅よりも長いことを特徴とす
る請求項５記載の露光装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至６記載の露光装置を用いて
デバイスを製造することを特徴とするデバイスの製造方
法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25283695A JP3167101B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| KR1019960042416A KR100210569B1 (ko) | 1995-09-29 | 1996-09-25 | 노광방법 및 노광장치, 그리고 이를 이용한 디바이스제조방법 |
| DE69625093T DE69625093T2 (de) | 1995-09-29 | 1996-09-27 | Belichtungsverfahren, Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| EP96307098A EP0766144B1 (en) | 1995-09-29 | 1996-09-27 | Exposure apparatus and device manufacture method |
| DE69621547T DE69621547T2 (de) | 1995-09-29 | 1996-09-27 | Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| EP99202282A EP0957401B1 (en) | 1995-09-29 | 1996-09-27 | Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method |
| US08/724,527 US5892573A (en) | 1995-09-29 | 1996-09-30 | Exposure apparatus and method with multiple light receiving means |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25283695A JP3167101B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0996908A JPH0996908A (ja) | 1997-04-08 |
| JP3167101B2 true JP3167101B2 (ja) | 2001-05-21 |
Family
ID=17242873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25283695A Expired - Fee Related JP3167101B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3167101B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11233419A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-27 | Ricoh Co Ltd | 光量点検方法およびエッチングレート測定方法および検査用マスクおよび製造用マスク |
| TWI401538B (zh) * | 2007-03-28 | 2013-07-11 | Orc Mfg Co Ltd | Exposure drawing device |
| JP4885029B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2012-02-29 | 株式会社オーク製作所 | 露光描画装置 |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP25283695A patent/JP3167101B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0996908A (ja) | 1997-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5892573A (en) | Exposure apparatus and method with multiple light receiving means | |
| JP2862477B2 (ja) | 露光装置及び該露光装置を用いてデバイスを製造する方法 | |
| JP3093528B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| US6252650B1 (en) | Exposure apparatus, output control method for energy source, laser device using the control method, and method of producing microdevice | |
| US5846678A (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| US6154270A (en) | Scanning exposure method and apparatus | |
| US6204911B1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JPH10135123A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JP4392879B2 (ja) | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| US6657725B1 (en) | Scanning type projection exposure apparatus and device production method using the same | |
| JP2003068622A (ja) | 露光装置及びその制御方法並びにデバイスの製造方法 | |
| JPH0737774A (ja) | 走査型露光装置 | |
| JP2000003874A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP3167101B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP2005302825A (ja) | 露光装置 | |
| US6744492B2 (en) | Exposure apparatus | |
| JP2000114164A (ja) | 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP4208532B2 (ja) | 光学素子の透過率を測定する方法 | |
| JP2000260698A (ja) | 投影露光装置およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH08339954A (ja) | 照明方法及び照明装置及びそれらを用いた露光装置 | |
| JPH06232030A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP2001284236A (ja) | 投影露光装置及び露光方法 | |
| JP3245026B2 (ja) | 露光方法及び露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP2000150334A (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP3884968B2 (ja) | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法及びデバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010220 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080309 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090309 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100309 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100309 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110309 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120309 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130309 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140309 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |