JP2000106392A - 静電チャック - Google Patents
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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Abstract
(57)【要約】
【課題】被処理物を基材に均一に吸着させ、前記基材の
加熱を均一に行うことのできる静電チャックを提供す
る。 【解決手段】内側電極１２と外側電極１３とを同心円状
に配置する。また、基材１１の主面１１Ａ上に、エンボ
ス１４を複数形成するとともに、主面１１の外周縁上に
はエンボス１４と同じ材料から凸状の部材１５を形成
し、さらに、内側電極１２の位置する領域１７における
エンボス１４の上面１４Ａの面積の合計と、外側電極１
３の位置する領域１８におけるエンボス１４の上面１４
Ｂの面積の合計及び凸状部１５の上面１５Ａの面積の合
計とを等しくし、これらエンボス１４及び凸状部１５で
前記被処理物を支持する。
加熱を均一に行うことのできる静電チャックを提供す
る。 【解決手段】内側電極１２と外側電極１３とを同心円状
に配置する。また、基材１１の主面１１Ａ上に、エンボ
ス１４を複数形成するとともに、主面１１の外周縁上に
はエンボス１４と同じ材料から凸状の部材１５を形成
し、さらに、内側電極１２の位置する領域１７における
エンボス１４の上面１４Ａの面積の合計と、外側電極１
３の位置する領域１８におけるエンボス１４の上面１４
Ｂの面積の合計及び凸状部１５の上面１５Ａの面積の合
計とを等しくし、これらエンボス１４及び凸状部１５で
前記被処理物を支持する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電チャックに関
し、特に、半導体製造装置におけるウエハを保持するた
めのサセプタとして好適に用いることのできる静電チャ
ックに関する。
し、特に、半導体製造装置におけるウエハを保持するた
めのサセプタとして好適に用いることのできる静電チャ
ックに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体ウエハの搬送、露光、ＣＶ
Ｄなどの成膜プロセス、及び洗浄、エッチング、ダイシ
ングなどの微細加工に代表される各工程において、半導
体ウエハを吸着し、保持するために静電チャックが使用
されている。この静電チャックは、例えば、特開平８−
５５９００号公報にも記載されているように、図１及び
２に示すようなＤ型の正の電極２及び負の電極３がセラ
ミックスなどからなる基材１中に埋設され、両者に直流
電源６から一定の電圧を印加することによって発生した
電場によって、半導体ウエハなどの被処理物７を基材１
の主面１Ａに吸着させていた。ここで、図２は、図１に
示す静電チャックを上側から見た場合の平面図ある。な
お、図２においては、説明を明瞭にすべく被処理物７に
ついては省略して描いている。
Ｄなどの成膜プロセス、及び洗浄、エッチング、ダイシ
ングなどの微細加工に代表される各工程において、半導
体ウエハを吸着し、保持するために静電チャックが使用
されている。この静電チャックは、例えば、特開平８−
５５９００号公報にも記載されているように、図１及び
２に示すようなＤ型の正の電極２及び負の電極３がセラ
ミックスなどからなる基材１中に埋設され、両者に直流
電源６から一定の電圧を印加することによって発生した
電場によって、半導体ウエハなどの被処理物７を基材１
の主面１Ａに吸着させていた。ここで、図２は、図１に
示す静電チャックを上側から見た場合の平面図ある。な
お、図２においては、説明を明瞭にすべく被処理物７に
ついては省略して描いている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の静電チャックでは、正の電極２及び負の電極
３の電極間のすき間８が比較的大きなものであるため、
かかる部分で発生する電場の大きさが十分なものではな
く、電極間のすき間８の近傍における被処理物７に対す
る吸着力が不十分なものとなってしまっていた。このた
め、被処理物７は前記電極間のすき間８において基材１
の主面１Ａとの接触が不十分となって、基材１からの熱
伝導が不十分なものとなり、被処理物７の全体を均一に
加熱することができないという問題があった。さらに、
正の電極２及び負の電極３の埋設深さが異なること、及
び正負の極性の違いに起因する吸着力差などの原因によ
って、被処理物７の基材１の主面１Ａに対する接触度合
いが、正の電極２の位置する部分と負の電極３の位置す
る部分とで異なり、熱伝導がばらつくという問題があっ
た。
うな構成の静電チャックでは、正の電極２及び負の電極
３の電極間のすき間８が比較的大きなものであるため、
かかる部分で発生する電場の大きさが十分なものではな
く、電極間のすき間８の近傍における被処理物７に対す
る吸着力が不十分なものとなってしまっていた。このた
め、被処理物７は前記電極間のすき間８において基材１
の主面１Ａとの接触が不十分となって、基材１からの熱
伝導が不十分なものとなり、被処理物７の全体を均一に
加熱することができないという問題があった。さらに、
正の電極２及び負の電極３の埋設深さが異なること、及
び正負の極性の違いに起因する吸着力差などの原因によ
って、被処理物７の基材１の主面１Ａに対する接触度合
いが、正の電極２の位置する部分と負の電極３の位置す
る部分とで異なり、熱伝導がばらつくという問題があっ
た。
【０００４】本発明は、被処理物を基材に均一に吸着さ
せ、前記基材の加熱を均一に行うことのできる静電チャ
ックを提供することを目的とする。
せ、前記基材の加熱を均一に行うことのできる静電チャ
ックを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基材中に埋設
された金属からなる同心円状の内側電極及び外側電極
と、前記基材の主面上に形成された複数のエンボスと、
前記基材の前記複数のエンボスが形成された側の主面に
おける外周縁上の略全体に亘って、前記複数のエンボス
と同じ材料から形成された凸状部とを具え、前記内側電
極及び前記外側電極はそれぞれ正又は負の互いに異なる
電位を有するとともに、前記エンボスと前記凸状部とで
被処理物を支持し、前記基材の主面上の前記内側電極が
位置する領域に形成された前記複数のエンボスの上面の
面積の合計と、前記基材の主面上の前記外側電極が位置
する領域に形成された前記複数のエンボスの上面の面積
の合計、及び前記基材の主面における外周縁上の前記外
側電極が位置する領域に形成された前記凸状部の上面の
面積の合計とを等しくしたことを特徴とする、静電チャ
ックである。
された金属からなる同心円状の内側電極及び外側電極
と、前記基材の主面上に形成された複数のエンボスと、
前記基材の前記複数のエンボスが形成された側の主面に
おける外周縁上の略全体に亘って、前記複数のエンボス
と同じ材料から形成された凸状部とを具え、前記内側電
極及び前記外側電極はそれぞれ正又は負の互いに異なる
電位を有するとともに、前記エンボスと前記凸状部とで
被処理物を支持し、前記基材の主面上の前記内側電極が
位置する領域に形成された前記複数のエンボスの上面の
面積の合計と、前記基材の主面上の前記外側電極が位置
する領域に形成された前記複数のエンボスの上面の面積
の合計、及び前記基材の主面における外周縁上の前記外
側電極が位置する領域に形成された前記凸状部の上面の
面積の合計とを等しくしたことを特徴とする、静電チャ
ックである。
【０００６】図３は、本発明の静電チャックの一例を示
す平面図ある。図３は、図２と同様に、静電チャックを
上側から見た場合の外観を表したものである。図３の場
合も上記同様に、被処理物については省略して描いてい
る。
す平面図ある。図３は、図２と同様に、静電チャックを
上側から見た場合の外観を表したものである。図３の場
合も上記同様に、被処理物については省略して描いてい
る。
【０００７】図３に示すように、本発明の静電チャック
は、内側電極１２と外側電極１３とを同心円状に配置
し、それぞれ正又は負の互いに異なる電位を有するよう
にしているので、円周方向に均一な電場、すなわち吸着
力を発生させることができる。
は、内側電極１２と外側電極１３とを同心円状に配置
し、それぞれ正又は負の互いに異なる電位を有するよう
にしているので、円周方向に均一な電場、すなわち吸着
力を発生させることができる。
【０００８】また、基材１１の主面１１Ａ上に、エンボ
ス１４を複数形成するとともに、主面１１の外周縁上に
はエンボス１４と同じ材料から凸状部１５を形成し、さ
らに、内側電極１２の位置する領域１７（破線で示され
た図の内側の領域）におけるエンボス１４の上面１４Ａ
の面積の合計と、外側電極１３の位置する領域１８（破
線で示された図の外側の領域）におけるエンボス１４の
上面１４Ｂの面積の合計及び外側電極１３の位置する領
域１８における凸状部１５の上面１５Ａの面積の合計と
を等しくし、これらエンボス１４及び凸状部１５で前記
被処理物を支持するようにしているので、前記電極によ
る吸着力が前記被処理物の円周方向に均一に作用する。
したがって、前記被処理物を静電チャックに均一に吸着
することができ、これによって、前記被処理物を均一に
加熱することができる。
ス１４を複数形成するとともに、主面１１の外周縁上に
はエンボス１４と同じ材料から凸状部１５を形成し、さ
らに、内側電極１２の位置する領域１７（破線で示され
た図の内側の領域）におけるエンボス１４の上面１４Ａ
の面積の合計と、外側電極１３の位置する領域１８（破
線で示された図の外側の領域）におけるエンボス１４の
上面１４Ｂの面積の合計及び外側電極１３の位置する領
域１８における凸状部１５の上面１５Ａの面積の合計と
を等しくし、これらエンボス１４及び凸状部１５で前記
被処理物を支持するようにしているので、前記電極によ
る吸着力が前記被処理物の円周方向に均一に作用する。
したがって、前記被処理物を静電チャックに均一に吸着
することができ、これによって、前記被処理物を均一に
加熱することができる。
【０００９】また、これによって被処理物に帯電する正
の電荷量及び負の電荷量が等しくなり、互いにキャンセ
ルするので、被処理物が帯電しなくなる。したがって、
被処理物の近傍に位置する部材との放電による絶縁破壊
などを防止することができる。また、印加電圧に対し、
中間電位となっているため、各電極間と被処理物との間
に働く吸着力も等しくなる。
の電荷量及び負の電荷量が等しくなり、互いにキャンセ
ルするので、被処理物が帯電しなくなる。したがって、
被処理物の近傍に位置する部材との放電による絶縁破壊
などを防止することができる。また、印加電圧に対し、
中間電位となっているため、各電極間と被処理物との間
に働く吸着力も等しくなる。
【００１０】なお、本発明における「内側電極が位置す
る領域に形成された複数のエンボスの上面の面積の合
計」とは、図３に示すように、内側電極１２が位置する
領域１７と重なって存在する、複数のエンボス１４の上
面１４Ａの面積の合計をいい、エンボス１４の上面１４
Ａの面積の合計から、内側電極１２が位置する領域１７
外のエンボス１４の上面１４Ｃ（図の黒色部分）の面積
の合計を差し引いたものをいう。同様に、「外側電極が
位置する領域に形成された複数のエンボスの上面の面積
の合計」とは、外側電極１３が位置する領域１８と重な
って存在する複数のエンボス１４の上面１４Ｂの面積の
合計をいう。
る領域に形成された複数のエンボスの上面の面積の合
計」とは、図３に示すように、内側電極１２が位置する
領域１７と重なって存在する、複数のエンボス１４の上
面１４Ａの面積の合計をいい、エンボス１４の上面１４
Ａの面積の合計から、内側電極１２が位置する領域１７
外のエンボス１４の上面１４Ｃ（図の黒色部分）の面積
の合計を差し引いたものをいう。同様に、「外側電極が
位置する領域に形成された複数のエンボスの上面の面積
の合計」とは、外側電極１３が位置する領域１８と重な
って存在する複数のエンボス１４の上面１４Ｂの面積の
合計をいう。
【００１１】さらに、「外側電極が位置する領域に形成
された凸状部の上面の面積」とは、図３に示すように、
外側電極１３が位置する領域１８に重なって存在する凸
状部１５の上面１５Ａの面積であって、凸状部１５の上
面１５Ａから、外側電極１３が位置する領域１８外の凸
状部１５の上面１５Ｂ（図の網目模様）の部分を差し引
いた部分の上面の面積をいう。
された凸状部の上面の面積」とは、図３に示すように、
外側電極１３が位置する領域１８に重なって存在する凸
状部１５の上面１５Ａの面積であって、凸状部１５の上
面１５Ａから、外側電極１３が位置する領域１８外の凸
状部１５の上面１５Ｂ（図の網目模様）の部分を差し引
いた部分の上面の面積をいう。
【００１２】また、本発明において、上述したような面
積の合計が等しいとは、内側電極及び外側電極に電圧を
印加して被処理物を吸着した場合に、この被処理物の帯
電の度合いが印加電圧の３０％以下であるような場合を
いい、例えば、前記内側電極が位置する領域に形成され
た複数のエンボスの上面の面積の合計を１とした場合
に、前記外側電極が位置する領域に形成された複数のエ
ンボスの上面の面積の合計、及び前記外側電極が位置す
る領域に形成された凸状部の上面の面積との合計が０．
７〜１．３の範囲にあるようなものを言う。
積の合計が等しいとは、内側電極及び外側電極に電圧を
印加して被処理物を吸着した場合に、この被処理物の帯
電の度合いが印加電圧の３０％以下であるような場合を
いい、例えば、前記内側電極が位置する領域に形成され
た複数のエンボスの上面の面積の合計を１とした場合
に、前記外側電極が位置する領域に形成された複数のエ
ンボスの上面の面積の合計、及び前記外側電極が位置す
る領域に形成された凸状部の上面の面積との合計が０．
７〜１．３の範囲にあるようなものを言う。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照しなが
ら、発明の実施の形態に基づいて詳細に説明する。図３
は、上述したように本発明の静電チャックの一例を示す
平面図である。図３においては、内側電極１２が位置す
る領域１７と外側電極１３が位置する領域１８、すなわ
ち、内側電極１２と外側電極１３との面積を等しくし、
基材１の主面１Ａ上の内側電極１２が位置する領域１７
におけるエンボス１４の密度を、基材１の主面１Ａ上の
外側電極１３が位置する領域におけるエンボス１４の密
度よりも大きくしている。
ら、発明の実施の形態に基づいて詳細に説明する。図３
は、上述したように本発明の静電チャックの一例を示す
平面図である。図３においては、内側電極１２が位置す
る領域１７と外側電極１３が位置する領域１８、すなわ
ち、内側電極１２と外側電極１３との面積を等しくし、
基材１の主面１Ａ上の内側電極１２が位置する領域１７
におけるエンボス１４の密度を、基材１の主面１Ａ上の
外側電極１３が位置する領域におけるエンボス１４の密
度よりも大きくしている。
【００１４】このような構成にすることにより、被処理
物と静電チャックとの接触が内側で密となるため、内側
の熱伝達を大きくすることができる。このため、内側電
極１２と外側電極１３との間に高周波を印加した際にお
いて、前記被処理物の外側がプラズマ入熱によって高温
になるのを防ぐことができる。但し、本発明の目的を達
成するためには、必ずしも上述のような構成を採る必要
はなく、本発明の要件を満足する限り如何なる構成をも
採用することができる。
物と静電チャックとの接触が内側で密となるため、内側
の熱伝達を大きくすることができる。このため、内側電
極１２と外側電極１３との間に高周波を印加した際にお
いて、前記被処理物の外側がプラズマ入熱によって高温
になるのを防ぐことができる。但し、本発明の目的を達
成するためには、必ずしも上述のような構成を採る必要
はなく、本発明の要件を満足する限り如何なる構成をも
採用することができる。
【００１５】また、内側電極１２に負の電位を負荷し、
外側電極１３に正の電極を負荷している。但し、本発明
の目的を達成するためには、内側電極１２及び外側電極
１３が同心円状に形成されていればよく、したがって、
内側電極１２に正の電位を負荷し、外側電極１３に負の
電位を負荷してもよい。但し、上述のように内側電極１
２に負の電位を負荷し、外側電極１３に正の電極を負荷
することにより、電気力線の密度を増加させ、被処理物
をより強く吸着することができる。
外側電極１３に正の電極を負荷している。但し、本発明
の目的を達成するためには、内側電極１２及び外側電極
１３が同心円状に形成されていればよく、したがって、
内側電極１２に正の電位を負荷し、外側電極１３に負の
電位を負荷してもよい。但し、上述のように内側電極１
２に負の電位を負荷し、外側電極１３に正の電極を負荷
することにより、電気力線の密度を増加させ、被処理物
をより強く吸着することができる。
【００１６】電極間のすき間１６は、内側電極１２と外
側電極１３とを電気的に絶縁できればその大きさについ
ては特に限定されないが、一般にはその幅Ｄが２〜１０
ｍｍとなるように上記電極を配置する。エンボス１４に
ついても、それら複数の上面１４Ａ及び１４Ｂの面積の
合計について上述した要件を満足すればその形態などは
特に限定されるものではなく、被処理物を支持できるよ
うに上面が平坦なのものであれば、図３に示す円柱状の
ものの外、四角柱状などの矩形状のものなど、いかなる
形状のものを使用してもよい。
側電極１３とを電気的に絶縁できればその大きさについ
ては特に限定されないが、一般にはその幅Ｄが２〜１０
ｍｍとなるように上記電極を配置する。エンボス１４に
ついても、それら複数の上面１４Ａ及び１４Ｂの面積の
合計について上述した要件を満足すればその形態などは
特に限定されるものではなく、被処理物を支持できるよ
うに上面が平坦なのものであれば、図３に示す円柱状の
ものの外、四角柱状などの矩形状のものなど、いかなる
形状のものを使用してもよい。
【００１７】また、基材１１の主面１１Ａ上の外周縁上
に形成した凸状部１５についても、その上面１５Ａの面
積が上記条件を満足すればいかなる形状のものを使用し
てもよい。また、エンボス１４及び凸状部１５の大きさ
についても特に限定されるものではなく、静電チャック
の用途に応じて任意の大きさに形成することができる
が、図３に示すような円柱状のエンボス及び環状の凸状
部の場合は、その直径ｒは１〜８ｍｍであり、厚さｄは
１〜８ｍｍとすることが好ましい。また、それらの高さ
は５〜５０μｍであることが好ましい。
に形成した凸状部１５についても、その上面１５Ａの面
積が上記条件を満足すればいかなる形状のものを使用し
てもよい。また、エンボス１４及び凸状部１５の大きさ
についても特に限定されるものではなく、静電チャック
の用途に応じて任意の大きさに形成することができる
が、図３に示すような円柱状のエンボス及び環状の凸状
部の場合は、その直径ｒは１〜８ｍｍであり、厚さｄは
１〜８ｍｍとすることが好ましい。また、それらの高さ
は５〜５０μｍであることが好ましい。
【００１８】さらに、エンボス１４の個数についても特
に限定されるものではないが、被処理物を支持する際の
圧力を分散させて均一に保持し、本発明の目的をより効
果的に達成するためには、同心円状の内側電極が位置す
る領域１７においては、単位面積当たり２〜４個／ｃｍ
2 の割合で形成することが好ましく、同心円状の外側電
極が位置する領域１８においては、単位面積当たり１〜
２個／ｃｍ 2 の割合で形成することが好ましい。
に限定されるものではないが、被処理物を支持する際の
圧力を分散させて均一に保持し、本発明の目的をより効
果的に達成するためには、同心円状の内側電極が位置す
る領域１７においては、単位面積当たり２〜４個／ｃｍ
2 の割合で形成することが好ましく、同心円状の外側電
極が位置する領域１８においては、単位面積当たり１〜
２個／ｃｍ 2 の割合で形成することが好ましい。
【００１９】また、図３のような構成の静電チャックに
おいては、内側電極が位置する領域１７におけるエンボ
ス１４の上面１４Ａの面積の合計、並びに外側電極が位
置する領域におけるエンボスの上面１４Ｂの面積の合計
及び外側電極が位置する領域における凸状の部材１５の
上面１５Ａの面積の合計を、直径２００ｍｍの面内にお
いて２０〜２００ｃｍ2 にすることにより、被処理物の
支持を強固に行うことができる。
おいては、内側電極が位置する領域１７におけるエンボ
ス１４の上面１４Ａの面積の合計、並びに外側電極が位
置する領域におけるエンボスの上面１４Ｂの面積の合計
及び外側電極が位置する領域における凸状の部材１５の
上面１５Ａの面積の合計を、直径２００ｍｍの面内にお
いて２０〜２００ｃｍ2 にすることにより、被処理物の
支持を強固に行うことができる。
【００２０】エンボス１４及び凸状部１５は同一の材料
から形成することが必要であるが、被処理物を均一に支
持できればものであればその種類については特に限定さ
れるものではなく、ＡｌＮ及びＡｌ2 Ｏ3 などの材料を
用いることができる。エンボス１４及び凸状部１５は、
ブラスト加工、又はＣＶＤなどによって基材１１の主面
１１Ａ上に形成する。
から形成することが必要であるが、被処理物を均一に支
持できればものであればその種類については特に限定さ
れるものではなく、ＡｌＮ及びＡｌ2 Ｏ3 などの材料を
用いることができる。エンボス１４及び凸状部１５は、
ブラスト加工、又はＣＶＤなどによって基材１１の主面
１１Ａ上に形成する。
【００２１】基材１１としても、ＡｌＮ及びＡｌ2 Ｏ3
などの静電チャックに使用することのできる公知のセラ
ミックス材料を使用することができ、内側電極１２及び
外側電極１３についても、Ｍｏ及びＷなどの公知の金属
電極材料を使用することができる。
などの静電チャックに使用することのできる公知のセラ
ミックス材料を使用することができ、内側電極１２及び
外側電極１３についても、Ｍｏ及びＷなどの公知の金属
電極材料を使用することができる。
【００２２】基材１１は、材料となるセラミックス粒子
を所定形状に成形した成形体上に、前記金属からなる内
側電極１２及び外側電極１３を載置した後、この上に再
度前記セラミックス粒子を充填して成形し、焼結させる
ことによって、前記内側電極１２及び外側電極１３が埋
設した状態に形成する方法など、公知の方法によって形
成することができる。
を所定形状に成形した成形体上に、前記金属からなる内
側電極１２及び外側電極１３を載置した後、この上に再
度前記セラミックス粒子を充填して成形し、焼結させる
ことによって、前記内側電極１２及び外側電極１３が埋
設した状態に形成する方法など、公知の方法によって形
成することができる。
【００２３】図４は、本発明の静電チャックの他の例を
示す平面図である。図４においては、内側電極２２が位
置する領域２７と外側電極２３が位置する領域２８、す
なわち、内側電極２２の面積を外側電極２３の面積より
も大きくし、基材１１の主面１１Ａ上の内側電極２２が
位置する領域２７におけるエンボス２４の密度と、基材
１１の主面１１Ａ上の外側電極２３が位置する領域２８
におけるエンボス２４の密度とを等しくしたものであ
る。
示す平面図である。図４においては、内側電極２２が位
置する領域２７と外側電極２３が位置する領域２８、す
なわち、内側電極２２の面積を外側電極２３の面積より
も大きくし、基材１１の主面１１Ａ上の内側電極２２が
位置する領域２７におけるエンボス２４の密度と、基材
１１の主面１１Ａ上の外側電極２３が位置する領域２８
におけるエンボス２４の密度とを等しくしたものであ
る。
【００２４】このような構成にすることによって、被処
理物と静電チャックとの接触密度が内側と外側とで均一
になるため、静電チャックから被処理物への熱伝達が均
一に行なわれるため、被処理物を均一に加熱することが
できる。このような場合においても、内側電極の位置す
る領域２７におけるエンボス２４の上面２４Ａの面積の
合計などについて、本発明の要件を満足する限り、本発
明の目的を達成することができる。
理物と静電チャックとの接触密度が内側と外側とで均一
になるため、静電チャックから被処理物への熱伝達が均
一に行なわれるため、被処理物を均一に加熱することが
できる。このような場合においても、内側電極の位置す
る領域２７におけるエンボス２４の上面２４Ａの面積の
合計などについて、本発明の要件を満足する限り、本発
明の目的を達成することができる。
【００２５】図４においても、内側電極２２に負の電位
を負荷し、外側電極２３に正の電位を負荷しているが、
これら電極が同心円状に配置されていればその電位につ
いては特に限定されるものでなく、内側電極２２に正の
電位を負荷し、外側電極２３に負の電位を負荷すること
もできる。しかしながら、図３の場合と同様の理由か
ら、内側電極に負の電位を負荷し、外側電極に正の電位
を負荷することが好ましい。
を負荷し、外側電極２３に正の電位を負荷しているが、
これら電極が同心円状に配置されていればその電位につ
いては特に限定されるものでなく、内側電極２２に正の
電位を負荷し、外側電極２３に負の電位を負荷すること
もできる。しかしながら、図３の場合と同様の理由か
ら、内側電極に負の電位を負荷し、外側電極に正の電位
を負荷することが好ましい。
【００２６】また、エンボス２４及び凸状部２５につい
ても、図３の場合と同様の大きさ及び形状を採用するこ
とができ、その材料についても図３の場合と同様の材料
から同様の方法により、基材２１の主面２１Ａ上に形成
することができる。その他、各電極の基材中への埋設方
法などについても上記図３の場合と同様にして実施する
ことができる。
ても、図３の場合と同様の大きさ及び形状を採用するこ
とができ、その材料についても図３の場合と同様の材料
から同様の方法により、基材２１の主面２１Ａ上に形成
することができる。その他、各電極の基材中への埋設方
法などについても上記図３の場合と同様にして実施する
ことができる。
【００２７】図５は、図３に示す静電チャックにおい
て、外側電極３３の部分に内側電極用の内側電極端子３
９を形成した場合を示したものである。このように、基
材３１の電極部分に内側電極端子３９を形成することに
より、配線類の電圧印加部品を中央付近に配置する必要
がなくなり、装置取り付けの際の位置制約を回避するこ
とができる。又、例えば、ランプ加熱により静電チャッ
クを加熱する場合は、光をさえ切る部品が減るため有効
となる。このように、内側電極端子３９を形成すること
により、外側電極３３がその円周方向において中断し連
続していない場合においても、上記した本発明の要件を
満足する限りにおいて、本発明の目的を達成することが
できる。エンボス３４などに使用可能な材料及びその形
成方法などを含め、他の事項については図３に示す場合
と同様にして行うことができる。
て、外側電極３３の部分に内側電極用の内側電極端子３
９を形成した場合を示したものである。このように、基
材３１の電極部分に内側電極端子３９を形成することに
より、配線類の電圧印加部品を中央付近に配置する必要
がなくなり、装置取り付けの際の位置制約を回避するこ
とができる。又、例えば、ランプ加熱により静電チャッ
クを加熱する場合は、光をさえ切る部品が減るため有効
となる。このように、内側電極端子３９を形成すること
により、外側電極３３がその円周方向において中断し連
続していない場合においても、上記した本発明の要件を
満足する限りにおいて、本発明の目的を達成することが
できる。エンボス３４などに使用可能な材料及びその形
成方法などを含め、他の事項については図３に示す場合
と同様にして行うことができる。
【００２８】図３〜５に示す静電チャックにおいては、
静電チャックの裏面に形成した配管（図示せず）を通し
て、エンボス１４及び凸状部１５などと被処理物とによ
って形成される空間にバックサイドガスを導入すること
もできる。これによって、基材の主面から被処理物への
熱伝導性が向上し、被処理物をさらに均一に加熱するこ
とができる。バックサイドガスとしては公知のＨｅガス
及びＡｒガスなどを使用することができる。
静電チャックの裏面に形成した配管（図示せず）を通し
て、エンボス１４及び凸状部１５などと被処理物とによ
って形成される空間にバックサイドガスを導入すること
もできる。これによって、基材の主面から被処理物への
熱伝導性が向上し、被処理物をさらに均一に加熱するこ
とができる。バックサイドガスとしては公知のＨｅガス
及びＡｒガスなどを使用することができる。
【００２９】一般に、上記配管は基材の中心部分に形成
されるため、バックサイドガスは前記空間の中心部分に
導入される。バックサイドガスは、静電チャックに被処
理物が吸着された後に導入され、バックサイドガスの導
入と同時に被処理物の加熱操作が開始されて、成膜プロ
セスが開始される。したがって、静電チャックを構成す
る基材の面積が比較的大きくなると、バックサイドガス
が、エンボス及び凸状部と被処理物で形成される空間の
端部に行き渡るのに比較的長い時間を必要とする。この
ため、このバックサイドガスの不均一性に依存して、成
膜プロセス開始直後においては被処理物の温度が均一に
なっていない場合が生じ、各種の膜特性において変動が
生じる場合がある。
されるため、バックサイドガスは前記空間の中心部分に
導入される。バックサイドガスは、静電チャックに被処
理物が吸着された後に導入され、バックサイドガスの導
入と同時に被処理物の加熱操作が開始されて、成膜プロ
セスが開始される。したがって、静電チャックを構成す
る基材の面積が比較的大きくなると、バックサイドガス
が、エンボス及び凸状部と被処理物で形成される空間の
端部に行き渡るのに比較的長い時間を必要とする。この
ため、このバックサイドガスの不均一性に依存して、成
膜プロセス開始直後においては被処理物の温度が均一に
なっていない場合が生じ、各種の膜特性において変動が
生じる場合がある。
【００３０】このような場合、図４に示すように、内側
電極の面積を外側電極の面積よりも大きく、すなわち、
外側電極の面積を内側電極の面積よりも小さくし、さら
に、外側電極が位置する領域における、電極単位面積当
たりの複数のエンボスの上面の面積の合計を、内側電極
が位置する領域における、電極単位面積当たりの複数の
エンボスの上面の面積の合計よりも大きくすると、前記
空間の端部に位置する被処理物をエンボスによって直接
加熱する割合が増す。したがって、バックサイドガスの
不均一性を補って、被処理物を成膜プロセス当初から均
一に行うことができる。また、本発明のエンボス面積に
対する要件を満足するため、本発明の目的をも有効に達
成することができる。各電極が位置する領域における複
数のエンボスの上面の面積の合計は、内側電極及び外側
電極が位置する領域のエンボス密度を変化させる、ある
いは、エンボスの径を増減させて各エンボス自体の上面
の面積を変化させることなどによって増減させることが
できる。
電極の面積を外側電極の面積よりも大きく、すなわち、
外側電極の面積を内側電極の面積よりも小さくし、さら
に、外側電極が位置する領域における、電極単位面積当
たりの複数のエンボスの上面の面積の合計を、内側電極
が位置する領域における、電極単位面積当たりの複数の
エンボスの上面の面積の合計よりも大きくすると、前記
空間の端部に位置する被処理物をエンボスによって直接
加熱する割合が増す。したがって、バックサイドガスの
不均一性を補って、被処理物を成膜プロセス当初から均
一に行うことができる。また、本発明のエンボス面積に
対する要件を満足するため、本発明の目的をも有効に達
成することができる。各電極が位置する領域における複
数のエンボスの上面の面積の合計は、内側電極及び外側
電極が位置する領域のエンボス密度を変化させる、ある
いは、エンボスの径を増減させて各エンボス自体の上面
の面積を変化させることなどによって増減させることが
できる。
【００３１】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明する。 実施例 本実施例おいては、図３に示すような内側電極に正の電
位を負荷し、外側電極に負の電位を負荷するとともに、
両電極の面積が等しいＰＶＤ用の静電チャックを作製し
た。
明する。 実施例 本実施例おいては、図３に示すような内側電極に正の電
位を負荷し、外側電極に負の電位を負荷するとともに、
両電極の面積が等しいＰＶＤ用の静電チャックを作製し
た。
【００３２】発明の実施の形態で示したように、基材１
１に使用するＡｌＮセラミックス粉末を所定形状に成形
して成形体を形成した後、この成形体上にＭｏからなる
金属電極を配置し、さらに前記セラミックス粉末を充填
して再度成形して金属電極を埋設した成形体を形成し、
次いで、この成形体を窒素雰囲気中で焼結することによ
り、内側電極１２及び外側電極１３を埋設した直径２０
０ｍｍの基材１１を形成した。
１に使用するＡｌＮセラミックス粉末を所定形状に成形
して成形体を形成した後、この成形体上にＭｏからなる
金属電極を配置し、さらに前記セラミックス粉末を充填
して再度成形して金属電極を埋設した成形体を形成し、
次いで、この成形体を窒素雰囲気中で焼結することによ
り、内側電極１２及び外側電極１３を埋設した直径２０
０ｍｍの基材１１を形成した。
【００３３】この基材１１上に発明の実施の形態で示し
たような方法で、ＡｌＮからなる直径ｒが３ｍｍ、高さ
が２０μｍのエンボス１４を、基材１１の主面１１Ａ上
の内側電極１２の位置する領域１７に３個／ｃｍ2 の割
合で形成し、同様に、外側電極１３の位置する領域１８
に１個／ｃｍ2 の割合で形成した。また、ＡｌＮからな
る凸状部１５を、基材１１の主面１１Ａの外周縁上に幅
ｄが２ｍｍとなるように形成した。
たような方法で、ＡｌＮからなる直径ｒが３ｍｍ、高さ
が２０μｍのエンボス１４を、基材１１の主面１１Ａ上
の内側電極１２の位置する領域１７に３個／ｃｍ2 の割
合で形成し、同様に、外側電極１３の位置する領域１８
に１個／ｃｍ2 の割合で形成した。また、ＡｌＮからな
る凸状部１５を、基材１１の主面１１Ａの外周縁上に幅
ｄが２ｍｍとなるように形成した。
【００３４】このときの内側電極が位置する領域１７に
おけるエンボス１４の上面１４Ａの面積の合計、及び外
側電極が位置する領域１８にけるエンボス１４の上面１
４Ｂの面積の合計と凸状部１５の上面１５Ａの面積との
合計は、６３ｃｍ 2 であった。また、内側電極１２及び
外側電極１３との間の電極間のすき間１６の幅Ｄは４ｍ
ｍであった。
おけるエンボス１４の上面１４Ａの面積の合計、及び外
側電極が位置する領域１８にけるエンボス１４の上面１
４Ｂの面積の合計と凸状部１５の上面１５Ａの面積との
合計は、６３ｃｍ 2 であった。また、内側電極１２及び
外側電極１３との間の電極間のすき間１６の幅Ｄは４ｍ
ｍであった。
【００３５】このようにして形成した静電チャックに被
処理物として直径２００ｍｍのＳｉウエハを、上記エン
ボス１４及び凸状部１５上に載置し、内側電極１２及び
外側電極１３のそれぞれに直流電圧を印加して電場を発
生させ、上記Ｓｉウエハを本実施例における静電チャッ
クに吸着させた。次いで、Ｓｉウエハと基材１１の間に
形成された空間に、Ａｒガスから構成されるバックサイ
ドガスを配管（図示せず）から導入し、前記空間に均一
に充填した後、基材１１を加熱することにより前記Ｓｉ
ウエハを３５０℃まで加熱した。
処理物として直径２００ｍｍのＳｉウエハを、上記エン
ボス１４及び凸状部１５上に載置し、内側電極１２及び
外側電極１３のそれぞれに直流電圧を印加して電場を発
生させ、上記Ｓｉウエハを本実施例における静電チャッ
クに吸着させた。次いで、Ｓｉウエハと基材１１の間に
形成された空間に、Ａｒガスから構成されるバックサイ
ドガスを配管（図示せず）から導入し、前記空間に均一
に充填した後、基材１１を加熱することにより前記Ｓｉ
ウエハを３５０℃まで加熱した。
【００３６】このときのＳｉウエハの面上の温度分布を
ＴＣによって調べたところ、全面においる温度のバラツ
キが前記３５０℃に対して±３℃であることが判明し
た。
ＴＣによって調べたところ、全面においる温度のバラツ
キが前記３５０℃に対して±３℃であることが判明し
た。
【００３７】比較例 本比較例では、図１及び２に示すようなＤ型の電極が埋
設された従来の静電チャックを作製した。実施例と同じ
セラミックス材料及び金属電極材料を用い、実施例と同
様にして、直径が２００ｍｍの正の電極２及び負の電極
３が埋設された基材１を形成し、静電チャックを完成さ
せた。
設された従来の静電チャックを作製した。実施例と同じ
セラミックス材料及び金属電極材料を用い、実施例と同
様にして、直径が２００ｍｍの正の電極２及び負の電極
３が埋設された基材１を形成し、静電チャックを完成さ
せた。
【００３８】この静電チャックに実施例と同じＳｉウエ
ハを被処理物として載置し、正の電極２及び負の電極３
のそれぞれに、端子４及び５を介して直流電源６から直
流電圧を印加することにより電場を発生させ、前記Ｓｉ
ウエハを本比較例における静電チャックに吸着させた。
ハを被処理物として載置し、正の電極２及び負の電極３
のそれぞれに、端子４及び５を介して直流電源６から直
流電圧を印加することにより電場を発生させ、前記Ｓｉ
ウエハを本比較例における静電チャックに吸着させた。
【００３９】次いで、配管（図示せず）から実施例と同
じバックサイドガスを、前記Ｓｉウエハと基材とのすき
間に充填し、基材１を加熱することにより、Ｓｉウエハ
を実施例と同じ３５０℃まで加熱した。実施例と同様に
してＳｉウエハの面上の温度分布を調べたところ、前記
３５０℃に対して±１０℃のバラツキの存在することが
判明した。
じバックサイドガスを、前記Ｓｉウエハと基材とのすき
間に充填し、基材１を加熱することにより、Ｓｉウエハ
を実施例と同じ３５０℃まで加熱した。実施例と同様に
してＳｉウエハの面上の温度分布を調べたところ、前記
３５０℃に対して±１０℃のバラツキの存在することが
判明した。
【００４０】以上、実施例及び比較例からも明らかよう
に、本発明の静電チャックは、電極間のすき間を比較的
大きくとった場合においても被処理物を均一に吸着する
ことができ、被処理物を加熱した際に被処理物の面内に
おける温度分布のバラツキが極めて小さく、均一な加熱
が可能であることが分かる。以上、本発明を発明の実施
の形態に基づいて説明したが、本発明はかかる実施の形
態に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しな
い範囲で種々の変更及び変形が可能である。
に、本発明の静電チャックは、電極間のすき間を比較的
大きくとった場合においても被処理物を均一に吸着する
ことができ、被処理物を加熱した際に被処理物の面内に
おける温度分布のバラツキが極めて小さく、均一な加熱
が可能であることが分かる。以上、本発明を発明の実施
の形態に基づいて説明したが、本発明はかかる実施の形
態に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しな
い範囲で種々の変更及び変形が可能である。
【００４１】
【発明の効果】本発明の静電チャックによれば、極めて
均一に被処理物を吸着することができ、したがって、被
処理物の面内温度分布の少ない均一な加熱処理を行うこ
とができる。
均一に被処理物を吸着することができ、したがって、被
処理物の面内温度分布の少ない均一な加熱処理を行うこ
とができる。
【図１】従来の静電チャックを示す断面図である。
【図２】従来の静電チャックを示す平面図である。
【図３】本発明の静電チャックの一例を示す平面図であ
る。
る。
【図４】本発明の静電チャックの他の例を示す平面図で
ある。
ある。
【図５】本発明の静電チャックのさらに他の例を示す平
面図である。
面図である。
１，１１，２１，３１ 基材、１Ａ，１１Ａ，２１Ａ，
３１Ａ 基材の主面、２正の電極、３ 負の電極、４，
５ 端子、６ 直流電源、７ 被処理物、８，１６，２
６，３６ 電極間のすき間、１２，２２，３２ 内側電
極、１３，２３，３３ 外側電極、１４，２４，３４
エンボス、１４Ａ，２４Ａ，３４Ａ，１４Ｂ，２４Ｂ，
３４Ｂ エンボスの上面、１４Ｃ 内側電極が位置する
領域外のエンボスの上面、１５，２５，３５ 凸状部、
１５Ａ，２５Ａ，３５Ａ 凸状部の上面、１５Ｂ 外側
電極が位置する領域外の凸状部の上面、１７，２７，３
７内側電極が位置する領域、１８，２８，３８ 外側電
極が位置する領域、３９内側電極端子、Ｌ，Ｄ 電極間
のすき間の大きさ、ｄ 凸状の部材の幅、ｒエンボスの
直径
３１Ａ 基材の主面、２正の電極、３ 負の電極、４，
５ 端子、６ 直流電源、７ 被処理物、８，１６，２
６，３６ 電極間のすき間、１２，２２，３２ 内側電
極、１３，２３，３３ 外側電極、１４，２４，３４
エンボス、１４Ａ，２４Ａ，３４Ａ，１４Ｂ，２４Ｂ，
３４Ｂ エンボスの上面、１４Ｃ 内側電極が位置する
領域外のエンボスの上面、１５，２５，３５ 凸状部、
１５Ａ，２５Ａ，３５Ａ 凸状部の上面、１５Ｂ 外側
電極が位置する領域外の凸状部の上面、１７，２７，３
７内側電極が位置する領域、１８，２８，３８ 外側電
極が位置する領域、３９内側電極端子、Ｌ，Ｄ 電極間
のすき間の大きさ、ｄ 凸状の部材の幅、ｒエンボスの
直径
Claims (6)
- 【請求項１】基材中に埋設された金属からなる同心円状
の内側電極及び外側電極と、前記基材の主面上に形成さ
れた複数のエンボスと、前記基材の前記複数のエンボス
が形成された側の主面における外周縁上の略全体に亘っ
て、前記複数のエンボスと同じ材料から形成された凸状
部とを具え、前記内側電極及び前記外側電極はそれぞれ
正又は負の互いに異なる電位を有するとともに、前記エ
ンボスと前記凸状部とで被処理物を支持し、前記基材の
主面上の前記内側電極が位置する領域に形成された前記
複数のエンボスの上面の面積の合計と、前記基材の主面
上の前記外側電極が位置する領域に形成された前記複数
のエンボスの上面の面積の合計、及び前記基材の主面に
おける外周縁上の前記外側電極が位置する領域に形成さ
れた前記凸状部の上面の面積の合計とを等しくしたこと
を特徴とする、静電チャック。 - 【請求項２】前記エンボスと前記凸状部とで形成された
前記被処理物と前記基材の主面との空間に、バックサイ
ドガスを流すようにしたことを特徴とする、請求項１に
記載の静電チャック。 - 【請求項３】前記内側電極と前記外側電極との面積を等
しくし、前記基材の主面上の前記内側電極が位置する領
域におけるエンボス密度を、前記基材の主面上の前記外
側電極が位置する領域におけるエンボス密度よりも大き
くしたことを特徴とする、請求項１又は２に記載の静電
チャック。 - 【請求項４】前記内側電極の面積を前記外側電極の面積
よりも大きくし、前記基材の主面上の前記内側電極が位
置する領域におけるエンボス密度を、前記基材の主面上
の前記外側電極が位置する領域におけるエンボス密度と
等しくしたことを特徴とする、請求項１又は２に記載の
静電チャック。 - 【請求項５】前記外側電極の面積を前記内側電極の面積
よりも小さくし、前記基材の主面上の前記外側電極が位
置する領域における、電極単位面積当たりの前記複数の
エンボスの上面の面積の合計を、前記基材の主面上の前
記内側電極が位置する領域における、電極単位面積当た
りの前記複数のエンボスの上面の面積の合計よりも大き
くしたことを特徴とする、請求項２に記載の静電チャッ
ク。 - 【請求項６】前記内側電極は負の電位を有し、前記外側
電極は正の電位を有することを特徴とする、請求項１〜
５のいずれか一に記載の静電チャック。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP27450698A JP3983387B2 (ja) | 1998-09-29 | 1998-09-29 | 静電チャック |
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| US09/407,051 US6370004B1 (en) | 1998-09-29 | 1999-09-27 | Electrostatic chuck |
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| KR10-1999-0041437A KR100369871B1 (ko) | 1998-09-29 | 1999-09-28 | 정전 척 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27450698A JP3983387B2 (ja) | 1998-09-29 | 1998-09-29 | 静電チャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000106392A true JP2000106392A (ja) | 2000-04-11 |
| JP3983387B2 JP3983387B2 (ja) | 2007-09-26 |
Family
ID=17542655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27450698A Expired - Lifetime JP3983387B2 (ja) | 1998-09-29 | 1998-09-29 | 静電チャック |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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