JP2000070887A - 炭酸ガス溶存純水供給方法及び炭酸ガス溶存純水供給ユニット並びにそれを備えた基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 比抵抗計の測定に起因する金属イオンを排除
した炭酸ガス溶存純水を供給する炭酸ガス溶存純水供給
ユニットを提供する。 【解決手段】 純水供給源から供給された純水は、炭酸
ガス溶解部４の浸透部４０を通過することで、炭酸ガス
が溶解された炭酸ガス溶存純水になる。その炭酸ガス溶
存純水は、供給管３を通じて基板処理ユニット２に供給
される。この基板処理ユニット２に供給される炭酸ガス
溶存純水の一部を分岐管５によって取り出す。取り出さ
れた炭酸ガス溶存純水は、分岐管５内を流れて廃液され
る途中で、比測定計８の測定部である電極６によって比
抵抗値が測定される。測定された比抵抗値に応じて、制
御部７は炭酸ガス溶存純水の比抵抗値を管理する。した
がって、基板処理ユニット２に供給される炭酸ガス溶存
純水は、電極６から溶出する金属イオンを含まない一方
で、所定の比抵抗値を管理されたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、純水に炭酸ガスを
溶解させて生成された炭酸ガス溶存純水を基板処理装置
に供給する炭酸ガス溶存純水供給方法及び炭酸ガス溶存
純水供給ユニット並びにそれを備えた基板処理装置に係
り、特に、比抵抗値の測定に起因する金属イオン等を排
除した炭酸ガス溶存純水を供給する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体等の製造工程では、基板の金属汚
染等の各種汚染を防止するために、金属イオン、微生
物、微粒子などの不純物が除去された比抵抗値の極めて
高い純水や、純水よりもさらに純度の高い超純水が利用
されている。このような極めて高い比抵抗値を有する純
水や超純水（以下、単に「純水」とよぶ）は帯電しやす
く、基板処理や送液の際に帯電して、基板に静電破壊等
の悪影響を及ぼす場合があることが知られている。

【０００３】近年、基板処理や送液時に純水が帯電する
のを防止するために、純水に炭酸ガスを溶解させること
により純水の比抵抗値を下げる試みがなされている。こ
の純水に炭酸ガスが溶解された炭酸ガス溶存純水は、炭
酸ガス溶存純水供給ユニットによって生成されている。
炭酸ガス溶存純水供給ユニットは、生成した炭酸ガス溶
存純水を基板処理装置に供給する。このとき、炭酸ガス
溶存純水供給ユニットは、基板処理装置に供給する炭酸
ガス溶存純水の比抵抗値を所定の値で管理するため基板
処理装置に供給する前に、炭酸ガス溶存純水の比抵抗値
を比抵抗計によって測定している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。近年、回路素子の微細化、小電力化に伴って、各
素子の低電圧駆動化が進んでおり、金属汚染等が無いよ
り清浄な状態においての基板処理が求められているの
で、特に基板の洗浄処理に利用される純水の系統では、
メタルフリーすなわち純水が触れる部分では金属部品を
使用しないような装置で構成されている。しかし、従来
の炭酸ガス溶存純水供給ユニットは、基板処理装置に供
給する炭酸ガス溶存純水の比抵抗値を比抵抗計によって
直接測定していたので、比抵抗計の測定部である電極か
ら金属イオンが溶出して、炭酸ガス溶存純水を金属イオ
ンで汚染するという問題が生じている。

【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、比抵抗計の測定に起因する金属イオン
を排除した炭酸ガス溶存純水を基板処理装置に供給する
炭酸ガス溶存純水供給方法及び炭酸ガス溶存純水供給ユ
ニット並びにそれを備えた基板処理装置を提供すること
を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。請求項１
に記載の発明は、純水内に炭酸ガスを溶解させた炭酸ガ
ス溶存純水を生成するとともに、比抵抗計によって比抵
抗値が測定された前記炭酸ガス溶存純水を基板処理装置
に供給する炭酸ガス溶存純水供給方法であって、前記純
水内に炭酸ガスを溶解させて炭酸ガス溶存純水を生成す
る過程と、前記炭酸ガス溶存純水を前記基板処理装置に
供給する過程と、前記基板処理装置に供給される炭酸ガ
ス溶存純水の一部を取り出す過程と、前記取り出された
炭酸ガス溶存純水の比抵抗値を前記比抵抗計によって測
定する過程とを備えたことを特徴とするものである。

【０００７】請求項２に記載の発明は、純水内に炭酸ガ
スを溶解させた炭酸ガス溶存純水を生成するとともに、
比抵抗計によって比抵抗値が測定された前記炭酸ガス溶
存純水を基板処理装置に供給する炭酸ガス溶存純水供給
ユニットであって、前記純水内に炭酸ガスを溶解させて
炭酸ガス溶存純水を生成する炭酸ガス溶存純水生成手段
と、前記炭酸ガス溶存純水生成手段で生成された炭酸ガ
ス溶存純水を前記基板処理装置に供給する供給管と、前
記供給管によって前記基板処理装置に供給される前記炭
酸ガス溶存純水の一部を分岐して取り出す分岐管と、前
記分岐管に取り付けられて前記炭酸ガス溶存純水の比抵
抗値を測定する比抵抗計とを備えたことを特徴とするも
のである。

【０００８】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の炭酸ガス溶存純水供給ユニットにおいて、前記ユニッ
トは、さらに、前記炭酸ガス溶存純水生成手段において
純水に溶解させる炭酸ガスの溶解量を調整する調整手段
を備えるものである。

【０００９】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の炭酸ガス溶存純水供給ユニットにおいて、前記ユニッ
トは、さらに、前記比抵抗計で測定して得られる比抵抗
値に応じて、前記調整手段を制御する制御手段を備える
ものである。

【００１０】請求項５に記載の発明は、請求項２ないし
請求項３のいずれかに記載の炭酸ガス溶存純水供給ユニ
ットを備えることを特徴とする基板処理装置である。

【００１１】

【作用】本発明の作用は次のとおりである。請求項１に
記載の発明によれば、純水に炭酸ガスが溶解されて生成
された炭酸ガス溶存純水を基板処理装置に供給する。こ
のとき、基板処理装置に供給される炭酸ガス溶存純水の
一部を取り出す。その取り出した一部の炭酸ガス溶存純
水の比抵抗値を比抵抗計によって測定する。したがっ
て、取り出されなかった部分の炭酸ガス溶存純水は比抵
抗計に直接触れることなく基板処理装置に供給される。

【００１２】請求項２に記載の発明によれば、炭酸ガス
溶存純水生成手段は、純水に炭酸ガスを溶解させて、炭
酸ガス溶存純水を生成する。供給管は、炭酸ガス溶存純
水生成手段で生成された炭酸ガス溶存純水を基板処理装
置に供給する。分岐管は、基板処理装置に供給される途
中の炭酸ガス溶存純水の一部を分岐して取り出す。比抵
抗計は、分岐管で取り出された一部の炭酸ガス溶存純水
の比抵抗値を測定する。したがって、分岐管によって取
り出されなかった部分の炭酸ガス溶存純水は、比抵抗計
に直接触れることなく基板処理装置に供給される。

【００１３】請求項３に記載の発明によれば、調整手段
は、炭酸ガス溶存純水生成手段において純水に溶解され
る炭酸ガスの溶解量を調整する。

【００１４】請求項４に記載の発明によれば、制御手段
は、炭酸ガス溶存純水の比抵抗値に応じて、純水に溶解
させる炭酸ガスの溶解量を適宜調整するように調整手段
を制御する。

【００１５】請求項５に記載の発明によれば、基板処理
装置は、装置外から純水が送られてくると、この基板処
理装置に備える請求項２ないし請求項４のいずれかに記
載の発明に係る炭酸ガス溶存純水供給ユニットで炭酸ガ
ス溶存純水を生成して、この炭酸ガス溶存純水によって
基板処理を行なう。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、実施例に係る基板処理装置を
示すブロック図である。

【００１７】実施例に係る基板処理装置は、この装置が
配備された工場に備える純水供給源から供給される純水
に炭酸ガスを溶解させた炭酸ガス溶存純水を供給する炭
酸ガス溶存純水供給ユニット１と、この炭酸ガス溶存純
水を用いて、半導体ウエハやガラス基板などの基板に洗
浄やリンス等の処理を行なう基板処理ユニット２とを備
えて構成されている。

【００１８】炭酸ガス溶存純水供給ユニット１は、純水
供給源から送られてくる純水を流通させるとともに、こ
の純水に炭酸ガスを溶解させた後、基板処理ユニット２
に炭酸ガスが溶解された純水である炭酸ガス溶存純水を
供給するための供給管３を備えている。供給管３は、そ
の一端側が純水供給源から炭酸ガス溶存純水供給ユニッ
ト１にまで純水を送液ための図示しない送液管に連通接
続されており、その他端側は基板処理ユニット２の図示
しない純水供給部に繋がれている。

【００１９】供給管３には、純水供給源から送液されて
きた純水に炭酸ガスを溶解させた炭酸ガス溶存純水を生
成するための炭酸ガス溶解部４を備え、さらに、その炭
酸ガス溶解部４で生成された炭酸ガス溶存純水を基板処
理ユニット２に供給する際に、その炭酸ガス溶存純水の
一部を取り出すための分岐部９が設けられている。

【００２０】炭酸ガス溶解部４は、供給管３に略一体的
に形成されており、供給管３を流通する純水を、炭酸ガ
ス溶解部４に備える浸透部４０を通過させることで、炭
酸ガスを溶解させた炭酸ガス溶存純水を生成するもので
ある。さらに、炭酸ガス溶解部４には、浸透部４０に炭
酸ガスを供給するためのガス供給部４１と、その供給さ
れた炭酸ガスや浸透部４０で発生した水蒸気等を排気す
るためのガス排気部４２とが形成されている。ガス供給
部４１には、所定流量の炭酸ガスを供給するための炭酸
ガス供給量調整部１０が接続されている。なお、炭酸ガ
ス溶解部４は本発明における炭酸ガス溶存純水生成手段
に、炭酸ガス供給量調整部１０は本発明における調整手
段に、それぞれ相当する。

【００２１】ガス供給部４１から浸透部４０へ供給され
る炭酸ガスは、基板処理装置が配備された工場内に設置
された炭酸ガス供給源から送られてくるものである。ま
た、炭酸ガス供給源から送られてくる炭酸ガスは、レギ
ュレターを介することで、略一定の供給量で炭酸ガス供
給量調整部１０に送られる。さらに、ガス供給部４１に
供給する炭酸ガスの供給量は、炭酸ガス供給量調整部１
０によって調整される。

【００２２】炭酸ガス供給量調整部１０は、複数個（図
では３個）の開閉弁１１ａ〜１１ｃと、開閉弁の個数に
対応する個数（図では３個）の抵抗フィルタ１２ａ〜１
２ｃとで構成される。開閉弁１１ａ〜１１ｃは、その開
閉を制御部７によって制御されるものである。抵抗フィ
ルタ１２ａ〜１２ｃは、それぞれ異なる圧力損失値をも
っており、各抵抗フィルタ１２ａ〜１２ｃを通過する炭
酸ガス量は、レギュレターの設定値と各抵抗フィルタ１
２ａ〜１２ｃの各圧力損失値で決定される。炭酸ガス供
給量調整部１０から全体として流出する炭酸ガスの量
は、開放される開閉弁１１ａ〜１１ｃの組合せによって
決まる。

【００２３】具体的には、抵抗フィルタ１２ａを通過し
た炭酸ガスの流量を１０Ｎｌ／ｍｉｎ（又はＳＣＣ
Ｍ）、抵抗フィルタ１２ｂを通過した炭酸ガスの流量を
２０Ｎｌ／ｍｉｎ（又はＳＣＣＭ）、抵抗フィルタ１２
ｃを通過した炭酸ガスの流量を４０Ｎｌ／ｍｉｎ（又は
ＳＣＣＭ）とする場合、上述した開閉弁１１ａ〜１１ｃ
の開閉の組合せによって、ガス供給部４１に対する炭酸
ガス供給量は、０〜７０Ｎｌ／ｍｉｎ（又はＳＣＣＭ）
の範囲で変化させることができる。なお、この実施例で
は、ガス供給部４１に対する供給流量を、３つの開閉弁
１１ａ〜１１ｃと、３つの抵抗フィルタ１２ａ〜１２ｃ
によって決定したが、これに限定されるものではなく、
必要個数の開閉弁および抵抗フィルタを適宜設けること
ができる。

【００２４】したがって、開閉弁１１ａ〜１１ｃを開放
する組合わせによって、ガス供給部４１に供給する炭酸
ガス量を任意に決定することができる。炭酸ガス供給量
調整部１０によって流量調整された炭酸ガスは、炭酸ガ
ス溶解部４のガス供給部４１から浸透部４０へ供給され
る。

【００２５】浸透部４０は、炭酸ガス（二酸化炭素）に
対して透過性を有する複数本の中空糸膜が束ねられて構
成されている。浸透部４０の各中空糸には、水分子を透
過させることなく気体分子のみを透過させる無数の孔が
形成されている。ガス供給部４１に供給される炭酸ガス
は各中空糸膜の気室に供給され、その炭酸ガスは中空糸
の気室の壁面を浸透して、その外側の流壁面で接してい
る純水に溶解する。したがって、浸透部４０の各中空糸
液室を純水が通過することで、その純水に炭酸ガスが溶
解された炭酸ガス溶存純水が生成される。なお、各中空
糸膜の気室内を流れる炭酸ガスの流量によって、純水中
に溶け込む炭酸ガスの量が変化するので、供給流量によ
って純水に溶解される炭酸ガスの溶解量を変化させるこ
とができる。つまり、炭酸ガス供給量調整部１０によっ
て調整される流量に応じて、純水に溶解される炭酸ガス
の溶解量を変化させることができる。

【００２６】また、炭酸ガス供給量調整部１０から浸透
部４０の間を結ぶ炭酸ガスの流通路には、その流通路か
ら分岐して、その間の炭酸ガスを排気するための排気弁
１３が設けられている。その排気弁１３の開閉は制御部
７によって制御されるものであり通常の使用状態では閉
じられているが、例えば、炭酸ガス溶存純水の比抵抗値
が低くなりすぎた場合には、制御部７が開閉弁１１ａ〜
１１ｃを閉じるとともに、排気弁１３を開放すること
で、中空糸膜の気室に供給される炭酸ガスを止める。こ
れにより、浸透部４０を通過する純水には、それ以上の
炭酸ガスが溶解しないので、炭酸ガス溶存純水の比抵抗
値の低下を防ぐ。

【００２７】炭酸ガス溶解部４で炭酸ガスが溶解された
炭酸ガス溶存純水は、供給管３を通じて基板処理ユニッ
ト２に送られる。これと同時に、供給管３に設けられた
分岐部９は、基板処理ユニット２に送られる炭酸ガス溶
存純水の一部を取り出す。

【００２８】分岐部９は、供給管３の炭酸ガス溶解部４
と基板処理ユニット２との間において分岐管５の一端側
が連通接続されて構成される。分岐管５は、供給管３の
口径よりも小さな口径で形成されており、供給管３内に
流れる炭酸ガス溶存純水の一部を取り出す。なお、分岐
管５は、必ずしも供給管３の口径よりも小さくする場合
に限定するものではない。

【００２９】分岐管５は、一端側が供給管３に連通接続
されており、他端側は炭酸ガス溶存純水を廃液するため
の図示しない廃液管に接続されている。さらに、分岐管
５の途中には、分岐管５内を廃液管に向かって流れる炭
酸ガス溶存純水の比抵抗値を測定するための比抵抗計８
の測定部である電極６が分岐管５内に取り付けられてい
る。

【００３０】分岐部９で取り出された炭酸ガス溶存純水
は、分岐管５内を廃液管に向かって流れ、比抵抗計８の
電極６を通過する。このとき、比抵抗計８の電極６で炭
酸ガス溶存純水の比抵抗値が測定される。比抵抗値が測
定された炭酸ガス溶存純水、すなわち電極６から溶出し
た金属イオンが含まれる炭酸ガス溶存純水は、分岐管５
の他端側から廃液管を通じて廃液される。つまり、炭酸
ガス溶存純水の比抵抗値は測定するが、比抵抗計８の電
極６に触れた炭酸ガス溶存純水は基板処理ユニット２に
は供給されない。

【００３１】比抵抗計８は、電極６によって分岐管５内
を流れる炭酸ガス溶存純水の比抵抗値を測定する。測定
して得られた比抵抗値を制御部７に送る。

【００３２】制御部７は、ＣＰＵやメモリなどで構成さ
れる、いわゆるコンピュータであり、上述した排気弁１
３や、炭酸ガス供給量調整部１０の開閉弁１１ａ〜１１
ｃを開閉するものである。制御部７は、比抵抗計８で得
られた比抵抗値が予め決められた設定比抵抗値を保つよ
うに、炭酸ガス溶解部４の浸透部１０に供給される炭酸
ガスの供給量を制御するものである。なお、制御部７
は、本発明における制御手段に相当する。

【００３３】例えば、制御部７は、比抵抗計８の比抵抗
値を常時監視して、基板処理ユニット２に供給される炭
酸ガス溶存純水の比抵抗値を設定比抵抗値に一定に保つ
ように、炭酸ガス供給量調整部１０を制御する。具体的
には、炭酸ガス溶存純水の比抵抗値が設定比抵抗値より
も下がった場合には、純水に溶解する炭酸ガスの溶解量
を減らすために、炭酸ガス供給量調整部１０の開閉弁１
１ａ〜１１ｃの開閉および排気弁１３を制御して、浸透
部４０対する炭酸ガスの供給量を減らす。一方、炭酸ガ
ス溶存純水の比抵抗値が設定比抵抗値よりも上がった場
合には、純水に溶解する炭酸ガスの溶解量を増やすため
に、上記と逆に開閉弁１１ａ〜１１ｃを制御して、浸透
部４０に供給する炭酸ガスの供給量を増やすように調整
する。即ち、浸透部４０に供給される炭酸ガスの供給量
が増えると、純水に溶解される炭酸ガスの溶解量が多く
なり、炭酸ガス溶存純水の比抵抗値が下がる。一方、炭
酸ガスの供給量が減ると、純水に溶解される炭酸ガスの
溶解量が少なくなり、炭酸ガス溶存純水の比抵抗値が上
がる。

【００３４】炭酸ガス溶存純水供給ユニット１は、比抵
抗値を略一定に保った炭酸ガス溶存純水を基板処理ユニ
ット２に供給する。基板処理ユニット２は、例えば薬液
などで処理された基板の洗浄処理を行なったり、レジス
ト塗布などの処理前後の基板にリンス処理を行なう処理
部を備えて構成されるものである。基板処理ユニット２
では、炭酸ガス溶存純水供給ユニット１から供給された
炭酸ガス溶存純水を利用して、洗浄処理等を行なう。こ
れにより、基板処置ユニット２で発生する、純水の帯電
による静電破壊や、金属イオンによる金属汚染等を防止
することができる。なお、基板処理ユニット２は、半導
体基板、ガラス基板等に対して純水を用いて処理を施す
過程または処理部を備える装置である。

【００３５】上述した基板処理装置によれば、炭酸ガス
溶存純水供給ユニット１では、炭酸ガス溶存純水の比抵
抗値を測定するために、基板処理ユニット２に供給する
炭酸ガス溶存純水の一部を取り出すことで、比抵抗値を
測定する炭酸ガス溶存純水と、基板処理ユニット２に供
給する炭酸ガス溶存純水とを分けている。したがって、
基板処理ユニット２に供給される炭酸ガス溶存純水は、
その比抵抗値が最適な値に調整されている一方で、比抵
抗値の測定に起因する金属イオンが含まれていない。そ
の結果、基板に炭酸ガス溶存純水を利用して行なわれる
処理において、帯電や金属汚染などの悪影響の発生を防
止することができる。

【００３６】本発明は、次のように変形実施することも
可能である。 （１）上述した実施例では、制御部７によって炭酸ガス
溶解部４で純水に溶解させる炭酸ガスの溶解量を制御し
たが、例えば制御部７を用いることなく、炭酸ガス溶存
純水供給ユニット１を次のように構成することもでき
る。図２は、この変形例に係る基板処理装置のブロック
図である。上述した実施例と共通する部分については、
同一符号を付し、その説明を省略する。

【００３７】図２に示すように、炭酸ガス溶存純水供給
ユニット１の供給管３には、分岐部９の上手側にオリフ
ィス５１が設けられており、さらに、このオリフィス５
１を迂回するような迂回管５０が設けられている。迂回
管５０には、その管内を流れる純水に炭酸ガスを溶解す
る炭酸ガス溶解部４が設けられている。この炭酸ガス溶
解部４の浸透部４０には、炭酸ガス供給源から送られる
比較的多い流量の炭酸ガスが供給されており、この浸透
部４０を通過する純水には略飽和状態の炭酸ガスが溶解
される。つまり、浸透部４０を通過する純水は、略飽和
状態の炭酸ガスが溶解されて、略一定の比抵抗値を持っ
た炭酸ガス溶存純水となる。なお、この炭酸ガス溶解部
４には、ガス排気部４２は設けられていない。

【００３８】純水供給源から供給された純水は、オリフ
ィス５１によって、その前後で圧力差が生じる。具体的
には、供給管３と迂回管５０との接続部である分流部Ｐ
₁ と、合流部Ｐ₂ とで、Ｐ₁ ＞Ｐ₂ となる圧力差が生じ
る。これにより、この供給管３内の圧力差を補うよう
に、純水は、迂回管５０内を分流部Ｐ₁ から合流部Ｐ₂
へ向かって流れる。迂回管５０に設けられた炭酸ガス溶
解部４は、迂回管５０内を流れる純水に略飽和状態にな
る量の炭酸ガスを溶解させて、高濃度の炭酸ガス溶存純
水、即ち比較的比抵抗値の低い炭酸ガス溶存純水を生成
する。この低比抵抗値の炭酸ガス溶存純水は、合流部Ｐ
₂ でオリフィス５１を通過してきた純水と混合されて、
所定の比抵抗値の炭酸ガス溶存純水が生成される。な
お、オリフィス５１の前後で生じる圧力差を変化させる
ことで、基板処理ユニット２に供給する炭酸ガス溶存純
水の比抵抗値を適宜変化させることもできる。また、例
えばオリフィス５１の絞り量を調整することで、圧力差
を変化させることができる。

【００３９】所定の比抵抗値となった炭酸ガス溶存純水
は、基板処理ユニット２に供給されるとともに、比抵抗
計８によってその比抵抗値が測定される。比抵抗計８
は、例えば、測定した炭酸ガス溶存純水の比抵抗値を表
示したり、所定の比抵抗値の範囲を越えた場合には警報
を発したりする。

【００４０】したがって、この変形例によれば、いわゆ
る分圧の法則を利用することにより、基板処理ユニット
に供給する炭酸ガス溶存純水を所定の比抵抗値としてい
るので、炭酸ガス溶存純水供給ユニット１の構成をより
簡略化することができる。つまり、炭酸ガスの比抵抗値
が基板処理において直ちに悪影響を及ぼさないような場
合には、上述した実施例のように制御部７によって特に
制御を施さなくても、炭酸ガス溶存純水の比抵抗値が所
定の値から外れた場合に例えば警報を発することで、そ
の異常をオペレータに知らせるだけの構成にすることも
できる。

【００４１】（２）上述した実施例では、浸透部４０に
供給する炭酸ガスの流量を、抵抗フィルタと開閉バルブ
との組合せによって制御したが、例えば、マスフローコ
ントローラによって制御することもできる。

【００４２】（３）上述した実施例では、比抵抗値を測
定した炭酸ガス溶存純水、即ち電極６から溶出した金属
イオンを含む炭酸ガス溶存純水を廃液したが、例えば、
金属イオンを取り除くことにより純水に再生するような
構成にしてもよい。

【００４３】（４）上述した基板処理装置では、炭酸ガ
ス溶存純水供給ユニット１と、基板処理ユニット２とを
備えて構成されるものとして説明したが、各ユニットを
それぞれ単体装置として利用することもできる。例え
ば、基板処理ユニット２を基板搬送機構、基板処理機構
等を備えた基板処理装置をとして、炭酸ガス溶存純水供
給ユニット１を単体装置として利用することもできる。

【００４４】（５）上述した実施例では、供給管３内を
流通する炭酸ガス溶存純水を分岐管５によって分岐させ
ることで、基板処理装置に供給される炭酸ガス溶存純水
の一部を常に取り出すように構成したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、例えば、分岐管５に開閉弁
を取り付けて、この開閉弁を開閉させることで、比抵抗
値を測定する場合にだけ、基板処理ユニット２に供給さ
れる炭酸ガス溶存純水を取り出すように構成することも
できる。

【００４５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、次の効果を奏する。すなわち、請求項１に記
載の発明によれば、生成された炭酸ガス溶存純水の比抵
抗値を測定する際に、基板処理装置に供給する炭酸ガス
溶存純水と、比抵抗値を測定するための炭酸ガス溶存純
水とに分岐させているので、比抵抗計に起因する金属イ
オンを含んで汚染された炭酸ガス溶存純水を基板処理装
置に供給するのを防止することができる。

【００４６】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の方法発明を好適に実施することができる。

【００４７】請求項３に記載の発明によれば、さらに、
純水に溶解させる炭酸ガスの溶解量を調整するので、任
意の比抵抗値の炭酸ガス溶存純水を基板処理装置に供給
することができる。

【００４８】請求項４に記載の発明によれば、さらに、
炭酸ガス溶存純水の比抵抗値の変化に応じて、純水に溶
解させる炭酸ガスの溶解量を調整するように調整手段を
制御するので、常に最適な比抵抗値に調整された炭酸ガ
ス溶存純水を基板処理装置に供給することができる。

【００４９】請求項５に記載の発明によれば、請求項２
ないし請求項４のいずれかに記載の発明で説明した効果
が得られる炭酸ガス溶存純水供給ユニットを備えた基板
処理装置を実現することができるので、基板処理におけ
る比抵抗計に起因する金属イオンの悪影響を排除するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の基板処理装置の概略を示すブロック図
である。

【図２】変形例の基板処理装置の概略を示すブロック図
である。

【符号の説明】

１ … 炭酸ガス溶存純水供給ユニット ２ … 基板処理ユニット ３ … 供給管 ４ … 炭酸ガス溶解部 ５ … 分岐管 ６ … 電極 ７ … 制御部 ８ … 比抵抗計 ９ … 分岐部 １０ … 炭酸ガス供給量調整部 ４０ … 浸透部

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 純水内に炭酸ガスを溶解させた炭酸ガス
   溶存純水を生成するとともに、比抵抗計によって比抵抗
   値が測定された前記炭酸ガス溶存純水を基板処理装置に
   供給する炭酸ガス溶存純水供給方法であって、 前記純水内に炭酸ガスを溶解させて炭酸ガス溶存純水を
   生成する過程と、 前記炭酸ガス溶存純水を前記基板処理装置に供給する過
   程と、 前記基板処理装置に供給される炭酸ガス溶存純水の一部
   を取り出す過程と、 前記取り出された炭酸ガス溶存純水の比抵抗値を前記比
   抵抗計によって測定する過程とを備えたことを特徴とす
   る炭酸ガス溶存純水供給方法。
2. 【請求項２】 純水内に炭酸ガスを溶解させた炭酸ガス
   溶存純水を生成するとともに、比抵抗計によって比抵抗
   値が測定された前記炭酸ガス溶存純水を基板処理装置に
   供給する炭酸ガス溶存純水供給ユニットであって、 前記純水内に炭酸ガスを溶解させて炭酸ガス溶存純水を
   生成する炭酸ガス溶存純水生成手段と、 前記炭酸ガス溶存純水生成手段で生成された炭酸ガス溶
   存純水を前記基板処理装置に供給する供給管と、 前記供給管によって前記基板処理装置に供給される前記
   炭酸ガス溶存純水の一部を分岐して取り出す分岐管と、 前記分岐管に取り付けられて前記炭酸ガス溶存純水の比
   抵抗値を測定する比抵抗計とを備えたことを特徴とする
   炭酸ガス溶存純水供給ユニット。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の炭酸ガス溶存純水供給
   ユニットにおいて、前記ユニットは、さらに、 前記炭酸ガス溶存純水生成手段において純水に溶解させ
   る炭酸ガスの溶解量を調整する調整手段を備える炭酸ガ
   ス溶存純水供給ユニット。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の炭酸ガス溶存純水供給
   ユニットにおいて、前記ユニットは、さらに、 前記比抵抗計で測定して得られる比抵抗値に応じて、前
   記調整手段を制御する制御手段を備える炭酸ガス溶存純
   水供給ユニット。
5. 【請求項５】 請求項２ないし請求項４のいずれかに記
   載の炭酸ガス溶存純水供給ユニットを備えることを特徴
   とする基板処理装置。