JP2000058546A - リフトオフ方法及び有機膜除去装置 - Google Patents
リフトオフ方法及び有機膜除去装置Info
- Publication number
- JP2000058546A JP2000058546A JP10222215A JP22221598A JP2000058546A JP 2000058546 A JP2000058546 A JP 2000058546A JP 10222215 A JP10222215 A JP 10222215A JP 22221598 A JP22221598 A JP 22221598A JP 2000058546 A JP2000058546 A JP 2000058546A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lift
- substrate
- metal film
- solid particles
- organic film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、所定の金属膜からなる微細パター
ンを高い確実性をもって形成することができると共に、
リフトオフされた膜片の再付着や「バリ」の発生を防止
することができるリフトオフ方法及びこのリフトオフ方
法の実施に使用する有機膜除去装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】 複数のノズルの噴出口からドライアイス
粒子を噴出し、Ｓｉウェーハ１０表面に向かう高速のド
ライアイス粒子の吹き付け１６を行う。そして、この高
速のドライアイス粒子の吹き付け１６により、Ｓｉウェ
ーハ１０上のリフトオフ用パターンのフォトレジスト１
２と共に、フォトレジスト１２上のＴｉ／Ａｕ金属膜１
４ｂ、更にはフォトレジスト１２側壁の将来「バリ」と
なる恐れのあるＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｃを除去し、これ
らの膜片がＳｉウェーハ１０表面に再付着しないように
強力なドライアイス粒子の流れにより洗い流す。
ンを高い確実性をもって形成することができると共に、
リフトオフされた膜片の再付着や「バリ」の発生を防止
することができるリフトオフ方法及びこのリフトオフ方
法の実施に使用する有機膜除去装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】 複数のノズルの噴出口からドライアイス
粒子を噴出し、Ｓｉウェーハ１０表面に向かう高速のド
ライアイス粒子の吹き付け１６を行う。そして、この高
速のドライアイス粒子の吹き付け１６により、Ｓｉウェ
ーハ１０上のリフトオフ用パターンのフォトレジスト１
２と共に、フォトレジスト１２上のＴｉ／Ａｕ金属膜１
４ｂ、更にはフォトレジスト１２側壁の将来「バリ」と
なる恐れのあるＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｃを除去し、これ
らの膜片がＳｉウェーハ１０表面に再付着しないように
強力なドライアイス粒子の流れにより洗い流す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リフトオフ方法及
び有機膜除去装置に係り、特に半導体装置の作製プロセ
スに用いるリフトオフ方法及びこのリフトオフ方法の実
施に使用する有機膜除去装置に関するものである。
び有機膜除去装置に係り、特に半導体装置の作製プロセ
スに用いるリフトオフ方法及びこのリフトオフ方法の実
施に使用する有機膜除去装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レジスト等の有機物を用いるリフトオフ
方法は、半導体装置の作製プロセスにおいて、半導体基
板上に所定のパターンの金属配線を形成する場合等に用
いられている。そして、このようなリフトオフ方法は、
一般に、次のような工程を経て実施される。
方法は、半導体装置の作製プロセスにおいて、半導体基
板上に所定のパターンの金属配線を形成する場合等に用
いられている。そして、このようなリフトオフ方法は、
一般に、次のような工程を経て実施される。
【０００３】例えば半導体基板としてのＳｉ（シリコ
ン）ウェーハ上にフォトレジストを塗布した後、フォト
リソグラフィ技術を用いて所定の形状にパターニングす
る。こうして、金属配線を形成するためのリフトオフ用
パターンを作製する。続いて、真空蒸着機を用いて、基
体全面に金属膜を蒸着する。このとき、Ｓｉウェーハ上
にはリフトオフ用パターンのフォトレジストが形成され
ているため、Ｓｉウェーハ上に直接に堆積された金属膜
とフォトレジスト上に堆積された金属膜とが形成され
る。
ン）ウェーハ上にフォトレジストを塗布した後、フォト
リソグラフィ技術を用いて所定の形状にパターニングす
る。こうして、金属配線を形成するためのリフトオフ用
パターンを作製する。続いて、真空蒸着機を用いて、基
体全面に金属膜を蒸着する。このとき、Ｓｉウェーハ上
にはリフトオフ用パターンのフォトレジストが形成され
ているため、Ｓｉウェーハ上に直接に堆積された金属膜
とフォトレジスト上に堆積された金属膜とが形成され
る。
【０００４】続いて、基体全体を有機溶媒の中に浸漬し
て、Ｓｉウェーハ上のフォトレジストを溶解する。こう
して、Ｓｉウェーハ上のフォトレジストと共に、フォト
レジスト上に堆積された金属膜をも除去し、Ｓｉウェー
ハ上に直接に堆積された金属膜のみを残存させる。こう
して、Ｓｉウェーハ上に残存させた金属膜からなる所定
のパターンの金属配線を形成する。
て、Ｓｉウェーハ上のフォトレジストを溶解する。こう
して、Ｓｉウェーハ上のフォトレジストと共に、フォト
レジスト上に堆積された金属膜をも除去し、Ｓｉウェー
ハ上に直接に堆積された金属膜のみを残存させる。こう
して、Ｓｉウェーハ上に残存させた金属膜からなる所定
のパターンの金属配線を形成する。
【０００５】このようにリフトオフ方法は、半導体装置
の作製プロセスにおいて、エッチングの困難な金属膜を
所定の配線パターン等にパターニングする手段として有
用である。
の作製プロセスにおいて、エッチングの困難な金属膜を
所定の配線パターン等にパターニングする手段として有
用である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のリ
フトオフ方法においては、フォトレジスト及びその上の
金属膜を除去する際、有機溶媒によるレジストの溶解を
利用しているため、有機溶媒が入り込みにくい微細なパ
ターンの場合には確実にリフトオフ方法を実行すること
が困難であるという問題があった。
フトオフ方法においては、フォトレジスト及びその上の
金属膜を除去する際、有機溶媒によるレジストの溶解を
利用しているため、有機溶媒が入り込みにくい微細なパ
ターンの場合には確実にリフトオフ方法を実行すること
が困難であるという問題があった。
【０００７】また、フォトレジスト及びその上の金属膜
を除去した後、基体全体を有機溶媒から引き上げる際
に、一旦リフトオフされたフォトレジストや金属膜の膜
片が基板表面に再付着するという問題があった。
を除去した後、基体全体を有機溶媒から引き上げる際
に、一旦リフトオフされたフォトレジストや金属膜の膜
片が基板表面に再付着するという問題があった。
【０００８】更に、基体全面に金属膜を蒸着する際、飛
来する金属粒子は基板表面に垂直な方向の速度成分以外
に基板表面に斜めに衝突する方向の速度成分をも有して
いることから、リフトオフ用パターンのレジストの側壁
にも金属膜が形成され、この側壁の金属膜とＳｉウェー
ハ上に直接に堆積された金属膜とが繋がってしまうこと
がある。このため、フォトレジスト及びその上の金属膜
を除去して、Ｓｉウェーハ上に残存させた金属膜からな
る金属配線を形成する際に、レジスト側壁の金属膜がＳ
ｉウェーハ上の金属配線に「バリ」として付着したまま
残存するという問題があった。
来する金属粒子は基板表面に垂直な方向の速度成分以外
に基板表面に斜めに衝突する方向の速度成分をも有して
いることから、リフトオフ用パターンのレジストの側壁
にも金属膜が形成され、この側壁の金属膜とＳｉウェー
ハ上に直接に堆積された金属膜とが繋がってしまうこと
がある。このため、フォトレジスト及びその上の金属膜
を除去して、Ｓｉウェーハ上に残存させた金属膜からな
る金属配線を形成する際に、レジスト側壁の金属膜がＳ
ｉウェーハ上の金属配線に「バリ」として付着したまま
残存するという問題があった。
【０００９】このように従来のリフトオフ方法は、エッ
チングの困難な金属膜を所定の形状にパターニングする
手段としては有用であるものの、微細なパターンの金属
配線を形成するには確実性に乏しいプロセスであること
から、極めて微細なデザインルールが要求されるＬＳＩ
（大規模集積回路）の作製プロセスには採用されていな
い。
チングの困難な金属膜を所定の形状にパターニングする
手段としては有用であるものの、微細なパターンの金属
配線を形成するには確実性に乏しいプロセスであること
から、極めて微細なデザインルールが要求されるＬＳＩ
（大規模集積回路）の作製プロセスには採用されていな
い。
【００１０】そこで本発明は、上記問題点を鑑みてなさ
れたものであり、所定の金属膜からなる微細パターンを
高い確実性をもって形成することができると共に、リフ
トオフされた膜片の再付着や「バリ」の発生を防止する
ことができるリフトオフ方法及びこのリフトオフ方法の
実施に使用する有機膜除去装置を提供することを目的と
する。
れたものであり、所定の金属膜からなる微細パターンを
高い確実性をもって形成することができると共に、リフ
トオフされた膜片の再付着や「バリ」の発生を防止する
ことができるリフトオフ方法及びこのリフトオフ方法の
実施に使用する有機膜除去装置を提供することを目的と
する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の本発
明に係るリフトオフ方法及び有機膜除去装置によって達
成される。即ち、請求項１に係るリフトオフ方法は、基
板上に塗布した有機膜を所定の形状にパターニングした
後、基体全面に所定の金属膜を堆積する第１の工程と、
固形粒子を基体全面に吹き付けて、有機膜と共にこの有
機膜上の金属膜を除去する第２の工程と、を有し、基板
上に金属膜からなる所定のパターンを形成することを特
徴とする。
明に係るリフトオフ方法及び有機膜除去装置によって達
成される。即ち、請求項１に係るリフトオフ方法は、基
板上に塗布した有機膜を所定の形状にパターニングした
後、基体全面に所定の金属膜を堆積する第１の工程と、
固形粒子を基体全面に吹き付けて、有機膜と共にこの有
機膜上の金属膜を除去する第２の工程と、を有し、基板
上に金属膜からなる所定のパターンを形成することを特
徴とする。
【００１２】このように請求項１に係るリフトオフ方法
においては、基板上にパターニングした有機膜と共にこ
の有機膜上の金属膜を除去する際に、従来のように有機
溶媒による有機膜の溶解を利用する代わりに、固形粒子
を吹き付ける手法を用いることにより、この固形粒子の
サイズを十分に小さくし且つその吹き付けの速度を十分
に高速にして、従来の有機溶媒が入り込みにくい微細な
パターンの場合であっても、確実に有機膜とその上の金
属膜を除去することが可能になる。
においては、基板上にパターニングした有機膜と共にこ
の有機膜上の金属膜を除去する際に、従来のように有機
溶媒による有機膜の溶解を利用する代わりに、固形粒子
を吹き付ける手法を用いることにより、この固形粒子の
サイズを十分に小さくし且つその吹き付けの速度を十分
に高速にして、従来の有機溶媒が入り込みにくい微細な
パターンの場合であっても、確実に有機膜とその上の金
属膜を除去することが可能になる。
【００１３】また、基板上にパターニングした有機膜の
側壁に金属膜が形成され、将来的に「バリ」となる恐れ
がある場合であっても、高速の固形粒子の吹き付けによ
って有機膜と共にその側壁の金属膜まで容易に除去され
るため、基板上に残存させた金属膜からなる所定のパタ
ーンを形成する際にレジスト側壁の金属膜が「バリ」と
して付着したまま残存することはなくなる。更に、高速
の固形粒子の吹き付けによって除去された有機膜とその
上の金属膜及びその側壁の金属膜は強力な固形粒子の流
れにより洗い流されるため、これら一旦リフトオフされ
た有機膜や金属膜の膜片が基板表面に再付着する恐れは
殆どなくなる。
側壁に金属膜が形成され、将来的に「バリ」となる恐れ
がある場合であっても、高速の固形粒子の吹き付けによ
って有機膜と共にその側壁の金属膜まで容易に除去され
るため、基板上に残存させた金属膜からなる所定のパタ
ーンを形成する際にレジスト側壁の金属膜が「バリ」と
して付着したまま残存することはなくなる。更に、高速
の固形粒子の吹き付けによって除去された有機膜とその
上の金属膜及びその側壁の金属膜は強力な固形粒子の流
れにより洗い流されるため、これら一旦リフトオフされ
た有機膜や金属膜の膜片が基板表面に再付着する恐れは
殆どなくなる。
【００１４】また、請求項２に係るリフトオフ方法は、
上記請求項１に係るリフトオフ方法において、固形粒子
を基体全面に吹き付ける際に、Ｏ3 （オゾン）雰囲気中
において固形粒子の吹き付けを行う構成とすることによ
り、固形粒子の吹き付けにより有機物を除去する効果に
Ｏ3 による有機物除去効果が加わり、有機物除去能力が
強化されるため、微細なパターンの有機膜であっても、
より一層確実にその有機膜とその上の金属膜及びその側
壁の金属膜を除去することが可能になる。
上記請求項１に係るリフトオフ方法において、固形粒子
を基体全面に吹き付ける際に、Ｏ3 （オゾン）雰囲気中
において固形粒子の吹き付けを行う構成とすることによ
り、固形粒子の吹き付けにより有機物を除去する効果に
Ｏ3 による有機物除去効果が加わり、有機物除去能力が
強化されるため、微細なパターンの有機膜であっても、
より一層確実にその有機膜とその上の金属膜及びその側
壁の金属膜を除去することが可能になる。
【００１５】また、請求項３に係るリフトオフ方法は、
上記請求項２に係るリフトオフ方法において、固形粒子
を基体全面に吹き付ける際に、基体全面に紫外線（Ultr
a-Violet Ray；以下、「ＵＶ線」という）を照射しつつ
固形粒子の吹き付けを行う構成とすることにより、固形
粒子の吹き付けにより有機物を除去する効果にＯ3 によ
る有機物除去効果及びＵＶ線の照射による有機物除去効
果が組み合わされて加わり、有機物除去能力が更に強化
されるため、微細なパターンの有機膜であっても、更に
より一層確実にその有機膜とその上の金属膜及びその側
壁の金属膜を除去することが可能になる。
上記請求項２に係るリフトオフ方法において、固形粒子
を基体全面に吹き付ける際に、基体全面に紫外線（Ultr
a-Violet Ray；以下、「ＵＶ線」という）を照射しつつ
固形粒子の吹き付けを行う構成とすることにより、固形
粒子の吹き付けにより有機物を除去する効果にＯ3 によ
る有機物除去効果及びＵＶ線の照射による有機物除去効
果が組み合わされて加わり、有機物除去能力が更に強化
されるため、微細なパターンの有機膜であっても、更に
より一層確実にその有機膜とその上の金属膜及びその側
壁の金属膜を除去することが可能になる。
【００１６】また、請求項４に係るリフトオフ方法は、
上記請求項１に係るリフトオフ方法において、固形粒子
が、気体、液体、又は気体及び液体の混合物をノズルか
ら吹き出し、その際の断熱膨張により冷却されて形成さ
れる構成とすることにより、基体全面に吹き付けて有機
物を除去するための固形粒子を容易に得ることが可能に
なる。このとき、固形粒子のサイズは、ノズルの噴出口
のサイズによって制御され、固形粒子の吹き付けの速度
は、ノズルからの気体、液体、又は気体及び液体の混合
物の吹き出し速度、引いてはノズルに供給される気体等
の圧力によって制御される。
上記請求項１に係るリフトオフ方法において、固形粒子
が、気体、液体、又は気体及び液体の混合物をノズルか
ら吹き出し、その際の断熱膨張により冷却されて形成さ
れる構成とすることにより、基体全面に吹き付けて有機
物を除去するための固形粒子を容易に得ることが可能に
なる。このとき、固形粒子のサイズは、ノズルの噴出口
のサイズによって制御され、固形粒子の吹き付けの速度
は、ノズルからの気体、液体、又は気体及び液体の混合
物の吹き出し速度、引いてはノズルに供給される気体等
の圧力によって制御される。
【００１７】なお、上記請求項１に係るリフトオフ方法
において、固形粒子としては固体のＣＯ2 （二酸化炭
素）であるドライアイスの粒子を用いることが好適であ
る。この場合、気体のＣＯ2 の断熱膨張によっても液体
のＣＯ2 の断熱膨張によっても容易にドライアイスの粒
子を形成することが可能である。また、ドライアイスの
粒子を用いることによって、リフトオフ工程をドライプ
ロセスで行うことが可能になる。また、固形粒子とし
て、ドライアイスの粒子を用いる代わりに、固体のＨ2
Ｏである氷の粒子を用いてもよい。
において、固形粒子としては固体のＣＯ2 （二酸化炭
素）であるドライアイスの粒子を用いることが好適であ
る。この場合、気体のＣＯ2 の断熱膨張によっても液体
のＣＯ2 の断熱膨張によっても容易にドライアイスの粒
子を形成することが可能である。また、ドライアイスの
粒子を用いることによって、リフトオフ工程をドライプ
ロセスで行うことが可能になる。また、固形粒子とし
て、ドライアイスの粒子を用いる代わりに、固体のＨ2
Ｏである氷の粒子を用いてもよい。
【００１８】また、請求項７に係る有機膜除去装置は、
基板を搭載するステージと、このステージ上方に設置さ
れ、気体、液体、又は気体及び液体の混合物を吹き出す
と共に、その際の断熱膨張により冷却して固形粒子を形
成し噴出する複数のノズルと、を有し、ステージ上に搭
載された基板全面に複数のノズルから噴出した固形粒子
を吹き付けて、基板上に形成した所定のパターンの有機
膜と共にこの有機膜上に堆積した所定の金属膜を除去す
ることを特徴とする。
基板を搭載するステージと、このステージ上方に設置さ
れ、気体、液体、又は気体及び液体の混合物を吹き出す
と共に、その際の断熱膨張により冷却して固形粒子を形
成し噴出する複数のノズルと、を有し、ステージ上に搭
載された基板全面に複数のノズルから噴出した固形粒子
を吹き付けて、基板上に形成した所定のパターンの有機
膜と共にこの有機膜上に堆積した所定の金属膜を除去す
ることを特徴とする。
【００１９】このように請求項７に係る有機膜除去装置
においては、基板を搭載するステージ上方に設置された
複数のノズルから固形粒子を噴出するようになっている
ことにより、従来のリフトオフ方法のように有機溶媒に
よるレジストの溶解を利用する代わりに、この複数のノ
ズルからの固形粒子をステージ上の基板全面に吹き付け
て基板上に形成された所定のパターンの有機膜を除去す
ることが可能になるため、従来の有機溶媒が入り込みに
くい微細なパターンの場合であっても、確実に有機膜と
その上の金属膜及びその側壁の金属膜を除去することが
可能になる。このとき、固形粒子のサイズは、ノズルの
噴出口のサイズによって制御され、固形粒子の吹き付け
の速度は、ノズルからの気体、液体、又は気体及び液体
の混合物の吹き出し速度によって制御されるため、固形
粒子のサイズを十分に小さくし且つその吹き付けの速度
を十分に高速にして、有機物除去効果を十分に発揮させ
ることが可能になる。
においては、基板を搭載するステージ上方に設置された
複数のノズルから固形粒子を噴出するようになっている
ことにより、従来のリフトオフ方法のように有機溶媒に
よるレジストの溶解を利用する代わりに、この複数のノ
ズルからの固形粒子をステージ上の基板全面に吹き付け
て基板上に形成された所定のパターンの有機膜を除去す
ることが可能になるため、従来の有機溶媒が入り込みに
くい微細なパターンの場合であっても、確実に有機膜と
その上の金属膜及びその側壁の金属膜を除去することが
可能になる。このとき、固形粒子のサイズは、ノズルの
噴出口のサイズによって制御され、固形粒子の吹き付け
の速度は、ノズルからの気体、液体、又は気体及び液体
の混合物の吹き出し速度によって制御されるため、固形
粒子のサイズを十分に小さくし且つその吹き付けの速度
を十分に高速にして、有機物除去効果を十分に発揮させ
ることが可能になる。
【００２０】また、請求項８に係る有機膜除去装置は、
上記請求項７記載の有機膜除去装置において、複数のノ
ズルの噴出口がステージ上に搭載された基板表面に垂直
な方向から傾いた方向を向いており、ステージが基板を
搭載して回転する構成とすることにより、複数のノズル
から噴出された固形粒子が基板上に形成された所定のパ
ターンの有機膜に対して斜めに吹き付けられるため、有
機膜とその上の金属膜及びその側壁の金属膜が容易に除
去されると共に、その際にステージ上に搭載された基板
が回転するため、有機膜とその上の金属膜及びその側壁
の金属膜を除去する効果が基板全面に均一に発揮され
る。
上記請求項７記載の有機膜除去装置において、複数のノ
ズルの噴出口がステージ上に搭載された基板表面に垂直
な方向から傾いた方向を向いており、ステージが基板を
搭載して回転する構成とすることにより、複数のノズル
から噴出された固形粒子が基板上に形成された所定のパ
ターンの有機膜に対して斜めに吹き付けられるため、有
機膜とその上の金属膜及びその側壁の金属膜が容易に除
去されると共に、その際にステージ上に搭載された基板
が回転するため、有機膜とその上の金属膜及びその側壁
の金属膜を除去する効果が基板全面に均一に発揮され
る。
【００２１】また、請求項９に係る有機膜除去装置は、
上記請求項７記載の有機膜除去装置において、複数のノ
ズルがステージ上方において回転する構成とすることに
より、回転する複数のノズルから噴出された固形粒子は
スパイラル運動をしながら基板全面に吹き付けられるこ
とから、固定式のノズルから固形粒子が吹き付けられる
場合と比べると種々の角度から固形粒子が基板全面に吹
き付けられ、基板上にパターニングされた有機膜に対す
る入射角が種々の値を取ることになるため、基板全面に
わたって均一且つ極めて効果的に有機膜とその上の金属
膜が除去されることになる。
上記請求項７記載の有機膜除去装置において、複数のノ
ズルがステージ上方において回転する構成とすることに
より、回転する複数のノズルから噴出された固形粒子は
スパイラル運動をしながら基板全面に吹き付けられるこ
とから、固定式のノズルから固形粒子が吹き付けられる
場合と比べると種々の角度から固形粒子が基板全面に吹
き付けられ、基板上にパターニングされた有機膜に対す
る入射角が種々の値を取ることになるため、基板全面に
わたって均一且つ極めて効果的に有機膜とその上の金属
膜が除去されることになる。
【００２２】また、請求項１０に係る有機膜除去装置
は、上記請求項９記載の有機膜除去装置において、複数
のノズルの回転が、これら複数のノズルから固形粒子を
噴出する際の反作用によって誘起される構成とすること
により、複数のノズルを回転するための特別の動力を必
要としないため、装置が簡略化され、その運転コストも
低減される。
は、上記請求項９記載の有機膜除去装置において、複数
のノズルの回転が、これら複数のノズルから固形粒子を
噴出する際の反作用によって誘起される構成とすること
により、複数のノズルを回転するための特別の動力を必
要としないため、装置が簡略化され、その運転コストも
低減される。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施形態）本発明の第１の実施形態に係るリフ
トオフ方法は、半導体基板上にパターニングした有機膜
としてのレジスト及びこのレジスト上の金属膜を除去す
るために、従来のように有機溶媒によるレジストの溶解
を利用する代わりに、固形粒子としてのドライアイス粒
子を吹き付ける手法を用いる点に特徴がある。
本発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施形態）本発明の第１の実施形態に係るリフ
トオフ方法は、半導体基板上にパターニングした有機膜
としてのレジスト及びこのレジスト上の金属膜を除去す
るために、従来のように有機溶媒によるレジストの溶解
を利用する代わりに、固形粒子としてのドライアイス粒
子を吹き付ける手法を用いる点に特徴がある。
【００２４】このような本実施形態に係るリフトオフ方
法により半導体基板上に０．３μｍ幅の金属配線を形成
する例について、図１〜図４を用いて述べる。ここで、
図１〜図４はそれぞれ本実施形態に係るリフトオフ方法
を説明するための工程断面図である。半導体基板として
のＳｉ（シリコン）ウェーハ１０上に、膜厚８．０μｍ
のフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ技
術を用いて、このフォトレジストを所定の形状にパター
ニングする。こうして、０．３μｍ幅の金属配線を形成
するための必要な幅の線状の開口部をもつリフトオフ用
パターンのフォトレジスト１２を形成する。なお、この
とき、リフトオフ用パターンのフォトレジスト１２は、
後の工程におけるリフトオフを容易にするために、その
断面が逆テーパ形状になるようにする（図１参照）。
法により半導体基板上に０．３μｍ幅の金属配線を形成
する例について、図１〜図４を用いて述べる。ここで、
図１〜図４はそれぞれ本実施形態に係るリフトオフ方法
を説明するための工程断面図である。半導体基板として
のＳｉ（シリコン）ウェーハ１０上に、膜厚８．０μｍ
のフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ技
術を用いて、このフォトレジストを所定の形状にパター
ニングする。こうして、０．３μｍ幅の金属配線を形成
するための必要な幅の線状の開口部をもつリフトオフ用
パターンのフォトレジスト１２を形成する。なお、この
とき、リフトオフ用パターンのフォトレジスト１２は、
後の工程におけるリフトオフを容易にするために、その
断面が逆テーパ形状になるようにする（図１参照）。
【００２５】続いて、真空蒸着機を用いて、膜厚１０ｎ
ｍのＴｉ（チタン）膜と膜厚４９０ｎｍのＡｕ（金）膜
を順に蒸着し、積層構造の金属配線用のＴｉ／Ａｕ金属
膜を形成する。このとき、Ｓｉウェーハ１０上にはリフ
トオフ用パターンのフォトレジスト１２が形成されてい
るため、Ｓｉウェーハ１０上にＴｉ／Ａｕ金属膜１４ａ
が直接に堆積され、フォトレジスト１２上にはＴｉ／Ａ
ｕ金属膜１４ｂが堆積される。
ｍのＴｉ（チタン）膜と膜厚４９０ｎｍのＡｕ（金）膜
を順に蒸着し、積層構造の金属配線用のＴｉ／Ａｕ金属
膜を形成する。このとき、Ｓｉウェーハ１０上にはリフ
トオフ用パターンのフォトレジスト１２が形成されてい
るため、Ｓｉウェーハ１０上にＴｉ／Ａｕ金属膜１４ａ
が直接に堆積され、フォトレジスト１２上にはＴｉ／Ａ
ｕ金属膜１４ｂが堆積される。
【００２６】なお、このＴｉ／Ａｕ金属膜を蒸着する
際、飛来する金属粒子はＳｉウェーハ１０表面に垂直な
方向の速度成分以外にＳｉウェーハ１０表面に斜めに衝
突する方向の速度成分をも有していることから、リフト
オフ用パターンのフォトレジスト１２の側壁にもＴｉ／
Ａｕ金属膜１４ｃがＴｉ／Ａｕ金属膜１４ａに繋がった
状態で形成される（図２参照）。
際、飛来する金属粒子はＳｉウェーハ１０表面に垂直な
方向の速度成分以外にＳｉウェーハ１０表面に斜めに衝
突する方向の速度成分をも有していることから、リフト
オフ用パターンのフォトレジスト１２の側壁にもＴｉ／
Ａｕ金属膜１４ｃがＴｉ／Ａｕ金属膜１４ａに繋がった
状態で形成される（図２参照）。
【００２７】続いて、有機膜除去装置のチャンバ（図示
せず）内に設置されたステージ（図示せず）上にＳｉウ
ェーハ１０を搭載する。そして、Ｓｉウェーハ１０を搭
載した状態でステージを例えば回転速度２０ｒｐｍで回
転する。また、ステージの上方には固定式の複数のノズ
ル（図示せず）が設置されており、これら複数のノズル
の噴出口はステージ上に搭載されたＳｉウェーハ１０表
面に垂直な方向から例えば１０°傾いた方向を向いてい
る。そして、これら複数のノズルの噴出口からドライア
イス粒子を噴出して、図中に矢印で示されるように、Ｓ
ｉウェーハ１０表面に向かう高速のドライアイス粒子の
吹き付け１６を行う。
せず）内に設置されたステージ（図示せず）上にＳｉウ
ェーハ１０を搭載する。そして、Ｓｉウェーハ１０を搭
載した状態でステージを例えば回転速度２０ｒｐｍで回
転する。また、ステージの上方には固定式の複数のノズ
ル（図示せず）が設置されており、これら複数のノズル
の噴出口はステージ上に搭載されたＳｉウェーハ１０表
面に垂直な方向から例えば１０°傾いた方向を向いてい
る。そして、これら複数のノズルの噴出口からドライア
イス粒子を噴出して、図中に矢印で示されるように、Ｓ
ｉウェーハ１０表面に向かう高速のドライアイス粒子の
吹き付け１６を行う。
【００２８】なお、このドライアイス粒子の吹き付け１
６は、気体、液体、又は気体及び液体の混合状態のＣＯ
2 をノズルに供給し、その噴出口から吹き出させ、その
際の断熱膨張によって冷却することにより、容易に形成
される。また、このときのドライアイス粒子のサイズ
は、ノズルの噴出口のサイズによって制御され、ドライ
アイス粒子の吹き付けの速度は、ノズルからの気体、液
体、又は気体及び液体の混合状態のＣＯ2 の吹き出し速
度、引いてはノズルに供給されるＣＯ2 の圧力によって
制御する。
６は、気体、液体、又は気体及び液体の混合状態のＣＯ
2 をノズルに供給し、その噴出口から吹き出させ、その
際の断熱膨張によって冷却することにより、容易に形成
される。また、このときのドライアイス粒子のサイズ
は、ノズルの噴出口のサイズによって制御され、ドライ
アイス粒子の吹き付けの速度は、ノズルからの気体、液
体、又は気体及び液体の混合状態のＣＯ2 の吹き出し速
度、引いてはノズルに供給されるＣＯ2 の圧力によって
制御する。
【００２９】こうして、回転するＳｉウェーハ１０表面
に対して高速のドライアイス粒子の吹き付け１６を行う
ことにより、Ｓｉウェーハ１０上のリフトオフ用パター
ンのフォトレジスト１２と共に、このフォトレジスト１
２上のＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂ及びその側壁のＴｉ／Ａ
ｕ金属膜１４ｃを除去する。その結果、Ｓｉウェーハ１
０上にはＴｉ／Ａｕ金属膜１４ａのみが０．３μｍ幅の
配線パターンに残存して、このＴｉ／Ａｕ金属膜１４ａ
からなる０．３μｍ幅のＴｉ／Ａｕ金属配線１８が形成
される。
に対して高速のドライアイス粒子の吹き付け１６を行う
ことにより、Ｓｉウェーハ１０上のリフトオフ用パター
ンのフォトレジスト１２と共に、このフォトレジスト１
２上のＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂ及びその側壁のＴｉ／Ａ
ｕ金属膜１４ｃを除去する。その結果、Ｓｉウェーハ１
０上にはＴｉ／Ａｕ金属膜１４ａのみが０．３μｍ幅の
配線パターンに残存して、このＴｉ／Ａｕ金属膜１４ａ
からなる０．３μｍ幅のＴｉ／Ａｕ金属配線１８が形成
される。
【００３０】このように本実施形態によれば、高速のド
ライアイス粒子の吹き付け１６によってＳｉウェーハ１
０上のリフトオフ用パターンのフォトレジスト１２と共
にその上のＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂを除去することによ
り、フォトレジスト１２によるリフトオフ用パターンが
従来の有機溶媒を用いる場合には十分に入り込みにくい
微細なパターンであっても、確実に微細なパターンのフ
ォトレジスト１２とその上のＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂを
除去することができる。従って、ドライプロセスによ
り、Ｓｉウェーハ１０上に微細なパターンのＴｉ／Ａｕ
金属配線１８を精度よく確実に形成することができる。
ライアイス粒子の吹き付け１６によってＳｉウェーハ１
０上のリフトオフ用パターンのフォトレジスト１２と共
にその上のＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂを除去することによ
り、フォトレジスト１２によるリフトオフ用パターンが
従来の有機溶媒を用いる場合には十分に入り込みにくい
微細なパターンであっても、確実に微細なパターンのフ
ォトレジスト１２とその上のＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂを
除去することができる。従って、ドライプロセスによ
り、Ｓｉウェーハ１０上に微細なパターンのＴｉ／Ａｕ
金属配線１８を精度よく確実に形成することができる。
【００３１】また、Ｔｉ／Ａｕ金属膜を蒸着する際にフ
ォトレジスト１２の側壁にもＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｃが
Ｔｉ／Ａｕ金属膜１４ａに繋がった状態で形成されて
も、このフォトレジスト１２側壁のＴｉ／Ａｕ金属膜１
４ｃもフォトレジスト１２と共に高速のドライアイス粒
子の吹き付け１６によって容易に除去することができる
ため、Ｓｉウェーハ１０上に形成するＴｉ／Ａｕ金属配
線１８にＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｃが「バリ」として付着
することを防止することができる。
ォトレジスト１２の側壁にもＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｃが
Ｔｉ／Ａｕ金属膜１４ａに繋がった状態で形成されて
も、このフォトレジスト１２側壁のＴｉ／Ａｕ金属膜１
４ｃもフォトレジスト１２と共に高速のドライアイス粒
子の吹き付け１６によって容易に除去することができる
ため、Ｓｉウェーハ１０上に形成するＴｉ／Ａｕ金属配
線１８にＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｃが「バリ」として付着
することを防止することができる。
【００３２】また、高速のドライアイス粒子の吹き付け
１６によって除去されたフォトレジスト１２及びＴｉ／
Ａｕ金属膜１４ｂ、１４ｃは強力なドライアイス粒子の
流れにより洗い流されるため、これらの一旦リフトオフ
されたフォトレジスト１２やＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂ、
１４ｃの膜片がＳｉウェーハ１０表面に再付着すること
を防止することができる。
１６によって除去されたフォトレジスト１２及びＴｉ／
Ａｕ金属膜１４ｂ、１４ｃは強力なドライアイス粒子の
流れにより洗い流されるため、これらの一旦リフトオフ
されたフォトレジスト１２やＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂ、
１４ｃの膜片がＳｉウェーハ１０表面に再付着すること
を防止することができる。
【００３３】また、ドライアイス粒子の吹き付け１６を
行う際、複数のノズルの噴出口から回転するＳｉウェー
ハ１０表面に向かって斜めにドライアイス粒子を噴出す
ることにより、ドライアイス粒子の吹き付け１６による
フォトレジスト１２等を除去する効果をＳｉウェーハ１
０全面にわたって均一に発揮することができる。
行う際、複数のノズルの噴出口から回転するＳｉウェー
ハ１０表面に向かって斜めにドライアイス粒子を噴出す
ることにより、ドライアイス粒子の吹き付け１６による
フォトレジスト１２等を除去する効果をＳｉウェーハ１
０全面にわたって均一に発揮することができる。
【００３４】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態に係るリフトオフ方法は、上記第１の実施形態に係る
リフトオフ方法と同様、半導体基板上にパターニングし
た有機膜としてのレジスト及びこのレジスト上の金属膜
を除去するために、固形粒子としてのドライアイス粒子
を吹き付ける手法を用いると共に、その際にＯ3 雰囲気
中におけるＵＶ線の照射を行う点に特徴がある。
態に係るリフトオフ方法は、上記第１の実施形態に係る
リフトオフ方法と同様、半導体基板上にパターニングし
た有機膜としてのレジスト及びこのレジスト上の金属膜
を除去するために、固形粒子としてのドライアイス粒子
を吹き付ける手法を用いると共に、その際にＯ3 雰囲気
中におけるＵＶ線の照射を行う点に特徴がある。
【００３５】このような本実施形態に係るリフトオフ方
法により半導体基板上に０．３μｍ幅の金属配線を形成
する例について、図５〜図８を用いて述べる。ここで、
図１〜図４はそれぞれ本実施形態に係るリフトオフ方法
を説明するための工程断面図である。半導体基板として
のＳｉウェーハ２０上に、膜厚８．０μｍのフォトレジ
ストを塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、
このフォトレジストを所定の形状にパターニングする。
こうして、０．３μｍ幅の金属配線を形成するための必
要な幅の線状の開口部をもつリフトオフ用パターンのフ
ォトレジスト２２を形成する。なお、このとき、リフト
オフ用パターンのフォトレジスト２２は、後の工程にお
けるリフトオフを容易にするために、その断面が逆テー
パ形状になるようにする（図５参照）。
法により半導体基板上に０．３μｍ幅の金属配線を形成
する例について、図５〜図８を用いて述べる。ここで、
図１〜図４はそれぞれ本実施形態に係るリフトオフ方法
を説明するための工程断面図である。半導体基板として
のＳｉウェーハ２０上に、膜厚８．０μｍのフォトレジ
ストを塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、
このフォトレジストを所定の形状にパターニングする。
こうして、０．３μｍ幅の金属配線を形成するための必
要な幅の線状の開口部をもつリフトオフ用パターンのフ
ォトレジスト２２を形成する。なお、このとき、リフト
オフ用パターンのフォトレジスト２２は、後の工程にお
けるリフトオフを容易にするために、その断面が逆テー
パ形状になるようにする（図５参照）。
【００３６】続いて、真空蒸着機を用いて、膜厚１０ｎ
ｍのＴｉ膜と膜厚４９０ｎｍのＡｕ膜を順に蒸着し、積
層構造の金属配線用のＴｉ／Ａｕ金属膜を形成する。こ
のとき、Ｓｉウェーハ２０上にはリフトオフ用パターン
のフォトレジスト２２が形成されているため、Ｓｉウェ
ーハ２０上にＴｉ／Ａｕ金属膜２４ａが直接に堆積さ
れ、フォトレジスト２２上にはＴｉ／Ａｕ金属膜２４ｂ
が堆積される。
ｍのＴｉ膜と膜厚４９０ｎｍのＡｕ膜を順に蒸着し、積
層構造の金属配線用のＴｉ／Ａｕ金属膜を形成する。こ
のとき、Ｓｉウェーハ２０上にはリフトオフ用パターン
のフォトレジスト２２が形成されているため、Ｓｉウェ
ーハ２０上にＴｉ／Ａｕ金属膜２４ａが直接に堆積さ
れ、フォトレジスト２２上にはＴｉ／Ａｕ金属膜２４ｂ
が堆積される。
【００３７】なお、このＴｉ／Ａｕ金属膜を蒸着する
際、飛来する金属粒子はＳｉウェーハ２０表面に垂直な
方向の速度成分以外にＳｉウェーハ２０表面に斜めに衝
突する方向の速度成分をも有していることから、リフト
オフ用パターンのフォトレジスト２２の側壁にもＴｉ／
Ａｕ金属膜２４ｃがＴｉ／Ａｕ金属膜２４ａに繋がった
状態で形成される（図６参照）。
際、飛来する金属粒子はＳｉウェーハ２０表面に垂直な
方向の速度成分以外にＳｉウェーハ２０表面に斜めに衝
突する方向の速度成分をも有していることから、リフト
オフ用パターンのフォトレジスト２２の側壁にもＴｉ／
Ａｕ金属膜２４ｃがＴｉ／Ａｕ金属膜２４ａに繋がった
状態で形成される（図６参照）。
【００３８】続いて、有機膜除去装置のチャンバ２６内
に設置されたステージ（図示せず）上にＳｉウェーハ１
０を搭載する。そして、Ｓｉウェーハ２０を搭載した状
態でステージを例えば回転速度２０ｒｐｍで回転する。
また、このチャンバ２６内には、Ｏ2 （酸素）ガスをキ
ャリアとしてＯ3 を導入し、例えば濃度１５％のＯ3 雰
囲気２８によって充填する。なお、このときのＯ3 及び
Ｏ2 ガスのトータルの流量は例えば２ＳＬＭとする。ま
た、チャンバ２６内の上部にはＵＶ光源（図示せず）が
設置されており、図中に太い矢印で示されるように、Ｓ
ｉウェーハ２０表面に向かう例えば光強度２００ｍＷ／
ｃｍ2 のＵＶ線の照射３０を行う。
に設置されたステージ（図示せず）上にＳｉウェーハ１
０を搭載する。そして、Ｓｉウェーハ２０を搭載した状
態でステージを例えば回転速度２０ｒｐｍで回転する。
また、このチャンバ２６内には、Ｏ2 （酸素）ガスをキ
ャリアとしてＯ3 を導入し、例えば濃度１５％のＯ3 雰
囲気２８によって充填する。なお、このときのＯ3 及び
Ｏ2 ガスのトータルの流量は例えば２ＳＬＭとする。ま
た、チャンバ２６内の上部にはＵＶ光源（図示せず）が
設置されており、図中に太い矢印で示されるように、Ｓ
ｉウェーハ２０表面に向かう例えば光強度２００ｍＷ／
ｃｍ2 のＵＶ線の照射３０を行う。
【００３９】また、ステージの上方には固定式の複数の
ノズル（図示せず）が設置されており、これら複数のノ
ズルの噴出口はステージ上に搭載されたＳｉウェーハ２
０表面に垂直な方向から例えば１０°傾いた方向を向い
ている。そして、これら複数のノズルの噴出口からドラ
イアイス粒子を噴出し、図中に細い矢印で示されるよう
に、Ｓｉウェーハ２０表面に向かう高速のドライアイス
粒子の吹き付け３２を行う。
ノズル（図示せず）が設置されており、これら複数のノ
ズルの噴出口はステージ上に搭載されたＳｉウェーハ２
０表面に垂直な方向から例えば１０°傾いた方向を向い
ている。そして、これら複数のノズルの噴出口からドラ
イアイス粒子を噴出し、図中に細い矢印で示されるよう
に、Ｓｉウェーハ２０表面に向かう高速のドライアイス
粒子の吹き付け３２を行う。
【００４０】なお、このドライアイス粒子の吹き付け３
２は、気体、液体、又は気体及び液体の混合状態のＣＯ
2 をノズルに供給し、その噴出口から吹き出させ、その
際の断熱膨張によって冷却することにより、容易に形成
される。また、このときのドライアイス粒子のサイズ
は、ノズルの噴出口のサイズによって制御され、ドライ
アイス粒子の吹き付けの速度は、ノズルからの気体、液
体、又は気体及び液体の混合状態のＣＯ2 の吹き出し速
度、引いてはノズルに供給されるＣＯ2 の圧力によって
制御する。
２は、気体、液体、又は気体及び液体の混合状態のＣＯ
2 をノズルに供給し、その噴出口から吹き出させ、その
際の断熱膨張によって冷却することにより、容易に形成
される。また、このときのドライアイス粒子のサイズ
は、ノズルの噴出口のサイズによって制御され、ドライ
アイス粒子の吹き付けの速度は、ノズルからの気体、液
体、又は気体及び液体の混合状態のＣＯ2 の吹き出し速
度、引いてはノズルに供給されるＣＯ2 の圧力によって
制御する。
【００４１】こうして、Ｏ3 雰囲気２８中においてＵＶ
線の照射３０を受けながら回転するＳｉウェーハ２０表
面に対して高速のドライアイス粒子の吹き付け３２を行
うことにより、Ｓｉウェーハ２０上のリフトオフ用パタ
ーンのフォトレジスト２２と共に、このフォトレジスト
２２上のＴｉ／Ａｕ金属膜２４ｂ及びその側壁のＴｉ／
Ａｕ金属膜２４ｃを除去する。その結果、Ｓｉウェーハ
２０上にはＴｉ／Ａｕ金属膜２４ａのみが０．３μｍ幅
の配線パターンに残存し、このＴｉ／Ａｕ金属膜２４ａ
からなる０．３μｍ幅のＴｉ／Ａｕ金属配線３４が形成
される。
線の照射３０を受けながら回転するＳｉウェーハ２０表
面に対して高速のドライアイス粒子の吹き付け３２を行
うことにより、Ｓｉウェーハ２０上のリフトオフ用パタ
ーンのフォトレジスト２２と共に、このフォトレジスト
２２上のＴｉ／Ａｕ金属膜２４ｂ及びその側壁のＴｉ／
Ａｕ金属膜２４ｃを除去する。その結果、Ｓｉウェーハ
２０上にはＴｉ／Ａｕ金属膜２４ａのみが０．３μｍ幅
の配線パターンに残存し、このＴｉ／Ａｕ金属膜２４ａ
からなる０．３μｍ幅のＴｉ／Ａｕ金属配線３４が形成
される。
【００４２】このように本実施形態によれば、固定され
た複数のノズルから回転するＳｉウェーハ２０表面に斜
めに向かう高速のドライアイス粒子の吹き付け３２によ
ってＳｉウェーハ２０上のリフトオフ用パターンのフォ
トレジスト２２と共にその上のＴｉ／Ａｕ金属膜２４ｂ
及びその側壁のＴｉ／Ａｕ金属膜２４ｃをＳｉウェーハ
１０全面にわたって均一に除去することにより、上記第
１の実施形態の場合と同様、リフトオフされたフォトレ
ジスト１２やＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂ、１４ｃの膜片の
Ｓｉウェーハ１０表面への再付着やＴｉ／Ａｕ金属膜２
４ｃの「バリ」として付着を防止しつつ、ドライプロセ
スにより微細なパターンのＴｉ／Ａｕ金属配線１８を精
度よく確実に形成することができる。
た複数のノズルから回転するＳｉウェーハ２０表面に斜
めに向かう高速のドライアイス粒子の吹き付け３２によ
ってＳｉウェーハ２０上のリフトオフ用パターンのフォ
トレジスト２２と共にその上のＴｉ／Ａｕ金属膜２４ｂ
及びその側壁のＴｉ／Ａｕ金属膜２４ｃをＳｉウェーハ
１０全面にわたって均一に除去することにより、上記第
１の実施形態の場合と同様、リフトオフされたフォトレ
ジスト１２やＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂ、１４ｃの膜片の
Ｓｉウェーハ１０表面への再付着やＴｉ／Ａｕ金属膜２
４ｃの「バリ」として付着を防止しつつ、ドライプロセ
スにより微細なパターンのＴｉ／Ａｕ金属配線１８を精
度よく確実に形成することができる。
【００４３】更に、本実施形態によれば、高速のドライ
アイス粒子の吹き付け３２を行う際に、Ｏ3 雰囲気２８
中においてＵＶ線の照射３０を伴うことにより、ドライ
アイス粒子の吹き付け３２によりフォトレジスト１２等
を除去する効果にＯ3 による除去効果、更にはＵＶ線の
照射３０による除去効果が組み合わされて加わり、全体
としてのフォトレジスト１２等を除去する能力が強化さ
れるため、上記第１の実施形態の場合よりも更により一
層確実にリフトオフ用パターンのフォトレジスト２２並
びにその上のＴｉ／Ａｕ金属膜２４ｂ及びその側壁のＴ
ｉ／Ａｕ金属膜２４ｃを除去することができる。従っ
て、微細なパターンのＴｉ／Ａｕ金属配線１８を精度よ
く形成する際の確実性を更に高めることができる。
アイス粒子の吹き付け３２を行う際に、Ｏ3 雰囲気２８
中においてＵＶ線の照射３０を伴うことにより、ドライ
アイス粒子の吹き付け３２によりフォトレジスト１２等
を除去する効果にＯ3 による除去効果、更にはＵＶ線の
照射３０による除去効果が組み合わされて加わり、全体
としてのフォトレジスト１２等を除去する能力が強化さ
れるため、上記第１の実施形態の場合よりも更により一
層確実にリフトオフ用パターンのフォトレジスト２２並
びにその上のＴｉ／Ａｕ金属膜２４ｂ及びその側壁のＴ
ｉ／Ａｕ金属膜２４ｃを除去することができる。従っ
て、微細なパターンのＴｉ／Ａｕ金属配線１８を精度よ
く形成する際の確実性を更に高めることができる。
【００４４】（第３の実施形態）本発明の第３の実施形
態に係るリフトオフ方法は、上記第１の実施形態に係る
リフトオフ方法と同様、半導体基板上にパターニングし
た有機膜としてのレジスト及びこのレジスト上の金属膜
を除去するために、固形粒子としてのドライアイス粒子
を吹き付ける手法を用いるが、その際に固定式のノズル
の代わりに、自動回転式のノズルを使用する点に特徴が
ある。
態に係るリフトオフ方法は、上記第１の実施形態に係る
リフトオフ方法と同様、半導体基板上にパターニングし
た有機膜としてのレジスト及びこのレジスト上の金属膜
を除去するために、固形粒子としてのドライアイス粒子
を吹き付ける手法を用いるが、その際に固定式のノズル
の代わりに、自動回転式のノズルを使用する点に特徴が
ある。
【００４５】このような本実施形態に係るリフトオフ方
法により半導体基板上に０．３μｍ幅の金属配線を形成
する例について、図９及び図１０を用いて述べる。ここ
で、図９及び図１０はそれぞれ本実施形態に係るリフト
オフ方法に使用する自動回転式のノズルを示す上面図及
び側面図である。なお、本実施形態に係るリフトオフ方
法を説明するための工程断面図は、上記第１の実施形態
の図１〜図４と基本的に同様であるため、図示を省略
し、各構成要素の符号はそのまま使用する。
法により半導体基板上に０．３μｍ幅の金属配線を形成
する例について、図９及び図１０を用いて述べる。ここ
で、図９及び図１０はそれぞれ本実施形態に係るリフト
オフ方法に使用する自動回転式のノズルを示す上面図及
び側面図である。なお、本実施形態に係るリフトオフ方
法を説明するための工程断面図は、上記第１の実施形態
の図１〜図４と基本的に同様であるため、図示を省略
し、各構成要素の符号はそのまま使用する。
【００４６】先ず、本実施形態に係るリフトオフ方法の
実施に使用する有機膜除去装置について、図９及び図１
０を用いて説明する。この有機膜除去装置においては、
そのチャンバ（図示せず）内に、Ｓｉウェーハ１０を搭
載するためのステージ（図示せず）が設置されている。
また、このステージの上方には、高圧の気体、液体、又
は気体及び液体の混合状態のＣＯ2 が供給される例えば
直径２０ｍｍφの中空のパイプ４０が設置されている。
そして、この中空のパイプ４０は、ステージ上に搭載さ
れたＳｉウェーハ１０表面に垂直な回転軸４２で回転で
きるようになっている。また、パイプ４０の下端部に
は、ステージ上に搭載されたＳｉウェーハ１０表面に平
行に４方向に延びる十字型のガイド４４が接続されてお
り、この十字型のガイド４４に沿って長さ９０ｍｍの複
数のノズル４６が配列されている。そして、これら複数
のノズル４６の噴出口は、ステージ上に搭載されたＳｉ
ウェーハ１０表面に垂直な回転軸４２の方向から例えば
５°傾いた方向を向いている。
実施に使用する有機膜除去装置について、図９及び図１
０を用いて説明する。この有機膜除去装置においては、
そのチャンバ（図示せず）内に、Ｓｉウェーハ１０を搭
載するためのステージ（図示せず）が設置されている。
また、このステージの上方には、高圧の気体、液体、又
は気体及び液体の混合状態のＣＯ2 が供給される例えば
直径２０ｍｍφの中空のパイプ４０が設置されている。
そして、この中空のパイプ４０は、ステージ上に搭載さ
れたＳｉウェーハ１０表面に垂直な回転軸４２で回転で
きるようになっている。また、パイプ４０の下端部に
は、ステージ上に搭載されたＳｉウェーハ１０表面に平
行に４方向に延びる十字型のガイド４４が接続されてお
り、この十字型のガイド４４に沿って長さ９０ｍｍの複
数のノズル４６が配列されている。そして、これら複数
のノズル４６の噴出口は、ステージ上に搭載されたＳｉ
ウェーハ１０表面に垂直な回転軸４２の方向から例えば
５°傾いた方向を向いている。
【００４７】このため、パイプ４０及びガイド４４を介
して複数のノズル４６に供給された高圧の気体、液体、
又は気体及び液体の混合状態のＣＯ2 をその噴出口から
吹き出させると、その際の断熱膨張によって冷却され、
容易にドライアイス粒子が形成される。また、このと
き、図９及び図１０中に小さな矢印で示されるように、
複数のノズル４６の噴出口からドライアイス粒子の噴出
４８が斜め下向きに高速で行われると、このドライアイ
ス粒子の噴出の反作用によって、複数のノズル４６、ガ
イド４４、及びパイプ４０が、回転軸４２の周囲を図９
及び図１０中に大きい矢印で示される回転方向に回転す
る。即ち、複数のノズル４６は、その噴出口からのドラ
イアイス粒子の噴出に伴って自動的に回転するようにス
テージ上方に設置されている。
して複数のノズル４６に供給された高圧の気体、液体、
又は気体及び液体の混合状態のＣＯ2 をその噴出口から
吹き出させると、その際の断熱膨張によって冷却され、
容易にドライアイス粒子が形成される。また、このと
き、図９及び図１０中に小さな矢印で示されるように、
複数のノズル４６の噴出口からドライアイス粒子の噴出
４８が斜め下向きに高速で行われると、このドライアイ
ス粒子の噴出の反作用によって、複数のノズル４６、ガ
イド４４、及びパイプ４０が、回転軸４２の周囲を図９
及び図１０中に大きい矢印で示される回転方向に回転す
る。即ち、複数のノズル４６は、その噴出口からのドラ
イアイス粒子の噴出に伴って自動的に回転するようにス
テージ上方に設置されている。
【００４８】次に、本実施形態に係るリフトオフ方法に
より、Ｓｉウェーハ１０上に０．３μｍ幅の金属配線を
形成する例について説明する。上記第１の実施形態の場
合と同様に、半導体基板としてのＳｉウェーハ１０上に
膜厚８．０μｍのフォトレジストを塗布した後、フォト
リソグラフィ技術を用いてこのフォトレジストを所定の
形状にパターニングし、０．３μｍ幅の金属配線を形成
するための必要な幅の線状の開口部をもつリフトオフ用
パターンのフォトレジスト１２をその断面が逆テーパ形
状になるように形成する。
より、Ｓｉウェーハ１０上に０．３μｍ幅の金属配線を
形成する例について説明する。上記第１の実施形態の場
合と同様に、半導体基板としてのＳｉウェーハ１０上に
膜厚８．０μｍのフォトレジストを塗布した後、フォト
リソグラフィ技術を用いてこのフォトレジストを所定の
形状にパターニングし、０．３μｍ幅の金属配線を形成
するための必要な幅の線状の開口部をもつリフトオフ用
パターンのフォトレジスト１２をその断面が逆テーパ形
状になるように形成する。
【００４９】続いて、真空蒸着機を用いて、膜厚１０ｎ
ｍのＴｉ膜と膜厚４９０ｎｍのＡｕ膜とを順に積層した
金属配線用のＴｉ／Ａｕ金属膜を蒸着して、Ｓｉウェー
ハ１０上に直接にＴｉ／Ａｕ金属膜１４ａを堆積し、フ
ォトレジスト１２上にＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂを堆積す
る。なお、このとき、上記第１の実施形態の場合と同様
に、リフトオフ用パターンのフォトレジスト１２の側壁
にもＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｃがＴｉ／Ａｕ金属膜１４ａ
に繋がった状態で形成される。
ｍのＴｉ膜と膜厚４９０ｎｍのＡｕ膜とを順に積層した
金属配線用のＴｉ／Ａｕ金属膜を蒸着して、Ｓｉウェー
ハ１０上に直接にＴｉ／Ａｕ金属膜１４ａを堆積し、フ
ォトレジスト１２上にＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂを堆積す
る。なお、このとき、上記第１の実施形態の場合と同様
に、リフトオフ用パターンのフォトレジスト１２の側壁
にもＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｃがＴｉ／Ａｕ金属膜１４ａ
に繋がった状態で形成される。
【００５０】続いて、図９及び図１０を用いて既に説明
した有機膜除去装置を用いて、Ｓｉウェーハ１０上のフ
ォトレジスト１２等の除去を行う。即ち、有機膜除去装
置のチャンバ（図示せず）内に設置されたステージ（図
示せず）上にＳｉウェーハ１０を搭載する。そして、ス
テージの上方に設置された複数のノズル４６にパイプ４
０及びガイド４４を介して高圧の気体、液体、又は気体
及び液体の混合状態のＣＯ2 を供給し、その噴出口から
ドライアイス粒子を噴出すると共に、その噴出の反作用
によって複数のノズル４６を回転させる。こうして、自
動的に回転する複数のノズル４６の噴出口から噴出され
たドライアイス粒子はスパイラル運動をしながらＳｉウ
ェーハ１０表面に吹き付けられる。
した有機膜除去装置を用いて、Ｓｉウェーハ１０上のフ
ォトレジスト１２等の除去を行う。即ち、有機膜除去装
置のチャンバ（図示せず）内に設置されたステージ（図
示せず）上にＳｉウェーハ１０を搭載する。そして、ス
テージの上方に設置された複数のノズル４６にパイプ４
０及びガイド４４を介して高圧の気体、液体、又は気体
及び液体の混合状態のＣＯ2 を供給し、その噴出口から
ドライアイス粒子を噴出すると共に、その噴出の反作用
によって複数のノズル４６を回転させる。こうして、自
動的に回転する複数のノズル４６の噴出口から噴出され
たドライアイス粒子はスパイラル運動をしながらＳｉウ
ェーハ１０表面に吹き付けられる。
【００５１】なお、このとき、複数のノズル４６の噴出
口から噴出されるドライアイス粒子のサイズは、その噴
出口のサイズによって制御され、またドライアイス粒子
の吹き付けの速度は、その噴出口からの気体、液体、又
は気体及び液体の混合状態のＣＯ2 の吹き出し速度、引
いては複数のノズル４６に供給されるＣＯ2 の圧力によ
って制御する。
口から噴出されるドライアイス粒子のサイズは、その噴
出口のサイズによって制御され、またドライアイス粒子
の吹き付けの速度は、その噴出口からの気体、液体、又
は気体及び液体の混合状態のＣＯ2 の吹き出し速度、引
いては複数のノズル４６に供給されるＣＯ2 の圧力によ
って制御する。
【００５２】こうして、自動的に回転する複数のノズル
４６からＳｉウェーハ１０表面に対して高速のドライア
イス粒子の吹き付けを行うことにより、Ｓｉウェーハ１
０上のリフトオフ用パターンのフォトレジスト１２と共
にこのフォトレジスト１２上のＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂ
及びその側壁のＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｃを除去する。そ
の結果、Ｓｉウェーハ１０上にはＴｉ／Ａｕ金属膜１４
ａのみが０．３μｍ幅の配線パターンに残存し、このＴ
ｉ／Ａｕ金属膜１４ａからなる０．３μｍ幅のＴｉ／Ａ
ｕ金属配線１８が形成される。
４６からＳｉウェーハ１０表面に対して高速のドライア
イス粒子の吹き付けを行うことにより、Ｓｉウェーハ１
０上のリフトオフ用パターンのフォトレジスト１２と共
にこのフォトレジスト１２上のＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂ
及びその側壁のＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｃを除去する。そ
の結果、Ｓｉウェーハ１０上にはＴｉ／Ａｕ金属膜１４
ａのみが０．３μｍ幅の配線パターンに残存し、このＴ
ｉ／Ａｕ金属膜１４ａからなる０．３μｍ幅のＴｉ／Ａ
ｕ金属配線１８が形成される。
【００５３】このように本実施形態によれば、高速のド
ライアイス粒子の吹き付けによってＳｉウェーハ１０上
のリフトオフ用パターンのフォトレジスト１２と共にそ
の上のＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂ及びその側壁のＴｉ／Ａ
ｕ金属膜１４ｃを除去することにより、上記第１の実施
形態の場合と同様の効果を奏することができる。
ライアイス粒子の吹き付けによってＳｉウェーハ１０上
のリフトオフ用パターンのフォトレジスト１２と共にそ
の上のＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂ及びその側壁のＴｉ／Ａ
ｕ金属膜１４ｃを除去することにより、上記第１の実施
形態の場合と同様の効果を奏することができる。
【００５４】更に、本実施形態によれば、自動的に回転
する複数のノズル４６から噴出されたドライアイス粒子
がスパイラル運動をしながらＳｉウェーハ１０表面に吹
き付けられることから、上記第１の実施形態における固
定された複数のノズルから吹き付けられる場合と比較す
ると、ドライアイス粒子が種々の角度からＳｉウェーハ
１０表面に吹き付けられ、Ｓｉウェーハ１０上のリフト
オフ用パターンのフォトレジスト１２に対する入射角が
種々の値を取ることになるため、フォトレジスト１２等
を除去する能力が強化され、極めて効果的且つ確実にリ
フトオフ用パターンのフォトレジスト１２並びにその上
のＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂ及びその側壁のＴｉ／Ａｕ金
属膜１４ｃを除去することができる。従って、微細なパ
ターンのＴｉ／Ａｕ金属配線１８を精度よく形成する際
の確実性を、上記第１の実施形態の場合よりも更に高め
ることができる。
する複数のノズル４６から噴出されたドライアイス粒子
がスパイラル運動をしながらＳｉウェーハ１０表面に吹
き付けられることから、上記第１の実施形態における固
定された複数のノズルから吹き付けられる場合と比較す
ると、ドライアイス粒子が種々の角度からＳｉウェーハ
１０表面に吹き付けられ、Ｓｉウェーハ１０上のリフト
オフ用パターンのフォトレジスト１２に対する入射角が
種々の値を取ることになるため、フォトレジスト１２等
を除去する能力が強化され、極めて効果的且つ確実にリ
フトオフ用パターンのフォトレジスト１２並びにその上
のＴｉ／Ａｕ金属膜１４ｂ及びその側壁のＴｉ／Ａｕ金
属膜１４ｃを除去することができる。従って、微細なパ
ターンのＴｉ／Ａｕ金属配線１８を精度よく形成する際
の確実性を、上記第１の実施形態の場合よりも更に高め
ることができる。
【００５５】また、複数のノズル４６の回転は、そのド
ライアイス粒子の噴出の反作用によって誘起されること
により、その回転のための特別の動力を必要としないた
め、有機膜除去装置を簡略化して、その運転コストも低
減することができる。
ライアイス粒子の噴出の反作用によって誘起されること
により、その回転のための特別の動力を必要としないた
め、有機膜除去装置を簡略化して、その運転コストも低
減することができる。
【００５６】なお、上記第３の実施形態においては、上
記第１の実施形態に係るリフトオフ方法における固定式
のノズルの代わりに、自動回転式の複数のノズル４６を
使用しているが、上記第２の実施形態に係るリフトオフ
方法における固定式のノズルの代わりに、自動回転式の
複数のノズル４６を使用してもよい。即ち、自動的に回
転する複数のノズル４６から噴出されたドライアイス粒
子をスパイラル運動させながらＳｉウェーハ１０表面に
吹き付ける際に、Ｏ3 雰囲気中においてＵＶ線の照射を
行ってもよい。この場合、Ｏ3 及びＵＶ線の照射による
レジスト等の除去効果が加わるため、微細なパターンの
Ｔｉ／Ａｕ金属配線を精度よく形成する際の確実性を更
に一層高めることができる。
記第１の実施形態に係るリフトオフ方法における固定式
のノズルの代わりに、自動回転式の複数のノズル４６を
使用しているが、上記第２の実施形態に係るリフトオフ
方法における固定式のノズルの代わりに、自動回転式の
複数のノズル４６を使用してもよい。即ち、自動的に回
転する複数のノズル４６から噴出されたドライアイス粒
子をスパイラル運動させながらＳｉウェーハ１０表面に
吹き付ける際に、Ｏ3 雰囲気中においてＵＶ線の照射を
行ってもよい。この場合、Ｏ3 及びＵＶ線の照射による
レジスト等の除去効果が加わるため、微細なパターンの
Ｔｉ／Ａｕ金属配線を精度よく形成する際の確実性を更
に一層高めることができる。
【００５７】また、上記第１〜第３の実施形態において
は、Ｓｉウェーハ１０、２０上のリフトオフ用パターン
のフォトレジスト１２、２２等を除去するために吹き付
ける固体粒子として固体のＣＯ2 であるドライアイス粒
子を使用する場合について説明したが、このドライアイ
ス粒子の代わりに、固体のＨ2 Ｏである氷の粒子を用い
てもほぼ同様の効果を奏することができる。
は、Ｓｉウェーハ１０、２０上のリフトオフ用パターン
のフォトレジスト１２、２２等を除去するために吹き付
ける固体粒子として固体のＣＯ2 であるドライアイス粒
子を使用する場合について説明したが、このドライアイ
ス粒子の代わりに、固体のＨ2 Ｏである氷の粒子を用い
てもほぼ同様の効果を奏することができる。
【００５８】また、Ｓｉウェーハ１０、２０上に直接に
所定のパターンのＴｉ／Ａｕ金属配線１８、３４を形成
する場合について述べたが、ここで使用した半導体基板
や金属配線の種類、金属配線の下地の構造等、又は膜厚
その他の数値はこれらの具体例に何ら限定されるもので
はなく、本発明の主旨を逸脱しない限りにおいて当然に
変更可能である。また、ドライアイス粒子を吹き付ける
ためのノズルについても、その長さやＳｉウェーハ表面
に対する傾き角等の数値はこれらの具体例に何ら限定さ
れるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない限りにお
いて当然に変更可能である。
所定のパターンのＴｉ／Ａｕ金属配線１８、３４を形成
する場合について述べたが、ここで使用した半導体基板
や金属配線の種類、金属配線の下地の構造等、又は膜厚
その他の数値はこれらの具体例に何ら限定されるもので
はなく、本発明の主旨を逸脱しない限りにおいて当然に
変更可能である。また、ドライアイス粒子を吹き付ける
ためのノズルについても、その長さやＳｉウェーハ表面
に対する傾き角等の数値はこれらの具体例に何ら限定さ
れるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない限りにお
いて当然に変更可能である。
【００５９】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
るリフトオフ方法及び有機膜除去装置によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。即ち、請求項１に係る
リフトオフ方法によれば、基板上にパターニングした有
機膜と共にこの有機膜上の金属膜を除去する際に、固形
粒子を吹き付ける手法を用いることにより、微細なパタ
ーンであっても確実に有機膜とその上の金属膜を除去す
ることができる。また、基板上にパターニングした有機
膜の側壁に金属膜が形成されても、高速の固形粒子の吹
き付けによって有機膜と共にその側壁の金属膜まで容易
に除去することができるため、基板上に残存させた金属
膜からなる所定のパターンを形成する際にレジスト側壁
の金属膜が「バリ」として付着することを防止すること
ができる。更に、高速の固形粒子の吹き付けによって除
去された有機膜とその上の金属膜は強力な固形粒子の流
れにより洗い流されるため、一旦リフトオフされた有機
膜や金属膜の膜片が基板表面に再付着することを防止す
ることができる。こうして、リフトオフされた有機膜や
金属膜の膜片の再付着や「バリ」の発生による特性不良
の発生や信頼性の低下を防止しつつ、所定の金属膜から
なる微細パターンを高い確実性をもって形成することが
できる。
るリフトオフ方法及び有機膜除去装置によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。即ち、請求項１に係る
リフトオフ方法によれば、基板上にパターニングした有
機膜と共にこの有機膜上の金属膜を除去する際に、固形
粒子を吹き付ける手法を用いることにより、微細なパタ
ーンであっても確実に有機膜とその上の金属膜を除去す
ることができる。また、基板上にパターニングした有機
膜の側壁に金属膜が形成されても、高速の固形粒子の吹
き付けによって有機膜と共にその側壁の金属膜まで容易
に除去することができるため、基板上に残存させた金属
膜からなる所定のパターンを形成する際にレジスト側壁
の金属膜が「バリ」として付着することを防止すること
ができる。更に、高速の固形粒子の吹き付けによって除
去された有機膜とその上の金属膜は強力な固形粒子の流
れにより洗い流されるため、一旦リフトオフされた有機
膜や金属膜の膜片が基板表面に再付着することを防止す
ることができる。こうして、リフトオフされた有機膜や
金属膜の膜片の再付着や「バリ」の発生による特性不良
の発生や信頼性の低下を防止しつつ、所定の金属膜から
なる微細パターンを高い確実性をもって形成することが
できる。
【００６０】また、請求項２に係るリフトオフ方法によ
れば、固形粒子を基体全面に吹き付ける際に、Ｏ3 雰囲
気中において固形粒子の吹き付けを行うことにより、固
形粒子の吹き付けにより有機物を除去する効果にＯ3 に
よる有機物除去効果が加わり、有機物除去能力が強化さ
れるため、微細なパターンの有機膜であっても、より一
層確実にその有機膜とその上の金属膜を除去することが
できる。
れば、固形粒子を基体全面に吹き付ける際に、Ｏ3 雰囲
気中において固形粒子の吹き付けを行うことにより、固
形粒子の吹き付けにより有機物を除去する効果にＯ3 に
よる有機物除去効果が加わり、有機物除去能力が強化さ
れるため、微細なパターンの有機膜であっても、より一
層確実にその有機膜とその上の金属膜を除去することが
できる。
【００６１】また、請求項３に係るリフトオフ方法によ
れば、固形粒子を基体全面に吹き付ける際に、Ｏ3 雰囲
気中において基体全面にＵＶ線を照射しつつ固形粒子の
吹き付けを行うことにより、固形粒子の吹き付けにより
有機物を除去する効果にＯ3による有機物除去効果及び
ＵＶ線による有機物除去効果が組み合わされて加わり、
有機物除去能力が更に強化されるため、微細なパターン
の有機膜であっても、更により一層確実にその有機膜と
その上の金属膜を除去することができる。
れば、固形粒子を基体全面に吹き付ける際に、Ｏ3 雰囲
気中において基体全面にＵＶ線を照射しつつ固形粒子の
吹き付けを行うことにより、固形粒子の吹き付けにより
有機物を除去する効果にＯ3による有機物除去効果及び
ＵＶ線による有機物除去効果が組み合わされて加わり、
有機物除去能力が更に強化されるため、微細なパターン
の有機膜であっても、更により一層確実にその有機膜と
その上の金属膜を除去することができる。
【００６２】また、請求項４に係るリフトオフ方法によ
れば、気体、液体、又は気体及び液体の混合物をノズル
から吹き出し、その際の断熱膨張により冷却して、固形
粒子を形成することにより、基体全面に吹き付けて有機
物を除去するための例えばドライアイスや氷の粒子など
の固形粒子を容易に得ることができる。
れば、気体、液体、又は気体及び液体の混合物をノズル
から吹き出し、その際の断熱膨張により冷却して、固形
粒子を形成することにより、基体全面に吹き付けて有機
物を除去するための例えばドライアイスや氷の粒子など
の固形粒子を容易に得ることができる。
【００６３】また、請求項７に係る有機膜除去装置によ
れば、基板を搭載するステージ上方に固形粒子を噴出す
る複数のノズルが設置されていることにより、これら複
数のノズルから固形粒子をステージ上の基板全面に吹き
付けて基板上に形成された所定のパターンの有機膜を除
去することが可能になるため、微細なパターンの場合で
あっても、確実に有機膜とその上の金属膜及びその側壁
の金属膜を除去することができる。
れば、基板を搭載するステージ上方に固形粒子を噴出す
る複数のノズルが設置されていることにより、これら複
数のノズルから固形粒子をステージ上の基板全面に吹き
付けて基板上に形成された所定のパターンの有機膜を除
去することが可能になるため、微細なパターンの場合で
あっても、確実に有機膜とその上の金属膜及びその側壁
の金属膜を除去することができる。
【００６４】また、請求項８に係る有機膜除去装置によ
れば、複数のノズルの噴出口がステージ上に搭載された
基板表面に垂直な方向から傾いた方向を向いており、ス
テージが基板を搭載して回転することにより、基板上に
形成された所定のパターンのの有機膜に対して複数のノ
ズルから噴出された固形粒子が斜めに吹き付けられるた
め、有機膜とその上の金属膜及びその側壁の金属膜を容
易に除去することができると共に、その際にステージ上
に搭載された基板が回転するため、有機膜等を除去する
効果を基板全面に均一に発揮することができる。
れば、複数のノズルの噴出口がステージ上に搭載された
基板表面に垂直な方向から傾いた方向を向いており、ス
テージが基板を搭載して回転することにより、基板上に
形成された所定のパターンのの有機膜に対して複数のノ
ズルから噴出された固形粒子が斜めに吹き付けられるた
め、有機膜とその上の金属膜及びその側壁の金属膜を容
易に除去することができると共に、その際にステージ上
に搭載された基板が回転するため、有機膜等を除去する
効果を基板全面に均一に発揮することができる。
【００６５】また、請求項９に係る有機膜除去装置によ
れば、複数のノズルがステージ上方において回転するこ
とにより、回転する複数のノズルから噴出された固形粒
子はスパイラル運動をしながら基板全面に吹き付けられ
るため、種々の角度から固形粒子が基板全面に吹き付け
られることになり、基板全面にわたって均一且つ極めて
効果的に有機膜とその上の金属膜及びその側壁の金属膜
を除去することができる。
れば、複数のノズルがステージ上方において回転するこ
とにより、回転する複数のノズルから噴出された固形粒
子はスパイラル運動をしながら基板全面に吹き付けられ
るため、種々の角度から固形粒子が基板全面に吹き付け
られることになり、基板全面にわたって均一且つ極めて
効果的に有機膜とその上の金属膜及びその側壁の金属膜
を除去することができる。
【００６６】また、請求項１０に係る有機膜除去装置に
よれば、複数のノズルから固形粒子を噴出する際の反作
用によってこれら複数のノズルの回転が誘起されること
により、複数のノズルを回転するための特別の動力を必
要としないため、装置を簡略化して、その運転コストも
低減することができる。
よれば、複数のノズルから固形粒子を噴出する際の反作
用によってこれら複数のノズルの回転が誘起されること
により、複数のノズルを回転するための特別の動力を必
要としないため、装置を簡略化して、その運転コストも
低減することができる。
【００６７】このように本発明に係るリフトオフ方法及
び有機膜除去装置を利用することにより、半導体装置の
作製プロセスにおいて、リフトオフ方法を確実に効率的
に実施することが可能になる。そしてまた、リフトオフ
方法を適用する対象を拡大することができる。
び有機膜除去装置を利用することにより、半導体装置の
作製プロセスにおいて、リフトオフ方法を確実に効率的
に実施することが可能になる。そしてまた、リフトオフ
方法を適用する対象を拡大することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るリフトオフ方法
を説明するための工程断面図（その１）である。
を説明するための工程断面図（その１）である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るリフトオフ方法
を説明するための工程断面図（その２）である。
を説明するための工程断面図（その２）である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るリフトオフ方法
を説明するための工程断面図（その３）である。
を説明するための工程断面図（その３）である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るリフトオフ方法
を説明するための工程断面図（その４）である。
を説明するための工程断面図（その４）である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るリフトオフ方法
を説明するための工程断面図（その１）である。
を説明するための工程断面図（その１）である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るリフトオフ方法
を説明するための工程断面図（その２）である。
を説明するための工程断面図（その２）である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係るリフトオフ方法
を説明するための工程断面図（その３）である。
を説明するための工程断面図（その３）である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係るリフトオフ方法
を説明するための工程断面図（その４）である。
を説明するための工程断面図（その４）である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係るリフトオフ方法
に使用する自動回転式のノズルを示す上面図である。
に使用する自動回転式のノズルを示す上面図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係るリフトオフ方
法に使用する自動回転式のノズルを示す側面図である。
法に使用する自動回転式のノズルを示す側面図である。
１０…Ｓｉウェーハ、１２…リフトオフ用パターンのフ
ォトレジスト、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ…Ｔｉ／Ａｕ金
属膜、１６…ドライアイス粒子の吹き付け、１８…Ｔｉ
／Ａｕ金属配線、２０…Ｓｉウェーハ、２２…リフトオ
フ用パターンのフォトレジスト、２４ａ、２４ｂ、２４
ｃ…Ｔｉ／Ａｕ金属膜、２６…チャンバ、２８…Ｏ3 雰
囲気、３０…ＵＶ線の照射、３２…ドライアイス粒子の
吹き付け、３４…Ｔｉ／Ａｕ金属配線、４０…中空のパ
イプ、４２…回転軸、４４…ガイド、４６…ノズル、４
８…ドライアイス粒子の噴出。
ォトレジスト、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ…Ｔｉ／Ａｕ金
属膜、１６…ドライアイス粒子の吹き付け、１８…Ｔｉ
／Ａｕ金属配線、２０…Ｓｉウェーハ、２２…リフトオ
フ用パターンのフォトレジスト、２４ａ、２４ｂ、２４
ｃ…Ｔｉ／Ａｕ金属膜、２６…チャンバ、２８…Ｏ3 雰
囲気、３０…ＵＶ線の照射、３２…ドライアイス粒子の
吹き付け、３４…Ｔｉ／Ａｕ金属配線、４０…中空のパ
イプ、４２…回転軸、４４…ガイド、４６…ノズル、４
８…ドライアイス粒子の噴出。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M104 BB09 BB14 DD52 DD68 DD75 FF08 FF16 HH14 5F004 AA09 BB02 CA02 DA00 DA27 DB08 DB26 5F033 AA03 AA05 AA25 AA57 AA71 BA15 BA16 BA38 EA29
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に塗布した有機膜を所定の形状に
パターニングした後、基体全面に所定の金属膜を堆積す
る第１の工程と、 固形粒子を基体全面に吹き付けて、前記有機膜と共に前
記有機膜上の前記金属膜を除去する第２の工程と、を有
し、 前記基板上に、前記金属膜からなる所定のパターンを形
成することを特徴とするリフトオフ方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のリフトオフ方法におい
て、 前記固形粒子を基体全面に吹き付ける際に、オゾン雰囲
気中において前記固形粒子の吹き付けを行うことを特徴
とするリフトオフ方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のリフトオフ方法におい
て、 前記固形粒子を基体全面に吹き付ける際に、基体全面に
紫外線を照射しつつ前記固形粒子の吹き付けを行うこと
を特徴とするリフトオフ方法。 - 【請求項４】 請求項１記載のリフトオフ方法におい
て、 前記固形粒子が、気体、液体、又は気体及び液体の混合
物をノズルから吹き出し、その際の断熱膨張により冷却
されて形成されることを特徴とするリフトオフ方法。 - 【請求項５】 請求項１記載のリフトオフ方法におい
て、 前記固形粒子が、ドライアイスの粒子であることを特徴
とするリフトオフ方法。 - 【請求項６】 請求項１記載のリフトオフ方法におい
て、 前記固形粒子が、氷の粒子であることを特徴とするリフ
トオフ方法。 - 【請求項７】 基板を搭載するステージと、 前記ステージ上方に設置され、気体、液体、又は気体及
び液体の混合物を吹き出すと共に、その際の断熱膨張に
より冷却して固形粒子を形成し噴出する複数のノズル
と、を有し、 前記ステージ上に搭載された前記基板全面に前記複数の
ノズルから噴出した前記固形粒子を吹き付けて、前記基
板上に形成した所定のパターンの有機膜と共に前記有機
膜上に堆積した所定の金属膜を除去することを特徴とす
る有機膜除去装置。 - 【請求項８】 請求項７記載の有機膜除去装置におい
て、 前記複数のノズルの噴出口が、前記ステージ上に搭載さ
れた前記基板表面に垂直な方向から傾いた方向を向いて
おり、 前記ステージが、前記基板を搭載して回転することを特
徴とする有機膜除去装置。 - 【請求項９】 請求項７記載の有機膜除去装置におい
て、 前記複数のノズルが、前記ステージ上方において回転す
ることを特徴とする有機膜除去装置。 - 【請求項１０】 請求項９記載の有機膜除去装置におい
て、 前記複数のノズルの回転が、前記複数のノズルから前記
固形粒子を噴出する際の反作用によって誘起されること
を特徴とする有機膜除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10222215A JP2000058546A (ja) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | リフトオフ方法及び有機膜除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10222215A JP2000058546A (ja) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | リフトオフ方法及び有機膜除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058546A true JP2000058546A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16778941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10222215A Pending JP2000058546A (ja) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | リフトオフ方法及び有機膜除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000058546A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206449A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 半導体素子 |
| JP2014063962A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-10 | Denso Corp | 縦型トランジスタの製造方法 |
| KR101464282B1 (ko) * | 2008-04-18 | 2014-11-21 | 에피스타 코포레이션 | 반도체 소자 |
| JP2016198854A (ja) * | 2015-04-10 | 2016-12-01 | 株式会社東芝 | 処理装置 |
| KR101800656B1 (ko) * | 2016-08-09 | 2017-11-23 | 하이엔드테크놀로지(주) | 포토레지스트 음각패턴 및 표면개질을 이용한 금속메쉬 타입 투명 전도막 제조방법 및 이에 의해 제조되는 투명 전도막 |
| CN107731520A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-02-23 | 南通江森电子科技有限公司 | 一种电容器用金属化膜后处理工艺 |
| JP7504330B1 (ja) | 2024-01-17 | 2024-06-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-08-06 JP JP10222215A patent/JP2000058546A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206449A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 半導体素子 |
| KR101464282B1 (ko) * | 2008-04-18 | 2014-11-21 | 에피스타 코포레이션 | 반도체 소자 |
| JP2014063962A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-10 | Denso Corp | 縦型トランジスタの製造方法 |
| JP2016198854A (ja) * | 2015-04-10 | 2016-12-01 | 株式会社東芝 | 処理装置 |
| US10332759B2 (en) | 2015-04-10 | 2019-06-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Processing apparatus |
| KR101800656B1 (ko) * | 2016-08-09 | 2017-11-23 | 하이엔드테크놀로지(주) | 포토레지스트 음각패턴 및 표면개질을 이용한 금속메쉬 타입 투명 전도막 제조방법 및 이에 의해 제조되는 투명 전도막 |
| WO2018030712A1 (ko) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 하이엔드테크놀로지(주) | 포토레지스트 음각패턴 및 표면개질을 이용한 금속메쉬 타입 투명 전도막 제조방법 및 이에 의해 제조되는 투명 전도막 |
| CN109417023A (zh) * | 2016-08-09 | 2019-03-01 | 海安科技株式会社 | 利用光刻胶凹刻图案及表面改性的金属网类型透明导电膜制造方法及由此制造而成的透明导电膜 |
| CN107731520A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-02-23 | 南通江森电子科技有限公司 | 一种电容器用金属化膜后处理工艺 |
| CN107731520B (zh) * | 2017-11-15 | 2019-04-05 | 南通江森电子科技有限公司 | 一种电容器用金属化膜后处理工艺 |
| JP7504330B1 (ja) | 2024-01-17 | 2024-06-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6048409A (en) | Washing apparatus and washing method | |
| US8641831B2 (en) | Non-chemical, non-optical edge bead removal process | |
| JP5650896B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| US6709531B2 (en) | Chemical liquid processing apparatus for processing a substrate and the method thereof | |
| US6708903B2 (en) | Two-fluid cleaning jet nozzle, cleaning equipment and method of fabricating semiconductor device employing the same | |
| JP5390873B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2000058546A (ja) | リフトオフ方法及び有機膜除去装置 | |
| JP2005353739A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JP2002011419A (ja) | 洗浄方法およびこれに用いる洗浄装置 | |
| KR20020067656A (ko) | 패턴 형성 방법 | |
| JP2008159989A (ja) | ノズル、基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2008130643A (ja) | ノズル、基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2004349501A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| US20040069215A1 (en) | Gas spray arm for spin coating apparatus | |
| JPH09251953A (ja) | レジスト現像方法 | |
| JP4312542B2 (ja) | ２流体ノズル装置、洗浄処理装置、およびミスト発生方法 | |
| JP2003209088A (ja) | エアロゾル洗浄方法及び装置 | |
| JP3169666B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
| US20090255555A1 (en) | Advanced cleaning process using integrated momentum transfer and controlled cavitation | |
| JP2009047740A (ja) | 現像装置 | |
| JPH09244258A (ja) | レジスト現像方法 | |
| JP2006128332A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2011054823A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| KR100644051B1 (ko) | 포토 레지스트 코팅 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 이물 제거방법 | |
| JPH0720623A (ja) | 不要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランクス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050311 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050311 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070328 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070417 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070911 |