JP2002011419A - 洗浄方法およびこれに用いる洗浄装置 - Google Patents

洗浄方法およびこれに用いる洗浄装置

Info

Publication number
JP2002011419A
JP2002011419A JP2000200065A JP2000200065A JP2002011419A JP 2002011419 A JP2002011419 A JP 2002011419A JP 2000200065 A JP2000200065 A JP 2000200065A JP 2000200065 A JP2000200065 A JP 2000200065A JP 2002011419 A JP2002011419 A JP 2002011419A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
gas
liquid
nozzle
mist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000200065A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Kikuchi
▲廣▼ 菊池
Toshiyuki Osawa
俊之 大澤
Yasushi Sano
靖 佐野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2000200065A priority Critical patent/JP2002011419A/ja
Publication of JP2002011419A publication Critical patent/JP2002011419A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の目的は、効率よい洗浄方法を実現する
ための洗浄ノズルとこれを用いた新規な洗浄方法の提
供、およびこの洗浄方法を具体化するための洗浄装置の
提供にあり、さらに該洗浄方法を用いる電子部品の製造
方法の提供にある。 【解決手段】一方の流路から気液混合室に導入した高圧
の気体と他方の流路から該気液混合室に導入した高圧の
液体とを気液混合室で混合して液体ミストを形成し、該
ミストに加速室で運動量を付与してミスト流を形成し、
該ミスト流をノズル先端から噴出して被洗浄物に衝突さ
せるとともに、該ノズルと該被洗浄物を相対運動して洗
浄することを特徴とする電子部品の洗浄方法である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は主に半導体装置や液
晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置などの
電子表示装置や磁気記録装置等の微細構造の電子部品も
しくはそれらに関係する各種部品を製造する過程で必要
となる洗浄方法に関わり、さらに該洗浄方法を実現する
ための洗浄装置に関わるものであり、さらに、半導体装
置もしくは電子表示装置もしくは磁気記録装置等の製造
方法とこれを用いて製造した半導体装置もしくは電子表
示装置もしくは磁気記録装置等の製品に関わるものであ
る。
【0002】
【従来の技術】当該業者によく知られているように、各
種の電子部品を製造する過程では製造過程で発生した異
物粒子や、製造装置もしくは製造環境からの汚染で製品
に付着した異物粒子が製造不良の原因となって製造歩留
まりを低減する場合がある。かかる問題を回避するため
の一つの方法は、製造工程の要所に製品を付着した異物
粒子を除去するための洗浄工程を付加するのが常識にな
っている。一般に製品に付着した異物粒子は製品表面と
異物粒子間のポテンシャルエネルギーの存在で強固に製
品表面に固定された状態にあるため、これを除去するた
めの洗浄工程では異物粒子にある種のエネルギーを与え
て異物粒子を製品表面から引き剥がして製品より離れた
位置まで移動する必要が生じる。かかるエネルギーの付
与には化学的もしくは機械的なエネルギーが用いられる
のが一般的であり、機械的なエネルギーの付与方法とし
て高圧ジェットのスプレーによる水洗や、超音波の振動
を利用した超音波洗浄や、ブラシを用いたスクラブ洗浄
などが広範に利用されている。近年、こうした各種の洗
浄方法にくわえて、洗浄用の液体と気体を混合した流体
による洗浄が試みられるようになってきており、かかる
技術の例が特開平6−104304号公報に開示されて
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところがこれらの従来
の洗浄技術はいずれもが異物粒子を除去する能力を持っ
てはいるが、製造工程の要所で洗浄を実施すること自体
が経済的な負担要因となっており、できるだけ洗浄工程
を減らすのが望ましい。もし洗浄をするにしても洗浄効
率の向上が一貫して求められていたのである。すなわ
ち、洗浄効果が大で極めて短時間で洗浄できる洗浄能力
や、安価な洗浄装置で効率よく洗浄できる優れた投資効
率や、洗浄作業に複雑な管理が必要ないなどの作業性、
装置信頼性や、洗浄に使用する洗浄液の使用量や洗浄廃
液の処理コストが少なくて環境負担などの負担要因が少
ない洗浄方法、洗浄装置が求められていたのである。
【0004】さらに加えれば、洗浄に伴う被洗浄物への
損傷がない洗浄方法も求められていたのである。かかる
問題は高価な電子部品の製造工程では著しく困難な問題
をひきおこす。すなわち、洗浄による損傷は通常はわず
かなものであるために、製品が完成して試験をしないと
損傷が検出できないし、まれには試験でも検出できずに
顧客が使用中に損傷が顕在化する場合もある。かかる問
題を低減するために検査に要する費用は膨大なものとな
るので、洗浄工程では全く損傷を与えないことが望まれ
ていたのである。とくに上述したような洗浄性能を十分
に満足しながら、同時に無損傷で洗浄できる技術の実現
が求められていたのである。
【0005】かかる観点からなされた本発明の目的は、
洗浄効果が大で極めて短時間で高速に洗浄できる洗浄方
法とその装置を提供することにある。
【0006】本発明の第二の目的は安価な洗浄装置で効
率よく洗浄できる優れた投資効率を有する洗浄方法とそ
の装置を提供することにある。
【0007】本発明の第三の目的は作業性、装置信頼性
に優れた洗浄方法とその装置を提供することにある。
【0008】本発明の第四の目的は洗浄液の使用量や洗
浄廃液の処理コストが少なくて、環境負担などの負担要
因が少ない洗浄方法とその装置を提供することにある。
【0009】本発明の第五の目的は洗浄による損傷のな
い洗浄方法とその装置を提供することにある。
【0010】本発明の第六の目的は本発明の洗浄方法と
その装置を用いて製造した経済性にすぐれた電子装置を
提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの手段として本発明では以下に示す手段を用いる。本
発明を図1にしたがって詳細に説明する。
【0012】図1は本発明の洗浄方法を系統図を用いて
模式的に示したものである。本発明は洗浄チャンバ1の
内部に洗浄ノズル2と洗浄物3を相対運動させながら、
洗浄ノズル2に高圧の気体を供給する配管4と高圧の液
体を供給する配管5から気体および液体を導入する。洗
浄ノズル2の内部でこれらを混合して液体を微細なミス
トに分割し、さらにミストに洗浄物3への方向の運動量
を与えて、洗浄ノズル2の先端から気液の混合流6を噴
出する。かかる気液の混合流6を洗浄物3に衝突させ、
洗浄物3に付着した異物を除去して洗浄するのである。
かかる洗浄を適切に行うために、本発明は高圧の気体を
供給する配管4と高圧の液体を供給する配管5の経路の
一部にバルブ7を設け、洗浄ノズル2と洗浄物3の相対
運動に同期したバルブ7の開閉を制御系8を用いて行う
のである。本発明には、さらに、洗浄チャンバ1内部に
噴出した気体と液体を回収するためのドレイン9を付加
することが望ましい。
【0013】本発明の洗浄ノズル2は、その一例を断面
図として図2に示すような構造を有するものであり、そ
のA−A'の断面図を図3に示す。
【0014】かかるノズルは大別して気体及び液体の導
入部101と、これらを混合して液体の微粒子を形成す
るための混合部102と、気体から液体に運動量を付与
するための加速部103から構成される。液体の導入口
104と気体の導入口105からノズルに導入された気
体と液体は混合室106の内部で気体と液体を衝突さ
せ、液体を微細化することにより、多数の液体微粒子を
形成する。該液体微粒子を含んだ気流は第1の噴出口1
07から加速室108内へ噴出し、断面積が連続的に変
化する加速室108で加速され、第2の噴出口109か
ら洗浄物に向けて噴出されるのである。本発明のノズル
2の噴出を外観図を用いて示したのが第4図で、加速部
103から噴出した気液混合流110は特定の立体角を
もって拡がる傾向を示す。
【0015】かかる気液混合流110の形状は第2の噴
出口109の形状を変えることで制御することが可能で
あり、図5に示すように、気液混合流110の形状を円
形にするには、第2図Bの方向からみた加速室の出口形
状201を円形にすればよい。かかる場合には円形のス
プレパターン202を得ることができる。また、気液混
合流110の形状を扁平にするには、図6に示すよう
に、図2Bの方向からみた加速室の出口形状203を長
方形にすればよい。かかる場合には扁平のスプレパター
ン204を得ることができるのである。かかるパターン
の選択は洗浄目的に応じて任意に制御することができ
る。
【0016】かかる本発明の液体微粒子の形成には適正
な液体及び気体の流量が必要であり、かかる流量を実現
液体及び気体を加圧してノズル2に導入することが必要
である。
【0017】本発明に適した該液体及び気体の圧力はそ
れぞれ該気体の圧力が大気圧に200k乃至900kP
aを加えたものであり、該液体の圧力が大気圧に200
k乃至900kPaを加えたものであることが望まし
い。さらに好ましくは、該液体の圧力が大気圧に300
k乃至500kPaを加えたものである。かかる圧力の
下限は洗浄力が低下することから、上限は洗浄に要する
気体、液体の消費量が増加するとともに、高圧に必要な
設備コストが増加することから定められるものである。
【0018】かかる圧力から得られる本発明の該液体及
び気体の流量はそれぞれ、該気体の流量が20乃至20
0L/分であり、該液体の流量が0.2乃至20L/分
であることが望ましい。かかる流量の下限は洗浄力が低
下することから、上限は洗浄に要する気体、液体の消費
量が増加することから定められるものである。
【0019】かかる圧力及び流量から得られる本発明の
該液体微粒子の平均粒径は20乃至200μmの範囲と
なり、さらに、第2の噴出口109から噴出する該液体
微粒子の平均流速は30乃至300m/秒にもなるので
ある。かかる高速の液体微粒子が洗浄物に衝突する運動
エネルギが洗浄物に付着した異物を除去するのに十分な
ものであることから、本発明の極めて有効な洗浄力が得
られるのである。
【0020】かかる有効な洗浄力を得るために加速室1
08の形状には工夫が必要であり、図2Cに示す加速室
入り口の断面積と図2Dに示す絞り部の断面積との比を
およそ5:1乃至500:1に設定するのが望ましく、
好ましくは10:1乃至100:1にるのが望ましいの
である。かかる範囲の上、下限は該液体微粒子の平均流
速を所要の範囲に設定するために定められるのである。
【0021】かかる高速の液体微粒子の流れを有効に洗
浄物に到達させるためには第2の噴出口109から噴出
する該液体微粒子流の断面形状が円形もしくは楕円であ
るとともに該ミスト流の該ノズル先端からの開き角が立
体角として0.005乃至0.05ステラジアンである
ことが望ましい。
【0022】かかる断面形状は広い面積を有する洗浄物
の全面を洗浄物に衝突する該液体微粒子流で掃引して短
時間に洗浄を完了するために、掃引が簡単になるように
選ばれたものであり、該立体角の範囲は下限は洗浄物に
衝突する該液体微粒子流の面積が小さくなりすぎて、洗
浄に時間がかかりすぎないための経済性から選ばれたも
のであり、上限は該ノズル先端から洗浄物に衝突するま
での距離が長くなりすぎて大気中で微粒子が減速される
結果、洗浄力が低下する微粒子の割合を少なくするため
の経済性から選ばれたものである。
【0023】同様の問題がノズル先端と洗浄物間の距離
についても発生する。経済性の観点から、本発明では該
ノズル先端と該被洗浄物の距離が10乃至100mmで
あることが望ましいのである。
【0024】本発明に用いる気体の種類は加圧された空
気、窒素ガス、炭酸ガス、アルゴンガスなどであるが、
その他の気体が用いられないわけではない。空気は主と
して経済性の観点から有利であり、窒素ガスは容易に不
純物を含まない高純度のガスが得られることから汚染防
止とその不燃性から可燃性の液体と組み合わせた場合に
安全性の観点から有利であり、炭酸ガスは水に溶解して
電気伝導度を増大することから静電気防止の観点で有利
である。
【0025】本発明に用いる液体の種類は加圧された純
水、化学薬品を溶解した洗浄液、有機溶剤などである。
純水は主として経済性の観点と、容易に不純物を含まな
い高純度の純水が得られることから汚染防止の観点から
有利であり、各種の化学薬品を溶解した洗浄液は純水に
よる洗浄に化学反応を併用したい場合に用いられる。有
機溶剤はレジスト剥離などの目的で洗浄作用に加えて溶
剤の溶解力を併用したい場合の用いられる。
【0026】本発明のノズル、配管を含めた流路の接液
部の構成材質として推奨されるものは、Tiもしくはス
テンレススチールなどの鉄系合金もしくはセラミクスも
しくは石英もしくは高分子材料である。かかる材質は高
圧に耐える機械的強度と材質そのものの溶解による被洗
浄物の汚染の観点から経済的に選択されるべきものであ
り、ステンレススチールは安価な配管とノズルの提供に
適しており、フッ素樹脂、ポリイミド、PEEKなどに
代表される高分子材料は金属イオンを溶出しない低汚染
ノズルの提供に適しているが、これら以外の金属材料、
高分子材料、セラミクスなどが使えないわけではない。
【0027】かかる本発明のノズルを駆動して洗浄を効
率良く行うためには、高圧の気体を供給する配管と高圧
の液体を供給する配管の経路の一部にバルブを設け、必
要な時間内にのみ、気体と液体をノズルに供給すること
が必要であり、かかる機能を有することが本発明の特徴
の一つでもあるのである。
【0028】さらに、かかるバルブの開閉は被洗浄物と
ノズルの相対運動に同期して、洗浄すべき位置がノズル
の前面に配置されたときにのみ、ノズルを駆動して洗浄
する必要がある。かかる制御系がない場合には気体、液
体の消費量に対して洗浄の効率が著しく低下するのであ
る。
【0029】本発明に用いられる相対運動は、該ノズル
先端が固定され該被洗浄物が並進移動することによって
達成できるし、もしくは該ノズル先端が固定され該被洗
浄物が回転移動することによって達成できるし、もしく
は該ノズル先端が並進移動して該被洗浄物が回転移動す
ることによって達成できる。かかる相対運動の選択は被
洗浄物の形状に応じて適切に選択される範囲にある。
【0030】さらに本発明は該ノズルが複数を併用する
ことも可能であり、相対的に大きな形状の被洗浄物に対
しては、複数のノズルを同時に駆動して洗浄時間を短縮
することが望ましい場合すらある。
【0031】本発明には、さらに、洗浄チャンバ内部に
噴出した気体と液体を回収するためのドレインを付加す
ることが望ましい。かかるドレインは洗浄チャンバ内部
が陽圧となって、気体液体が所望外の部分に漏れ出すの
を防止するためには必要である。
【0032】なお、本発明の洗浄ノズルは該気液混合室
が該加速室を兼用したものであることも可能である。か
かるノズルはその構造を図7に示すように、混合と加速
を同一室111内で実現し、噴出口112から気液混合
流体を吐出するのである。
【0033】また、他のノズル構造例を図8に示すよう
に、混合と加速を同一室111内で実現する場合にも、
噴出口112に至るまでの流路断面形状を連続的に変化
することもできるし、高速気体に対して水平方向から液
体を混合することも可能である。
【0034】さらに、流路の断面形状を直線的に変化し
た図9に示すような形状のノズルを用いても本発明を実
現できる。
【0035】本発明は上記のような一貫した方法、装置
を用いて実現できるが、本発明の洗浄方法と洗浄装置の
間には密接な関係があり、本発明の特徴はこれらの一貫
した方法と装置の組合せにのみ求められるべきである。
【0036】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態の一例を図10
を用いて以下に述べる。
【0037】図2に示した本発明の洗浄ノズル301を
円板形状の基板302の洗浄に利用するのに適した洗浄
装置の一部を示したものである。洗浄ノズル301は基
板302の上方に配置し、かつ、駆動機構303を用い
て前後に揺動できるようにする。基板302はチャック
ピン304で回転ステージ305に固定し、洗浄中に回
転する。かかる装置構成により、基板302と洗浄ノズ
ル301の相対運動を実現することができる。
【0038】洗浄ノズル301に高圧の窒素ガスと高圧
の純水を供給して、洗浄ノズル301内で形成した気液
混合流をスプレパターン306のように基板302吐出
して、基板302に付着した異物粒子を除去することが
できる。
【0039】かかる図10の洗浄装置で洗浄ノズル30
1に供給する窒素ガスと純水の圧力を系統的に変えて洗
浄力の評価を試みた結果を図11に示す。
【0040】この図に示した結果は直径6インチのシリ
コンウェハ上に密度約10万ヶ/平方ミリメートルで均
一に付着した1μm径のアルミナ粒子をウェハ回転50
0rpm、ノズル揺動20mm/s、ノズル基板間距離
30mmに設定して10秒間の洗浄を行った結果から得
られたもので、本発明では著しく短時間の洗浄であって
も、窒素ガスと純水の圧力(大気圧に加えた値)に依存
して適正な範囲で最も優れた洗浄力が得られることがわ
かった。かかる洗浄での気液混合流の立体角は約0.0
1ステラジアンであった。
【0041】洗浄操作に求められる異物除去率90乃至
100%を達成するには気体圧力として200乃至10
00kPaと液体圧力として200乃至1000kPa
が必要であり、好ましくは300乃至500kPaであ
ることがわかった。かかる範囲での気体流量は約80L
/分であり、液体流量は約2L/分であった。さらに、
純水粒子の径は約50μmであり、粒子の速度は100
m/sの程度であった。
【0042】かかる洗浄の結果から、本発明では気体と
液体の圧力を管理することで極短時間で優れた洗浄力が
確保できるとともに、液体と気体の圧力管理で洗浄性能
を維持できることもわかった。かかる管理の容易さは高
価な製品を確実に処理する目的で洗浄工程を管理、維持
するのに極めてすぐれたものであり、また洗浄装置を安
価に構成するにも優れた性質となるのである。
【0043】本発明の洗浄を半導体メモリーの製造過程
で配線工程の洗浄や薄膜磁気ヘッドの素子形成工程の洗
浄に用いた結果、簡易な洗浄方法であるにも関わらず、
著しく高い製造歩留まりが得られることもわかった。
【0044】本発明の他の実施形態の一例を図12を用
いて以下に述べる。
【0045】図2に示した本発明の洗浄ノズル401を
角形状の基板402の洗浄に利用するのに適した洗浄装
置の一部を示したものである。洗浄ノズル401は基板
402の上方に配置し、かつ、ノズルホルダ403に固
定した多数のノズルを直線状に配列して幅の広い基板を
効率良く洗浄できるようにする。さらに、ローラ搬送機
構404を用いて基板402を一方向に移動できるよう
にする。
【0046】洗浄ノズル401には高圧の空気と高圧の
純水を供給して、洗浄ノズル401内で形成した気液混
合流をスプレパターン405のように基板402に向け
て吐出し、基板402に付着した異物粒子を除去するこ
とができる。
【0047】かかる本発明の洗浄装置を用いて、650
x830mmの液晶用ガラス基板を搬送しながら15秒
で洗浄した結果から、図11と同様な洗浄力が得られる
ことがわかり、さらに、本発明の洗浄を液晶ディスプレ
イの薄膜トランジスタ形成工程に適用した結果、簡易な
洗浄方法であるにも関わらず、著しく高い製造歩留まり
が得られることもわかった。
【0048】
【発明の効果】本発明は著しく簡単な工程で高性能の磁
気ヘッドを製造する方法と新規な磁気ヘッドの構造を同
時に提供するものであり、本発明の磁気ヘッドを用いる
と著しく高性能の磁気ディスク装置を安価に提供できる
ようになるので、その経済効果には測り知れないものが
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の洗浄方法を系統図を用いて模式的に示
した図。
【図2】本発明の洗浄ノズルの一例を断面図を用いて示
した図。
【図3】図2のA−A'部分の断面図。
【図4】本発明のノズルのを外観図を用いて示した図。
【図5】本発明の加速室の出口形状とスプレパターンの
一例を示した図。
【図6】本発明の加速室の出口形状とスプレパターンの
一例を示した図。
【図7】本発明の他の洗浄ノズルの一例を断面図を用い
て示した図。
【図8】本発明の他の洗浄ノズルの一例を断面図を用い
て示した図。
【図9】本発明の他の洗浄ノズルの一例を断面図を用い
て示した図。
【図10】本発明の実施形態の一例を示した図。
【図11】本発明の洗浄効果を洗浄力の評価結果から示
した図。
【図12】本発明の実施形態の一例を示した図。
【符号の説明】
1…洗浄チャンバ、2…洗浄ノズル、3…洗浄物、4…
気体を供給する配管、5…液体を供給する配管、6…気
液の混合流、7…バルブ、8…制御系、9…ドレイン、
101…液体の導入部、102…混合部、103…加速
部、104…液体の導入口、105…気体の導入口、1
06…混合室、107…第1の噴出口、108………加
速室、109…第2の噴出口、110…気液混合流、1
11…混合と加速の同一室、112…噴出口、201…
加速室の出口形状、202…スプレパターン、203…
加速室の出口形状、204…スプレパターン、301…
洗浄ノズル、302…円板形状の基板、303…駆動機
構、304…チャックピン、305…回転ステージ、3
06…スプレパターン、401…洗浄ノズル、402…
角形の基板、403…ノズルホルダ、404…搬送ロー
ラ、405…スプレパターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 643 H01L 21/304 643A 643C (72)発明者 佐野 靖 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Fターム(参考) 2H088 FA21 FA30 3B116 AA02 AA03 AB01 AB14 AB34 AB42 BB33 BB45 BB88 BB90 CC05 3B201 AA02 AA03 AB01 AB14 AB34 AB42 BB33 BB45 BB88 BB90 BB93 BB99 CB01 CC21 5D033 DA01 DA21 DA31

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方の流路から気液混合室に導入した高
    圧の気体と他方の流路から該気液混合室に導入した高圧
    の液体とを気液混合室で混合して液体ミストを形成し、
    該ミストに加速室で運動量を付与してミスト流を形成
    し、該ミスト流をノズル先端から噴出して被洗浄物に衝
    突させるとともに、該ノズルと該被洗浄物を相対運動し
    て洗浄することを特徴とする電子部品の洗浄方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の該加速室が断面積が連続
    的に変化するノズルであることを特徴とする電子部品の
    洗浄方法。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の該加速室入り口の断面積
    と絞り部の断面積との比が5:1乃至500:1のノズ
    ルであることを特徴とする電子部品の洗浄方法。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3項記載の該流路と該気液
    混合室と該加速室と該ノズル先端の接液部がTiもしく
    は鉄系合金もしくはセラミクスもしくは石英もしくは高
    分子材料からなることを特徴とする電子部品の洗浄方
    法。
  5. 【請求項5】 請求項1乃至4項記載の該気液混合室が
    該加速室を兼用したものであることを特徴とする電子部
    品の洗浄方法。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至5項記載の該ミストが平均
    粒径が20乃至200μmであることを特徴とする電子
    部品の洗浄方法。
  7. 【請求項7】 請求項1乃至5項記載の該ミスト流が平
    均流速が30乃至300m/秒であることを特徴とする
    電子部品の洗浄方法。
  8. 【請求項8】 請求項1乃至5項記載の該気体の圧力が
    大気圧に200k乃至1000kPaを加えたものであ
    り、該液体の圧力が大気圧に200k乃至1000kP
    aを加えたものであることを特徴とする電子部品の洗浄
    方法。
  9. 【請求項9】 請求項1乃至5項記載の該気体の流量が
    20乃至200L/分であり、該液体の流量が0.2乃
    至20L/分であることを特徴とする電子部品の洗浄方
    法。
  10. 【請求項10】 請求項1乃至5項記載の該ミスト流の
    断面形状が円形もしくは楕円であるとともに該ミスト流
    の該ノズル先端からの開き角が立体角として0.005
    乃至0.05ステラジアンであることを特徴とする電子
    部品の洗浄方法。
  11. 【請求項11】 請求項1乃至5項記載の該ノズル先端
    と該被洗浄物の距離が10乃至100mmであることを
    特徴とする電子部品の洗浄方法。
  12. 【請求項12】 請求項1乃至11項記載の該相対運動
    が該ノズル先端が固定され該被洗浄物が並進移動する
    か、もしくは該ノズル先端が固定され該被洗浄物が回転
    移動するか、もしくは該ノズル先端が並進移動して該被
    洗浄物が回転移動することから選択されたものであるこ
    とを特徴とする電子部品の洗浄方法。
  13. 【請求項13】 請求項1乃至11項記載の該ノズルが
    複数を併用することを特徴とする電子部品の洗浄方法。
  14. 【請求項14】 請求項1乃至第11項記載の該流路と
    該気液混合室と該加速室と該ノズル先端の接液部がTi
    もしくは鉄系合金もしくはセラミクスもしくは石英もし
    くは高分子材料からなることを特徴とする電子部品の洗
    浄方法。
  15. 【請求項15】 請求項1乃至第14項記載の洗浄用ノ
    ズル。
  16. 【請求項16】 請求項1乃至第14項記載の洗浄方法
    を用いることを特徴とする洗浄装置。
  17. 【請求項17】 洗浄チャンバ内部に特許請求の範囲第
    1項乃至第14項記載の洗浄ノズルと該洗浄ノズルと被
    洗浄物をる機構とを備えてなり、かつ、該洗浄ノズルに
    高圧の気体を供給する配管と高圧の液体を供給する配管
    を備えてなり、かつ、該配管の経路の一部に設けたバル
    ブを該洗浄ノズルと被洗浄物の相対運動に同期してバル
    ブを開閉する制御系を備えてなり、かつ、洗浄チャンバ
    内部に噴出した気体と液体を回収するためのドレインを
    備えてなることを特徴とする電子部品の洗浄装置。
  18. 【請求項18】 気液混合室に高圧の気体を導入する配
    管と該気液混合室に高圧の液体を導入する配管と該気体
    と該液体を混合して液体ミストを形成する気液混合室と
    該ミストに運動量を付与したミスト流を形成する加速室
    と該ミストを噴出するノズル先端部とを備えたミスト流
    形成装置と該ノズル先端部から噴出するミスト流を被洗
    浄物に衝突させなが該ノズル先端部と該被洗浄物を相対
    運動させる機構とを備えてなることを特徴とする電子部
    品の洗浄装置。
  19. 【請求項19】 請求項16乃至第18項記載の洗浄方
    法を用いて洗浄する工程を用いることを特徴とする半導
    体装置もしくは電子表示装置もしくは磁気記録装置の製
    造方法。
  20. 【請求項20】 請求項19の製造方法を用いて製造す
    ることを特徴とする半導体装置もしくは電子表示装置も
    しくは磁気記録装置。
JP2000200065A 2000-06-28 2000-06-28 洗浄方法およびこれに用いる洗浄装置 Pending JP2002011419A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000200065A JP2002011419A (ja) 2000-06-28 2000-06-28 洗浄方法およびこれに用いる洗浄装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000200065A JP2002011419A (ja) 2000-06-28 2000-06-28 洗浄方法およびこれに用いる洗浄装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002011419A true JP2002011419A (ja) 2002-01-15

Family

ID=18697984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000200065A Pending JP2002011419A (ja) 2000-06-28 2000-06-28 洗浄方法およびこれに用いる洗浄装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002011419A (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003103201A (ja) * 2001-09-28 2003-04-08 Tadahiro Omi 気液混合ノズル及び気液混合流体供給方法
JP2004146455A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Sharp Corp 洗浄装置および洗浄方法
WO2004100241A1 (ja) * 2003-05-09 2004-11-18 Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. 洗浄装置、洗浄システム及び洗浄方法
JP2007014877A (ja) * 2005-07-07 2007-01-25 Shibuya Machinery Co Ltd 内部洗浄装置
JP2007534454A (ja) * 2003-06-18 2007-11-29 プリンストン トレード アンド テクノロジー インコーポレイテッド 2相フローを用いてパイプライン、チューブ及び膜を清浄化する装置及び方法
US7597012B2 (en) 2006-06-15 2009-10-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. System and method for using a spray/liquid particle count (LPC) to measure particulate contamination
WO2010024062A1 (ja) * 2008-08-29 2010-03-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP2011224541A (ja) * 2010-03-31 2011-11-10 I Tac Giken Kk 混合流体噴射装置
US8226774B2 (en) 2008-09-30 2012-07-24 Princeton Trade & Technology, Inc. Method for cleaning passageways such an endoscope channels using flow of liquid and gas
JP2012164896A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Tokyo Electron Ltd 流体供給部材、液処理装置、および液処理方法
JP2013165291A (ja) * 2013-04-25 2013-08-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法および基板洗浄装置
KR101395248B1 (ko) 2010-08-12 2014-05-15 세메스 주식회사 노즐 유닛
US9595434B2 (en) 2014-07-25 2017-03-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and methods for manufacturing semiconductor devices and treating substrates
CN106938265A (zh) * 2017-03-07 2017-07-11 宁波市镇海怡福莱文化创意有限公司 一种瓷接头喷气清洁方法
US10395951B2 (en) 2016-05-16 2019-08-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of cleaning a substrate and apparatus for performing the same

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003103201A (ja) * 2001-09-28 2003-04-08 Tadahiro Omi 気液混合ノズル及び気液混合流体供給方法
JP2004146455A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Sharp Corp 洗浄装置および洗浄方法
WO2004100241A1 (ja) * 2003-05-09 2004-11-18 Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. 洗浄装置、洗浄システム及び洗浄方法
JP2007534454A (ja) * 2003-06-18 2007-11-29 プリンストン トレード アンド テクノロジー インコーポレイテッド 2相フローを用いてパイプライン、チューブ及び膜を清浄化する装置及び方法
JP4846574B2 (ja) * 2003-06-18 2011-12-28 プリンストン トレード アンド テクノロジー インコーポレイテッド 2相フローを用いてパイプライン、チューブ及び膜を清浄化する装置及び方法
JP4636956B2 (ja) * 2005-07-07 2011-02-23 シブヤマシナリー株式会社 内部洗浄装置
JP2007014877A (ja) * 2005-07-07 2007-01-25 Shibuya Machinery Co Ltd 内部洗浄装置
US7597012B2 (en) 2006-06-15 2009-10-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. System and method for using a spray/liquid particle count (LPC) to measure particulate contamination
CN103021810B (zh) * 2008-08-29 2015-07-22 斯克林集团公司 基板清洗方法
WO2010024062A1 (ja) * 2008-08-29 2010-03-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP2010056376A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法および基板洗浄装置
US11610772B2 (en) 2008-08-29 2023-03-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
US10854443B2 (en) 2008-08-29 2020-12-01 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
KR101277338B1 (ko) * 2008-08-29 2013-06-20 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판세정방법
US10699894B2 (en) 2008-08-29 2020-06-30 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
KR101319744B1 (ko) * 2008-08-29 2013-10-17 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판세정장치
US8747569B2 (en) 2008-09-30 2014-06-10 Princeton Trade & Technology, Inc. Method for cleaning passageways using flow of liquid and gas
US8226774B2 (en) 2008-09-30 2012-07-24 Princeton Trade & Technology, Inc. Method for cleaning passageways such an endoscope channels using flow of liquid and gas
JP2011224541A (ja) * 2010-03-31 2011-11-10 I Tac Giken Kk 混合流体噴射装置
KR101395248B1 (ko) 2010-08-12 2014-05-15 세메스 주식회사 노즐 유닛
JP2012164896A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Tokyo Electron Ltd 流体供給部材、液処理装置、および液処理方法
JP2013165291A (ja) * 2013-04-25 2013-08-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法および基板洗浄装置
US9595434B2 (en) 2014-07-25 2017-03-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and methods for manufacturing semiconductor devices and treating substrates
US10395951B2 (en) 2016-05-16 2019-08-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of cleaning a substrate and apparatus for performing the same
CN106938265A (zh) * 2017-03-07 2017-07-11 宁波市镇海怡福莱文化创意有限公司 一种瓷接头喷气清洁方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5931721A (en) Aerosol surface processing
JP3504023B2 (ja) 洗浄装置および洗浄方法
JP2002011419A (ja) 洗浄方法およびこれに用いる洗浄装置
JP3415670B2 (ja) ウエハ洗浄装置
TWI443722B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US8439051B2 (en) Method of substrate processing, substrate processing system, and storage medium
US5918817A (en) Two-fluid cleaning jet nozzle and cleaning apparatus, and method utilizing the same
US5372652A (en) Aerosol cleaning method
TW201720538A (zh) 二相流霧化噴射清洗裝置
CN1796008B (zh) 基板处理装置及其处理方法
JP2001033165A (ja) 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置
US20070234951A1 (en) Methods and apparatus for cleaning a substrate
US6488779B1 (en) Method and apparatus for cleaning substrates
JP2001500796A (ja) 空力エアゾルチャンバ
KR100349948B1 (ko) 클러스터를 이용한 건식 세정 장치 및 방법
JP2006286665A (ja) 電子デバイス洗浄方法及び電子デバイス洗浄装置
US20020139125A1 (en) Nozzle design for generating fluid streams useful in the manufacture of microelectronic devices
JP2012530379A (ja) 粒子汚染物除去方法
US6726777B1 (en) Cleaning method and apparatus using fluid spraying
JP2006187707A (ja) 洗浄用2流体ノズル、洗浄方法及び洗浄装置
JP3512868B2 (ja) 洗浄方法
JPH0479326A (ja) 基板表面の洗浄装置
JP2002270564A (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2004031924A (ja) エアロゾル洗浄方法及び装置
JP2894451B2 (ja) ジェットスクラバー