JP2000040683A - Semiconductor cleaner, and method of cleaning semiconductor device - Google Patents
Semiconductor cleaner, and method of cleaning semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体洗浄装置及
び半導体洗浄方法に関し、特に、液槽内で洗浄を行うウ
ェット処理装置及びウェット処理装置を用いた半導体装
置の洗浄方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor cleaning apparatus and a semiconductor cleaning method, and more particularly to a wet processing apparatus for cleaning in a liquid tank and a method for cleaning a semiconductor device using the wet processing apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、半導体装置の微細化に伴い、エッ
チング、洗浄といったウェット処理における歩留まりの
向上が重要な課題となっている。従来用いられているウ
ェット処理装置は、ウェハを処理するための処理槽と、
処理槽に純水及び薬液を供給し、廃液を排出するための
機構と、ウェハを処理槽に出し入れするための搬送機構
と、ウェハの乾燥を行う乾燥機構とを基本構成としてお
り、(a)ウェハを処理槽に搬入する、(b)処理槽に
薬液を注入してウェハの処理を行う、(c)処理槽に純
水を注入してウェハの洗浄を行う、(d)ウェハを処理
槽から搬出し乾燥させる、(e)処理槽から純水を排出
する、という工程を繰り返すことにより複数のウェハの
処理を行っていた。2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of semiconductor devices, improvement in yield in wet processing such as etching and cleaning has become an important issue. A conventionally used wet processing apparatus includes a processing tank for processing a wafer,
The basic configuration includes a mechanism for supplying pure water and a chemical solution to a processing tank and discharging a waste liquid, a transport mechanism for transferring a wafer into and out of the processing tank, and a drying mechanism for drying a wafer. The wafer is carried into the processing tank, (b) a chemical solution is injected into the processing tank to process the wafer, (c) pure water is injected into the processing tank to wash the wafer, and (d) the wafer is processed into the processing tank. A plurality of wafers have been processed by repeating the steps of carrying out and drying the wafers, and (e) discharging pure water from the processing tank.
【0003】このような従来の洗浄方法は、不純物とし
てパーティクルを対象とし、ウェハ等の被洗浄物に付着
した不純物の除去が目的であったため、単なるパーティ
クルを除去するには、薬液の循環フィルタリングや薬液
交換を実施することで対応することが可能であった。[0003] Such a conventional cleaning method targets particles as impurities and aims at removing impurities adhering to an object to be cleaned such as a wafer. Therefore, in order to simply remove particles, circulating filtering of a chemical solution or the like is required. It was possible to deal with this by performing chemical exchange.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来のウェット処理においては、ウェット処理装置の処理
槽内に製品から持ち込まれたメタルや有機物等の不純物
が蓄積していく恐れがあり、今後の半導体製造プロセス
では、汚染に対してより一層要求が厳しく、ウォーター
マーク性の欠陥等まで低減する必要があり、特にメタル
や有機物等の不純物の影響を十分考慮する必要がある。
従って、従来技術のような循環フィルタリングや薬液交
換時に実施する純水リンスだけでは、処理槽に蓄積した
これらの不純物を除去し難いといった問題がある。However, in such a conventional wet processing, impurities such as metals and organic substances brought from the product may accumulate in the processing tank of the wet processing apparatus. In the semiconductor manufacturing process of (1), the requirements for contamination are even more severe, and it is necessary to reduce defects such as watermarking, and it is particularly necessary to sufficiently consider the influence of impurities such as metals and organic substances.
Therefore, there is a problem that it is difficult to remove these impurities accumulated in the processing tank only by pure water rinsing performed at the time of circulation filtering or chemical solution exchange as in the related art.
【0005】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その主たる目的は、ウェット処理装置の液
槽内に持ち込まれたメタルや有機物等の不純物を除去
し、液槽内を清浄に保つことができる半導体洗浄装置及
び半導体装置の洗浄方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a main object of the present invention is to remove impurities such as metals and organic substances brought into a liquid tank of a wet processing apparatus and to clean the liquid tank. An object of the present invention is to provide a semiconductor cleaning apparatus and a semiconductor device cleaning method that can be kept clean.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体洗浄
装置は、洗浄処理用のチャンバと、前記チャンバ内に設
置された処理槽と、前記処理槽に純水と薬液とを供給す
る手段と、ウェハを支持するウェハ支持部と前記処理槽
に前記ウェハを搬送するウェハ搬送部とを有する搬送手
段と、前記処理槽の上部に載置され、前記処理槽から前
記ウェハを引き上げる際に前記ウェハを乾燥させる手段
と、前記チャンバに接続され、前記処理槽から排出され
る廃液を排出する手段と、を少なくとも有する半導体洗
浄装置において、前記処理槽に、前記処理槽の下部から
オゾンを含む洗浄液を供給し、前記処理槽の上部から前
記洗浄液をオーバーフローさせる手段を備えたものであ
る。According to the present invention, there is provided a semiconductor cleaning apparatus comprising: a cleaning processing chamber; a processing tank provided in the chamber; and means for supplying pure water and a chemical solution to the processing tank. A transfer unit having a wafer support unit that supports a wafer and a wafer transfer unit that transfers the wafer to the processing bath; and a wafer mounted on the processing bath and lifting the wafer from the processing bath. A semiconductor cleaning apparatus having at least a means for drying the liquid and a means for discharging waste liquid discharged from the processing tank connected to the chamber, wherein the cleaning liquid containing ozone is supplied from the lower part of the processing tank to the processing tank. It is provided with means for supplying and causing the cleaning liquid to overflow from above the processing tank.
【0007】本発明の半導体装置の洗浄方法は、洗浄処
理用チャンバ内に設置された処理槽と、前記処理槽に純
水と薬液とを供給する手段と、前記処理槽にオゾンを含
む洗浄液を供給する手段と、ウェハを支持するウェハ支
持部と前記処理槽に前記ウェハを搬送するウェハ搬送部
とを有する搬送手段と、を少なくとも備えた半導体洗浄
装置を用いた半導体装置の洗浄方法であって、前記ウェ
ハを処理した後、次のウェハを処理する前に、前記処理
槽に、前記処理槽の下部からオゾンを含む洗浄液を注入
し、前記処理槽の上部から前記洗浄液をオーバーフロー
させることにより、前記処理槽及び前記ウェハ支持部を
洗浄するものである。According to a semiconductor device cleaning method of the present invention, there is provided a processing tank installed in a cleaning processing chamber, means for supplying pure water and a chemical solution to the processing tank, and a cleaning liquid containing ozone in the processing tank. A method for cleaning a semiconductor device using a semiconductor cleaning apparatus including at least a supply unit and a transfer unit having a wafer support unit that supports a wafer and a wafer transfer unit that transfers the wafer to the processing bath. After processing the wafer, before processing the next wafer, by injecting a cleaning liquid containing ozone from the lower part of the processing tank into the processing tank, overflowing the cleaning liquid from the upper part of the processing tank, The processing tank and the wafer support are cleaned.
【0008】また、本発明の半導体装置の洗浄方法は、
洗浄処理用のチャンバと、前記チャンバ内に設置された
処理槽と、前記処理槽に純水と薬液とを供給する手段
と、前記処理槽にオゾンを含む洗浄液を供給する手段
と、ウェハを支持するウェハ支持部と前記処理槽に前記
ウェハを搬送するウェハ搬送部とを有する搬送手段と、
前記処理槽の上部に載置され、前記処理槽からウェハを
引き上げる際に前記ウェハを乾燥させる手段と、前記チ
ャンバに接続され、前記処理槽から排出される廃液を排
出する手段と、を少なくとも備えた半導体洗浄装置を用
い、(a)前記ウェハ搬送手段により、前記ウェハを前
記処理槽に搬送する工程と、(b)前記処理槽に薬液を
注入して、前記ウェハを処理する工程と、(c)前記処
理槽に純水を注入して、前記ウェハを洗浄する工程と、
(d)前記ウェハ搬送手段により、前記ウェハを前記処
理槽から搬出するに際して、前記乾燥手段により前記ウ
ェハを乾燥させる工程と、(e)前記処理槽から純水を
排出する工程と、を少なくとも含み、前記(a)から
(e)の工程を繰り返して半導体ウェハの処理を行う半
導体装置の洗浄方法であって、前記(e)の工程後、前
記(a)の工程前に、前記処理槽に前記ウェハ支持部を
戻し、前記処理槽に、前記処理槽の下部からオゾンを含
む洗浄液を注入し、前記処理槽の上部から前記洗浄液を
オーバーフローさせることにより、前記処理槽及び前記
ウェハ支持部を洗浄する構成とすることもできる。Further, the method for cleaning a semiconductor device according to the present invention comprises:
A chamber for cleaning processing, a processing tank installed in the chamber, means for supplying pure water and a chemical solution to the processing tank, means for supplying a cleaning liquid containing ozone to the processing tank, and a wafer supported. Transfer means having a wafer support unit and a wafer transfer unit for transferring the wafer to the processing tank,
A unit mounted on the processing tank and drying the wafer when lifting the wafer from the processing tank; and a unit connected to the chamber and configured to discharge waste liquid discharged from the processing tank. (A) transporting the wafer to the processing tank by the wafer transporting unit using the semiconductor cleaning apparatus, and (b) injecting a chemical solution into the processing tank to process the wafer. c) a step of injecting pure water into the processing tank to wash the wafer;
(D) at the time of unloading the wafer from the processing tank by the wafer transfer means, at least including: a step of drying the wafer by the drying means; and (e) a step of discharging pure water from the processing tank. A method for cleaning a semiconductor device, wherein a semiconductor wafer is processed by repeating the steps (a) to (e), wherein after the step (e) and before the step (a), The wafer support is returned, and a cleaning liquid containing ozone is injected into the processing tank from a lower part of the processing tank, and the cleaning liquid overflows from an upper part of the processing tank, thereby cleaning the processing tank and the wafer supporting part. It is also possible to adopt a configuration in which
【0009】本発明においては、前記ウェハ支持部が櫛
歯状のフッ素樹脂系部材からなり、前記オゾンを含む洗
浄液のオゾン濃度が5ppm以上30ppm以下の範囲
であり、前記乾燥手段が減圧IPA(イソプロピルアル
コール)を用いた乾燥手段であることが好ましい。In the present invention, the wafer supporting portion is made of a comb-shaped fluororesin-based member, the ozone-containing cleaning solution has an ozone concentration in a range of 5 ppm to 30 ppm, and the drying means is a reduced pressure IPA (isopropyl). It is preferable to use a drying means using (alcohol).
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体洗浄装置は、
その好ましい一実施の形態において、洗浄処理用チャン
バ(図1の11)内に設置された処理槽(図1の7)
と、処理槽に純水を供給するライン(図1の1a)と、
処理槽に薬液を供給するライン(図1の3)と、処理槽
にオゾンを含む洗浄液を供給するライン(図1の2)
と、ウェハを支持するウェハ支持部(図1の8)と処理
槽にウェハを搬送するウェハ搬送部(図1の9)とを有
する搬送手段と、を少なくとも備えた半導体洗浄装置を
用いた半導体装置の洗浄方法であって、ウェハの処理を
行った後、次のウェハを処理する前に、処理槽に槽の下
部からオゾンを含む洗浄液を注入し、槽の上部からオー
バーフローさせて、処理槽及びウェハ支持部を洗浄す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor cleaning apparatus according to the present invention
In a preferred embodiment, a processing tank (7 in FIG. 1) installed in a cleaning processing chamber (11 in FIG. 1).
And a line (1a in FIG. 1) for supplying pure water to the processing tank;
A line for supplying a chemical solution to the processing tank (3 in FIG. 1) and a line for supplying a cleaning liquid containing ozone to the processing tank (2 in FIG. 1)
A semiconductor cleaning apparatus including at least a wafer support unit (8 in FIG. 1) for supporting a wafer and a transfer unit having a wafer transfer unit (9 in FIG. 1) for transferring a wafer to a processing bath. A method of cleaning an apparatus, wherein after processing a wafer, before processing the next wafer, a cleaning liquid containing ozone is injected into the processing tank from the lower part of the tank, and overflows from the upper part of the processing tank. And cleaning the wafer support.
【0011】[0011]
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。図1は、本発明の一実施例に係る
ワンバス式ウェット処理装置の構成を模式的に説明する
ための側面図であり、図2及び図3は、ワンバス式ウェ
ット処理装置を用いた半導体洗浄方法を工程順に説明す
るための側面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention; FIG. 1 is a side view schematically illustrating a configuration of a one-bath wet processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIGS. 2 and 3 are semiconductor cleaning methods using the one-bath wet processing apparatus. FIG. 4 is a side view for explaining the steps in order.
【0012】図1を参照して、本発明の一実施例に係る
ワンバス式ウェット処理装置の構成について説明する。
本実施例のワンバス式ウェット処理装置は、ウェハのエ
ッチング、洗浄等を行う処理槽7と、処理槽7内でウェ
ハを支持するウェハハンドラー8と、ウェハの出し入れ
を行うウェハ駆動部9とを収容するウェット処理チャン
バ11に、純水供給ライン1と薬液供給ライン3とIP
A供給ライン4と廃液ライン5、及び本実施例の特徴で
あるオゾン水供給ライン2とが接続されている。Referring to FIG. 1, the configuration of a one-bath wet processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.
The one-bath wet processing apparatus of the present embodiment accommodates a processing tank 7 for etching and cleaning a wafer, a wafer handler 8 for supporting a wafer in the processing tank 7, and a wafer driving unit 9 for loading and unloading the wafer. The pure water supply line 1, the chemical solution supply line 3, and the IP
The A supply line 4 and the waste liquid line 5 are connected to the ozone water supply line 2 which is a feature of this embodiment.
【0013】また、オゾン水は、純水供給ライン1bか
ら供給される純水をオゾン水製造装置10でオゾン化す
ることによって製造され、オゾン水供給ライン2を介し
て、処理槽7に導入される。なお、オゾン水の濃度は、
一般的に洗浄効果のある5ppm〜30ppm程度が槽
内洗浄としても有効であり、本実施例においてもこの濃
度のオゾン水を用いている。Ozone water is produced by converting pure water supplied from a pure water supply line 1b into ozone by an ozone water production device 10, and is introduced into a treatment tank 7 via an ozone water supply line 2. You. The concentration of ozone water is
Generally, about 5 ppm to 30 ppm having a cleaning effect is also effective for cleaning the inside of the tank, and the ozone water having this concentration is also used in the present embodiment.
【0014】次に、本実施例に係るワンバス式ウェット
処理装置の洗浄処理シーケンスについて図2及び図3を
参照して説明する。図2(a)は、オゾン水をオーバー
フローさせて槽内を清浄する工程を、図2(b)は、エ
ッチング等の処理を行う前の準備工程を、図3(c)
は、エッチング等の処理の工程を、図3(d)は、IP
Aによるウェハの乾燥工程を示している。Next, a cleaning processing sequence of the one-bath wet processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2A shows a step of cleaning the inside of the tank by overflowing ozone water, FIG. 2B shows a preparation step before performing a process such as etching, and FIG.
FIG. 3D shows a process of etching or the like, and FIG.
4A shows a wafer drying process by A.
【0015】まず、図2(a)を参照すると、処理槽7
を洗浄するには、廃液用バルブ15と純水用バルブ13
と薬液用バルブ14を閉じ、オゾン水用バルブ12を開
けて、一定濃度のオゾン水を処理槽7に導入し、オーバ
ーフローさせることによって、処理槽7内及びフッ素樹
脂系のクシ歯からなるウェハハンドラー8を清浄な状態
に保つことができる。First, referring to FIG. 2A, the treatment tank 7
To clean the water, the waste liquid valve 15 and the pure water valve 13
And the chemical liquid valve 14 are closed, the ozone water valve 12 is opened, and a certain concentration of ozone water is introduced into the processing tank 7 and overflowed, so that the wafer handler in the processing tank 7 and the fluororesin-based comb teeth are formed. 8 can be kept clean.
【0016】次に、図2(b)に示すように、オゾン水
用バルブ12を閉じ、廃液用バルブ15を開けて、処理
槽7内のオゾン水を抜いた後、廃液用バルブ15を閉
じ、純水用バルブ13を開けて、処理槽7内の純水置換
を数回行う。Next, as shown in FIG. 2B, the ozone water valve 12 is closed, the waste liquid valve 15 is opened, the ozone water in the treatment tank 7 is drained, and the waste liquid valve 15 is closed. Then, the pure water valve 13 is opened, and the replacement of the pure water in the processing tank 7 is performed several times.
【0017】次に、図3(c)に示すように、清浄状態
に保たれた処理槽7内のウェハハンドラー8にウェハ1
6を立てた後、薬液用バルブ14を開けて、処理槽7内
に薬液を投入し、ウェットエッチング処理を行う。その
後、20〜50l/min程度の多量の純水を用いて、
ウェハ純水リンスを行う。純水リンス時間は、槽内の純
水比抵抗値が15MΩ・cm程度まで回復し、比抵抗値
が安定した状態になるまで実施する。Next, as shown in FIG. 3C, the wafer 1 is placed in a wafer handler 8 in a processing tank 7 kept in a clean state.
After erecting 6, the chemical solution valve 14 is opened, a chemical solution is charged into the processing tank 7, and wet etching is performed. Then, using a large amount of pure water of about 20 to 50 l / min,
Perform wafer pure water rinsing. The pure water rinsing time is maintained until the specific resistance value of the pure water in the tank recovers to about 15 MΩ · cm and the specific resistance value becomes stable.
【0018】最後に、図3(d)に示すように、ウェハ
16を純水で満たされた処理槽7内より引き上げ、乾燥
させる。本実施例のワンバス式ウェット処理装置では、
減圧IPA(イソプロピルアルコール)方式の乾燥方法
を用いるのが望ましい。なお、減圧IPA乾燥方式と
は、処理ウェハ16の純水リンス処理が終了した後、処
理槽7内に投入された純水の上面層にIPA蒸気を吐出
させて、薄いIPA層を気液界面に形成させた後、ウェ
ハ16をIPA層のある液面より上方に低速(数mm/
sec)で引き上げることでウェハ16上の水分をIP
A置換し、その後、ウェハを減圧乾燥させることでウェ
ハ16上の水分を除去させる方法のことである。Finally, as shown in FIG. 3D, the wafer 16 is pulled out of the processing tank 7 filled with pure water and dried. In the one-bath wet processing apparatus of the present embodiment,
It is desirable to use a reduced pressure IPA (isopropyl alcohol) drying method. Note that the reduced pressure IPA drying method means that after the pure water rinsing of the processing wafer 16 is completed, IPA vapor is discharged to the upper surface layer of the pure water charged into the processing tank 7 to form a thin IPA layer at the gas-liquid interface. After that, the wafer 16 is moved at a low speed (several mm /
The water on the wafer 16 is extracted by IP
This is a method of removing water on the wafer 16 by substituting A and then drying the wafer under reduced pressure.
【0019】このように、半導体製造工程の中で汚染に
対して敏感な成膜工程の前処理として実施するウェット
エッチング処理工程において、ウェット処理装置の処理
槽7内に蓄積された不純物やエッチング生成物等の不純
物の再付着による影響が懸念されるが、本実施例では、
極めて強い酸化力を持つオゾン水を用いてウェット処理
装置の処理槽7内をウェット処理前に予め槽内洗浄す
る。これにより、処理ウェハ等からウェット処理装置の
処理槽7内に持ち込まれて蓄積された不純物や処理槽7
内に設置されているウェハハンドラー8に付着している
エッチング生成物等の不純物を完全に除去することがで
きる。また、処理槽7内にオゾン水を投入した後、ウェ
ット処理装置内を一定時間循環フィルタリングさせるこ
とにより、循環配管ラインの洗浄も併せて実施すること
ができる。As described above, in the wet etching process performed as a pre-process of the film formation process that is sensitive to contamination in the semiconductor manufacturing process, the impurities accumulated in the processing tank 7 of the wet processing apparatus and the etching generation are performed. There is a concern about the effect of reattachment of impurities such as substances, but in this example,
The inside of the processing tank 7 of the wet processing apparatus is preliminarily cleaned before the wet processing using ozone water having an extremely strong oxidizing power. As a result, impurities brought into and accumulated in the processing tank 7 of the wet processing apparatus from the processing wafer or the like are removed.
Impurities such as etching products adhering to the wafer handler 8 installed therein can be completely removed. Further, after the ozone water is introduced into the treatment tank 7, the inside of the wet treatment apparatus is circulated and filtered for a certain period of time, so that the circulation piping line can be washed together.
【0020】なお、本実施例では、ワンバス式ウェット
処理装置について記載したが、本発明はワンバス式ウェ
ット処理装置に限らず、多数の処理槽を兼ね備えた通常
のウェット処理装置においても、処理槽内の不純物除去
のためのオゾン水を用いた槽内洗浄を利用することがで
きる。In this embodiment, the one-bath wet processing apparatus is described. However, the present invention is not limited to the one-bath wet processing apparatus, but may be applied to a general wet processing apparatus having a large number of processing tanks. Cleaning in the tank using ozone water for removing impurities can be used.
【0021】なお、通常のウェット処理装置の場合に
は、薬液処理槽の薬液はワンバス式ウェット処理装置の
ように製品処理ごとに薬液交換は実施せずに、一定時間
循環フィルタリングしながら使用するため、薬液槽内に
は製品から持ち込まれたメタルや有機物等の不純物が多
く蓄積していく恐れがある。しかし、本発明のオゾン水
を用いた槽内洗浄を液交換の際に実施することで、槽内
蓄積されたメタルや有機物等の不純物の除去が可能とな
り、ウェット処理装置槽内の清浄度が維持できる。In the case of a normal wet processing apparatus, the chemical in the chemical processing tank is used while being filtered for a certain period of time without performing chemical exchange for each product processing as in a one-bath wet processing apparatus. In addition, a large amount of impurities such as metals and organic substances brought from the product may accumulate in the chemical solution tank. However, by performing cleaning in the tank using the ozone water of the present invention at the time of liquid exchange, it becomes possible to remove impurities such as metals and organic substances accumulated in the tank, and cleanliness in the wet processing apparatus tank is reduced. Can be maintained.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェットエッチング処理工程において、ウェット処理装
置の槽内に蓄積された不純物やエッチング生成物等を除
去することができ、製品に付着するパーティクルやウォ
ーターマーク性の欠陥を低減することにより、汚染に対
して敏感な成膜工程に対しても、突起状や結晶欠陥等の
異常を発生させず、良好に成膜処理を実施することがで
きるという効果を奏する。As described above, according to the present invention,
In the wet etching process, impurities and etching products accumulated in the tank of the wet processing device can be removed, and particles and water mark defects adhering to the product can be reduced to reduce contamination. Even in a sensitive film forming process, there is an effect that a film forming process can be favorably performed without generating an abnormality such as a protrusion or a crystal defect.
【0023】その理由は、本発明では、処理槽内に蓄積
された不純物を除去させるために、オゾン水を処理槽内
の下より投入して、処理中以外のスタンバイ時には常時
オーバーフローさせる。これにより、処理槽内及び槽内
に常設されているウェハハンドラーを常時清浄な状態で
保持でき、ウェット処理装置の槽内に蓄積された不純物
やエッチング生成物等を除去することが可能となるから
である。The reason is that, in the present invention, in order to remove impurities accumulated in the processing tank, ozone water is supplied from below the processing tank, and always overflows during standby other than during processing. This makes it possible to always keep the wafer handler permanently installed in the processing tank and in the tank in a clean state, and to remove impurities, etching products, and the like accumulated in the tank of the wet processing apparatus. It is.
【図1】本発明の一実施例に係るワンバス式ウェット処
理装置の構成を説明するための側面図である。FIG. 1 is a side view illustrating a configuration of a one-bath wet processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施例に係るワンバス式ウェット処
理装置を用いた半導体洗浄方法を工程順に説明するため
の側面図である。FIG. 2 is a side view for explaining a semiconductor cleaning method using a one-bath wet processing apparatus according to one embodiment of the present invention in the order of steps.
【図3】本発明の一実施例に係るワンバス式ウェット処
理装置を用いた半導体洗浄方法を工程順に説明するため
の側面図である。FIG. 3 is a side view for explaining a semiconductor cleaning method using a one-bath wet processing apparatus according to one embodiment of the present invention in the order of steps.
1a、1b 純水供給ライン 2 オゾン水供給ライン 3 薬液供給ライン 4 IPA供給ライン 5 廃液ライン 6 IPA吐出部 7 処理槽 8 ウェハハンドラー 9 ウェハ駆動部 10 オゾン水製造装置 11 ウェット処理チャンバ 12 オゾン水用バルブ 13 純水用バルブ 14 薬液用バルブ 15 廃液用バルブ 16 ウェハ 1a, 1b Pure water supply line 2 Ozone water supply line 3 Chemical liquid supply line 4 IPA supply line 5 Waste liquid line 6 IPA discharge unit 7 Processing tank 8 Wafer handler 9 Wafer driving unit 10 Ozone water production device 11 Wet treatment chamber 12 Ozone water Valve 13 Pure water valve 14 Chemical liquid valve 15 Waste liquid valve 16 Wafer
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成11年8月16日(1999.8.1
6)[Submission date] August 16, 1999 (1999.8.1
6)
【手続補正1】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項1[Correction target item name] Claim 1
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【手続補正2】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0006[Correction target item name] 0006
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体洗浄
装置は、洗浄処理用のチャンバと、前記チャンバ内に設
置された処理槽と、前記処理槽に純水と薬液とを供給す
る手段と、ウェハを支持するウェハ支持部と前記処理槽
に前記ウェハを搬送するウェハ搬送部とを有する搬送手
段と、前記処理槽の上部に載置され、前記処理槽から前
記ウェハを引き上げる際に前記ウェハを乾燥させる手段
と、前記チャンバに接続され、前記処理槽から排出され
る廃液を排出する手段と、を少なくとも有する半導体洗
浄装置において、前記ウェハを処理した後、次のウェハ
を処理する前に、前記処理槽に、前記処理槽の下部から
オゾンを含む洗浄液を供給し、前記処理槽の上部から前
記洗浄液をオーバーフローさせることにより、前記処理
槽及び前記ウェハ支持部を洗浄する手段を備えたもので
ある。A semiconductor cleaning apparatus according to the present invention comprises: a cleaning processing chamber; a processing tank provided in the chamber; and means for supplying pure water and a chemical solution to the processing tank. A transfer unit having a wafer support unit that supports a wafer and a wafer transfer unit that transfers the wafer to the processing bath; and A semiconductor cleaning apparatus having at least a means for drying the wafer and a means connected to the chamber for discharging waste liquid discharged from the processing tank , after processing the wafer,
Before processing, the cleaning liquid containing ozone is supplied to the processing tank from the lower part of the processing tank, and the cleaning liquid overflows from the upper part of the processing tank , whereby the processing is performed.
A means for cleaning the tank and the wafer support .
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/306 B ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/306 B
Claims (6)
に設置された処理槽と、前記処理槽に純水と薬液とを供
給する手段と、ウェハを支持するウェハ支持部と前記処
理槽に前記ウェハを搬送するウェハ搬送部とを有する搬
送手段と、前記処理槽の上部に載置され、前記処理槽か
ら前記ウェハを引き上げる際に前記ウェハを乾燥させる
手段と、前記チャンバに接続され、前記処理槽から排出
される廃液を排出する手段と、を少なくとも有する半導
体洗浄装置において、前記処理槽に、前記処理槽の下部
からオゾンを含む洗浄液を供給し、前記処理槽の上部か
ら前記洗浄液をオーバーフローさせる手段を備えた、こ
とを特徴とする半導体洗浄装置。A cleaning chamber, a processing tank installed in the chamber, a means for supplying pure water and a chemical solution to the processing tank, a wafer support for supporting a wafer, and a processing tank. A transfer unit having a wafer transfer unit for transferring the wafer, a unit mounted on the upper part of the processing tank, and drying the wafer when lifting the wafer from the processing tank; and Means for discharging waste liquid discharged from the processing tank, wherein a cleaning liquid containing ozone is supplied to the processing tank from a lower part of the processing tank, and the cleaning liquid overflows from an upper part of the processing tank. A semiconductor cleaning apparatus, comprising: means for causing a semiconductor to be cleaned.
部材からなり、前記オゾンを含む洗浄液のオゾン濃度が
5ppm以上30ppm以下の範囲であることを特徴と
する請求項1記載の半導体洗浄装置。2. The semiconductor cleaning device according to claim 1, wherein the wafer support portion is made of a comb-shaped fluororesin-based member, and the ozone-containing cleaning liquid has an ozone concentration of 5 ppm or more and 30 ppm or less. apparatus.
と、前記処理槽に純水と薬液とを供給する手段と、前記
処理槽にオゾンを含む洗浄液を供給する手段と、ウェハ
を支持するウェハ支持部と前記処理槽に前記ウェハを搬
送するウェハ搬送部とを有する搬送手段と、を少なくと
も備えた半導体洗浄装置を用いた半導体装置の洗浄方法
であって、前記ウェハを処理した後、次のウェハを処理
する前に、前記処理槽に、前記処理槽の下部からオゾン
を含む洗浄液を注入し、前記処理槽の上部から前記洗浄
液をオーバーフローさせることにより、前記処理槽及び
前記ウェハ支持部を洗浄する、ことを特徴とする半導体
装置の洗浄方法。3. A processing tank installed in a cleaning processing chamber, means for supplying pure water and a chemical solution to the processing tank, means for supplying a cleaning liquid containing ozone to the processing tank, and a wafer supporter. And a transfer unit having a wafer transfer unit that transfers the wafer to the processing tank, and a method of cleaning a semiconductor device using a semiconductor cleaning apparatus including at least the wafer cleaning unit, and after processing the wafer, Before processing the next wafer, a cleaning liquid containing ozone is injected into the processing tank from the lower part of the processing tank, and the cleaning liquid overflows from the upper part of the processing tank, whereby the processing tank and the wafer support part are filled. Cleaning a semiconductor device.
に設置された処理槽と、前記処理槽に純水と薬液とを供
給する手段と、前記処理槽にオゾンを含む洗浄液を供給
する手段と、ウェハを支持するウェハ支持部と前記処理
槽に前記ウェハを搬送するウェハ搬送部とを有する搬送
手段と、前記処理槽の上部に載置され、前記処理槽から
ウェハを引き上げる際に前記ウェハを乾燥させる手段
と、前記チャンバに接続され、前記処理槽から排出され
る廃液を排出する手段と、を少なくとも備えた半導体洗
浄装置を用い、(a)前記ウェハ搬送手段により、前記
ウェハを前記処理槽に搬送する工程と、(b)前記処理
槽に薬液を注入して、前記ウェハを処理する工程と、
(c)前記処理槽に純水を注入して、前記ウェハを洗浄
する工程と、(d)前記ウェハ搬送手段により、前記ウ
ェハを前記処理槽から搬出するに際して、前記乾燥手段
により前記ウェハを乾燥させる工程と、(e)前記処理
槽から純水を排出する工程と、を少なくとも含み、前記
(a)から(e)の工程を繰り返して半導体ウェハの処
理を行う半導体装置の洗浄方法であって、前記(e)の
工程後、前記(a)の工程前に、前記処理槽に前記ウェ
ハ支持部を戻し、前記処理槽に、前記処理槽の下部から
オゾンを含む洗浄液を注入し、前記処理槽の上部から前
記洗浄液をオーバーフローさせることにより、前記処理
槽及び前記ウェハ支持部を洗浄する、ことを特徴とする
半導体装置の洗浄方法。4. A chamber for cleaning processing, a processing tank installed in the chamber, means for supplying pure water and a chemical solution to the processing tank, and means for supplying a cleaning liquid containing ozone to the processing tank. A transfer unit having a wafer support unit that supports a wafer and a wafer transfer unit that transfers the wafer to the processing tank; and a wafer mounted on the processing tank and used for lifting the wafer from the processing tank. Using a semiconductor cleaning apparatus having at least a unit for drying the wafer and a unit connected to the chamber and for discharging waste liquid discharged from the processing tank. (A) The wafer is processed by the wafer transfer unit. (B) injecting a chemical solution into the processing tank and processing the wafer;
(C) a step of injecting pure water into the processing tank to wash the wafer; and (d) drying the wafer by the drying means when the wafer is carried out of the processing tank by the wafer transfer means. And (e) discharging pure water from the processing tank. The method for cleaning a semiconductor device, comprising: repeating the steps (a) to (e) to process a semiconductor wafer. After the step (e) and before the step (a), the wafer support portion is returned to the processing tank, and a cleaning liquid containing ozone is injected into the processing tank from a lower portion of the processing tank, and the processing is performed. A method for cleaning a semiconductor device, comprising: cleaning the processing tank and the wafer support by overflowing the cleaning liquid from an upper part of the tank.
部材からなり、前記オゾンを含む洗浄液のオゾン濃度が
5ppm以上30ppm以下の範囲であることを特徴と
する請求項3または4に記載の半導体装置の洗浄方法。5. The wafer supporting portion is made of a comb-shaped fluororesin-based member, and the ozone-containing cleaning liquid has an ozone concentration in a range of 5 ppm or more and 30 ppm or less. Cleaning method for semiconductor devices.
アルコール)を用いた乾燥手段であることを特徴とする
請求項4記載の半導体装置の洗浄方法。6. The method for cleaning a semiconductor device according to claim 4, wherein said drying means is a drying means using reduced-pressure IPA (isopropyl alcohol).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20914498A JP3000997B1 (en) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | Semiconductor cleaning apparatus and semiconductor device cleaning method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20914498A JP3000997B1 (en) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | Semiconductor cleaning apparatus and semiconductor device cleaning method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3000997B1 JP3000997B1 (en) | 2000-01-17 |
JP2000040683A true JP2000040683A (en) | 2000-02-08 |
Family
ID=16568046
Family Applications (1)
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JP20914498A Expired - Lifetime JP3000997B1 (en) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | Semiconductor cleaning apparatus and semiconductor device cleaning method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3000997B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7360546B2 (en) | 2002-04-09 | 2008-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Cleaning apparatus for semiconductor wafer |
-
1998
- 1998-07-24 JP JP20914498A patent/JP3000997B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7360546B2 (en) | 2002-04-09 | 2008-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Cleaning apparatus for semiconductor wafer |
Also Published As
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