KR100567128B1 - Equipment for cleaning wafers and method of removing metallic residue - Google Patents

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박태원
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Abstract

본 발명에 따른 세정 설비는 웨이퍼를 담궈 처리하기 위한 황산세정용액을 수용하는 제 1 수조와, 황산세정용액의 일부를 순환시켜 정화하여 다시 제 1 수조로 공급하는 순환 경로와, 제 1 수조에서 처리된 웨이퍼를 린스하기 위한 탈이온수를 수용하는 제 2 수조와, 제 2 수조에서 세정된 웨이퍼를 담궈 처리하기 위한 알칼리세정용액을 수용하는 제 3 수조와, 알칼리세정용액을 혼합하여 제 2 수조에 공급하는 혼합 탱크와, 제 2 수조에서 처리된 웨이퍼를 린스하기 위한 탈이온수를 수용하는 제 4 수조와, 제 4 수조에서 세정된 웨이퍼를 건조하기 위한 건조기를 포함하며, 제 1 수조, 제 2 수조, 제 3 수조, 제 4 수조 및 건조기는 일괄처리 라인으로 구성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면 하나의 설비에 서로 다른 두가지 케미컬을 수용하는 수조를 구비함으로써 설비의 이동에 의한 공정시간의 지연을 막을 수 있다. 또한, 심하게 오염될 수 있는 케미컬은 순환 라인이 구비된 수조에 수용하여 케미컬의 일부를 순환시켜 정화하여 케미컬을 교체하기 위한 대기시간을 줄일 수 있고, 케미컬 교체 주기도 연장할 수 있다.The cleaning apparatus according to the present invention includes a first bath containing a sulfuric acid cleaning solution for immersing and processing a wafer, a circulation path for circulating and purifying a portion of the sulfuric acid cleaning solution and supplying it back to the first water tank, and processing in the first tank. A second tank containing deionized water for rinsing the used wafers, a third bath containing an alkaline cleaning solution for immersing and treating the wafer cleaned in the second bath, and an alkaline cleaning solution are supplied to the second bath. A mixing tank, a fourth tank containing deionized water for rinsing the wafer processed in the second tank, and a dryer for drying the wafer cleaned in the fourth tank, the first tank, the second tank, The third tank, the fourth tank and the dryer are characterized in that the batch processing line. According to the present invention, it is possible to prevent the delay of the process time due to the movement of the facility by having a water tank for receiving two different chemicals in one facility. In addition, the highly contaminated chemical may be accommodated in a water tank equipped with a circulation line to circulate and purify a portion of the chemical to reduce the waiting time for chemical replacement, and to extend the chemical replacement cycle.

황산세정, 알칼리세정, 수조, 케미컬Sulfuric acid washing, alkali washing, water tank, chemical

Description

웨이퍼 세정 설비 및 이를 이용한 금속 잔유물 제거방법{Equipment for Cleaning Wafers and Method of Removing Metallic Residue}Equipment for Cleaning Wafers and Method of Removing Metallic Residue}

도 1은 종래의 웨이퍼 세정 설비를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of a conventional wafer cleaning facility.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 설비를 개략적으로 나타낸 도면이다.2 is a schematic view of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 세정 설비의 ARP 수조를 나타낸 도면이다.Figure 3 is a view showing the ARP tank of the cleaning equipment according to the present invention.

도 4은 본 발명에 따른 금속 잔유물 제거 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a method for removing metal residues according to the present invention.

<도면의 주요 부호에 대한 설명><Description of Major Symbols in Drawing>

50: 로더 52: 제 1 수조50: loader 52: first tank

54: 제 2 수조 56: 제 3 수조54: 2nd tank 56: 3rd tank

58: 제 4 수조 60: 건조기58: fourth tank 60: dryer

62: 언로더 70: 이송 아암62: unloader 70: transfer arm

본 발명은 반도체 소자 제조 설비 및 제조 공정에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 웨이퍼 세정 설비 및 이를 이용한 금속 잔유물 제거방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing facility and a manufacturing process, and more particularly to a wafer cleaning facility and a method for removing metal residues using the same.

일반적으로, 반도체 소자의 제조 공정에서, 처리되는 반도체 웨이퍼의 표면 에 부착된 유기물 또는 무기물 등의 피막이나 파티클 등의 불순물을 제거하기 위하여, 세정 장치가 사용되고 있다.Generally, in the manufacturing process of a semiconductor element, the washing | cleaning apparatus is used in order to remove impurities, such as a film | membrane and particle | grains, such as an organic substance or inorganic substance adhering to the surface of the semiconductor wafer to be processed.

도 1은 종래의 웨이퍼 세정 설비를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of a conventional wafer cleaning facility.

도 1을 참조하면, 종래의 웨이퍼 세정 설비는 웨이퍼 표면에 부착된 피막이나 파티클 등의 불순물을 화학적으로 처리하기 위한 케미컬을 수용하는 제 1 수조(12)와, 케미컬에 담궈 화학적으로 처리된 웨이퍼를 린스하기 위한 고온탈이온수를 수용하는 제 2 수조(14)와 상온탈이온수를 수용하는 제 3 수조(16)와, 세정된 웨이퍼를 건조하기 위한 건조기(18)를 포함한다. 이 설비는 웨이퍼 캐리어가 놓여지는 로더(10)와 로더(10)로부터 웨이퍼를 각 수조 및 건조기에 순차적으로 운반하는 이송아암(30)과 세정 공정이 완료된 웨이퍼 캐리어가 놓여지는 언로더(20)을 포함하는 일괄처리라인으로 구성된다. 종래에는 하나의 설비에서 한가지 화학적 세정 공정이 실시되고, 추가적인 세정공정은 별도로 설치된 다른 설비에서 실시되었다.Referring to FIG. 1, a conventional wafer cleaning apparatus includes a first bath 12 containing chemicals for chemically treating impurities such as a film or particles attached to a wafer surface, and a wafer chemically treated by dipping in a chemical. A second water tank 14 containing hot deionized water for rinsing, a third water tank 16 containing normal temperature deionized water and a dryer 18 for drying the cleaned wafer. The equipment includes a loader 10 on which a wafer carrier is placed and a transfer arm 30 which sequentially transfers wafers from the loader 10 to each tank and dryer, and an unloader 20 on which a wafer carrier having been cleaned is placed. It consists of a batch processing line. Conventionally, one chemical cleaning process is carried out in one facility, and an additional cleaning process is carried out in another facility installed separately.

예컨대, 코발트 실리사이드 형성공정에서 잔류된 금속을 제거하는 공정은 황산세정용액(SPM; Sulfuric Peroxide Mix)에 사용한 금속 잔유물 제거와, 알칼리 세정용액을 사용한 유기물 및 파티클 제거공정으로 구성된다. 황산세정용액을 사용한 금속 잔유물 제거에 상기 종래의 세정 설비가 사용되고, 알칼리 세정용액을 사용한 유기물 및 파티클 제거공정은 하나의 수조에서 화학적 처리와 린스를 처리할 수 있는 APR 방식의 수조에서 실시된다.For example, the process of removing the metal remaining in the cobalt silicide forming process includes removing metal residues used in a sulfuric acid cleaning solution (SPM), and removing organic materials and particles using an alkaline cleaning solution. The conventional cleaning equipment is used to remove the metal residues using the sulfuric acid cleaning solution, and the organic and particle removing process using the alkaline cleaning solution is performed in an APR tank that can process chemical treatment and rinse in one tank.

상기 종래의 세정 설비는 일정 수의 웨이퍼를 처리한 후에는 제 1 수조에 수용된 케미컬을 교체하여야 한다. 웨이퍼는 단시간에 세정됨에 비해 케미컬을 교체 하는 이 과정은 장시간이 소요되어 일반적으로 배치(batch) 당 약 85분정도의 세정 시간이 소요된다. 또한, 황산세정과 알칼리 세정 등 두가지 세정을 실시하여야 하는 경우에 두가지 공정을 연속적으로 실시할 수 없고 다른 세정 설비를 사용하여야 하는 문제가 있다. The conventional cleaning facility must replace the chemical contained in the first bath after processing a certain number of wafers. This process of chemical replacement takes longer than wafers being cleaned in a short amount of time, typically about 85 minutes per batch. In addition, when two cleaning processes, such as sulfuric acid cleaning and alkali cleaning, are to be performed, there is a problem in that the two processes cannot be performed continuously and other cleaning equipment must be used.

본 발명의 목적은 세정 시간을 단축할 수 있는 세정 설비를 제공하기 위한 것이다.It is an object of the present invention to provide a cleaning facility which can shorten the cleaning time.

본 발명의 다른 목적은 세정 시간을 단축할 수 있는 금속 잔유물 제거 공정을 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a metal residue removal process that can shorten the cleaning time.

본 발명에 따른 세정 설비는 웨이퍼를 담궈 처리하기 위한 황산세정용액을 수용하는 제 1 수조와, 황산세정용액의 일부를 순환시켜 정화하여 다시 제 1 수조로 공급하는 순환 경로와, 제 1 수조에서 처리된 웨이퍼를 린스하기 위한 탈이온수를 수용하는 제 2 수조와, 제 2 수조에서 세정된 웨이퍼를 담궈 처리하기 위한 알칼리세정용액을 수용하는 제 3 수조와, 알칼리세정용액을 혼합하여 제 2 수조에 공급하는 혼합 탱크와, 제 2 수조에서 처리된 웨이퍼를 린스하기 위한 탈이온수를 수용하는 제 4 수조와, 제 4 수조에서 세정된 웨이퍼를 건조하기 위한 건조기를 포함하며, 제 1 수조, 제 2 수조, 제 3 수조, 제 4 수조 및 건조기는 일괄처리 라인으로 구성된 것을 특징으로 한다.The cleaning apparatus according to the present invention includes a first bath containing a sulfuric acid cleaning solution for immersing and processing a wafer, a circulation path for circulating and purifying a portion of the sulfuric acid cleaning solution and supplying it back to the first water tank, and processing in the first tank. A second tank containing deionized water for rinsing the used wafers, a third bath containing an alkaline cleaning solution for immersing and treating the wafer cleaned in the second bath, and an alkaline cleaning solution are supplied to the second bath. A mixing tank, a fourth tank containing deionized water for rinsing the wafer processed in the second tank, and a dryer for drying the wafer cleaned in the fourth tank, the first tank, the second tank, The third tank, the fourth tank and the dryer are characterized in that the batch processing line.

제 2 수조에 알칼리세정용액을 공급하는 혼합 탱크는 알칼리 세정용액의 일 부를 순환시켜 정화하여 다시 혼합 탱크로 공급하는 순환 경로를 더 포함하고, 혼합 용액의 유입량을 측정하여 혼합비를 조절하고, 혼합용액의 온도를 소정 레벨로 유지할 수 있다. 본 발명의 세정 설비에서, 제 1 수조는 고온탈이온수를 수용하고, 상기 제 2 수조는 상온탈이온수를 수용할 수 있다.The mixing tank for supplying the alkaline washing solution to the second water tank further includes a circulation path for circulating and purifying a portion of the alkaline washing solution and supplying it to the mixing tank again, by measuring the flow rate of the mixed solution to adjust the mixing ratio, and the mixed solution. The temperature of can be maintained at a predetermined level. In the washing facility of the present invention, the first water tank may contain high temperature deionized water, and the second water tank may contain normal temperature deionized water.

구현예Embodiment

이하 도면을 참조로 본 발명의 구현예에 대해 설명한다.Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 설비를 개략적으로 나타낸 도면이다.2 is a schematic view of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.

도 2를 참조하면 본 발명에 따른 세정 설비는 웨이퍼 표면에 부착된 피막을 화학적으로 처리하기 위한 케미컬을 수용하는 제 1 수조(52)와, 케미컬에 담궈 화학적으로 처리된 웨이퍼를 린스하기 위한 고온탈이온수를 수용하는 제 2 수조(54)와, 유기물 또는 파티클 등의 오염물을 세정하기 위한 케미컬을 수용하는 제 3 수조(56)와, 상온탈이온수를 수용하는 제 4 수조(58)와, 세정된 웨이퍼를 건조하기 위한 건조기(60)를 포함한다. 이 설비는 웨이퍼 캐리어가 놓여지는 로더(50)와 로더(50)로부터 웨이퍼를 각 수조 및 건조기에 순차적으로 운반하는 이송아암(70)과 세정 공정이 완료된 웨이퍼 캐리어가 놓여지는 언로더(62)을 포함하는 일괄처리라인으로 구성된다.Referring to FIG. 2, the cleaning apparatus according to the present invention includes a first bath 52 containing a chemical for chemically treating a film attached to a wafer surface, and a high temperature desorption for rinsing a chemically treated wafer in chemical. A second water tank 54 containing ionized water, a third water tank 56 containing chemicals for cleaning contaminants such as organic matter or particles, a fourth water tank 58 containing normal temperature deionized water, and washed A dryer 60 for drying the wafer. This equipment includes a loader 50 on which a wafer carrier is placed and a transfer arm 70 which sequentially transfers wafers from the loader 50 to respective tanks and dryers, and an unloader 62 on which a wafer carrier having been cleaned is placed. It consists of a batch processing line.

제 1 수조(52)는 수용된 케미컬의 일부를 순환시켜 정화하여 다시 제 1 수조(52)로 공급하는 순환 경로를 포함한다. 이 순환 경로에는 케미컬에 처리된 금속 잔유물을 필터링하고 케미컬을 정화할 수 있는 필터(64)와, 케미컬의 온도를 유지하기 위한 히터(66)와, 케미컬의 흐름을 제어하기 위한 순환펌프(68)가 설치되어 있다.The first water tank 52 includes a circulation path for circulating and purifying a portion of the contained chemicals and supplying the water to the first water tank 52 again. The circulation path includes a filter 64 capable of filtering and purifying the metal residues treated in the chemical, a heater 66 for maintaining the temperature of the chemical, and a circulation pump 68 for controlling the flow of the chemical. Is installed.

살리사이드(Salicide) 형성공정에서 실리사이드화되지 않은 금속 잔유물을 제거하는데 본 발명에 따른 세정 설비가 사용될 수 있다. 이 때, 상기 제 1 수조(52)에는 금속 잔유물을 제거하기 위한 황산세정용액이 수용될 수 있고, 상기 제 3 수조(56)에는 유기물 및 파티클 등을 제거하기 위한 알칼리세정용액이 수용될 수 있다. 종래에는 배치 단위로 웨이퍼를 처리한 이후에 오염된 황산세정용액을 교체하는데 많은 시간이 소모되었다. 그러나, 본 발명에 따른 세정 설비는 제 1 수조에 순환 라인이 구비되어 있기 때문에 웨이퍼를 황산세정용액에 담궈 세정하는 동안에도 황산세정용액을 정화할 수 있다. 따라서, 황산세정용액의 교체주기가 길어지고, 공정 시간을 배치당 55분 이하로 줄일 수 있다.The cleaning apparatus according to the present invention can be used to remove unsilicided metal residues in a salicide forming process. In this case, a sulfuric acid cleaning solution for removing metal residues may be accommodated in the first water tank 52, and an alkaline cleaning solution for removing organic matter and particles may be accommodated in the third water tank 56. . In the past, a lot of time was spent replacing the contaminated sulfuric acid cleaning solution after treating the wafer in batch units. However, in the cleaning apparatus according to the present invention, since the circulation line is provided in the first water tank, the sulfuric acid cleaning solution can be purified even while the wafer is immersed in the sulfuric acid cleaning solution. Therefore, the replacement cycle of the sulfuric acid cleaning solution is long, and the process time can be reduced to 55 minutes or less per batch.

상기 제 3 수조(56)은 혼합용액의 농도 및 온도를 조절할 수 있는 ARP 수조일 수 있다.The third tank 56 may be an ARP tank that can adjust the concentration and temperature of the mixed solution.

도 3은 본 발명에 따른 세정 설비의 ARP 수조를 나타낸 도면이다.Figure 3 is a view showing the ARP tank of the cleaning equipment according to the present invention.

도 3을 참조하면, ARP 수조는 용액들을 혼합하여 소정의 혼합비를 유지하는 혼합 탱크(82)와, 혼합 탱크(82) 내의 혼합용액의 일부를 순환시켜 정화하고, 일정한 온도로 유지하는 순환 경로를 포함한다. 이 순환 경로에는 혼합 용액을 소정의 온도로 유지하기 위한 히터(86), 혼합 용액을 정화하기 위한 필터(88)와, 혼합 용액의 흐름을 제어하는 순환 펌프(84)가 설치되어 있다. 혼합 탱크(82)는 혼합되는 용액의 유입량을 측정하여 그 유입량을 조절함으로써 혼합 용액의 혼합비를 유지할 수 있다. 금속 잔유물 제거공정에서 사용되는 알칼리 용액은 알칼리 용액과 과산화 수소 및 탈이온수를 일정 비율로 혼합하여 사용할 수 있다.Referring to FIG. 3, the ARP water tank includes a mixing tank 82 for mixing solutions to maintain a predetermined mixing ratio, and a circulation path for circulating and purifying a portion of the mixed solution in the mixing tank 82, and maintaining a constant temperature. Include. The circulation path is provided with a heater 86 for maintaining the mixed solution at a predetermined temperature, a filter 88 for purifying the mixed solution, and a circulation pump 84 for controlling the flow of the mixed solution. The mixing tank 82 may maintain the mixing ratio of the mixed solution by measuring the inflow amount of the solution to be mixed and adjusting the inflow amount. The alkaline solution used in the metal residue removal process may be used by mixing the alkaline solution with hydrogen peroxide and deionized water in a predetermined ratio.

도 4은 본 발명에 따른 금속 잔유물 제거 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a method for removing metal residues according to the present invention.

도 4를 참조하면, 금속 잔유물을 포함하는 웨이퍼를 황산세정용액에 담궈 처리한다(S1 단계). 이 동안에 황산세정용액의 일부를 순환라인을 통해 순환시키면서 정화하여 황산세정용액의 오염도를 낮출 수 있다. 따라서, 종래에 배치단위로 세정액을 교체한 것에 비해 복수의 배치를 처리한 이후에 황산세정용액을 교체할 수 있다.Referring to FIG. 4, the wafer containing the metal residue is immersed in a sulfuric acid cleaning solution and processed (step S1). In the meantime, a part of the sulfuric acid cleaning solution is circulated through the circulation line to purify the sulfuric acid cleaning solution. Therefore, the sulfuric acid cleaning solution can be replaced after treating a plurality of batches as compared with the conventional replacement of the cleaning solution by a batch unit.

황산세정용액에 처리된 웨이퍼를 탈이온수에 담궈 1차 린스한다(S2). 이 때 황산세정용액에 담궈 처리된 웨이퍼는 고온탈이온수(HQDR; Hot Quick Dump Rinse)에 담궈 린스할 수 있다. 1차 린스된 웨이퍼를 알칼리세정용액에 담궈 처리한다(S3). 종래에는 하나의 설비에서 한가지 세정이 이루어지기 때문에, 황산세정용액으로 처리된 웨이퍼는 린스 후 건조하고, 다른 설비로 옮겨져 추가적인 케미컬된다. 그러나, 본 발명에 따르면 1차 린스된 웨이퍼를 알칼리세정용액에 담궈 처리할 수 있다. 알칼리세정용액에 담궈 처리된 웨이퍼를 탈이온수에 담궈 2차 린스한다(S4). 이 때에는 상온탈이온수(QDR; Quick Dump Rinse)에 담궈 린스할 수 있다. 탈이온수에서 2차 린스된 웨이퍼는 건조기에서 건조된다(S5). 이 때 사용되는 건조기는 스핀 드라이어가 사용될 수 있다.The wafer treated with sulfuric acid cleaning solution is first rinsed in deionized water (S2). At this time, the wafer treated by dipping in sulfuric acid cleaning solution may be rinsed by soaking in hot deionized water (HQDR; Hot Quick Dump Rinse). The first rinsed wafer is treated by dipping in an alkaline cleaning solution (S3). Conventionally, since one cleaning is performed in one facility, the wafer treated with sulfuric acid cleaning solution is rinsed and dried, transferred to another facility, and further chemically processed. However, according to the present invention, the first rinsed wafer can be treated by soaking in an alkaline cleaning solution. The wafer soaked in alkaline cleaning solution is immersed in deionized water and then rinsed secondary (S4). At this time, it can be rinsed by soaking in Quick Dump Rinse (QDR). The wafer rinsed second in deionized water is dried in a dryer (S5). At this time, the dryer used may be a spin dryer.

지금까지 본 발명의 구체적인 구현예를 도면을 참조로 설명하였지만 이것은 본 발명이 속하는 기술분야에서 평균적 지식을 가진 자가 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것이고 발명의 기술적 범위를 제한하기 위한 것이 아니다. 따라서 본 발명의 기술적 범위는 특허청구범위에 기재된 사항에 의하여 정하여지며, 도면을 참조로 설명한 구현예는 본 발명의 기술적 사상과 범위 내에서 얼마든지 변형하거나 수정할 수 있다.Although specific embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings, this is intended to be easily understood by those skilled in the art and is not intended to limit the technical scope of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention is determined by the matters described in the claims, and the embodiments described with reference to the drawings may be modified or modified as much as possible within the technical spirit and scope of the present invention.

본 발명에 따르면 하나의 설비에 서로 다른 두가지 케미컬을 수용하는 수조를 구비함으로써 설비의 이동에 의한 공정시간의 지연을 막을 수 있다. 또한, 심하게 오염될 수 있는 케미컬은 순환 라인이 구비된 수조에 수용하여 케미컬의 일부를 순환시켜 정화하여 케미컬을 교체하기 위한 대기시간을 줄일 수 있고, 케미컬 교체 주기도 연장할 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent the delay of the process time due to the movement of the facility by having a water tank for receiving two different chemicals in one facility. In addition, the highly contaminated chemical may be accommodated in a water tank equipped with a circulation line to circulate and purify a portion of the chemical to reduce the waiting time for chemical replacement, and to extend the chemical replacement cycle.

Claims (5)

웨이퍼를 담궈 처리하기 위한 황산세정용액을 수용하는 제 1 수조와,A first bath containing a sulfuric acid cleaning solution for dipping and processing a wafer; 상기 황산세정용액의 일부를 순환시켜 정화하여 다시 제 1 수조로 공급하는 순환 경로와,A circulation path for circulating and purifying a part of the sulfuric acid washing solution and supplying it to the first water tank; 상기 제 1 수조에서 처리된 웨이퍼를 린스하기 위한 탈이온수를 수용하는 제 2 수조와,A second tank containing deionized water for rinsing the wafer processed in the first tank, 상기 제 2 수조에서 세정된 웨이퍼를 담궈 처리하기 위한 알칼리세정용액을 수용하는 제 3 수조와,A third tank containing an alkaline cleaning solution for immersing and treating the wafer cleaned in the second tank; 상기 알칼리세정용액을 혼합하여 제 2 수조에 공급하는 혼합 탱크와,A mixing tank for mixing the alkaline cleaning solution and supplying it to a second water tank; 상기 제 2 수조에서 처리된 웨이퍼를 린스하기 위한 탈이온수를 수용하는 제 4 수조와,A fourth tank containing deionized water for rinsing the wafer processed in the second tank, 제 4 수조에서 세정된 웨이퍼를 건조하기 위한 건조기를 포함하되,A dryer for drying the cleaned wafer in the fourth bath, 상기 제 1 수조, 제 2 수조, 제 3 수조, 제 4 수조 및 건조기는 일괄처리 라인으로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 설비.The first tank, the second tank, the third tank, the fourth tank and the dryer are configured as a batch processing line. 제1항에서,In claim 1, 상기 혼합 탱크는,The mixing tank, 알칼리 세정용액의 일부를 순환시켜 정화하여 다시 혼합 탱크로 공급하는 순환 경로를 더 포함하고,It further comprises a circulation path for circulating a part of the alkaline cleaning solution to purify the supply to the mixing tank, 혼합 용액의 유입량을 측정하여 혼합비를 조절하고, 혼합용액의 온도를 소정 레벨로 유지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정설비.Wafer cleaning equipment, characterized in that for controlling the mixing ratio by measuring the flow rate of the mixed solution, maintaining the temperature of the mixed solution at a predetermined level. 제1항에서,In claim 1, 상기 제 1 수조는 고온탈이온수를 수용하고,The first tank accommodates high temperature deionized water, 상기 제 2 수조는 상온탈이온수를 수용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정설비.The second bath is a wafer cleaning equipment, characterized in that receiving the normal temperature deionized water. 금속 잔유물을 포함하는 웨이퍼를 황산세정용액에 담궈 처리하는 단계와,Immersing and treating a wafer containing a metal residue in a sulfuric acid cleaning solution; 상기 황산세정용액에 처리된 웨이퍼를 탈이온수에 담궈 1차 린스하는 단계와,First rinsing the wafer treated with sulfuric acid cleaning solution in deionized water; 상기 1차 린스된 웨이퍼를 알칼리세정용액에 담궈 처리하는 단계와,Dipping the primary rinsed wafer in an alkaline cleaning solution for treatment; 상기 알칼리세정용액에 담궈 처리된 웨이퍼를 탈이온수에 담궈 2차 린스하는 단계와,Immersing the treated wafer in an alkaline cleaning solution in deionized water and rinsing it secondly; 상기 2차 린스된 웨이퍼를 건조기에서 건조하는 단계를 포함하되,Drying the secondary rinsed wafer in a dryer; 웨이퍼가 처리되는 동안 상기 황산세정용액의 일부분을 순환라인을 통해 순환시켜 정화하는 것을 특징으로 하는 금속 잔유물 제거방법.And removing a portion of the sulfuric acid cleaning solution by circulation through a circulation line while the wafer is being processed. 제4항에서,In claim 4, 상기 1차 린스단계는 고온 탈이온수를 사용하고,The first rinse step uses high temperature deionized water, 상기 2차 린스단계는 상온탈이온수를 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 잔유물 제거방법.The second rinsing step is a method for removing metal residues, characterized in that using the normal temperature deionized water.
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