JP2000028804A - 反射防止積層体およびその製造方法 - Google Patents
反射防止積層体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】十分な反射防止効果を有し、さらに電磁波シー
ルド効果を有する反射防止膜を提供する。 【解決手段】導電性を有するセラミック薄膜層を少なく
とも１層含み、高屈折率材料の層と低屈折率材料の層を
交互に４層以上積層した反射防止膜を具備する反射防止
積層体であって、前記反射防止積層体の基材側から数え
て第１の高屈折率材料の層は屈折率の異なる２層からな
ることを特徴とする反射防止積層体。
ルド効果を有する反射防止膜を提供する。 【解決手段】導電性を有するセラミック薄膜層を少なく
とも１層含み、高屈折率材料の層と低屈折率材料の層を
交互に４層以上積層した反射防止膜を具備する反射防止
積層体であって、前記反射防止積層体の基材側から数え
て第１の高屈折率材料の層は屈折率の異なる２層からな
ることを特徴とする反射防止積層体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁波シールド効
果を有する反射防止積層体に関するものである。
果を有する反射防止積層体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、テレビのブラウン管などでは、表
面の反射を防止する手段および電磁波を遮蔽するための
手段として、多層膜を真空蒸着法などによりコーティン
グしている。さらに液晶画面においてはそれらの表面に
凹凸を設けることで、乱反射させている。
面の反射を防止する手段および電磁波を遮蔽するための
手段として、多層膜を真空蒸着法などによりコーティン
グしている。さらに液晶画面においてはそれらの表面に
凹凸を設けることで、乱反射させている。
【０００３】透明であり、かつ導電性を有する層を反射
防止積層体に施した例は特開平５−３２３１０１号公報
に開示されているような酸化インジウムや酸化スズをベ
ースとしたものが知られており、また特開昭６４−８０
９０４号公報に開示されているような非常に薄い金属膜
を利用しているものが知られている。
防止積層体に施した例は特開平５−３２３１０１号公報
に開示されているような酸化インジウムや酸化スズをベ
ースとしたものが知られており、また特開昭６４−８０
９０４号公報に開示されているような非常に薄い金属膜
を利用しているものが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
は、導電性を有するセラミック薄膜層として用いられる
酸化インジウムや酸化スズの屈折率が２．０程度であ
り、積層数が少ないと十分な反射防止効果が得られない
という問題があった。
は、導電性を有するセラミック薄膜層として用いられる
酸化インジウムや酸化スズの屈折率が２．０程度であ
り、積層数が少ないと十分な反射防止効果が得られない
という問題があった。
【０００５】また、電磁波シールドとして用いるには導
電性を有するセラミック薄膜層のシート抵抗を低くおさ
える必要があり、従来の帯電防止材料以上に低抵抗化が
要求される。さらに、導電性を有するセラミック薄膜層
を低抵抗にすればするほど電磁波シールド効果は高くな
る。
電性を有するセラミック薄膜層のシート抵抗を低くおさ
える必要があり、従来の帯電防止材料以上に低抵抗化が
要求される。さらに、導電性を有するセラミック薄膜層
を低抵抗にすればするほど電磁波シールド効果は高くな
る。
【０００６】反射防止効果を向上させるために、各高屈
折率層あるいは各低屈折率層で異なる材料を用いたり、
同一の材料であっても膜の吸収を変えることにより、膜
の屈折率を変更したりしている。
折率層あるいは各低屈折率層で異なる材料を用いたり、
同一の材料であっても膜の吸収を変えることにより、膜
の屈折率を変更したりしている。
【０００７】しかし、多くの材料を用いると工程が複雑
になる。また、導電性を有するセラミック薄膜層の場
合、膜の屈折率を変更することにより、膜の抵抗値が変
化してしまうため、要求される抵抗値によっては仕様を
満たせない場合もある。
になる。また、導電性を有するセラミック薄膜層の場
合、膜の屈折率を変更することにより、膜の抵抗値が変
化してしまうため、要求される抵抗値によっては仕様を
満たせない場合もある。
【０００８】本発明の課題は、上記問題点を解決し、十
分な反射防止効果を有し、さらに電磁波シールド効果を
有する反射防止積層体を提供することにある。
分な反射防止効果を有し、さらに電磁波シールド効果を
有する反射防止積層体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】係る課題を解決するた
め、請求項１記載の発明は、導電性を有するセラミック
薄膜層を少なくとも１層含み、高屈折率材料の層と低屈
折率材料の層を交互に４層以上積層した反射防止膜を具
備する反射防止積層体であって、前記反射防止積層体の
基材側から数えて第１の高屈折率材料の層は屈折率の異
なる２層からなることを特徴とする反射防止積層体、と
したものである。
め、請求項１記載の発明は、導電性を有するセラミック
薄膜層を少なくとも１層含み、高屈折率材料の層と低屈
折率材料の層を交互に４層以上積層した反射防止膜を具
備する反射防止積層体であって、前記反射防止積層体の
基材側から数えて第１の高屈折率材料の層は屈折率の異
なる２層からなることを特徴とする反射防止積層体、と
したものである。
【００１０】本発明の反射防止積層体によれば、従来の
誘電体のみで構成された反射防止積層体には付与されて
いなかった、導電性を付与することができる。さらに、
材料上の膜の層数と比べ、光学的な膜の層数が１層多く
なるため、光学的な膜厚の設計の自由度が上がる。
誘電体のみで構成された反射防止積層体には付与されて
いなかった、導電性を付与することができる。さらに、
材料上の膜の層数と比べ、光学的な膜の層数が１層多く
なるため、光学的な膜厚の設計の自由度が上がる。
【００１１】請求項２記載の発明は、反射防止積層体の
基材側から数えて第１の高屈折率材料の層中の２層の屈
折率を基材側からｎ11，ｎ12、その他の高屈折率材料の
層の屈折率をｎ2 、低屈折率材料の層の屈折率をｎ3 と
したとき、ｎ3 ＜ｎ12≒ｎ2＜ｎ11あるいはｎ3 ＜ｎ11
≒ｎ2 ＜ｎ12であることを特徴とする請求項１記載の反
射防止積層体、としたものである。
基材側から数えて第１の高屈折率材料の層中の２層の屈
折率を基材側からｎ11，ｎ12、その他の高屈折率材料の
層の屈折率をｎ2 、低屈折率材料の層の屈折率をｎ3 と
したとき、ｎ3 ＜ｎ12≒ｎ2＜ｎ11あるいはｎ3 ＜ｎ11
≒ｎ2 ＜ｎ12であることを特徴とする請求項１記載の反
射防止積層体、としたものである。
【００１２】最も基材側の高屈折率層の屈折率ｎ11をそ
の他の高屈折率層ｎ2 よりも高くすると各層との干渉に
より、反射防止効果の及ぶ波長範囲を広げることができ
る。
の他の高屈折率層ｎ2 よりも高くすると各層との干渉に
より、反射防止効果の及ぶ波長範囲を広げることができ
る。
【００１３】請求項３記載の発明は、反射防止積層体の
基材側から数えて第１の高屈折率材料の層が導電性を有
するセラミック薄膜層であることを特徴とする請求項１
または２記載の反射防止積層体、としたものである。
基材側から数えて第１の高屈折率材料の層が導電性を有
するセラミック薄膜層であることを特徴とする請求項１
または２記載の反射防止積層体、としたものである。
【００１４】一般に、酸化インジウムや酸化スズなどの
導電性を有するセラミック薄膜は、高屈折率材料として
用いられるが、高い屈折率を追求すると導電性が低くな
り、導電性を追求すると屈折率が低くなる。ここで、反
射防止積層体の基材から数えて第１の高屈折率材料の層
に、導電性を有する高屈折率層／中間屈折率層として用
いることにより、同一の材料で高屈折率と導電性という
相反する特性が生かせる。
導電性を有するセラミック薄膜は、高屈折率材料として
用いられるが、高い屈折率を追求すると導電性が低くな
り、導電性を追求すると屈折率が低くなる。ここで、反
射防止積層体の基材から数えて第１の高屈折率材料の層
に、導電性を有する高屈折率層／中間屈折率層として用
いることにより、同一の材料で高屈折率と導電性という
相反する特性が生かせる。
【００１５】請求項４記載の発明は、導電性を有するセ
ラミック薄膜層が、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化ス
ズのいずれか、または、それらの２種類もしくは３種類
の複合酸化物を主成分としていることを特徴とする請求
項１、２または３記載の反射防止積層体、としたもので
ある。
ラミック薄膜層が、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化ス
ズのいずれか、または、それらの２種類もしくは３種類
の複合酸化物を主成分としていることを特徴とする請求
項１、２または３記載の反射防止積層体、としたもので
ある。
【００１６】請求項５記載の発明は、基材がプラスチッ
クフィルムであることを特徴とする請求項１から４のい
ずれかに記載の反射防止積層体、としたものである。
クフィルムであることを特徴とする請求項１から４のい
ずれかに記載の反射防止積層体、としたものである。
【００１７】プラスチック上に作製されていることで、
柔軟性を上げることができ、二次曲面への貼り付けが可
能となった。
柔軟性を上げることができ、二次曲面への貼り付けが可
能となった。
【００１８】請求項６記載の発明は、基材と反射防止膜
の間にハードコート層が形成されていることを特徴とす
る請求項１から５のいずれかに記載の反射防止積層体、
としたものである。
の間にハードコート層が形成されていることを特徴とす
る請求項１から５のいずれかに記載の反射防止積層体、
としたものである。
【００１９】このことにより、硬い反射防止膜と柔軟性
をもつ基材との緩衝作用をこのハードコート層が果たす
ことができ、同時に密着性の向上も果たすことができ
る。
をもつ基材との緩衝作用をこのハードコート層が果たす
ことができ、同時に密着性の向上も果たすことができ
る。
【００２０】請求項７記載の発明は、基材とは反対側の
面に防汚層が形成されていることを特徴とする請求項１
から６のいずれかに記載の反射防止積層体、としたもの
である。
面に防汚層が形成されていることを特徴とする請求項１
から６のいずれかに記載の反射防止積層体、としたもの
である。
【００２１】これにより防汚効果も具備される。
【００２２】請求項８記載の発明は、反射防止積層体の
基材側から数えて第１の高屈折率材料の層中の屈折率の
異なる２層を真空成膜法で成膜・積層する際、成膜室中
の酸素分圧を変化させることで屈折率を制御・変化させ
ることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の
反射防止積層体の製造方法、としたものである。
基材側から数えて第１の高屈折率材料の層中の屈折率の
異なる２層を真空成膜法で成膜・積層する際、成膜室中
の酸素分圧を変化させることで屈折率を制御・変化させ
ることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の
反射防止積層体の製造方法、としたものである。
【００２３】酸化インジウムや酸化スズなどの導電性を
有するセラミック薄膜は、成膜の際の条件を変化させる
ことにより、屈折率や吸収を変化させることができる。
このことを利用して、成膜時の酸素分圧を制御すること
により、容易に膜の屈折率を変化させることができる。
有するセラミック薄膜は、成膜の際の条件を変化させる
ことにより、屈折率や吸収を変化させることができる。
このことを利用して、成膜時の酸素分圧を制御すること
により、容易に膜の屈折率を変化させることができる。
【００２４】請求項９記載の発明は、反射防止積層体の
基材側から数えて第１の高屈折率材料の層の屈折率の異
なる２層を、複数の成膜装置を用い、インラインの１回
の工程で同時に成膜することを特徴とする請求項１から
８のいずれかに記載の反射防止積層体の製造方法、とし
たものである。
基材側から数えて第１の高屈折率材料の層の屈折率の異
なる２層を、複数の成膜装置を用い、インラインの１回
の工程で同時に成膜することを特徴とする請求項１から
８のいずれかに記載の反射防止積層体の製造方法、とし
たものである。
【００２５】低反射積層体の基材側から数えて第１の高
屈折率材料の層の屈折率の異なる２層について、インラ
インの複数の連続した成膜装置を膜厚構成に応じた成膜
レートに合わせた２グループに分けることにより、１回
ラインを通すことにより、同時に成膜することができ
る。これは、同じ材料を用いているため、真空成膜の場
合でも排気能力がある程度以上あれば、成膜室がはっき
りと分かれている必要が無い。
屈折率材料の層の屈折率の異なる２層について、インラ
インの複数の連続した成膜装置を膜厚構成に応じた成膜
レートに合わせた２グループに分けることにより、１回
ラインを通すことにより、同時に成膜することができ
る。これは、同じ材料を用いているため、真空成膜の場
合でも排気能力がある程度以上あれば、成膜室がはっき
りと分かれている必要が無い。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて詳細に説明する。
用いて詳細に説明する。
【００２７】図１は本発明の反射防止積層体の構成の一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【００２８】図中の１は反射防止積層体であり、基材２
上に反射防止膜３が順次積層される。反射防止膜３は、
材料の同じ高屈折率層４、中間屈折率層５、他の高屈折
率材料よりなる中間屈折率層７、および低屈折率層６、
８からなる主にセラミック薄膜層である。ここで、４が
中間屈折率層、５が高屈折率層であっても良い。そし
て、その中の少なくとも１層は導電性を有するセラミッ
ク薄膜層である。
上に反射防止膜３が順次積層される。反射防止膜３は、
材料の同じ高屈折率層４、中間屈折率層５、他の高屈折
率材料よりなる中間屈折率層７、および低屈折率層６、
８からなる主にセラミック薄膜層である。ここで、４が
中間屈折率層、５が高屈折率層であっても良い。そし
て、その中の少なくとも１層は導電性を有するセラミッ
ク薄膜層である。
【００２９】基材２は、十分な透明性を有することが必
要であり、さらにある程度の表面の平滑性を有していれ
ばよく、特に限定される物ではなく、例えば、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、
ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポ
リオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レンナフタレート、トリアセチルセルロース等の高分子
フィルムが挙げられる。ガラスであっても特に問題とな
るものではない。
要であり、さらにある程度の表面の平滑性を有していれ
ばよく、特に限定される物ではなく、例えば、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、
ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポ
リオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レンナフタレート、トリアセチルセルロース等の高分子
フィルムが挙げられる。ガラスであっても特に問題とな
るものではない。
【００３０】本発明において、セラミック薄膜とは無機
化合物薄膜であって、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化
物などからなる薄膜をいう。本発明の反射防止積層体は
屈折率の異なるセラミックを交互に特定の膜厚で複数層
積層することにより反射防止積層体を作製でき、それら
の材料として、低屈折率層６、８としては、酸化マグネ
シウム（屈折率ｎ＝１．６）、二酸化珪素（ｎ＝１．
５）、フッ化マグネシウム（ｎ＝１．４）、フッ化カル
シウム（ｎ＝１．３〜１．４）、フッ化セリウム（ｎ＝
１．６）、フッ化アルミニウム（ｎ＝１．３）、酸化ア
ルミニウム（ｎ＝１．６）などが挙げられる。また、高
屈折率層あるいは中間屈折率層４、５、７の材料として
は、二酸化チタン（ｎ＝２．４）、二酸化ジルコニウム
（ｎ＝２．０）、硫化亜鉛（ｎ＝２．３）、酸化タンタ
ル（ｎ＝２．１）、酸化亜鉛（ｎ＝２．１）、酸化イン
ジウム（ｎ＝２．０）などが挙げられる。
化合物薄膜であって、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化
物などからなる薄膜をいう。本発明の反射防止積層体は
屈折率の異なるセラミックを交互に特定の膜厚で複数層
積層することにより反射防止積層体を作製でき、それら
の材料として、低屈折率層６、８としては、酸化マグネ
シウム（屈折率ｎ＝１．６）、二酸化珪素（ｎ＝１．
５）、フッ化マグネシウム（ｎ＝１．４）、フッ化カル
シウム（ｎ＝１．３〜１．４）、フッ化セリウム（ｎ＝
１．６）、フッ化アルミニウム（ｎ＝１．３）、酸化ア
ルミニウム（ｎ＝１．６）などが挙げられる。また、高
屈折率層あるいは中間屈折率層４、５、７の材料として
は、二酸化チタン（ｎ＝２．４）、二酸化ジルコニウム
（ｎ＝２．０）、硫化亜鉛（ｎ＝２．３）、酸化タンタ
ル（ｎ＝２．１）、酸化亜鉛（ｎ＝２．１）、酸化イン
ジウム（ｎ＝２．０）などが挙げられる。
【００３１】具体的に導電性を有するセラミック薄膜層
の例としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの
いずれか、または、それらの２種類もしくは３種類の混
合酸化物が挙げられるが、目的、用途によって、いかな
る導電性材料を用いても良い。
の例としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの
いずれか、または、それらの２種類もしくは３種類の混
合酸化物が挙げられるが、目的、用途によって、いかな
る導電性材料を用いても良い。
【００３２】本発明の反射防止積層体は、膜厚の制御が
可能であれば、いかなる成膜方法も用いることが可能で
ある。なかでも薄膜の生成には乾式法が優れており、こ
れには通常の真空蒸着法等の物理的気相析出法やＣＶＤ
法のような化学的気相析出法を用いることができる。
可能であれば、いかなる成膜方法も用いることが可能で
ある。なかでも薄膜の生成には乾式法が優れており、こ
れには通常の真空蒸着法等の物理的気相析出法やＣＶＤ
法のような化学的気相析出法を用いることができる。
【００３３】また、場合により図２のように防汚層１
０、ハードコート層９の何れか、もしくは両方を設けて
も良いが、これらの層は必ずしも必要ではなく、要求特
性により選択的に設ければ良い層である。この図２の実
施例は、図１の反射防止積層体にハードコート層９、防
汚層１０を加えたものである。
０、ハードコート層９の何れか、もしくは両方を設けて
も良いが、これらの層は必ずしも必要ではなく、要求特
性により選択的に設ければ良い層である。この図２の実
施例は、図１の反射防止積層体にハードコート層９、防
汚層１０を加えたものである。
【００３４】ハードコート層９は、いかなる材料でも良
いが、全体の透明度を阻害しない程度以上に透明である
ことが条件である。また、その屈折率は基材と同じであ
るかそれに近いことが望ましい。例えば紫外線硬化性の
アクリル等があげられる。また、膜厚は特に限定しない
が、３〜６μｍの厚さが望ましい。
いが、全体の透明度を阻害しない程度以上に透明である
ことが条件である。また、その屈折率は基材と同じであ
るかそれに近いことが望ましい。例えば紫外線硬化性の
アクリル等があげられる。また、膜厚は特に限定しない
が、３〜６μｍの厚さが望ましい。
【００３５】防汚層１０は、特に低反射機能に影響を与
えないものであれば、その成膜方法はいかなるものでも
よく、用途目的に応じて、種種の組成物から選択でき、
有機物、無機物のいずれでも良く、例えば、フロシラン
系のものが用いられるが、防汚性があればこれに限定さ
れるものではない。また、この防汚層を設ける処理とし
ては湿式法、乾式法のいずれも採用可能であるが、特に
ＣＶＤ等による乾式処理が目的に特に適合した処理であ
る。また、膜厚は特に限定しないが、光学的特性に影響
を与えないような５〜１５ｎｍの厚さが好ましい。
えないものであれば、その成膜方法はいかなるものでも
よく、用途目的に応じて、種種の組成物から選択でき、
有機物、無機物のいずれでも良く、例えば、フロシラン
系のものが用いられるが、防汚性があればこれに限定さ
れるものではない。また、この防汚層を設ける処理とし
ては湿式法、乾式法のいずれも採用可能であるが、特に
ＣＶＤ等による乾式処理が目的に特に適合した処理であ
る。また、膜厚は特に限定しないが、光学的特性に影響
を与えないような５〜１５ｎｍの厚さが好ましい。
【００３６】
【００３７】＜実施例１、比較例１＞基材２として、厚
さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥ
Ｔ）を使用し、反射防止膜３には基材側より、波長４５
０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける屈折率分散が２．２〜２．
０の酸化インジウムスズの高屈折率層４（光学膜厚約λ
／１６）（光学膜厚：屈折率ｎ×膜厚ｄ、設定波長：λ
＝５２０ｎｍ、以下同じ）、波長４５０ｎｍ〜６５０ｎ
ｍにおける屈折率分散が２．１〜１．９の酸化インジウ
ムスズの中間屈折率層５（光学膜厚約λ／１６）、二酸
化珪素の低屈折率層６（光学膜厚約λ／１６）、波長４
５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける屈折率分散が２．１〜
１．９の酸化インジウムスズの中間屈折率層７（光学膜
厚約λ／４）、二酸化珪素の低屈折率層８（光学膜厚約
λ／４）を真空成膜した。このとき、ライン中に２台の
スパッタ装置を備えた成膜機により、最も基材側の酸化
インジウムスズの高屈折率層４は酸素分圧１．６×１０
-2Ｐａ、より表面側の酸化インジウムスズ中間屈折率層
５、７は酸素分圧８．０×１０-3Ｐａに設定し、アルゴ
ンを導入しそれぞれ５．６×１０-1Ｐａとして、１回の
パスにより成膜した。
さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥ
Ｔ）を使用し、反射防止膜３には基材側より、波長４５
０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける屈折率分散が２．２〜２．
０の酸化インジウムスズの高屈折率層４（光学膜厚約λ
／１６）（光学膜厚：屈折率ｎ×膜厚ｄ、設定波長：λ
＝５２０ｎｍ、以下同じ）、波長４５０ｎｍ〜６５０ｎ
ｍにおける屈折率分散が２．１〜１．９の酸化インジウ
ムスズの中間屈折率層５（光学膜厚約λ／１６）、二酸
化珪素の低屈折率層６（光学膜厚約λ／１６）、波長４
５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける屈折率分散が２．１〜
１．９の酸化インジウムスズの中間屈折率層７（光学膜
厚約λ／４）、二酸化珪素の低屈折率層８（光学膜厚約
λ／４）を真空成膜した。このとき、ライン中に２台の
スパッタ装置を備えた成膜機により、最も基材側の酸化
インジウムスズの高屈折率層４は酸素分圧１．６×１０
-2Ｐａ、より表面側の酸化インジウムスズ中間屈折率層
５、７は酸素分圧８．０×１０-3Ｐａに設定し、アルゴ
ンを導入しそれぞれ５．６×１０-1Ｐａとして、１回の
パスにより成膜した。
【００３８】得られた膜の分光反射率は波長４５０ｎｍ
〜６５０ｎｍで平均０．７５％（ＰＥＴ基材６．０
％）、波長５５０ｎｍで０．７５％（ＰＥＴ基材６．０
％）で屈折率分散が同じ酸化インジウムスズを用いたと
きに比べ、光線反射率が１％以下となる波長範囲が５％
広がった。これらの反射防止膜の分光反射率スペクトル
を図３に示す。
〜６５０ｎｍで平均０．７５％（ＰＥＴ基材６．０
％）、波長５５０ｎｍで０．７５％（ＰＥＴ基材６．０
％）で屈折率分散が同じ酸化インジウムスズを用いたと
きに比べ、光線反射率が１％以下となる波長範囲が５％
広がった。これらの反射防止膜の分光反射率スペクトル
を図３に示す。
【００３９】また、酸化インジウムスズの層のシート抵
抗値は８０Ω／□以下で、反射防止効果が及ぶ波長範囲
を広げるための構成である、波長４５０ｎｍ〜６５０ｎ
ｍにおける屈折率分散が２．２〜２．０の酸化インジウ
ムスズ（光学膜厚約λ／８）、二酸化珪素（光学膜厚約
λ／１６）、波長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける屈折
率分散が２．１〜１．９の酸化インジウムスズ（光学膜
厚約λ／４）、二酸化珪素（光学膜厚約λ／４）を真空
成膜した反射防止膜に比べ、約２０％シート抵抗値が低
下した。さらに、良好な電磁波シールド効果（周波数１
００ＭＨｚにおいて３０ｄＢ）が得られた。
抗値は８０Ω／□以下で、反射防止効果が及ぶ波長範囲
を広げるための構成である、波長４５０ｎｍ〜６５０ｎ
ｍにおける屈折率分散が２．２〜２．０の酸化インジウ
ムスズ（光学膜厚約λ／８）、二酸化珪素（光学膜厚約
λ／１６）、波長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける屈折
率分散が２．１〜１．９の酸化インジウムスズ（光学膜
厚約λ／４）、二酸化珪素（光学膜厚約λ／４）を真空
成膜した反射防止膜に比べ、約２０％シート抵抗値が低
下した。さらに、良好な電磁波シールド効果（周波数１
００ＭＨｚにおいて３０ｄＢ）が得られた。
【００４０】＜実施例２、比較例２＞基材２として紫外
線硬化性のアクリル系ハードコート層９を４μｍの膜厚
で塗布した厚さ１８８μｍのＰＥＴを使用し、反射防止
膜３には基材側より、波長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍにお
ける屈折率分散が２．０〜１．８の酸化亜鉛の中間屈折
率層４（光学膜厚約λ／１６）、波長４５０ｎｍ〜６５
０ｎｍにおける屈折率分散が２．１〜１．９の酸化亜鉛
の高屈折率層５（光学膜厚約λ／１６）、二酸化珪素の
低屈折率層６（光学膜厚約λ／１６）、波長４５０ｎｍ
〜６５０ｎｍにおける屈折率分散が２．０〜１．８の酸
化亜鉛の中間屈折率層７（光学膜厚約λ／４）、二酸化
珪素の低屈折率層８（光学膜厚約λ／４）を真空成膜し
た。このとき、ライン中に２台のスパッタ装置を備えた
成膜機により、最も基材側の酸化亜鉛の中間屈折率層４
は酸素分圧９．３×１０-3Ｐａ、より表面側の酸化亜鉛
の高屈折率層５は酸素分圧２．０×１０-2Ｐａに設定
し、アルゴンを導入しそれぞれ５．７×１０-1Ｐａとし
て、１回のパスにより成膜した。そしてさらに防汚層１
０としてＣＶＤによりフルオロアルキルシラン１０ｎｍ
を成膜した。
線硬化性のアクリル系ハードコート層９を４μｍの膜厚
で塗布した厚さ１８８μｍのＰＥＴを使用し、反射防止
膜３には基材側より、波長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍにお
ける屈折率分散が２．０〜１．８の酸化亜鉛の中間屈折
率層４（光学膜厚約λ／１６）、波長４５０ｎｍ〜６５
０ｎｍにおける屈折率分散が２．１〜１．９の酸化亜鉛
の高屈折率層５（光学膜厚約λ／１６）、二酸化珪素の
低屈折率層６（光学膜厚約λ／１６）、波長４５０ｎｍ
〜６５０ｎｍにおける屈折率分散が２．０〜１．８の酸
化亜鉛の中間屈折率層７（光学膜厚約λ／４）、二酸化
珪素の低屈折率層８（光学膜厚約λ／４）を真空成膜し
た。このとき、ライン中に２台のスパッタ装置を備えた
成膜機により、最も基材側の酸化亜鉛の中間屈折率層４
は酸素分圧９．３×１０-3Ｐａ、より表面側の酸化亜鉛
の高屈折率層５は酸素分圧２．０×１０-2Ｐａに設定
し、アルゴンを導入しそれぞれ５．７×１０-1Ｐａとし
て、１回のパスにより成膜した。そしてさらに防汚層１
０としてＣＶＤによりフルオロアルキルシラン１０ｎｍ
を成膜した。
【００４１】得られた膜の分光反射率は波長４５０ｎｍ
〜６５０ｎｍで平均０．５０％（ＰＥＴ基材６．０
％）、波長５５０ｎｍで０．４９％（ＰＥＴ基材６．０
％）で屈折率分散が同じ酸化亜鉛を用いたときに比べ、
光線反射率が１％以下となる波長範囲が５％広がった。
〜６５０ｎｍで平均０．５０％（ＰＥＴ基材６．０
％）、波長５５０ｎｍで０．４９％（ＰＥＴ基材６．０
％）で屈折率分散が同じ酸化亜鉛を用いたときに比べ、
光線反射率が１％以下となる波長範囲が５％広がった。
【００４２】また、酸化亜鉛の層のシート抵抗値は１０
０Ω／□以下で、反射防止効果が及ぶ波長範囲を広げる
ための構成である、波長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおけ
る屈折率分散が２．１〜１．９の酸化亜鉛（光学膜厚約
λ／８）、二酸化珪素（光学膜厚約λ／１６）、波長４
５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける屈折率分散が２．０〜
１．８の酸化亜鉛（光学膜厚約λ／４）、二酸化珪素
（光学膜厚約λ／４）を真空成膜した反射防止膜に比
べ、約２０％シート抵抗値が低下した。さらに、良好な
電磁波シールド効果（周波数１００ＭＨｚにおいて３０
ｄＢ）が得られた。表面純水接触角は１０７度であっ
た。
０Ω／□以下で、反射防止効果が及ぶ波長範囲を広げる
ための構成である、波長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおけ
る屈折率分散が２．１〜１．９の酸化亜鉛（光学膜厚約
λ／８）、二酸化珪素（光学膜厚約λ／１６）、波長４
５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける屈折率分散が２．０〜
１．８の酸化亜鉛（光学膜厚約λ／４）、二酸化珪素
（光学膜厚約λ／４）を真空成膜した反射防止膜に比
べ、約２０％シート抵抗値が低下した。さらに、良好な
電磁波シールド効果（周波数１００ＭＨｚにおいて３０
ｄＢ）が得られた。表面純水接触角は１０７度であっ
た。
【００４３】
【発明の効果】本発明により、反射防止効果の波長範囲
を広げたまま、膜のシート抵抗値を低下させることがで
きる。また、積層構成、膜厚を工夫することにより、さ
らに基材と反射防止膜の密着性や防汚性および分光特性
を向上させることができる。
を広げたまま、膜のシート抵抗値を低下させることがで
きる。また、積層構成、膜厚を工夫することにより、さ
らに基材と反射防止膜の密着性や防汚性および分光特性
を向上させることができる。
【図１】本発明の反射防止積層体の一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の他の反射防止積層体の一例を示す断面
図である。
図である。
【図３】本発明の実施例１、比較例１により得られた反
射防止積層体の分光反射率スペクトルである。
射防止積層体の分光反射率スペクトルである。
１…反射防止積層体 ２…基材 ３…反射防止膜 ４、５、７…中間あるいは高屈折率層 ６、８…低屈折率層 ９…ハードコート層 １０…防汚層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇山 晴夫 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2K009 AA07 AA10 AA15 BB12 BB13 BB14 BB24 BB28 CC01 CC03 DD04 EE03 EE05 4F100 AA17A AA20 AA25A AA28A AD00A AD00B AD00C AD00D AK01E AK42 AT00E BA05 BA08 BA10D BA10E EH66 GB41 JD08 JG01A JG01B JG01C JG01D JL06D JM02A JM02B JM02C JM02D JN06 JN18B JN18C JN18D JN18E 5G435 AA01 BB02 BB12 DD12 FF01 GG33 HH02 HH12 KK07
Claims (9)
- 【請求項１】導電性を有するセラミック薄膜層を少なく
とも１層含み、高屈折率材料の層と低屈折率材料の層を
交互に４層以上積層した反射防止膜を具備する反射防止
積層体であって、前記反射防止積層体の基材側から数え
て第１の高屈折率材料の層は屈折率の異なる２層からな
ることを特徴とする反射防止積層体。 - 【請求項２】反射防止積層体の基材側から数えて第１の
高屈折率材料の層中の２層の屈折率を基材側からｎ11，
ｎ12、その他の高屈折率材料の層の屈折率をｎ2 、低屈
折率材料の層の屈折率をｎ3 としたとき、ｎ3 ＜ｎ12≒
ｎ2 ＜ｎ11あるいはｎ3 ＜ｎ 11≒ｎ2 ＜ｎ12であること
を特徴とする請求項１記載の反射防止積層体。 - 【請求項３】反射防止積層体の基材側から数えて第１の
高屈折率材料の層が導電性を有するセラミック薄膜層で
あることを特徴とする請求項１または２記載の反射防止
積層体。 - 【請求項４】導電性を有するセラミック薄膜層が、酸化
インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのいずれか、または、
それらの２種類もしくは３種類の複合酸化物を主成分と
していることを特徴とする請求項１、２または３記載の
反射防止積層体。 - 【請求項５】基材がプラスチックフィルムであることを
特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の反射防止
積層体。 - 【請求項６】基材と反射防止膜の間にハードコート層が
形成されていることを特徴とする請求項１から５のいず
れかに記載の反射防止積層体。 - 【請求項７】基材とは反対側の面に防汚層が形成されて
いることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載
の反射防止積層体。 - 【請求項８】反射防止積層体の基材側から数えて第１の
高屈折率材料の層中の屈折率の異なる２層を真空成膜法
で成膜・積層する際、成膜室中の酸素分圧を変化させる
ことで屈折率を制御・変化させることを特徴とする請求
項１から７のいずれかに記載の反射防止積層体の製造方
法。 - 【請求項９】反射防止積層体の基材側から数えて第１の
高屈折率材料の層の屈折率の異なる２層を、複数の成膜
装置を用い、インラインの１回の工程で同時に成膜する
ことを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の反
射防止積層体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10200464A JP2000028804A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 反射防止積層体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10200464A JP2000028804A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 反射防止積層体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000028804A true JP2000028804A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16424758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10200464A Pending JP2000028804A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 反射防止積層体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000028804A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7261931B2 (en) | 2001-06-29 | 2007-08-28 | Jsr Corporation | Reflection preventing film laminated body and method of manufacturing the laminated body |
| CN103180764A (zh) * | 2010-10-27 | 2013-06-26 | 柯尼卡美能达株式会社 | 近红外反射膜、其制造方法及设有近红外反射膜的近红外反射体 |
| CN110954975A (zh) * | 2018-09-26 | 2020-04-03 | 日东电工株式会社 | 带保护薄膜的光学薄膜 |
| CN114895384A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-08-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 减反膜及其制作方法与壳体 |
-
1998
- 1998-07-15 JP JP10200464A patent/JP2000028804A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7261931B2 (en) | 2001-06-29 | 2007-08-28 | Jsr Corporation | Reflection preventing film laminated body and method of manufacturing the laminated body |
| CN103180764A (zh) * | 2010-10-27 | 2013-06-26 | 柯尼卡美能达株式会社 | 近红外反射膜、其制造方法及设有近红外反射膜的近红外反射体 |
| CN110954975A (zh) * | 2018-09-26 | 2020-04-03 | 日东电工株式会社 | 带保护薄膜的光学薄膜 |
| TWI818080B (zh) * | 2018-09-26 | 2023-10-11 | 日商日東電工股份有限公司 | 附保護膜之光學膜 |
| CN114895384A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-08-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 减反膜及其制作方法与壳体 |
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|---|---|---|---|
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041207 |