JP2000028804A - 反射防止積層体およびその製造方法 - Google Patents
反射防止積層体およびその製造方法Info
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- JP2000028804A JP2000028804A JP10200464A JP20046498A JP2000028804A JP 2000028804 A JP2000028804 A JP 2000028804A JP 10200464 A JP10200464 A JP 10200464A JP 20046498 A JP20046498 A JP 20046498A JP 2000028804 A JP2000028804 A JP 2000028804A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】十分な反射防止効果を有し、さらに電磁波シー
ルド効果を有する反射防止膜を提供する。 【解決手段】導電性を有するセラミック薄膜層を少なく
とも1層含み、高屈折率材料の層と低屈折率材料の層を
交互に4層以上積層した反射防止膜を具備する反射防止
積層体であって、前記反射防止積層体の基材側から数え
て第1の高屈折率材料の層は屈折率の異なる2層からな
ることを特徴とする反射防止積層体。
ルド効果を有する反射防止膜を提供する。 【解決手段】導電性を有するセラミック薄膜層を少なく
とも1層含み、高屈折率材料の層と低屈折率材料の層を
交互に4層以上積層した反射防止膜を具備する反射防止
積層体であって、前記反射防止積層体の基材側から数え
て第1の高屈折率材料の層は屈折率の異なる2層からな
ることを特徴とする反射防止積層体。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁波シールド効
果を有する反射防止積層体に関するものである。
果を有する反射防止積層体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、テレビのブラウン管などでは、表
面の反射を防止する手段および電磁波を遮蔽するための
手段として、多層膜を真空蒸着法などによりコーティン
グしている。さらに液晶画面においてはそれらの表面に
凹凸を設けることで、乱反射させている。
面の反射を防止する手段および電磁波を遮蔽するための
手段として、多層膜を真空蒸着法などによりコーティン
グしている。さらに液晶画面においてはそれらの表面に
凹凸を設けることで、乱反射させている。
【0003】透明であり、かつ導電性を有する層を反射
防止積層体に施した例は特開平5−323101号公報
に開示されているような酸化インジウムや酸化スズをベ
ースとしたものが知られており、また特開昭64−80
904号公報に開示されているような非常に薄い金属膜
を利用しているものが知られている。
防止積層体に施した例は特開平5−323101号公報
に開示されているような酸化インジウムや酸化スズをベ
ースとしたものが知られており、また特開昭64−80
904号公報に開示されているような非常に薄い金属膜
を利用しているものが知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
は、導電性を有するセラミック薄膜層として用いられる
酸化インジウムや酸化スズの屈折率が2.0程度であ
り、積層数が少ないと十分な反射防止効果が得られない
という問題があった。
は、導電性を有するセラミック薄膜層として用いられる
酸化インジウムや酸化スズの屈折率が2.0程度であ
り、積層数が少ないと十分な反射防止効果が得られない
という問題があった。
【0005】また、電磁波シールドとして用いるには導
電性を有するセラミック薄膜層のシート抵抗を低くおさ
える必要があり、従来の帯電防止材料以上に低抵抗化が
要求される。さらに、導電性を有するセラミック薄膜層
を低抵抗にすればするほど電磁波シールド効果は高くな
る。
電性を有するセラミック薄膜層のシート抵抗を低くおさ
える必要があり、従来の帯電防止材料以上に低抵抗化が
要求される。さらに、導電性を有するセラミック薄膜層
を低抵抗にすればするほど電磁波シールド効果は高くな
る。
【0006】反射防止効果を向上させるために、各高屈
折率層あるいは各低屈折率層で異なる材料を用いたり、
同一の材料であっても膜の吸収を変えることにより、膜
の屈折率を変更したりしている。
折率層あるいは各低屈折率層で異なる材料を用いたり、
同一の材料であっても膜の吸収を変えることにより、膜
の屈折率を変更したりしている。
【0007】しかし、多くの材料を用いると工程が複雑
になる。また、導電性を有するセラミック薄膜層の場
合、膜の屈折率を変更することにより、膜の抵抗値が変
化してしまうため、要求される抵抗値によっては仕様を
満たせない場合もある。
になる。また、導電性を有するセラミック薄膜層の場
合、膜の屈折率を変更することにより、膜の抵抗値が変
化してしまうため、要求される抵抗値によっては仕様を
満たせない場合もある。
【0008】本発明の課題は、上記問題点を解決し、十
分な反射防止効果を有し、さらに電磁波シールド効果を
有する反射防止積層体を提供することにある。
分な反射防止効果を有し、さらに電磁波シールド効果を
有する反射防止積層体を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】係る課題を解決するた
め、請求項1記載の発明は、導電性を有するセラミック
薄膜層を少なくとも1層含み、高屈折率材料の層と低屈
折率材料の層を交互に4層以上積層した反射防止膜を具
備する反射防止積層体であって、前記反射防止積層体の
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層は屈折率の異
なる2層からなることを特徴とする反射防止積層体、と
したものである。
め、請求項1記載の発明は、導電性を有するセラミック
薄膜層を少なくとも1層含み、高屈折率材料の層と低屈
折率材料の層を交互に4層以上積層した反射防止膜を具
備する反射防止積層体であって、前記反射防止積層体の
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層は屈折率の異
なる2層からなることを特徴とする反射防止積層体、と
したものである。
【0010】本発明の反射防止積層体によれば、従来の
誘電体のみで構成された反射防止積層体には付与されて
いなかった、導電性を付与することができる。さらに、
材料上の膜の層数と比べ、光学的な膜の層数が1層多く
なるため、光学的な膜厚の設計の自由度が上がる。
誘電体のみで構成された反射防止積層体には付与されて
いなかった、導電性を付与することができる。さらに、
材料上の膜の層数と比べ、光学的な膜の層数が1層多く
なるため、光学的な膜厚の設計の自由度が上がる。
【0011】請求項2記載の発明は、反射防止積層体の
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層中の2層の屈
折率を基材側からn11,n12、その他の高屈折率材料の
層の屈折率をn2 、低屈折率材料の層の屈折率をn3 と
したとき、n3 <n12≒n2<n11あるいはn3 <n11
≒n2 <n12であることを特徴とする請求項1記載の反
射防止積層体、としたものである。
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層中の2層の屈
折率を基材側からn11,n12、その他の高屈折率材料の
層の屈折率をn2 、低屈折率材料の層の屈折率をn3 と
したとき、n3 <n12≒n2<n11あるいはn3 <n11
≒n2 <n12であることを特徴とする請求項1記載の反
射防止積層体、としたものである。
【0012】最も基材側の高屈折率層の屈折率n11をそ
の他の高屈折率層n2 よりも高くすると各層との干渉に
より、反射防止効果の及ぶ波長範囲を広げることができ
る。
の他の高屈折率層n2 よりも高くすると各層との干渉に
より、反射防止効果の及ぶ波長範囲を広げることができ
る。
【0013】請求項3記載の発明は、反射防止積層体の
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層が導電性を有
するセラミック薄膜層であることを特徴とする請求項1
または2記載の反射防止積層体、としたものである。
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層が導電性を有
するセラミック薄膜層であることを特徴とする請求項1
または2記載の反射防止積層体、としたものである。
【0014】一般に、酸化インジウムや酸化スズなどの
導電性を有するセラミック薄膜は、高屈折率材料として
用いられるが、高い屈折率を追求すると導電性が低くな
り、導電性を追求すると屈折率が低くなる。ここで、反
射防止積層体の基材から数えて第1の高屈折率材料の層
に、導電性を有する高屈折率層/中間屈折率層として用
いることにより、同一の材料で高屈折率と導電性という
相反する特性が生かせる。
導電性を有するセラミック薄膜は、高屈折率材料として
用いられるが、高い屈折率を追求すると導電性が低くな
り、導電性を追求すると屈折率が低くなる。ここで、反
射防止積層体の基材から数えて第1の高屈折率材料の層
に、導電性を有する高屈折率層/中間屈折率層として用
いることにより、同一の材料で高屈折率と導電性という
相反する特性が生かせる。
【0015】請求項4記載の発明は、導電性を有するセ
ラミック薄膜層が、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化ス
ズのいずれか、または、それらの2種類もしくは3種類
の複合酸化物を主成分としていることを特徴とする請求
項1、2または3記載の反射防止積層体、としたもので
ある。
ラミック薄膜層が、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化ス
ズのいずれか、または、それらの2種類もしくは3種類
の複合酸化物を主成分としていることを特徴とする請求
項1、2または3記載の反射防止積層体、としたもので
ある。
【0016】請求項5記載の発明は、基材がプラスチッ
クフィルムであることを特徴とする請求項1から4のい
ずれかに記載の反射防止積層体、としたものである。
クフィルムであることを特徴とする請求項1から4のい
ずれかに記載の反射防止積層体、としたものである。
【0017】プラスチック上に作製されていることで、
柔軟性を上げることができ、二次曲面への貼り付けが可
能となった。
柔軟性を上げることができ、二次曲面への貼り付けが可
能となった。
【0018】請求項6記載の発明は、基材と反射防止膜
の間にハードコート層が形成されていることを特徴とす
る請求項1から5のいずれかに記載の反射防止積層体、
としたものである。
の間にハードコート層が形成されていることを特徴とす
る請求項1から5のいずれかに記載の反射防止積層体、
としたものである。
【0019】このことにより、硬い反射防止膜と柔軟性
をもつ基材との緩衝作用をこのハードコート層が果たす
ことができ、同時に密着性の向上も果たすことができ
る。
をもつ基材との緩衝作用をこのハードコート層が果たす
ことができ、同時に密着性の向上も果たすことができ
る。
【0020】請求項7記載の発明は、基材とは反対側の
面に防汚層が形成されていることを特徴とする請求項1
から6のいずれかに記載の反射防止積層体、としたもの
である。
面に防汚層が形成されていることを特徴とする請求項1
から6のいずれかに記載の反射防止積層体、としたもの
である。
【0021】これにより防汚効果も具備される。
【0022】請求項8記載の発明は、反射防止積層体の
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層中の屈折率の
異なる2層を真空成膜法で成膜・積層する際、成膜室中
の酸素分圧を変化させることで屈折率を制御・変化させ
ることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の
反射防止積層体の製造方法、としたものである。
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層中の屈折率の
異なる2層を真空成膜法で成膜・積層する際、成膜室中
の酸素分圧を変化させることで屈折率を制御・変化させ
ることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の
反射防止積層体の製造方法、としたものである。
【0023】酸化インジウムや酸化スズなどの導電性を
有するセラミック薄膜は、成膜の際の条件を変化させる
ことにより、屈折率や吸収を変化させることができる。
このことを利用して、成膜時の酸素分圧を制御すること
により、容易に膜の屈折率を変化させることができる。
有するセラミック薄膜は、成膜の際の条件を変化させる
ことにより、屈折率や吸収を変化させることができる。
このことを利用して、成膜時の酸素分圧を制御すること
により、容易に膜の屈折率を変化させることができる。
【0024】請求項9記載の発明は、反射防止積層体の
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層の屈折率の異
なる2層を、複数の成膜装置を用い、インラインの1回
の工程で同時に成膜することを特徴とする請求項1から
8のいずれかに記載の反射防止積層体の製造方法、とし
たものである。
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層の屈折率の異
なる2層を、複数の成膜装置を用い、インラインの1回
の工程で同時に成膜することを特徴とする請求項1から
8のいずれかに記載の反射防止積層体の製造方法、とし
たものである。
【0025】低反射積層体の基材側から数えて第1の高
屈折率材料の層の屈折率の異なる2層について、インラ
インの複数の連続した成膜装置を膜厚構成に応じた成膜
レートに合わせた2グループに分けることにより、1回
ラインを通すことにより、同時に成膜することができ
る。これは、同じ材料を用いているため、真空成膜の場
合でも排気能力がある程度以上あれば、成膜室がはっき
りと分かれている必要が無い。
屈折率材料の層の屈折率の異なる2層について、インラ
インの複数の連続した成膜装置を膜厚構成に応じた成膜
レートに合わせた2グループに分けることにより、1回
ラインを通すことにより、同時に成膜することができ
る。これは、同じ材料を用いているため、真空成膜の場
合でも排気能力がある程度以上あれば、成膜室がはっき
りと分かれている必要が無い。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて詳細に説明する。
用いて詳細に説明する。
【0027】図1は本発明の反射防止積層体の構成の一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【0028】図中の1は反射防止積層体であり、基材2
上に反射防止膜3が順次積層される。反射防止膜3は、
材料の同じ高屈折率層4、中間屈折率層5、他の高屈折
率材料よりなる中間屈折率層7、および低屈折率層6、
8からなる主にセラミック薄膜層である。ここで、4が
中間屈折率層、5が高屈折率層であっても良い。そし
て、その中の少なくとも1層は導電性を有するセラミッ
ク薄膜層である。
上に反射防止膜3が順次積層される。反射防止膜3は、
材料の同じ高屈折率層4、中間屈折率層5、他の高屈折
率材料よりなる中間屈折率層7、および低屈折率層6、
8からなる主にセラミック薄膜層である。ここで、4が
中間屈折率層、5が高屈折率層であっても良い。そし
て、その中の少なくとも1層は導電性を有するセラミッ
ク薄膜層である。
【0029】基材2は、十分な透明性を有することが必
要であり、さらにある程度の表面の平滑性を有していれ
ばよく、特に限定される物ではなく、例えば、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、
ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポ
リオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レンナフタレート、トリアセチルセルロース等の高分子
フィルムが挙げられる。ガラスであっても特に問題とな
るものではない。
要であり、さらにある程度の表面の平滑性を有していれ
ばよく、特に限定される物ではなく、例えば、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、
ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポ
リオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レンナフタレート、トリアセチルセルロース等の高分子
フィルムが挙げられる。ガラスであっても特に問題とな
るものではない。
【0030】本発明において、セラミック薄膜とは無機
化合物薄膜であって、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化
物などからなる薄膜をいう。本発明の反射防止積層体は
屈折率の異なるセラミックを交互に特定の膜厚で複数層
積層することにより反射防止積層体を作製でき、それら
の材料として、低屈折率層6、8としては、酸化マグネ
シウム(屈折率n=1.6)、二酸化珪素(n=1.
5)、フッ化マグネシウム(n=1.4)、フッ化カル
シウム(n=1.3〜1.4)、フッ化セリウム(n=
1.6)、フッ化アルミニウム(n=1.3)、酸化ア
ルミニウム(n=1.6)などが挙げられる。また、高
屈折率層あるいは中間屈折率層4、5、7の材料として
は、二酸化チタン(n=2.4)、二酸化ジルコニウム
(n=2.0)、硫化亜鉛(n=2.3)、酸化タンタ
ル(n=2.1)、酸化亜鉛(n=2.1)、酸化イン
ジウム(n=2.0)などが挙げられる。
化合物薄膜であって、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化
物などからなる薄膜をいう。本発明の反射防止積層体は
屈折率の異なるセラミックを交互に特定の膜厚で複数層
積層することにより反射防止積層体を作製でき、それら
の材料として、低屈折率層6、8としては、酸化マグネ
シウム(屈折率n=1.6)、二酸化珪素(n=1.
5)、フッ化マグネシウム(n=1.4)、フッ化カル
シウム(n=1.3〜1.4)、フッ化セリウム(n=
1.6)、フッ化アルミニウム(n=1.3)、酸化ア
ルミニウム(n=1.6)などが挙げられる。また、高
屈折率層あるいは中間屈折率層4、5、7の材料として
は、二酸化チタン(n=2.4)、二酸化ジルコニウム
(n=2.0)、硫化亜鉛(n=2.3)、酸化タンタ
ル(n=2.1)、酸化亜鉛(n=2.1)、酸化イン
ジウム(n=2.0)などが挙げられる。
【0031】具体的に導電性を有するセラミック薄膜層
の例としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの
いずれか、または、それらの2種類もしくは3種類の混
合酸化物が挙げられるが、目的、用途によって、いかな
る導電性材料を用いても良い。
の例としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの
いずれか、または、それらの2種類もしくは3種類の混
合酸化物が挙げられるが、目的、用途によって、いかな
る導電性材料を用いても良い。
【0032】本発明の反射防止積層体は、膜厚の制御が
可能であれば、いかなる成膜方法も用いることが可能で
ある。なかでも薄膜の生成には乾式法が優れており、こ
れには通常の真空蒸着法等の物理的気相析出法やCVD
法のような化学的気相析出法を用いることができる。
可能であれば、いかなる成膜方法も用いることが可能で
ある。なかでも薄膜の生成には乾式法が優れており、こ
れには通常の真空蒸着法等の物理的気相析出法やCVD
法のような化学的気相析出法を用いることができる。
【0033】また、場合により図2のように防汚層1
0、ハードコート層9の何れか、もしくは両方を設けて
も良いが、これらの層は必ずしも必要ではなく、要求特
性により選択的に設ければ良い層である。この図2の実
施例は、図1の反射防止積層体にハードコート層9、防
汚層10を加えたものである。
0、ハードコート層9の何れか、もしくは両方を設けて
も良いが、これらの層は必ずしも必要ではなく、要求特
性により選択的に設ければ良い層である。この図2の実
施例は、図1の反射防止積層体にハードコート層9、防
汚層10を加えたものである。
【0034】ハードコート層9は、いかなる材料でも良
いが、全体の透明度を阻害しない程度以上に透明である
ことが条件である。また、その屈折率は基材と同じであ
るかそれに近いことが望ましい。例えば紫外線硬化性の
アクリル等があげられる。また、膜厚は特に限定しない
が、3〜6μmの厚さが望ましい。
いが、全体の透明度を阻害しない程度以上に透明である
ことが条件である。また、その屈折率は基材と同じであ
るかそれに近いことが望ましい。例えば紫外線硬化性の
アクリル等があげられる。また、膜厚は特に限定しない
が、3〜6μmの厚さが望ましい。
【0035】防汚層10は、特に低反射機能に影響を与
えないものであれば、その成膜方法はいかなるものでも
よく、用途目的に応じて、種種の組成物から選択でき、
有機物、無機物のいずれでも良く、例えば、フロシラン
系のものが用いられるが、防汚性があればこれに限定さ
れるものではない。また、この防汚層を設ける処理とし
ては湿式法、乾式法のいずれも採用可能であるが、特に
CVD等による乾式処理が目的に特に適合した処理であ
る。また、膜厚は特に限定しないが、光学的特性に影響
を与えないような5〜15nmの厚さが好ましい。
えないものであれば、その成膜方法はいかなるものでも
よく、用途目的に応じて、種種の組成物から選択でき、
有機物、無機物のいずれでも良く、例えば、フロシラン
系のものが用いられるが、防汚性があればこれに限定さ
れるものではない。また、この防汚層を設ける処理とし
ては湿式法、乾式法のいずれも採用可能であるが、特に
CVD等による乾式処理が目的に特に適合した処理であ
る。また、膜厚は特に限定しないが、光学的特性に影響
を与えないような5〜15nmの厚さが好ましい。
【0036】
【0037】<実施例1、比較例1>基材2として、厚
さ100μmのポリエチレンテレフタレート(以下PE
T)を使用し、反射防止膜3には基材側より、波長45
0nm〜650nmにおける屈折率分散が2.2〜2.
0の酸化インジウムスズの高屈折率層4(光学膜厚約λ
/16)(光学膜厚:屈折率n×膜厚d、設定波長:λ
=520nm、以下同じ)、波長450nm〜650n
mにおける屈折率分散が2.1〜1.9の酸化インジウ
ムスズの中間屈折率層5(光学膜厚約λ/16)、二酸
化珪素の低屈折率層6(光学膜厚約λ/16)、波長4
50nm〜650nmにおける屈折率分散が2.1〜
1.9の酸化インジウムスズの中間屈折率層7(光学膜
厚約λ/4)、二酸化珪素の低屈折率層8(光学膜厚約
λ/4)を真空成膜した。このとき、ライン中に2台の
スパッタ装置を備えた成膜機により、最も基材側の酸化
インジウムスズの高屈折率層4は酸素分圧1.6×10
-2Pa、より表面側の酸化インジウムスズ中間屈折率層
5、7は酸素分圧8.0×10-3Paに設定し、アルゴ
ンを導入しそれぞれ5.6×10-1Paとして、1回の
パスにより成膜した。
さ100μmのポリエチレンテレフタレート(以下PE
T)を使用し、反射防止膜3には基材側より、波長45
0nm〜650nmにおける屈折率分散が2.2〜2.
0の酸化インジウムスズの高屈折率層4(光学膜厚約λ
/16)(光学膜厚:屈折率n×膜厚d、設定波長:λ
=520nm、以下同じ)、波長450nm〜650n
mにおける屈折率分散が2.1〜1.9の酸化インジウ
ムスズの中間屈折率層5(光学膜厚約λ/16)、二酸
化珪素の低屈折率層6(光学膜厚約λ/16)、波長4
50nm〜650nmにおける屈折率分散が2.1〜
1.9の酸化インジウムスズの中間屈折率層7(光学膜
厚約λ/4)、二酸化珪素の低屈折率層8(光学膜厚約
λ/4)を真空成膜した。このとき、ライン中に2台の
スパッタ装置を備えた成膜機により、最も基材側の酸化
インジウムスズの高屈折率層4は酸素分圧1.6×10
-2Pa、より表面側の酸化インジウムスズ中間屈折率層
5、7は酸素分圧8.0×10-3Paに設定し、アルゴ
ンを導入しそれぞれ5.6×10-1Paとして、1回の
パスにより成膜した。
【0038】得られた膜の分光反射率は波長450nm
〜650nmで平均0.75%(PET基材6.0
%)、波長550nmで0.75%(PET基材6.0
%)で屈折率分散が同じ酸化インジウムスズを用いたと
きに比べ、光線反射率が1%以下となる波長範囲が5%
広がった。これらの反射防止膜の分光反射率スペクトル
を図3に示す。
〜650nmで平均0.75%(PET基材6.0
%)、波長550nmで0.75%(PET基材6.0
%)で屈折率分散が同じ酸化インジウムスズを用いたと
きに比べ、光線反射率が1%以下となる波長範囲が5%
広がった。これらの反射防止膜の分光反射率スペクトル
を図3に示す。
【0039】また、酸化インジウムスズの層のシート抵
抗値は80Ω/□以下で、反射防止効果が及ぶ波長範囲
を広げるための構成である、波長450nm〜650n
mにおける屈折率分散が2.2〜2.0の酸化インジウ
ムスズ(光学膜厚約λ/8)、二酸化珪素(光学膜厚約
λ/16)、波長450nm〜650nmにおける屈折
率分散が2.1〜1.9の酸化インジウムスズ(光学膜
厚約λ/4)、二酸化珪素(光学膜厚約λ/4)を真空
成膜した反射防止膜に比べ、約20%シート抵抗値が低
下した。さらに、良好な電磁波シールド効果(周波数1
00MHzにおいて30dB)が得られた。
抗値は80Ω/□以下で、反射防止効果が及ぶ波長範囲
を広げるための構成である、波長450nm〜650n
mにおける屈折率分散が2.2〜2.0の酸化インジウ
ムスズ(光学膜厚約λ/8)、二酸化珪素(光学膜厚約
λ/16)、波長450nm〜650nmにおける屈折
率分散が2.1〜1.9の酸化インジウムスズ(光学膜
厚約λ/4)、二酸化珪素(光学膜厚約λ/4)を真空
成膜した反射防止膜に比べ、約20%シート抵抗値が低
下した。さらに、良好な電磁波シールド効果(周波数1
00MHzにおいて30dB)が得られた。
【0040】<実施例2、比較例2>基材2として紫外
線硬化性のアクリル系ハードコート層9を4μmの膜厚
で塗布した厚さ188μmのPETを使用し、反射防止
膜3には基材側より、波長450nm〜650nmにお
ける屈折率分散が2.0〜1.8の酸化亜鉛の中間屈折
率層4(光学膜厚約λ/16)、波長450nm〜65
0nmにおける屈折率分散が2.1〜1.9の酸化亜鉛
の高屈折率層5(光学膜厚約λ/16)、二酸化珪素の
低屈折率層6(光学膜厚約λ/16)、波長450nm
〜650nmにおける屈折率分散が2.0〜1.8の酸
化亜鉛の中間屈折率層7(光学膜厚約λ/4)、二酸化
珪素の低屈折率層8(光学膜厚約λ/4)を真空成膜し
た。このとき、ライン中に2台のスパッタ装置を備えた
成膜機により、最も基材側の酸化亜鉛の中間屈折率層4
は酸素分圧9.3×10-3Pa、より表面側の酸化亜鉛
の高屈折率層5は酸素分圧2.0×10-2Paに設定
し、アルゴンを導入しそれぞれ5.7×10-1Paとし
て、1回のパスにより成膜した。そしてさらに防汚層1
0としてCVDによりフルオロアルキルシラン10nm
を成膜した。
線硬化性のアクリル系ハードコート層9を4μmの膜厚
で塗布した厚さ188μmのPETを使用し、反射防止
膜3には基材側より、波長450nm〜650nmにお
ける屈折率分散が2.0〜1.8の酸化亜鉛の中間屈折
率層4(光学膜厚約λ/16)、波長450nm〜65
0nmにおける屈折率分散が2.1〜1.9の酸化亜鉛
の高屈折率層5(光学膜厚約λ/16)、二酸化珪素の
低屈折率層6(光学膜厚約λ/16)、波長450nm
〜650nmにおける屈折率分散が2.0〜1.8の酸
化亜鉛の中間屈折率層7(光学膜厚約λ/4)、二酸化
珪素の低屈折率層8(光学膜厚約λ/4)を真空成膜し
た。このとき、ライン中に2台のスパッタ装置を備えた
成膜機により、最も基材側の酸化亜鉛の中間屈折率層4
は酸素分圧9.3×10-3Pa、より表面側の酸化亜鉛
の高屈折率層5は酸素分圧2.0×10-2Paに設定
し、アルゴンを導入しそれぞれ5.7×10-1Paとし
て、1回のパスにより成膜した。そしてさらに防汚層1
0としてCVDによりフルオロアルキルシラン10nm
を成膜した。
【0041】得られた膜の分光反射率は波長450nm
〜650nmで平均0.50%(PET基材6.0
%)、波長550nmで0.49%(PET基材6.0
%)で屈折率分散が同じ酸化亜鉛を用いたときに比べ、
光線反射率が1%以下となる波長範囲が5%広がった。
〜650nmで平均0.50%(PET基材6.0
%)、波長550nmで0.49%(PET基材6.0
%)で屈折率分散が同じ酸化亜鉛を用いたときに比べ、
光線反射率が1%以下となる波長範囲が5%広がった。
【0042】また、酸化亜鉛の層のシート抵抗値は10
0Ω/□以下で、反射防止効果が及ぶ波長範囲を広げる
ための構成である、波長450nm〜650nmにおけ
る屈折率分散が2.1〜1.9の酸化亜鉛(光学膜厚約
λ/8)、二酸化珪素(光学膜厚約λ/16)、波長4
50nm〜650nmにおける屈折率分散が2.0〜
1.8の酸化亜鉛(光学膜厚約λ/4)、二酸化珪素
(光学膜厚約λ/4)を真空成膜した反射防止膜に比
べ、約20%シート抵抗値が低下した。さらに、良好な
電磁波シールド効果(周波数100MHzにおいて30
dB)が得られた。表面純水接触角は107度であっ
た。
0Ω/□以下で、反射防止効果が及ぶ波長範囲を広げる
ための構成である、波長450nm〜650nmにおけ
る屈折率分散が2.1〜1.9の酸化亜鉛(光学膜厚約
λ/8)、二酸化珪素(光学膜厚約λ/16)、波長4
50nm〜650nmにおける屈折率分散が2.0〜
1.8の酸化亜鉛(光学膜厚約λ/4)、二酸化珪素
(光学膜厚約λ/4)を真空成膜した反射防止膜に比
べ、約20%シート抵抗値が低下した。さらに、良好な
電磁波シールド効果(周波数100MHzにおいて30
dB)が得られた。表面純水接触角は107度であっ
た。
【0043】
【発明の効果】本発明により、反射防止効果の波長範囲
を広げたまま、膜のシート抵抗値を低下させることがで
きる。また、積層構成、膜厚を工夫することにより、さ
らに基材と反射防止膜の密着性や防汚性および分光特性
を向上させることができる。
を広げたまま、膜のシート抵抗値を低下させることがで
きる。また、積層構成、膜厚を工夫することにより、さ
らに基材と反射防止膜の密着性や防汚性および分光特性
を向上させることができる。
【図1】本発明の反射防止積層体の一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図2】本発明の他の反射防止積層体の一例を示す断面
図である。
図である。
【図3】本発明の実施例1、比較例1により得られた反
射防止積層体の分光反射率スペクトルである。
射防止積層体の分光反射率スペクトルである。
1…反射防止積層体 2…基材 3…反射防止膜 4、5、7…中間あるいは高屈折率層 6、8…低屈折率層 9…ハードコート層 10…防汚層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇山 晴夫 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 Fターム(参考) 2K009 AA07 AA10 AA15 BB12 BB13 BB14 BB24 BB28 CC01 CC03 DD04 EE03 EE05 4F100 AA17A AA20 AA25A AA28A AD00A AD00B AD00C AD00D AK01E AK42 AT00E BA05 BA08 BA10D BA10E EH66 GB41 JD08 JG01A JG01B JG01C JG01D JL06D JM02A JM02B JM02C JM02D JN06 JN18B JN18C JN18D JN18E 5G435 AA01 BB02 BB12 DD12 FF01 GG33 HH02 HH12 KK07
Claims (9)
- 【請求項1】導電性を有するセラミック薄膜層を少なく
とも1層含み、高屈折率材料の層と低屈折率材料の層を
交互に4層以上積層した反射防止膜を具備する反射防止
積層体であって、前記反射防止積層体の基材側から数え
て第1の高屈折率材料の層は屈折率の異なる2層からな
ることを特徴とする反射防止積層体。 - 【請求項2】反射防止積層体の基材側から数えて第1の
高屈折率材料の層中の2層の屈折率を基材側からn11,
n12、その他の高屈折率材料の層の屈折率をn2 、低屈
折率材料の層の屈折率をn3 としたとき、n3 <n12≒
n2 <n11あるいはn3 <n 11≒n2 <n12であること
を特徴とする請求項1記載の反射防止積層体。 - 【請求項3】反射防止積層体の基材側から数えて第1の
高屈折率材料の層が導電性を有するセラミック薄膜層で
あることを特徴とする請求項1または2記載の反射防止
積層体。 - 【請求項4】導電性を有するセラミック薄膜層が、酸化
インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのいずれか、または、
それらの2種類もしくは3種類の複合酸化物を主成分と
していることを特徴とする請求項1、2または3記載の
反射防止積層体。 - 【請求項5】基材がプラスチックフィルムであることを
特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の反射防止
積層体。 - 【請求項6】基材と反射防止膜の間にハードコート層が
形成されていることを特徴とする請求項1から5のいず
れかに記載の反射防止積層体。 - 【請求項7】基材とは反対側の面に防汚層が形成されて
いることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載
の反射防止積層体。 - 【請求項8】反射防止積層体の基材側から数えて第1の
高屈折率材料の層中の屈折率の異なる2層を真空成膜法
で成膜・積層する際、成膜室中の酸素分圧を変化させる
ことで屈折率を制御・変化させることを特徴とする請求
項1から7のいずれかに記載の反射防止積層体の製造方
法。 - 【請求項9】反射防止積層体の基材側から数えて第1の
高屈折率材料の層の屈折率の異なる2層を、複数の成膜
装置を用い、インラインの1回の工程で同時に成膜する
ことを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の反
射防止積層体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10200464A JP2000028804A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 反射防止積層体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10200464A JP2000028804A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 反射防止積層体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000028804A true JP2000028804A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16424758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10200464A Pending JP2000028804A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 反射防止積層体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000028804A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7261931B2 (en) | 2001-06-29 | 2007-08-28 | Jsr Corporation | Reflection preventing film laminated body and method of manufacturing the laminated body |
CN103180764A (zh) * | 2010-10-27 | 2013-06-26 | 柯尼卡美能达株式会社 | 近红外反射膜、其制造方法及设有近红外反射膜的近红外反射体 |
CN110954975A (zh) * | 2018-09-26 | 2020-04-03 | 日东电工株式会社 | 带保护薄膜的光学薄膜 |
CN114895384A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-08-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 减反膜及其制作方法与壳体 |
-
1998
- 1998-07-15 JP JP10200464A patent/JP2000028804A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7261931B2 (en) | 2001-06-29 | 2007-08-28 | Jsr Corporation | Reflection preventing film laminated body and method of manufacturing the laminated body |
CN103180764A (zh) * | 2010-10-27 | 2013-06-26 | 柯尼卡美能达株式会社 | 近红外反射膜、其制造方法及设有近红外反射膜的近红外反射体 |
CN110954975A (zh) * | 2018-09-26 | 2020-04-03 | 日东电工株式会社 | 带保护薄膜的光学薄膜 |
TWI818080B (zh) * | 2018-09-26 | 2023-10-11 | 日商日東電工股份有限公司 | 附保護膜之光學膜 |
CN114895384A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-08-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 减反膜及其制作方法与壳体 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040810 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041207 |