JP2000012821A

JP2000012821A - 固体撮像装置

Info

Publication number: JP2000012821A
Application number: JP10180381A
Authority: JP
Inventors: Koichi Sekine; 弘一関根
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-06-26
Filing date: 1998-06-26
Publication date: 2000-01-14

Abstract

(57)【要約】【課題】フォトダイオードを含む単位セルを縮小化して
フォトダイオードから転送される信号電荷の転送先の容
量を小さくすることにより、高集積化及び高感度化が可
能な固体撮像装置を提供する。【解決手段】半導体基板上に行列２次元状に配置される
光電変換部は、フォトダイオード1-1-1 、1-2-1 、1-1-
2 、1-2-2 及びこれらフォトダイオードの検出信号を転
送する転送用トランジスタ2-1-1 、2-2-1 、2-1-2 、2-
2-2 と、前記検出信号を増幅する増幅用トランジスタ3-
1-1 、3-1-2 とを含む第１、第２の光電変換手段からな
る。そして、行方向の前記第１、第２の光電変換手段を
選択する垂直選択用トランジスタ4-1-1 及びリセットト
ランジスタ5-1-1 、5-1-2 のドレインに接続されるドレ
イン線が、前記第１の光電変換手段及び第２の光電変換
手段の検出信号を読み出すために共通に利用される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、増幅型のＭＯＳイ
メージセンサを用いた固体撮像装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、固体撮像装置の一つとして、増幅
型のＭＯＳイメージセンサを用いた固体撮像装置が提案
されている（例えば、特願平８−５３２２０号等）。図
３は、従来の増幅型のＭＯＳイメージセンサを用いた固
体撮像装置の構成を示す回路図である。

【０００３】従来の固体撮像装置には、図３に示すよう
に、上下方向に隣接して配置されたフォトダイオード21
-1-1、21-2-1、これらフォトダイオードにより検知され
た検知信号を転送する転送トランジスタ22-1-1、22-2-
1、これら転送トランジスタにより転送された検知信号
を増幅する増幅トランジスタ23-1-1、この増幅トランジ
スタにより増幅された前記検知信号を読み出すためのラ
インを選択する垂直選択トランジスタ24-1-1、前記検知
信号の電荷をリセットするリセットトランジスタ25-1-1
からなる単位セルが配置されている。

【０００４】同様に図３に示すように、フォトダイオー
ド21-1-2、21-2-2、…、21-3-3、21-4-3、転送トランジ
スタ22-1-2、22-2-2、…、22-3-3、22-4-3、増幅トラン
ジスタ23-1-2、…、23-2-3、垂直選択トランジスタ24-1
-2、…、24-2-3、及びリセットトランジスタ25-1-2、
…、25-2-3により複数の単位セルが形成され、これら単
位セルが行列２次元状に配置されている。

【０００５】なお、図３では、前記単位セルが２（行）
×３（列）に、つまり、フォトダイオードが４（行）×
３（列）個に配置された場合を示したが、実際にはこれ
より多数の単位セルが配置されている。

【０００６】また、垂直シフトレジスタ２６から水平方
向に配線されている水平アドレス線27-1、27-2は前記垂
直選択トランジスタ24-1-1、24-1-2、…、24-2-3のゲー
トに接続され、検知信号を読み出すラインを決定する。
同様に、垂直シフトレジスタ２６から水平方向に配線さ
れているリセット線28-1、28-2は前記リセットトランジ
スタ25-1-1、25-1-2、…、25-2-3のゲートに接続されて
いる。

【０００７】前記増幅トランジスタ23-1-1、23-1-2、
…、23-2-3のソースは垂直方向に配線された垂直信号線
29-1、29-2、29-3に接続され、この垂直信号線の一端に
は負荷トランジスタ30-1、30-2、30-3が設けられてい
る。また、前記転送トランジスタ22-1-1、22-1-2、…、
22-4-3のゲートには、転送線31-1、31-2、31-3、31-4が
接続されている。さらに、前記垂直信号線29-1、29-2、
29-3の他端には、水平シフトレジスタ３２から供給され
る選択パルスにより駆動される水平選択トランジスタ33
-1、33-2、33-3を介して、水平信号線３４が接続されて
いる。

【０００８】前記垂直選択トランジスタ24-1-1、24-1-
2、…、24-2-3、及びリセットトランジスタ25-1-1、25-
1-2、…、25-2-3のドレインには、ドレインライン35-
1、35-2、35-3が接続されている。なお、通常、前記転
送線31-1、31-2、…、31-4の他端には、図示しないノイ
ズキャンセラー回路が設けられている。

【０００９】このように、図３に示す従来の固体撮像装
置では、上下方向に隣接するフォトダイオード21-1-1
、21-2-1 及びそれに付随する転送トランジスタ22-1-
1、22-2-1の対を１ユニットとし、増幅トランジスタ23-
1-1 、垂直選択トランジスタ24-1-1 、及びリセット
トランジスタ25-1-1 を共通化し、集積度を高めてい
る。すなわち、１ユニットセル内にフォトダイオードが
２個設けられ、トランジスタが５個、さらに垂直信号線
9-1 とドレイン線15-1の２本が設けられている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】前述した従来の固体撮
像装置の問題点について図４を用いて説明する。図４
は、従来の固体撮像装置における１ユニットセルのレイ
アウトを示す図である。図４において、図３と共通する
ものには同じ符号を付し、符号の後ろの括弧内の記号は
Ｓ：ソース、Ｄ：ドレイン、Ｇ：ゲートを意味してい
る。

【００１１】フォトダイオード対をなすフォトダイオー
ド21-1-1、21-2-1の間には、転送トランジスタ22-1-1、
22-2-1のゲート22-1-1(G) 、22-2-1(G) が配置され、こ
れらゲート22-1-1(G) 、22-2-1(G) の間には共通のドレ
イン22-1-1(D) 、22-2-1(D)が配置されている。さら
に、前記フォトダイオード対（21-1-1、21-2-1）と、そ
の水平方向に隣接するフォトダイオード対（21-1-2、21
-2-2）との間には、増幅トランジスタ23-1-1(G) 、23-1
-1(S) 、23-1-1(D) 、垂直選択トランジスタ24-1-1(G)
、24-1-1(S) 、24-1-1(D) 、及びリセットトランジス
タ25-1-1(G) 、25-1-1(S) 、25-1-1(D) が配置されてい
る。

【００１２】よって、前記フォトダイオード対（21-1-
1、21-2-1）と、その水平方向に隣接するフォトダイオ
ード対（21-1-2、21-2-2）との間には、２つの素子分離
領域が必要である。すなわち、水平方向のフォトダイオ
ード間のピッチＰh は、Ｐh ≒ ＷPD＋２ＷISO ＋ＷG … （３）ここで、ＷPDはフォトダイオード幅、ＷISO は素子分離
領域幅、ＷG はトランジスタゲート幅であり、これらに
より水平方向のピッチＰh は概略決定される。前記素子
分離領域幅ＷISO は、通常１．０μｍ程度の値になり、
素子分離領域幅の２倍の領域が必要であることは素子の
高集積化の点で不利となる。

【００１３】また、図４に示すレイアウトでは、増幅率
を決定するフォトダイオード21-1-1、21-2-1から転送さ
れる信号電荷の充電すべき静電容量Ｃt は、Ｃt ≒ ＣFJ＋ＣG ＋ＣRS(S) ＋Ｃ(FJ-G)＋Ｃ(FJ-RS) …（４）ここで、ＣFJは転送トランジスタ22-1-1、22-2-1の共通
ドレインの容量、ＣＧは増幅トランジスタ２３−１−１
のゲートの容量、ＣRS(S) はリセットトランジスタ25-1
-1のソースの容量、Ｃ(FJ-G)は転送トランジスタ22-1-
1、22-2-1の共通ドレインから増幅トランジスタ23-1-1
のゲートまでの配線容量、Ｃ(FJ-RS) は転送トランジス
タ22-1-1、22-2-1の共通ドレインからリセットトランジ
スタ25-1-1のソースまでの配線容量である。

【００１４】この静電容量Ｃt が大きくなると、フォト
ダイオード21-1-1、21-2-1から転送された信号電荷が一
定量の場合、電位変動量が小さくなってしまい、この部
分が素子中に１ヶ所しかなく最適化する余地の大きいＣ
ＣＤ型の固体撮像装置に比べて、高感度化ができず著し
く不利となる。

【００１５】そこで本発明は、前記課題に鑑みてなされ
たものであり、増幅型のＭＯＳイメージセンサを用いた
固体撮像装置において、フォトダイオードを含む単位セ
ルを縮小化してフォトダイオードから転送される信号電
荷の転送先の容量を小さくすることにより、高集積化及
び高感度化が可能な固体撮像装置を提供することを目的
とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部を備えた
単位セルを半導体基板上に行列２次元状に配置してなる
増幅型のＭＯＳイメージセンサを用いた固体撮像装置で
あって、前記光電変換部が、フォトダイオード及びこの
フォトダイオードの検出信号を転送する転送用トランジ
スタと、前記検出信号を増幅する増幅用トランジスタと
を含む第１、第２の光電変換手段からなり、行方向の前
記第１、第２の光電変換手段を選択する垂直選択用トラ
ンジスタ及びリセットトランジスタのドレインに接続さ
れ、前記第１の光電変換手段及び第２の光電変換手段の
前記検出信号を読み出すために共通に利用されるドレイ
ン線とを具備する。

【００１７】また、本発明に係る固体撮像装置は、光電
変換部を備えた単位セルを半導体基板上に行列２次元状
に配置してなる増幅型のＭＯＳイメージセンサを用いた
固体撮像装置であって、前記光電変換部が、フォトダイ
オード及びこのフォトダイオードの検出信号を転送する
転送用トランジスタと、前記検出信号を増幅する増幅用
トランジスタとを含む第１、第２の光電変換手段からな
り、読み出しを行う行を選択する垂直選択手段と、前記
垂直選択手段により選択された行に相当する前記光電変
換手段の検出信号を読み出す、列方向に配置された複数
の垂直信号線と、前記垂直選択手段により選択された行
に相当する前記第１、第２の光電変換手段の検出信号の
読み出しを行うための垂直選択用トランジスタ及びリセ
ットトランジスタのドレインに接続されたドレイン線
と、行方向に配置された水平信号線に前記垂直信号線か
ら前記検出信号を順次読み出すための水平選択トランジ
スタとを具備し、前記ドレインラインが、前記第１、第
２の光電変換手段に対して１つ設けられ、前記第１の光
電変換手段及び第２の光電変換手段の前記検出信号を読
み出すために共用して利用されることを特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。図１は、この発明の実施
の形態のＭＯＳ型イメージセンサを用いた固体撮像装置
の構成を示す回路図である。

【００１９】この固体撮像装置には、図１に示すよう
に、上下方向に隣接して配置されたフォトダイオード1-
1-1 、1-2-1 、これらフォトダイオードにより光電変換
された検知信号を転送する転送トランジスタ2-1-1 、2-
2-1 、これら転送トランジスタにより転送された検知信
号を増幅する増幅トランジスタ3-1-1 、この増幅トラン
ジスタにより増幅された前記検知信号を読み出すための
ラインを選択する垂直選択トランジスタ4-1-1 、前記検
知信号の電荷をリセットするリセットトランジスタ5-1-
1 からなる単位セルが配置されている。

【００２０】同様に図１に示すように、フォトダイオー
ド1-1-2 、1-2-2 、…、1-3-4 、1-4-4 、転送トランジ
スタ2-1-2 、2-2-2 、…、2-3-4 、2-4-4 、増幅トラン
ジスタ3-1-2 、…、3-2-4 、垂直選択トランジスタ4-1-
2 、…、4-2-2 、及びリセットトランジスタ5-1-2 、
…、5-2-4 により複数の単位セルが形成され、これら単
位セルが行列２次元状に配置されている。

【００２１】なお、図1 では、前記単位セルが２（行）
×４（列）に、つまり、フォトダイオードが４（行）×
４（列）個に配置された場合を示したが、実際にはこれ
より多数の単位セルが配置されている。

【００２２】また、垂直シフトレジスタ６から水平方向
に配線されている水平アドレス線7-1 は前記垂直選択ト
ランジスタ4-1-1 、4-1-2 のゲートに接続され、水平ア
ドレス線7-2 は前記垂直選択トランジスタ4-2-1 、4-2-
2 のゲートに接続されている。前記水平アドレス線7-1
、7-2 は、前記検知信号を読み出すラインを決定す
る。同様に、垂直シフトレジスタ６から水平方向に配線
されているリセット線8-1は前記リセットトランジスタ5
-1-1 、5-1-2 、5-1-3 、5-1-4 のゲートに接続され、
リセット線8-2 は前記リセットトランジスタ5-2-1 、5-
2-2 、5-2-3 、5-2-4 のゲートに接続されている。

【００２３】前記増幅トランジスタ3-1-1 、3-2-1 のソ
ースは垂直方向に配線された垂直信号線9-1 に接続さ
れ、この垂直信号線9-1 の一端には負荷トランジスタ10
-1が設けられている。増幅トランジスタ3-1-2 、3-2-2
のソースは垂直方向に配線された垂直信号線9-2 に接続
され、この垂直信号線9-2 の一端には負荷トランジスタ
10-2が設けられる。同様に、増幅トランジスタ3-1-3 、
3-2-3 のソースは垂直方向に配線された垂直信号線9-3
に接続され、この垂直信号線9-3 の一端には負荷トラン
ジスタ10-3が設けられる。さらに、増幅トランジスタ3-
1-4 、3-2-4 のソースは垂直方向に配線された垂直信号
線9-4 に接続され、この垂直信号線9-4 の一端には負荷
トランジスタ10-4が設けられている。

【００２４】前記転送トランジスタ2-1-1 、2-1-2 、2-
1-3 、2-1-4 のゲートには、転送線11-1が接続されてい
る。同様に、転送トランジスタ2-2-1 、2-2-2 、2-2-3
、2-2-4 のゲートには転送線11-2が接続され、また転
送トランジスタ2-3-1 、2-3-2、2-3-3 、2-3-4 のゲー
トには転送線11-3が接続され、また転送トランジスタ2-
4-1 、2-4-2 、2-4-3 、2-4-4 のゲートには転送線11-4
が接続されている。

【００２５】さらに、前記垂直信号線9-1 、9-2 、9-3
、9-4 の他端には、水平シフトレジスタ１２から供給
される選択パルスにより駆動する水平選択トランジスタ
13-1、13-2、13-3、13-4をそれぞれ介して、水平信号線
１４が接続されている。

【００２６】前記垂直選択トランジスタ4-1-1 、4-2-1
のドレイン、及びリセットトランジスタ5-1-1 、5-1-2
、5-2-1 、5-2-2 のドレインには、ドレイン線15-1が
接続されている。同様に、垂直選択トランジスタ4-1-2
、4-2-2 のドレイン、及びリセットトランジスタ5-1-3
、5-1-4 、5-2-3 、5-2-4 のドレインには、ドレイン
線15-2が接続されている。

【００２７】さらに、垂直選択トランジスタ4-1-1 のソ
ースには増幅トランジスタ3-1-1 、3-1-2 のドレインが
接続され、同様に垂直選択トランジスタ4-1-2 のソース
には増幅トランジスタ3-1-3 、3-1-4 のドレインが、垂
直選択トランジスタ4-2-1 のソースには増幅トランジス
タ3-2-1 、3-2-2 のドレインが、垂直選択トランジスタ
4-2-2 のソースには増幅トランジスタ3-2-3 、3-2-4 の
ドレインがそれぞれ接続されている。なお、通常、前記
転送線11-1、11-2、11-3、11-4の他端には、図示しない
ノイズキャンセラー回路が設けられている。

【００２８】次に、この実施の形態のＭＯＳ型イメージ
センサを用いた固体撮像装置の動作について説明する。
転送トランジスタ2-1-1 、2-1-2 、…、2-4-4 のゲート
にローレベルが印加され、この転送トランジスタがオン
すると、光電変換にてフォトダイオード1-1-1、1-1-2
、…、1-4-4 に蓄積された信号電荷は、リセットトラ
ンジスタ5-1-1 、5-1-2 、…、5-2-4 にて事前に一定電
圧にリセットされている拡散層に流れ込み、電位を変化
させる。この電位の変化時に、垂直選択トランジスタ4-
1-1 、4-1-2 、…、4-2-2 をオンすれば、垂直信号線9-
1 、9-2 、9-3 、9-4 の端にある負荷トランジスタ10-
1、10-2、10-3、10-4と合せて、ソースホロア回路がで
きる。

【００２９】また、増幅トランジスタ3-1-1 、3-1-2 、
…、3-2-4 のソース部の電位変化を水平選択トランジス
タ13-1、13-2、13-3、13-4を順次オンし、水平信号線１
４により読み出しを順次繰り返すことにより、２次元的
なフォトダイオード1-1-1 、1-1-2 、…、1-4-4 のすべ
ての信号を読み出すことができる。

【００３０】この固体撮像装置の構成としては、上下に
隣接するフォトダイオードを対にするとともに、左右に
隣接するフォトダイオード対を組み合せ、ドレイン線を
各画素列間に設けるのではなく１つおきの画素列間に設
け、すなわち２つのダイオード対に対して１つのドレイ
ン線を設け、２つのフォトダイオード対でドレイン線を
共通に利用することを特徴とする。

【００３１】図２は、図１に示した回路構成を具体化し
たレイアウトの一部を示す図である。図２において図１
と共通するものには同じ符号を付し、符号の後ろの括弧
内の記号はＳ：ソース、Ｄ：ドレイン、Ｇ：ゲートを意
味している。

【００３２】フォトダイオード対をなすフォトダイオー
ド1-1-1 、1-2-1 の間には、転送トランジスタ2-1-1 、
2-2-1 のゲート2-1-1(G)、2-2-1(G)が配置され、これら
ゲート2-1-1(G)、2-2-1(G)の間には共通のドレイン2-1-
1(D)、2-2-1(D)が配置されている。

【００３３】さらに、この共通のドレイン2-1-1(D)、2-
2-1(D)の左側にはリセットトランジスタ5-1-1 、5-1-2
のゲート5-1-1(G)、5-1-2(G)が配置され、このゲート5-
1-1(G)、5-1-2(G)の左側には前記リセットトランジスタ
5-1-1 、5-1-2 のドレイン5-1-1(D)、5-1-2(D)が配置さ
れる。

【００３４】また、前記フォトダイオード対（1-1-1 、
1-2-1 ）と、その水平方向に隣接するフォトダイオード
対（1-1-2 、1-2-2 ）との間には、増幅トランジスタ3-
1-1、3-1-2 、垂直選択トランジスタ4-1-1 が配置され
ている。

【００３５】このように、４つのフォトダイオード、転
送トランジスタ2-1-1 、2-2-1 、増幅トランジスタ3-1-
1 、3-1-2 、垂直選択トランジスタ4-1-1 、リセットト
ランジスタ5-1-1 、5-1-2 、さらに垂直信号線9-1 、9-
2 、ドレイン線15-1によりユニットセル（単位セル）を
構成している。

【００３６】以上のような構成により、ドレイン線に接
続されているリセットトランジスタ5-1-1 、5-1-2 のド
レインと垂直選択トランジスタ4-1-1 のドレインが左右
の画素列を構成する左右のフォトダイオード対で共有化
できる。

【００３７】このように構成された本実施の形態の効果
について以下に説明する。本実施の形態の固体撮像装置
における水平方向のフォトダイオード間のピッチＰH
は、ＰH ≒ ＷPD＋１．５ＷISO ＋０．５ＷG …（１）となる。ここで、ＷPDはフォトダイオード幅、ＷISO は
素子分離領域幅、ＷG はトランジスタゲート幅である。
通常、ＷISO 及びＷG はほぼ１μｍ程度であるため、前
述の（３）式にて求められるフォトダイオード間のピッ
チＰh に比べて、前記ピッチＰH は約１．０μｍの水平
方向の縮小が図れる。１／４”光学系３３万画素ＶＧＡ
対応カメラでは、通常、水平方向のフォトダイオード間
のピッチＰH は５．６μｍなので、この縮小の効果は大
きい。

【００３８】また、フォトダイオードから転送される信
号電荷の充電すべき静電容量ＣT は、ＣT ≒ ＣFJ＋ＣG ＋Ｃ(FJ-G) …（２）となる。ここで、ＣFJは転送トランジスタ2-1-1 、2-2-
1 の共通ドレインの容量、ＣG は増幅トランジスタ3-1-
1 のゲートの容量、Ｃ(FJ-G)は転送トランジスタ2-1-1
、2-2-1 の共通ドレインから増幅トランジスタ3-1-1
のゲートまでの配線容量である。よって、この静電容量
ＣT は、前述の（４）式にて求められる静電容量Ｃt に
比べて低減でき、高感度化が図られる。

【００３９】通常、ＣFJ≒ＣG ≒ＣRS(S) ＝Ａ、Ｃ(FJ-
G)≒Ｃ(FJ-RS) ＝Ｂであって、Ａ＞＞ＢまたはＡ≒Ｂ
なので、約３割程度の容量低減ができ、同程度の高感度
が達成できる。

【００４０】以上説明したようにこの実施の形態によれ
ば、２つの画素列に対して１本のドレイン線を設けるこ
とにより、ユニットセルを縮小化して高集積化を図るこ
とができる。また、２つの画素列からなるユニットセル
中の素子分離は３個であり、１画素列当たり１．５個と
従来の２個に比べて７５％の縮小化を図ることができ
る。さらに、フォトダイオードからの信号電荷の転送先
の容量を小さくすることができ、高感度化が実現でき
る。

【００４１】なお、前記実施の形態では上下に隣接した
フォトダイオードを対にした例をもとに説明したが、こ
のようなフォトダイオード対となっていない構造に対し
ても本発明を適用することができる。

【００４２】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、増幅
型のＭＯＳイメージセンサを用いた固体撮像装置におい
て、フォトダイオードを含む単位セルを縮小化してフォ
トダイオードから転送される信号電荷の転送先の容量を
小さくすることにより、高集積化及び高感度化が可能な
固体撮像装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態の固体撮像装置の構成を
示す回路図である。

【図２】図１に示した構成を具体化したレイアウトを示
す図である。

【図３】従来の固体撮像装置の構成を示す回路図であ
る。

【図４】図３に示した構成を具体化したレイアウトを示
す図である。

【符号の説明】

1-1-1 、1-2-1 、1-1-2 、1-2-2 、…、1-3-4 、1-4-4
…フォトダイオード 2-1-1 、2-2-1 、2-1-2 、2-2-2 、…、2-3-4 、2-4-4
…転送トランジスタ 3-1-1 、3-1-2 、…、3-2-4 …増幅トランジスタ 4-1-1 、4-1-2 、…、4-2-2 …垂直選択トランジスタ 5-1-1 、5-1-2 、…、5-2-4 …リセットトランジスタ６…垂直シフトレジスタ 7-1 、7-2 …水平アドレス線 8-1 、8-2 …リセット線 9-1 、9-2 、9-3 、9-4 …垂直信号線 10-1、10-2、10-3、10-4…負荷トランジスタ 11-1、11-2、11-3、11-4…転送線１２…水平シフトレジスタ 13-1、13-2、13-3、13-4…水平選択トランジスタ１４…水平信号線 15-1、15-2…ドレイン線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光電変換部を備えた単位セルを半導体基
板上に行列２次元状に配置してなる増幅型のＭＯＳイメ
ージセンサを用いた固体撮像装置において、前記光電変換部は、フォトダイオード及びこのフォトダ
イオードの検出信号を転送する転送用トランジスタと、
前記検出信号を増幅する増幅用トランジスタとを含む第
１、第２の光電変換手段からなり、行方向の前記第１、第２の光電変換手段を選択する垂直
選択用トランジスタ及びリセットトランジスタのドレイ
ンに接続され、前記第１の光電変換手段及び第２の光電
変換手段の前記検出信号を読み出すために共通に利用さ
れるドレイン線を具備することを特徴とする固体撮像装
置。
【請求項２】光電変換部を備えた単位セルを半導体基
板上に行列２次元状に配置してなる増幅型のＭＯＳイメ
ージセンサを用いた固体撮像装置において、前記光電変換部は、フォトダイオード及びこのフォトダ
イオードの検出信号を転送する転送用トランジスタと、
前記検出信号を増幅する増幅用トランジスタとを含む第
１、第２の光電変換手段からなり、読み出しを行う行を選択する垂直選択手段と、前記垂直選択手段により選択された行に相当する前記光
電変換手段の検出信号を読み出す、列方向に配置された
複数の垂直信号線と、前記垂直選択手段により選択された行に相当する前記第
１、第２の光電変換手段の検出信号の読み出しを行うた
めの垂直選択用トランジスタ及びリセットトランジスタ
のドレインに接続されたドレイン線と、行方向に配置された水平信号線に前記垂直信号線から前
記検出信号を順次読み出すための水平選択トランジスタ
とを具備し、前記ドレインラインは、前記第１、第２の光電変換手段
に対して１つ設けられ、前記第１の光電変換手段及び第
２の光電変換手段の前記検出信号を読み出すために共用
して利用されることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】前記第１、第２の光電変換手段は、それ
ぞれに２組のフォトダイオード及びこのフォトダイオー
ドの検出信号を転送する転送用トランジスタと、前記検
出信号を増幅する増幅用トランジスタを有することを特
徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置。