JP2000009970A - 光伝送モジュール - Google Patents
光伝送モジュールInfo
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- JP2000009970A JP2000009970A JP10180410A JP18041098A JP2000009970A JP 2000009970 A JP2000009970 A JP 2000009970A JP 10180410 A JP10180410 A JP 10180410A JP 18041098 A JP18041098 A JP 18041098A JP 2000009970 A JP2000009970 A JP 2000009970A
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- transmission module
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光伝送モジュールの低コスト化を実現するこ
と。 【解決手段】 光伝送モジュールは発光素子、受光素子
および増幅器のうち少なくとも１つを含み、かつ外部と
の電気的接続を確保する接続手段を有し、発光素子、受
光素子、増幅器のうち少なくとも１つと接続手段とが樹
脂モールドで固定されており、該樹脂モールドは導電性
カバーで覆われていて、該導電性カバーが該接続手段の
少なくとも１つの接続部で接続されている。
と。 【解決手段】 光伝送モジュールは発光素子、受光素子
および増幅器のうち少なくとも１つを含み、かつ外部と
の電気的接続を確保する接続手段を有し、発光素子、受
光素子、増幅器のうち少なくとも１つと接続手段とが樹
脂モールドで固定されており、該樹脂モールドは導電性
カバーで覆われていて、該導電性カバーが該接続手段の
少なくとも１つの接続部で接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信に用いる送
信機、受信機およびこれらの複合体、すなわちいわゆる
光伝送モジュールに関する。
信機、受信機およびこれらの複合体、すなわちいわゆる
光伝送モジュールに関する。
【０００２】いわゆる光伝送モジュールは、光データリ
ンク、光トランシーバ、光送受信モジュール等種々の呼
び名があるが、本発明においては「光伝送モジュール」
と総称する。光伝送モジュールは、発光素子（ＬＥＤ、
ＬＤ）、受光素子（ＰＩＮ−ＰＤ、ＡＰＤ）、さらには
これらを動作させるためのドライブ用ＩＣや増幅器、信
号処理回路、および光ファイバとの嵌合部分である光コ
ネクタ等を組み合わせてなり、例えば光ファイバを用い
て波長１．３μｍの光で通信するために使われる。
ンク、光トランシーバ、光送受信モジュール等種々の呼
び名があるが、本発明においては「光伝送モジュール」
と総称する。光伝送モジュールは、発光素子（ＬＥＤ、
ＬＤ）、受光素子（ＰＩＮ−ＰＤ、ＡＰＤ）、さらには
これらを動作させるためのドライブ用ＩＣや増幅器、信
号処理回路、および光ファイバとの嵌合部分である光コ
ネクタ等を組み合わせてなり、例えば光ファイバを用い
て波長１．３μｍの光で通信するために使われる。
【０００３】
【従来の技術】マルチメディア社会の実現に向けて、加
入者向け光通信システムの検討が活発に行われている。
光通信システムは送信部分が外部にノイズを発散しない
ように、また受信部分が外部からのノイズを拾わないよ
うにする必要がある。そのため従来の光伝送モジュール
は、主として金属ケースまたはメタライズされたセラミ
ックケースに収納されていた。
入者向け光通信システムの検討が活発に行われている。
光通信システムは送信部分が外部にノイズを発散しない
ように、また受信部分が外部からのノイズを拾わないよ
うにする必要がある。そのため従来の光伝送モジュール
は、主として金属ケースまたはメタライズされたセラミ
ックケースに収納されていた。
【０００４】光通信技術の発展に伴い、光受信モジュー
ルには小型化が要求され、特に光加入者システムを構築
するためには低価格な光モジュールが不可欠であり、さ
らには汎用のＩＣ等のように電子機器のボードに表面実
装できることが必要である。そのため、図１に示すよう
な従来の同軸型の構造から、電子機器のボードに実装が
容易な、図２に示すようなデュアルインラインパッケー
ジ（ＤＩＬ−ＰＫＧ）型のもの、あるいは図３に示すよ
うなＧＡＬ−ｗｉｎｇ型やＳＯＰのようなものが要求さ
れてきた。ただし図１〜図３において、１は光ファイバ
を、２はリードを、３はパッケージ（ＰＫＧ）を、４は
キャップを表す。
ルには小型化が要求され、特に光加入者システムを構築
するためには低価格な光モジュールが不可欠であり、さ
らには汎用のＩＣ等のように電子機器のボードに表面実
装できることが必要である。そのため、図１に示すよう
な従来の同軸型の構造から、電子機器のボードに実装が
容易な、図２に示すようなデュアルインラインパッケー
ジ（ＤＩＬ−ＰＫＧ）型のもの、あるいは図３に示すよ
うなＧＡＬ−ｗｉｎｇ型やＳＯＰのようなものが要求さ
れてきた。ただし図１〜図３において、１は光ファイバ
を、２はリードを、３はパッケージ（ＰＫＧ）を、４は
キャップを表す。
【０００５】光伝送モジュールの低価格化を実現するた
めには、ＰＫＧを用いずに樹脂でモールドされた樹脂成
形体（ここでは「樹脂モールド」ということもある）を
用いることが有効であり、光ファイバ１、リード２、樹
脂モールド５を有する図４のような樹脂モールド型モジ
ュールが提案された。
めには、ＰＫＧを用いずに樹脂でモールドされた樹脂成
形体（ここでは「樹脂モールド」ということもある）を
用いることが有効であり、光ファイバ１、リード２、樹
脂モールド５を有する図４のような樹脂モールド型モジ
ュールが提案された。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この樹脂モー
ルド型モジュールでは従来のＰＫＧを用いたモジュール
のようなシールド効果がないので、外部からの電気的ま
たは磁気的なノイズを受け易く受信感度が低下するとい
う欠点がある。例えば、受信感度が１ｄＢ低下すると、
ファイバの伝送損失からの換算によれば伝送距離が数ｋ
ｍ短くなってしまう。
ルド型モジュールでは従来のＰＫＧを用いたモジュール
のようなシールド効果がないので、外部からの電気的ま
たは磁気的なノイズを受け易く受信感度が低下するとい
う欠点がある。例えば、受信感度が１ｄＢ低下すると、
ファイバの伝送損失からの換算によれば伝送距離が数ｋ
ｍ短くなってしまう。
【０００７】受信感度の低下を避けるためには樹脂でモ
ールドした後モジュールを金属製のＰＫＧにはめ込めば
よいが、これでは従来のＰＫＧを用いたモジュールより
高価になってしまう。一方、樹脂でモールドする前に、
ＰＤや増幅器等に金属製キャップをかぶせても高価なも
のになってしまう。
ールドした後モジュールを金属製のＰＫＧにはめ込めば
よいが、これでは従来のＰＫＧを用いたモジュールより
高価になってしまう。一方、樹脂でモールドする前に、
ＰＤや増幅器等に金属製キャップをかぶせても高価なも
のになってしまう。
【０００８】したがって、樹脂モールドの成形技術によ
る低コストという利点を生かしたまま、ノイズ対策を施
したモジュールが求められていたが、両者を満足しうる
モジュールは実現していなかった。
る低コストという利点を生かしたまま、ノイズ対策を施
したモジュールが求められていたが、両者を満足しうる
モジュールは実現していなかった。
【０００９】本発明は上記問題点を解決すべくなされた
ものであり、本発明の目的は、低コストでかつノイズ対
策を施した光伝送モジュールを提供することにある。
ものであり、本発明の目的は、低コストでかつノイズ対
策を施した光伝送モジュールを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の光伝送モジュー
ルは、発光素子、受光素子および増幅器のうち少なくと
も１つを含み、かつ外部との電気的接続を確保する接続
手段を有する光伝送モジュールにおいて、発光素子、受
光素子、増幅器のうち少なくとも１つと接続手段とが樹
脂モールドで固定されており、該樹脂モールドは導電性
カバーで覆われていて、該導電性カバーが該接続手段の
少なくとも１つの接続部で接続されていることを特徴と
する。
ルは、発光素子、受光素子および増幅器のうち少なくと
も１つを含み、かつ外部との電気的接続を確保する接続
手段を有する光伝送モジュールにおいて、発光素子、受
光素子、増幅器のうち少なくとも１つと接続手段とが樹
脂モールドで固定されており、該樹脂モールドは導電性
カバーで覆われていて、該導電性カバーが該接続手段の
少なくとも１つの接続部で接続されていることを特徴と
する。
【００１１】ここで接続部はグランドピンから構成され
ていることができる。
ていることができる。
【００１２】また、接続部は嵌合部分からなることがで
きる。
きる。
【００１３】ここで、嵌合部分は接続用突起部を有する
ことができる。
ことができる。
【００１４】また、導電性カバーは金属製カバーである
ことができる。
ことができる。
【００１５】また、導電性カバーは導電性樹脂製カバー
であることができる。
であることができる。
【００１６】また、導電性カバーは金属メッキを施した
樹脂製のカバーであることができる。
樹脂製のカバーであることができる。
【００１７】また、接続は半田付けによりなされている
ことができる。
ことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の光伝送モジュールは、モ
ジュールの上方部分および左右部分をシールドするよう
に導電性のカバーで覆われている。また、モジュールは
リードフレームのベース部分がグランドになっており、
リード端子が導電性のカバーと接続部によって電気的に
接続されている。本発明において接続部は例えばグラン
ドピンから構成されていてもよく、導電性のカバーをし
っかり固定できるなら１個のグランドピンのみで接続さ
れていてもよい。ただし、例えばリードフレームのベー
スの４隅にリード端子を形成し、これに導電性カバーの
４隅に設置した４個のグランドピンで接続すれば、しっ
かりと容易に導電性カバーを固定することができ、また
導通箇所が多くなるのでいわゆるグランドの強化につな
がりシールドの効果も確実になる。
ジュールの上方部分および左右部分をシールドするよう
に導電性のカバーで覆われている。また、モジュールは
リードフレームのベース部分がグランドになっており、
リード端子が導電性のカバーと接続部によって電気的に
接続されている。本発明において接続部は例えばグラン
ドピンから構成されていてもよく、導電性のカバーをし
っかり固定できるなら１個のグランドピンのみで接続さ
れていてもよい。ただし、例えばリードフレームのベー
スの４隅にリード端子を形成し、これに導電性カバーの
４隅に設置した４個のグランドピンで接続すれば、しっ
かりと容易に導電性カバーを固定することができ、また
導通箇所が多くなるのでいわゆるグランドの強化につな
がりシールドの効果も確実になる。
【００１９】本発明において、グランドピンとリード端
子との接続は、半田付けによりまたは溶接により接続し
てもよい。また、接続部はリード端子と嵌合する把持部
からなっても、または突起形状等を有するリード端子と
このリード端子と嵌合するはめ込み部からなってもよ
く、これらが嵌合することにより接触させてもよい。
子との接続は、半田付けによりまたは溶接により接続し
てもよい。また、接続部はリード端子と嵌合する把持部
からなっても、または突起形状等を有するリード端子と
このリード端子と嵌合するはめ込み部からなってもよ
く、これらが嵌合することにより接触させてもよい。
【００２０】導電性カバーは、金属製のカバーであって
もよいが、導電性樹脂の成形体、あるいは樹脂の成形体
に導電性の皮膜を塗布したもの、例えば金属メッキを施
したもの等でもよい。
もよいが、導電性樹脂の成形体、あるいは樹脂の成形体
に導電性の皮膜を塗布したもの、例えば金属メッキを施
したもの等でもよい。
【００２１】
【実施例】以下に図面を用いて本発明をさらに詳しく説
明する。
明する。
【００２２】図５（ａ）は、本発明の光伝送モジュール
の一態様の構造を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の
光伝送モジュールをＡＡ’の線で切ったときの断面図で
ある。なお、リードフレームのベース１２は樹脂でモー
ルドされており、この樹脂で成形されたモジュール本体
１３は金属製カバー１４で覆われている。金属製カバー
の４隅にはグランドに接続される突起部１１が４か所配
置されていて、リードフレームのベースの８つのリード
端子１５のうち４隅の４つと半田付けされて接続してい
る。
の一態様の構造を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の
光伝送モジュールをＡＡ’の線で切ったときの断面図で
ある。なお、リードフレームのベース１２は樹脂でモー
ルドされており、この樹脂で成形されたモジュール本体
１３は金属製カバー１４で覆われている。金属製カバー
の４隅にはグランドに接続される突起部１１が４か所配
置されていて、リードフレームのベースの８つのリード
端子１５のうち４隅の４つと半田付けされて接続してい
る。
【００２３】本発明の光伝送モジュールの内部構造の概
略を図６に例示するが、本発明は内部構造の相違によっ
て特に限定されるものではない。図６において、厚さ１
ｍｍのＳｉベンチ２２にＶ溝を形成し、これにフェルー
ル２３に収納されたシングルモードの光ファイバ２１を
エポキシ樹脂で固定する。ただし光ファイバはシングル
モードファイバに限定されるわけではない。次いで、光
ファイバを固定したＳｉベンチを銅製のリードフレーム
のベース２４上にエポキシ樹脂等で固定し、光ファイバ
の光出射端面近傍にＡｌ2 Ｏ3 サブマウント２５に乗せ
られたＩｎＧａＡｓを受光層とするフォトダイオード
（ＰＩＮ−ＰＤ）２６をＡｕＳｎで半田付けする。フォ
トダイオード（ＰＤ）の後方に増幅器２７を導電性エポ
キシ樹脂で固定する。増幅器Ｓｉ−ＭＯＳ−ＩＣはフォ
トダイオードによって光信号から電気信号に変換された
微弱な信号を増幅する機能を有する。直径３０μｍのＡ
ｕ線（図示せず）でＰＤと増幅器、リードフレームの端
子間をボールボンディングして電気的に接続する。その
後、全体をエポキシ系樹脂で成形する。
略を図６に例示するが、本発明は内部構造の相違によっ
て特に限定されるものではない。図６において、厚さ１
ｍｍのＳｉベンチ２２にＶ溝を形成し、これにフェルー
ル２３に収納されたシングルモードの光ファイバ２１を
エポキシ樹脂で固定する。ただし光ファイバはシングル
モードファイバに限定されるわけではない。次いで、光
ファイバを固定したＳｉベンチを銅製のリードフレーム
のベース２４上にエポキシ樹脂等で固定し、光ファイバ
の光出射端面近傍にＡｌ2 Ｏ3 サブマウント２５に乗せ
られたＩｎＧａＡｓを受光層とするフォトダイオード
（ＰＩＮ−ＰＤ）２６をＡｕＳｎで半田付けする。フォ
トダイオード（ＰＤ）の後方に増幅器２７を導電性エポ
キシ樹脂で固定する。増幅器Ｓｉ−ＭＯＳ−ＩＣはフォ
トダイオードによって光信号から電気信号に変換された
微弱な信号を増幅する機能を有する。直径３０μｍのＡ
ｕ線（図示せず）でＰＤと増幅器、リードフレームの端
子間をボールボンディングして電気的に接続する。その
後、全体をエポキシ系樹脂で成形する。
【００２４】樹脂成形後のモジュールの受信回路の概略
を図７に例示する。ここでは４隅のリード端子１５をグ
ランドにしている。外形形状は、縦が約１０ｍｍ、横が
約１５ｍｍ、高さが約３ｍｍである。
を図７に例示する。ここでは４隅のリード端子１５をグ
ランドにしている。外形形状は、縦が約１０ｍｍ、横が
約１５ｍｍ、高さが約３ｍｍである。
【００２５】この上に厚さ約０．１〜０．２ｍｍの銅製
の薄いカバー２８を半田付けした状態を図８に示す。た
だし、薄いカバーの取り付けにはＳｎＰｂの半田付けを
用いた。
の薄いカバー２８を半田付けした状態を図８に示す。た
だし、薄いカバーの取り付けにはＳｎＰｂの半田付けを
用いた。
【００２６】図９（ａ）〜（ｃ）に接続部が嵌合部から
構成される本発明の光伝送モジュールを示す。図９
（ｂ）には図９（ａ）中の接続部３３の態様を拡大して
示した。図９（ｂ）の態様の代わりに図９（ｃ）の態様
の接続部を用いてもよい。すなわち、導電性カバーとリ
ード端子との接続は、図９（ｂ）に示すように、導電性
カバー３１に把持部３４が形成されていてリード端子３
２を挟み込むように接続してもよいし、図９（ｃ）に示
すように、把持部の代わりに膨らみ部３６があり、リー
ド端子の凹部と嵌合させて接続してもよい。あるいは図
１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、導電性カバーの接続
部分に突起部３７を形成しておき、これがリード端子３
２′と絡むように接続してもよいし、図１１（ａ）、
（ｂ）に示すように、導電性カバー３１の接続部分がリ
ード端子３２′をくわえ込むような形で形成されてい
て、リード端子の先端に嵌合しうる膨らみ部分を設け、
両者をはめ込むことにより接続してもよい。ここで図１
０（ａ）は本発明の接続部が嵌合部から構成される光モ
ジュールの外観を示し、図１０（ｂ）はその接続部３３
を拡大した部分を、図１０（ｃ）はリード端子３２、３
２′中の導電性カバーに接続するリード端子３２′の接
続部分の拡大図を示す。また、図１１（ａ）は本発明の
接続部が嵌合部から構成される光モジュールの平面図を
示し、図１１（ｂ）は図１１（ａ）における直線ＢＢ′
で切ったときの断面の主要部を表す。ここで用いられる
符号は特に断らない限り同一符号は同様の機能を有する
ものとする。
構成される本発明の光伝送モジュールを示す。図９
（ｂ）には図９（ａ）中の接続部３３の態様を拡大して
示した。図９（ｂ）の態様の代わりに図９（ｃ）の態様
の接続部を用いてもよい。すなわち、導電性カバーとリ
ード端子との接続は、図９（ｂ）に示すように、導電性
カバー３１に把持部３４が形成されていてリード端子３
２を挟み込むように接続してもよいし、図９（ｃ）に示
すように、把持部の代わりに膨らみ部３６があり、リー
ド端子の凹部と嵌合させて接続してもよい。あるいは図
１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、導電性カバーの接続
部分に突起部３７を形成しておき、これがリード端子３
２′と絡むように接続してもよいし、図１１（ａ）、
（ｂ）に示すように、導電性カバー３１の接続部分がリ
ード端子３２′をくわえ込むような形で形成されてい
て、リード端子の先端に嵌合しうる膨らみ部分を設け、
両者をはめ込むことにより接続してもよい。ここで図１
０（ａ）は本発明の接続部が嵌合部から構成される光モ
ジュールの外観を示し、図１０（ｂ）はその接続部３３
を拡大した部分を、図１０（ｃ）はリード端子３２、３
２′中の導電性カバーに接続するリード端子３２′の接
続部分の拡大図を示す。また、図１１（ａ）は本発明の
接続部が嵌合部から構成される光モジュールの平面図を
示し、図１１（ｂ）は図１１（ａ）における直線ＢＢ′
で切ったときの断面の主要部を表す。ここで用いられる
符号は特に断らない限り同一符号は同様の機能を有する
ものとする。
【００２７】次いで、図８に示す金属製カバーのついて
いる光受信モジュールＡと金属カバーが付いていない以
外は図７のモジュールと同様の光受信モジュールＢとを
用いて受信感度を測定し、その値を比較した。すなわ
ち、波長１．３μｍのＬＤ光源を用いて１５５Ｍｂｐｓ
の光信号を発生させ、符号の誤り率が１０-9となる最小
受信感度を測定したところ、金属製カバー付きのモジュ
ールＡでは−３９ｄＢｍであったがカバーなしの金属製
モジュールＢでは−３５ｄＢｍであり３ｄＢｍの違いが
確認された。
いる光受信モジュールＡと金属カバーが付いていない以
外は図７のモジュールと同様の光受信モジュールＢとを
用いて受信感度を測定し、その値を比較した。すなわ
ち、波長１．３μｍのＬＤ光源を用いて１５５Ｍｂｐｓ
の光信号を発生させ、符号の誤り率が１０-9となる最小
受信感度を測定したところ、金属製カバー付きのモジュ
ールＡでは−３９ｄＢｍであったがカバーなしの金属製
モジュールＢでは−３５ｄＢｍであり３ｄＢｍの違いが
確認された。
【００２８】また、本発明の光伝送モジュールは、樹脂
モールドで成形した後、安価な金属製のカバーを少なく
とも１つ以上のリード端子に半田付けしたものであり、
シールドに金属のＰＫＧを用いないので、モジュールの
コストを低く押さえることができた。
モールドで成形した後、安価な金属製のカバーを少なく
とも１つ以上のリード端子に半田付けしたものであり、
シールドに金属のＰＫＧを用いないので、モジュールの
コストを低く押さえることができた。
【００２９】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明によ
れば、樹脂モールド成形という安価な製造技術を使い、
かつ簡便に外来ノイズを遮断することができる光伝送モ
ジュールを実現することができた。
れば、樹脂モールド成形という安価な製造技術を使い、
かつ簡便に外来ノイズを遮断することができる光伝送モ
ジュールを実現することができた。
【００３０】なお、上記実施例は受信機の場合を説明し
たが、本発明は送信機でも効果を発揮し、送信機の場合
には外部に電気信号を発散させない効果がある。また、
送信機と受信機とは近接して置かれる場合が多いが、そ
れぞれに安価な導電性のカバーをかぶせることによりお
互いの干渉をなくすことができ、小型化、低コスト化の
みならず全体のスペースの小型化にも非常に大きな効果
を発揮することができる。
たが、本発明は送信機でも効果を発揮し、送信機の場合
には外部に電気信号を発散させない効果がある。また、
送信機と受信機とは近接して置かれる場合が多いが、そ
れぞれに安価な導電性のカバーをかぶせることによりお
互いの干渉をなくすことができ、小型化、低コスト化の
みならず全体のスペースの小型化にも非常に大きな効果
を発揮することができる。
【図１】従来の同軸型モジュールの斜視図である。
【図２】従来のＤＩＬ−ＰＫＧ型モジュールの斜視図で
ある。
ある。
【図３】従来のＧＡＬ−ｗｉｎｇ型モジュールの斜視図
である。
である。
【図４】従来の樹脂モールド型モジュールの斜視図であ
る。
る。
【図５】（ａ）は本発明の光伝送モジュールの平面図で
あり、（ｂ）は本発明の光伝送モジュールの断面図であ
る。
あり、（ｂ）は本発明の光伝送モジュールの断面図であ
る。
【図６】本発明の光伝送モジュールの内部構造を示す概
念図である。
念図である。
【図７】本発明の光伝送モジュールを用いて光伝送を行
った場合の回路の概念図である。
った場合の回路の概念図である。
【図８】本発明の光伝送モジュールに銅カバーを取り付
けた状態を示す平面図である。
けた状態を示す平面図である。
【図９】（ａ）は本発明の光伝送モジュールの斜視図で
あり、（ｂ）はリード端子と導電性カバーとの接続部の
一態様を示す断面図であり、（ｃ）はリード端子と導電
性カバーとの接続部の別の態様を示す断面図である。
あり、（ｂ）はリード端子と導電性カバーとの接続部の
一態様を示す断面図であり、（ｃ）はリード端子と導電
性カバーとの接続部の別の態様を示す断面図である。
【図１０】（ａ）は本発明の光伝送モジュールの平面図
であり、（ｂ）はリード端子と導電性カバーとの接続部
を示す斜視図であり、（ｃ）はリード端子と導電性カバ
ーとの接続部を示す拡大平面図である。
であり、（ｂ）はリード端子と導電性カバーとの接続部
を示す斜視図であり、（ｃ）はリード端子と導電性カバ
ーとの接続部を示す拡大平面図である。
【図１１】（ａ）は本発明の光伝送モジュールの平面図
であり、（ｂ）はリード端子と導電性カバーとの接続部
を示す断面の主要部を示す断面図である。
であり、（ｂ）はリード端子と導電性カバーとの接続部
を示す断面の主要部を示す断面図である。
１ 光ファイバ ２ リード ３ ＰＫＧ ４ キャップ ５ 樹脂モールド １１ グランドピン １２ リードフレームのベース １３ 樹脂モールドされたモジュール本体 １４ 金属製カバー １５ リード端子 １６ 半田付け部分 ２１ 光ファイバ ２２ Ｓｉベンチ ２３ フェルール ２４ リードフレームのベース ２５ サブマウント ２６ ＰＤ（ホトダイオード） ２７ 増幅器 ２８ 銅製カバー ３１ 導電性カバー ３２，３２′ リード端子 ３３ 接続部分 ３４ 把持部 ３５ モジュール本体 ３６ 膨らみ部 ３７ 突起部
フロントページの続き (72)発明者 工原 美樹 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA11 DA02 DA40 5F041 DA17 DA44 DA59 5F088 AA03 AB07 BB01 GA05 HA10 JA02 JA06 LA01
Claims (8)
- 【請求項１】 発光素子、受光素子および増幅器のうち
少なくとも１つを含み、かつ外部との電気的接続を確保
する接続手段を有する光伝送モジュールにおいて、前記
発光素子、受光素子、増幅器のうち少なくとも１つと接
続手段とが樹脂モールドで固定されており、該樹脂モー
ルドは導電性カバーで覆われていて、該導電性カバーが
該接続手段の少なくとも１つの接続部で接続されている
ことを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項２】 前記接続部がグランドピンから構成され
ていることを特徴とする請求項１に記載の光伝送モジュ
ール。 - 【請求項３】 前記接続部が嵌合部分からなることを特
徴とする請求項１に記載の光伝送モジュール。 - 【請求項４】 前記嵌合部分が接続用突起部を有するこ
とを特徴とする請求項３に記載の光伝送モジュール。 - 【請求項５】 前記導電性カバーが金属製カバーである
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の光
伝送モジュール。 - 【請求項６】 前記導電性カバーが導電性樹脂製カバー
であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記
載の光伝送モジュール。 - 【請求項７】 前記導電性カバーが金属メッキを施した
樹脂製のカバーであることを特徴とする請求項１から４
のいずれかに記載の光伝送モジュール。 - 【請求項８】 前記接続が半田付けによりなされている
ことを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の光
伝送モジュール。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-06-26 JP JP18041098A patent/JP4029369B2/ja not_active Expired - Fee Related
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