JP2000009900A - 電子線照射装置および電子線照射方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複雑なシール技術等を必要とせずに確実にイ
ナーティングを行いながら電子線を照射することができ
る電子線照射装置および電子線照射方法を提供するこ
と。 【解決手段】 照射対象である缶体Ｃに電子線を照射す
る電子線照射部１は電子線照射管２を有している。缶体
Ｃの近傍には、缶体Ｃに向けて不活性ガスである窒素ガ
スを供給する窒素ガス供給ノズル４が設けられており、
缶体Ｃを挟んで窒素ガス供給ノズル４の反対側には缶体
Ｃに供給された窒素ガスを吸引する窒素ガス吸引ノズル
６が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、照射対象に対し不
活性ガスによりイナーティングを行いながら電子線を照
射する電子線照射装置および電子線照射方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】基材に施された塗料、印刷インキ、接着
剤、粘着剤等の被覆剤、およびその他の樹脂製品の架
橋、硬化または処理方法として電子線照射によるものが
提案されており、これまでに多くの検討がなされてい
る。この方法は、真空中で電子を電圧にて加速し、この
加速された電子を空気中等の常圧雰囲気中に取り出し、
物体に対して電子線（ＥＢ）を照射する方法である。

【０００３】電子線照射による硬化、架橋および処理の
利点としては、次のようなものが挙げられる。 (1)希釈剤として有機溶剤を含有させる必要がないので
環境に優しい。 (2)硬化速度が速い（生産性大）。 (3)熱乾燥よりも硬化作業面積が少なくてすむ。 (4)基材に熱がかからない（熱に弱いものにも適用可
能）。 (5)後加工がすぐできる（冷却、エージング等が不要で
ある）。 (6)電気的作業条件を管理すればよいから、熱乾燥の際
の温度管理よりも管理しやすい。 (7)開始剤、増感剤がなくてもよいので、不純物の少な
いものができる（品質の向上）。

【０００４】ところで、電子線照射により硬化、架橋お
よび処理を行う場合、雰囲気に酸素が含まれていると、
被覆剤として用いられている電子線硬化型樹脂の重合が
阻害されるため、窒素等の不活性ガスによるイナーティ
ングが必要である。

【０００５】従来、このようなイナーティングを行う方
法としては、照射室内を窒素ガス等の不活性ガス雰囲気
とし、照射室の出入口をシールするものが種々提案され
ているが、シール構造が複雑になったり、必ずしもイナ
ーティングが十分でない等の問題がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、複雑なシール技術等を必
要とせずに確実にイナーティングを行いながら電子線を
照射することができる電子線照射装置を提供することを
目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第１発明は、照射対象に電子線を照射する電子線照
射部と、照射対象近傍に設けられ、照射対象に向けて不
活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、照射対象を挟
んで前記不活性ガス供給部の反対側に設けられ、照射対
象に供給された不活性ガスを吸引する不活性ガス吸引部
とを具備することを特徴とする電子線照射装置を提供す
る。

【０００８】第２発明は、照射対象に電子線を照射する
電子線照射部と、前記照射部と一体的に設けられ、照射
対象に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを具備
することを特徴とする電子線照射装置を提供する。

【０００９】第３発明は、照射対象に電子線を照射する
電子線照射部と、照射対象近傍に設けられ、照射対象に
向けて不活性ガスを供給する複数の不活性ガス供給部と
を具備し、前記複数の不活性ガス供給部は、電子線照射
部から照射された電子線の照射領域で供給された不活性
ガス流がぶつかり合うように配置されていることを特徴
とする電子線照射装置を提供する。

【００１０】第４発明は、照射対象を連続的に搬送する
搬送ラインと、搬送ライン上を搬送されている照射対象
に電子線を照射する電子線照射部と、少なくとも前記電
子線照射部の電子線射出部分から前記搬送ラインにおけ
る電子線被照射部までを含む領域を収容する照射室と、
前記照射室内に不活性ガスの一定方向の流れを形成する
不活性ガス流形成手段とを具備することを特徴とする電
子線照射装置を提供する。

【００１１】第５発明は、照射対象を連続的に搬送する
搬送ラインと、搬送ライン上を搬送されている照射対象
に電子線を照射する電子線照射部と、少なくとも前記電
子線照射部の電子線射出部分から前記搬送ラインにおけ
る電子線被照射部までを含む領域を収容する照射室と、
前記照射室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部
と、前記照射室の搬入側および／または搬出側に設けら
れた１つまたは２つ以上のチャンバーと、前記１つまた
は２つ以上のチャンバー内に、前記照射室から排出され
た不活性ガス、または照射室に供給された不活性ガスよ
り酸素濃度の高い不活性ガスを供給する不活性ガス供給
手段とを具備することを特徴とする電子線照射装置を提
供する。

【００１２】第６発明は、照射対象を連続的に搬送する
搬送ラインと、搬送ライン上を搬送されている照射対象
に電子線を照射する電子線照射部と、少なくとも前記電
子線照射部から電子線が射出される射出部から前記搬送
ラインにおける電子線被照射部までを含む領域を収容す
る照射室と、前記照射室内に不活性ガスの一定方向の流
れを形成する不活性ガス流形成手段と、前記照射室の搬
入側および／または搬出側に設けられた１つまたは２つ
以上のチャンバーと、前記１つまたは２つ以上のチャン
バー内に、前記照射室から排出された不活性ガス、また
は照射室に供給された不活性ガスより酸素濃度の高い不
活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを具備するこ
とを特徴とする電子線照射装置を提供する。

【００１３】第７発明は、上記いずれかの電子線照射装
置において、前記電子線照射部は真空管型電子線照射管
を有していることを特徴とする電子線照射装置を提供す
る。

【００１４】第８発明は、照射対象に電子線を照射する
電子線照射方法であって、照射対象近傍に設けられた不
活性ガス供給部から照射対象に向けて不活性ガスを供給
するとともに、照射対象を挟んで不活性ガス供給部の反
対側で不活性ガス吸引部により照射対象に供給された不
活性ガスを吸引しながら電子線を照射することを特徴と
する電子線照射方法を提供する。

【００１５】第９発明は、照射対象に電子線を照射する
電子線照射方法であって、電子線照射部と一体的に設け
られた不活性ガス供給部から照射対象に不活性ガスを供
給しながら電子線を照射することを特徴とする電子線照
射方法を提供する。

【００１６】第１０発明は、照射対象に電子線を照射す
る電子線照射方法であって、照射対象近傍に設けられた
複数の不活性ガス供給部から、電子線照射部から照射さ
れた電子線の照射領域で不活性ガス流がぶつかり合うよ
うに、不活性ガスを供給しながら電子線を照射すること
を特徴とする電子線照射方法を提供する。

【００１７】第１１発明は、照射対象を連続的に搬送す
る搬送ライン上を搬送されている照射対象に電子線を照
射する電子線照射方法であって、少なくとも前記電子線
照射部の電子線射出部分から前記搬送ラインにおける電
子線被照射部までを含む領域を照射室内に配置し、この
照射室内に不活性ガスの一定方向の流れを形成しながら
照射対象に電子線を照射することを特徴とする電子線照
射方法を提供する。

【００１８】第１２発明は、照射対象を連続的に搬送す
る搬送ライン上を搬送されている照射対象に電子線を照
射する電子線照射方法であって、少なくとも前記電子線
照射部の電子線射出部分から前記搬送ラインにおける電
子線被照射部までを含む領域を照射室内に配置し、この
照射室に不活性ガスを供給するとともに、照射室の搬入
側および／または搬出側に１つまたは２つ以上のチャン
バーを設け、このチャンバー内に、前記照射室から排出
された不活性ガス、または照射室に供給された不活性ガ
スより酸素濃度の高い不活性ガスを供給しながら電子線
を照射することを特徴とする電子線照射方法を提供す
る。

【００１９】第１３発明は、照射対象を連続的に搬送す
る搬送ライン上を搬送されている照射対象に電子線を照
射する電子線照射方法であって、少なくとも電子線照射
部の電子線射出部分から前記搬送ラインにおける電子線
被照射部までを含む領域を照射室内に配置し、この照射
室内に不活性ガスの一定方向の流れを形成するととも
に、照射室の搬入側および／または搬出側に１つまたは
２つ以上のチャンバーを設け、このチャンバー内に、前
記照射室から排出された不活性ガス、または照射室に供
給された不活性ガスより酸素濃度の高い不活性ガスを供
給しながら電子線を照射することを特徴とする電子線照
射方法を提供する。

【００２０】第１４発明は、上記いずれかの電子線照射
方法において、電子線照射部は真空管型電子線照射管を
有していることを特徴とする電子線照射方法を提供す
る。

【００２１】第１発明および第８発明によれば、電子線
照射部から照射対象に電子線を照射する際に、照射対象
近傍に設けられた不活性ガス供給部から照射対象に向け
て不活性ガスを供給するとともに、照射対象を挟んで不
活性ガス供給部の反対側で不活性ガス吸引部により照射
対象に供給された不活性ガスを吸引するので、イナーテ
ィングが必要な照射対象近傍のみ不活性ガス置換され、
少ない不活性ガス量で効率良く、かつ大掛かりな設備を
用いずに確実にイナーティングを行うことができる。

【００２２】第２発明および第９発明によれば、電子線
を照射する際に、電子線照射部と一体的に設けられた不
活性ガス供給部から照射対象に不活性ガスを供給するの
で、同様に、イナーティングが必要な照射対象近傍のみ
不活性ガス置換することができ、また、不活性ガス供給
部の先端と照射対象との間隙を狭くすることができる。
したがって、不活性ガスを大量に使用せず、かつ大掛か
りな設備を用いずに確実にイナーティングを行うことが
できるとともに、不活性ガスのロスを一層低減すること
ができる。

【００２３】第３発明および第１０発明によれば、照射
対象に電子線を照射する際に、照射対象近傍に設けられ
た複数の不活性ガス供給部から、電子線照射部から照射
された電子線の照射領域で不活性ガス流がぶつかり合う
ように、不活性ガスを供給するので、同様に、イナーテ
ィングが必要な照射対象近傍のみ不活性ガス置換され、
少ない不活性ガス量で効率良く、かつ大掛かりな設備を
用いずに確実にイナーティングを行うことができる。

【００２４】第４発明および第１１発明によれば、少な
くとも電子線照射部の電子線射出部分から搬送ラインに
おける電子線被照射部までを含む領域を収容する照射室
内に不活性ガスの一定方向への流れを形成するので、連
続搬送されている照射対象に電子線を照射する際に、複
雑なシール技術を用いることなく、確実にイナーティン
グを行うことができる。

【００２５】第５発明および第１２発明によれば、照射
室に不活性ガスを供給するとともに、照射室の搬入側お
よび／または搬出側に１つまたは２つ以上のチャンバー
を設け、このチャンバー内に、前記照射室から排出され
た不活性ガス、または照射室に供給された不活性ガスよ
り酸素濃度の高い不活性ガスを供給するので、連続搬送
されている照射対象に電子線を照射する際に、複雑なシ
ール技術を用いることなく、確実にイナーティングを行
うことができ、また、照射室で使用された不活性ガスま
たは酸素濃度の高い不活性ガスを再利用してコストの低
減を図りつつイナーティングの確実性を高めることがで
きる。

【００２６】第６発明および第１３発明によれば、少な
くとも電子線照射部の電子線射出部分から搬送ラインに
おける電子線被照射部までを含む領域を収容する照射室
内に不活性ガスの一定方向への流れを形成し、照射室の
搬入側および／または搬出側に１つまたは２つ以上のチ
ャンバーを設け、チャンバー内に照射室から排出された
不活性ガスまたは照射室に供給された不活性ガスより酸
素濃度の高い不活性ガスを供給するようにしたので、複
雑なシール技術を用いることなく、確実にイナーティン
グを行うことができ、また、照射室で使用された不活性
ガスまたは酸素濃度の高い不活性ガスを再利用してコス
トの低減を図りつつイナーティングの確実性を高めるこ
とができる。

【００２７】第７発明および第１４発明によれば、電子
線照射部に真空管型電子線照射管を用いたので、電子線
照射管を小型化および低出力化することができ、イナー
ティングを従来の電子線照射装置に比較して簡易なもの
とすることが可能となる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的に説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態に係
る電子線照射装置を示す模式図である。電子線照射部１
は、照射窓を下方に向けた状態で鉛直に配置された電子
線照射管２を有しており、その下方近傍に照射対象とし
ての缶体Ｃが配置されるようになっている。缶体Ｃの表
面には印刷インキまたは塗料が被覆されており、電子線
が照射されることによって印刷インキまたは塗料が硬化
される。電子線を照射する際には缶体Ｃは自転される。

【００２９】缶体Ｃの側方の缶体Ｃ近傍位置にはイナー
ティングのために不活性ガスである窒素ガスを缶体Ｃに
供給する窒素ガス供給ノズル４が設けられている。ま
た、缶体Ｃを挟んで窒素ガス供給ノズル４の反対側の缶
体近傍位置には、窒素ガス供給ノズル４から吐出された
窒素ガスを吸引する吸引ノズル６が設けられている。こ
の窒素ガス吸引ノズル６により窒素ガス供給ノズル４か
ら供給された窒素を吸引することによって、窒素ガスが
拡散せず、缶体Ｃの周囲を窒素ガスによって覆うように
することができる。窒素ガス供給ノズル４のガス吐出口
５および窒素ガス吸引ノズル６の吸引口７はいずれも、
照射対象である円筒状の缶体Ｃに沿って湾曲しており、
缶体Ｃの周囲全体に対して有効に窒素ガスが供給される
ようになっている。

【００３０】電子線照射部１の電子線照射管２は、図２
の（ａ）に示すように、円筒状をなすガラスまたはセラ
ミック製の真空管（チューブ）１１と、その管（チュー
ブ）１１内に設けられ、陰極から放出された電子を電子
線として取り出してこれを加速する電子線発生部１２
と、真空管１１の端部に設けられ、電子線を射出する電
子線射出部１３と、図示しない給電部より給電するため
のピン部１４とを有する。電子線射出部１３には薄膜状
の照射窓１５が設けられている。電子線射出部１３の照
射窓１５は、ガスは透過せずに電子線を透過する機能を
有しており、図２の（ｂ）に示すように、スリット状を
なしている。そして、照射室内に配置された被照射物に
照射窓１５から射出された電子線が照射される。

【００３１】すなわち、この電子線照射管は真空管型で
あり、従来のドラム型の電子線照射装置とは根本的に異
なっている。従来のドラム型電子線照射装置は、ドラム
内を常に真空引きしながら電子線を照射するタイプのも
のである。

【００３２】このような構成の照射管を有する装置は、
米国特許第５，４１４，２６７号に開示されており、Am
erican International Technologies（ＡＩＴ）社によ
りＭｉｎ−ＥＢ装置として検討されている。この装置に
おいては、１００ｋＶ以下という低加速電圧でも電子線
の透過力の低下が小さく、有効に電子線を取り出すこと
ができる。これによって、基材上の被覆材に対し低深度
で電子線を作用させることが可能となり、基材への悪影
響およびＸ線の発生量を低下させることができるように
なり、大がかりなシールドは必ずしも必要としない。

【００３３】また、電子線のエネルギーが低いため、酸
素ラジカルに起因する被覆剤表面での反応阻害を低減す
ることができるようになり、イナーティングが従来の電
子線照射装置と比較して簡易なものでよくなる。

【００３４】このように、シールドの小型化およびイナ
ーティングの低減化、また低加速電圧であるため電子線
発生部分の小型化が可能となることから、電子線照射装
置の飛躍的な小型化が可能となる。

【００３５】以上のように構成される電子線照射装置に
おいては、窒素ガス供給ノズル４からその近傍に配置さ
れた缶体Ｃへ不活性ガスとしての窒素ガスを供給し、か
つ窒素ガス吸引ノズル６により窒素ガスを吸引し、その
状態で電子線照射管２の照射窓から缶体Ｃに電子線を照
射する。これにより、缶体Ｃの周囲が窒素ガスで覆われ
ることとなり確実にイナーティングを行うことができ
る。また、このようにすることにより缶体Ｃの近傍のみ
が窒素ガスで置換されるので、少ない窒素ガスで効率良
く、かつ大掛かりな設備を用いずにイナーティングを行
うことができる。

【００３６】（第２の実施形態）図３は本発明の第２の
実施形態に係る電子線照射装置を示す模式図であり、
（ａ）、（ｂ）異なるタイプを示すものである。この実
施形態では、電子線照射管と窒素ガス供給ノズルとを一
体化したものを示す。図３の（ａ）では、電子線照射部
２１は、照射窓を下方に向けた状態で鉛直に配置された
電子線照射管２２を有しており、電子線照射管２２の直
下に缶体Ｃが配置されるようになっている。電子線照射
管２２には、その周囲および照射管２２と缶体Ｃとの間
の部分を取り囲むように窒素ガス供給ノズル２４が取り
付けられており、ノズル２４の下端の窒素ガス吐出口２
５から缶体Ｃに向けて窒素ガスが供給される。また、図
３の（ｂ）では、（ａ）と同様に配置された電子線照射
管２２の下端から連続して下方へ延びるように窒素ガス
供給ノズル２４’が照射管２２に取り付けられており、
ノズル２４’の下端の窒素ガス吐出口２５’から缶体Ｃ
に向けて窒素ガスが供給される。なお、電子線照射管２
２は、上記実施形態の電子線照射管２と同様に構成され
る。

【００３７】このように構成される電子線照射装置にお
いては、窒素ガス供給ノズル２４または２４’のガス吐
出口２５または２５’からその近傍に配置された缶体Ｃ
へ不活性ガスとしての窒素ガスを供給し、その状態で電
子線照射管２２の照射窓から缶体Ｃに電子線を照射す
る。これにより、缶体Ｃの電子線被照射領域が窒素ガス
で覆われることとなり確実にイナーティングを行うこと
ができる。また、このようにすることにより缶体Ｃの近
傍のみが窒素ガスで置換されるので少ない窒素ガス量
で、かつ大掛かりな設備を用いずにイナーティングを行
うことができる。また、窒素ガス供給ノズル２４または
２４’と照射対象である缶体Ｃとの間隙を狭くすること
ができるので、窒素ガスのロスを一層低減することがで
きる。

【００３８】（第３の実施形態）図４は本発明の第３の
実施形態に係る電子線照射装置を示す模式図である。図
４に示すように、電子線照射部２６は、照射窓を下方に
向けた状態で鉛直に配置された電子線照射管２７を有し
ており、電子線照射管２７の直下に缶体Ｃが配置される
ようになっている。照射対象である缶体Ｃの近傍には、
電子線照射管２７と缶体Ｃとの間の領域を挟むように対
向して２つの窒素ガス供給ノズル２８が設けられてい
る。

【００３９】以上のように構成される電子線照射装置に
おいては、２つの窒素ガス供給ノズル２８から電子線の
照射領域で不活性ガス流がぶつかり合うように不活性ガ
スを供給するので、缶体Ｃの電子線被照射領域を確実に
窒素ガスで覆うことができ、確実にイナーティングを行
うことができる。また、このようにすることにより缶体
Ｃの電子線被照射領域近傍のみが窒素ガスで置換される
ので、少ない窒素ガスで効率良く、かつ大掛かりな設備
を用いずにイナーティングを行うことができる。なお、
窒素ガス供給ノズル２８は３個以上設けてもよい。

【００４０】（第４の実施形態）図５は本発明の第４の
実施形態に係る電子線照射装置を示す模式図である。こ
の実施形態では、連続して搬送される缶体Ｃに電子線を
照射する電子線照射装置を対象とする。

【００４１】この電子線照射装置は、その表面に塗料ま
たは印刷インキが施された複数の缶体Ｃを連続的に搬送
し搬入する搬入側搬送ライン３０ａと、搬入側搬送ライ
ン３０ａを搬送されてきた複数の缶体Ｃをストックする
ストック領域３２と、ストックされた複数の缶体Ｃに電
子線が照射される被照射領域３３と、電子線が照射され
た複数の缶体Ｃを搬出側搬送ライン３０ｂに排出する排
出領域３４と、被照射領域３３に隣接するように、複数
の電子線照射管３６が配置を有する電子線照射部３５と
を有しており、被照射領域３３の各缶体Ｃは、各電子線
照射管３６に対応するように配置される。なお、電子線
照射管３６は第１の実施形態の電子線照射管２と同様に
構成される。

【００４２】ストック領域３２、照射領域３３、および
排出領域３４において、複数の缶体Ｃは保持部材３１に
より回転可能に保持され、ストック領域３２、被照射領
域３３、および排出領域３４の間の缶体Ｃの移動は、図
示しない移動機構により保持部材３１を移動させること
により行われる。

【００４３】一方、電子線照射部３５および被照射領域
３３は照射室３７に収容されており、照射室３７の搬入
側および搬出側に隣接してそれぞれチャンバー３８およ
び３９が設けられている。照射室の上壁には窒素ガス供
給管４０が接続されており、照射室３７の底壁には排気
管４１が接続されている。また、照射室３７の上部およ
び下部にはそれぞれ拡散板４２および４３が設けられて
おり、ガス供給管４０から照射室３７に供給された窒素
ガスによるダウンフローが形成される。排気管４１には
チャンバー３８および３９の上壁に至る配管４４が接続
されており、照射室３７から排出された窒素ガスがチャ
ンバー３８および３９に供給されるようになっている。
チャンバー３８にはその底壁に排気管４５が設けられ、
さらにその上部および下部に拡散板４６および４７が設
けられており、その中にダウンフローが形成される。チ
ャンバー３９も同様に、その底壁に排気管４８が設けら
れ、さらにその上部および下部に拡散板４９および５０
が設けられており、その中にダウンフローが形成され
る。

【００４４】このような電子線照射においては、搬入側
搬送ライン３０ａにより搬送されてきた缶体Ｃがストッ
ク領域３２において保持部材３１に順次ストックされ、
保持部材３１に所定数の缶体Ｃが搭載された時点で移動
機構により保持部材３１が被照射領域３３に移動され
る。

【００４５】被照射領域３３においては、保持部材３１
に保持された複数の缶体Ｃは、回転機構により自転され
つつ、各缶体Ｃに対応する電子線照射管３６から一斉に
電子線が照射され、それら表面の塗料または印刷インキ
が硬化される。

【００４６】照射終了後、保持部材３１は移動機構によ
り排出領域３４に移動され、この排出領域３４におい
て、保持部材３１に保持されている複数の缶体Ｃが順次
搬出側搬送ライン３０ｂに供給される。

【００４７】このようにして缶体Ｃに電子線を照射する
際には、照射室３７内に窒素ガスのダウンフローが形成
されているため、缶体Ｃの電子線被照射領域には常に新
しい窒素ガスが供給されていることとなり、電子線を照
射する際に複雑なシール技術等を用いることなく、確実
にイナーティングを行うことができる。

【００４８】また、照射室３７から排出された窒素ガス
をそれに隣接するチャンバー３８および３９に供給して
ダウンフローを形成するようにしたので、一層イナーテ
ィングの効果を高めることができるとともに、不活性ガ
スを再利用してコストの低減を図りつつイナーティング
の確実性を高めることができる。

【００４９】なお、上記いずれの実施形態においても、
缶体Ｃの高さが照射管の照射窓の長さよりも高い場合に
は、第１の実施形態と同様、複数の照射管を管体Ｃの長
さ方向に沿って２列にかつ千鳥状に配置することが好ま
しい。

【００５０】また、上記第１ないし第４の実施形態にお
いて、缶体に被覆する印刷インキとしては、凸版イン
キ、オフセットインキ、グラビアインキ、フレキソイン
キ、スクリーンインキ等の紫外線や電子線硬化型インキ
が挙げられ、また、塗料としては、アクリル樹脂系、エ
ポキシ樹脂系、ウレタン樹脂系、ポリエステル樹脂系等
の樹脂、および各種光感応性モノマー、オリゴマーまた
はプレポリマーを用いた紫外線または電子線硬化型塗料
が挙げられる。

【００５１】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の
形態では、缶体の表面に形成された塗料、印刷インキを
硬化させる場合について示したが、照射対象は缶体に限
定されるものではなく、ガラスボトルやＰＥＴボトルの
ようなものであってもよいし、筒状体に限らず中実な物
体であっても、平面状、ウェブ状のものであってもよ
い。また、塗料または印刷インキの硬化に限らず、接着
剤や粘着剤等他の被覆物の硬化や架橋であっても、また
殺菌処理や表面改質等の他の処理であってもよく、その
目的を問わない。

【００５２】電子線照射管も上述した真空管型のものに
限らず、通常のドラムタイプのものを用いることができ
る。ただし、真空管型のものが制御性の観点から好まし
い。すなわち、ｍｉｎ−ＥＢに代表される真空管型電子
線照射装置は、上述したように、シールドの小型化およ
びイナーティングの低減化を図ることができ、また低加
速電圧であるため電子線発生部分の小型化が可能となる
ことから、電子線照射装置の飛躍的な小型化が可能とな
るため極めて好ましい。

【００５３】さらに、イナーティングガスとして窒素ガ
スを用いたが、これに限らずアルゴンガス、炭酸ガス、
燃焼排ガス等他の不活性ガスを用いることも可能であ
る。

【００５４】さらにまた、上記第４の実施形態におい
て、不活性ガスのダウンフローを形成したが、これに限
らず一定方向への不活性ガス流が形成されていれば同様
の効果を得ることができる。また、照射室の搬入側およ
び搬出側の両方にチャンバーを設けたがどちらか一方で
も構わない。また、搬入側２つ以上および／または搬出
側に２つ以上のチャンバーを設けるようにしてもよい。
さらに、照射室から排出された不活性ガスをチャンバー
に導入したが、他の装置等で使用する等により酸素含有
量が照射室に導入する不活性ガスよりも多い、酸素濃度
が高い不活性ガスを導入するようにしてもよい。

【００５５】さらにまた、上記第１ないし第３の実施形
態の構成、すなわち図１、図３、図４の構成を、第４の
実施形態、すなわち図５の装置に組み込んだ装置とする
ことも可能である。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、第１発明および第
８発明によれば、イナーティングが必要な照射対象近傍
のみ不活性ガス置換することができるので、少ない不活
性ガス量で効率良く、かつ大掛かりな設備を用いずに確
実にイナーティングを行うことができる。

【００５７】第２発明および第９発明によれば、同様に
イナーティングが必要な照射対象近傍のみ不活性ガス置
換することができ、また、不活性ガス供給部の先端と照
射対象との間隙を狭くすることができるので、少ない不
活性ガス量で効率良く、かつ大掛かりな設備を用いずに
確実にイナーティングを行うことができるとともに、不
活性ガスのロスを一層低減することができる。

【００５８】第３発明および第１０発明によれば、同様
に、イナーティングが必要な照射対象近傍のみ不活性ガ
ス置換され、少ない不活性ガス量で効率良く、かつ大掛
かりな設備を用いずに確実にイナーティングを行うこと
ができる。

【００５９】第４発明および第１１発明によれば、連続
搬送されている照射対象に電子線を照射する際に、複雑
なシール技術を用いることなく、確実にイナーティング
を行うことができる。

【００６０】第５発明、第６発明、第１２発明および第
１３発明によれば、連続搬送されている照射対象に電子
線を照射する際に、複雑なシール技術を用いることな
く、確実にイナーティングを行うことができ、また、照
射室で使用された不活性ガスまたは酸素濃度の高い不活
性ガスを再利用してコストの低減を図りつつイナーティ
ングの確実性を高めることができる。

【００６１】第７発明によれば、電子線照射管を小型化
および低出力化することができ、イナーティングを従来
の電子線照射装置に比較して簡易なものとすることが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る電子線照射装置
を示す模式図。

【図２】図１の電子線照射装置に用いられる電子線照射
管の構造を示す図。

【図３】本発明の第２の実施形態に係る電子線照射装置
を示す模式図。

【図４】本発明の第３の実施形態に係る電子線照射装置
を示す模式図。

【図５】本発明の第４の実施形態に係る電子線照射装置
を示す模式図。

【符号の説明】

１，２１，２６，３５……電子線照射部 ２，２２，２７，３６……電子線照射管 ４，２４，２４’，２８……窒素ガス供給ノズル ６……窒素ガス吸引ノズル ３０……搬送ライン ３７……照射室 ３８，３９……チャンバー ４０……窒素ガス供給管 ４１……排気管 ４２，４３……拡散板 Ｃ……缶体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾崎 邦彦 東京都中央区京橋二丁目３番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内 Ｆターム(参考） 4F201 AM26 AM30 BA04 BC01 BC02 BC13 BN37 BN41

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 照射対象に電子線を照射する電子線照射
   部と、 照射対象近傍に設けられ、照射対象に向けて不活性ガス
   を供給する不活性ガス供給部と、 照射対象を挟んで前記不活性ガス供給部の反対側に設け
   られ、照射対象に供給された不活性ガスを吸引する不活
   性ガス吸引部とを具備することを特徴とする電子線照射
   装置。
2. 【請求項２】 照射対象に電子線を照射する電子線照射
   部と、 前記照射部と一体的に設けられ、照射対象に不活性ガス
   を供給する不活性ガス供給部とを具備することを特徴と
   する電子線照射装置。
3. 【請求項３】 照射対象に電子線を照射する電子線照射
   部と、 照射対象近傍に設けられ、照射対象近傍に不活性ガスを
   供給する複数の不活性ガス供給部とを具備し、前記複数
   の不活性ガス供給部は、電子線照射部から照射された電
   子線の照射領域で供給された不活性ガス流がぶつかり合
   うように配置されていることを特徴とする電子線照射装
   置。
4. 【請求項４】 照射対象を連続的に搬送する搬送ライン
   と、 搬送ライン上を搬送されている照射対象に電子線を照射
   する電子線照射部と、 少なくとも前記電子線照射部の電子線射出部分から前記
   搬送ラインにおける電子線被照射部までを含む領域を収
   容する照射室と、 前記照射室内に不活性ガスの一定方向の流れを形成する
   不活性ガス流形成手段とを具備することを特徴とする電
   子線照射装置。
5. 【請求項５】 照射対象を連続的に搬送する搬送ライン
   と、 搬送ライン上を搬送されている照射対象に電子線を照射
   する電子線照射部と、 少なくとも前記電子線照射部の電子線射出部分から前記
   搬送ラインにおける電子線被照射部までを含む領域を収
   容する照射室と、 前記照射室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部
   と、 前記照射室の搬入側および／または搬出側に設けられた
   １つまたは２つ以上のチャンバーと、 前記１つまたは２つ以上のチャンバー内に、前記照射室
   から排出された不活性ガス、または照射室に供給された
   不活性ガスより酸素濃度の高い不活性ガスを供給する不
   活性ガス供給手段とを具備することを特徴とする電子線
   照射装置。
6. 【請求項６】 照射対象を連続的に搬送する搬送ライン
   と、 搬送ライン上を搬送されている照射対象に電子線を照射
   する電子線照射部と、 少なくとも前記電子線照射部から電子線が射出される射
   出部から前記搬送ラインにおける電子線被照射部までを
   含む領域を収容する照射室と、 前記照射室内に不活性ガスの一定方向の流れを形成する
   不活性ガス流形成手段と、 前記照射室の搬入側および／または搬出側に設けられた
   １つまたは２つ以上のチャンバーと、 前記１つまたは２つ以上のチャンバー内に、前記照射室
   から排出された不活性ガス、または照射室に供給された
   不活性ガスより酸素濃度の高い不活性ガスを供給する不
   活性ガス供給手段とを具備することを特徴とする電子線
   照射装置。
7. 【請求項７】 前記電子線照射部は真空管型電子線照射
   管を有していることを特徴とする請求項１ないし請求項
   ６のいずれか１項に記載の電子線照射装置。
8. 【請求項８】 照射対象に電子線を照射する電子線照射
   方法であって、照射対象近傍に設けられた不活性ガス供
   給部から照射対象に向けて不活性ガスを供給するととも
   に、照射対象を挟んで不活性ガス供給部の反対側で不活
   性ガス吸引部により照射対象に供給された不活性ガスを
   吸引しながら電子線を照射することを特徴とする電子線
   照射方法。
9. 【請求項９】 照射対象に電子線を照射する電子線照射
   方法であって、電子線照射部と一体的に設けられた不活
   性ガス供給部から照射対象に不活性ガスを供給しながら
   電子線を照射することを特徴とする電子線照射方法。
10. 【請求項１０】 照射対象に電子線を照射する電子線照
    射方法であって、照射対象近傍に設けられた複数の不活
    性ガス供給部から、電子線照射部から照射された電子線
    の照射領域で不活性ガス流がぶつかり合うように、不活
    性ガスを供給しながら電子線を照射することを特徴とす
    る電子線照射方法。
11. 【請求項１１】 照射対象を連続的に搬送する搬送ライ
    ン上を搬送されている照射対象に電子線を照射する電子
    線照射方法であって、少なくとも前記電子線照射部の電
    子線射出部分から前記搬送ラインにおける電子線被照射
    部までを含む領域を照射室内に配置し、この照射室内に
    不活性ガスの一定方向の流れを形成しながら照射対象に
    電子線を照射することを特徴とする電子線照射方法。
12. 【請求項１２】 照射対象を連続的に搬送する搬送ライ
    ン上を搬送されている照射対象に電子線を照射する電子
    線照射方法であって、少なくとも電子線照射部の電子線
    射出部分から前記搬送ラインにおける電子線被照射部ま
    でを含む領域を照射室内に配置し、この照射室に不活性
    ガスを供給するとともに、照射室の搬入側および／また
    は搬出側に１つまたは２つ以上のチャンバーを設け、こ
    のチャンバー内に、前記照射室から排出された不活性ガ
    ス、または照射室に供給された不活性ガスより酸素濃度
    の高い不活性ガスを供給しながら電子線を照射すること
    を特徴とする電子線照射方法。
13. 【請求項１３】 照射対象を連続的に搬送する搬送ライ
    ン上を搬送されている照射対象に電子線を照射する電子
    線照射方法であって、少なくとも電子線照射部の電子線
    射出部分から前記搬送ラインにおける電子線被照射部ま
    でを含む領域を照射室内に配置し、この照射室内に不活
    性ガスの一定方向の流れを形成するとともに、照射室の
    搬入側および／または搬出側に１つまたは２つ以上のチ
    ャンバーを設け、このチャンバー内に、前記照射室から
    排出された不活性ガス、または照射室に供給された不活
    性ガスより酸素濃度の高い不活性ガスを供給しながら電
    子線を照射することを特徴とする電子線照射方法。
14. 【請求項１４】 電子線照射部は真空管型電子線照射管
    を有していることを特徴とする請求項８ないし請求項１
    ３のいずれか１項に記載の電子線照射方法。