JP2000007428A - リン酸ジルコニル系複合材料及びそれを用いた精密機器 - Google Patents
リン酸ジルコニル系複合材料及びそれを用いた精密機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 比重が小さくヤング率の高い、さらに経時
変化しない、低熱膨張・高剛性セラミック材料を提供す
る。 【解決手段】 主たる結晶相としてリン酸ジルコニ
ル、第二結晶相として常温における熱膨張率がプラスで
ヤング率が１５０ＧＰａ以上のセラミックを１種以上含
むセラミック複合材料を作製し、第二結晶相の添加量を
常温における熱膨張率が、±０．５×１０-6／℃以下に
なるように添加したリン酸ジルコニル系複合材料を用い
ると、経時変化が無く、ヤング率が高いため温度変化や
部材の大型化による寸法変化が少ないため、ステッパー
等の半導体及び液晶製造装置などの精密機器の精度を高
めることが出来る。
変化しない、低熱膨張・高剛性セラミック材料を提供す
る。 【解決手段】 主たる結晶相としてリン酸ジルコニ
ル、第二結晶相として常温における熱膨張率がプラスで
ヤング率が１５０ＧＰａ以上のセラミックを１種以上含
むセラミック複合材料を作製し、第二結晶相の添加量を
常温における熱膨張率が、±０．５×１０-6／℃以下に
なるように添加したリン酸ジルコニル系複合材料を用い
ると、経時変化が無く、ヤング率が高いため温度変化や
部材の大型化による寸法変化が少ないため、ステッパー
等の半導体及び液晶製造装置などの精密機器の精度を高
めることが出来る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、精密機器用部材の
材質に係り、特に半導体及び液晶製造用装置の部材とし
て好適な低熱膨張・高ヤング率セラミック材料に関す
る。
材質に係り、特に半導体及び液晶製造用装置の部材とし
て好適な低熱膨張・高ヤング率セラミック材料に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体及び液晶製造装置特に露光
装置には、低熱膨張ガラスやインバー合金が、常温にお
ける熱膨張率が低いため多く使用されてきた。一方、低
熱膨張のセラミックに関しては特開昭５４−４９１４号
に見られるように、セラミックの特性を生かした耐熱性
の優れる材料として用いられる場合が多く、この場合は
ヒートショックに耐えるために高温で熱膨張率が低い材
料が求められた。また、リン酸ジルコニルを用いた特開
平６−４５１０号に見られるように耐熱性を上げるため
に、融点が高いことが求められていた。
装置には、低熱膨張ガラスやインバー合金が、常温にお
ける熱膨張率が低いため多く使用されてきた。一方、低
熱膨張のセラミックに関しては特開昭５４−４９１４号
に見られるように、セラミックの特性を生かした耐熱性
の優れる材料として用いられる場合が多く、この場合は
ヒートショックに耐えるために高温で熱膨張率が低い材
料が求められた。また、リン酸ジルコニルを用いた特開
平６−４５１０号に見られるように耐熱性を上げるため
に、融点が高いことが求められていた。
【０００３】特開昭５４−４９１４号に見られるものを
詳述すると、以下の通りである。強度の弱い多孔質の低
熱膨張セラミック（例えば、リチウム・アルミニウム・
シリケート、コーデイエライト、アルミニウム・チタネ
ート）に希土類元素の酸化物を添加することにより、緻
密な焼結体を得るという内容である。この場合は、高温
（１０００℃）での熱膨張率を測定している。
詳述すると、以下の通りである。強度の弱い多孔質の低
熱膨張セラミック（例えば、リチウム・アルミニウム・
シリケート、コーデイエライト、アルミニウム・チタネ
ート）に希土類元素の酸化物を添加することにより、緻
密な焼結体を得るという内容である。この場合は、高温
（１０００℃）での熱膨張率を測定している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の低熱膨張ガラス
を例えばステッパー用部材としていた場合では、部材が
大型化した場合や露光の光源として波長の短いＫｒＦエ
キシマレーザー等を使用した場合は、ヤング゛率が低い
（１００ＧＰａ以下）ため変形し、露光パターンの精度
を悪くする場合がある。インバー等の金属系の低熱膨張
素材は、ヤング率は１５０ＧＰａ程度で、比較的高い
が、比重が大きい（約８ｇ／ｃｃ程度）、経時変化をす
るという問題がある。
を例えばステッパー用部材としていた場合では、部材が
大型化した場合や露光の光源として波長の短いＫｒＦエ
キシマレーザー等を使用した場合は、ヤング゛率が低い
（１００ＧＰａ以下）ため変形し、露光パターンの精度
を悪くする場合がある。インバー等の金属系の低熱膨張
素材は、ヤング率は１５０ＧＰａ程度で、比較的高い
が、比重が大きい（約８ｇ／ｃｃ程度）、経時変化をす
るという問題がある。
【０００５】以上をまとめると、ステッパー等の精密機
器用の部材では、精度を高めるため、常温において低熱
膨張でヤング率の高い、比重の低い材料が強く求められ
ているが、従来用いられていた低熱膨張ガラスやインバ
ー合金では、対応できないレベルになっている。
器用の部材では、精度を高めるため、常温において低熱
膨張でヤング率の高い、比重の低い材料が強く求められ
ているが、従来用いられていた低熱膨張ガラスやインバ
ー合金では、対応できないレベルになっている。
【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、本発明の目的は、比重が小さくヤング率の
高い、さらに経時変化しない、低熱膨張・高剛性セラミ
ック材料を提供することにある。更に、ノンポア化され
た材料に関しては、ガラス材料の代わりに高剛性なミラ
ー材料として使用可能である。
れたもので、本発明の目的は、比重が小さくヤング率の
高い、さらに経時変化しない、低熱膨張・高剛性セラミ
ック材料を提供することにある。更に、ノンポア化され
た材料に関しては、ガラス材料の代わりに高剛性なミラ
ー材料として使用可能である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
になされた本発明は、主たる結晶相としてリン酸ジルコ
ニル、第二結晶相として常温における熱膨張率がプラス
でヤング率が１５０ＧＰａ以上のセラミックを１種以上
含むセラミック複合材料を作製し、第二結晶相の添加量
を常温における熱膨張率が、±０．５×１０-6／℃以下
になるように添加することを特徴としたリン酸ジルコニ
ル系複合材料とした。上記リン酸ジルコニル系複合材料
を用いると、経時変化が無く、ヤング率が高いため温度
変化や部材の大型化による寸法変化が少ないため、ステ
ッパー等の半導体及び液晶製造装置などの精密機器の精
度を高めることが出来る。
になされた本発明は、主たる結晶相としてリン酸ジルコ
ニル、第二結晶相として常温における熱膨張率がプラス
でヤング率が１５０ＧＰａ以上のセラミックを１種以上
含むセラミック複合材料を作製し、第二結晶相の添加量
を常温における熱膨張率が、±０．５×１０-6／℃以下
になるように添加することを特徴としたリン酸ジルコニ
ル系複合材料とした。上記リン酸ジルコニル系複合材料
を用いると、経時変化が無く、ヤング率が高いため温度
変化や部材の大型化による寸法変化が少ないため、ステ
ッパー等の半導体及び液晶製造装置などの精密機器の精
度を高めることが出来る。
【０００８】さらに、ホットプレス、ＨＩＰ（熱間静水
圧圧縮成形）といった加圧焼結法を用いると、さらに低
い温度で焼成可能であり、ポアのない微粒なヤング率の
高い焼結体を得られる。
圧圧縮成形）といった加圧焼結法を用いると、さらに低
い温度で焼成可能であり、ポアのない微粒なヤング率の
高い焼結体を得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】この発明はリン酸ジルコニルを主
体とし、常温における熱膨張率の小さい、ヤング率の高
いセラミック材料に関するものである。リン酸ジルコニ
ルは低熱膨張であることは、公知である。従来、リン酸
ジルコニルは、低熱膨張をいかした耐熱衝撃性の優れた
耐熱材料としての用途しか考えられてこなかった。ま
た、耐熱衝撃性をあげるためには、ヤング率の低い方が
有利であることや、原料代が他の低熱膨張セラミックと
比較して高価なため、十分に研究されてこなかった。
体とし、常温における熱膨張率の小さい、ヤング率の高
いセラミック材料に関するものである。リン酸ジルコニ
ルは低熱膨張であることは、公知である。従来、リン酸
ジルコニルは、低熱膨張をいかした耐熱衝撃性の優れた
耐熱材料としての用途しか考えられてこなかった。ま
た、耐熱衝撃性をあげるためには、ヤング率の低い方が
有利であることや、原料代が他の低熱膨張セラミックと
比較して高価なため、十分に研究されてこなかった。
【００１０】本特許の目的である常温において低熱膨張
でヤング率の高いセラミックを得るため、詳細に調査し
た結果、リン酸ジルコニルは、一般に言われている低熱
膨張セラミックの中では比較的強度が高く、常温で熱膨
張率がマイナスであるため、熱膨張率がプラスの材料と
組み合わせることで、熱膨張率をゼロに出来ると同時
に、ヤング率の高い材料との組み合わせにより、常温に
おける熱膨張率±０．５×１０-6／℃の範囲内で、高ヤ
ング率の部材を得ることが出来る。
でヤング率の高いセラミックを得るため、詳細に調査し
た結果、リン酸ジルコニルは、一般に言われている低熱
膨張セラミックの中では比較的強度が高く、常温で熱膨
張率がマイナスであるため、熱膨張率がプラスの材料と
組み合わせることで、熱膨張率をゼロに出来ると同時
に、ヤング率の高い材料との組み合わせにより、常温に
おける熱膨張率±０．５×１０-6／℃の範囲内で、高ヤ
ング率の部材を得ることが出来る。
【００１１】耐熱性を高めるには高温で焼成する必要が
あるが、本特許の目的である高ヤング率や常温での低熱
膨張率を達成するには、焼成温度を下げる方が好まし
い。リン酸ジルコニルの場合、粒径が７μｍを越えると
マイクロクラックが入り、これは、ヤング率を下げると
同時に熱膨張率を不安定にする。粒成長を防止するに
は、焼結温度が低い方が有利である。また、焼成温度が
高くなると、結晶相から、液相への溶解量が増加し、結
晶相の分解が進むと同時に、粒界のガラス相が増加す
る。このことは、ヤング率の低下及び熱膨張率の増加を
もたらす。そのため、緻密な焼結体が得られる範囲で、
焼成温度を下げる必要がある。
あるが、本特許の目的である高ヤング率や常温での低熱
膨張率を達成するには、焼成温度を下げる方が好まし
い。リン酸ジルコニルの場合、粒径が７μｍを越えると
マイクロクラックが入り、これは、ヤング率を下げると
同時に熱膨張率を不安定にする。粒成長を防止するに
は、焼結温度が低い方が有利である。また、焼成温度が
高くなると、結晶相から、液相への溶解量が増加し、結
晶相の分解が進むと同時に、粒界のガラス相が増加す
る。このことは、ヤング率の低下及び熱膨張率の増加を
もたらす。そのため、緻密な焼結体が得られる範囲で、
焼成温度を下げる必要がある。
【００１２】従来の焼成条件は、１４００℃以上である
が、本発明では、原料の性状や組成の適正化や、加圧焼
結により、１３００℃以下で緻密に焼結でき、それは本
発明の目的達成のためには有効と思われる。また、本発
明の用途である精密装置部材は、大型のものを製造する
必要があり、大物製造のためにも焼成温度が低いことは
好ましい。
が、本発明では、原料の性状や組成の適正化や、加圧焼
結により、１３００℃以下で緻密に焼結でき、それは本
発明の目的達成のためには有効と思われる。また、本発
明の用途である精密装置部材は、大型のものを製造する
必要があり、大物製造のためにも焼成温度が低いことは
好ましい。
【００１３】
【実施例】＜実施例１＞原料は、オキシ塩化ジルコニウ
ムとリン酸を２ＺｒＯ2・Ｐ2Ｏ5組成比で各々水溶液と
し徐々に混合して、共沈させた後、仮焼・粉砕により得
た。得られた粉末の性状は、純度９９％以上、９０％以
上がα（ＺｒＯ）2Ｐ2Ｏ7で、平均粒径は、１．１μｍ
最大粒径は約５μであった。これに第２結晶相として、
酸化物としては、平均粒径１μｍ前後のジルコンや平均
粒径０．３μｍのジルコニアその他アルミナ、ムライト
等が考えられ、この場合は、大気中で焼成出来るため大
型品を比較的安く作ることが出来る。そのほか、第２結
晶相としては、ＳｉＣ・ＴｉＣ等の炭化物セラミック、
及び、窒化珪素・サイアロン・ＴｉＮ等の窒化物セラミ
ックを複合化することも有効と思われる。ただし、炭化
物、窒化物を第２結晶相とする場合は、酸化のため大気
中焼成が出来ないので、真空焼成等の焼成方法を工夫す
る必要がある。これらの主原料に、焼結助剤、粒成長抑
制剤として、粒径１μｍ前後のＺｎＯ，ＭｇＯ，Ｎｂ2
Ｏ5等及びＳｉＯ2粉末等をそれぞれ添加して、ボールミ
ルで十分混合した。また、ケイ酸ジルコニウム等のケイ
酸塩を第２結晶相として採用した場合は、必ずしも、Ｓ
ｉＯ2粉末の添加は必要ない。第２結晶相としては表１
に示す調合物の混合物１００重量部に１０％のＰＶＡ水
溶液を５重量部添加して十分に混合し、１０×６０×１
０ｍｍの金型にて１００ｋｇ／ｃｍ2の圧力でプレス成
形後、１ｔｏｎ／ｃｍ2にてラバープレスを行い成形体
を作った。
ムとリン酸を２ＺｒＯ2・Ｐ2Ｏ5組成比で各々水溶液と
し徐々に混合して、共沈させた後、仮焼・粉砕により得
た。得られた粉末の性状は、純度９９％以上、９０％以
上がα（ＺｒＯ）2Ｐ2Ｏ7で、平均粒径は、１．１μｍ
最大粒径は約５μであった。これに第２結晶相として、
酸化物としては、平均粒径１μｍ前後のジルコンや平均
粒径０．３μｍのジルコニアその他アルミナ、ムライト
等が考えられ、この場合は、大気中で焼成出来るため大
型品を比較的安く作ることが出来る。そのほか、第２結
晶相としては、ＳｉＣ・ＴｉＣ等の炭化物セラミック、
及び、窒化珪素・サイアロン・ＴｉＮ等の窒化物セラミ
ックを複合化することも有効と思われる。ただし、炭化
物、窒化物を第２結晶相とする場合は、酸化のため大気
中焼成が出来ないので、真空焼成等の焼成方法を工夫す
る必要がある。これらの主原料に、焼結助剤、粒成長抑
制剤として、粒径１μｍ前後のＺｎＯ，ＭｇＯ，Ｎｂ2
Ｏ5等及びＳｉＯ2粉末等をそれぞれ添加して、ボールミ
ルで十分混合した。また、ケイ酸ジルコニウム等のケイ
酸塩を第２結晶相として採用した場合は、必ずしも、Ｓ
ｉＯ2粉末の添加は必要ない。第２結晶相としては表１
に示す調合物の混合物１００重量部に１０％のＰＶＡ水
溶液を５重量部添加して十分に混合し、１０×６０×１
０ｍｍの金型にて１００ｋｇ／ｃｍ2の圧力でプレス成
形後、１ｔｏｎ／ｃｍ2にてラバープレスを行い成形体
を作った。
【００１４】
【表１】
【００１５】この成形体を電気炉にて１００℃／ｈｒで
昇温し、焼成温度で３時間保持後炉冷し、焼結体を得
た。この焼結体を加工し、粒成長に伴うマイクロクラッ
クのある焼結体に関しては、加工時にカケやワレが発生
し評価できなかったが、クラックの無いものに関して
は、それぞれの評価項目にあった試験片を作製し、３点
曲げ強度、比重、ヤング率、常温における熱膨張率を測
定した。評価結果は、表１の通りである。尚、表１中の
マイクロクラックの有無でＮＧは、加工中のカケ・ワレ
により評価サンプルが出来なかったため、特性値の評価
ができなかったことを示し、ＯＫは加工が問題なく出来
たことを示す。
昇温し、焼成温度で３時間保持後炉冷し、焼結体を得
た。この焼結体を加工し、粒成長に伴うマイクロクラッ
クのある焼結体に関しては、加工時にカケやワレが発生
し評価できなかったが、クラックの無いものに関して
は、それぞれの評価項目にあった試験片を作製し、３点
曲げ強度、比重、ヤング率、常温における熱膨張率を測
定した。評価結果は、表１の通りである。尚、表１中の
マイクロクラックの有無でＮＧは、加工中のカケ・ワレ
により評価サンプルが出来なかったため、特性値の評価
ができなかったことを示し、ＯＫは加工が問題なく出来
たことを示す。
【００１６】表１中のリン酸ジルコニル自体の常温にお
ける熱膨張率は、−０．７×１０-6／℃である。第２結
晶相のヤング率は、ＺｒＳｉＯ4は、２１０ＧＰａ以上
で、ＳｉＯ2は、８０ＧＰａ、ＺｒＯ2は、２１０ＧＰａ
である。リン酸ジルコニル自体は常温における熱膨張率
が−０．５×１０-6／℃より小さいが、常温における熱
膨張率がプラスでヤング率が１５０ＧＰａ以上で適切な
第２結晶相と複合化することにより、狙った熱膨張率
（±０．５×１０-6／℃以下）が得られる。また、ヤン
グ率の低い材料と複合化すると、ヤング率は下がるが、
ヤング率が高い材料と複合化することで、ヤング率の高
い複合材料が得られる。
ける熱膨張率は、−０．７×１０-6／℃である。第２結
晶相のヤング率は、ＺｒＳｉＯ4は、２１０ＧＰａ以上
で、ＳｉＯ2は、８０ＧＰａ、ＺｒＯ2は、２１０ＧＰａ
である。リン酸ジルコニル自体は常温における熱膨張率
が−０．５×１０-6／℃より小さいが、常温における熱
膨張率がプラスでヤング率が１５０ＧＰａ以上で適切な
第２結晶相と複合化することにより、狙った熱膨張率
（±０．５×１０-6／℃以下）が得られる。また、ヤン
グ率の低い材料と複合化すると、ヤング率は下がるが、
ヤング率が高い材料と複合化することで、ヤング率の高
い複合材料が得られる。
【００１７】＜実施例２＞実施例１で得られた焼結体の
一部に関してＨＩＰを実施した。ＨＩＰは、圧力１００
０気圧、最高温度での保持時間は１ｈｒ、昇温速度は１
００℃／ｈｒで実施した。調合組成及び評価結果を表２
に示す。
一部に関してＨＩＰを実施した。ＨＩＰは、圧力１００
０気圧、最高温度での保持時間は１ｈｒ、昇温速度は１
００℃／ｈｒで実施した。調合組成及び評価結果を表２
に示す。
【００１８】
【表２】
【００１９】表２中のリン酸ジルコニル自体の常温にお
ける熱膨張率は、−０．７×１０-6／℃である。第２結
晶相のヤング率は、ＺｒＳｉＯ4は、２１０ＧＰａ以上
で、ＺｒＯ2は、２１０ＧＰａである表２から、同じ組
成でもＨＩＰすることにより、実施例１より比重、及
び、ヤング率が増大することが分かる。これは、ＨＩＰ
によりポアが無くなり、緻密化することによると考えら
れる。
ける熱膨張率は、−０．７×１０-6／℃である。第２結
晶相のヤング率は、ＺｒＳｉＯ4は、２１０ＧＰａ以上
で、ＺｒＯ2は、２１０ＧＰａである表２から、同じ組
成でもＨＩＰすることにより、実施例１より比重、及
び、ヤング率が増大することが分かる。これは、ＨＩＰ
によりポアが無くなり、緻密化することによると考えら
れる。
【００２０】＜実施例３＞原料粉末及びその混合に関し
ては、実施例１と同様に実施した。得られた混合粉末を
５０×５０ｍｍのカーボン型内に高さ２０ｍｍに充填
し、１００℃／ｈｒで昇温しながら、加圧力０．５kg／
ｃｍ2で、最高温度で１ｈｒ保持し、ホットプレスを実
施した。調合組成は表３の通りである。加工及び評価内
容は、実施例１と同様で、評価結果は表３に示す。
ては、実施例１と同様に実施した。得られた混合粉末を
５０×５０ｍｍのカーボン型内に高さ２０ｍｍに充填
し、１００℃／ｈｒで昇温しながら、加圧力０．５kg／
ｃｍ2で、最高温度で１ｈｒ保持し、ホットプレスを実
施した。調合組成は表３の通りである。加工及び評価内
容は、実施例１と同様で、評価結果は表３に示す。
【００２１】
【表３】
【００２２】表３中のリン酸ジルコニル自体の常温にお
ける熱膨張率は、−０．７×１０-6／℃である。第２結
晶相のヤング率は、ＺｒＳｉＯ4は、２１０ＧＰａ以上
で、ＳｉＣは、４４ＧＰａ、ＺｒＯ2は、２１０ＧＰａ
である表３より、ホットプレスにより、低温で緻密な焼
結体が得られることが分かる。
ける熱膨張率は、−０．７×１０-6／℃である。第２結
晶相のヤング率は、ＺｒＳｉＯ4は、２１０ＧＰａ以上
で、ＳｉＣは、４４ＧＰａ、ＺｒＯ2は、２１０ＧＰａ
である表３より、ホットプレスにより、低温で緻密な焼
結体が得られることが分かる。
【００２３】＜実施例４＞原料粉末及びその混合に関し
ては、実施例１と同様に実施した。得られた混合粉末を
鉄製の内径４０ｍｍ高さ１００ｍｍ容器（厚み３ｍｍ）
に封入して、シールＨＩＰを行った。通常のセラミック
でシールＨＩＰを行う場合は、ガラスを溶融してシール
を行うため、非常に手間がかかる。しかし、本発明の材
料では、１３００℃以下で焼結可能なものもあり、この
場合は、上記の通り鉄製の容器に詰めれば良いため、シ
ールＨＩＰも容易に実施できる。加工及び評価内容は、
実施例１と同様で、評価結果は表３に示す。
ては、実施例１と同様に実施した。得られた混合粉末を
鉄製の内径４０ｍｍ高さ１００ｍｍ容器（厚み３ｍｍ）
に封入して、シールＨＩＰを行った。通常のセラミック
でシールＨＩＰを行う場合は、ガラスを溶融してシール
を行うため、非常に手間がかかる。しかし、本発明の材
料では、１３００℃以下で焼結可能なものもあり、この
場合は、上記の通り鉄製の容器に詰めれば良いため、シ
ールＨＩＰも容易に実施できる。加工及び評価内容は、
実施例１と同様で、評価結果は表３に示す。
【００２４】
【表４】
【００２５】表４中のリン酸ジルコニル自体の常温にお
ける熱膨張率は、−０．７×１０-6／℃である。第２結
晶相のヤング率は、ＺｒＳｉＯ4は、２１０ＧＰａ以上
で、Ｓｉ3Ｎ4は、３１０ＧＰａである表４より、シール
ＨＩＰにより、低温で緻密な焼結体が得られることが分
かる。
ける熱膨張率は、−０．７×１０-6／℃である。第２結
晶相のヤング率は、ＺｒＳｉＯ4は、２１０ＧＰａ以上
で、Ｓｉ3Ｎ4は、３１０ＧＰａである表４より、シール
ＨＩＰにより、低温で緻密な焼結体が得られることが分
かる。
【００２６】
【発明の効果】本発明は以上のように、リン酸ジルコニ
ルをベースに適切な複合材料とすることで、低熱膨張・
高ヤング率の素材が得られ、低熱膨張ガラスに対して
は、ヤング率が大幅に優れ、インバー合金に対しては、
経時変化が無く、比重が低い、ヤング率が高いという特
徴のある精密装置用部材、特に半導体及び液晶製造用装
置の部材として好適な部材を得ることが出来る。
ルをベースに適切な複合材料とすることで、低熱膨張・
高ヤング率の素材が得られ、低熱膨張ガラスに対して
は、ヤング率が大幅に優れ、インバー合金に対しては、
経時変化が無く、比重が低い、ヤング率が高いという特
徴のある精密装置用部材、特に半導体及び液晶製造用装
置の部材として好適な部材を得ることが出来る。
Claims (6)
- 【請求項１】 主たる結晶相としてリン酸ジルコニル、
第二結晶相として常温における熱膨張率がプラスでヤン
グ率が１５０ＧＰａ以上のセラミック相を１種以上含
み、リン酸ジルコニルと第２結晶相の比率を調整し、常
温における熱膨張率が、±０．５×１０-6／℃以下であ
ることを特徴とするリン酸ジルコニル系複合材料。 - 【請求項２】 主たる結晶相としてリン酸ジルコニル、
第二結晶相として常温における熱膨張率がプラスでヤン
グ率が１５０ＧＰ以上のセラミックを１種以上、焼結助
剤としてＺｎＯ、ＭｇＯを０．２％以上、粒成長抑制剤
としてシリカを０．２％以上含み、リン酸ジルコニルと
第２結晶相の比率を調整し、常温における熱膨張率が、
±０．５×１０-6／℃以下であることを特徴とするリン
酸ジルコニル系複合材料。 - 【請求項３】 上記第二結晶相がケイ酸ジルコニウムを
５〜６０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１、２い
ずれか記載のリン酸ジルコニル系複合材料。 - 【請求項４】 上記リン酸ジルコニル系複合材料を１３
００℃以下で焼結したことを特徴とする請求項１〜３い
ずれか記載のリン酸ジルコニル系複合材料。 - 【請求項５】 上記リン酸ジルコニル系複合材料を１３
００℃以下で焼結した後、ＨＩＰ、又は、１３００℃以
下でシールＨＩＰ、もしくは、ホット・プレスをするこ
とを特徴とする請求項１〜３いずれか記載のリン酸ジル
コニル系複合材料 - 【請求項６】 請求項１〜５いずれか記載のリン酸ジル
コニル系複合材料を精密機器部材に用いたことを特徴と
する精密機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10198025A JP2000007428A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | リン酸ジルコニル系複合材料及びそれを用いた精密機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10198025A JP2000007428A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | リン酸ジルコニル系複合材料及びそれを用いた精密機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000007428A true JP2000007428A (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=16384281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10198025A Pending JP2000007428A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | リン酸ジルコニル系複合材料及びそれを用いた精密機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000007428A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001058867A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Taiheiyo Cement Corp | 構造部品 |
| KR20150129416A (ko) * | 2014-05-12 | 2015-11-20 | 목포대학교산학협력단 | 저열팽창성 (ZrO)2P2O7 분말 제조방법 |
-
1998
- 1998-06-29 JP JP10198025A patent/JP2000007428A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001058867A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Taiheiyo Cement Corp | 構造部品 |
| KR20150129416A (ko) * | 2014-05-12 | 2015-11-20 | 목포대학교산학협력단 | 저열팽창성 (ZrO)2P2O7 분말 제조방법 |
| KR101583415B1 (ko) * | 2014-05-12 | 2016-01-07 | 목포대학교산학협력단 | 저열팽창성 (ZrO)2P2O7 분말 제조방법 |
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