ITMI950421A1 - Circuito di controllo a porte mos per circuiti di reattori - Google Patents
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Abstract
Viene descritto un circuito integrato di circuito di controllo a porte MOS monolitico per il controllo di MOSFEI di alimentazione del lato di alta conduttanza e del lato di bassa conduttanza in un circuito di reattore di lampada a scarica in gas.Il circuito integrato include un circuito di temporizzazione per generare un segnale di uscita ad onda quadra alla frequenza naturale di risonanza del reattore della lampada. I circuiti di tempo morto sono previsti nel circuito integrato per evitare la simultanea conduzione dei MOSFEI di alimentazione su lato di alta conduttanza e lato di bassa conduttanza. Il circuito integrato può essere incorporato in un gruppo DIP (dual - in - line package) a piedini destri. (Figura 2).
Description
DESCRIZIONE
di una demanda di brevetto d'invenzione industriale dal titolo: CIRCUITO DI CONTROLLO A FORTE MOS PER CIRCUITI DI REATTORI
DESCRIZIONE
FONDAMENTI PETI.’INVENZIONE
Quest'invenzione si riferisce ad un circuito di contro llo a porte per dispositivi a porte MOS, e più specificamente si riferisce ad un circuito di controllo a porte monolitico per i dispositivi di circuiti a porte MOS, particolarmente quelli usati nei circuiti dei reattori di lampade.
I reattori elettronici per i circuiti di scarica in gas stanno divenendo di largo inpiego a causa della disponibilità dei dispositivi di commutazione dei MOSFET di alimentazione per sostituire i dispositivi a transistori bipolari di alimentazione usati precedentemente. La maggior parte dei reattori elettronici utilizza due interruttori MOSFET di alimentazione in una topologia a pila a "totem" (semiponte), i circuiti dei tubi a scarica in gas conprendendo circuiti risonanti seriali L-C nei quali la lampada o le lampade è/sono collegata/e ai capi di una delle reattanze del circuito L-C.Gli interruttori MOSFET di alimentazione vengono quindi azionati per condurre alternativamente tramite le alimentazioni degli avvolgimenti secondari di un trasformatore di corrente, l'avvolgimento primario del quale conduce la corrente dei circuiti della lampada.La corrente dell'avvolgimento primario oscilla alla frequenza di risonanza del circuito di risonanza. Tali circuiti della tecnica precedente hanno numerosi svantaggi. Per esempio tali circuiti:
1. Non sono autoawianti e richiedono un dispositivo del tipo DIAC (raddrizzatore bidirezionale)per fornire un inpulso iniziale che avvìi il circuito.
2. Essi hanno tempi di coiranutazione scadenti.
3. Essi richiedono una lavorazione lunga a causa in particolare della necessità di un trasformatore di corrente di forma toroidale.
4. I circuiti non possono essere azionati in attenuazione.
5. I circuiti non possono essere realizzati con la fabbricazione in serie.
BREVE SOMMARIO DELL'INVENZIONE
La presente invenzione fornisce un nuovo circuito di controllo a porte MOS monolitico che permette il controllo dei MOSFET o dei IGBT di alimentazione sul lato di alta conduttanza e lato di bassa conduttanza (o di un qualsiasi altro dispositivo del tipo a porte MOS)tramite i segnali di ingresso di livello logico, con tensione di riferimento a terra.Tali circuiti sono particolarmente adatti per l'azionamento dei circuiti di reattori di lampade a scarica in gas.
Più specificamente il circuito di controllo a porte MOS dell’invenzione può essere usato per il controllo dei circuiti dei reattori di lampade o, più in generale,di un qualsiasi circuito a porte MOS desiderato, ed è fornito delle seguenti caratteristiche:
1. Esso fornisce i segnali di tensione di controllo delle porte per due saniconduttori di alimentazione a porte MOS come i circuiti MOSFET o IGBT di alimentazione, uno indicato come "interruttore di bassa conduttanza" e l'altro come un "interruttore di alta conduttanza". I due interruttori di alimentazione sono comunemente collegati in una pila a totem o in un circuito a semiponte.
2. Esso prevede i circuiti di sfasamento del livello con una capacità di sfasamento della tensione fino a circa 600 volt per traslare i segnali con riferimento a terra (substrato)tramite una parte isolata della matrice di silicio per facilitare la funzione di controllo dell'interruttore del lato di alta conduttanza.
3. Un circuito logico riferito alla terra (substrato) che comprende conparatori, un regolatore della tensione per controllare la grandezza dei segnali di uscita quando il dispositivo di controllo viene fornito con alimentazioni a corrente continua non regolate, i circuiti di blocco per sottotensione per evitare l'azionamento marginale degli interruttori di alimentazione MOS, entrambi i lati di bassa conduttanza e di alta conduttanza, un circuito di ritardo di banda morta che evita il passaggio delle correnti "di passaggio rapido" negli interruttori di alimentazione MOS, ed una funzione logica che permette che i segnali di controllo di uscita sul lato di alta conduttanza e sul lato di bassa conduttanza siano usati alternativamente con una peridoicità del 50% rispetto al tarpo.
4. Un'uscita logica addizionale viene fornita in modo che il dispositivo di controllo possa essere autoscillante ad una frequenza determinata da resistor! e capacitori esterni Rp e CT , rispettivamente, nei quali la frequenza di oscillazione 3⁄4 è regolata dalla relazione:
5. La matrice monolitica può essere ottenuta a pacchetto in un pacchetto DIP o SMD a 8 piedini convenzionale.
DESCRIZIONE DETTAGLIATA DEI DISEGNI
Le Figure illustrano:
- La Figura 1 illustra un reattore elettronico della tecnica precedente che utilizza un dispositivo di controllo di un trasformatore di corrente;
- La Figura 2 illustra un reattore elettronico generico per le lampade a scarica in gas, che utilizza il circuito monolitico della presente invenzione;
- La Figura 3 illustra lo schema circuitale di un reattore fluorescente "doublé 40", che utilizza il circuito di controllo a porte MOS monolitico dell'invenzione;
- La Figura 4 illustra uno schema circuitale di un reattore al sodio ad alta pressione che utilizza il circuito di controllo a porte MOS di nuovo tipo della presente invenzione;
- La Figura 5 è uno schema a blocchi del nuovo circuito di controllo a porte monolitico illustrato nella Figure 2, 3 e 4.
DESCRIZIONE DETTAGLIATA DEI DISEGNI
Con riferimento dapprima alla Figura 1 viene illustrato un reattore della tecnica precedente che utilizza un dispositivo di controllo di un trasformatore di corrente. Il circuito impiega i MOSFET di alimentazione 20 e 21 collegati in una "pila a totem", un circuito a semiponte, ed alimentati da un'alimentazione di corrente continua nei terminali 22 e 23. Il circuito di uscita include un tubo a scarica in gas 24 di un tipo qualsiasi desiderato che è collegato ad un circuito L-C seriale comprendente un induttore 25 e i capacitori 26-27. Un trasformatore di corrente 28 ha un avvolgimento primario 29 collegato in serie con il tubo 24 e gli avvolgimenti secondari 30 e 31 collegati alle porte dei MOSFET 20 e 21, rispettivamente. Un diac 32 è collegato fra il nodo, compreso fra il resistore 33 e il capacitore 34, e la porta del MOSFET 21 per fornire un impulso di avviamento per avviare il circuito in fase di oscillazione-Una volta avviato, il circuito opererà alla frequenza di risonanza dell'induttore 25 e del capacitore 26.
Più specificamente dopo che il MOSFET 21 è stato acceso,viene mantenuta l'oscillazione, ed un'alta frequenza (30-80 kHz) eccita il circuito L-C.La tensione sinusoidale applicata ai campi del capacitore 27 viene amplificata dalla Q del circuito alla frequenza di risonanza, e sviluppa una grandezza di tensione sufficiente per accendere la lampada 24.
Il circuito della Figura 1 è un derivato dai progetti di reattore noti che utilizza transistori bipolari e non è molto adatto per azionare i MOSFET in quanto le loro forme d'onda sono scadenti. Il nuovo circuito integrato monolitico dell'invenzione permette di controllare un circuito di reattore che ha un avviamento automatico, ha un tempo di conmutazione migliore,può essere azionata per l'attenuazione, ed evita i componenti di induttori che richiedono un tempo di produzione elevato, come il trasformatore di corrente 28 della Figura 1.
La Figura 2 illustra il nuovo circuito di controllo a porte MOS monolitico 40 dell'invenzione nel circuito del reattore di una lampada a scarica in gas.Più specificamente, il circuito della Figura 2 ha una lampada a scarica in gas 24 associata con i circuiti L-Cseriali 25, 26, 27 della Figura 1.Due MOSFET di alimentazione 20 e 21 sono anch'essi collegati ai terminali di alimentazione diCC 22 e 23 come illustrato nella Figura 1.
I MOSFET di alimentazione 20 e 21 possono rappresentare un qualsiasi dispositivo di alimentazione che abbia una porta MOS, per esenpio un tiristore a porte MOS o IGBT. Il circuito integrato 40 della Figura 2 fornisce i segnali di controllo ai MOSFET 20 e 21 cosa che evita gli svantaggi del circuito della tecnica precedente illustrato nella Figura 1.
Più specificamente il circuito integrato 40 può essere incorporato in un pacchetto per montaggio su superficie o DIP ad 8 piedini, e ha le seguenti uscite a piedini:
HQ - un piedino di uscita verso la porta del MOSFET 20 del lato di alta conduttanza;
Vs - un piedino diretto verso la spina centrale dei MOSFET 20 e 21 collegati come pila a totem o a semiponte.
Lo - un piedino di uscita verso la porta del MOSFET 21 del lato di bassa conduttanza.
G - un piedino collegato al terminale negativo 23 dell'alimentazione a CC.
Gp - un piedino di controllo di ingresso singolo che è collegato al nodo fra il capacitore di temporizzazione Gp e il resistore di temporizzazione Rp. L'altro lato del capacitore Gp è collegato all'induttore 25. I segnali di controllo verso il singolo piedino Gp controllano le due uscite
RT - un piedino che è collegato all'altro terminale del resistere di temporizzazione R T.
Vcc - un piedino che riceve una tensione operativa del circuito integrato proveniente dal nodo incluso fra il resistere 41 e il capacitore 42.
Vg - un piedino collegato al nodo del diodo 43 e al capacitore 44, che agisce come un circuito di "avviamento" (bootstrap) per fornire l'alimentazione per l'azionamento dell'interruttore del lato di alta conduttanza.
Inoltre nella Figura 2 sono indicati due diodi 50 e 51 contrapposti (back-to -back) collegati in serie con il circuito della lampada. Questi diodi 50 e 51 formando un rilevatore di passaggio sullo zero della frequenza della lampada 24.
Durante il funzionamento, e prima che il tubo 24 si accenda, il circuito risonante conprende l'induttore 24 e i due capacitori 26 e 27. La capacitanza del capacitore 27 è inferiore a quella del capacitore 26 di modo che essa operi ad una tensione alternata superiore a quella del capacitore 26. Questa tensione sul capacitore 27 accende la lampada 24. Dopo che la lampada 24 si è accesa, il capacitore 27 viene cortocircuitato efficacemente dalla caduta di tensione della lampada e la frequenza del circuito della lampada in fase risonante ora dipende dall'induttore 25 e dal capacitore 26.
Questo produce uno sfasamento ad una frequenza di risonanza infe— riore durante il funzionamento normale, sincronizzato dal passaggio per il valore nullo della tensione alternata dei diodi 50 e 51, ed utilizzando la tensione risultante per controllare l'oscillatore entro il circuito integrato 40. Cane verrà illustrato la frequenza di oscillazione del circuito viene sincronizzata dall'aggiunta del resistore RT e del capacitore Op.
Il circuito integrato 40 fornisce la capacità di sfasamento della tensione fino a o superiore a 600 volt in CC.e ha una capacità di "valore massimo di picco" simile per il funzionamento a quella del ben noto circuito integrato (IC) temporizzatore CMOS 555. Il circuito integrato 40 ha anche la circuiteria interna per realizzare un tempo morto nominale di 1 microsecondo fra le uscite del lato di alta conduttanza e le uscite del lato di bassa conduttanza con funzionamento alternato per azionare gli interruttori 20 e 21.
Come verrà illustrato meglio nel seguito, il circuito integrato 40 verrà alimentato sul terminale 22 tramite una tensione a CA raddrizzata e pertanto è previsto per una corrente minima a riposo, e ha un regolatore in derivazione con intervallo di 15 volt. Per questo può essere usato un singolo resistore 41 con caduta di potenza di mezzo watt.
Oltre alla corrente a risposo esistono altre due conponenti della corrente di alimentazione a.CC che sono una finzione del circuito dell'applicazione attualmente considerata.
1) Corrente prodotta dalla carica della capacitanza di ingresso degli interruttori di alimentazione.
2) Corrente prodotta dalla carica e dalla scarica della capacitanza di isolamento della giunzione del circuito integrato di controllo a porte.
Entrambe le componenti della corrente sono correlate alla carica e pertanto seguono la legge:
Q = CV
Si può osservare facilmente,pertanto, che per caricare e scaricare le capacitanze di ingresso degli interruttori di alimentazione, la carica richiesta è un prodotto della tensione di controllo delle porte e delle capacitanze di ingresso attuali, e la potenza di ingresso richiesta è direttamente proporzionale al prodotto della carica e della frequenza e della tensione al quadrato:
Potenza
Quando si progetta un circuito di reattore considerato e a causa delle suddette relazioni, si deve osservare quanto segue:
1) Scegliere la frequenza operativa più bassa che si realizza minimizzando la dimensione dell'induttore.
2) Scegliere la dimensione della matrice più piccola per gli interruttori di alimentazione che consente le perdite di conduzione basse. (Questo riduce le quantità di carica richieste).
3) Usare la tensione a CC più bassa possibile.
In sommario il circuito della Figura 2, quando controllato dal circuito integrato 40, realizza un generatore ad onda quadra autoscillante con il controllo del tempo morto e lo sfasamento del livello per i dispositivi a porte MQS del circuito. A differenza dal circuito di controllo a trasformatore di corrente della tecnicaprecedente, il nuovo sistema fornisce forme d'onda nette "da manuale" per minimizzare le perdite degli interruttori.
In molti casi,possono essere scelti MOSFET di dimensioni più piccole o, in alternativa, possono essere ridotti o eliminati i dispersori di calore.
La Figura 3 illustra un circuito di reattore esemplificativo che potrebbe utilizzare il circuito integrato 40 della Figura 2 per un reattore di lampada fluorescente "doublé 40".Nella Figura 3 i componenti simili a quelli della Figura 2 hanno gli stessi numeri di identificazione. Il circuito della lampada della Figura 3 inpiega due lampade fluorescenti di 40 watt 60 e 61 in un riflettore comune che hanno rispettivi induttori seriali 62 e 63 e capacitore in serie 64.Ciascuno dei tubi 60 e 61 ha capacitori paralleli 66 e 67, rispettivamente,e termistori in parallelo 68 e 69, rispettivamente, con coefficiente di temperatura positivo.Uno stabilizzatore comprendente un capacitore 70 ed un resistere 70a è collegato al nodo compreso fra i MOSFET 20 e 21 e la linea neutra.
Il circuito a CA di ingresso include un'alimentazione a CA avente due terminali a CA LI e L2 ed un terminale neutro N.Un circuito filtrante convenzionale comprendente gli induttori 7la e 7Ib di 30 microhenry è collegato ad un raddrizzatore 74 ad onda completa e singola fase avente un'uscita positiva collegata al resistere 41 e un terminale negativo collegato al capacitore 42, che realizza un'uscita a CC di 320 volt derivata da un ingresso a CA di 220 volt. Il filtro di ingresso inoltre include i capacitori 75, 76 e 77 ed anche i capacitori a CC 78 e 79.
Si noti che il circuito integrato 40 della Figura 3 opera direttamente all'esterno del cavo bus a CC attraverso il resistore di riduzione di tensione 41 e oscilla a circa 45 kHz in accordo con la seguente relazione:
L'alimentazione per il controllo delle porte degli interruttori del lato di alta conduttanza proviene dal capacitore di avviamento 44 (0,1 ^iF) che viene caricato ad approssimativamente 14 volt se il piedino Vs viene regolato in conduttanza bassa durante la conduzione dell'interruttore del lato di bassa conduttanza.
Il diodo di avviamento 43 (11DF4) blocca la tensione del cavo bus a CC quando l'interruttore del lato di alta conduttanza conduce. Il diodo 43 è un diodo a ricupero rapido (< 100 nsec) per assicurare che il capacitore di avviamento 44 non sia parzialmente scaricato quando il diodo 43 si carica e blocca il cavo bus di alta tensione.
L'uscita di alta frequenza proveniente dal semiponte 20-21 è un'onda quadra con tarpi di transizione molto rapidi (approssimativamente 50 nSec). Per evitare un'eccessiva irradiazione del disturbo prodotta dai fronti d'onda rapidi, viene usato uno stabilizzatore 70-70a di 0,5 watt (10 v e 0,001 uF rispettivamente) per ridurre i tempi di commutazione ad approssimativamente 0,5 uSec.
Si noti che esiste un tempo morto intrinseco di 1 usec per evitare le correnti di passaggio radipo nel semiponte.
Le lampade fluorescenti 60 e 61 vengono azionate in parallelo, ciascuna con il proprio circuito risonate L-C. Un qualsiasi numero di circuiti di tubo può essere azionato dalla singola coppia di MOSFET 20 e 21 dimensionati per adattarsi al valore di potenza richiesta.
I valori di reattanza del circuito della lampada vengono scelti dalle tabelle di reattanza L-C o dall'equazione della risonanza seriale:
La carica Q dei circuiti di lampada è alquanto bassa a causa della necessità di azionamento a partire da una frequenza fissa che, naturalmente, può variare a causa delle tolleranze di Rp e Gp. Le lampade fluorescenti non richiedono normalmente tensioni di avviamento molto elevate di modo che una carica Q di due o tre volte il valore nominale è sufficiente.Le curve di Q "piatte" richiedono degli induttori più grandi e piccoli valori di capacità, in cui:
ed R tende a crescere quanto più grande è il numero di spire utilizzate.
L'avviamento lento con il preriscaldamento del filamento del tubo viene ottenuto con i termistori della Soc. P.T.C. 68 e 69 disposti ai capi di ciascuna lampada. In questo modo la tensione ai capi della lampada aumenta gradualmente quando il termistore P.T.C. si autoriscalda fino a quando infine viene raggiunta la tensione di accensione per i filamenti caldi e la lampada si accende.
La tabella seguente illustra le caratteristiche dei componenti usati per una forma di realizzazione preferita della Figura 3: MOSFETs20, 21 Tipo IRF 720 (International rectifier)
PTC 68, 69 TDK 911P97ES014U10
Ponte 74 4 x IN 4007
Diodo 43 11DF4
Resistere 41 91 KOHMS,1/2 watt
Resistere 70a 10 DHMS,1/2 watt
Resistere RT 15 KOHMS
Capacitare 42 47 20V
Capacitore 64
Capacitore 66, 67
70
75, 76, 77
78, 79
°Γ
Induttori 62, 63 1,35 millihenry
La Figura 4 illustra un'altra forma di realizzazione dell'invenzione per il controllo di un rettore di lampada al sodio ad alta pressione. Il circuito della Figura 4 ha il circuito di sincronizzazione della Figura 2 e inoltre ha un circuito di esclusione automatico.Nella Figura 4 i componenti simili a quelli delle Figure 2 e 3 hanno numeri di identificazione simili. In Figura 4 la lampada è una lampada al sodio ad alta pressione 90 avente un capacitore parallelo 91 e un induttore 92.L’induttore 92 ha un coperchio che fa parte di un circuito di esclusione ed include il resistore 93, i diodi 94 e 95 e il capacitore 96.
In Figura 4 il circuito di sincronizzazione conprende i diodi di rilevamento 50 e 51 dell'attraversamento del valore zero che sincronizzano la frequenza di autoscillezione alla frequenza di risonanza del circuito di LC 91, 92.La Q del circuito di risonanza seriale è regolata per essere circa 20 e fornisce una tensione sufficiente per accendere la lampada 90.La capacità di sincronizzazione del circuito integrato 40 permette che il circuito di regolazione seriale della Figura 4 risuoni a Q elevata per realizzare la tensione di avviamento di 3 kV della lampada 90 senza l’uso di un dispositivo di accensione separato.
In una situazione di riaw iamento a caldo, in cui Q è insufficiente per realizzare la necessaria tensione di riavviamento , il circuito di esclusione conprendente i diodi 95 e 96 fornisce una tensione di coercizione a CC che evita che la tensione nel piedino Cq>raggiunga il punto minimo di comnutazione di 1/3 Vcc. Pertanto il circuito realizza dei "picchi" di oscillazione fino a quando viene ottenuta la riaccensione (approssimativamente in 90 secondi) e viene mantenuta, e vengono evitate le correnti distruttive elevate nel MOSFET.
La Figura 5 è uno schema a blocchi del circuito integrato 40 delle precedenti Figure 2, 3 e 4. Gli otto piedini di uscita del circuito integrato 40 vengono ripetuti nella Figura 5. Tutti i blocchi del circuito che verranno descritti nella Figura 5 sono integrati in un circuito integrato di silicio comune. Il primo blocco del circuito è il circuito del morsetto 100, conprendente una pluralità di diodi Zener. Questi sono collegati dal piedino Vcc e dal piedino Vss che è collegato con il substrato di silicio che agisce come la terra del circuito integrato. Una linea di alimentazione digitale e una linea di alimentazione analogica escono entrambe dal piedino Vcc. Una linea di terra analogica e una linea di terra digitale sono anch1esse collegate al piedino Vss.
Il successivo gruppo dei blocchi di circuito forma un circuito temporizzatore. Questi blocchi includono il circuito divisore 101 collegato alla linea di alimentazione analogica della linea di terra analogica, i comparatori N 102, i comparatori P 103 e un collegamento RS 104. Due prese provenienti dal divisore 101 sono collegate agli ingressi positivi dei comparatori 102 e 103. Il piedino di ingresso Gp è collegato all'ingresso negativo del comparatore 103. Le uscite dei comparatori 102 e 103 sono collegate al collegamento RS 104 come illustrato.
Il collegamento RS 104 è anche collegato con il circuito 105 di blocco per sottotensione che è integrato nel circuito integrato. Pertanto se Vcc si riduce ad un valore troppo basso, il collegamento RS 104 viene bloccato.
Un circuito di coercizione 106 fornisce le uscite di coercizione al collegamento RS 104, al circuito di blocco 105 e ai circuiti 107 e 108 di ritardo di tempo morto nelle linee dei circuiti di lato di alta conduttanza e lato di bassa conduttanza. I circuiti 107 e 108 di ritardo di tempo forniscono un tempo morto o un ritardo di circa 1 microsecondo fra l'accensione dell'interruttore del lato di alta conduttanza o del lato di bassa conduttanza dopo lo spegnimento dell'altro. Questo tempo morto assicura che non può essere realizzato un circuito di "passaggio rapido", nel quale i due MOSFET di alimentazione 20 e 21 sono contenporaneamente accesi.
L'uscita del circuito di tempo morto 108 viene applicata al circuito di ritardo del lato di bassa conduttanza 109 e al controllore del lato di bassa conduttanza 110 che è collegato al piedino Lo·
L'uscita del circuito di tarpo morto 107 è applicata al generatore 111 di inpulsi di sfasamento del livello nella linea di uscita del lato di alta conduttanza.La linea del lato di alta conduttanza include anche un circuito di alimentazione 112 di coercizione del lato di alta conduttanza che controlla un circuito filtrante 113 dv/dt che filtra il rumore dall'impulso derivato dal circuito 113, ed un circuito 114 di bloccaggio analogico per sottotensione.
L'ingresso al circuito di coercizione del lato di alta conduttanza 112 è collegato al piedino Vg.
L'uscita del circuito di blocco 114 e del filtro dv/dt 113 è applicata al circuito di collegamento 115 e la sua uscita è collegata alla manoria tampone 116 che contiene gli stadi di guadagno e controlla il piedino Ho. Si noti che il piedino Vss è collegato ai circuiti 113, 114, 115 e 116.
Sebbene la presente invenzione sia stata descritta in relazione alla sue forme di realizzazione particolari,molte altre varianti e modifiche e altri utilizzi saranno evidenti alle persone esperte della tecnica.E'preferito, pertanto,che la presente invenzione sia limitata non dalla specifica rivelazione illustrata,ma solo dalle rivendicazioni allegate.
Claims (22)
- RIVENDICAZIONI 1. Un circuito integrato formato in un substrato di silicio per controllare il primo ed il secondo dispositivo di alimentazione a porte MOS che sono collegati in un circuito a semiponte che ha un primo ed un secondo terminale a CC ed un terminale comune sul nodo fra il detto primo e secondo dispositivo di alimentazione a porte MOS; il detto circuito integrato comprendendo il mezzo di circuito temporizzatore avente un terminale di controllo di ingresso Op che può essere collegato con un segnale di livello logico basso riferito al potenziale del detto substrato; il mezzo di circuito di collegamento accoppiato al detto mezzo di circuito temporizzatore per controllare la frequenza alla quale il detto primo e secondo dispositivo MOS vengono commutati in inserzione e disinserzione, ed avente un'uscita che viene commutata in risposta ad un segnale predeterminato applicato al detto terminale di controllo degli ingressi; un circuito di ritardo di tempo morto del lato di alta conduttanza e un circuito di ritardo di tempo morto del lato di bassa conduttanza sono ciascuno accoppiato al detto mezzo di circuito di collegamento per ritardare la trasmissione di un segnale di uscita di collegamento per un ritardo di tempo predeterminato che segue la commutazione dell'uscita del detto mezzo di circuito di collegamento; un mezzo di sfasamento del livello del lato di alta conduttanza e un mezzo di circuito di controllo del lato di alta conduttanza ed un mezzo di circuito di controllo del lato di bassa conduttanza; il detto mezzo di circuito di contro llo del lato di alta conduttanza, e il detto mezzo di contro llo del lato di bassa conduttanza accoppiati al detto circuito di tempo morto del lato di alta conduttanza e al detto circuito di tarpo morto del lato di bassa conduttanza rispettivamente e aventi i piedini di uscita del lato di alta conduttanza e del lato di bassa conduttanza rispettivamente che producono segnali di uscita per accendere e spegnere il detto primo e secondo dispositivo di controllo a porte MOS in risposta ai segnali di controllo del detto terminale di controllo di ingresso Cp; i detti circuiti di ritardo del tempo morto impedendo la simultanea conduzione del detto primo e secondo dispositivo di alimentazione a porte MOS.
- 2. Il circuito integrato della rivendicazione 1, nel quale i detti dispositivi di alimentazione a porte MOS sono dispositivi MOS che sono scelti nel gruppo comprendente MOSFET, IGBT e tiristori a porte MOS di alimentazione.
- 3. Il circuito integrato della rivendicazione 1, nel quale il detto predeterminato ritardo di tempo è di circa 1 micro secondo.
- 4. Il circuito della rivendicazione 1, che inoltre conprende una sorgente di tensione operativa Vcc accoppiata con il detto primo e secondo terminale a CC per fornire l'alimentazione operativa per ciascuno dei detti mezzi di circuito del detto circuito integrato; il detto circuito integrato avendo un piedino Vcc che si estende fra essi per il collegamento ad almeno uno dei detti primo e secondo terminale a CC.
- 5- Il circuito della rivendicazione 4, che inoltre comprende un mezzo a resistere per accoppiare il detto piedino Vcc al detto primo terminale a CC.
- 6. Il circuito integrato della rivendicazione 4, nel quale il detto predeterminato ritardo di tempo è di circa 1 microsecondo.
- 7. Il circuito integrato della rivendicazione 6, nel quale il detto predeterminato ritardo di tarpo è di circa 1 microsecondo.
- 8. Il dispositivo della rivendicazione 4, che inoltre include un mezzo di circuito di azionamento per sottotensione accoppiato con e che controlla la tensione nel detto piedino Vcc ed avente una uscita accoppiata al detto mezzo di circuito di collegamento e ai detti circuiti di tempo morto del lato di alta conduttanza e del lato di bassa conduttanza per disabilitare il detto mezzo di circuito di collegamento e i circuiti di ritardo quando la tensione nel detto piedino Vcc scende sotto un valore assegnato.
- 9. Il circuito integrato della rivendicazione 8, nel quale il detto ritardo di tempo predeterminato è di circa 1 microsecondo.
- 10. Il circuito della rivendicazione 9, che inoltre include una sorgente di tensione operativa Vcc accoppiata al detto primo e secondo terminale a CC per fornire l’alimentazione di azionamento a ciascuno dei detti mezzi di circuito nel detto circuito integrato, il detto circuito integrato avendo un piedino Vcc uscente da esso per il collegamento ad almeno uno dei detti primo e secondo terminale a CC.
- 11. Il circuito della rivendicazione 7, che inoltre include un mezzo a resistere per accoppiare il detto piedinoVcc con il detto primo terminale a CC.
- 12. Il circuito della rivendicazione 8, che inoltre include un mezzo a resistere per accoppiare il detto piedino Vcc con il detto primo terminale positivo.
- 13. Il dispositivo della rivendicazione 1, nel quale il detto circuito temporizzatore ha un secondo terminale di controllo di ingresso Rp per controllare la frequenza alla quale i detti dispositivi a porte MOS vengono accesi e spenti; i detti terminali CT e Rp essendo collegati ad un capacitore di temporizzazione esterno con valore Gp e il resistere di temporizzazione con valore Rp rispettivamente per regolare la frequenza di oscillazione fo del detto circuito di temporizzazione che deve essere:
- 14. Il circuito integrato della rivendicazione 13, nel quale il detto ritardo di tempo predeterminato è di circa 1 microsecondo.
- 15. Il circuito della rivendicazione 13, che inoltre include una sorgente di tensione operativa Vcc accoppiata con i detti primo e secondo terminale a CC per fornire l'alimentazione operativa a ciascuno dei detti mezzi di circuito nel detto circuito integrato; il detto circuito integrato avendo un piedino Vcc uscente da esso per il collegamento ad almeno uno dei detti primo e secondo terminale a CC.
- 16. Il circuito della rivendicazione 13, che inoltre include un mezzo di resistere per accoppiare il detto piedino Vcc al detto primo terminale di CC.
- 17. Il dispositivo della rivendicazione 13, che inoltre include un mezzo di circuito di azionamento per sottotensione accoppiato con e che monitorizza la tensione del detto piedino Vcc e avente un'uscita accoppiata al detto mezzo di circuito di collegamento e ai detti circuiti di tempo morto del lato di alta conduttanza e lato di bassa conduttanza per disabilitare il detto mezzo di circuito di collegamento e i circuiti di ritardo quando la tensione nel detto piedino Vcc scende sotto un determinato valore.
- 18. Un circuito di reattore elettronico comprendente, in combinazione, almeno una lampada a scarica in gas, almeno un circuito L-C in serie con la detta lampada a scarica in gas, il primo e il secondo dispositivo di commutazione di alimentazione controllati da porte MOS collegati in serie avendo rispettivi terminali di porte e collegati in una disposizione di circuito a semiponte, una coppia di terminali di alimentazione a CC collegati in serie con i detti primo e secondo dispositivo di commutazione collegati in serie; la detta lampada e il circuito in serie L-C collegati ai capi del detto secondo dispositivo di commutazione di alimentazione, e un circuito di controllo a porte avente un terminale di ingresso per ricevere i segnali di livello logico di ingresso per ccnmutare alternativamente in inserzione ed esclusione i due detti primo e secondo dispositivo a porte MOS ad una data frequenza di oscillazione; il detto circuito di controllo a porte avendo i terminali di uscita Ho e Lo accoppiati alle rispettive porte dei detti dispositivi discreti; il detto circuito di controllo a porte avendo un terminale Vcc che fornisce l'alimentazione di aziona-” mento per la sua circuiteria interna; e un resiste re esterno per collegare il detto terminale Vcc ad una delle dette coppie di terminali.
- 19. Un circuito di reattore elettronico comprendente, in combinazione, almeno una lampada a scarica in gas, almeno un circuito L-C in serie con la detta lampada a scarica in gas, il primo e il secondo dispositivo di commutazione di alimentazione a porte MOS collegati in serie avendo rispettivi terminali di porte e collegati in una disposizione di circuito a semiponte, una coppia di terminali di alimentazione a CC collegati in serie con i detti primo e secondo dispositivo di commutazione collegati in serie; la detta lampada e il circuito in serie L-C collegati ai capi del detto secondo dispositivo di commutazione di alimentazione, e un circuito di controllo a porte avente un terminale di ingresso per ricevere i segnali di livello logico di ingresso per commrtare alternativamente in inserzione ed esclusione i due detti primo e secondo dispositivo a porte MOS ad una data frequenza di oscillazione; il detto circuito di controllo a porte avende i terminali di uscita Ho e Lo accoppiati alle rispettive porte dei detti dispositivi di conmutazione di alimentazione; il detto circuito di controllo a porte avendo un circuito tesporizzatore delle oscillazioni avente il primo ed il secondo piedino di ingresso Rp e T rispettivamente, ed un resistore discreto ed un capacitore discreto collegati ai piedini R e Cj rispettivamente per regolare la detta frequenza assegnata di oscillazione ad una data frequenza e alla frequenza di oscillazione del detto circuito L-C.
- 20 _un circuito di reattore elettronico comprendente, in combinazione, almeno una lampada a scarica in gas, almeno un circuito L-C in serie con la detta lampada a scarica in gas, il primo e il secondo dispositivo di commutazione di alimentazione controllati da porte MOS collegati in serie avendo rispettivi terminali di porte e collegati in una disposizione di circuito a semiponte, una coppia di terminali di alimentazione a CC collegati in serie con i detti primo e secondo dispositivo di comnutazione collegati in serie; la detta lampada e il circuito in serie L-C collegati ai capi del detto secondo dispositivo di commutazione di alimentazione, e un circuito di controllo a porte avente un terminale di ingresso per ricevere i segnali di livello logico di ingresso per commutare alternativamente in inserzione ed esclusione i due detti primo e secondo dispositivo a porte MOS ad una data frequenza di oscillazione; il detto circuito di controllo a porte avendo i terminali di uscita Ho e Lo accoppiati alle rispettive porte dei detti dispositivi di carrenutazione di alimentazione; il detto circuito di controllo a porte avendo un terminale Vcc che fornisce l'alimentazione di azionamento per la sua circuiteria interna; e un resistere esterno per collegare il detto terminale Vcc ad una delle dette coppie di terminali; il detto circuito di controllo delle porte avendo un circuito temporizzatore dell'oscillazione avente il primo ed il secondo piedino di ingresso RT eCT rispettivamente, ed un resistere discreto ed un capacitore discreto collegati ai piedini Rp e Gp rispettivamente per regolare la detta frequenza assegnata di oscillazione ad una data frequenza e al frequenza di oscillazione del detto circuito L-C.
- 21.Un circuito di reattore elettronico comprendente, in combinazione, almeno una lampada a scarica in gas,almeno un circuito L-C in serie con la detta lanpada a scarica in gas, il primo e il secondo dispositivo di commutazione di alimentazione controllati a porte MOS collegati in serie avendo rispettivi terminali di porte e collegati in una disposizione di circuito a semiponte, una coppia di terminali di alimentazione di CC collegati in serie con i detti primo e secondo dispositivo di commutazione collegati in serie; la detta lampada e il circuito in serie bC collegati ai capi del detto secondo dispositivo di commutazione di alimentazione, e un circuito di controllo a porte monolitico avente un terminale di ingresso per ricevere i segnali di livello logico di ingresso per ccsnmutare alternativamente in inserzione ed esclusione i due detti primo e secondo dispositivo a porte MOS ad una frequenza di oscillazione assegnata; il detto circuito di alimentazione a porte avendo i terminali di uscita Ho e Lo accoppiati alle rispettive porte dei detti dispositivi discreti; il detto circuito di controllo a porte avendo un terminale Vcc che fornisce l'alimentazione di azionamento per la sua circuiteria interna; e un resistare esterno per collegare il detto terminale Vcc ad un terminale della detta coppia di terminali; il detto circuito integrato comprendendo mezzi di temporizzazione aventi un terminale di controllo di ingresso Op che può essere collegato ad un segnale di livello logico basso riferito al potenziale del detto substrato; mezzi di circuito di collegamento accoppiati con il detto mezzo di circuito temporizzatore per controllare la frequenza alla quale il detto primo e secondo dispositivo di conrrutazione di alimentazione sono commutati in inserzione e esclusione ed aventi un'uscita che è commutata in risposta ad un segnale predeterminato inviato al detto terminale di controllo di ingresso; un circuito di ritardo di tempo morto del lato di alta conduttanza e un circuito di tempo morto del lato di bassa conduttanza, ciascuno accoppiato al detto mezzo di circuito di collegamento per ritardare la trasmissione di un segnale di uscita di collegamento per un predeterminato ritardo di tempo che segue la commutazione dell'uscita del detto mezzo di circuito di collegamento; un mezzo di sfasamento del livello del lato di alta conduttanza ed un mezzo di circuito di controllo del lato di alta conduttanza ed un mezzo di circuito di controllo del lato di bassa conduttanza; il detto mezzo di circuito di controllo del lato di alta conduttanza e il detto mezzo di circuito di controllo del lato di bassa conduttanza accoppiati al detto circuito di tempo morto del lato di alta conduttanza e al detto mezzo di circuito di tempo morto del lato di bassa conduttanza rispettivamente ed aventi i piedini di uscita del lato di alta conduttanza e del lato di bassa conduttanza rispettivamente che producono segnali di uscita per inserire e disinserire i detti primo e secondo dispositivo di controllo a porte MOS in risposta a segnali di controllo nel detto terminale di controllo di ingresso Gj>; i detti circuiti di ritardo di tempo morto impedendo la simultanea conduzione del detto primo e secondo dispositivo di controllo a porte MOS.
- 22. Un circuito di reattore elettronico conprendente, in combinazione, almeno una lampada a scarica in gas, almeno un circuito L-C in serie con la detta lampada a scarica in gas, il primo e il secondo dispositivo di commutazione di alimentazione controllati a porte MOS collegati in serie avendo rispettivi terminali di portee collegati in una disposizione di circuito di semiponte, una coppia di terminali di alimentazione a CC collegati in serie con i detti primo e secondo dispositivo di commutazione collegati in serie; la detta lampada e il circuito in serie L-C collegati ai capi del detto secondo dispositivo di commutazione di alimentazione, e in circuito di controllo a porte avente un terminale di ingresso per ricevere i segnali di livello logico di ingresso per ccnmutare alternativamente in inserzione ed esclusione i due detti primo e secondo dispositivo a porte MOS ad una data frequenza di oscillazione; il detto circuito di controllo a porte avendo i terminali di uscita Ho e Lo accoppiati alle rispettive porte dei detti dispositivi di commutazione di alimentazione; il detto circuito di controllo a porte avendo un circuito temporizzatore delle oscillazioni avente il primo ed il secondo piedino di ingresso Rp e 3⁄4 rispettivamente, ed un resistere discreto ed un capacitore discreto collegati ai piedini Rp e Gp, rispettivamente, per regolare la detta frequenza di oscillazione ad una data frequenza e alla frequenza di oscillazione per una data frequenza e alla frequenza di oscillazione del detto circuito L-C; il detto circuito integrato comprendendo mezzi di temporizzazione aventi un terminale di controllo di ingresso Cp che può essere collegato ad un segnale di livello logico basso riferito al potenziale del detto substrato; mezzi di circuito di collegamento accoppiati con il detto mezzo di circuito di temporizzazione per controllare la frequenza alla quale il detto primo e secondo dispositivo discreti sono comnutati in inserzione e esclusione ed aventi un'uscita che è commutata in risposta ad un segnale predeterminato inviato al detto terminaie di controllo di ingresso; un circuito di ritardo di tempo morto del lato di alta conduttanza e un circuito di tempo morto del lato di bassa conduttanza, ciascuno accoppiato al detto circuito di collegamento RS per ritardare la trasmissione di un segnale di uscita di collegamento per un predeterminato ritardo di tempo che segue la commutazione dell'uscita del detto mezzo di circuito di collegamento; un mezzo di sfasamento del livello del lato di alta conduttanza ed un mezzo di circuito di controllo del lato di alta conduttanza ed un mezzo di circuito di controllo del lato di bassa conduttanza; il detto mezzo di circuito di controllo del lato di alta conduttanza e il detto mezzo di circuito di controllo del lato di bassa conduttanza accoppiati al detto circuito di tempo morto del lato di alta conduttanza e il detto mezzo di circuito di tempo morto del lato di bassa conduttanza rispettivamente, ed aventi i piedini di uscita del lato di alta conduttanza e lato di bassa conduttanza rispettivamente che producono segnali di uscita per inserire e disinserire i detti primo e secondo dispositivo di alimentazione a porte MOS in risposta a segnali di controllo nei detti terminali di controllo di ingresso <3⁄4.; i detti circuiti di ritardo di tempo morto incedendo la simultanea conduzione del detto primo secondo dispositivo di alimentazione a porte MOS.
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