FR2635376A3 - Procede pour nettoyer des reacteurs destines au traitement en phases gazeuses de pieces d'oeuvre, notamment des reacteurs pour le depot chimique sous plasma - Google Patents

Procede pour nettoyer des reacteurs destines au traitement en phases gazeuses de pieces d'oeuvre, notamment des reacteurs pour le depot chimique sous plasma Download PDF

Info

Publication number
FR2635376A3
FR2635376A3 FR8910294A FR8910294A FR2635376A3 FR 2635376 A3 FR2635376 A3 FR 2635376A3 FR 8910294 A FR8910294 A FR 8910294A FR 8910294 A FR8910294 A FR 8910294A FR 2635376 A3 FR2635376 A3 FR 2635376A3
Authority
FR
France
Prior art keywords
gas
reactor
reactors
treatment
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8910294A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2635376B3 (fr
Inventor
Rainer Moller
Dietmar Resch
Lutz Fabian
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Elektromat Dresden VEB
Elektromat VEB
Original Assignee
Elektromat Dresden VEB
Elektromat VEB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elektromat Dresden VEB, Elektromat VEB filed Critical Elektromat Dresden VEB
Publication of FR2635376A3 publication Critical patent/FR2635376A3/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2635376B3 publication Critical patent/FR2635376B3/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853Hygiene
    • H01J37/32862In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096Flat-bed apparatus

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

a) Procédé pour nettoyer des réacteurs destinés au traitement en phases gazeuses de pièces d'oeuvre, notamment des réacteurs pour le dépôt chimique sous plasma, b) Procédé caractérisé en ce qu'un gaz corrodant NF**3 ou un mélange de gaz corrodant approprié, est mis en circulation à travers le réacteur à nettoyer, en alternance ou bien simultanément par l'intermédiaire des cheminements de gaz de traitement prévus pour le traitement du substrat et par l'intermédiaire d'un second cheminement de gaz, c) L'invention se rapporte aux procédés pour nettoyer des réacteurs destinés au traitement en phases gazeuses de pièces d'oeuvre, notamment des réacteurs pour le dépôt chimique sous plasma.

Description

Procédé pour nettoyer des réacteurs destinés au traitement en phases
gazeuses de pièces d'oeuvre, notamment des réacteurs pour le dépot chimique sous plasma" Domaine d'application de l'invention
L'invention concerne un procédé pour net-
toyer des réacteurs destinés au traitement en phases gazeuses de pièces d'oeuvre. Elle sert notamment au nettoyage in-situ de réacteurs destinés au traitement
de plaques individuelles.
Caractéristique de l'état connu de la technique -
Il est habituel de démonter des réacteurs souillés, destinés au traitement en phases gazeuses de pièces d'oeuvre et de les nettoyer chimiquement en phases humides. Notamment dans le cas des réacteurs qui revêtent la forme de récipients sous vide, ceci
implique une dépense considérable. Il a été en cons-
équence, proposer ce que l'on appelle des solutions in-situ, qui permettent un nettoyage des réacteurs sans démonter ceux-ci. A cet effet, un mélange gazeux approprié est introduit par les alimentations en gaz existantes. Cela provoque, dans les conditions régnant
dans le réacteur, un nettoyage par corrosion des par-
ties souillées du réacteur. Notamment dans le cas de réacteurs prévus pour la mise en oeuvre de processus (CVD)(dépôt chimique à partir de la phase gazeuse) avec l'aide de plasma, cette façon de procéder est courante.
Les alimentations en gaz qui pendant le pro-
cessus de dépôt servent à amener les produits gazeux de départ (gaz de traitement) de la couche à déposer, sont pendant l'étape de nettoyage insitu, alimentées avec un gaz corrodant, tel que CF4/02 ou bien NF3. Le
nettoyage par corrosion des parties internes du réac-
teur est effectué sous-l'action d'un plasma HF et d'u-
ne température élevée dans le réacteur.
L'inconvénient de cette méthode est que l'on utilise pour l'introduction et l'évacuation du gaz corrodant, les mêmes cheminements qui sont également
utilisés pour réaliser le traitement des substrats.
Ces cheminements sont prévus de façon que l'effet du traitement du substrat se produise autant que possible seulement sur la surface du substrat et nulle part ailleurs dans le réacteur (par exemple douche de gaz
sur le substrat).
Comme cependant, il faut constater ce fait
que ce sont précisément ce que l'on appelle les espa-
ces morts non rincés du réacteur, espaces non parcou-
rus par le gaz de traitement, qui sont souillés le
plus rapidement, on ne peut obtenir avec le type clas-
sique qui a été décrit du nettoyage in-situ qu'un ef-
fet de nettoyage limité, ou bien l'action corrosive
doit être prolongée de façon disproportionnée. L'opti-
misation des cheminements du gaz de traitement à tra-
vers le réacteur pour obtenir l'effet optimal de trai-
tement sur la surface du substrat, est en opposition avec la nécessité d'un effet de traitement optimal sur les parois du réacteur pendant l'étape de nettoyage in-situ. But de l'invention
Le but de l'invention est de réduire la dé-
pense de nettoyage pour des réacteurs destinés au
traitement en phases gazeuses de pièces d'oeuvre.
Exposé de la nature de l'invention
Le problème posé à l'invention est de propo-
ser un procédé qui réalise un nettoyage in-situ plei-
nement efficace des réacteurs destinés au traitement
chimique en phases gazeuses de pièces d'oeuvre.
Conformément à l'invention, ce problème est
résolu en ce que l'on fait circuler à travers le réac-
teur un gaz corrodant ou un mélange de gaz corrodant approprié, en alternance ou bien simultanément par l'intermédiaire des cheminements du gaz de traitement
prévu pour le traitement du substrat et par l'intermé-
diaire d'un second cheminement de gaz qui sert, pen-
dant le traitement du substrat, à créer un coussin de
gaz de rinçage. Ce second cheminement de gaz est ré-
alisé en garnissant un réacteur pour le traitement en
phases gazeuses de pièces d'oeuvre, d'un second systè-
me de parois perméables aux gaz, et de canaux d'aspi-
ration appartenant à ce système, séparés spatialement
et fonctionnellement de l'aspiration du gaz de traite-
ment. Ce second système de parois perméables aux
gaz est disposé à une certaine distance des parois ex-
ternes du réacteur, et délimitent ainsi un espace creux de remplissage, dans lequel pénètre pendant le traitement du substrat un gaz de rinçage et pendant le cycle de nettoyage, un gaz corrodant ou un mélange de gaz corrodant qui s'écoule en nappe dans le réacteur à travers le second système de parois perméables aux gaz.
Selon une forme de réalisation de l'inven-
tion, le gaz corrodant ou le mélange de gaz corrodant est introduit dans le réacteur par l'intermédiaire de
l'alimentation en gaz de traitement et extrait du ré-
acteur par l'intermédiaire de l'aspiration du gaz de rinçage, ou bien il est introduit par l'intermédiaire de l'alimentation en gaz de rinçage et extrait du ré- acteur par l'intermédiaire de l'aspiration du gaz de traitement. Une autre variante du procédé conforme à l'invention consiste en ce que pendant le nettoyage par corrosion, la pièce d'oeuvre à traiter est enlevée ou bien remplacée par une pièce d'oeuvre de même forme
mais toutefois perforée, grace à quoi d'autres chemi-
nements de gaz sont ouverts vers les espaces autrement
non rincés du réacteur.
Exemple de réalisation L'invention va être exposée plus en détail à
l'aide d'un exemple de réalisation et d'un dessin.
Le dessin ci-joint est une coupe d'un dispo-
sitif à l'aide duquel le procédé conforme à l'inven-
tion peut être mis en oeuvre.
Ce dispositif est utilisé pour le revêtement
chimique sous plasma d'un substrat 6 avec du Si3N4.
Entre l'électrode haute fréquence 2, qui sert simulta-
nément à amener le gaz de traitement et à évacuer le gaz perdu, et le substrat 69, un plasma brûle pendant
le processus de dépôt. L'écoulement du gaz de traite-
ment est optimisé de façon que seul, en principe, le substrat soit revêtu. Cependant, les supports 7 du substrat, l'électrode HF 2 et les différentes autres
parties internes du réacteur, sont affectés d'un revê-
tement qui constitue une souillure.
Après le dépôt d'environ 1 x 10-6m de Si3N4, le réacteur est soumis à un nettoyage in-situ. Dans ce but, le réacteur est vidé par la pompe à vide rotative
à palettes qui lui est raccordée (possibilité d'ex-
traction de 30 m3/h) jusqu'à environ 103 Pa. Ensuite, par l'intermédiaire de la douche de gaz intégré dans
l'électrode HF 2, du NF3 est introduit, de sorte qu'u-
ne pression d'environ 150 Pa s'établit. Par l'intermé-
diaire du générateur HF d'une fréquence de 100 KHz, une puissance de 450 W est fournie et simultanément, par l'intermédiaire du chauffage par rayonnement 5 et de la fenêtre 4, le substrat est chauffé à environ
500*C.
Le NF3 est décomposé dans le plasma pour
donner des ions fluor, du fluor atomique et de l'azo-
te. Le fluor réagit avec le Si3N4 pour donner du fluo-
rure de silicium volatil et de l'azote. Ces produits
d'évacuation sont transportés hors du réacteur en pas-
sant par l'aspiration du gaz de traitement, et par l'intermédiaire de la pompe à vide. Après 2 minutes le cheminement du gaz NF3 passant par l'électrode HF 2
est interrompu et il y a commutation sur l'alimenta-
tion 9 en gaz de rinçage ou bien sur l'aspiration 10
de gaz de rinçage. En maintenant les conditions ci-
dessus, la corrosion se poursuit dans cette situation
pendant 1 minute. Ensuite, l'aspiration du gaz de rin-
çage 10 est interrompue, l'aspiration de gaz de trai-
tement est ouverte et le processus de corrosion est
poursuivi pendant une autre minute. Ensuite, l'alimen-
tation en gaz, ainsi que l'alimentation haute fréquen-
ce sont interrompues et le réacteur est vidé par pom-
page jusqu'à environ 10-3 Pa. Il s'en suit un remplis-
sage avec de l'azote par l'intermédiaire de l'alimen-
tation en gaz de rinçage 9 et l'alimentation en gaz de
traitement, jusqu'à une pression d'environ 4.10_3 Pa.
Après une nouvelle évacuation jusqu'à envi-
ron 10_3 Pa, le chauffage par rayonnement est arrêté, il s'en suit une ventilation avec de l'azote jusqu'à
la pression normale et le réacteur nettoyé est dispo-
nible pour de nouveaux cycles de revêtement.
L'avantage de la solution conforme à l'in-
vention, consiste en ce que le gaz corrodant ou bien
le mélange de gaz corrodant, s'écoule à travers le ré-
acteur pour le nettoyage par corrosion par différents cheminements, et qu'ainsi le nettoyage par corrosion atteint, de façon optimale, même les zones qui ne sont pas touchées par le cheminement du gaz de traitement, lequel est optimisé pour le traitement du substrat,
mais qui sont néanmoins souillées.

Claims (3)

REVENDICATIONS
1.- Procédé pour nettoyer des réacteurs des-
tinés au traitement en phases gazeuses de pièces
d'oeuvre, procédé caractérisé en ce qu'un gaz corro-
dant NF3 ou un mélange de gaz corrodant approprié, est mis en circulation à travers le réacteur à nettoyer,
en alternance ou bien simultanément par l'intermédiai-
re des cheminements de gaz de traitement prévus pour le traitement du substrat et par l'intermédiaire d'un second cheminement de gaz, qui est utilisé pendant le traitement du substrat pour créer contre la paroi du
réacteur un coussin de gaz de rinçage, et qui est ob-
tenu en garnissant un réacteur destiné au traitement en phases gazeuses de pièces d'oeuvre, avec un second système de parois perméables aux gaz, qui est disposé
à une distance déterminée des parois externes du réac-
teur et qui délimite ainsi un espace creux de remplis-
sage dans lequel est introduit, pendant le traitement du substrat, un gaz de rinçage et pendant le cycle de
nettoyage un gaz corrodant ou un mélange de gaz corro-
dant, lequel arrive en nappes dans le réacteur par le second système de parois perméables aux gaz, ainsi que par des canaux d'aspiration (16) séparés spatialement
et fonctionnellement de l'aspiration du gaz de traite-
ment et faisant partie de ce second système de parois
perméables aux gaz.
2.- Procédé selon la revendication 1, carac-
térisé en ce que le gaz corrodant ou bien un mélange de gaz corrodant est introduit dans le réacteur par l'intermédiaire de l'alimentation en gaz de traitement
et est évacué du réacteur par l'intermédiaire de l'as-
piration de gaz de rinçage, ou bien est introduit par l'intermédiaire de l'alimentation en gaz de rinçage et évacué par l'intermédiaire de l'aspiration de gaz de
traitement.
3.- Procédé selon l'une quelconque des re-
vendications 1 ou 2, caractérisé en ce que pendant le nettoyage par corrosion, la pièce d'oeuvre à traiter
est enlevée ou remplacée par une pièce d'oeuvre perfo-
rée de forme identique.
FR898910294A 1988-08-12 1989-07-31 Procede pour nettoyer des reacteurs destines au traitement en phases gazeuses de pieces d'oeuvre, notamment des reacteurs pour le depot chimique sous plasma Expired - Fee Related FR2635376B3 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD88318879A DD281613A5 (de) 1988-08-12 1988-08-12 Verfahren zur reinigung von reaktoren zur gasphasenbearbeitung von werkstuecken

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2635376A3 true FR2635376A3 (fr) 1990-02-16
FR2635376B3 FR2635376B3 (fr) 1990-07-20

Family

ID=5601696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR898910294A Expired - Fee Related FR2635376B3 (fr) 1988-08-12 1989-07-31 Procede pour nettoyer des reacteurs destines au traitement en phases gazeuses de pieces d'oeuvre, notamment des reacteurs pour le depot chimique sous plasma

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5164017A (fr)
JP (1) JPH0297676A (fr)
DD (1) DD281613A5 (fr)
DE (1) DE3923537A1 (fr)
FR (1) FR2635376B3 (fr)
GB (1) GB2222183B (fr)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5425842A (en) * 1992-06-09 1995-06-20 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a semiconductor device using a chemical vapour deposition process with plasma cleaning of the reactor chamber
DE4220827A1 (de) * 1992-06-25 1994-01-13 Pokorny Gmbh Anlage zur Behandlung von Objekten unter Reinluftraum-Bedingungen
US5413671A (en) * 1993-08-09 1995-05-09 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for removing deposits from an APCVD system
DE19703204A1 (de) * 1997-01-29 1998-07-30 Siemens Ag Verfahren zum Entfernen siliciumhaltiger Beschichtungen
US5914050A (en) * 1997-09-22 1999-06-22 Applied Materials, Inc. Purged lower liner
US7097716B2 (en) * 2002-10-17 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Method for performing fluorocarbon chamber cleaning to eliminate fluorine memory effect
DE102011121930A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Solarfuel Gmbh Methanisierungsreaktor
CN113823545A (zh) * 2020-06-19 2021-12-21 拓荆科技股份有限公司 一种改进多腔室设备工艺偏差的装置及方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4842683A (en) * 1986-12-19 1989-06-27 Applied Materials, Inc. Magnetic field-enhanced plasma etch reactor
US4828224A (en) * 1987-10-15 1989-05-09 Epsilon Technology, Inc. Chemical vapor deposition system
US4874464A (en) * 1988-03-14 1989-10-17 Epsilon Limited Partnership Process for epitaxial deposition of silicon

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0297676A (ja) 1990-04-10
DE3923537A1 (de) 1990-02-22
DD281613A5 (de) 1990-08-15
GB2222183B (en) 1992-11-18
GB2222183A (en) 1990-02-28
US5164017A (en) 1992-11-17
GB8917678D0 (en) 1989-09-20
FR2635376B3 (fr) 1990-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102158307B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 챔버에서의 인-시튜 챔버 세정 효율 향상을 위한 플라즈마 처리 프로세스
EP1394842B1 (fr) Procede de nettoyage d'un appareil de formation de film mince
JP4514336B2 (ja) 基板処理装置及びその洗浄方法
KR100553481B1 (ko) 챔버 세정을 강화시키는 방법 및 장치
KR100329515B1 (ko) 씨브이디성막방법
US20040139983A1 (en) Cleaning of CVD chambers using remote source with CXFYOZ based chemistry
RU2007111723A (ru) Способ очистки и функционирования реактора cvd
TW200822219A (en) Film formation apparatus for semiconductor process and method for using the same
JP3175924B2 (ja) 三フッ化窒素と酸素での熱的清浄方法
JP2007177320A (ja) Al含有金属膜及びAl含有金属窒化膜を蒸着する薄膜蒸着装置の洗浄方法
FR2635376A3 (fr) Procede pour nettoyer des reacteurs destines au traitement en phases gazeuses de pieces d'oeuvre, notamment des reacteurs pour le depot chimique sous plasma
TW201827649A (zh) 防止氟化鋁積聚於加熱器上的技術
JP2007227501A (ja) 半導体製造装置のクリーニング方法及びクリーニング機能付き半導体製造装置
JP2001250814A (ja) プラズマ処理装置
JP3581890B2 (ja) 熱処理方法および熱処理装置
JP4325473B2 (ja) 熱処理装置のクリーニング方法
JPS6482550A (en) Surface treatment
JP4570186B2 (ja) プラズマクリーニング方法
JP3147868U (ja) 基板処理装置
JP3624963B2 (ja) 成膜装置のクリーニング方法
KR100284630B1 (ko) 화학적 기체 증착법에 의한 반도체 디바이스 제조 방법
JPH09289179A (ja) CVD−Ti成膜チャンバーのクリーニング方法
JPH10189461A (ja) プラズマ処理装置
KR100835833B1 (ko) 핫 플레이트의 화학적 세정방법
KR20030021692A (ko) 화학기상증착장치 및 그의 잔류물 제거방법

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse