FR2550361A1 - Microcalculateur a structure integree muni d'une memoire a acces aleatoire - Google Patents

Abstract

CETTE STRUCTURE INTEGREE EST COMPOSEE D'UNE CPU51, D'UNE MEMOIRE ROM52, D'UNE MEMOIRE RAM53 ET D'ENTREESSORTIES, ETC., QUI FORMENT UN MICROCALCULATEUR, DANS LEQUEL TOUT OU PARTIE DE LA MEMOIRE RAM53 EST REMPLACE PAR UNE MEMOIRE NON VOLATILE54 QUI ASSURE TOUTES LES FONCTIONS D'UNE RAM PENDANT LE FONCTIONNEMENT NORMAL ET EST EN OUTRE EN MESURE, GRACE A DES CIRCUITS APPROPRIES, DE MEMORISER DE FACON PERMANENTE (NON VOLATILE) LES DONNEES QUI Y SONT CONTENUES, DE LES MAINTENIR MEME LORSQUE L'ALIMENTATION DU CIRCUIT EST DISPARUE ET DE LES RAPPELER AU MOMENT DU REALLUMAGE. LA STRUCTURE GERE LA MEMOIRE NON VOLATILE54 DANS SES FONCTIONS, SON ADAPTATION ET SA COMPATIBILITE AVEC LA CPU51, GRACE A UN ENSEMBLE APPROPRIE DE CIRCUITS ET A DES SIGNAUX DE COMMANDE.

Description

La présente invention concerne un microcalculateur à structure intégrée

muni d'une mémoire RAM non volatile.

Il est connu que les microcalculateurs intégrés comprennent une unité centrale (CPU), une mémoire morte ou à lecture seule (ROM), une mémoire à accès aléatoire (RAM) et diverses autres fonctions plus ou moins facultatives telles que l'entrée/sortie, etc Pour certaines applications dans lesquelles un 10 microcalculateur est utilisé comme unité de traitement et/ou de commande, il est nécessaire de prévoir la possibilité de conserver certaines informations mémorisées lorsque l'alimentation vient à manquer, pour diverses

causes ou différents besoins.

Depuis une époque récente, on insère à cet effet à l'intérieur du microcalculateur certains éléments de mémoire non volatile, ce qu'on appelle des EEPROM (mémoire morte ou à lecture seule électriquement programmable et effaçable), que l'on affecte à la mémorisation 20 des informations à conserver.

Toutefois, l'utilisation de mémoires non volatiles du type EEPROM implique quelques importantes limitations: a) Chaque fois que l'on veut mémoriser une nou25 velle donnée, il faut que le microcalculateur exécute une séquence particulière d'opérations propres à engendrer la mémorisation Ces opérations exigent un certain temps d'exécution (typiquement d'environ 10 ms) qui en limite la vitesse En conséquence, le microcalculateur 30 est contraint à ralentir l'exécution de son propre programme d'instruction et, en outre, il n'est possibile de mémoriser qu'une quantité limitée d'informations dans un

temps donné.

b) Etant donné que les cellules de mémoire non 35 volatile ne peuvent supporter qu'un nombre limité de cycles de modification de leur état électrique (par exem-

ple 10 000 cycles), si la mémorisation des données dans ces cellules de mémoire s'effectue pendant l'exécution normale du programme, c'est-à-dire avant que ne s'en présente la nécessité, représentée par une disparition de 5 l'alimentation, cette mémorisation détermine un vieillissement inutile de la mémoire.

c) D'un autre côté, si les informations traitées par le microcalculateur ne sont mémorisées dans la mémoire non volatile qu'au moment de l'extinction, afin 10 de ne pas ralentir le microcalculateur pendant son fonctionnement normal et afin de limiter le vieillissement des cellules de mémoire à l'action du temps lui-même, en n'en modifiant l'état électrique que quand cela est nécessaire pour sauvegarder l'information, il est alors né15 cessaire de détecter la disparition de l'alimentation et, d'autre part, d'entretenir l'alimentation, au moyen d'éléments capacitifs, pendant le temps nécessaire pour la mémorisation, c'est-à- dire pendant un temps d'autant plus long que la quantité d'informations à mémoriser est 20 plus grande, ce qui entraîne comme conséquence un coût plus élevé et une notable complication du circuit d'alimentation En outre, il reste cependant toujours nécessaire d'inclure dans le programme une séquence spéciale d'opérations. Le but de la présente invention est donc de réaliser un microcalculateur à structure intégrée dans lequel des éléments appropriés de mémoire non volatile permettent de mémoriser des informations en cas d'extinction de l'alimentation (ou d'un signal correspondant is30 su d'une origine différente) sans cependant se heurter aux inconvénients de la technique actuelle qui ont été

décrits plus haut.

Selon l'invention, ce but est atteint au moyen d'un microcalculateur à structure intégrée caractérisé 35 en ce que cette structure intégrée comprend, en remplacement partiel ou total de la mémoire à accès aléatoire

habituelle, une mémoire à accès aléatoire non volatile munie d'un ensemble de circuits de commande et de multiplication de la tension, ladite mémoire à accès aléatoire non volatile étant formée d'une matrice de cellules 5 de mémoire à accès aléatoire non volatiles qui se mettent automatiquement en état de mémorisation au moment de l'extinction de l'alimentation (ou de l'envoi d'un signal correspondant).

I 1 est facile de comprendre que l'addition de 10 la mémoire à accès aléatoire non volatile à réponse automatique à l'extinction de l'alimentation conserve au microcalculateur sa structure physique normale et le déroulement normal du programme, en évitant en outre le ralentissement des cycles et les phénomènes de vieillissement 15 précoce des cellules non volatiles En même temps, on dispose d'une mémorisation immédiate et automatique des données lorsque cela est nécessaire En pratique, tout reste inchangé et on dispose en outre de la possibilité de conserver les informations dans le cas d'extinction 20 de l'alimentation (ou dans le cas d'un autre événement

ayant un effet analogue).

D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'un exemple de réalisation et en se 25 référant aux dessins annexés sur lesquels,

la figure 1 représente par un schéma général et simplifié un microcalculateur selon l'invention; la figure 2 représente des détails supplémentaires de la mémoire à accès aléatoire non volatile incluse 30 dans le microcalculateur précité et des circuits de commande et de multiplication de tension correspondants; la figure 3 représente les détails de circuits d'un exemple de cellule de mémoire non volatile comprise

dans ladite mémoire à accès aléatoire non volatile.

Sur la figure 1, on a représenté les parties essentielles du microcalculateur selon l'invention à l'in-

térieur d'une structure intégrée monolithique 50 subdivisée symboliquement en deux parties 50 a et 50 b pour identifier respectivement la technique connue et l'innovation qui lui est apportée par l'invention.

Comme dans la technique connue, ce microcalculateur comprend une unité centrale (CPU) 51, une mémoire morte (ROM) 52 et une mémoire à accès aléatoire (RAM) 53, ainsi que divers autres circuits et diverses autres fonctions qui ne seront pas décrits en détails dans le 10 présent mémoire.

Selon l'invention, il a été ajouté à la technique connue une mémoire à accès aléatoire non volatile 54 munie de circuits annexés de commande et de multiplication de tension 55, sur lesquels on peut également tirer 15 une haute tension H qui peut être utilisée pour la charge d'un élément capacitif capable de conserver provisoirement l'alimentation dans le cas d'extinction Une logique de remise à zéro ou "reset" 56 commandée par un signal extérieur R est associée aux circuits 55 et à l'uni20 té centrale 51 pour provoquer leur intervention, en fonction du signal R, au moment de l'extinction et du réallumage de l'alimentation.

D'autres détails du complexe ajouté constitué par la mémoire à accès aléatoire non volatile 54, les 25 circuits de commande et de multiplication 55 et la logique de remise à zéro 56 sont représentés sur la figure 2, o la mémoire à accès aléatoire 54 est encore représentée schématiquement mais peut être considérée comme composée d'une matrice de cellules de mémoire à accès 30 aléatoire non volatiles 57, et à laquelle l'unité centrale CPU 51 fait parvenir des signaux d'adresse et fait parvenir des signaux de données par l'intermédiaire de lignes respectives contenues dans les "bus" 58 et 59 (ou prélève de tels signaux de données par des lignes des 35 bus) Une réalisation de ces cellules donnée à titre d'exemple sera décrite dans la suite en regard de la

figure 3.

Les circuits de commande et de multiplication comprennent deux commutateurs 60 et 61 qui, dans les conditions normales de fonctionnement, font parvenir aux 5 cellules 57 de la mémoire 54 des tensions d'alimentation Vcc et Vpp, respectivement à 5 V et 20 V, pour le fonctionnement normal de ces cellules en qualité d'éléments de mémoire à accès aléatoire du type bistable Sous la commande de la logique 56, ces commutateurs sont toute10 fois en mesure de modifier ces tensions, en les portant respectivement à 20 V et 0 V, pour effectuer la mémorisation des données dans les cellules de la mémoire à accès aléatoire 54 au moment de l'extinction de l'alimentation Pour former la valeur voulue de Vcc, il est prévu, 15 pour coopèrer avec le commutateur 60, un multiplicateur de tension 62 commandé par la logique 56 et un régulateur de tension et limiteur de vitesse de sortie 63, alimenté à son tour par un multiplicateur de tension 64 (d'o on peut également tirer le signal H) et commandé 20 par la logique 56 Avec le commutateur 61, coopère à son

tour un régulateur de tension 65 alimenté par un multiplicateur de tension 66 commandé par la logique 56 Cette dernière est à son tour commandée par la tension Vpp et elle rend un signal S disponible pour l'unité centra25 le 51.

Ainsi qu'on l'a déjà dit, la mémoire 54 est

constituée par une matrice de cellules non volatiles 57.

Ces dernières sont de préférence du type représenté sur la figure 3, c'est-à-dire du type qui fait l'objet de la 30 demande de brevet italien n 22 256 A/83 du 27 7 83,

dont est titulaire la demanderesse de la présente demande On donnera ciaprès une description sommaire, et on pourra se reporter à la demande précitée pour de plus amples détails.

Sur la figure 3, on a représenté une cellule de mémoire RAM ou à accès aléatoire du type non volatil, réalisée selon la technologie métal-oxydesemi-conducteur (MOS) Son circuit se compose essentiellement de deux parties A et B, dont la première définit un circuit bistable comportant un élément de mémoire non volatil et 5 dont la deuxième est affectée au passage de l'état de fonctionnement normal bistable (c'est-à-dire de fonctionnement en mémoire à accès aléatoire statique) à l'état de mémorisation de l'information relative à l'état du circuit bistable (état dit également "programmation" de 10 l'élément non volatil), puis à l'état de rétablissement

de l'information mémorisée.

Le circuit bistable, c'est-à-dire la partie A comprend deux branches de circuit interconnectées qui se développent entre une ligne d'alimentation V (commandée 15 par le commutateur 60 de la figure 2) et la masse L'une de ces branches comprend la série des transistors 3, 8 et 9, dont le deuxième est du type à couche de jonction (ou à appauvrissement) et constitue l'un des transistors de charge du circuit bistable tandis que le troisième 20 constitue l'un des transistors de pilotage ou d'attaque du même circuit; le transistor 3 travaille au contraire comme transistor de commande dans la phase de programmation, ainsi que ceci sera expliqué dans la suite L'autre branche du circuit bistable comprend à son tour la 25 série de transistors 4, 5, 7 et 11, dont le premier, le troisième et le quatrième correspondent respectivement aux transistors 3, 8 et 9 de l'autre branche, avec laquelle l'interconnexion du type bistable est réalisée grâce aux connexions croisées entre l'électrode de com30 mande du transistor 9 et un noeud de circuit 16 interposé entre les transistors 7 et 11 de l'autre branche et entre l'électrode de commande du transistor 11 et un noeud de circuit 15 interposé entre les transistors 8 et 9 de la branche opposée Il convient toutefois de remar35 quer que la longueur du transistor 7 est à peu près égale à la moitié de celle du transistor 8, de sorte que

ledit transistor 7 tend à imposer dans sa branche respective un courant double de celui de l'autre branche En outre, le transistor 11 est plus long que le transistor 9 de sorte que, à égalité de tension d'électrode de com5 mande et de courant de drain, il aura une tension de drain supérieure à celle du transistor 9 Cette asymétrie ne perturbe pas le fonctionnement du circuit bistable mais influence le positionnement de ce dernier au moment du réallumage, ainsi que ceci sera expliqué dans la 10 suite.

Le transistor 5 du type à enrichissement (ou à accroissement) présente à son tour, en parallèle, aux noeuds de drain 20 ou de source 19 un élément de mémoire non volatil électriquement programmable 6 qui est illus15 tré, à titre d'exemple, sous la forme d'un élément du type à électrode de commande flottante 18 et électrode de commande de programmation 21 connectée à un noeud 17 intermédiaire entre les transistors 3 et 8 de la branche de circuit opposée Plus précisément, l'élément de mémoi20 re non volatil 6 peut être considéré, à titre d'exemple, comme constitué par un transistor du type représenté dans le brevet des E U A n 4 203 158, c'est-à-dire basé sur la présence d'une couche très mince ( 100 ) d'oxyde de silicum interposée entre l'électrode de drain 25 20 et l'électrode de commande flottante 18, avec la possibilité de devenir conducteur et, par conséquent, de charger (positivement ou négativement) l'électrode de commande flottante 18 s'il est soumis à un champ électrique d'une intensité appropriée (effet Fowler-Nordheim). 30 Il dépend par ailleurs de la charge de l'électrode de commande flottante 18 que l'élément non volatil 6 soit ou ne soit pas en mesure de court- circuiter le transistor 5, avec des effets qui seront expliqués dans la suite De toute façon, lorsqu'il n'est pas court-circuité, 35 le transistor 5 n'influence pas le fonctionnement bistarble par sa chute de tension mais il dégrade seulement le

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niveau haut de tension (" 1 " logique) présent au noeud 16 Les ordres de commutation sont imprimés au circuit bistable par des "lignes de bits" 22 et 23 (connectées au bus 59 de la figure 2) respectivement à travers 5 des transistors 10 et 12 qui sont munis d'électrodes de commande commandées par une ligne de mots 24 (connectée

au bus 58 de la figure 2).

La partie B ou partie de programmation ou précharge de la cellule RAM comprend à son tour deux paires 10 de transistors parallèles 1-2 et 13-14 interposées entre

les électrodes de commande des transistors 3 et 4 et une ligne de programmation ou pré-charge W commandée par le commutateur 61 de la figure 2 Les électrodes de commande des transistors 1 et 13 sont connectées aux électro15 des de commande des transistors d'attaque 9 et 11 respectivement du circuit bistable Les transistors 2 et 14 sont du type à enrichissement et ont leurs électrodes de commande connectées aux électrodes de drain correspondantes.

-Le mode de fonctionnement de la cellule RAM non volatile de la figure 3 et, par conséquent, d'une façon générale, de la mémoire RAM non volatile 54 de la figure 2 et du microcalculateur de la figure 1 qui la renferme

est le suivant.

Dans les conditions de fonctionnement normal du microcalculateur, la logique 56 permet au commutateur 61 d'appliquer à la ligne W de chacune des cellules 57 une tension Vpp = 20 V, qui est transférée sur les électrodes de commande des transistors 3 et 4, avec une chute 30 d'environ 2 V due aux transistors 2 et 14-(du type à enrichissement) La tension résultante de 18 V rend extrêmement conducteurs les transistors 3 et 4 qui, dans ce cas, se comportent pratiquement comme des courts- circuits, en connectant à la ligne V (maintenue-à 5 V) par 35 le commutateur 60 de la figure 2, avec l'aide du multiplicateur de tension 62, qui facilite le transfert des 5 V aux cellules 67, les électrodes 21 et 20 du transistor non volatil 6 Dans ces conditions, le circuit travaille comme un circuit bistable normal sans être influencé, ainsi qu'on l'a déjà dit, par la présence du transistor 5. Dans le cas d'activation du signal R ou de l'extinction de l'alimentation, ou à la suite d'un ordre du même type, on observe au contraire le type de fonctionnement suivant, qui provoque la mémorisation de l'informa10 tion relative à l'état du circuit bistable, c'est-à-dire ce qu'on appelle la "programmation" de l'élément de mémoire non volatil 6 La chute de l'alimentation de la ligne, communiquée en qualité de signal R, provoque, par l'intermédiaire de la logique 56 et des commutateurs 60 15 et 61 de la figure 2, la chute correspondante à 0 V de la tension Vpp sur la ligne W et, aussitôt après, l'élévation momentanée et progressive de la tension Vcc sur la ligne V, de 5 V à 20 V Plus précisément, le commutateur 61 commute sur 0 V tandis que le bloc 66 est inhi20 bé La logique 56 reconnaît le moment o la commutation s'est effectuée et ordonne alors au commutateur 60 de subir l'influence des blocs 64, 63 pour transférer la tension de 20 V produite par le bloc 64 et réglée par le bloc 63 aux cellules 57 Dans cette phase, le bloc 63 ré25 gularise la montée de Vcc de 5 V à 30 V, de manière à la rendre progressive et à ne pas endommager les éléments

non volatils 6 des cellules 57.

Selon l'état électrique dans lequel se trouve le circuit bistable (c'està-dire la branche 7-11 blo30 quée et, par conséquent, le noeud 16 à un niveau haut et la branche 8-9 en état de conduction et par conséquent le noeud 15 à un niveau bas, ou inversement, l'un des transistors 1-13 a d'autre part son électrode de commande à un niveau haut et l'autre transistor son électrode 35 de commande à un niveau bas, c'est-à-dire que l'un est conducteur et l'autre bloqué Il en résulte que l'un des transistors 3-4 a son électrode de commande connectée à la masse (tension 0 V de la ligne W) à travers celui des deux transistors 1-13 qui est conducteur et il est donc bloqué tandis que l'autre conserve sensiblement sa pro5 pre tension de l'électrode de commande (grâce à la capacité de l'électrode de commande du transistor lui-même et à la capacité de diffusion associée au noeud de circuit correspondant) et est donc conducteur Les transistors 2 et 14 n'influencent pas ce comportement, puis10 qu'ils ont une tension électrode de commande-source nulle et qu'ils se comportent donc comme des diodes en polarisation inverse Les deux branches 3-8-9 et 4-7-11 sont donc bloquées et il n'y a donc pas absorption de courant par la ligne V, qui est maintenant à environ 20 V. Dans cet état, la programmation de l'élément de

mémoire non volatil 6 se produit comme suit.

Si, au moment de l'extinction de l'alimentation, le circuit bistable se trouvait dans l'état comportant la branche 4-7-11 bloquée et la branche 38-9 à 20 l'état conducteur, l'électrode de commande de programmation 21 de l'élément non volatil, étant connectée au noeud 17, se trouve au potentiel de la masse tandis que l'électrode de drain 20 du même élément non volatil s'élève au potentiel de la ligne V, grâce à la conduc25 tion assurée au transistor 4 par le maintien de la tension de l'électrode de commande de ce transistor à une valeur élevée Le résultat est que, si l'électrode de commande flottante de l'élément non volatil 6 avait été précédemment chargée négativement, on observe un passage 30 de courant de 20 à 18, courant qui charge positivement l'électrode de commande flottante 18; si, au contraire, cette dernière était déjà chargée positivement, tout reste comme auparavant, c'est-à-dire qu'il n'y a pas passage de courant Ce résultat est très important parce 35 qu'il limite le phénomène de vieillissement de l'élément non volatil, qui se produit chaque fois que l'on doit changer le type de conductivité avec passage consécutif

de charges à travers la mince couche d'oxyde.

Si, au contraire, au moment de l'extinction de

l'alimentation, le circuit bistable se trouvait dans 5 l'état comportant la branche 4-7-11 en conduction et la branche 3-8-9 bloquée, l'électrode de commande de programmation 21 de l'élément non volatil 6 s'élève au potentiel de la ligne V à travers le transistor 3 (qui est conducteur dans ce cas), tandis que le drain 20 du même 10 élément non volatil tombe au potentiel de la masse à travers les transistors 7 et 11 En conséquence, l'électrode de commande flottante 18 se charge négativement si elle ne l'était pas déjà, sous l'effet du passage d'un courant entre cette électrode de commande 18 et le drain 15 20.

En définitive, selon l'état du circuit bistable, l'élément non volatil 6 se présente avec une charge positive ou négative sur l'électrode de commande flottante 18, ainsi qu'on l'a déjà indiqué, sans absorption de 20 courant sans changement obligatoire de charge et de conductibilité (comme cela se produirait au contraire s'il était nécessaire de procéder à l'effacement préalable de l'état de charge précédent) A ce stade, l'élément non volatil 6, la cellule 57 correspondante et, en définiti25 ve, la mémoire à accès aléatoire RAM 54 et le microcalculateur 50 ont mémorisé les données relatives à l'état

pris précédemment.

Le rétablissement de l'état au moment du réallumage dépend de l'état de la charge pris par l'élément 30 non volatil 6, c'est-à-dire de sa programmation en fonction de l'état du circuit bistable En effet, si la charge sur l'électrode de commande flottante 18 est positive, l'élément non volatil 6 court-circuite le transistor 5, en assurant au transistor de charge 7 un courant plus 35 élevé qui, en se combinant à la plus grande longueur (et par conséquent la plus grande résistivité) du transistor d'attaque ou de pilotage 11, fait monter le niveau de tension du noeud 16 avant celui du noeud 15; en conséquence, le circuit bistable revient à l'état initial, dans lequel la branche 8-9 est conductrice et la branche 5 7-11 bloquée Si, au contraire, la charge emmagasinée sur l'électrode de commande flottante 18 au cours de la programmation est négative, le transistor 5 n'est pas court-circuité par le transistor non volatil 6 et, en se réallumant avec un léger retard (nécessaire pour permet10 tre à la tension de se transférer du drain 20 à la source 19), il laisse monter la tension du noeud 15 plus rapidement que celle du noeud 16; le circuit bistable revient ainsi à l'état initial, comportant la branche 7-11

conductrice et la branche 8-9 bloquée.

Il est facile de comprendre à partir de ce qui a été dit précédemment que le microcalculateur selon l'invention, bien qu'il travaille de façon tout à fait normale, selon le programme préétabli et à la vitesse maximale pendant le travail normal de traitement des don20 nées, est en mesure d'exécuter immédiatement et automatiquement sans modification spéciale du programme, la mémorisation des données dans le cas d'extinction de l'alimentation (ou dans le cas d'un autre évènement ayant un effet analogue) Il est également possible d'effectuer 25 la mémorisation après la chute de l'alimentation en utilisant à cet effet, étant donné la consommation presque nulle des cellules RAM non volatiles 57, la charge emmagasinée dans un condensateur convenablement préchargé avec la tension H Il convient encore de remarquer que, 30 étant donné que le changement de charge de l'élément de

mémoire non volatil 6 des cellules 57 n'est exigé qu'au moment de la mémorisation des données et seulement dans le cas o son état précédent est différent de celui dans lequel il est appelé, le phénomène de vieillissement est 35 limité à un minimum.

D'autre part, au réallumage, tout revient comme

auparavant, c'est-à-dire que toutes les cellules 57 reviennent à l'état mémorisé précédemment.

Bien entendu, diverses modifications pourront

être apportées par l'homme de l'art au dispositif qui 5 vient d'être décrit uniquement à titre d'exemple non limitatif sans pour cela sortir du cadre de l'invention.

R E V E N D ICATIONS

1 Microcalculateur à structure intégrée, caractérisé en ce que ladite structure intégrée comprend une mémoire à accès aléatoire non volatile ( 54) munie d'un ensemble de circuits de commande et de multiplica5 tion de tension ( 55), ladite mémoire à accès aléatoire non volatile ( 54) étant formée d'une matrice de cellules de mémoire à accès aléatoire non volatiles ( 57) pouvant être mises dans un état de mémorisation au moment de l'extinction de l'alimentation (ou en présence d'un au10 tre évènement ayant un effet analogue).

2 Microcalculateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que chacune desdites cellules de mémoire à accès aléatoire non volatiles ( 57) comprend un circuit bistable (A) à deux branches interconnectées qui 15 sont alternativement, l'une conductrice, l'autre bloquée, l'une de ces branches comprenant un élément de mémoire non volatil ( 6) qui peut être programmé électriquement dans l'un ou l'autre de deux états électriques différents en fonction de l'état dans lequel ledit circuit 20 bistable (A) se trouve au moment de l'extinction de l'alimentation (ou autre événement ayant un effet analogue) et qui est en outre en mesure de provoquer le rétablissement dudit état du circuit bistable au moment du réallumage de ladite alimentation, chaque branche dudit 25 circuit bistable (A) comprenant en outre un élément interrupteur de commande ( 3, 4) commandé à son tour par l'état de ladite alimentation et par celui de l'autre branche du circuit bistable de manière que l'extinction de ladite alimentation permette à la branche bloquée du 30 circuit bistable de provoquer le blocage de la branche conductrice de ce même circuit bistable pour assurer la programmation consécutive dudit élément de mémoire non

volatil ( 6) sans absorption de courant.

3 Microcalculateur selon la revendication 2,

caractérisé en ce que ledit élément interrupteur de commande ( 3,4) est constitué par un transistor ( 3, 4) intercalé entre une branche correspondante dudit circuit bistable (A) et une ligne d'alimentation à basse tension 5 (V) provisoirement commutable sur une tension supérieure en réponse à l'extinction de l'alimentation de la ligne, ledit transistor de commande ( 3, 4) ayant son électrode de commande connectée à une autre ligne d'alimentation à une tension supérieure (W) capable de commuter sur la va10 leur de la masse au moment de l'extinction de l'alimentation de la ligne, ladite liaison comprenant un transistor de détection d'état ( 2, 14) dont la tension de l'électrode de commande dépend de l'état de l'autre branche du circuit bistable.

4 Microcalculateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit élément de mémoire non volatil ( 6) est du type à électrode de commande flottante ( 18) interposée entre une électrode de programmation ( 21) connectée à un noeud ( 17) du circuit placé en série 20 avec une branche du circuit bistable et deux électrodes de drain ( 20) et de source ( 19) connectées en parallèle avec des électrodes de drain et de source correspondantes appartenant à un transistor court-circuitable ( 5)

intercalé dans l'autre branche du circuit bistable.

5 Microcalculateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que, pour la commutation desdites lignes à basse tension et à haute tension, ledit ensemble de circuits de commande et de multiplication de tension ( 55) comprend des commutateurs respectifs ( 60, 61) com30 mandés par une logique de remise à zéro ( 56) sensible à un ordre extérieur indicatif d'un état d'extinction de l'alimentation ou indicatif d'un autre évènement ayant

un effet analogue.

6 Microcalcutateur selon la revendication 5, 35 caractérisé en ce qu'à chacun desdits commutateurs ( 60, 61) est associé un multiplicateur de tension ( 64, 66)

muni d'un régulateur de tension ( 63, 65) destiné à engendrer la plus haute des tensions appliquées à chacune desdites lignes.

7 Microcalculateur selon la revendication 6, 5 caractérisé en ce qu'au régulateur de tension ( 63) relatif à la ligne à basse tension, est également associé un limiteur de croissance de tension destiné à régler le temps de montée de ladite basse tension à ladite tension plus élevée en réponse à l'extinction de l'alimenta10 tion.

8 Microcalculateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit ensemble de circuits de commande et de

multiplication de tension ( 55) est en mesure de produire un signal à haute tension utilisable pour la 15 charge d'un élément capacitif qui est en mesure de conserver une tension d'alimentation pendant un temps préétabli après l'extinction de l'alimentation.