FR2529386A1 - Boitier de circuit electronique comportant un condensateur - Google Patents

Boitier de circuit electronique comportant un condensateur Download PDF

Info

Publication number
FR2529386A1
FR2529386A1 FR8211402A FR8211402A FR2529386A1 FR 2529386 A1 FR2529386 A1 FR 2529386A1 FR 8211402 A FR8211402 A FR 8211402A FR 8211402 A FR8211402 A FR 8211402A FR 2529386 A1 FR2529386 A1 FR 2529386A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
capacitor
cover
base
forming
hood
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8211402A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2529386B1 (fr
Inventor
Christian Val
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
INF MILIT SPATIALE AERONAUT
Original Assignee
INF MILIT SPATIALE AERONAUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by INF MILIT SPATIALE AERONAUT filed Critical INF MILIT SPATIALE AERONAUT
Priority to FR8211402A priority Critical patent/FR2529386B1/fr
Publication of FR2529386A1 publication Critical patent/FR2529386A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2529386B1 publication Critical patent/FR2529386B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/647—Resistive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/585—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries comprising conductive layers or plates or strips or rods or rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/642—Capacitive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

L'INVENTION A POUR OBJET UN BOITIER, CONSTITUE D'UNE EMBASE 1 PORTANT UN COMPOSANT OU CIRCUIT ELECTRONIQUE 3 ET D'UN CAPOT 2 ENFERMANT LE CIRCUIT DE FACON ETANCHE, LE BOITIER COMPORTANT UN CONDENSATEUR. LE CONDENSATEUR 5 EST REALISE PAR EXEMPLE PAR SERIGRAPHIE SUR LA SURFACE INTERIEURE OU EXTERIEURE DU CAPOT 2 OU DANS UN AUTRE MODE DE REALISATION DANS L'EPAISSEUR MEME DU CAPOT, SELON LA TECHNIQUE DES CONDENSATEURS MULTICOUCHES. L'INVENTION EST APPLICABLE NOTAMMENT A LA REALISATION DE CONDENSATEURS DE DECOUPLAGE.

Description

BOITIER DE CIRCUIT ELECTRONIQUE
COMPORTANT UN CONDENSATEUR
L'invention a pour objet un boîtier constitué d'une embase portant un circuit ou un composant électronique et recouverte d'un capot, comportant un condensateur au niveau du capot.
Ainsi qu'il est connu, il est fréquent qu'un composant ou circuit électronique nécessite un ou plusieurs condensateurs auxiliaires, notamment pour le découplage, qui ne peuvent pas être intégrés sur le même substrat que le circuit considéré. Ce ou oes condensateurs sont donc ajoutés sur la carte du circuit imprimé ou du circuit hybride qui porte le circuit considéré, y occupant une surface importante par rapport à celle du circuit, ce qui est en contradiction avec le souci d'augmentation de densité qui est de règle sur les matériels actuels.
Pour pallier cet inconvénient, il est connu par la demande de brevet français 79-11852, au nom de THOMSON-CSF, d'utiliser l'embase du boitier pour y réaliser un condensateur. A cet effet, on utilise une embase en céramique qui constitue le diélectrique du condensateur, en la recouvrant des métallisations nécessaires pour constituer les armatures du condensateur.Toutefois, cette solution n'est pas exempte d'inconvénients, principalement pour les composants ou circuits de puissance ou à haut degré dintrégration: en effet, l'embase d'un boîtier doit présenter un certain nombre de propriétés thermiques particulières, parmi lesquelles on peut citer un coefficient de dilatation thermique aussi proche que possible de celui du matériau semi-conducteur utilisé, le plus fréquemment le silicium oe qui conduit en général à choisir de l'alumine pour l'embase, ainsi qu'une bonne conduction thermique, pour l'évacuation des calories.Ces différentes exigences ne sont pas forcément compatibles avec la réalisation d'un condensateur, principalement pour oe qui est de la constante diélectrique de l'embase et l'appa rition de couplages parasites capacitifs entre les connexions du circuit et celles du condensateur.
La présente invention a pour objet un boîtier comportant un condensateur, permettant d'éviter ces difficultés en donnant à l'embase une structure optimisée sur le plan thermique et réalisant la fonction capacitive sur ou dans le capot du boîtier.
Plus précisément, l'invention a pour objet un boîtier de circuit électronique comportant une embase sur laquelle est fixé le circuit et un capot, et elle est caractérisée par le fait que le capot comporte au moins un condensateur réalisé sur l'une de ses faces ou dans son épaisseur.
D'autres caractéristiques, avantages et résultats de l'invention apparaîtront mieux dans la description detaillée qui suit et se réfère aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemple, et ou:
- la figure 1, A et B, représente un mode de réalisation du boîtier suivant l'invention dans lequel un condensateur est séri- graphié sur le dessus du capot du boîtier, vu respectivement en coupe et de dessus;
- - la figure 2 représente une variante de la figure 1 dans laquelle le condensateur est un condensateur multicouche;
- la figure 3 représente un mode de réalisation du boîtier suivant l'invention comportant un condensateur déposé sur le dessous du capot du boîtier;;
- la figure 4 représente un mode de réalisation du boîtier suivant l'invention dans lequel un condensateur est réalisé à l'inté- rieur du capot du boîtier ;
La fig. 5 représente un mode de réalisation du boîtier selon l'invention comportant en outre un blindage.
Sur ces différentes figures, d'une part, les dimensions réelles n'ont pas été respectées pour la darté de l'exposé, et d'autre part, les mêmes références se rapportent aux mêmes éléments.
Sur la figure 1, on a donc représenté vu de dessus (figure 1 B) et en coupe selon un axe XX de la figure 1 B (figure 1 A), un boîtier de circuit électronique intégré réalisé sur une pastille 3 de matériau semi-conducteur, par exemple de silicium. Ce boîtier se compose principalement d'une embase 1, portant le circuit 3 et d'un capot 2 fixé sur l'embase de façon à enfermer le circuit 3 hermétiquement.
Un titre d'exemple, on a représenté un boîtier d'un type particulier, connu sous le nom de "chip carrier" dans la littérature anglo-saxonne, qui présente la particularité d'être dépourvu de broches de connexion, celles ci étant remplacées par de simples métallisations sur la partie inférieure de embase.
L'embase est réalisée en un matériau qui doit être rigide, de préférence isolant électrique et présentant certaines qualités thermiques ainsi qu'il a été évoqué plus haut, à savoir principalement une bonne conduction thermique et un coefficient de dilatation aussi proche que possible de celui du circuit 3 ; l'embase peut donc être par exemple en plastique, en verre, en céramique etc. ; dans le cas le plus fréquent en pratique où le circuit 3 est en silicium, l'embase peut être avantageusement en alumine.
Le circuit 3 est fixé sur la face supérieure de l'embase 1, par exemple par brasure sur une métallisation non représentée. Ainsi qu'il est connu, les points de connexion du circuit 3 sont reliés par des conducteurs tels que 31 à des pistes conductrices 12 réalisées sur la surface supérieure de l'embase 1, pistes qui ne sont visibles que sur la figure 1 B. Ces pistes aboutissent à des demi-trous 11, sensiblement en forme de demi-cylindres réalisés dans l'épaisseur de embase 1 à sa périphérie, dans lesquels elles se continuent jusqu'à la face inférieure de l'embase 1 où elles forment les connexions du boîtier, repérées 13 .
Sur une telle embase 1, il est connu de fixer un capot tel que
2, destiné à enfermer le circuit 3 de façon hermétique. Ce capot peut être métallique ou isolant, réalisé ou non dans le même
matériau que l'embase 1. Il est fixé sur l'embase par l'intermédiaire d'un joint 4 ; dans le cas où embase et capot sont en céramique, le joint 4 est par exemple un scellement en verre.
Selon l'invention, au moins un condensateur tel que 5 est réalisé sur la face supérieure du capot 2. Ce condensateur est par exemple réalisé par dépôt d'une métallisation 51 sur la surface supérieure du capot 2, constituant sa première armature, laquelle est recouverte d'une couche isolante 52, formant son diélectrique, déposée par exemple selon la technologie sérigraphique en couche épaisse, elle-même recouverte par une métallisation 53 formant la seconde armature. La métallisation 51 se prolonge sur la surface latérale du capot 2 en une piste conductrice passant par exemple dans un demi-trou 21, analogue au demi-trou#ll de l'embase 1, et se prolonge sur l'embase de façon analogue aux pistes 12 de omette embase (figure 1 B).Symétriquement, la métallisation 53 se pr# -longe latéralement le long d'un autre demi-trou 21 par une piste conductrioe qui se termine égaleme#nt sur la partie inférieure de l'embase 1. Bien entendu, les métallisations 51 et 53 sont réalisées de sorte qu'elles ne soient pas en contact électrique.
Dans une variante de réalisation, non représentée, la connexion du condensateur 5 avec l'embase 1 peut se faire non plus par une liaison du type chip-carrier (demi-trous 21) mais par des broches de connexion traversant le capot 2 jusqu'à l'embase 1.
A titre d'exemple, si le capot 2 et l'embase 1 du boîtier sont réalisés en alumine, les métallisations sont de préférence réalisées en argent-palladium et la couche diélectrique 52 à partir d'une pâte de sérigraphie à base de titanate de baryum ou d'alumine. Le choix des matériaux est lié notamment à la valeur désirée pour la capacité, par l'intermédiaire dela constante diélectrique de ceux-ci.
Il est clair que dans le cas où le capot 2 est réalisé en matériau conducteur, il est nécessaire de le recouvrir d'une couche isolante avant de réaliser le condensateur 5.
Il ressort de la description ci-dessus que le boîtier selon l'invention permet d'utiliser toute la surface du capot pour la réalisation du condensateur. En effet, ainsi qu'il est connu, la réalisation d'un condensateur dans l'embase, comme décrit dans la
demande de brevet mentionnée plus haut, est limitée en surface par la présence des connexions de sortie telles que 12.Par ailleurs, la présente invention permet d'utiliser un matériau diélectrique à haute constante diélectrique tel que les matériaux utilisés dans les condensateurs céramiques (titanate de baryum etc...) qui ne sont pas utilisables pour l'embase pour différentes raisons, parmi lesquelles un coefficient de dilatation très différent de celui du silicium, un couplage parasite capacitif entre les connexions telles que 12 et le matériau support trop important (lié à la valeur élevée de la constante diélectrique) et une conductibilité thermique insuffisante et notamment inférieure à celle qu'on peut obtenir avec de l'alumine ou de l'oxyde de béryllium, qui ont par ailleurs des coefficients de dilatation proches de celui du silicium.
La figure 2 représente une variante dans la réalisation du capot du boîtier selon l'invention, dans laquelle le condensateur placé sur le capot est un condensateur multicouche.
Sur cette figure on retrouve donc le capot 2 dont les faces latérales sont munies de deux demi-trous 21 pour laisser passer les connexions 51 et 53 des armatures du condensateur 5.
Le condensateur lui-même est formé de plusieurs couches de matériau diélectrique, par exemple trois couches repérées 52, 54 et 55, réalisées par exemple comme précédemment selon la technologie sérigraphique en couches épaisses, les couches diélectriques étant séparées par des métallisations reliées alternativement à la connexion 51 et à la connexion 53.
Par ailleurs, le fonctionnement de ce dispositif est le même que celui dela figure 1.
L'avantage de cette variante est qu'elle permet d'obtenir des capacités de plus forte valeur. Elle trouve particulièrement son application pour le découplage, qui fait appel en général à des capacités de valeurs élevées et nécessite des condensateurs encombrants, ainsi que pour réaliser des condensateurs destinés à stocker une énergie dite de sauvegarde, sur une longue durée, destinée à pallier des défauts d'alimentation.
La figure 3 réprésente un autre mode de réalisation dans lequel le capot du boîtier porte un condensateur sur sa face intérieure.
Sur cette figure, on retrouve le capot 2 avec ses deux demitrous latéraux repérés 21. Le condensateur 5 est constitué par une première métallisation 51, formant sa première armature, réalisée sur la surface-inférieure du capot 2, recouverte par une couche de diélectrique, par exemple comme précédemment sérigraphiée, repérée 52 ; le diélectrique 57 est recouvert par une seconde métallisation constituant la seconde armature du condensateur, repérée 53.
Dans une variante de réalisation représentée sur la figure, le capot 2 peut être constitué de deux parties distinctes : une plaquette 22 et un cadre 23, servant de cale d'épaisseur et créant la cavité du capot permettant d'enfermer le circuit électronique. Il est alors avantageux de faire sortir les connexions du condensateur entre les deux parties 22 et 23 du capot 2, les connexions se prolongeant dans les demi-trous 21 comme précddemment: dans ce cas, le condensateur 5 est déposé sur la plaquette 22 et le cadre 23 est assemblé ultérieurement sur la plaquette 22, par pressage ou cuisson par exemple. Cette variante a pour avantage de permettre de réaliser le cadre 23 en un matériau à plus faible constante diélectrique, de façon à limiter d'éventuels couplages parasites entre connexions du circuit et connexions du condensateur.
Dans une autre variante, non représentée, le condensateur 5 peut être un condensateur multicouche comme celui de la figure 2, en vue du même type d'applications.
La figure 4 représente un autre mode de réalisation du capot du boîtier selon l'invention, dans lequel le condensateur est réalisé dans l'épaisseur même du capot.
Sur cette figure, on retrouve le capot 2, par exemple composé de deux parties comme précédemment, à savoir une plaquette 22 et un cadre 23. La réalisation de la plaquette 22 est faite comme il est connu dans la technologie des condensateurs multicouches, c'est-à dire qu'on dispose alternativement des plaquettes diélectriques à constante élevée, alumine ou de préférencE à base de titanate de baryum, et des métallisations (palladium ou argent-palladium). Dans l'exemple de la figure, le condensateur 5 comporte quatre métallisations répérées 56 à 59, reliées alternativement aux connexions 51 et 53 de sortie du condensateur.
Les applications de oe mode de réalisation sont du même type que ceux de la figure 2.
Dans une variante, il est bien entendu possible de ne réaliser qu'un condensateur monocouche par cette technique. Dans un mode de réalisation préféré, le cadre 23 est réalisé en un matériau dont le coefficient de dilatation est proche de celui de la plaquette 22 mais qui présente une constante diélectrique plus faible de façon à éviter les couplages précédemment évoqués.
La figure 5 représente un autre mode de réalisation du boîtier selon l'invention, dans lequel celui-ci comporte en outre un blindage.
Sur omette figure, on retrouve l'embase 1 portant le circuit semi-conducteur 3 et recouverte par le capot 2 portant, à titre d'exemple, un condensateur réalisé comme décrit figure 4.
Dans le présent mode de réalisation, le boîtier est en outre recouvert sur toute sa surface extérieure, aussi bien capot 2 (60) qu'embase 1 (61), par une métallisation réunie à l'une des armatures du condensateur 5, par exemple sur la figure 5 la connexion 53, par ailleurs réunie à la masse du dispositif par exemple. Dans cet exemple, la métallisation 60 constitue également un élément du condensateur 5. L'autre armature du condensateur 5 débouche sur embase du boîtier de façon analogue à ce qui est décrit figure 1 B, mais dans un plan qui n'est pas visible sur la figure 5.
On a ainsi réalisé à la fois un condensateur et un blindage du circuit 3, de façon particulièrement simple et peu encombrante.
D'autres fonctions que le blindage peuvent également être
réalisées sur le capot, comme celles de composants passifs (induc
tance, résistance linéaire ou non linéaire, à coefficient de tempé
rature positif ou négatif, varistanoe, transformateur, etc...) ou encore la réalisation d'interconnexions comme décrit dans la demande de brevet français n0 80-26410 au nom deTHOMSON-CSF.
La description faite ci-dessus ne l'a été qu'à titre d'exemple non limitatif. C'est ainsi par exemple que l'invention n'est pas limitée à un boîtier pour circuit intégré et le terme de "circuit" doit s'entendre comme visant également les composants discrets. De même, l'invention s'applique à la réalisation de plusieurs condensateurs, ceux-ci étant obtenus en fractionnant la surface de l'une au moins des armatures. Egalement, l'invention n'est pas limitée aux boîtiers de type "chip carrier" et s'applique à tous les types de boîtiers classiques munis de broches de connexion.

Claims (8)

REVENDICATIONS
1. Boîtier de circuit électronique comportant une embase sur laquelle est fixé le circuit et un capot fixé sur l'embase, caractérisé par le fait que le capot (2) porte au moins un condensateur (5) réalisé sur l'une de ses faces ou dans son épaisseur.
2. Boîtier selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'une des faces du capot (2) porte au moins et successivement une première métallisation (51) formant la première armature du cok densateur (5), une couche d'un matériau diélectrique (52) et une deuxième métallisation (53), formant la deuxième armature du condensateur.
3. Boîtier selon la revendication 2, caractérisé par le fait que le capot porte en outre, déposées successivement sur la deuxième métallisation, alternativement au moins une couche diélectrique et une métallisation, les métallisations de rang impair étant électriquement reliées entre elles et formant la première armature (51) et les métallisations de rang pair étant électriquement reliées entre elles et formant la deuxième armature (53).
4. Boîtier selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le capot est formé de plusieurs couches, alternativement diélectriques et conductrices, les couches conductrices de rang impair étant électriquement reliées entre elles et formant la première armature (51) du condensateur et les couches conductrices de rang pair, électriquement reliées entre elles, formant la deuxième arma ture (53) du condensateur (5).
5. Boîtier selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le capot (2) comporte au moins deux demi trous (21) à sa périphérie, dans lesquels sont réalisées les liaisons électriques des armatures (51, 53) du condensateur (5) vers l'embase (1).
6. Boîtier selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le condensateur est utilisé au stockage d'une énergie de sauvegarde.
7. Boîtier selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait qu'il comporte en outre une métallisation (60, 61) s'étendant sensiblemgrr sur toute sa surface, en contact électrique avec l'une seulement des armatures du condensateur (5), formant blindage pour le circuit (3).
8. Boîtier selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le capot porte en outre au moins l'un des composants suivants: inductance, résistance linéaire, résistance non linéaire, varistance, transformateur.
FR8211402A 1982-06-29 1982-06-29 Boitier de circuit electronique comportant un condensateur Expired FR2529386B1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8211402A FR2529386B1 (fr) 1982-06-29 1982-06-29 Boitier de circuit electronique comportant un condensateur

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8211402A FR2529386B1 (fr) 1982-06-29 1982-06-29 Boitier de circuit electronique comportant un condensateur

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2529386A1 true FR2529386A1 (fr) 1983-12-30
FR2529386B1 FR2529386B1 (fr) 1985-12-13

Family

ID=9275516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8211402A Expired FR2529386B1 (fr) 1982-06-29 1982-06-29 Boitier de circuit electronique comportant un condensateur

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2529386B1 (fr)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0133125A1 (fr) * 1983-07-29 1985-02-13 Cimsa Sintra Boîtier de composant électronique muni d'un condensateur
EP0145694A2 (fr) * 1983-12-14 1985-06-19 Jean-Marie Bonameau Dispositif de protection contre les perturbations et/ou des parasites au voisinage de circuits intégrés
FR2565032A1 (fr) * 1984-05-25 1985-11-29 Inf Milit Spatiale Aeronaut Dispositif de repartition de potentiel electrique et boitier de composant electronique incorporant un tel dispositif
EP0219627A1 (fr) * 1985-09-24 1987-04-29 Oerlikon-Contraves AG Panneau de circuit imprimé à multicouches
EP0285277A1 (fr) * 1987-03-31 1988-10-05 Amp Incorporated Support pour puce avec des moyens d'accumulation d'énergie
US4918571A (en) * 1987-03-31 1990-04-17 Amp Incorporated Chip carrier with energy storage means
WO2001045172A1 (fr) * 1999-12-15 2001-06-21 3D Plus Procede et dispositif d'interconnexion en trois dimensions de composants electroniques
US8359740B2 (en) 2008-12-19 2013-01-29 3D Plus Process for the wafer-scale fabrication of electronic modules for surface mounting

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2376520A1 (fr) * 1976-12-31 1978-07-28 Radiotechnique Compelec Diode semiconductrice et ensemble comprenant une telle diode
US4249196A (en) * 1978-08-21 1981-02-03 Burroughs Corporation Integrated circuit module with integral capacitor
FR2495837A1 (fr) * 1980-12-09 1982-06-11 Thomson Csf Embase de microboitier d'encapsulation et microboitier comportant une telle embase

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2376520A1 (fr) * 1976-12-31 1978-07-28 Radiotechnique Compelec Diode semiconductrice et ensemble comprenant une telle diode
US4249196A (en) * 1978-08-21 1981-02-03 Burroughs Corporation Integrated circuit module with integral capacitor
FR2495837A1 (fr) * 1980-12-09 1982-06-11 Thomson Csf Embase de microboitier d'encapsulation et microboitier comportant une telle embase

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0133125A1 (fr) * 1983-07-29 1985-02-13 Cimsa Sintra Boîtier de composant électronique muni d'un condensateur
EP0145694A2 (fr) * 1983-12-14 1985-06-19 Jean-Marie Bonameau Dispositif de protection contre les perturbations et/ou des parasites au voisinage de circuits intégrés
EP0145694A3 (fr) * 1983-12-14 1986-10-08 Jean-Marie Bonameau Dispositif de protection contre les perturbations et/ou des parasites au voisinage de circuits intégrés
FR2565032A1 (fr) * 1984-05-25 1985-11-29 Inf Milit Spatiale Aeronaut Dispositif de repartition de potentiel electrique et boitier de composant electronique incorporant un tel dispositif
EP0166634A1 (fr) * 1984-05-25 1986-01-02 Thomson-Csf Dispositif de répartition de potentiel électrique, et boîtier de composant électronique incorporant un tel dispositif
EP0219627A1 (fr) * 1985-09-24 1987-04-29 Oerlikon-Contraves AG Panneau de circuit imprimé à multicouches
EP0285277A1 (fr) * 1987-03-31 1988-10-05 Amp Incorporated Support pour puce avec des moyens d'accumulation d'énergie
US4918571A (en) * 1987-03-31 1990-04-17 Amp Incorporated Chip carrier with energy storage means
WO2001045172A1 (fr) * 1999-12-15 2001-06-21 3D Plus Procede et dispositif d'interconnexion en trois dimensions de composants electroniques
EP2136401A1 (fr) * 1999-12-15 2009-12-23 3D Plus Procédé et dispositif d'interconnexion en trois dimensions de composants électroniques
US8359740B2 (en) 2008-12-19 2013-01-29 3D Plus Process for the wafer-scale fabrication of electronic modules for surface mounting

Also Published As

Publication number Publication date
FR2529386B1 (fr) 1985-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0133125B1 (fr) Boîtier de composant électronique muni d'un condensateur
EP0228953B1 (fr) Boîtier d'encapsulation d'un circuit électronique
EP1053592B1 (fr) Composant a ondes de surface encapsule et procede de fabrication collective
EP0638933B1 (fr) Procédé d'interconnexion de pastilles semi-conductrices en trois dimensions, et composant en résultant
FR2518811A1 (fr) Dispositif a circuit integre en conteneur de ceramique
EP0321340B1 (fr) Support de composant électronique, notamment pour carte mémoire, et produit ainsi obtenu
EP0310463A1 (fr) Boîtier pour circuit intégré de haute densité
EP0113273B1 (fr) Boîtier d'encapsulation pour semiconducteur de puissance, à isolement entrée-sortie amélioré
FR2700416A1 (fr) Dispositif à semiconducteurs comportant un élément semiconducteur sur un élément de montage.
FR2792458A1 (fr) Dispositif a semi-conducteur et son procede de fabrication
EP3089211B1 (fr) Procede d'encapsulation d'un circuit electronique
EP1792526A1 (fr) Dispositif electronique avec repartiteur de chaleur integre
FR2735648A1 (fr) Procede de refroidissement d'un circuit integre monte dans un boitier
EP0593330A1 (fr) Procédé d'interconnexion 3D de boîtiers de composants électroniques, et composant 3D en résultant
FR2645681A1 (fr) Dispositif d'interconnexion verticale de pastilles de circuits integres et son procede de fabrication
FR2529386A1 (fr) Boitier de circuit electronique comportant un condensateur
CA3113900A1 (fr) Procede de realisation d'un detecteur infrarouge et detecteur infrarouge associe
CA2287095A1 (fr) Module de composants superposes dans un meme boitier
EP0166634B1 (fr) Dispositif de répartition de potentiel électrique, et boîtier de composant électronique incorporant un tel dispositif
FR2495837A1 (fr) Embase de microboitier d'encapsulation et microboitier comportant une telle embase
FR2511193A1 (fr) Support en materiau colamine pour le refroidissement et l'encapsulation d'un substrat de circuit electronique
FR2629271A1 (fr) Dispositif d'interconnexion et de protection d'une pastille nue de composant hyperfrequence
FR2489592A1 (fr) Micro-boitier ceramique d'encapsulation de circuit electronique
EP0101335A1 (fr) Microboîtier d'encapsulation de circuits intégrés logiques fonctionnant en très haute fréquence
FR2632454A1 (fr) Circuit integre hybride encapsule dans un boitier en matiere plastique

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse