FI68604B - Framstaellning av kubisk bornitrid ur pulveraktig hexagonal bonitrid utan katalyt - Google Patents

Framstaellning av kubisk bornitrid ur pulveraktig hexagonal bonitrid utan katalyt Download PDF

Info

Publication number
FI68604B
FI68604B FI801414A FI801414A FI68604B FI 68604 B FI68604 B FI 68604B FI 801414 A FI801414 A FI 801414A FI 801414 A FI801414 A FI 801414A FI 68604 B FI68604 B FI 68604B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
boron nitride
temperature
powder
cbn
pressure
Prior art date
Application number
FI801414A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI68604C (fi
FI801414A (fi
Inventor
Francis Raymond Corrigan
Original Assignee
Gen Electric
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gen Electric filed Critical Gen Electric
Publication of FI801414A publication Critical patent/FI801414A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI68604B publication Critical patent/FI68604B/fi
Publication of FI68604C publication Critical patent/FI68604C/fi

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/064Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/06Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
    • B01J3/062Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/583Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride
    • C04B35/5831Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride based on cubic boron nitrides or Wurtzitic boron nitrides, including crystal structure transformation of powder
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409Abrasive particles per se
    • C09K3/1418Abrasive particles per se obtained by division of a mass agglomerated by sintering
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/0605Composition of the material to be processed
    • B01J2203/0645Boronitrides
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/065Composition of the material produced
    • B01J2203/066Boronitrides
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/0675Structural or physico-chemical features of the materials processed
    • B01J2203/0685Crystal sintering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Adornments (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

rBl KUULUTUSJULKAISU ,λ,λ, JS# 1 (11) UTLÄGGNINGSSKRIFT 6Ö6U4 ^ (45) ratcnttl myönnetty 10 10 1935 Patoni neddelat (51) Kv.lk.‘/lnt.CI.* C 01 B 21 /06^4 (21) Patenttihakemus — Patentansöknlng 80 1 4 1 (22) Hakemispäivä — Ansökningsdag 30.0^4.80 (F0 (23) Alkupäivä — Giltighetsdag 30.0^4.80 (41) Tullut julkiseksi — Blivit offentlig 12.12.80
Patentti· ja rekisterihallitus Nähtäväksi panon ja kuul.|ulkaisun pvm.— _ , _
Patent- och registerstyrelsen ' ' Ansökan utlagd och utl.skriften publicerad Zo.Ob.op (32)(33)(31) Pyydetty etuoikeus — Begärd prioritet 11 .06.79 USA(US) A7656 (71) General Electric Company, 570 Lexington Ave., New York, N.Y. 10022, USA(US) (72) Francis Raymond Corrigan, Westerville, Ohio, USA(US) (Jk) Leitzinger Oy (5l|) Kuutiomaisen boor i n i tr id i n valmistaminen jauhemaisesta heksagonaa 1 i-sesta boor initridistä ilman katalyyttiä - FramstälIning av kubisk bornitrid ur pulveraktig hexagonal bornitrid utan katalyt Tämän keksinnön kohteena on kuutiollisen boorinitridin valmistusmenetelmä. Menetelmä käsittää heksagonaalisen boorinitridijauheen esikäsittelyn ja muunnelmia alalla tunnetun korkeapaine/korkealämpötila-laitteen, josta tyypillisenä esimerkkinä on USA-patentissa 2,947,617 kuvattu laite, reaktiovyöhykeosassa.
Keksintö voidaan lyhyesti esittää kuutiollisen boorinitridin valmistusmenetelmänä heksagonaalisesta boorinitridijauheesta, jossa menetelmässä A. ) poistetaan boorioksidi heksagonaalisen boorinitridijauheen pin nalta; ja B. ) muunnetaan vaiheen A heksagonaalinen boorinitridi kuutiolliseksi boorinitridiksi käsittelemällä se korkeapaine/korkealämpötila-mene telmä1lä: i.) paineessa 55 - 60 kilobaria; ii.) lämpötilassa välillä 1600°C ja rekonversiolämpötila; iii.) ajan, joka riittää muuntamaan HBN:n CBN:ksi ja sintraamaan CBN:n; ja iv.) kun läsnä ei ole epäpuhtauksia, jotka häiritsevät muuntumista kuutiolliseksi boorinitridiksi tai kuutiollisen boorinitri-din sintraantumista.
2 68604
Rekovenrsiolämpötila määritellään lämpötilaksi, jossa boorinitridi muuntuu kuutiollisesta kiderakenteesta takaisin heksagonaaliseksi.
Tämä lämpötila kulkee pitkin tasapainokäyrää, joka erottaa heksagonaa-lisen boorinitridin stabiilin alueen kuutiollisen boorinitridin stabiilista alueesta boorinitridin faasidiagrammassa (kts. USA-natentti 3,212,852; kuvio 6 ja pystypalsta 8, rivi 66 - pystypalsta 9, rivi 42).
Suositeltu aika vaiheelle B on 2 - 60 minuuttia, mieluummin 3-10 minuuttia.
Nimitys "jauhe" vaiheessa A sisältää hiukkaset, joita tavallisesti pidetään rakeina, sekä hiukkaset, joita tavallisesti pidetään jauheena.
Edellä mainittu vaihe A on sama esikäsittelymenetelmä, johon on viitattu ensimmäisessä kappaleessa. Mikä tahansa menetelmä (esimerkiksi kuumentaminen inertissä kaasukehässä), joka poistaa oksidin raaka-aineen pinnalta, kelpaa.
Heksagonaalinen boorinitridi laitetaan esikäsittelyn jälkeen sopivaan korkeapainekennoon ja täytetty kenno laitetaan korkeapaine/korkealäm-pötila-laitteeseen. Ensin nostetaan paine ja sen jälkeen lämpötila ja pidetään halutuissa arvoissa niin kauan, että muuntuminen kuutiol-liseksi boorinitridiksi ja sintraantuminen tapahtuu. Sen jälkeen näytteen annetaan jäähtyä paineen alla lyhyen aikaa ja lopuksi paine alennetaan ilmakehän paineeseen ja otetaan talteen polykiteisistä kuutiollisista boorinitrideistä muodostunut massa. Korkeapainekennon suunnittelussa on huolellisesti varmistauduttava, ettei kennon ulkopuolisista osista pääse tunkeutumaan epäpuhtauksia näytteeseen korkea-lämpö tila-menetelmän aikana.
PBN;stä saadusta CBNrstä käytetään lyhennettä P-CBN ja GBN:stä saadusta CBN:stä käytetään lyhennettä G-CBN.
Kuvioissa 1 - 4 on esitetty leikkauksena eri muotoja reaktiovyöhvke- osille (tai kennoille), joita käytetään korkeapaine/ korkealämpötila-laitteessa, esimerkiksi laitteissa, joita on kuvattu USA-patenteissa 2,947,611; 2,941,241 ja 2,941,248.
3 68604
Kuvio 5 on fotomikrograafi (suurennus 50 X), joka esittää tämän keksinnön suositellulle suoritusmuodolle tyypillisiä kasautuneita hiomahiukkasia, jotka muodostuvat kuutiol-lisesta boorinitrid istä.
PBN-jauhetta voidaan valmistaa jauhamalla PBN-romukappalei ta. Jauhetussa jauheessa on runsaasti levymäisiä hiukkasia, jotka voidaan joko seuloa johonkin tiettyyn mesh-hiukkaskokoon myöhempää muuntamista varten ja muuntaa seulomattomassa tilassa.
Esikäsittelymenetelmä käsittää parhaiten HBN-jauheen kuumentamisen tai hehkuttamisen tyhjiössä haihtuvien epäpuhtauksien, erityisesti pinta-oksidi-kontaminanttien ( boorioksidi) poistamiseksi. HBN-raaka-ainejau-heen tyhjöliekitseminen suoritetaan HBN:n termisen hajoamisen lämpötila-alueella, jossa pintaoksidi-kontaminantin kaasuttamisen lisäksi oksidi.ttomien j auheh iukkasten pinnoille muodostuu ohut päällyste vapaata booria (hajoamisesta).
Vapaan pintaboorin muodostunut määrä riippuu tyhjöstä, lämpötilasta, ajasta ja hiukkaskoosta. Typen hajoamispaine boorinitridiin verrattuna lämpötilan funktiona voidaan käyttää termiseen hajoamiseen tarvittavien tyhjö/lämpötila-olosuhteiden ohjeena. Alkupaine 10“3 - 10“10 mm Hg, lämpötilat suuruus luokkaa 1400 - 1900°C ja yli mahdol1istavat riittävän termisen hajoamisen kohtuullisessa ajassa (5 minuuttia -4 tuntia). Näillä alueilla pintakontaminantti B2O3 kaasuuntuu ja vapaata pintabooria syntyy yhä suuremmat määrät 1iekityslämpötilan tai ajan kasvaessa. Lämpötila liittyy luonnollisesti aikaan niin, että käsittely korkeammissa lämpötiloissa vaatii vähemmän aikaa kuin alhaisissa lämpötiloissa.
Vapaan boorin muodostunut suhteellinen määrä voidaan päätellä visuaalisesti tyh jöl ieki tety n jauheen väristä. Alhaisissa .1 i ek i tys lämpöt i-loissa (1500 - 1650°C), joissa pintabooria muodostuu vain vähän, tyhjöliekitetty jauhe on sävyltään vaaleanpunertavan ruskeaa. Värin syvyys kasvaa 1iekityslämpötilan tai ajan kasvaessa, kunnes boorista muodostuva musta pintapäällyste peittää hiukkaset korkeammissa 1iekityslämpötiloissa (1800 - 1900°C).
Tyhjöliekitysmenetelmän aikana muodostuneen vapaan boorin määrän on havaittu vaikuttavan voimakkaasti PBN:stä saadun muunnetun materiaalin 4 68604 tyyppiin. Kun vapaata booria on vain pieni määrä, muunnetussa materiaalissa voidaan yhä erottaa monia hiukkasten välipintoja ja jauhamisen jälkeen saadaan monia läpikuultavia ke Itäisiä/ruskeita hiukkasia, jotka ovat tyypiltään samankaltaisia kuin hiukkaset, jotka on saatu jauhamalla PBN-puristeita, jotka on saatu USA-patentin 812,283 menetelmällä. Korkeassa lämpötilassa liekitetyn PBN-jauheen (ylimäärä vapaata booria) muuntaminen tuottaa täysin sulattunutta mustaa massaa, jossa ei voida erottaa lainkaan hiukkasten välipintoja ja jossa jauhetut hiukkaset ovat läpikuultamattoman mustia. Tyhjöliekitetyn jauheen sisältämän vapaan boorin määrä vaikuttaa myös merkittävästi jauhau-tumiseen.
Tyhjöliekityksen uskotaan altistavan jauheen uudelleenhapettumiselle, kun se on uudelleen alttiina ilmakehälle. Erään teorian mukaan tvhjölieki tyksen aikana muodostuneen boorin pintakerros katalysoi HBN:n muuttumista CBN:ksi. Tämä kerros on välttämätön grafiittisen heksa-gonaalisen boorinitridin (GBN) tapauksessa.
Esikäsittely suoritetaan siten, että jokin määrä HBN-jauhetta reagoimattomassa astiassa (hiili, graphoil, tantaali, jne.) laitetaan tyhjö-uuniin ja kuumennetaan tyhjössä niin kauan, että pintaoksidi-kontami-nantti höyrystyy ja jauhehiukkasten päälle muodostuu termisen hajoamisen kautta ohut päällyste vapaasta boorista. Suurin hiukkaskoko GBN:lie on tavallisesti noin 0,1 - 10 mikronia ja PBN:lle submikronista noin 3,3 mm:iin.
Tyhjöliekitys-esikäsittelyvaiheen jälkeen näytteen annetaan jäähtyä tyhjössä, poistetaan tyhjöuunista ja panostetaan reaktiovvöhvkeosaan, joka on sijoitettu korkeapaine/korkealämpötila-laitteeseen (HP/HT-laite). Ensin nostetaan paine ja sen jälkeen lämpötila ja pidetään halutuissa arvoissa niin kauan, että konversio ja sintraantuminen tapahtuu. Sen jälkeen näytteen annetaan jäähtyä paineen alla lyhyen aikaa ja lopuksi paine alennetaan ilmakehän naineeseen ja nolykiteinen CBN-massa otetaan talteen.
Konversio mustiksi polykiteisiksi massoiksi on toteutettu kokeellisesti tyhjöliekitetyillä kaupallisilla HBN-jauheilla 55 - 70 kbar paineessa ja noin 1800 - 2300°C lämpötiloissa.
Kuvioiden 1-4 reaktiovyöhykeosat eli kennot muodostuvat hiiliputkesta 1 (tai 8 kuvioissa 2 - 4), joka on sijoitettu samankeskisestä sylinte- 5 68604 rimäisen putken 7 (9 kuvioissa 2-4) sisäpuolelle (tai ulkopuolelle kuvioissa 2 - 4). Sylinterimäisen putken tarkoituksena on estää epäpuhtauksien tunkeutuminen kennon ulkopuolisista osista näytteeseen korkäalämpötila/korkeapaine- menetelmän aikana. Suojametalli, josta putki on tehty, on tulenkestävää metallia, joka voidaan valita rvhmäs-tä, johon kuuluvat zirkoni, titaani, tantaali, volframi ja molybdeeni.
Hiiliputken ja suojametallista tehdyn putken rajoittaman sylinterin sisäpuolella sijaitsevat HBN-näyte 4 (keskusontelossa), johon korotetut paineet ja lämpötilat tullaan kohdistamaan, ja muut kennon komponentit. Näytettä suojaa yläpuolelta ja alapuolelta suojakiekot 2, jotka on tehty tulenkestävästä metallista, joka voidaan valita edellä mainitusta ryhmästä. Näytteen kummankin pään ja suojametallisten kiekkojen väliin on täyteaineena sijoitettu hiilitulpat 3.
Reaktiovyöhykeosien vastakkaisiin päihin on sovitettu tulpat, jotka välittävät paineen näytteeseen. Tulpat on tehty tulenkestävästä metallista, joka on lämmöneristin (esimerkiksi laava). Kuviossa 1 kumpikin tällainen tulppa muodostuu ensimmäisestä kuumapuristetusta boorinitri-ditulpasta 5, joka on suojametallisen kiekon vieressä, hiilitulpasta 6, joka on sijoitettu ensimmäisen kuumapuristetun boorinitridituloan ja toisen kuumapuristetun boorinitriditulpan 13 väliin. Kuviossa 2 päätetulpat 12 muodostuvat kuumapuristetusta boorinitridistä.
Kuvion 3 vaihtoehdossa boorinitridistä olevien kuumapuristettujen pää-tetulppien ympärille on sijoitettu metallikalvosta muodostuva päällys 11, joka on tehty tulenkestävästä metallista, joka on valittu samasta ryhmästä kuin jota käytettiin metallikiekkoon ja putkeen. Päällvs on käännetty näiden tulppien sisemmän pään yli niin, että päällys voi laajeta säteen suunnassa puristamisen aikana ja täyttää metallikiekko-jen ja suojaputken väliin mahdollisesti jäävät aukot. Kuviossa 4 päällys 12 peittää vain osan päätetulpasta (eikä kokonaan, kuten kuviossa 3). Kuvion 4 päätetulppa muodostuu ensimmäisestä kuumapuristetusta boorinitriditulpasta 14, jonka ympärille kalvo on kääritty ja käännetty, ja toisesta kuumapuristetusta boorinitriditulpasta 15, joka täyttää ensimmäisen tulpan ja kennon pään välisen tilan.
Kaupallisesti saatavissa oleva kuumapuristettu boorinitridi muodostuu tyypillisesti boorinitridijauheesta, jonka kanssa on sekoitettu sideaineena boorioksidia (3 - 4 %) ja joka on kuumapuristettu sopivaan muo- 6 68604 toon (esimerkiksi tangoksi) lämpötiloissa yli 2000°C ja paineessa noin 6,895 kPa hapen läsnäollessa. Sitä on kaupallisesti saatavissa esimerkiksi kauppanimellä grade HBN Union Carbide Corporation-yhtiöltä.
Hiukkasten sulautumisen estämiseksi HBN-näytteen kanssa voidaan sekoittaa grafiittia.
Suositeltava tapa on esipuristaa HBN-näytteet (jotka voivat olla kuohkeita) suojametallisessa putkessa. Tämä esipuristaminen suoritetaan käsipuristimessa, ja sopiva paine on noin 137,9 kPa.
Korkeapaine/korkealämpötila-menetelmässä suositellut olosuhteet ovat 65 - 75 kbar, 2000 - 2300°C ja 8 minuutin puristusaika.
Kuutiomainen boorinitridi voidaan ottaa talteen reaktiovyöhykeosan matriisista korkeapaine/korkealämpötila-menetelmän jälkeen; (1) irroittamalla kennon päät, jotka muodostuvat päätetulpista; (2) sekoittamalla jäljelle jääneen aineen kanssa rikkihapon ja typpihapon seosta (rikkihapon suhde typpihappoon esimerkiksi 90:10 tilavuudesta laskettuna); (3) pesemällä liukenemattomat kiinteät aineet veteen; (4) sekoittamalla kiinteän aineksen kanssa typpihapon ja fluorivetyhapon seosta (tilavuussuhde HNO3/HF 50/50 - 90/10), jolloin jäljelle jäänyt suojametalli, hiili ja tiivistemateriaali liukenee; ja (5) pesemällä lopuksi vedellä kiinteät CBN-palat.
CBN-rouhetta saadaan jauhamalla taiteenotetut CBN-palat. Tällaista rouhetta voidaan myös muodostaa suorittamalla koon pienentämiset puristeilla (esimerkiksi jauhaminen tai murskaus).
P-CBN-tyyppisellä hioma-aineella suoritetut vaihtokokeet ovat osoittaneet suorituskyvyn olevan paremman kuin katalyyttisesti kasvatetun tyyppisellä CBN-hioma-aineella, jota nykyään käytetään hionnoissa. Suorituskyvyn eron uskotaan johtuvan pääasiassa P-CBN-hiukkasten ja katalyyttisesti kasvatettujen hioma-ainehiukkasten sisäisen rakenteen välisistä eroista. Katalyyttisesti kasvatetut hioma-ainehiukkaset ovat yksittäisiä kiteitä, jotka sisältävät suhteellisen heikkoja lohkeamistasoja. P-CBN-materiaalilla on erittäin viallinen rakenne, jolla ei siten ole mitään suuria lohkeamistasoja ja jossa rakenneviat 7 68604 estävät murtuman etenemisen, jolloin saadaan vahvempia, sitkeämoiä hiukkasia.
Suorituskyvyn ero voidaan johtaa myös P-CBN- ja katalyvttisesti kasvatettujen hiukkasten välisiin morfologiaeroihin. Katalyyttisesti kasvatetuilla hiukkasilla on säännölliset, laakeat tasaiset pinnat, jotka ovat määräytyneet menetelmän yksittäisten kiteiden kasvuolosuhteista, kun taas P-CBN-hiukkasilla voi olla epäsäännöllinen sekä makro- että mikro-morfologia riippuen käsittelyolosuhteista ja jauhamistavasta.
Kun P-CBN-rouheen valmistuksessa on käytetty HP/HT-konversiomenetelmää, on havaittu, että P-CBN-materiaalin mikrorakenne vaihtelee riippuen HP/HT-menetelmän olosuhteista. Alhaisemmissa käsittelyolosuhteissa tehdyllä P-CBN:llä on erittäin viallinen (pieni kidekoko) rakenne.
Kun käsittelylämpötiloja nostetaan, kiteisyys paranee, kunnes korkeimmassa lämpötilassa voidaan havaita 10 mikronin tai suurempia yksittäisiä kristalliitteja.
Sisäisen tilarakenteen vaikutuksia suorituskykvvn tutkittiin valitsemalla testaukseen kahden tyyppistä P-CBN-rouhetta: (a) alhaisissa lämpötiloissa valmistettu materiaali, jossa on erittäin viallisia/kristalliittikooltaan pieniä rakenteita* materiaalista käytetään merkintää SCS; ja (b) korkeissa lämpötiloissa tehty materiaali, jossa on suuria kristalliitte ja* materiaalista käytetään merkintään LCS.
Käsittelylämpötila, jossa SCS-materiaalia voidaan valmistaa edellä esitettyjen HP/HT-konversio-operaatioiden kautta, on välillä noin 2000 - noin 2100°C. LCS-materiaalia saadaan lämpötiloissa, jotka ulottuvat yli noin 2100°C rekonversiolämpötilaan asti.
Keksintöä selvennetään edelleen seuraavien esimerkkien avulla, jotka ovat ainoastaan esimerkkimäisiä. Kokeellisissa korkeapaine/korkealäm-pötila-ajoissa maksimilämpötila määritettiin aikaisemmista teho/läm-pötila-kalibrointiajoista kuvion 1 tyyppisellä kennolla. Lämpötila-kalibrointia joissa havaittiin, että kennon maksimilämoötilan saavuttamiseen kului noin 3-4 minuuttia. Aika maksimilämpötilassa on siten noin 3-4 minuuttia pienempi kuin ilmoitettu kuumennusaika.
8 68604
Esimerkki I
Vertailuksi valmistettiin 11V-9 kuperakuppinen, hartsilla sidottu hiomalaippa, jonka halkaisija oli 95,25 mm, paksuus 3,18 mm ja joka sisälsi 18,75 tilavuusprosenttia kaupallisesti saatavissa olevaa CBN-hioma-ainetta (Borazon Type IT, General Electric Company'n tavaramerkki). Valmistettiin neljä samanlaista laikkaa, jotka sisälsivät P-CBN-hioma-ainetta, joka oli saatu iskujauhamalla P-CBN-puriste-kiekkoja (halkaisija noin 13 mm ja paksuus 1,3 - 2 mm). Kiekot oli valmistettu PBN-levyjen suoralla korkeapaine/korkeapainelämpötila-konversiolla 65 - 70 kbar paineessa, 1900 - 2500°C lämpötilassa ja 3-10 minuutin aikana. Ennen iskujauhatusta P-CBN-iskujauhetusta P-CBN-puristeista poistettiin hiekkapuhaltamalla puristeen pintaan mahdollisesti kiinnittynyt aines. Iskujauhatuksen jälkeen saatu jauhe seulottiin oikean kokoiseksi.
Sisäisen hilarakenteen vaikutuksen tutkimiseksi testaukseen valittiin kahden tyyppistä P-CBN-ainetta. Toinen aine (SCS) oli valmistettu alhaisessa lämpötilassa ja sillä oli pienikristal1iittinen rakenne. Toinen aine (LCS) oli valmistettu korkeissa lämpötiloissa ja se sisälsi suuria kristalliitteja.
Kaikki nämä hioma-aineet päällystettiin nikkelillä noin 60 painoprosentilla nikkeliä. Menetelmät, joilla nikkelipää1lyste laitetaan kuutiol1isiin boori nitridihiukkasiin, ovat alalla yleisesti tunnettuja (kts. englantilainen patentti 1,278,184).
Laikat asetettiin automaattiseen käyttöön muunnettuun n:o 2 Cincinnati Milacron Tool and Cutter Grinder laitteeseen ja testattiin kuivahiomalla työkappale, M2 Tool Steel (Rockwll C kovuus 60 - 62). Koneen laikkanopeus oli 122 m/min. (pöydän nopeus 2,62 m/min.) ja syöttönopeudet 0,051 mm ja 0,076 mm. Kussakin olosuhteiden yhdistelmässä määritettiin hiomissuhde ja pinnan laatu. Mittauksen tulokset on esitetty taulukossa 1.
9 68604
-P
(0
CC
6 '—^
g O O u"> r~ O
G < r- vo vo vo oo vo G rt, Γ" G ~
O G
» -H
O Pj :0 -P <1) -P T) :0 £
G
col Ifl LO O eri CN (N
rt) "d· σι r~ ro e o
•H
K
-p 0)
CO
44 G
O -P
i“i n3 G Iti
P rH
e G rt* O O O ^ •H 6 rti rt; vo ^ m m vo PE G —
tn G
<D rH -rH
E-> LO Pj
O
K
o <u :0 Ό -P Λ
P G
.O en oo σ\ o ^ oo
> cO rr ld ui O
i—I en g >—I CN i—I ΓΟ i—I
O
O -H
44 X
44 P
I—
P
<t
En o o
O O O O ΓΊ CN
44 00 00 00 r-H rH
0 \ \ \ \ \
44 O O O O O
1 VO VO VO 00 CO
JC
en
CU
s
CU
T3
•H
« -H 2 Z Z Z
rH cq m m m ‘MS h u u u u
-P o I I I I
G p Ph Ph Ph Ph
-H -P
44 G CO en U CO
P O O O CO u
CU X Ifl P U P
s cfl
44 vo oo 'T LO
44 vo ro ro ro oo •H 00 00 00 00 00
(0 CN (N ro CM CN
hP rH rH rH I—f rH
10 68604
Pienikristalliittinen aine selviytyi kaikissa tapauksissa parhaiten. Esimerkki II
Sen tutkimiseksi, mikä vaikutus hiukkaskoolla on hiomiskykyvn, erä pienikristalliittista P-CBN, joka oli valmistettu edellisestä PBN-jauheesta esimerkissä I esitetyillä tavoilla (100/120 mesh), erotettiin pääasiallisesti kokkareeseen (sivusuhde pieni) ja pääasiallisesti laakeaan (sivusuhde suuri) hiukkasjakeeseen (50/50 muodonerotin) (shape separation split). Muodot erotettiin muodonlajittelukoneessa. Tällaisia koneita tunnetaan alalla. Kuvaus niistä on löydettävissä artikkelissa Dyer, Dr. H.B., "EMB Natural Diamonds", Industrial Diamond Review, (elokuu 1964) s. 192.
Taulukossa 3 on esitetty eri työkappaleilla, eri laitteilla ja esimerkin I olosuhteissa suoritettujen kokeiden tulokset. Käytetyt tvökappa-leet olivat: 11 68604 ο
rH I I I
(Η ΓΟ in O (N o n dj m m m id id id to έ
3 X
G υ > o O (¾ m m r- ng O! - -
Cj[ *» n
I I
(0 m m O O
to cn r- m m [/} 01 *· * ·» *> •H S| rH rH "»n Φ
-P I I
G O in O O
0) m r" o O
(!) " *· - " O in id m ro
G |S| rH rH
0- I I I
0 O O O O in in G m in id (N η- <n -lH *» N * » *· (C >| OO H n n· n cn 0.
I I I
0 to no no OO
X G r- n r·- n no X SGI *> - - - - G G U| n< n m -?p n· n
r-H 4J
G to I I I
<a o oo oo oo
Eh 0 00 (N (Ν'» (Ν'» ^ -H k * n v ·» ·«.
cn| o 1-1 O O O O
I I I
o o o o o o (Ν'» (Ν'» (Ν'» (1j «.H hl >*. S s sl o o o o o o
I I
0 o oo 00 O o m r- oo n id OI * K '' ** *·
O O O O rH rH
1 to to
G HO :rtJ
G G G G
Q) ΤΊ Q)
G -P Λ -P G
tn Φ GO G -n r(Ö <L> Ή Οι H X!
G (0 It) -H (CO
O) X MC X CU
-P G :θ O :θ -H
G (C tn 0) >i S
rH > -P Tl -P (0
O (CO I XI I G
rH X 0 (0 tG (C <w
(C ro E X rU X rH
0. >1 G -HO -HO
0 En E CU £ CU S
rC
X rH in
:0 rH CN rH
EH K S EH
12 lo (n 68604 3 —s <d r- ro
-P *£ I I I I I I I I I
tO rt, I I I o LO | I I
(13--1 I | L(0 Γ" CN I I I
P3 I c (U 03 «cd
C- -H JC
OH P *Ή tn O 0) ® l I iocnooi i i 03 -H I I I - *· * I I |
W-Pg I I IrHrHOI I I
3Λ O 03 3 -H
aw -43 0 c
C I
4J tn P Ή 0)
:0 e 'd I I I O σ', ro | I I
>- O 43 I I irp^ooi I I
COM 3 111 III
33 tn 33 0(43 O O *40 H i—I *3* 4-1 4-)---(4200 IVO'S'VD^^»'·'* 0) <0 < ι ι ι ι ι ι ι ι i en (Ο^ιηοιοοίηιη^οο X m oo ro uo cn ro cn o
i—I
3 44 |
G G
•rl t- Φ J) 4-) m g ’ϋ tn o h 43 03 Ή 3 E-tOHtn OHCMOtNHOHcr» 03 tn *»·»*^%*-*** tn 03 -h ηοοηπ(Νγ-|τι·γο h 3 4-3 g
03 43 O
o e. 3 -H
X O CO 43
Λ! G
3 :0 i—I 4-3 | 3 4J tn fö :0 -H 03
Eh >gT3inminoOO^5Q0O
co O 43 c^tri^r-^rroro-s··**
-H 3 ^ .H 1—I ^J· ro i-H r—I
33 tn
M -H -H -H
g HfflhHfflhHBh O I I O I | o I I 03 13 U'Z'ZU'Z'ZU'Z'Z (0 CUtld 4Jmm4J«CQ4JCQpQ -ro
0344 GOUCCJUCUU
4J G OI I O I I O i I G
•H-H 0303
Ui X G td •H -ro O) >4 10 IP (0 03
03 44 XX
-P 10 M (0 td O (0 3- H « (-3 3
HC r—li—li—I UOl/OUO II II
(003 r-Hi—IrHCNCNCNi—lr—li—I
λ: en i i I i i I i I I 3 3 SBKÄSSEhEE Öfe >1*40 g! u 68604 13
Kaikissa tapauksissa kokkareinen jae oli parempi kuin laakea jae ja yhtä lukuunottamatta myös parempi kuin kontrolli.
Esimerkki III
Erä PBN-jauhetta valmistettiin jauhamalla suurikokoisia PBN-jätepaloja jauhemuotoon. PBN-jäte muodostui muovatuista PBN-kappaleista, kuten upokkaista ja maljoista. Jauhettu jauho muodostui pääasiassa levymäisistä hiukkasista, joilla on korkea sivusuhde ja joiden koko vaihteli 12 mesh'istä pölyyn.
Ennen muuntamista P-CBN:ksi PBN-jauhe puhdistettiin pintaoksidi-kontaminaatiosta tyhjökuumentamalla jauhettua PBN-jauhetta eri lämpötiloissa. Tantaalikaukaloissa olevalla PBN-jauheella tehtiin joukko tyhjöliekitysajoja. Sen jälkeen, kun näytteet oli asetettu tvhjöuu- -5 -6 niin ja järjestelmä oli evakuoitu 10 - 10 mm Hg paineeseen, näytteet kuumennettiin haluttuun lämpötilaan halutuksi ajaksi ja annettiin jäähtyä tyhjössä. Liekityslämpötiloissa 1750 - 1860°C ja 60 - 80 minuutin ajoilla tehtiin yhteensä yhdeksän tyhjöliekitysajoa käyttämällä 5 - 41 g jauhetta. Tyhjöliekityksen jälkeen alkuaine-boorista muodostuva musta kerros peitti alkuaan valkoisen PBN-jauheen.
Osa edellä tyhjöliekitetystä jauheesta muunnettiin CBNrksi HP/HT-konversiolla käyttämällä kuvion 1 tyyppisiä korkeapainekennoja. Näytteet sijoitettiin kennoihin ja ajettiin HP/HT-laitteessa 65 -70 kbar paineessa ja noin 2000°C:ssa 10 minuutin kokonaiskuumennus-ajalla. Saadut polykiteiset CBN-massat poistettiin fysikaalisesti korkeapainekennosta, käsiteltiin hapolla (noin 10 % HNO^/90 % H^SO^) mahdollisesti kiinnittyneen hiilen poistamiseksi ja iskujauhettiin jauhemuotoon. 60/80-jae erotettiin seulomalla, puhdistettiin ultraääni-vesihauteessa ja ilmakuivattiin laikkatestaukseen, näyte X-7A.
Toinen osa edellä tyhjöliekitetystä PBN-jauheesta käsiteltiin typpihapolla. Tällä käsittelyllä poistettiin ennen HP/HT-koversiota boori, joka oli muodostunut tyhjöliekityksen aikana. Saadut polykiteiset CBN-massat (X-7B) käsiteltiin edellä kuvatulla tavalla laikkates-taukseen.
Materiaali X-7C saatiin käyttämällä PBN-jauhetta, joka liekitettiin 1580 - 1615°C:ssa 60 - 90 minuutin aikana ja samaa HP/HT-konversiota 14 6860 4
ja muuntamisen jälkeistä käsittelyä kuin mitä on edellä kuvattu. Esimerkki IV
60/80 mesh'in jakeet esimerkin III rouheista testattiin kupoitvypoi-sissä hiomalaikoissa samaan tapaan kuin esimerkeissä I ja II. Vertailun vuoksi testattiin myös samanlainen kontrolli kuin esimerkissä I ja 60/80 mesh'in näyte muovaamatonta P-CBN-jauhetta (valmistettu jauhamalla HP/HT-konvertoitu PBN-levy), merkintä P-CBN-SU. Tulokset on esitetty taulukossa 4. Ne osoittavat boorikerroksen vaikutuksen ja että pieni kerros on suositeltava.
Taulukko 4 _Testin tulokset_
Työkappale Kiteen merkintä Syöttö 0,051 mm Suhteellinen _ _ svöttösuhde_ hiomis suhde M-2 Kontrolli 209 1,0 M-2 P-CBN-SU 388 1,8 M-2 X-7A 221 1,1 M-2 X-7B 378 1,8 M-2 X-7C 456 2,2 T-15 Kontrolli 75 1,0 T-15 P-CBN-SU 160 2,2 T-15 X-7A 110 1,5 T-15 X-7B 200 2,6 T-15 X-7C 240 3,2
Hiomalaikkojen, joissa käytettiin G-CBN-hiomahiukkasia, jotka oli valmistettu GBNrstä edellä annettujen vaiheiden mukaisesti, tutkiminen osoitti, että irtaantuminen tapahtui aikaisin polvkiteen työiässä, ja hankaava kuluminen näytti tylsyttävän rouheen, mikä mahdollisesti selittää aikaisen irtaantumisen. Nämä havainnot sopivat yhteen poly-kiteisen rouheen luonteen kanssa. Polykiteet muodostetaan koversoi-malla ja sulattamalla mikronikokoisia HBN-hiukkasia. Mikronikokoisen hiukkasen välipinnalla tapahtuvasta mikrolohkeamisesta johtuva poly-kiteen kuluminen saattaa johtaa aluksi terävien leikkauskohtien pyö-ristymiseen, jolloin polykiteeseen kohdistuva voima riittää vetämään hiukkasen sidoksesta ennenkuin ehtii tapahtua hiukkasen makrotyyppistä, terävän kohdan regeneroivaa lohkeamista.
15 68604
Kun GBN on raaka-aine, keksinnön suositeltu suoritusmuoto sisältää sen vuoksi seuraavan muunnoksen.
Vaiheiden A ja B välissä tyhjöliekitetyn GBN-jauheen kanssa sekoitetaan yksikiteisiä CBN-hiukkasia, joiden suurin dimensio on 5 - 150 mikronia (parhaiten 12 - 50) niin, että yksikiteisen, katalvvttikas-vatetun CBN:n konsentraatio on 5 - 30 tilavuusprosenttia (mieluummin 10 - 15 tilavuusprosenttia). Saatu seos muunnetaan sen jälkeen vaiheen B mukaisesti, jolloin saadaan aggregoitunutta CBN-massaa, joka muodostuu yksikiteisistä CBN-hiukkasista, jotka ovat uppoutuneet runsasbooriseen polykiteiseen CBN-matriisiin.
Tämän muunnoksen tarkoituksena on lisätä yksikiteisiä CBN-hiukkasia polykiteisiin ja muuttaa näin edullisesti polykiteiden hajoamisomi-naisuuksia tavalla, joka parantaa niiden hiomiskykyä.
USA-patentissa 3,852,078 on esitetty sidottuja CBN-kappaleita, joissa ennen HP/HT-käsittelyä HBN:n kanssa sekoitetaan CBN ilman, että tarvitaan HBN:n esikäsittelyä.
Esimerkki V
Aggregoitujen G-CBN-rouheiden valmistaminen Näissä kokeissa käytetty GBN-jauhe oli Carborundum Company - grade HPF. Se tyhjöliekitettiin 1760 - 1770°C:ssa 55 minuutin ajan. Tyhjö _ r _ c oli aluksi välillä 10 - 10 mm Hg. Paine nousi kuumentamisen aikana -3 yli 10 mm Hg, koska HBN-jauheen termisen pintahajoamisen seurauksena kehittyi typpikaasua. Tyhjöliekityksen jälkeen aluksi valkoisen jauheen ulkomuoto oli harmaa johtuen vapaasta boorista muodostuvasta pintapäällysteestä.
TyhjÖliekitettv jauhe sekoitettiin sen jälkeen yksikiteisen CBN-lisä-aineen kanssa. Eri lämpötiloissa tehtiin joukko korkeapaine/korkealäm-pötila-konversioajoja käyttämällä kuvion 2 korkeapainekennoa, jossa oli tantaalikalvosta muodostuvat kiekot 2 ja titaaniputki 9. Näytteet esipuristettiin titaaniputkessa 137,9 kPa paineessa. Ajo suoritettiin korkeapaine-laitteessa noin 65 - 75 kbar paineessa 8 minuutin aikana lämpötilassa, joka riitti muuntamaan ja sulattamaan tyhjöliekitetyn jauheen.
i6 6860 4
Saadut seostemassat olivat läpikuu 1 tautiattoman mustia. Yksikiteiset CBN-hiukkaset olivat selvästi näkyvissä ja lujasti uppoutuneita polykiteiseen CBN-matriisiin. Suuret kokkareet iskujauhettiin jauheeksi, erotettiin koon mukaan, puhdistettiin ultraäänellä vesihauteessa ja ilmakuivattiin. Taulukkoon 5 on koottu kolme tyypillistä a joa.
Taulukko 5
Aggregaatti-hiomisaineet
Merkintä Aggregaatin Yksikiteisen Yksikiteisen Yksittäisten ki- mesh-koko aineen mesh- aineen kon- teiden keskimää- _ _ koko_ sentraatio räinen määrä/rae X-7D2 60/80 140/170 30 3,2 X-7D1 60/80 200/230 20 6,4 X-7D3 60/80 270/325 30 26
Esimerkki VI
Hiomiskokeet G-CBN;llä 60/80 mesh'in (250 - 180 mikronia) jae esimerkin V puristusajoista testattiin kuivahiomalla M-2 työkaluterästä. Samoissa olosuhteissa testattiin kontrollina yksikiteinen, katalyyttikasvatettu CBN, jolla oli sama mesh-koko (Borazon CBN Type II, General Electric Companyn tavaramerkki).
Testausta varten päällystettiin kaksi laikkaa kustakin neljästä hioma-ainetyypistä. Kaikki hiomalaikat olivat 92,25 mm 11V9 kuperakuppi-tyyppisiä, hartsisidottuja standardilaikkoja (kts. USA-patentti 3,645,706 ja 3,518,068), jotka sisälsivät 60/80 CBN 18,75 tilavuusprosenttia normaalissa hartsisidoksessa. Kuivahiomiskokeet tehtiin seuraavissa olosuhteissa.
17 68604
Taulukko 6
Olosuhde n:o 1 Olosuhde n:o 2 Laikan nopeus (metri/sekunti) 20 20 Pöydän nopeus (metri/minuutti) 2,44 2,44
Materiaali (8 kappaletta) 6,4 x 203 mnr ' M-2 M-2
Syöttö (mm) 0,050 0,076
Aineen poistumisnopeus 3 . -1, cm -min )
Taulukkoon 7 on koottu kullekin hioma-ainetyypille eri olosuhteissa saadut tulokset hiomissuhteesta (työkappaleen poistuneen tilavuuden suhde laikan kulumistilavuuteen)..
Taulukko 7
Syöttö - 0,050 mm Syöttö - 0,076 mm
Keskimää- Suhteel- Keksimää- Suhteelli-räinen hio- linen hio- räinen hio- nen hio-Hioma-aine mi s suhde_mi s suhde mi s suhde_missuhde
Kontrolli 170 1,0 64 1,0 X-7D1 205 1,2 90 1,4 X-7D2 195 1,2 76 1,2 X-7D3 255 1,5 110 1,7
Testauksen jälkeen kaikki laikat tutkittiin visuaalisesti optisella mikroskoopilla (80X asti). Kokeellisten hioma-aineiden välikorkeudet olivat merkittävästi korkeammat kuin kontrollilla.
Kokeellisilla hioma-aineilla ei lisäksi havaittu mitään kulumisesta johtuvaa litistymistä.
Tämän keksinnön eräässä toisessa suositellussa suoritusmuodossa, kun raaka-aineena on G-CBN, HP/HT-käsittelyn aikana polykiteiseen GBN-massaan lisätään sulkeumia tulenkestävästä metallista. Tämän muunnoksen tavoite on sama kuin yksikiteisen CBN:n lisäämisellä (so. muuntaa polykiteiden hajoamisominaisuuksia ja/tai parantaa polvkiteiden pysymistä hiomalaikoissa).
Tässä muunnoksessa sekoitetaan vaiheiden A ja B välissä tyhjöliekitet- 68604 18 tyyn GBN-jauheeseen sekoitetaan valittua tulenkestävää metallijau-hetta. Saatu seos muunnetaan sen jälkeen vaiheen B mukaisesti aggre-gaattimassaksi, joka muodostuu tulenkestävän metallijauheen hiukkasista, jotka ovat lujasti uppoutuneet runsasbooriseen polykiteiseen CBN-matriisiin.
Käytettyjen tulenkestävien metallien ei tulisi häiritä GBN:n muuntamista tai polykiteisen CBN-matriisin sintrautumista. Sopivista metalleista ovat esimerkkejä tantaali, molybdeeni ja volframi. Sulkeumien hiukkaskoko ja konsentraatio vaikuttaa aggregaatin ominaisuuksiin.
Edelleen voidaan saada erittäin epäsäännöllinen pintageometria uuttamalla metalli-inkluusiot tuotteesta, jolloin saadaan hiukkasia, joissa on suuria pintaonteloita ja painaumia. Metallisulkeumien koko ja konsentraatio määräävät tällaisten onteloiden ja painaumien määrän ja koon. Tämä uuttovaihe voidaan suorittaa talteenotettujen CBN-massojen jauhamisen jälkeen sopivalla reagenssilla (esimerkiksi molybdeenillä HN03/H2S04 ja tantaalilla HNO^/HF).
Esimerkki VII
Erä Carborundum-yhtiöltä saatua GBN-jauhetta (Grade HPF) tvhjölieki-tettiin muutamassa erillisessä ajossa 1760 - 1770°C:ssa 55 minuutin aikana. Alkuaan valkoinen jauhe oli liekittämisen jälkeen harmaa johtuen vapaan boorin muodostamasta pintapäällysteestä.
Tyhjöliekitetyn jauheen kanssa sekoitettiin sen jälkeen seuraavassa luetteloidut erilaiset tulenkestävät metallijauheet.
Taulukko 8
Tulenkestävä Konsentraatio_ metalli Mesh-koko Paino-% Tilavuus-%
Molybdeeni 150/325 20 8,2 (106/45 mikronia) 30 12,8 40 18,5
Wolframi 100/200 65 25,1 (150/75 mikronia) 80 41,9
Tantaali 150/325 60 23,9 (106/45 mikronia) 75 38,6
Erillisten seosten näytteillä tehtiin joukko HP/HT-konversiokokeita 19 68604 käyttämällä kuvioissa 1 ja 2 esitettyjä korkeapainekennoja. Kuvion 1 tyyppisessä kennossa näytteet sijoitettiin kennoon ja ajo suoritettiin korkeapainelaitteessa noin 65 - 70 kbar paineessa 8 minuutin aikana lämpötilassa, joka riitti muuntamaan ja sulattamaan tyhjöliekitetyn jauheen. Kuvion 2 tyyppisessä kennossa näytteet esipuristettiin titaaniputkessa noin 138 kPa paineessa ennen HP/HT-konversiota. Saadut seostemassat olivat läpikuultamattomia. Metallisulkeutumat näkyivät massoissa selvästi erillisinä saarekkeina polykiteisessä CBN-matrii-sissa.
Valmistettiin riittävät määrät 12,8-tilavuusprosenttista molybdeeni-materiaalia ja 23,9-tilavuusprosenttista tantaalimateriaalia, isku-jauhettiin jauhemuotoon ja erotettiin koon perusteella, jolloin saatiin rouhetta laikkatestaukseen. Jauhatuksen ja kokoerottamisen jälkeen metallisulkeumat poistettiin käsittelemällä hapolla (molyb-deenisulkeumilla ΗΝ02/Η2504 ja tantaalisulkeumilla HNO^/HF) testaukseen valituista kokojakeista, jotka on esitetty taulukossa 9. Jauhe päällystettiin nikkelillä.
Taulukko 9
Laikkatestauksien näytteet Näytteen ..... Tyyppi__Päällysten määrä merkintä Mesh-koko Tila,vuu^ Metalli paino-»_ X-7DM 40/60 12,8 Mo 23,9 X-7DM 40/60 12,8 Mo 38,9 X-7DM 40/60 12,8 Mo 59,5 X-7DM 60/80 12,8 Mo 59,8 C-7DT 40/60 23,9 Ta 60,1 X-7DT 40/80 23,9 Ta 59,4
Kuviossa 5 on esitetty fotomikrograafi hapolla uutetusta tantaali-tyyppisestä materiaalista.
Tulosten perusteella, jotka on saatu seoksilla, jotka sisältävät tyhjöliekitettyä GBN ja joko yksikiteistä CBN tai tulenkestäviä metalleja, uskotaan, että aggregaattimaisten CBN-hioma-ainemassojen valmistamiseen, joilla on paremmat hajoamisominaisuudet, voidaan käyttää muitakin jauhemaisia materiaaleja, jotka eivät haittaa konversiota tai CBN:n sintraantumista. Sellaisista materiaaleista, joiden ei ole 68604 20 havaittu haittaavan konversiota tai sintraantumista, esimerkkejä ovat: wolframikarbidi, titaanikarbidi, boorikarbidi ja piikarbidi. Tällaisiin seoksiin sopimattomista materiaaleista ovat esimerkkejä mangaani, mangaanibooridi ja nikkeli.

Claims (10)

68604
1. Menetelmä kuutioilleen boorinitridin valmistamiseksi heksago-naalisesta boorini tridijauheesta, jossa menetelmässä heksago-naalinen boorinitridi käsitellään korkeapaine/korkealämpötila--menetelmällä: i) paineessa 55 - 80 kbaria; ii) lämpötilassa välillä 1600°C ja rekonversiolämpÖtila; iii) niin kauan, että heksagonaalinen boorinitridi muuntuu kuutiolliseksi boorinitridiksi ja että kuutioi! inen boorinitridi sintraantuu; ja iv) ilman, että on mukana katalyyttejä tai epäpuhtauksia, jotka häiritsevät muuntumista kuutiolliseksi boorinitridiksi tai kuutiollisen boorinitridin sintraantumista, tunnettu esikäsittelyvaiheesta, joka oleellisesti sisältää boorioksidin poistamisen heksagonaalisen boorinitridijauheen pinnalta - ja booripäällysteen aikaansaamisen oksidittoman boorinitridin pinnoille - ennen muuntamista kuutiolliseksi boorinit-ridiksi, joka esikäsittely suoritetaan lämpötilassa, joka on heksagonaalisen boorinitridin termisen hajoamisen alueella, ja tyhjöliekittämällä tai kuumentamalla inertissä atmosfäärissä.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että esikäsittelyvaihe, jossa boorinitridijauheen pinnalta poistetaan boorioksidi käsittää heksagonaalisen boorinitridijauheen tyhjölieki ttämisen: i) reagoimattomassa astiassa; ii) alkupaineessa 12“^ -10“10 mm Hg; iii) lämpötilassa noin 1400 - 1900°C; ja iv) 5 minuutin - 4 tunnin aikana; ja jatkokäsittelyvaiheen korkeapaine-korkealämpötilaolosuhteet ovat: i) paine 65 - 75 kbaria; ii) lämpötila 2000 - 2300°C; ja iii) aika noin 8 minuuttia; ja että CBN-massat otetaan talteen korkeapaine/korkealämpötila-konversion jälkeen. 22 6 8 6 0 4
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että korkeapaine/korkealämpötila-menetelmä suoritetaan reaktiokennossa, johon kuuluu: hiiliputki; suojametallien putki, joka on sijoitettu hiiliputken sisään sen kanssa samankeskisesti ja joka on tehty tulenkestävästä metallista; tulenkestävästä materiaalista, joka on lämmöneristin, tehdyt tulpat, jotka sijaitsevat suojametallisen putken, määrittelemän sylinterin sisällä sen vastakkaisissa päissä; kalvokiekot, jotka on tehty tulenkestävästä metallista ja jotka sijaitsevat sylinterin sisällä ja pääte-tulppien vieressä; hiilitulpat, jotka sijaitsevat sylinterin sisällä suojametallisten kiekkojen vieressä; ja heksagonaalisen boorinitridin jauhe, joka on sijoitettu hiilitulppien ja suoja-metallisen putken rajoittamaan keskusonteloon.
4. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että heksagonaaliset boor initridinäytteet esipuristetaan suojametallisessa putkessa ennen korkeapaine/korkealämpötila-menetelmää.
5. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että korkeapaine/korkealämpötila-menetelmässä heksagonaalisen boorinitridin kanssa sekoitetaan grafiittia.
6. Patenttivaatimusten 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että talteenotetut kuutiollinen boorinitridi-massat jauhetaan rouheeksi.
7. Jonkin patenttivaatimuksen 1, 2 ja 6 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että heksagonaalinen boorinitridi on pyrolyyttinen boorinitridi.
8. Jonkin patenttivaatimuksen 1, 2, 6 ja 7 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että korkeapaine/korkealämpötila-menetelmä tapahtuu 2000 - 2100°C:ssa.
9. Patenttivaatimuksen 8 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että esikäsittelyn olosuhteet ovat: 23 6 8 6 0 4 i) lämpötila 1580 - 1615°C; ja ii) aika 60 - 90 minuuttia.
10. Booririkas, monikiteinen kuutiollinen boorinitridi, tunnettu siitä, että se on tehty heksagonaalisesta grafi itti-boorinitridistä.
FI801414A 1979-06-11 1980-04-30 Framstaellning av kubisk bornitrid ur pulveraktig hexagonal bonitrid utan katalyt FI68604C (fi)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/047,656 US4289503A (en) 1979-06-11 1979-06-11 Polycrystalline cubic boron nitride abrasive and process for preparing same in the absence of catalyst
US4765679 1979-06-11

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI801414A FI801414A (fi) 1980-12-12
FI68604B true FI68604B (fi) 1985-06-28
FI68604C FI68604C (fi) 1985-10-10

Family

ID=21950212

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI801414A FI68604C (fi) 1979-06-11 1980-04-30 Framstaellning av kubisk bornitrid ur pulveraktig hexagonal bonitrid utan katalyt

Country Status (21)

Country Link
US (1) US4289503A (fi)
EP (1) EP0022177B1 (fi)
JP (2) JPS55167110A (fi)
KR (1) KR830001462B1 (fi)
AR (1) AR224157A1 (fi)
AT (1) ATE11399T1 (fi)
AU (1) AU544193B2 (fi)
BE (1) BE883730A (fi)
BR (1) BR8003655A (fi)
CA (1) CA1140728A (fi)
CH (1) CH647740A5 (fi)
DE (1) DE3070001D1 (fi)
DK (1) DK182880A (fi)
ES (1) ES8105679A1 (fi)
FI (1) FI68604C (fi)
FR (1) FR2458510B1 (fi)
IE (1) IE51436B1 (fi)
IL (1) IL59898A (fi)
IT (1) IT1150961B (fi)
MX (1) MX153793A (fi)
NO (1) NO801727L (fi)

Families Citing this family (126)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4536442A (en) * 1979-08-23 1985-08-20 General Electric Company Process for making diamond and cubic boron nitride compacts
US4389223A (en) * 1981-02-09 1983-06-21 General Electric Company Surface characteristics of boron rich cubic boron nitride
JPS602245B2 (ja) * 1981-10-26 1985-01-21 科学技術庁無機材質研究所長 立方晶窒化ほう素の製造法
US4476656A (en) * 1981-11-18 1984-10-16 General Electric Company Method of dressing a plated cubic boron nitride grinding wheel
DE3247985C2 (de) * 1982-12-24 1992-04-16 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Keramischer Träger
DE3248103C1 (de) * 1982-12-24 1987-11-12 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Tiegel zum Ziehen von Einkristallen
DE3337630A1 (de) * 1983-10-15 1985-04-25 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Temperaturausgleichskoerper
JPS62108715A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 立方晶窒化ほう素の製造方法
JPS62108717A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 立方晶窒化ほう素の製造方法
JPS62108713A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 立方晶窒化ほう素の製造方法
JPS62108712A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 立方晶窒化ほう素の製造方法
JPS62108714A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 立方晶窒化ほう素の製造方法
JPS62108716A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 立方晶窒化ほう素の製造方法
JPS62108711A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 立方晶窒化ほう素の製造方法
US4673414A (en) * 1986-01-29 1987-06-16 General Electric Company Re-sintered boron-rich polycrystalline cubic boron nitride and method for making same
JPH01184033A (ja) * 1988-01-19 1989-07-21 Natl Inst For Res In Inorg Mater 立方晶窒化ほう素の製造方法
AU620127B2 (en) * 1988-07-08 1992-02-13 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation A real-time signal processing circuit
US5043120A (en) * 1988-11-10 1991-08-27 The General Electric Company Process for preparing polycrystalline CBN ceramic masses
JP2728491B2 (ja) * 1989-02-22 1998-03-18 昭和電工株式会社 立方晶窒化硼素焼結体の製造方法及びその砥粒の製造方法
US5015265A (en) * 1989-06-14 1991-05-14 General Electric Company Process for making cubic boron nitride from coated hexagonal boron nitride, and abrasive particles and articles made therefrom
JPH0337161A (ja) * 1989-06-30 1991-02-18 Showa Denko Kk 立方晶窒化硼素焼結体、その砥粒の製造法
US4985050A (en) * 1989-08-15 1991-01-15 General Electric Company Supported thermally stable cubic boron nitride tool blanks and method for making the same
US5106792A (en) * 1990-12-20 1992-04-21 General Electric Company CBN/CBN composite masses and their preparation
US5194071A (en) * 1991-07-25 1993-03-16 General Electric Company Inc. Cubic boron nitride abrasive and process for preparing same
US5232469A (en) * 1992-03-25 1993-08-03 General Electric Company Multi-layer metal coated diamond abrasives with an electrolessly deposited metal layer
US5250086A (en) * 1992-03-25 1993-10-05 General Electric Company Multi-layer metal coated diamond abrasives for sintered metal bonded tools
JP2744732B2 (ja) * 1992-04-30 1998-04-28 電気化学工業株式会社 砥 粒
US5985228A (en) * 1992-12-22 1999-11-16 General Electric Company Method for controlling the particle size distribution in the production of multicrystalline cubic boron nitride
US5398639A (en) * 1993-11-12 1995-03-21 General Motors Corporation Solid state conversion of hexagonal to cubic-like boron nitride
US5512235A (en) * 1994-05-06 1996-04-30 General Electric Company Supported polycrystalline compacts having improved physical properties and method for making same
US5510193A (en) 1994-10-13 1996-04-23 General Electric Company Supported polycrystalline diamond compact having a cubic boron nitride interlayer for improved physical properties
US5691260A (en) * 1994-12-30 1997-11-25 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Cubic system boron nitride sintered body for a cutting tool
US5660075A (en) 1995-03-28 1997-08-26 General Electric Company Wire drawing die having improved physical properties
US5560754A (en) * 1995-06-13 1996-10-01 General Electric Company Reduction of stresses in the polycrystalline abrasive layer of a composite compact with in situ bonded carbide/carbide support
US5855996A (en) 1995-12-12 1999-01-05 General Electric Company Abrasive compact with improved properties
ES2197300T3 (es) 1996-01-26 2004-01-01 General Electric Company Abrasivos revestidos para herramientas abrasivas.
US5898009A (en) * 1996-03-19 1999-04-27 Advanced Ceramics Corporation High density agglomerated boron nitride particles
JPH10158065A (ja) * 1996-11-28 1998-06-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 立方晶窒化ホウ素焼結体およびその製造方法
US9409280B2 (en) 1997-04-04 2016-08-09 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9868100B2 (en) 1997-04-04 2018-01-16 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9463552B2 (en) 1997-04-04 2016-10-11 Chien-Min Sung Superbrasvie tools containing uniformly leveled superabrasive particles and associated methods
US9199357B2 (en) 1997-04-04 2015-12-01 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9221154B2 (en) 1997-04-04 2015-12-29 Chien-Min Sung Diamond tools and methods for making the same
US9238207B2 (en) 1997-04-04 2016-01-19 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US5957005A (en) * 1997-10-14 1999-09-28 General Electric Company Wire drawing die with non-cylindrical interface configuration for reducing stresses
US6692714B2 (en) 1997-10-17 2004-02-17 Suresh Shankarappa Vagarali High pressure/high temperature production of colorless and fancy-colored diamonds
AUPP040297A0 (en) * 1997-11-14 1997-12-11 Australian National University, The A cell for forming a composite hard material and method of forming composite hard materials
US5869015A (en) * 1998-05-04 1999-02-09 General Electric Company Method for producing cubic boron nitride using melamine as a catalyst
EP1006091A4 (en) 1998-05-22 2004-08-04 Sumitomo Electric Industries CUBIC NITRIDE SINTERED BORON NITRIDE CUTTING TOOL
US6196910B1 (en) 1998-08-10 2001-03-06 General Electric Company Polycrystalline diamond compact cutter with improved cutting by preventing chip build up
US20050081456A1 (en) * 2003-01-06 2005-04-21 Showa Denko K.K. Cubic boron nitride abrasive grain, production method therefor, and grinding wheel and coated abrasive using the same
JP5046459B2 (ja) * 1999-11-19 2012-10-10 デ ビアス インダストリアル ダイアモンズ (プロプライエタリイ)リミテッド 立方晶窒化ホウ素クラスター
US6260640B1 (en) 2000-01-27 2001-07-17 General Electric Company Axisymmetric cutting element
US6908674B2 (en) * 2000-12-15 2005-06-21 Diamond Innovations, Inc. Jadeite and its production
US6799467B2 (en) * 2002-02-08 2004-10-05 Hormel Foods, Llc Pressure indicator
CA2419752A1 (en) * 2002-02-26 2003-08-26 Smith International, Inc. Elongate ultra hard particle reinforced ultra hard materials and ceramics, tools and parts incorporating the same, and method of making the same
US6814775B2 (en) 2002-06-26 2004-11-09 Diamond Innovations, Inc. Sintered compact for use in machining chemically reactive materials
US6759128B1 (en) * 2002-07-05 2004-07-06 The Regents Of The University Of California Bulk superhard B-C-N nanocomposite compact and method for preparing thereof
US20050249978A1 (en) * 2004-04-02 2005-11-10 Xian Yao Gradient polycrystalline cubic boron nitride materials and tools incorporating such materials
US7384436B2 (en) * 2004-08-24 2008-06-10 Chien-Min Sung Polycrystalline grits and associated methods
US8197936B2 (en) * 2005-01-27 2012-06-12 Smith International, Inc. Cutting structures
US7543662B2 (en) 2005-02-15 2009-06-09 Smith International, Inc. Stress-relieved diamond inserts
CN100391586C (zh) * 2005-03-25 2008-06-04 吉林大学 用碱土金属氟化物合成立方氮化硼的方法
US8398466B2 (en) 2006-11-16 2013-03-19 Chien-Min Sung CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods
US8678878B2 (en) 2009-09-29 2014-03-25 Chien-Min Sung System for evaluating and/or improving performance of a CMP pad dresser
US9138862B2 (en) 2011-05-23 2015-09-22 Chien-Min Sung CMP pad dresser having leveled tips and associated methods
US8622787B2 (en) 2006-11-16 2014-01-07 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US8393934B2 (en) 2006-11-16 2013-03-12 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US9724802B2 (en) 2005-05-16 2017-08-08 Chien-Min Sung CMP pad dressers having leveled tips and associated methods
US7493973B2 (en) 2005-05-26 2009-02-24 Smith International, Inc. Polycrystalline diamond materials having improved abrasion resistance, thermal stability and impact resistance
US7553344B2 (en) * 2005-06-07 2009-06-30 Adico, Asia Polydiamond Company, Ltd. Shaped thermally stable polycrystalline material and associated methods of manufacture
US20070032369A1 (en) * 2005-08-03 2007-02-08 Franzen Jan M High content CBN materials, compact incorporating the same and methods of making the same
US7679853B2 (en) * 2005-12-28 2010-03-16 Agere Systems Inc. Detection of signal disturbance in a partial response channel
US9097074B2 (en) * 2006-09-21 2015-08-04 Smith International, Inc. Polycrystalline diamond composites
GB2445218B (en) * 2006-09-21 2011-05-25 Smith International Atomic layer deposition nanocoating on cutting tool powder materials
US7862634B2 (en) * 2006-11-14 2011-01-04 Smith International, Inc. Polycrystalline composites reinforced with elongated nanostructures
US20080156260A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-03 Memc Electronic Materials, Inc. Wafer Support and Method of Making Wafer Support
CA2619547C (en) 2007-02-06 2016-05-17 Smith International, Inc. Polycrystalline diamond constructions having improved thermal stability
US7942219B2 (en) 2007-03-21 2011-05-17 Smith International, Inc. Polycrystalline diamond constructions having improved thermal stability
KR20100106328A (ko) 2007-11-13 2010-10-01 치엔 민 성 Cmp 패드 드레서
TWI388402B (en) 2007-12-06 2013-03-11 Methods for orienting superabrasive particles on a surface and associated tools
US9297211B2 (en) * 2007-12-17 2016-03-29 Smith International, Inc. Polycrystalline diamond construction with controlled gradient metal content
US20100012389A1 (en) * 2008-07-17 2010-01-21 Smith International, Inc. Methods of forming polycrystalline diamond cutters
WO2010009430A2 (en) * 2008-07-17 2010-01-21 Smith International, Inc. Methods of forming thermally stable polycrystalline diamond cutters
CA2683260A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-20 Smith International, Inc. Techniques and materials for the accelerated removal of catalyst material from diamond bodies
US8771389B2 (en) 2009-05-06 2014-07-08 Smith International, Inc. Methods of making and attaching TSP material for forming cutting elements, cutting elements having such TSP material and bits incorporating such cutting elements
GB2480219B (en) 2009-05-06 2014-02-12 Smith International Cutting elements with re-processed thermally stable polycrystalline diamond cutting layers,bits incorporating the same,and methods of making the same
US20100310861A1 (en) * 2009-06-08 2010-12-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Polymers containing hexagonal boron nitride particles coated with turbostratic carbon and process for preparing same
CA2765710A1 (en) 2009-06-18 2010-12-23 Smith International, Inc. Polycrystalline diamond cutting elements with engineered porosity and method for manufacturing such cutting elements
WO2011017625A2 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Smith International, Inc. Method of forming a thermally stable diamond cutting element
US8579053B2 (en) * 2009-08-07 2013-11-12 Smith International, Inc. Polycrystalline diamond material with high toughness and high wear resistance
WO2011017592A2 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Smith International, Inc. Diamond transition layer construction with improved thickness ratio
CN105422014B (zh) 2009-08-07 2018-03-13 史密斯国际有限公司 切割元件
WO2011017582A2 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Smith International, Inc. Functionally graded polycrystalline diamond insert
WO2011017673A2 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Smith International, Inc. Thermally stable polycrystalline diamond constructions
GB2511227B (en) * 2010-02-09 2014-10-01 Smith International Composite cutter substrate to mitigate residual stress
WO2011112194A1 (en) 2010-03-11 2011-09-15 Diamond Innovations, Inc. Affecting the thermoelectric figure of merit (zt) and the power factor by high pressure, high temperature sintering
TWI451942B (zh) * 2010-09-21 2014-09-11 Ritedia Corp 具實質平坦顆粒尖端之超研磨工具及其相關方法
WO2012109518A1 (en) 2011-02-10 2012-08-16 Smith International, Inc. Cutting structures for fixed cutter drill bit and other downhole cutting tools
US8961920B1 (en) 2011-04-26 2015-02-24 Us Synthetic Corporation Methods of altering the color of a diamond by irradiation and high-pressure/high-temperature processing
TWI487019B (en) 2011-05-23 2015-06-01 Cmp pad dresser having leveled tips and associated methods
WO2012177734A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Smith International, Inc. Fixed cutter drill bit with core fragmentation feature
US9193038B2 (en) * 2011-12-09 2015-11-24 Smith International Inc. Method for forming a cutting element and downhole tools incorporating the same
US9482056B2 (en) 2011-12-30 2016-11-01 Smith International, Inc. Solid PCD cutter
US20140017435A1 (en) * 2012-07-12 2014-01-16 Diamond Innovations, Inc. Polycrystalline Cubic Boron Nitride (PcBN) Body Made With Distinct Layers of PcBN
TWI647299B (zh) 2012-07-31 2019-01-11 戴蒙創新公司 立方氮化硼之官能化及製造其之方法
US9138865B2 (en) 2012-12-19 2015-09-22 Smith International, Inc. Method to improve efficiency of PCD leaching
US9259823B2 (en) * 2013-08-26 2016-02-16 Lawrence Livermore National Security, Llc Boron nitride composites
CN103551080B (zh) * 2013-11-04 2015-07-22 太原理工大学 一种立方氮化硼颗粒表面镀氮化钛的方法
EP3029113B1 (en) * 2014-12-05 2018-03-07 Ansaldo Energia Switzerland AG Abrasive coated substrate and method for manufacturing thereof
KR102006718B1 (ko) 2015-11-24 2019-08-02 주식회사 엘지화학 카르본산 변성 니트릴계 공중합체 라텍스, 이의 제조방법, 이를 포함하는 딥 성형용 라텍스 조성물, 및 딥 성형품
KR102409292B1 (ko) 2016-09-30 2022-06-14 다이아몬드 이노베이션즈, 인크. 고용체 조성 평가에 의한 고압 셀 내부 온도 결정
EP3333141B1 (en) * 2016-10-06 2021-12-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for producing boron nitride polycrystal, boron nitride polycrystal, cutting tool, wear-resistant tool, and grinding tool
US10406654B2 (en) 2017-10-25 2019-09-10 Diamond Innovations, Inc. PcBN compact for machining of ferrous alloys
WO2020005247A1 (en) 2018-06-28 2020-01-02 Diamond Innovations, Inc. Pcbn sintered compact
US11002081B2 (en) 2018-07-24 2021-05-11 Schlumberger Technology Corporation Polycrystalline diamond cutter with high wear resistance and strength
US20220041446A1 (en) * 2018-09-27 2022-02-10 Sumitomo Electric Hardmetal Corp. Polycrystalline cubic boron nitride and method for manufacturing the same
CN109293369A (zh) * 2018-10-24 2019-02-01 福州赛瑞特新材料技术开发有限公司 一种低氧含量的氮化硼陶瓷的制备方法
EP3932893A4 (en) 2019-02-28 2022-05-11 Sumitomo Electric Hardmetal Corp. POLYCRYSTALLINE CUBIC BORON NITRIDE AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
WO2020174923A1 (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 住友電工ハードメタル株式会社 立方晶窒化硼素多結晶体及びその製造方法
WO2020174921A1 (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 住友電工ハードメタル株式会社 立方晶窒化硼素多結晶体及びその製造方法
WO2020174922A1 (ja) 2019-02-28 2020-09-03 住友電工ハードメタル株式会社 立方晶窒化硼素多結晶体及びその製造方法
WO2020175647A1 (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 住友電工ハードメタル株式会社 立方晶窒化硼素多結晶体及びその製造方法
CN110467469B (zh) * 2019-08-28 2023-04-25 郑州中南杰特超硬材料有限公司 一种合成多晶立方氮化硼用前驱物的制备方法
CN113336556B (zh) * 2021-07-16 2023-02-28 中国人民解放军国防科技大学 一种近化学计量比的连续bn陶瓷纤维及其制备方法
CN115351629A (zh) * 2022-08-19 2022-11-18 南充三环电子有限公司 一种bn板的回收利用方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2947617A (en) * 1958-01-06 1960-08-02 Gen Electric Abrasive material and preparation thereof
US3212852A (en) * 1962-07-30 1965-10-19 Gen Electric Method for converting hexagonal boron nitride to a new structure
DE1792741A1 (de) * 1963-02-06 1973-04-19 Kempten Elektroschmelz Gmbh Verfahren zur kontinuierlichen reinigung von bornitrid
US3660027A (en) 1969-05-06 1972-05-02 Union Carbide Corp High purity hot pressed boron nitride
BE760012A (fr) * 1969-12-16 1971-05-17 Gen Electric Perfectionnements aux meules abrasives du genre des meules
GB1303925A (fi) * 1970-08-13 1973-01-24
US3852078A (en) * 1970-12-24 1974-12-03 M Wakatsuki Mass of polycrystalline cubic system boron nitride and composites of polycrystalline cubic system boron nitride and other hard materials, and processes for manufacturing the same
DE2111180C3 (de) 1971-03-09 1973-10-11 Institut Fisiki Twojordowo Tela I Poluprowodnikow Akademii Nauk Belorusskoj Ssr, Minsk (Sowjetunion) Verfahren zur Herstellung von kubi schem Bornitrid
US3926571A (en) * 1973-01-02 1975-12-16 Raytheon Co Metallized isotropic boron nitride body
US3918931A (en) * 1973-12-17 1975-11-11 Gen Electric Solution-precipitation process for manufacturing cubic boron nitride abrasive tools
ZA741474B (en) * 1974-03-07 1975-10-29 Edenvale Eng Works Abrasive tools
US4150098A (en) * 1975-05-20 1979-04-17 Sirota Nikolai N Method of producing cubic boron nitride
GB1513990A (en) * 1976-12-07 1978-06-14 Inst Fiz Tverdogo Tela I Polup Boron nitride-based superhard material and process for the production of the same
IN150013B (fi) * 1977-07-01 1982-06-26 Gen Electric
US4089931A (en) * 1977-07-22 1978-05-16 General Motors Corporation Purification of boron nitride

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6117406A (ja) 1986-01-25
NO801727L (no) 1980-12-12
AR224157A1 (es) 1981-10-30
JPS6344417B2 (fi) 1988-09-05
FI68604C (fi) 1985-10-10
AU544193B2 (en) 1985-05-23
ATE11399T1 (de) 1985-02-15
CA1140728A (en) 1983-02-08
JPS612625B2 (fi) 1986-01-27
AU5906680A (en) 1980-12-18
FI801414A (fi) 1980-12-12
IT8022692A0 (it) 1980-06-11
IL59898A (en) 1983-11-30
US4289503A (en) 1981-09-15
KR830002648A (ko) 1983-05-30
DK182880A (da) 1980-12-12
DE3070001D1 (en) 1985-03-07
FR2458510A1 (fr) 1981-01-02
IE801191L (en) 1980-12-11
JPS55167110A (en) 1980-12-26
MX153793A (es) 1987-01-09
ES492309A0 (es) 1981-05-16
IE51436B1 (en) 1986-12-24
EP0022177B1 (en) 1985-01-23
ES8105679A1 (es) 1981-05-16
IL59898A0 (en) 1980-06-30
CH647740A5 (fr) 1985-02-15
IT1150961B (it) 1986-12-17
FR2458510B1 (fr) 1988-12-02
EP0022177A1 (en) 1981-01-14
KR830001462B1 (ko) 1983-07-30
BE883730A (fr) 1980-10-01
BR8003655A (pt) 1981-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI68604B (fi) Framstaellning av kubisk bornitrid ur pulveraktig hexagonal bonitrid utan katalyt
CA1260672A (en) Re-sintered boron-rich polycrystalline cubic boron nitride and method for making same
CA1136429A (en) Abrasive compacts
EP0357380B1 (en) Manufacture of abrasive products
US4931068A (en) Method for fabricating fracture-resistant diamond and diamond composite articles
JPH06278031A (ja) 研磨材の製造方法
EP0253603A2 (en) Composite diamond abrasive compact
JP6281955B2 (ja) 立方晶窒化ホウ素の機能化及びその製造方法
JPH0314794B2 (fi)
EP0492161B1 (en) Cubic boron nitride/cubic boron nitride composite masses and their preparation
TWI632024B (zh) 在硏磨期間具有微破裂特徵之單晶cbn
CA1158015A (en) Boron-rich polycrystalline cubic boron nitride
EP0239789A2 (en) Method of manufacturing bodies of boron carbide
AU605994B2 (en) Manufacture of two-component products
KR102111284B1 (ko) 유일한 입방정 질화 붕소 결정들 및 이들의 제조 방법
EP0234571A2 (en) Method of manufacturing densified bodies of silicon carbide
JPH07291734A (ja) 多結晶型立方晶窒化ほう素焼結体及びその用途

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed

Owner name: GENERAL ELECTRIC COMPANY