FI121902B - Valoa säteilevä diodi - Google Patents

Valoa säteilevä diodi Download PDF

Info

Publication number
FI121902B
FI121902B FI20070496A FI20070496A FI121902B FI 121902 B FI121902 B FI 121902B FI 20070496 A FI20070496 A FI 20070496A FI 20070496 A FI20070496 A FI 20070496A FI 121902 B FI121902 B FI 121902B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
layer
vertical
electrodes
tray
current
Prior art date
Application number
FI20070496A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20070496A0 (fi
Inventor
Vladislav Bougrov
Maxim Odnoblyudov
Original Assignee
Optogan Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Optogan Oy filed Critical Optogan Oy
Publication of FI20070496A0 publication Critical patent/FI20070496A0/fi
Priority to FI20070496A priority Critical patent/FI121902B/fi
Priority to KR1020107001289A priority patent/KR20100050464A/ko
Priority to RU2010101276/28A priority patent/RU2462791C2/ru
Priority to EP08775463A priority patent/EP2165375A1/en
Priority to CN2008800205288A priority patent/CN101681971B/zh
Priority to PCT/FI2008/050338 priority patent/WO2008155452A1/en
Priority to JP2010512725A priority patent/JP2010530628A/ja
Priority to US12/667,330 priority patent/US8198648B2/en
Priority to TW097122991A priority patent/TW200908396A/zh
Priority to HK10108887.7A priority patent/HK1142461A1/xx
Application granted granted Critical
Publication of FI121902B publication Critical patent/FI121902B/fi

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

VALOA SÄTEILEVÄ DIODI KEKSINNÖN ALA
Esillä oleva keksintö liittyy valoa säteilevän diodin (LED, Light Emitting Diode) rakenteeseen, 5 joka LED on kasvatettu eristävälle alustalle.
KEKSINNÖN TAUSTA
Eristävälle alustalle kerrosrakenteena kasvatetussa LEDissä sekä n- että p-kontaktielektrodit valio mistetaan sirun yläpuolelta käsin. Tyypillisesti ne sijaitsevat lähellä sirun valoa tuottavan alueen vastakkaisia reunoja. Niistä toinen on muodostettu alemmalle virranjakokerrokselle, joka on paljastettu et-saamalla valikoivasti sille kasvatettuja kerroksia 15 pois, ja toinen ylemmälle virranjakokerrokselle LEDin kerrosrakenteen huipulla.
Tavanomaisessa tapauksessa elektrodien välinen vaakasuuntainen etäisyys on paljon suurempi kuin LEDin pystysuuntaisen kerrosrakenteen kokonaispaksuus. 20 Virrantiheyden hyvän tasaisuuden aikaansaamiseksi valoa tuottavan kerroksen yli tulisi virranjakokerrosten neliövastusten olla tällöin niin alhaisia kuin mahdollista jännitehäviön näitä kerroksia pitkin minimoimiseksi. Erityisesti neliövastusten tulisi olla olennai-25 sesti pienempiä kuin keskimääräinen pystysuuntainen vastus kerrosrakenteen läpi (käsittäen esim. jännite--r- häviöstä p-n -liitoksessa johtuvan vastuksen). Kuiten- ^ kin useimmissa käytännön tapauksissa mainitut neliöni vastukset tuottavat huomattavia jännitehäviöitä pitkin
o J
I ... . .
30 virran]akokerroksra. Tämä johtaa epätasarseen virran- tiheyteen, mistä seuraa mahdollisesti paikallista yli- £ kuumenemista korkean virrantiheyden alueilla. Tämä paikallinen ylikuumeneminen voi johtaa edelleen lait- o teen hyötysuhteen alenemiseen samoin kuin laitteen o 35 alentuneeseen luotettavuuteen.
c\i 2
Virrantiheyteen liittyvä tunnusomainen suure on virran leviämispituus (current spreading length): _ I_Pvertical_ γ Psheet,top Ρsheet,bottom missä Pverticai on keskimääräinen pystysuuntainen vastus 5 LED-rakenteen läpi ja Paheet, top sekä Psheet, bottom ovat ylemmän ja alemman virranjakokerroksen neliövastukset. Edellä mainitun jännitehäviön pitkin virranjakokerrok-sia välttämiseksi tulisi vaakasuuntaisen etäisyyden elektrodien välillä olla alempi kuin virran leviämis-10 pituus. Ongelmana on, että useimmissa käytännön tilanteissa sirun vaakasuuntaiset mitat ovat selvästi virran leviämispituutta suurempia. Näin ollen mainittua elektrodien väliseen etäisyyteen liittyvä ehtoa ei voida toteuttaa perinteisillä yksinkertaisilla kontak-15 tialustoilla. Eräs tunnettu ratkaisu tähän ongelmaan on sormimainen eli lomitettu elektrodigeometria. Tällaisella geometrialla voidaan elektrodien väliset etäisyydet sovittaa virran leviämispituutta pienemmiksi. Kuitenkin myös tällä lähestymistavalla on puut-20 teensä: virrantiheys on aina suurin elektrodien lähellä, erityisesti elektrodin "sormien" ulkoreunoilla, mikä johtaa tasaisesta olennaisesti poikkeavaan virrantiheyteen .
25 KEKSINNÖN TARKOITUS
^ Esillä olevan keksinnön tarkoitus on saada o ^ aikaan LED-sirun rakenne, joka parantaa komponentin o toimintaa ja luotettavuutta virran tasaisuuden sirun valoa tuottavan alueen yli paranemisen seurauksena.
c 30
CL
(O KEKSINNÖN YHTEENVETO
CD
o Esillä olevalle keksinnölle on tunnusomaista I'-- o se, mitä on esitetty patenttivaatimuksessa 1.
(M
3
Esillä olevan keksinnön LED-siru on kasvatettu sähköisesti eristävälle alustalle. LEDin rakenne käsittää ensimmäistä johtavuustyyppiä olevan alemman virranjakokerroksen, ensimmäisen elektrodin ja pys-5 tysuuntaisen kerrosrakenteen kahden viimeksi mainitun ollessa muodostettuina alemmalle virranjakokerrokselle sivusuunnassa toisistaan erotettuina. Pystysuuntainen kerrosrakenne käsittää aktiivisen kerroksen, edullisesti n-tyypin ja p-tyypin puolijohteista valmistettu-10 jen suojakerrosten väliin kerrostettuna, ja toista johtavuustyyppiä olevan ylemmän virranjakokerroksen aktiivisen kerroksen yläpuolella. Toinen elektrodi on muodostettuna ylemmälle virranjakokerrokselle. Elektrodien geometria on sovitettu saamaan aikaan vaa-15 kasuuntainen etäisyys elektrodien välillä alhaisemmaksi kuin sirun virran leviämispituus. Käsite "vaakasuuntainen" tarkoittaa tässä suuntaa alustan tasossa ja "pystysuuntainen", luonnollisesti, tähän tasoon nähden kohtisuoraa suuntaa.
20 Esillä olevan keksinnön mukaisesti elektrodi en välille on muodostettu pystysuuntainen uurre, joka ulottuu läpi sirun alempi virranjakokerros mukaan lukien, vaakasuuntaisen virrankulun ohjaamiseksi tasaisen virrantiheyden yli aktiivisen kerroksen aikaansaa-25 miseksi. Toisin sanoen toisin kuin tunnetun tekniikan ratkaisuissa, joissa virrankulkua ohjataan vain elektrodien ja alemman virranjakokerroksen yläpuolisen pys-^ tysuuntaisen kerrosrakenteen geometrioilla, on esillä ^ olevassa keksinnössä myös alempi virranjakokerros
CM
? 30 poistettu valikoivasti. Näin ollen tunnetun tekniikan ^ kaksitasoisen lähestymistavan sijasta perustuu sirun ir topologia kolmeen tasoon. Ohjaamalla virrankulkua Q_ poistamalla kaikki kerrokset valituista kohdista siru- ^ geometriaa voidaan saada aikaan hyvin tasainen virran- o ^ 35 tiheys yli koko valoa tuottavan kerroksen, o cm Virranohjausvaikutuksen lisäksi kasvattavat yllä kuvatut uurteet pystysuuntaisen kerrosrakenteen 4 ympäryskehän kokonaispituutta. Tämä tuottaa parannetun todennäköisyyden aktiivisessa kerroksessa tuotetulle valolle päästä poistumaan rakenteesta pystysuuntaisen kerrosrakenteen sivuseinämien kautta. Valon poistumi-5 sen sirusta parantamiseksi edelleen on esillä olevan keksinnön eräässä edullisessa toteutusmuodossa muodostettu elektrodien välille ylimääräinen pystysuuntainen uurre, joka ulottuu läpi sirun aktiivinen kerros mukaan lukien, pitkin virran vaakasuuntaista kulkusuun-10 taa virranjakokerroksissa pystysuuntaisen kerrosrakenteen ympäryskehän kokonaispituuden kasvattamiseksi edelleen. Pitkin virran kulkusuuntaa sijoitetut ylimääräiset uurteet eivät häiritse virrankulkua.
Eräs ongelma lomitetussa tai vastaavan kal-15 täisessä sirun geometriassa on, että pystysuuntaisen kerrosrakenteen sivuseinämien kautta sirusta poistunut valo voi törmätä vastakkaiseen sivuseinämään tai alemmalla virranjakokerroksella olevaan ensimmäiseen elektrodiin. Tämän välttämiseksi pystysuuntaisen ker-20 rosrakenteen sivuseinämä on edullisesti vähintään valoa tuottavan aktiivisen kerroksen kohdalla kallistettu pystysuuntaan nähden valon poistumisen sirusta helpottamiseksi .
25 LYHYT PIIRUSTUSTEN KUVAUS
Keksintöä kuvataan seuraavassa yksityiskoh taisemmin oheisten kuvien avulla, joissa: o kuva 1 esittää esimerkkejä virrantiheydestä
CVJ
^ tavanomaisissa LED-siruissa, o ^ 30 kuva 2 esittää esimerkin virrantiheydestä tunnetun tekniikan mukaisessa LED-sirussa, jossa hyö-£ dynnetään lomitettua elektrodigeometriaa, co kuva 3 on kaaviomainen ja yksinkertaistettu
CD
^ esitys yhdestä esillä olevan keksinnön mukaisesta to- o 35 teutusmuodosta, ja o kuva 4 havainnollistaa esillä olevan keksinnön erään edullisen toteutusmuodon mukaisten pys 5 tysuuntaisen kerrosrakenteen kallistettujen sivuseinä-mien vaikutusta.
KEKSINNÖN YKSITYISKOHTAINEN KUVAUS
5 Kuva 1 esittää laskettuja virrantiheyksiä li neaarisessa LED-sirussa pituudeltaan 200 μιη (yläkuva) ja 400 μιη (alakuva). Virran leviämispituus on molemmissa tapauksissa 200 μιη. Kuten kuvasta nähdään, ei virrantiheys ole kummassakaan tapauksessa suurista 10 vaakasuuntaisista mittasuhteista suhteessa virran le-viämispituuteen johtuen tasainen epätasaisuuden lisääntyessä sirun pituuden kasvaessa. Voidaan havaita, että jälkimmäisessä tapauksessa virrantiheys on kaukana tasaisesta.
15 Kuvan 2 LED-rakenteen lomitetut elektrodit 2, 3 on järjestetty aikaansaamaan etäisyys elektrodien välillä pienemmäksi kuin virran leviämispituus. Tästä huolimatta, kuten nähdään kuvan 2 kaaviosta, on virrantiheys sirun alueen yli hyvin epätasainen niin, et-20 tä siinä on erittäin voimakkaat paikalliset maksimit elektrodien sormenkaltaisten ulokkeiden päissä.
Kuvan 3 LED-sirussa 1 ensimmäinen ja toinen elektrodi 2, 3 muodostavat muokatun lomitetun geomet rian, joka ulottuu koko sirun alueen yli. LED hyödyn-25 tää siis perusajatusta sirun jakamisesta useisiin osioihin niin, että etäisyys elektrodien välillä ei ole suurempi kuin virran leviämispituus. Tätä jakamista o havainnollistetaan poikkileikkausnäkymissä A-A ja B-B,
(M
^ jotka näyttävät myös sirun kerrosrakenteen. LED on o 30 kasvatettu sähköisesti eristävälle alustalle 4. Alin
Is-- alustalla oleva kerros on alempi virranjakokerros 5. x £ Tämän yläpuolella on valoa tuottava aktiivinen kerros co 6 kerrostettuna kahden suojakerroksen 7 väliin, joilla
CD
^ on eri johtavuustyypit. Kerrospinon huipulla on ylempi o 35 virranjakokerros 8. Kerrosten kasvattamisen jälkeen alemman virranjakokerroksen yläpuolista kerrospinoa on etsattu valikoivasti alemman virranjakokerroksen pal- 6 jastamiseksi ensimmäisen elektrodin 2 sille muodostamiseksi. Lopputuloksena oleva poikkileikkaus käsittää vierekkäisiä laakiovuoren kaltaisia (mesa-like) , alemmalla virranjakokerroksella olevia kerrospinoja, joi-5 den ylimpänä elementtinä on toinen elektrodi.
Virranjakokerrosten määrittämien kahden tason lisäksi on muodostettu kolmas taso etsaamalla uurteita 9 elektrodien väliin kaikkien yllä kuvattujen kerrosten läpi elektrodien sormenkaltaisten ulokkeiden 10 10 kärkien kohdilla. Tällöin virta estyy kulkemasta mainittujen kärkien kautta, mikä voisi johtaa kuvassa 2 esitettyihin paikallisiin virrantiheyden maksimeihin. Sen sijaan virta voi kulkea pääasiassa vain kohtisuorassa suunnassa elektrodien rinnakkaisiin "sor-15 miin" nähden. Tämä saa aikaan hyvin tasaisen virrantiheyden koko sirun alueen yli.
Laakiovuoren kaltaisten kerrospinojen väliset urat ja uurteet 9 sirun läpi eivät ainoastaan eristä sirun eri osioita toisistaan sähköisesti vaan paranta-20 vat myös valon poistumista sirusta pystysuuntaisen kerrosrakenteen ympäryskehän kokonaispituuden pitenemisen ja siten valon sirusta pystysuuntaisen kerrosrakenteen sivuseinämien kautta poistumisen todennäköisyyden lisääntymisen seurauksena. Valon poistumisen 25 sirusta parantamiseksi edelleen on sirussa myös ylimääräisiä pystysuuntaisia uurteita 11, jotka ulottuvat sirun yläpinnalta aktiivisen kerroksen alapuolelle.
^ Virrankulun häiritsemisen välttämiseksi nämä ylimää- o ^ räiset uurteet sijaitsevat pitkin vaakasuuntaisen vireä 30 rankulun suuntaa virranjakokerroksissa.
Kuten nähdään kuvasta 3, ovat jotkut pys-x tysuuntaisen kerrosrakenteen sivuseinämistä kallistu- Q_ neita pystysuunnasta muodostaen ylöspäin avautuvia
CD
^ uurreprof nlej a. Syytä tähän havainnollistetaan kuvasti 35 sa 4, jossa näkyy vasemmalla puolella uurre, jossa on
O
^ pystysuuntaiset sivuseinämät, ja oikealla puolella toinen, jonka sivuseinämät ovat kallistuneet. Ensin 7 mainitussa tapauksessa poistuessaan kerrosrakenteesta vaakasuunnassa sivulle jatkaa valo vaakasuuntaista etenemistään ja voi törmätä uurteen vastakkaiseen reunaan tai ensimmäiseen elektrodiin. Sen sijaan kallis-5 tettujen sivuseinämien tapauksessa rakenteesta poistuva valo taittuu ylöspäin alun perin vaakasuuntaisesta suunnastaan ja törmääminen vältetään.
Kuten on selvää alan ammattilaiselle, ei keksintöä rajoiteta edellä kuvattuihin esimerkkeihin vaan 10 toteutusmuodot voivat vapaasti vaihdella patenttivaatimusten puitteissa.
δ
(M
CNJ
cp I'--
X
cc
CL
CO
Oi o I'-- o o
CM

Claims (3)

1. Sähköisesti eristävälle alustalle (4) kasvatettu LED-siru (1) (Light Emitting diode), joka käsittää ensimmäistä johtavuustyyppiä olevan alemman 5 virranjakokerroksen (5), ensimmäisen elektrodin (2), pystysuuntaisen kerrosrakenteen (5, 6, 7), kahden viimeksi mainitun ollessa muodostettu alemmalle virranja-kokerrokselle vaakasuunnassa toisistaan erillään, pystysuuntaisen kerrosrakenteen käsittäessä aktiivisen 10 kerroksen (6) ja toista johtavuustyyppiä olevan ylemmän virranjakokerroksen (8) aktiivisen kerroksen yläpuolella, ja toisen elektrodin (3) muodostettuna ylemmälle virranjakokerrokselle, elektrodien geometrian ollessa sovitettu aikaansaamaan vaakasuuntainen etäi-15 syys elektrodien välillä pienemmäksi kuin sirun virran leviämispituus, tunnettu siitä, että elektrodien (2, 3) välille on muodostettu pystysuuntainen uurre (9), joka ulottuu läpi sirun alempi virranjakokerros (5) mukaan lukien, vaakasuuntaisen virrankulun ohjaa-20 miseksi tasaisen virrantiheyden aikaansaamiseksi aktiivisen kerroksen (6) yli.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen LED-siru, tunnettu siitä, että elektrodien (2, 3) välille on muodostettu ylimääräinen uurre (11), joka ulottuu läpi 25 sirun (1) aktiivinen kerros (6) mukaan lukien, pitkin virran vaakasuuntaista kulkusuuntaa virranjakokerrok-sissa (5, 8) pystysuuntaisen kerrosrakenteen (5, 6, 7) o ympäryskehän kokonaispituuden kasvattamiseksi ja siten (M ^ valon sirusta (1) poistumisen parantamiseksi, o ' 30
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen LED- h-· siru, tunnettu siitä, että pystysuuntaisen kerros- X £ rakenteen (5, 6, 7) sivuseinämä (12) on kallistettu co pystysuuntaan nähden valon sirusta (1) poistumisen CD g helpottamiseksi. o 35 o (M
FI20070496A 2007-06-20 2007-06-20 Valoa säteilevä diodi FI121902B (fi)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20070496A FI121902B (fi) 2007-06-20 2007-06-20 Valoa säteilevä diodi
CN2008800205288A CN101681971B (zh) 2007-06-20 2008-06-09 发光二极管
RU2010101276/28A RU2462791C2 (ru) 2007-06-20 2008-06-09 Светоизлучающий диод
EP08775463A EP2165375A1 (en) 2007-06-20 2008-06-09 Light emitting diode
KR1020107001289A KR20100050464A (ko) 2007-06-20 2008-06-09 발광 다이오드
PCT/FI2008/050338 WO2008155452A1 (en) 2007-06-20 2008-06-09 Light emitting diode
JP2010512725A JP2010530628A (ja) 2007-06-20 2008-06-09 発光ダイオード
US12/667,330 US8198648B2 (en) 2007-06-20 2008-06-09 Light emitting diode chip
TW097122991A TW200908396A (en) 2007-06-20 2008-06-20 Light emitting diode
HK10108887.7A HK1142461A1 (en) 2007-06-20 2010-09-17 Light emitting diode

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20070496A FI121902B (fi) 2007-06-20 2007-06-20 Valoa säteilevä diodi
FI20070496 2007-06-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FI20070496A0 FI20070496A0 (fi) 2007-06-20
FI121902B true FI121902B (fi) 2011-05-31

Family

ID=38212350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20070496A FI121902B (fi) 2007-06-20 2007-06-20 Valoa säteilevä diodi

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8198648B2 (fi)
EP (1) EP2165375A1 (fi)
JP (1) JP2010530628A (fi)
KR (1) KR20100050464A (fi)
CN (1) CN101681971B (fi)
FI (1) FI121902B (fi)
HK (1) HK1142461A1 (fi)
RU (1) RU2462791C2 (fi)
TW (1) TW200908396A (fi)
WO (1) WO2008155452A1 (fi)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI527260B (zh) * 2008-11-19 2016-03-21 廣鎵光電股份有限公司 發光元件結構及其半導體晶圓結構
KR101093120B1 (ko) * 2009-11-16 2011-12-13 서울옵토디바이스주식회사 전류분산을 위한 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드
KR101625125B1 (ko) * 2009-12-29 2016-05-27 서울바이오시스 주식회사 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드
BR112013001623B1 (pt) * 2010-07-23 2021-02-02 Nichia Corporation elemento emissor de luz
RU2566403C2 (ru) * 2010-08-10 2015-10-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Компоновка шунтирующего слоя для сид
TWD154431S (zh) * 2012-10-03 2013-07-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體
TW201511362A (zh) * 2013-09-09 2015-03-16 Lextar Electronics Corp 發光二極體晶片
USD719112S1 (en) 2013-11-22 2014-12-09 Epistar Corporation Light-emitting diode device
KR102182024B1 (ko) * 2014-07-01 2020-11-23 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
WO2016032193A1 (ko) * 2014-08-27 2016-03-03 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20160025455A (ko) 2014-08-27 2016-03-08 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN109817781A (zh) * 2019-01-31 2019-05-28 深圳第三代半导体研究院 一种正装集成单元发光二极管
CN111863853A (zh) * 2019-04-24 2020-10-30 深圳第三代半导体研究院 一种垂直集成单元二极管芯片
CN111863802A (zh) * 2019-04-24 2020-10-30 深圳第三代半导体研究院 一种垂直集成单元二极管芯片
CN111048638A (zh) * 2019-04-25 2020-04-21 深圳第三代半导体研究院 一种垂直集成单元二极管芯片
CN113036009B (zh) * 2019-12-25 2022-07-05 深圳第三代半导体研究院 一种薄膜垂直集成单元二极管芯片

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784463B2 (en) * 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
US6307218B1 (en) * 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
US6614056B1 (en) * 1999-12-01 2003-09-02 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
JP4501234B2 (ja) * 2000-06-28 2010-07-14 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US7102158B2 (en) * 2000-10-23 2006-09-05 General Electric Company Light-based system for detecting analytes
JP4616491B2 (ja) 2001-03-21 2011-01-19 星和電機株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US6618418B2 (en) * 2001-11-15 2003-09-09 Xerox Corporation Dual III-V nitride laser structure with reduced thermal cross-talk
TW516248B (en) * 2001-12-21 2003-01-01 Epitech Technology Corp Nitride light emitting diode with spiral-shaped metal electrode
US6828596B2 (en) * 2002-06-13 2004-12-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices
US6958498B2 (en) * 2002-09-27 2005-10-25 Emcore Corporation Optimized contact design for flip-chip LED
TWI222756B (en) * 2002-11-12 2004-10-21 Epitech Corp Ltd Lateral current blocking light emitting diode and method of making the same
RU2231171C1 (ru) * 2003-04-30 2004-06-20 Закрытое акционерное общество "Инновационная фирма "ТЕТИС" Светоизлучающий диод
US20050133806A1 (en) * 2003-12-17 2005-06-23 Hui Peng P and N contact pad layout designs of GaN based LEDs for flip chip packaging
US7285801B2 (en) * 2004-04-02 2007-10-23 Lumination, Llc LED with series-connected monolithically integrated mesas
JP2006086516A (ja) 2004-08-20 2006-03-30 Showa Denko Kk 半導体発光素子の製造方法
TWI246210B (en) * 2005-04-28 2005-12-21 Epitech Corp Ltd Lateral current blocking light emitting diode and method for manufacturing the same
US20060267043A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Emerson David T Deep ultraviolet light emitting devices and methods of fabricating deep ultraviolet light emitting devices
JP4947954B2 (ja) * 2005-10-31 2012-06-06 スタンレー電気株式会社 発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100050464A (ko) 2010-05-13
CN101681971B (zh) 2012-09-19
RU2010101276A (ru) 2011-07-27
HK1142461A1 (en) 2010-12-03
TW200908396A (en) 2009-02-16
WO2008155452A1 (en) 2008-12-24
US20100163910A1 (en) 2010-07-01
EP2165375A1 (en) 2010-03-24
CN101681971A (zh) 2010-03-24
US8198648B2 (en) 2012-06-12
RU2462791C2 (ru) 2012-09-27
FI20070496A0 (fi) 2007-06-20
JP2010530628A (ja) 2010-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI121902B (fi) Valoa säteilevä diodi
JP5841588B2 (ja) 改良型多接合ｌｅｄ
WO2009041318A1 (ja) 発光素子及びそれを用いた発光装置
US20090179211A1 (en) Light emitting device
TW571448B (en) Light-emitting diode array
CN112397626B (zh) 一种发光二极管
US8390097B2 (en) Insulated gate bipolar transistor having contact region with variable width
CN104620399A (zh) 晶圆级发光二极管阵列
JP2008270432A5 (fi)
US20090321775A1 (en) LED with Reduced Electrode Area
US8928027B2 (en) Semiconductor light emitting device
KR20120014000A (ko) 저항성 상호 접속층을 갖는 세그먼트 전계 발광 소자
EP2221889A2 (en) Light emitting device package
US10468550B2 (en) Light-emiting diode device and method of producing the same
JP4114236B2 (ja) 半導体発光装置
WO2007008047A1 (en) Light emitting device
CN102332515A (zh) 一种发光二极管及其制造方法
CN210866229U (zh) 一种发光二极管
CN209747553U (zh) 一种高压发光二极管芯片
KR980006656A (ko) 반도체 레이저 장치 및 그 제조방법
JP2005129857A5 (fi)
CN221427762U (en) Light emitting diode
RU2247444C1 (ru) Высокомощный светоизлучающий диод
CN102332516A (zh) 一种发光二极管及其制造方法
KR101364773B1 (ko) 개별 전류 경로의 단위셀들을 갖춘 발광다이오드 및 그제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 121902

Country of ref document: FI

MM Patent lapsed