ES2320386T3 - Metodo para medir la velocidad de flujo de un fluido. - Google Patents
Metodo para medir la velocidad de flujo de un fluido. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2320386T3 ES2320386T3 ES06791358T ES06791358T ES2320386T3 ES 2320386 T3 ES2320386 T3 ES 2320386T3 ES 06791358 T ES06791358 T ES 06791358T ES 06791358 T ES06791358 T ES 06791358T ES 2320386 T3 ES2320386 T3 ES 2320386T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- fluid
- semiconductor
- measurement
- volume
- flow rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/56—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using electric or magnetic effects
- G01F1/58—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using electric or magnetic effects by electromagnetic flowmeters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/56—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using electric or magnetic effects
- G01F1/64—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using electric or magnetic effects by measuring electrical currents passing through the fluid flow; measuring electrical potential generated by the fluid flow, e.g. by electrochemical, contact or friction effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Examining Or Testing Airtightness (AREA)
Abstract
Método para medir de la velocidad de flujo de un fluido en un volumen atravesado por un campo magnético, caracterizado por el hecho de que la resistencia eléctrica es medida en el semiconductor adyacente al volumen y la velocidad de flujo del fluido es determinada por un ordenador a partir de esta medición.
Description
Método para medir la velocidad de flujo de un
fluido.
La invención se refiere a un método para medir
la velocidad de flujo de un fluido en un volumen atravesado por un
campo magnético, en el cual un campo eléctrico es inducido en el
fluido por su movimiento de flujo. La invención se refiere
especialmente al desacoplamiento de una señal con un sensor de flujo
magnético-inductivo (MID).
La mayoría de los sensores de flujo o de caudal
magnético-inductivos disponibles actualmente en el
mercado actúan con desacoplamiento galvánico de una señal y
requieren una conductividad eléctrica mínima del fluido. La medición
de la tensión inducida pasa aquí prácticamente a una medición de
intensidad que se hace más difícil cuanto más elevada sea la
resistencia interior del fluido. Además, este tipo de acoplamiento
requiere un campo magnético temporalmente variable, para eliminar
potenciales electroquímicos perturbadores en los electrodos
metálicos conductores.
Los sistemas disponibles en el mercado con el
desacoplamiento capacitivo ventajoso de una señal tampoco pueden
renunciar a una conductividad mínima por muchos motivos, puesto que
también en ellos finalmente se efectúa una medición de corriente.
Contrariamente a los sistemas de acoplamiento galvánico, por
motivos obvios, es necesario en ellos un campo magnético
temporalmente variable para generar un flujo de corriente continuo
alternante.
No obstante se presenta una alternativa en la DE
10221677 C1 en la que se sustituye el campo magnético temporalmente
variable por capacidades de acoplamiento temporalmente variables.
De este modo se abre la posibilidad de emplear imanes permanentes y
reducir así a cero la considerable potencia necesaria para la
generación de un campo magnético alternante. Sin embargo también
esta alternativa depende -tal como los sistemas anteriormente
descritos- de una conductividad mínima del medio, puesto que
también aquí se mide la corriente causada por las capacidades
variables.
En la patente DE 19843808 A1 se describe otra
solución para aplicar el método de medición
magnético-inductiva en fluidos no conductores
utilizando en el mismo no directamente la tensión inducida como
magnitud de medición, sino la carga de polarización dieléctrica
producida. En efecto aquí no es necesaria una conductividad mínima
del fluido. Sin embargo este método también depende al fin y a cabo
de la medición de la corriente de desplazamiento causada por la
carga de polarización temporalmente variable. A causa de la escasa
carga de polarización la medición se hace difícil.
También pueden nombrarse, como estado de la
técnica, la disposición descrita en la patente DE 19922311 C2 para
la determinación de distribuciones espaciales de velocidades en
líquidos eléctricamente conductivos, el dispositivo representado en
la patente japonesa JP 01178822 A para la medición de la velocidad
de corriente con un dispositivo semiconductor, la disposición de
electrodos representada en la patente DE 2401641 A para un
caudalímetro electromagnético y el artículo de Tewodros Amare
"Design of an electromagnetic flowmeter for insulating
liquids" en Meas. Sci. Technol. 10 (1999) pags.
755-758.
Hasta la última referencia citada, los
correspondientes métodos anteriores sin excepción sólo tienen éxito
con ayuda de una medición de corriente, lo que requiere disponer
actualmente de una conductividad mínima del fluido en el sistema de
medición. Por lo tanto los sistemas existentes están limitados a la
aplicación en medios acuosos.
La última referencia citada, el artículo del Sr.
Amare, supone que la resistencia o el flujo de corriente es medido
entre un electrodo y un electrodo de apantallamiento para la
constatación de su capacidad. En este caso, la frecuencia de campo
magnético y el campo electroestático que surge se puede dominar
difícilmente.
Es deseable un método para la medición
capacitiva, que acceda directamente a los efectos del campo
eléctrico inducido, sin depender del flujo de corriente en el
fluido.
Ahora es sabe por la electroquímica que
recientemente se lograron significantes progresos prácticos en la
captación (electroestática) de señales electroquímicas sin energía.
Así actualmente se encuentran disponibles en el mercado unos
electrodos con transistores de efecto de campo integrados para la
medición de parámetros electroquímicos (p. ej. medición del valor
pH) de medios fluidos. Estos progresos dan lugar a captar no sólo
señales eléctricas causadas de manera electroquímica, sino también
causadas de manera física.
Es la tarea de la invención crear un método para
el desacoplamiento capacitivo de una señal en la medición
magnética-inductiva del caudal o del flujo que
supere las desventajas descritas relacionadas con el supuesto flujo
de corriente de los métodos actualmente conocidos.
Esta tarea se soluciona con el método con las
características específicas de la reivindicación 1 en relación con
su concepto genérico. Las configuraciones ventajosas del método
están relacionadas en las reivindicaciones secundarias.
Según la invención, para la medición de la
velocidad de flujo de un fluido en un volumen atravesado por un
campo magnético, al menos un semiconductor controlable en sus
características conductivas está presente en la superficie de
delimitación del volumen, sobre el cual actúa el campo eléctrico
inducido en el fluido por su movimiento de flujo en interacción con
el campo magnético, de tal manera que sus concentraciones de
portadores de carga son influidas idealmente sólo por el campo
eléctrico, es decir, sin corriente y por lo tanto sin energía.
Debido al consecuente cambio de resistencia se calcula la intensidad
del campo eléctrico inducido y de ahí se calcula la velocidad de
flujo del
medio.
medio.
Se sabe que se puede conseguir controlar mejor,
prácticamente sin energía, las características conductivas de
semiconductores en transistores de efecto de campo (FET = field
effect transistors).
Suponiendo una disposición especialmente
sencilla, en este caso solo a título de ejemplo respecto a la
descripción del método según la invención, un tal FET es fijado en
el límite de superficie del volumen del fluido, de manera que sólo
su puerta esté en contacto directo con el medio a través de una capa
aislante que se halla encima del mismo. Por lo tanto la capa
aislante debería presentar una constante dieléctrica lo más pequeña
posible para minimizar el apantallamiento del campo inducido.
El campo eléctrico inducido por el movimiento de
flujo del fluido opera de modo capacitivo por medio del aislador de
puerta (gate) sobre el canal conductor del FET y modifica su
resistencia que puede ser medida por medio de las conexiones entre
la fuente (Source) y el drenador (Drain). De esta modificación de
la resistencia se puede calcular en primer lugar la intensidad del
campo eléctrico inducido y de esta última se puede calcular la
velocidad de
flujo.
flujo.
Especialmente en el sentido del método según la
invención, hay que destacar que el cambio de resistencia del canal
semiconductor descrito en esta disposición ejemplar se efectúa por
el mero efecto del campo eléctrico sin flujo de corriente, de modo
que se da un control sin corriente.
Las ventajas de la medición de la intensidad del
campo eléctrico inducido relacionada con dicho control sin
corriente de la resistencia del semiconductor según el método
conforme a la invención son evidentes: Debido a la omisión del
requerimiento de una conductividad mínima del fluido, el método
ahora como antes es adecuado para fluidos de una conductividad
mínima, pero adicionalmente para fluidos muy débilmente conductivos
e incluso para medios no conductivos.
Especialmente se prefiere realizar el método con
imanes permanentes. En este caso casi todos los métodos del estado
de la técnica con desacoplamiento capacitivo de una señal fallan en
la medición de un estado estacionario, porque requieren la
presencia de una velocidad de flujo constante, puesto que suponen
una modificación del campo eléctrico que sólo se produce en un
cambio de velocidad del flujo. Solo el método de la patente DE
1022167701 está concebido para imanes permanentes. Sin embargo la
señal de medición es registrada allí como corriente durante la
modificación de las capacidades de acoplamiento que implica una
recarga estable de los condensadores. Esto conduce simultáneamente
a desplazamientos de carga estables en el fluido mediante inducción
eléctrica. Sólo con una conductividad suficiente del fluido se puede
esperar una señal clara de medición.
Los métodos capacitivos según el estado de la
técnica trabajan en el fluido, para determinar su estado de
flujo.
Contrariamente a esto, el método para medir
según la invención se caracteriza por su facultad de captar un
estado estacionario de todo el sistema de medición, mientras el
ajuste de la densidad de los portadores de carga en el
semiconductor, aprovechado según el método para la medición, se
efectúa prácticamente sin inercia por el campo eléctrico a medir
del cambio de la velocidad de flujo y con ello de la modificación
de este campo.
El método según la invención no produce
principalmente ninguna modificación -intencionada- eléctrica o
magnética del campo que deba ser asumida por el fluido. Durante la
medición no se efectúa trabajo alguno en el medio.
Otra ventaja se encuentra en el desacoplamiento
galvánico completo entre el recorrido de medición situado en el
fluido y el canal conductor del semiconductor. La señal de salida
obtenida por el canal conductor se puede acoplar de manera flexible
a las exigencias de un circuito de evaluación exterior debido al
desacoplamiento de impedancia asociado y puede ser transportada sin
pérdidas de información sobre longitudes de conducción más
grandes.
El método según la invención es explicado a
continuación como ejemplo con ayuda de un diagrama esquemático en
un dibujo.
La única Fig. 1 ilustra una sección transversal
esquemática de una disposición posible con dos FETs opuestos (FET1,
FET2, representados en un tamaño muy exagerado) del mismo tipo con
el fluido situado entre los mismos. Los contactos de la fuente
(Source) (5) y del drenador (Drain) (D) están unidos
respectivamente con la fuente de tensión UDS1 o UDS2, de modo que
fluyan las corrientes de drenaje ID1 o lD2. Los campos de la fuente
y del drenador están separados del fluido por las capas de
aislamiento IS. La tensión U0 inducida, que surge con el campo
magnético de la inducción B a causa de la interacción del fluido
que fluye con la velocidad v, se divide respectivamente por la mitad
para formar las tensiones de puerta en los aisladores de puerta G11
y G12 de los FETs debido a la unión de las conexiones de substrato
(Sub en la imagen). En este ejemplo se puede apreciar claramente
que las tensiones de puerta tienen arriba y abajo una polaridad
diferente con respecto a los respectivos FETs, de manera que den
lugar a variaciones contrarias de las corrientes de drenaje, cuya
diferencia es una medida para la tensión U0 y por ello para la
velocidad v.
Según lo arriba mencionado, la disposición
representada en la Figura 1 es únicamente un ejemplo. Según el tipo
de la estructura utilizada del semiconductor, las características
del fluido, del tipo de campo magnético temporalmente constante o
variable -y según el tipo de tarea de medición- la medición de flujo
o de caudal, es imaginable un número grande de disposiciones de
medición conforme al método según la invención, garantizando con
ello una adaptación flexible a las exigencias prácticas.
\vskip1.000000\baselineskip
Esta lista de documentos citados por el
solicitante ha sido recopilada exclusivamente para la información
del lector y no forma parte del documento de patente europea. La
misma ha sido confeccionada con la mayor diligencia; la OEP sin
embargo no asume responsabilidad alguna por eventuales errores u
omisiones.
\bullet DE 10221677 C1 [00041][0019]
\bullet DE 198438081 A1 [0005]
\bullet DE 19922311 C2 [0006]
\bullet JP 01178822 A [0006]
\bullet DE 240 641 A [0006]
\bullet Design of an electromagnetic flowmeter
for insulating liquids. Meas. Sci. Technol., 1999,
755-758 [0006]
Claims (10)
1. Método para medir de la velocidad de flujo
de un fluido en un volumen atravesado por un campo magnético,
caracterizado por el hecho de que la resistencia eléctrica
es medida en el semiconductor adyacente al volumen y la velocidad
de flujo del fluido es determinada por un ordenador a partir de
esta medición.
2. Método según la reivindicación 1,
caracterizado por el hecho de que el volumen es el interior
de una sección de tubo y el semiconductor está dispuesto en la
pared del tubo.
3. Método según la reivindicación 2,
caracterizado por el hecho de que al menos dos
semiconductores están dispuestos respectivamente en lugares de la
pared del tubo esencialmente opuestos por pares, de manera que la
línea de conexión entre dos semiconductores sea perpendicular a la
dirección de flujo del fluido y esencialmente perpendicular a la
dirección del campo magnético.
4. Método según una de las reivindicaciones
anteriores, caracterizado por el hecho de que el fluido no
es conductor y es eléctricamente polarizable.
5. Método según una de las reivindicaciones
anteriores, caracterizado por el hecho de que entre el
semiconductor y el fluido está dispuesta una capa de aislamiento
que impide el intercambio de carga entre el fluido y el
semiconductor.
6. Método según la reivindicación 5,
caracterizado por el hecho de que la capa de aislamiento
presenta una constante dieléctrica lo más pequeña posible.
7. Método según una de las reivindicaciones
anteriores, caracterizado por el hecho de que se emplea un
campo magnético permanente.
8. Método según una de las reivindicaciones
anteriores, caracterizado por el hecho de que el
semiconductor está configurado como un electrodo de puerta de un
transistor de efecto de campo (FET = field effect transistor), en
el cual el transistor de efecto de campo está dispuesto en al menos
una superficie de delimitación del volumen.
9. Método según una de las reivindicaciones 3 u
8, caracterizado por el hecho de que los substratos de al
menos dos FET opuestos están unidos, de modo que se mantengan a un
mismo potencial eléctrico.
10. Método según una de las reivindicaciones
anteriores, caracterizado por el hecho de que un circuito de
medición eléctrico determinado por la resistencia variable del
semiconductor es desacoplado galvánicamente del recorrido de
medición que se encuentra en el fluido y utilizado para la
adaptación de la impedancia a un circuito de medición y de
evaluación exterior.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005043718 | 2005-09-13 | ||
DE102005043718A DE102005043718B3 (de) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | Verfahren zur Messung der Fliessgeschwindigkeit eines Mediums |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ES2320386T3 true ES2320386T3 (es) | 2009-05-21 |
Family
ID=37865293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
ES06791358T Active ES2320386T3 (es) | 2005-09-13 | 2006-09-05 | Metodo para medir la velocidad de flujo de un fluido. |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7467557B2 (es) |
EP (1) | EP1924824B1 (es) |
JP (1) | JP4404946B2 (es) |
CN (1) | CN101263366B (es) |
AT (1) | ATE418065T1 (es) |
DE (2) | DE102005043718B3 (es) |
DK (1) | DK1924824T3 (es) |
ES (1) | ES2320386T3 (es) |
PL (1) | PL1924824T3 (es) |
PT (1) | PT1924824E (es) |
RU (1) | RU2401991C2 (es) |
WO (1) | WO2007031053A2 (es) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007011394A1 (de) | 2007-03-07 | 2008-09-11 | Fachhochschule Kiel | Verfahren zur Messung der Fließgeschwindigkeit eines Mediums unter Anlegen eines Magnetfelds an das durchsetzte Meßvolumen |
EP2383548A1 (de) | 2010-04-29 | 2011-11-02 | Zylum Beteiligungsgesellschaft mbH & Co. Patente II KG | Messvorrichtung und Verfahren zur Messung der Fließgeschwindigkeit eines ein Messrohr durchfließenden Mediums |
FR3012887B1 (fr) * | 2013-11-07 | 2017-08-25 | Commissariat Energie Atomique | Calibration d'un dispositif de mesure d'un champ electrique en milieu conducteur |
DE102017106404A1 (de) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | Fresenius Medical Care Deutschland Gmbh | Einrichtung mit Einrichtung zum Ermitteln einer, insbesondere geometrischen, Eigenschaft der Einrichtung |
CN112684206B (zh) * | 2020-12-23 | 2022-07-19 | 北京航空航天大学 | 一种永磁式表面流场传感器及传感器阵列 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2027947A1 (en) * | 1970-06-06 | 1971-12-16 | Krohne Fa Ludwig | Indicator for a fluid pipe line - for inductive flow measurement - and radioactive measurement of density |
CH541149A (de) * | 1971-06-22 | 1973-08-31 | Berweger Erwin | Bewegungselektrischer Wandler |
US3839912A (en) * | 1973-01-18 | 1974-10-08 | Fischer & Porter Co | Metering electrode assembly for electromagnetic flowmeters |
US4118981A (en) * | 1977-06-24 | 1978-10-10 | Arcadia Refining Company | Flowmeter |
US4344331A (en) * | 1980-08-29 | 1982-08-17 | Aisin Seiki Company, Limited | Fluid flow meter |
US4817448A (en) * | 1986-09-03 | 1989-04-04 | Micro Motion, Inc. | Auto zero circuit for flow meter |
JPH06103204B2 (ja) * | 1988-01-08 | 1994-12-14 | 横河電機株式会社 | 半導体形電磁流量計 |
US5060526A (en) * | 1989-05-30 | 1991-10-29 | Schlumberger Industries, Inc. | Laminated semiconductor sensor with vibrating element |
US5297425A (en) * | 1992-03-23 | 1994-03-29 | Tennessee Valley Authority | Electromagnetic borehole flowmeter system |
JP3574900B2 (ja) * | 1994-03-07 | 2004-10-06 | グッドブレッド,ジヨセフ | 発振システム特性の計測装置と方法 |
US5866823A (en) * | 1997-05-13 | 1999-02-02 | Hersey Measurement Company | Commutating electrode magnetic flowmeter |
DE19843808A1 (de) * | 1998-09-24 | 2000-03-30 | Gerd Stange | Vorrichtung und Verfahren zur Messung des Massen- und Volumendurchflusses elektrisch nicht leitender Medien durch dielektrische Polarisation im Magnetfeld |
DE19922311C2 (de) * | 1999-05-14 | 2001-06-07 | Rossendorf Forschzent | Verfahren und Anordnung zur Bestimmung von räumlichen Geschwindigkeitsverteilungen in elektrisch leitfähigen Flüssigkeiten |
DE10221677C1 (de) * | 2002-05-16 | 2003-04-30 | Fachhochschule Kiel | Verfahren zur Messung eines ein Messrohr durchströmenden Mediums |
CN1287129C (zh) * | 2004-10-12 | 2006-11-29 | 浙江大学 | 一种用于电磁流量计的永磁式励磁方法 |
-
2005
- 2005-09-13 DE DE102005043718A patent/DE102005043718B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-09-05 ES ES06791358T patent/ES2320386T3/es active Active
- 2006-09-05 EP EP06791358A patent/EP1924824B1/de not_active Not-in-force
- 2006-09-05 WO PCT/DE2006/001565 patent/WO2007031053A2/de active Application Filing
- 2006-09-05 DK DK06791358T patent/DK1924824T3/da active
- 2006-09-05 JP JP2008530318A patent/JP4404946B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-05 AT AT06791358T patent/ATE418065T1/de active
- 2006-09-05 PT PT06791358T patent/PT1924824E/pt unknown
- 2006-09-05 CN CN2006800337080A patent/CN101263366B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-05 PL PL06791358T patent/PL1924824T3/pl unknown
- 2006-09-05 DE DE502006002397T patent/DE502006002397D1/de active Active
- 2006-09-05 RU RU2008114332/28A patent/RU2401991C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-03-12 US US12/046,725 patent/US7467557B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
PT1924824E (pt) | 2009-02-25 |
CN101263366B (zh) | 2011-05-18 |
DE502006002397D1 (de) | 2009-01-29 |
PL1924824T3 (pl) | 2009-06-30 |
RU2401991C2 (ru) | 2010-10-20 |
DE102005043718B3 (de) | 2007-04-19 |
JP2009508116A (ja) | 2009-02-26 |
EP1924824B1 (de) | 2008-12-17 |
WO2007031053A2 (de) | 2007-03-22 |
ATE418065T1 (de) | 2009-01-15 |
WO2007031053A3 (de) | 2007-06-07 |
US20080184811A1 (en) | 2008-08-07 |
JP4404946B2 (ja) | 2010-01-27 |
DK1924824T3 (da) | 2009-03-30 |
CN101263366A (zh) | 2008-09-10 |
US7467557B2 (en) | 2008-12-23 |
RU2008114332A (ru) | 2009-10-20 |
EP1924824A2 (de) | 2008-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ES2320386T3 (es) | Metodo para medir la velocidad de flujo de un fluido. | |
US9804235B2 (en) | Single magnetoresistor TMR magnetic field sensor chip and magnetic currency detector head | |
US9063187B2 (en) | Hall sensor element and method for measuring a magnetic field | |
JP4304600B2 (ja) | 車両用フライングキャパシタ式電池電圧検出装置 | |
CN112858965A (zh) | 具有增加的snr的磁场传感器 | |
CN105185655A (zh) | 一种磁电阻继电器 | |
US6727563B1 (en) | Offset-reduced hall element | |
CN105703754A (zh) | 电路和用于测量电流的方法 | |
CN108195442A (zh) | Tmr液位传感器 | |
US20050035808A1 (en) | Semiconductor sensor with a field-effect transistor, and a method for controlling such a semiconductor sensor | |
KR870007570A (ko) | 영속성 메모리 셀 및 그 회로 | |
CN105051549B (zh) | 电压测定装置 | |
CN102778491A (zh) | 传感器 | |
KR970077710A (ko) | 고체촬상장치 | |
CN207908005U (zh) | Tmr液位传感器 | |
KR102014315B1 (ko) | 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 접촉신호 전달감지센서 | |
DE69108202D1 (de) | Elektrische Messanordnung mit zwei Schaltungskonfigurationen. | |
EP1627392A1 (en) | Circuit configuration for a current switch of a bit/word line of a mram device | |
KR20190000222A (ko) | 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 고감도 전자센서 | |
CN216524416U (zh) | 集成温度检测二极管的半导体器件、电池***及用电设备 | |
US10475698B2 (en) | Ambipolar transistor and electronic sensor of high sensitivity using the same | |
TW464860B (en) | Magneto resistor sensor with differential collectors for a non-volatile random access ferromagnetic memory | |
US9041255B2 (en) | High capacity electronic switch | |
JP4988707B2 (ja) | Mosfet装置を制御するためのmosfet装置 | |
TW464858B (en) | Dual conductor inductive sensor for a non-volatile random access ferromagnetic memory |