KR20190000222A - 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 고감도 전자센서 - Google Patents
양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 고감도 전자센서 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190000222A KR20190000222A KR1020170079298A KR20170079298A KR20190000222A KR 20190000222 A KR20190000222 A KR 20190000222A KR 1020170079298 A KR1020170079298 A KR 1020170079298A KR 20170079298 A KR20170079298 A KR 20170079298A KR 20190000222 A KR20190000222 A KR 20190000222A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- drain
- source
- insulating film
- electrodes
- Prior art date
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 37
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 24
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 3
- -1 AZO Chemical compound 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 210000002265 sensory receptor cell Anatomy 0.000 description 2
- 102000027509 sensory receptors Human genes 0.000 description 2
- 108091008691 sensory receptors Proteins 0.000 description 2
- 208000007212 Foot-and-Mouth Disease Diseases 0.000 description 1
- 241000710198 Foot-and-mouth disease virus Species 0.000 description 1
- 208000002979 Influenza in Birds Diseases 0.000 description 1
- 206010057190 Respiratory tract infections Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010064097 avian influenza Diseases 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 210000003097 mucus Anatomy 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 201000008827 tuberculosis Diseases 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
- H01L29/78648—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate arranged on opposing sides of the channel
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
본 발명은 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 고감도 전자센서에 관한 것으로, 상기 양방향 트랜지터는 기판: 상기 기판 위에 형성되는 게이트 전극; 상기 기판과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 SiOC 박막으로 이루어진 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하고, 상기 소스 전극부와 드레인 전극부는, 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과, 상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극을 교대로 반복하여 배열한 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 고감도 전자센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 누설전류차단 절연막을 이용한 부성저항 특성을 갖는 양방향성 트랜지스터와 미세확산전류를 이용한 고감도 전자센서에 관한 것이다.
미세먼지, 조류인플루엔자, 구제역, 메르스, 결핵균 등과 같이 공기 중에서 전파되는 환경문제의 발생이 생명을 위협할 수준으로 등장하면서 최근 친환경에 대한 관심이 높아지고, 휴대형 생활환경 측정기의 수효가 증가하고 있으며, 고감도센서 기술개발이 요구되고 있다.
기존의 반도체센서는 기판 위에는 전극과 센서재료 부분이 밀착형으로 구성되어 있으며, 감도를 높이기 위해서 히터가 기판의 아래에 부착되어 있는 구조로 이루어져 있다. 센서재료가 전극에 밀착되면 저항이 커지고 누설전류가 문제되며, 히터가 필요하기 때문에 소형화 하는데 한계가 있고, 히터에 의한 과전류로 방전을 차단하는 정전압 차단기가 별도로 필요하게 된다. 따라서 이러한 시스템을 동작시키는 배터리와 관련된 문제도 발생하게 된다.
한편, 센서재료가 되는 감각수용체에서 감지한 전류를 증폭하고 누설전류를 차단하고 신호를 변환하는 별도의 임베디드시스템을 통하여 감도를 높이게 되는데 노이즈도 따라서 증폭되는 단점이 있다.
따라서 센서기술에는 항상 누설전류의 문제를 동반하게 되므로 누설전류 자체를 차단하는 기술이 요구된다.
감각수용체 센서기반의 전기화학, 광화학 센서 혹은 바이오센서 기술에서도 전기신호로 변환되는 과정에서 접촉면에 의한 저항의 증가와 누설전류의 발생으로 신뢰도가 떨어지고 전기적으로 감도가 떨어지는 것이 항상 해결해야 할 과제로 등장한다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 전자의 이동속도가 빠른 그래핀을 적용한 센서기술이 일부 응용되고 있으나 원천적인 누설전류의 문제는 해결되지 않고 있다.
전술한 바와 같이, 센서기술은 검출 한계, 선택성 및 디바이스 크기 등을 종합적으로 고려하여야 하는 어려움이 있다.
또한, 기존 센서기술의 일반적인 문제점은 300mm 이하 입자 측정이 불가하고, 질량의 농도만을 측정하는 방법이며, 실시간 계측 어렵고, 그럼에도 크기에 상관없이 제품 가격이 고가라는 점이다.
MEMS 기반의 반도체센서는 미세누설전류 발생으로 분해능이 떨어지고 광화학센서에 비해서 감도도 떨어져서 IoT 기반 디지털 스마트통신기술과 접목하기에는 트랜지스터의 문턱전압이동과 이동도가 낮은 기술적 한계가 있다.
또한, MEMS 기반 입자 칩을 이용한 초미세먼지 실시간 감지 기술은 감도를 높이기 위해서먼지의 포집/필터링, 초미세먼지 분류 및 하전, 초미세먼지 포집, 초미세먼지 전류측정을 통한 수농도 환산과 같은 여러 단계를 거치는 동안 신뢰성에도 문제가 발생할 수 있다.
따라서 전술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체센서의 감도를 높이기 위해서 절연박막에 흐르는 확산전류를 이용한 양방항 트랜지스터 및 고감도 전자센서를 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 양방향성 트랜지스터는 기판: 상기 기판 위에 형성되는 게이트 전극; 상기 기판과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 SiOC 박막으로 이루어진 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하고, 상기 소스 전극부와 드레인 전극부는, 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과, 상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극을 교대로 반복하여 배열한 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 양방향성 트랜지스터에 있어서, 상기 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극이 상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 소스 서브전극, 드레인 서브전극이 서로 이격하여 배열되고, 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극이 번갈아가며 반복하여 직렬패턴을 형성하며 배치된 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 다른 양방향성 트랜지스터는 기판; 상기 기판에 연결되는 게이트 전극; 상기 기판 위에 형성되는 SiOC 절연막; 상기 SiOC 절연막 위에 되는 층간전극; 상기 층간전극 위에 형성되는 SiOC 절연막; 상기 SiOC 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하며, 상기 SiOC 절연막과 상기 층간전극은 교대로 반복하여 적층되며, 상기 소스 전극부와 드레인 전극부는, 상기 SiOC 절연막 위로 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과, 상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극을 배열한 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 다른 양방향성 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 전극은 상기 기판 위에 상기 SiOC 절연막 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 다른 양방향성 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 전극은 상기 기판 위의 가장자리 쪽에 상기 SiOC 절연막 외부에 형성된 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 다른 양방향성 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 전극은 상기 기판의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 다른 양방향성 트랜지스터에 있어서, 상기 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극이 상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 소스 서브전극, 드레인 서브전극이 서로 이격하여 배열되고, 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극이 번갈아가며 반복하여 직렬패턴을 형성하며 배치된 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 다른 양방향성 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 절연막의 허용 유전상수는 0.1-2.5인 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 다른 양방향성 트랜지스터에 있어서, 상기 층간전극은 알루미늄(Al), 나노와이어, 그래핀, ITO, 투명전도성 산화물(TCO)기반 투명전극, AZO, ZTO, IGZO, ZITO, SiZO, 하이브리드(복합소재) 투명전극, CNT 기반 투명전극 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 양방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서는 게이트 전극에 연결되는 센서부; 드레인 전극에 연결되는 전원부; 소스 전극에 연결되는 표시부를 포함하고, 소스와 드레인 전극 사이에는 확산전류에 의한 전기신호를 받을 수 있도록 한 고감도 전자센서로서, 상기 게이트 전극과 드레인 전극 및 소스 전극을 포함하는 양방향성 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 위에 형성되는 게이트 전극; 상기 기판과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 SiOC 박막으로 이루어진 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하고, 상기 소스 전극부와 드레인 전극부는, 상기 SiOC 절연막 위로 게이트 전극 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과, 상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극을 배열한 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 양방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서에 있어서, 상기 양방향성 트랜지스터는 기판; 상기 기판에 연결되는 게이트 전극; 상기 기판 위에 형성되는 SiOC 절연막; 상기 SiOC 절연막 위에 되는 층간전극; 상기 층간전극 위에 형성되는 SiOC 절연막; 상기 SiOC 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하며, 상기 SiOC 절연막과 상기 층간전극은 교대로 반복하여 적층되며, 상기 소스 전극부와 드레인 전극부는 상기 SiOC 절연막 위로 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과, 상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극을 배열한 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 양방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서에 있어서, 게이트 전극에 연결되는 센서부 앞에는 감도를 제어하기 위한 가변저항이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 양방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서에 있어서, 상기 드레인 전극에 연결되는 전원부는 휘스톤 브리지를 포함하는 교류전원이 연결되는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 효과는 ppm 단위의 입자 측정이 가능하고, 실시간 계측이 가능하며, 대량생산으로 공정비용을 절감할 수 있는 고감도 전자센서를 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 게이트 절연막 위에 소스와 드레인 신호선을 직렬형태로 배열하여 전기신호를 증폭시켜 확산전류에 의한 누설전류 차단의 효과를 가지면서도 전자센서의 감도를 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 누설전류가 없는 확산전류를 이용하면서도 nm 수준의 회로 설계가 가능하여 THz 범위의 신호를 감지하고 전기적인 신호를 발생시키는 트랜지스터를 제공할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 상면도,
도 2는 도 1의 제1실시예에 따른 소스 및 드레인 전극패턴,
도 3은 도 1의 제1실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도,
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도,
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도,
도 6은 제4실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도,
도 7은 제5실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도,
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서로서 직류전원 전자센서의 회로도,
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서로서 교류전원 전자센서의 회로도.
도 2는 도 1의 제1실시예에 따른 소스 및 드레인 전극패턴,
도 3은 도 1의 제1실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도,
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도,
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도,
도 6은 제4실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도,
도 7은 제5실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도,
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서로서 직류전원 전자센서의 회로도,
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서로서 교류전원 전자센서의 회로도.
이하에서는 본 발명에 따른 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 고감도 전자센서에 대한 실시 예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이하에서 설명되는 실시 예는 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것으로, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되지 않고 다양한 형태로 구현될 수 있다.
도면들 중 동일한 구성들은 가능한 한 어느 곳에서든지 동일한 부호들을 나타낸다. 하기의 설명에서 구체적인 특정 사항들이 나타나고 있는데, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해 제공된 것일 뿐, 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 것으로서, 이는 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 개념과 당해 기술분야에서 통용 또는 통상적으로 인식되는 의미로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
본 발명은 고감도 센서의 제작을 위한 전기신호 발생에 필요한 트랜지스터 구조에 관한 것으로서, 채널층이 없는 트랜지스터의 매우 낮은 전류값으로 인해 실용화가 어려운 점을 극복한 양방향성 트랜지스터 및 이를 이용한 고감도 전자센서와 관련된 것이다.
일반적인 트랜지스터의 구조는 소스와 드레인 전극이 게이트 전극과 게이트 절연막에 의해서 분리되어 있으며, 소스와 드레인 사이에 채널이 형성되는 구조를 갖는다. 또한, 전류 값의 변경은 채널에 의해서 주로 제어 가능하다. 따라서 소스와 드레인 전극을 직렬, 병렬 형태로 배열하여 트랜지스터를 구성할 수가 없다.
채널층이 없는 트랜지스터는 공핍층 혹은 비정질 절연막으로 인한 전위장벽에 의한 전위차로부터 발생되는 자발분극에 의한 확산전류가 발생하면서 전자센서가 동작하게 된다. 확산전류의 전달특성으로 게이트 절연막으로서 SiOC 절연막에 (-)전압을 걸면 반대편에 (+)확산전류가 흐르고, 반대로 (+)전압을 걸면 반대편에 (-)확산전류가 흐르는 유전체의 자발적인 분극특성을 이용하여 트랜지스터의 게이트 절연막을 SiOC 박막을 사용할 경우 게이트 전극의 변화에 따라서 트랜지스터가 동시에 가능한 양방향성 트랜지스터를 얻을 수 있다.
(+)전압을 걸면 반대편에 (-)전류가 흐르는 유전체의 자발적인 분극특성은 확산전류를 형성하며, 확산전류는 드리프트 전류의 방향과 반대방향으로 작용하기 때문에 내부 전위차를 감소시키는 효과가 있다. 따라서 저 유전상수를 갖는 유전체의 자발적인 분극 특성은, 금속접촉에 의한 저항의 증가가 문제가 될 수 있는 금속/반도체 계면 사이에 SiOC 절연막을 사용할 경우, 절연막에 의한 전위장벽이 확산전류 발생시키고 확산전류는 금속에 인가되는 드리프트 전류의 방향과 반대로 작용하기 때문에 금속 접촉시 저항이 증가하는 효과가 사라지게 되며 결과적으로 금속접촉을 통하여 많은 전류가 흐르게 된다.
따라서 공핍층 수준으로 물리적 화학적 전기적으로 안정된 물성을 갖는 절연물질을 사용할 경우 확산전류는 안정적으로 발생하며, 양방향성 전달특성의 트랜지스터는 고감도 전자센서로 만들기 쉬워진다. 이러한 특성을 갖고 있는 절연막으로 SiOC 박막은 절연성이 뛰어나고 물리적 화학적 특성이 안정된 차세대 절연박막이로 낮은 분극에 의한 전위장벽으로 쇼키접합을 쉽게 형성하며, 따라서 계면에서의 접촉저항 감소효과를 극대화할 수 있어서 더 많은 확산전류가 흐르면서 전자센서의 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 SiOC 게이트 절연막에 흐르는 확산전류를 발생시키는 트랜지스터와 확산전류를 이용한 전자센서의 구조 및 제조방법에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 상면도이고, 도 2는 도 1의 제1실시예에 따른 소스 드레인 전극패턴이며, 도 3은 도 1의 제1실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도이다.
도 1 내지 도3을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 확산전류를 이용한 양방향성 트랜지스터는, 기판(300) 위에 형성되는 게이트 전극(203)과, 상기 기판(300)과 상기 게이트 전극(203) 위에 형성되는 SiOC 박막으로 이루어진 게이트 절연막(100), 상기 게이트 절연막(100) 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함한다.
또한, 게이트 절연막(100) 위에 드레인과 소스 신호선을 설치할 경우 전기신호(전압)를 증폭시키고 감도를 높일 수 있도록 드레인 대표전극(201)과 소스 대표전극(202) 사이에 금속배선을 드레인 서브전극(211), 소스 서브전극(212), 드레인 서브전극(221), 소스 서브전극(222), 드레인 서브전극(231), 소스 서브전극(232)이 계속해서 반복하는 구조의 직렬형태로 소스와 드레인 전극이 교대로 반복하여 배열한 것을 보여준다.
본 발명에 따른 트랜지스터는 채널층이 있는 기존의 트랜지스터와 달리 채널층 없이 상기 게이트 절연막(100) 위에 소스 전극(202)과 드레인 전극(201)이 적층이 되는 구조로 이루어져 있다. 이때, 상기 게이트 절연막(100)은 SiOC 박막으로 이루어지며, 유전상수는 1.0-2.5 인 것이 바람직하다.
또한, SiOC 박막을 사용한 확산전류를 이용하여 반도체 트랜지스터를 제작하는데 있어서 고감도 전자센서를 제작하기 위해서는 게이트 절연막(100)의 누설전류의 범위는 10-14-10-10 A이하이면서 분극의 특성이 없기 위해서는 비정질 특성이어야 하는 것이 필수적이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도이고, 도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도이며, 도 6은 제4실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도이고, 도 7은 제5실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도이다.
본 발명의 제2실시예에 따른 확산전류를 이용한 양방향성 트랜지스터는, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(300)에 연결되는 게이트 전극(203), 상기 기판(300) 위에 되는 층간전극(400), 상기 층간전극(400) 위에 형성되는 SiOC 절연막(100), 상기 SiOC 절연막(100) 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하며, 상기 층간전극(400)과 상기 층간전극(400) 위에 형성되는 상기 SiOC 절연막(100)은 반복하여 교대로 적층된다. 이때, 상기 게이트 전극(203)은 별도의 전극으로 형성되지 않고 상기 기판(300)이 실리콘 재질인 경우에는 기판(300) 전체가 게이트 전극으로 기능할 수 있으며, 유리 재질인 경우에는 ITO박막을 형성한 기판(300) 전체가 게이트 전극으로 기능할 수 있다.
또한, 상기 소스 전극부와 드레인 전극부는, 상기 SiOC 절연막(100) 위로 좌우에 배치되는 소스 대표전극(202) 및 드레인 대표전극(201)과, 상기 소스 대표전극(202) 및 드레인 대표전극(201) 사이에 복수개의 드레인 서브전극과 소스 서브전극을 배열하여 금속배선을 드레인 서브전극(211), 소스 서브전극(212), 드레인 서브전극(221), 소스 서브전극(222), 드레인 서브전극(231), 소스 서브전극(232)이 계속해서 반복하는 구조의 직렬형태로 소스와 드레인 전극이 교대로 반복하여 배열한다.
또한, 제2의 실시예에서도 제1실시예에서와 동일하게 SiOC 박막의 유전상수는 1.0-2.5인 것이 바람직하고, SiOC 박막(100)의 누설전류의 범위는 10-14-10-10 A이하이면서 분극의 특성이 없기 위해서는 비정질 특성이어야 하는 것이다.
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도로서, 도4에 도시된 본 발명의 제2실시예에서 게이트 전극(203)은 기판(300) 위의 SiOC 절연막(100) 내부에 형성된 것이다.
도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도로서, 도4에 도시된 본 발명의 제2실시예에서 게이트 전극(203)은 기판(300) 위의 가장자리 및 SiOC 절연막(100)의 외부에 형성된 것이다.
또한, 도 7은 본 발명의 제5실시예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도로서, 도4에 도시된 본 발명의 제2실시예에서 게이트 전극(203)은 기판(300)의 하부에 형성된 것이다.
또한, 제2실시예 내지 제5실시예에 따른 양방향성 확산전류 트랜지스터의 층간전극(400)은 알루미늄(Al), 나노와이어, 그래핀, ITO, 투명전도성 산화물(TCO)기반 투명전극, AZO, ZTO, IGZO, ZITO, SiZO, 하이브리드(복합소재) 투명전극, CNT 기반 투명전극 중 어느 하나로 이루어지는 것이다.
제2실시예 내지 제5실시예에 따른 양방향성 확산전류 트랜지스터는 기판(300)이 실리콘 재질인 경우에는 SiOC 절연막(100)이 올려지는 반면, 유리 재질인 경우에는 위에 층간전극(400)이 올려지고, 그 위에 SiOC 절연막(100)이 번갈아 적층된 위에 드레인 대표전극(201)과 소스 대표전극(202) 및 다수의 직렬형태를 갖는 드레인 서브전극 및 소스 서브전극이 번갈아가며 반복적으로 배치된 상태를 보여준다. 상기 기판(300)이 유리 재질인 경우에는 기판(300)위에 맨 처음 올려지는 층간전극(400)은 ITO박막일 수 있다.
도 8은 본 발명에 따른 방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서의 일례로서 직류전원 전자센서의 회로도를 나타낸 것이다.
도 8을 참조하면 양방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서는 게이트 전극(G)에 연결되는 센서부(20)와 게이트 전원부(30), 드레인 전극(D)에 연결되는 드레인 전원부(40), 소스 전극(S)에 연결되는 표시부(50)를 포함하고, 소스 전극(S)과 드레인 전극(D) 사이에는 확산전류에 의한 전기신호를 받을 수 있도록 한 고감도 전자센서의 일례로서, 상기 게이트 전극(G)과 드레인 전극(D) 및 소스 전극(S)을 포함하는 양방향성 트랜지스터(10)는, 도 1 내지 도 7 중 어느 하나에 도시된 양방향성 트랜지스터를 이용할 수 있다. 상기 표시부(50)는 센서부(20)로부터 감지된 센싱값에 대응하는 시각적 또는 청각적 신호를 외부로 표시한다.
도 1에 도시된 제1실시예의 양방향성 트랜지스터를 이용한 전자 센서의 경우에는 기판(300) 위에 형성되는 게이트 전극(203)과, 상기 기판(300)과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 SiOC 박막으로 이루어진 게이트 절연막(100), 상기 게이트 절연막(100) 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함한다.
또한, 게이트 절연막(100) 위에 드레인과 소스 신호선을 설치할 경우 전기신호(전압)를 증폭시키고 감도를 높일 수 있도록 드레인 대표전극(201)과 소스 대표전극(202) 사이에 금속배선을 드레인 서브전극(211), 소스 서브전극(212), 드레인 서브전극(221), 소스 서브전극(222), 드레인 서브전극(231), 소스 서브전극(232)이 계속해서 반복하는 구조의 직렬형태로 소스와 드레인 전극이 교대로 반복하여 배열한 것이다.
또한, 도 2에 도시된 제2실시예에 따른 확산전류를 이용한 양방향성 트랜지스터는, 기판(300)에 연결되는 게이트 전극(203), 상기 기판(300) 위에 되는 층간전극(400), 상기 층간 전극(400) 위에 형성되는 SiOC 절연막(100), 상기 SiOC 절연막(100) 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하며, 상기 층간전극(400)과, 상기 층간전극(400) 위에 형성되는 상기 SiOC 절연막(100)은 반복하여 교대로 적층된다.
또한, 상기 소스 전극부와 드레인 전극부는, 상기 SiOC 절연막(100) 위로 좌우에 배치되는 소스 대표전극(202) 및 드레인 대표전극(201)과, 상기 소스 대표전극(202) 및 드레인 대표전극(201) 사이에 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극을 배열하여 금속배선을 드레인 서브전극(211), 소스 서브전극(212), 드레인 서브전극(221), 소스 서브전극(222), 드레인 서브전극(231), 소스 서브전극(232)이 계속해서 반복하는 구조의 직렬형태로 소스와 드레인 전극이 교대로 반복하여 배열한다.
도 8은 본 발명에 따른 양방향성 트랜지스터를 이용한 직류전원을 갖는 전자센서 회로도를 나타낸 것으로서, 게이트 전극(G)에는 센서부(20)가 있으며, 소스-드레인 전극(S-D) 사이에서 확산전류에 의한 전기신호를 받을 수 있다. 따라서 센서부(20)와 신호전송부가 따로 분리되어 있어 신뢰도를 높일 수 있다. 또한, 확산전류를 이용하기 때문에 누설전류가 없어서 감도를 높일 수 있으며, 잡음을 차단하고 신호를 증폭하기 위한 차동증폭기가 불필요하다.
또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(G)에 연결되는 센서부(20) 앞에는 감도를 제어하기 위한 가변저항(60)이 전원(30)과 연결되어 있고 드레인 전극(D)에는 또 다른 전원(40)이 연결되고 소스 전극(S)에는 디스플레이(50)가 구비된다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서의 일례로서, 교류전원 전자센서의 회로도를 나타낸 것이다.
도 9에 도시한 교류전원 전자센서 회로는 드레인 전극(D)에 휘스톤 브리지(70)를 포함하는 교류전원(80)이 연결된다.
도 9에 도시한 교류전원 전자센서 회로의 특징은 높은 전압이 걸리더라도 센서 내에서 확산전류로 구동되기 때문에 과전압이 걸리지 않으며, 누설전류가 차단되므로 수명이 길어진다는 점이다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백하다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 청구범위뿐 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해서 정해져야 한다.
Claims (13)
- 기판;
상기 기판 위에 형성되는 게이트 전극;
상기 기판과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 SiOC 박막으로 이루어진 게이트 절연막;
상기 게이트 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하고,
상기 소스 전극부와 드레인 전극부는,
상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과,
상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극을 교대로 반복하여 배열한 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,
상기 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극이 상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 소스 서브전극, 드레인 서브전극이 서로 이격하여 배열되고, 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극이 번갈아가며 반복하여 직렬패턴을 형성하며 배치된 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터.
- 기판;
상기 기판에 연결되는 게이트 전극;
상기 기판 위에 형성되는 SiOC 절연막;
상기 SiOC 절연막 위에 되는 층간전극;
상기 층간전극 위에 형성되는 SiOC 절연막;
상기 SiOC 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하며,
상기 SiOC 절연막과 상기 층간전극은 교대로 반복하여 적층되며,
상기 소스 전극부와 드레인 전극부는,
상기 SiOC 절연막 위로 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과,
상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극을 배열한 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터.
- 제 3항에 있어서,
상기 게이트 전극은 상기 기판 위에 상기 SiOC 절연막 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터.
- 제 3항에 있어서,
상기 게이트 전극은 상기 기판 위의 가장자리 쪽에 상기 SiOC 절연막 외부에 형성된 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터.
- 제 3항에 있어서,
상기 게이트 전극은 상기 기판의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터.
- 제 3항에 있어서,
상기 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극이 상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 소스 서브전극, 드레인 서브전극이 서로 이격하여 배열되고, 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극이 번갈아가며 반복하여 직렬패턴을 형성하며 배치된 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터.
- 제 3항에 있어서,
상기 게이트 절연막의 허용 유전상수는 0.1-2.5인 것을 특징으로 하는 양방항성 트랜지스터.
- 제 3항에 있어서,
상기 층간전극은 알루미늄(Al), 나노와이어, 그래핀, ITO, 투명전도성 산화물(TCO)기반 투명전극, AZO, ZTO, IGZO, ZITO, SiZO, 하이브리드(복합소재) 투명전극, CNT 기반 투명전극 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양방항성 트랜지스터.
- 게이트 전극에 연결되는 센서부;
드레인 전극에 연결되는 전원부;
소스 전극에 연결되는 표시부를 포함하고,
소스와 드레인 전극 사이에는 확산전류에 의한 전기신호를 받을 수 있도록 한 고감도 전자센서로서,
상기 게이트 전극과 드레인 전극 및 소스 전극을 포함하는 양방향성 트랜지스터는,
기판;
상기 기판 위에 형성되는 게이트 전극;
상기 기판과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 SiOC 박막으로 이루어진 절연막;
상기 게이트 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하고, 상기 소스 전극부와 드레인 전극부는,
상기 SiOC 절연막 위로 상기 게이트 전극 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과,
상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극을 배열한 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서.
- 제 10항에 있어서,
상기 양방향성 트랜지스터는,
기판;
상기 기판에 연결되는 게이트 전극;
상기 기판 위에 형성되는 SiOC 절연막;
상기 SiOC 절연막 위에 되는 층간전극;
상기 층간전극 위에 형성되는 SiOC 절연막;
상기 SiOC 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부 및 드레인 전극부를 포함하며,
상기 SiOC 절연막과 상기 층간전극은 교대로 반복하여 적층되며,
상기 소스 전극부와 드레인 전극부는,
상기 SiOC 절연막 위로 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과,
상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극을 배열한 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서.
- 제 10항에 있어서,
게이트 전극에 연결되는 센서부 앞에는 감도를 제어하기 위한 가변저항이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서.
- 제 10항에 있어서,
상기 드레인 전극에 연결되는 전원부는 휘스톤 브리지를 포함하는 교류전원이 연결되는 것을 특징으로 하는 양방향성 트랜지스터를 이용한 고감도 전자센서.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170079298A KR102014313B1 (ko) | 2017-06-22 | 2017-06-22 | 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 고감도 전자센서 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170079298A KR102014313B1 (ko) | 2017-06-22 | 2017-06-22 | 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 고감도 전자센서 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190000222A true KR20190000222A (ko) | 2019-01-02 |
| KR102014313B1 KR102014313B1 (ko) | 2019-08-26 |
Family
ID=65021778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170079298A KR102014313B1 (ko) | 2017-06-22 | 2017-06-22 | 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 고감도 전자센서 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102014313B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102623577B1 (ko) * | 2022-10-12 | 2024-01-11 | 한국과학기술원 | 2단자 가변 저항 메모리 소자 기반의 바이오 트랜스듀서 및 그 동작 방법 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100070086A (ko) * | 2008-12-17 | 2010-06-25 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 |
| KR20110116579A (ko) * | 2010-04-19 | 2011-10-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쉬프트 레지스터 |
| KR20120079602A (ko) * | 2011-01-05 | 2012-07-13 | 부산대학교 산학협력단 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
| KR101439281B1 (ko) * | 2013-04-24 | 2014-09-15 | 순천대학교 산학협력단 | 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| KR101587129B1 (ko) | 2014-10-27 | 2016-02-02 | 청주대학교 산학협력단 | 양방향성 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| KR101607136B1 (ko) | 2014-12-31 | 2016-03-29 | 청주대학교 산학협력단 | SiOC 박막을 이용한 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR20160096817A (ko) * | 2015-02-06 | 2016-08-17 | 서울대학교산학협력단 | 다중 진단용 터널링 전계효과 트랜지스터 바이오 센서 |
| KR20160101350A (ko) * | 2015-02-17 | 2016-08-25 | 청주대학교 산학협력단 | 고속전자센서용 기판 및 그 제조방법 |
| WO2018079950A1 (ko) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | 오데레사 | 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 누설전류 차단장치 |
-
2017
- 2017-06-22 KR KR1020170079298A patent/KR102014313B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100070086A (ko) * | 2008-12-17 | 2010-06-25 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 |
| KR20110116579A (ko) * | 2010-04-19 | 2011-10-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쉬프트 레지스터 |
| KR20120079602A (ko) * | 2011-01-05 | 2012-07-13 | 부산대학교 산학협력단 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
| KR101439281B1 (ko) * | 2013-04-24 | 2014-09-15 | 순천대학교 산학협력단 | 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| KR101587129B1 (ko) | 2014-10-27 | 2016-02-02 | 청주대학교 산학협력단 | 양방향성 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| KR101607136B1 (ko) | 2014-12-31 | 2016-03-29 | 청주대학교 산학협력단 | SiOC 박막을 이용한 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR20160096817A (ko) * | 2015-02-06 | 2016-08-17 | 서울대학교산학협력단 | 다중 진단용 터널링 전계효과 트랜지스터 바이오 센서 |
| KR20160101350A (ko) * | 2015-02-17 | 2016-08-25 | 청주대학교 산학협력단 | 고속전자센서용 기판 및 그 제조방법 |
| KR101694270B1 (ko) | 2015-02-17 | 2017-01-23 | 청주대학교 산학협력단 | 고속전자센서용 기판 및 그 제조방법 |
| WO2018079950A1 (ko) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | 오데레사 | 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 누설전류 차단장치 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Teresa Oh, et al., Study on characteristic properties of annealed SiOC film prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition * |
| Teresa Oh, Organic thin-film transistors using pentacene and SiOC film * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102623577B1 (ko) * | 2022-10-12 | 2024-01-11 | 한국과학기술원 | 2단자 가변 저항 메모리 소자 기반의 바이오 트랜스듀서 및 그 동작 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102014313B1 (ko) | 2019-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6717214B2 (en) | SOI-LDMOS device with integral voltage sense electrodes | |
| ITTO20130541A1 (it) | Dispositivo a semiconduttore integrante un partitore resistivo e procedimento di fabbricazione di un dispositivo a semiconduttore | |
| CN109682863A (zh) | 基于TMDCs－SFOI异质结的气体传感器及其制备方法 | |
| CN105226128B (zh) | 光感测组件及其制造方法 | |
| CN102034820B (zh) | 半导体装置 | |
| US9905720B2 (en) | Apparatus and method for sensing | |
| CN105765662B (zh) | 半导体装置及其写入方法 | |
| CN104950493A (zh) | 一种基板和显示装置 | |
| CN104571700B (zh) | 触控面板 | |
| CN108987522A (zh) | 一种光电传感器、光电传感组件及其制作方法 | |
| CN107340084A (zh) | 压力检测显示装置 | |
| CN107315506A (zh) | 一种显示基板、显示面板和显示装置 | |
| KR101515491B1 (ko) | 수소이온 감지센서 | |
| CN107219957A (zh) | 一种阵列基板和显示面板 | |
| KR102014313B1 (ko) | 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 고감도 전자센서 | |
| CN105224153A (zh) | 触控电极的电学性能检测装置和检测方法 | |
| KR101882856B1 (ko) | 고감도 전자센서용 트랜지스터 | |
| JP2007322270A (ja) | 半導体センサ及び同定方法 | |
| CN104501982A (zh) | 一种改性碳纳米管温度传感器 | |
| CN102779821B (zh) | 一种集成了采样电阻的电流检测ldmos器件 | |
| KR102014315B1 (ko) | 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 접촉신호 전달감지센서 | |
| CN103219337A (zh) | 半导体装置和用于制造半导体装置的方法 | |
| US10475698B2 (en) | Ambipolar transistor and electronic sensor of high sensitivity using the same | |
| CN103296071B (zh) | 石墨烯器件 | |
| CN109739391A (zh) | 触控阵列基板、制作方法及液晶显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |