DK162938B - Fremgangsmaade til afsaetning af en transparent, solstraaleregulerende film hovedsageligt bestaaende af titannitrid paa et transparent, opvarmet, baandformet glassubstrat - Google Patents

Fremgangsmaade til afsaetning af en transparent, solstraaleregulerende film hovedsageligt bestaaende af titannitrid paa et transparent, opvarmet, baandformet glassubstrat Download PDF

Info

Publication number
DK162938B
DK162938B DK353284A DK353284A DK162938B DK 162938 B DK162938 B DK 162938B DK 353284 A DK353284 A DK 353284A DK 353284 A DK353284 A DK 353284A DK 162938 B DK162938 B DK 162938B
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
titanium
transparent
gas
approx
process according
Prior art date
Application number
DK353284A
Other languages
English (en)
Other versions
DK353284D0 (da
DK353284A (da
DK162938C (da
Inventor
Roy Gerald Gordon
Original Assignee
Roy Gerald Gordon
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Roy Gerald Gordon filed Critical Roy Gerald Gordon
Publication of DK353284D0 publication Critical patent/DK353284D0/da
Publication of DK353284A publication Critical patent/DK353284A/da
Publication of DK162938B publication Critical patent/DK162938B/da
Application granted granted Critical
Publication of DK162938C publication Critical patent/DK162938C/da

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/225Nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34Nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/28Other inorganic materials
    • C03C2217/281Nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/15Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152Deposition methods from the vapour phase by cvd

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Description

i
DK 162938 B
Den foreliggende opfindelse angår en fremgangsmåde til afsætning af en transparent, solstråleregulerende film hovedsageligt bestående af titannitrid på et transparent, opvarmet, båndformet glassubstrat.
5 Regulering af den solvarme, der kommer ind ad vinduer, er afgørende for opretholdelse af behagelige betingelser indendøre i et varmt klima. Der er også blevet udviklet vinduesmaterialer for at reducere blænding. Solstråleregulering har man i reglen opnået ved at tilsætte absorberende 10 farvemateriale til glasset. Farvning af glas på denne måde frembyder imidlertid ulemper ved produktionen, eftersom der kan medgå lang tid til ændring af nuancer. I den senere tid harman påført reflekterende og absorberende film på klart glas for at opnå regulering af solstråling. Reflektion af 15 uønsket stråling er mere effektiv end absorption, eftersom reflektion fuldstændig eliminerer strålingen, hvorimod en del af den absorberede varme efterhånden føres ind i bygningen.
Fremgangsmåder til påføring af reflekterende og absor-20 berende solstrålereguleringsfilm er kendt inden for glasfremstilling. Film af metaller, såsom chrom eller nikkel, fordampes eller katodeforstøves f.eks. på glas i vakuum ved hjælp af apparater, der findes på markedet og således er kendte.
Selv om der fremstilles reflekterende og absorberende film 25 af god kvalitet ved hjælp af vakuummetoder, er omkostningerne dog temmelig store. Blandinger af metaloxider, såsom chrom-oxid, cobaltoxid og jemoxid, kan afsættes ved forstøvnings-pyrolyse som beskrevet f.eks. i US patentskrift nr.
3.652.246. Lignende film er blevet fremstillet ved kemisk 30 dampafsætning som f.eks. beskrevet i US patentskrift nr. 3.850.679 og ved hjælp af pyrolyse af fint pulveriserede materialer som beskrevet i US patentskrift nr. 4.325.988.
Disse film er ikke så reflekterende som de vakuumafsatte metaller, men de kan produceres biligere. De kræver faktisk 35 materialer, såsom cobalt og chrom, som findes i begrænsede mængder og nødvendigvis skal importeres. Desuden mistænkes
DK 162938 B
2 chrom og nikkel for at fremkalde kræft, således at sikkerheden ved udbredt anvendelse af sådanne overtrukne produkter i høj grad er tvivlsom.
I US patentskrift nr. 3.885.855 er det endvidere 5 foreslået at fremstille solstråleregulerende film ved reaktiv katodeforstøvning af nitrider, carbider eller borider af metallerne titan, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantal, chrom, molybden eller wolfram. Selv om nogle af disse materialer vides at have effektive optiske egenskaber, 10 ville en produktion i stor målestok af bygningsglas ved hjælp af den vakuum-elektriske metode med reaktiv katodeforstøvning være temmelig kostbar.
Maskinværktøjsindustrien har anvendt hårde, relativt tykke, uigennemsigtige, slidbestandige lag af titannitrid.
15 Disse lag dannes ved meget høje temperaturer, f.eks. 1000’C, med en nitrogen-, hydrogen- og titantetrachlorid-reaktions-blanding. Imidlertid beskriver JP patentskrift nr. 74-83679 og SE patentskrift nr. 397.370 sådanne slidbestandige lag, der alle er funktionelt uigennemsigtige og mindst ca. 3 p 20 tykke, og som er fremstillet ved reaktion mellem ammoniak og titantetrachlorid ved temperaturer omkring 550°C.
US patentskrift nr. 4.310.567 beskriver dannelse af nitridlag, men der omtales ingen fremgangsmåder, der kan tilvejebringe tynde, transparente film til solstråleregule-25 rende anvendelsesformål. US patentskrift nr. 4.196.233 beskriver ligeledes en nitridovertrækningsmetode.
Det er den foreliggende opfindelses formål at tilvejebringe en fremgangsmåde til meget hurtig afsætning af solstråleregulerende lag på glas ved kemisk dampafsætning 30 fra en reaktiv dampblanding på overfladen af varmt glas, f.eks. ved en glasflotteproces.
Afsætningsfremgangsmåden kan gennemføres med enkelt og billigt udstyr, der arbejder ved atmosfærisk tryk, uden at det er nødvendigt med kompliceret og dyrt, elektrisk og 35 vakuummaskineri, ligesom den kan gennemføres ved hjælp af billige og lettilgængelige råmaterialer.
DK 162938 B
3
Med dette formål for øje angår opfindelsen en fremgangsmåde til afsætning af en transparent, solstråleregulerende film hovedsageligt bestående af titannitrid på et transparent, opvarmet, båndformet glassubstrat, og den her 5 omhandlede fremgangsmåde er ejendommelig ved, at (a) der fremstilles en første, forvarmet, gasformig blanding af titantetrahalogeniddamp som reaktionskomponent i en indifferent bærergas, (b) der fremstilles en anden, forvarmet, gasformig 10 blanding indeholdende ammoniak som nitrogendonor og reducerende gas samt en inaktiv bærergas, hvorhos den første gasblanding og den anden gasblanding tilsammen indeholder mindst 0,1 molprocent titantetrahalogenid, baseret på gassen i de to blandinger, og 15 (c) de to gasblandinger blandes ved en temperatur under 5009C i umiddelbar nærhed af substratet, som holdes ved en temperatur på mindst 500°C, således at der på glassubstratet af reaktionsprodukterne af reaktionskomponenterne dannes en i alt væsentligt slørfri film.
20 Ved opfindelsen udnyttes en reaktion mellem et titan tetrahalogenid, såsom titantetrachlorid, og en reducerende gas indeholdende ammoniak. Både titantetrahalogenidet og den reducerende gas holdes i en varm, indifferent bærergas og omsættes i umiddelbar nærhed af en varmere glasoverflade.
25 Når glasoverfladens temperatur er over 500'C, fortrinsvis ved temperaturer på ca. 6009C og derover, sker afsætningen hurtigst, og kvaliteten bliver bedst. Naturligvis vil mange glassubstrater blive bløde og have en praktisk oparbejdningsgrænse på ca. 7009C. Borsilicatglas synes at være et særlig 30 ønskeligt substrat til anvendelse ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen. En foretrukket kombination af reaktionskomponenter, titantetrachlorid og ammoniak, reagerer hurtigt, således at der dannes en stærkt vedhængende film, som hovedsageligt er sammensat af titannitrid, TiN, med også noget 35 chlor i filmen. Afsætningsatmosfæren skal holdes fri for oxygen og vanddamp, da den afsatte film ellers vil komme
DK 162938 B
4 til hovedsageligt at bestå af titanoxid i stedet for det ønskede titannitrid. Meget små mængder oxygen og fugt synes at kunne tolereres, når der anvendes et overskud af ammoniak.
Selv om titandioxid forøger refleksionen fra glasoverfladen, 5 absorberer det ikke lys i nær så høj grad som titannitrid.
Filmene er glatte og spejlagtige og uden uklarhed.
Tynde film, f.eks. sådanne på ca. 200 Angstrom, har en sølvagtig reflekteret farve, medens tykkere film er gyldne, blegblå, grå, sorte, rødlige eller brune, efterhånden som 10 tykkelsen stiger mod 0,1 /xm. De transmitterede farver er neutral, grå, lysegul, bleggrøn, blegblå eller brun.
Filmenes mekaniske egenskaber er gode. Slidstyrke og bestandighed over for ridser er på højde med eller bedre end de solstrålereguleringsfilm på glas, der findes på mar-15 kedet. Filmenes kemiske modstandsdygtighed er udmærket, og de modstår vand, sæber, baser og syrer, med undtagelse af flussyre, der ætser både filmene og glasset.
Titannitridfilm leder også elektricitet. Denne egenskab tillader andre anvendelser end som solstråleregulerende 20 film. Den kan anvendes som en del i et elektrisk kredsløb til påvisning af revnede vinduer, f.eks. i tyverialarmsystemer.
Opfindelsen vil i det følgende blive forklaret under henvisning til tegningen, der viser et tværsnit af et ap-25 parat, der er egnet til udførelse af overtrækningsfremgangsmåden.
Ved den nye fremgangsmåde udnyttes den erkendelse, at den omhyggelige temperaturregulering af reaktionen mellem titantetrahalogenidet og ammoniakken giver en filmdannende 30 reaktionskomponent, således at man undgå dannelse af pulver, der er det normale additionsprodukt ved en sådan reaktion. Pulverdannelsen undgås, hvilket er yderst vigtigt, selv i meget små mængder, som ville gøre det transparente glassubstrat uønsket uklart. Fremgangsmåden kan lettes ved anven-35 del se af et meget stort overskud reducerende gas for at reducere den mængde halogen, der bliver tilbage i laget.
DK 162938 B
5
Eventuelle små mængder oxygen og halogen, der bliver tilbage, har ingen skadelig virkning på overtrækkets egenskaber. Faktisk kan små mængder halogen bidrage til farveregulering og filmens elektriske egenskaber, når dette ønskes. Ved 5 film, der er tykke nok til at have en farve, der domineres af filmens massegenskaber, har stigende mængder halogen en tendens til at ændre farven fra gylden til rød til sort.
Eftersom titantetrachlorid og ammoniak reagerer ved stuetemperatur og danner faste additionsforbindelser, skal 10 disse reaktanter blandes i umiddelbar nærhed af den varme glasoverflade, der skal overtrækkes. Gassernes temperatur på blandingstidspunktet bør være over 200°C, men under ca.
400°C. Hvis blandingstemperaturen er for lav, kan noget af den faste additionsforbindelse dække eller tilstoppe overis trækningsapparatet. Hvis på den anden side gasserne blandes ved for høj en temperatur, ca. 500'C eller derover, har dette en tendens til at resultere i et pulveriseret titan-nitridprodukt og/eller -film på apparatet frem for den ønskede vedhængende film på glasset. De foretrukne temperaturer 20 ved blandingen varierer fra 250 til 320°c.
Apparatet til udførelse af blanding og overtrækning er vist skematisk på tegningen. Et bånd af varmt glas 10 bevæger sig på tværs af valser (ikke vist) som i køleovnen under glasfabrikationen. Titantetrachloriddamp blandet med 25 en bærergas, såsom nitrogen, indføres i fordelingskanaler 12, der dækker bredden af det varme glasbånd 10. Titantetra-chloriddampblandingen passerer derpå gennem strømningsforsnævringer 14 ind i en snæver fordelingsslids 16 og derfra ind i en blandingszone 18. Ammoniakken, der også er fortyndet 30 i en inaktiv bærergas, såsom nitrogen, føres ind i fordelingskanaler 22, passerer gennem forsnævringer 24 og fordelingsslidser 26 til blåndingszonen 18. Strømningsforsnævringerne 14 og 24 er anbragt med ensartet afstand over hele glasbåndets bredde, således at der fås en ensartet fordeling 35 af de gasformige reaktionskomponenter og en ensartet tykkelse på overtrækket. Lag 28 er varmeisolation, hvis tykkelse
DK 162938 B
6 vælges således, at gassernes temperatur i fordelingsslidseme 16 og 26 holdes indenfor det ønskede interval.
De blandede gasser i zonen 18 strømmer hen over overfladen på det varme glas 10 og ind i udtømningskanaler 30.
5 Under denne strøms forløb afsættes titannitridfilmen på den varme glasoverflade. Der kan anbringes flere overtrækningstrin ved siden af hinanden til opbygning af den ønskede filmtykkelse i løbet af en enkelt passage af glasbåndet under rækken af overtræksorganer. Faktisk fremmer anvendelsen 10 af flere overtræksorganer en ensartet overtrækning, eftersom den uensartethed, der skyldes et enkelt overtræksorgan, i reglen ikke svarer til den, der frembringes af andre, og der vil derfor være en tendens til udligning af tykkelsesfejl frembragt af de forskellige overtræksorganer.
15 Luft og vanddamp skal udelukkes fra afsætningsområdet, således at strømmen af tør, inaktiv gas, såsom nitrogen, sker via kanaler 32 på alle fire sider af overtræksorganerne.
Overtræksorganerne kan også være inverteret og anbragt neden under glasset. Fordelen ved at have overtræksorganerne 20 anbragt under glasset er, at eventuel dannelse af belægning eller pulverbiprodukt forbliver på overtræksorganets overflade, og der er ingen mulighed for, at et sådant materiale når glasoverfladen og derved ødelægger overtrækkets ensartethed. På den måde kan den tid, der forløber mellem rengø-25 ring af overtræksorganerne være længere, når disse er anbragt under glasset, end når de er anbragt ovenover.
Overtræksorganerne er udsat for korroderende gasarter, herunder reaktionskomponenten titantetrachlorid og biproduktet hydrogenchlorid. Overtræksorganerne bør derfor konstrue-30 res af korrosionsbestandige materialer. Nikkel og visse legeringer på nikkelbasis indeholdende nikkel, chrom, molyb-den og wolfram (f.eks. "Hastelloy® C" fra Cabot Corporation) er særlig egnede konstruktionsmaterialer.
Reaktionskomponenternes koncentration og strømnings-35 hastighed kan vælges således, at der forekommer et stort støkiometrisk overskud af ammoniak. I modsat fald kan der
DK 162938 B
7 tilbageholdes store mængder chlor i overtrækket. Der kan således anvendes mellem 5 og 10 mol ammoniak til hvert mol titantetrachlorid. Typiske koncentrationer af de blandede gasser ligger fra 0,1 til 0,5 mol% titantetrachlorid og 1-5 5% ammoniak. Lavere koncentrationer bevirker lavere over trækningshastighed, medens højere koncentrationer kan resultere i for stor pulverdannelse.
Et andet træk er, at der skal blandes ganske tæt ved det glas, hvorpå overtrækket skal afsættes.
10 Glassets temperatur ligger i reglen fra 500 til 700eC, når overtrækket påføres. Lavere temperaturer resulterer i overmåde langsomme reaktionshastigheder, medens højere temperaturer kan frembringe pulver eller ru, uklare overtræk.
Det foretrukne temperaturinterval er 500-650°C.
15 Produkter fremstillet ifølge opfindelsen har særlig værdi ved solstråleregulering, hvor den ønskede lystransmission i reglen ligger i intervallet 1-40%. Dette er en størrelsesorden, der er mange gange større end for alt ikke-føl-somt lys, der eventuelt er transmitteret gennem kendte, 20 slidbestandige overtræk anvendt på cementcarbider og andet maskinbearbejdningsmateriale.
I den foreliggende beskrivelse med den ledsagende tegning er der vist og beskrevet en foretrukket udførelsesform for opfindelsen.
25 Opfindelsen vil i det følgende blive nærmere beskrevet ved hjælp af eksempler.
Eksempel 1
Borsilicatglas, der er opvarmet til ca. 590°C, føres 30 med en hastighed på 20 cm/sek. under en række på tre overtræksorganer som vist på tegningen. Hvert overtræksorgan får tilført en blanding, der indeholder 0,4 mol% titantetra-chloriddamp i nitrogen, gennem kanaler 12 og en blanding af 4 mol% ammoniakgas i nitrogen gennem kanaler 22. Den samlede 35 strømningshastighed på alle gasser, der kommer ind i hvert overtræksorgan, er ca. 250 liter pr. minut pr. m glasbredde,
DK 162938 B
8 der overtrækkes.
Indløbsslidserne 16 og 26 på hvert overtræksorgan slutter ca. 2 cm over den glasoverflade, der skal overtrækkes.
5 Det overtrukne glas har en brun farve ved transmission og har en transmission for synligt lys på ca. 10%. Overtrækket har en elektrisk ledningsevne på ca. 100 ohm pr. kvadrat.
Det har en udmærket infrarød reflektivitet og er ca. 600 Å tykt.
10
Eksempel 2
Fremgangsmåden i eksempel 1 gentages, idet der anvendes koncentrationer på 0,5% titantetrachlorid og 0,5% ammoniak. Filmen afsættes med 4 sekunders udsættelse af bor-15 silicatglasunderlaget ("Pyrex®"-glas), der er opvarmet til 600°C. Der fås en film, der kun tillader 20%'s transmission af den samlede solbestråling.
Bromider eller ioder kan anvendes i stedet for chlo-rider i titanforbindelsen, men den større pris på og lavere 20 flygtighed for bromiderne og iodiderne gør, at der ved den her omhandlede fremgangsmåde foretrækkes chlorider.
Når det drejer sig om alle de forbindelser, der er nævnt i det foregående afsnit, skal blandingstemperaturen holdes under reaktionstemperaturen, blandingen skal finde 25 sted, lige før gassen bringes i nærheden af en varm glasoverflade, og glassets temperatur skal være tilstrækkelig høj til at bevirke dannelse af det ønskede uorganiske produkt, netop når afsætningen finder sted.
Glasovertrækningsfilm fremstillet ifølge opfindelsen 30 har særlig ønskelige egenskaber og kan anvendes til at udelukke mere solstråling end synligt lys. Således udelukker en film, der er tyk nok til at udelukke 85% af den samlede solstråling, kun 75% af det synlige lys. Dette skal ses på baggrund af, at de de fleste solstråleregulerende film, der 35 nu produceres, udelukker mindre end 75% af den samlede solstråling, hvis de er tynde nok til kun at udelukke 75% af
DK 162938B
9 det synlige lys.
Desuden har titannitridfilmene fremstillet ifølge opfindelsen en udstrålingsevne på under 0,3 og i reglen mellem 0,1 og 0,2 i bølgelængdeintervallet for infrarøde 5 varmestråler, f.eks. omkring 10 μτ&. De har således bedre varmeisoleringsegenskaber, når de anvendes som bygningsglas i vinduer i luftkonditionerede bygninger, hvor deres vigtigste formål er at reducere den solstråling, der kommer ind ad vinduerne. Denne udstrålingsevne på under ca. 0,2 10 skal sammenlignes med udstrålingsevnen hos de solstrålereguleringsfilm, der findes for øjeblikket. Denne sidstnævnte ligger i reglen fra 0,5 til 0,9.
Sådanne film, der afsættes ved fremgangsmåden ifølge den foreliggende opfindelse, har ikke blot de ovennævnte 15 fordele, men har også en slidbestandighed, der er bedre end solstrålereguleringsfilm på markedet af de typer, der er baseret på chrom, silicium eller af blandede oxider af cobalt, chrom og jern.

Claims (7)

1. Fremgangsmåde til afsætning af en transparent, solstråleregulerende film hovedsageligt bestående af titan-nitrid på et transparent, opvarmet, båndformet glassubstrat, 5 kendetegnet ved, at (a) der fremstilles en første, forvarmet, gasformig blanding af titantetrahalogeniddamp som reaktionskomponent i en indifferent bærergas, (b) der fremstilles en anden, forvarmet, gasformig 10 blanding indeholdende ammoniak som nitrogendonor og reducerende gas samt en inaktiv bærergas, hvorhos den første gasblanding og den anden gasblanding tilsammen indeholder mindst 0,1 molprocent titantetrahalogenid, baseret på gassen i de to blandinger, og 15 (c) de to gasblandinger blandes ved en temperatur under 500°C i umiddelbar nærhed af substratet, som holdes ved en temperatur på mindst 500°C, således at der på glassubstratet af reaktionsprodukterne af reaktionskomponenteme dannes en i alt væsentligt slørfri film.
2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendeteg net ved, at titantetrahalogenidet er titantetrachlorid.
3. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet ved, at titantetrahalogenidet er titantetrabromid eller titantetraiodid.
4. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af kra vene 1-3, kendetegnet ved, at titantetrahalogenidet og ammoniakken forvarmes til en temperatur i intervallet fra ca. 200 til ca. 400°C.
5. Fremgangsmåde ifølge krav 2, kendete g- 30 net ved, at 5-50 mol ammoniak blandes med hvert mol titantetrachlorid .
6. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, kendetegnet ved, at blandingen af den første og den anden gasblanding gennemføres med gas- 35 blandingerne forvarmede til en temperatur i intervallet fra ca. 250eC til ca. 320*C. DK 162938 B
7. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, kendetegnet ved, at substratet opvarmes til en temperatur over 500*C.
DK353284A 1982-11-22 1984-07-19 Fremgangsmaade til afsaetning af en transparent, solstraaleregulerende film hovedsageligt bestaaende af titannitrid paa et transparent, opvarmet, baandformet glassubstrat DK162938C (da)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US44334082A 1982-11-22 1982-11-22
US44334082 1982-11-22
PCT/US1983/001678 WO1984002128A1 (en) 1982-11-22 1983-10-28 Chemical vapor deposition of titanium nitride and like films
US8301678 1983-10-28

Publications (4)

Publication Number Publication Date
DK353284D0 DK353284D0 (da) 1984-07-19
DK353284A DK353284A (da) 1984-07-19
DK162938B true DK162938B (da) 1991-12-30
DK162938C DK162938C (da) 1992-05-25

Family

ID=23760404

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK353284A DK162938C (da) 1982-11-22 1984-07-19 Fremgangsmaade til afsaetning af en transparent, solstraaleregulerende film hovedsageligt bestaaende af titannitrid paa et transparent, opvarmet, baandformet glassubstrat

Country Status (13)

Country Link
US (3) US4524718A (da)
EP (1) EP0128169B1 (da)
AU (1) AU565957B2 (da)
CA (1) CA1222912A (da)
CH (1) CH662808A5 (da)
DE (1) DE3390341T1 (da)
DK (1) DK162938C (da)
ES (1) ES8500874A1 (da)
GB (1) GB2141444B (da)
IT (1) IT1203683B (da)
MX (1) MX160808A (da)
SE (1) SE453491B (da)
WO (1) WO1984002128A1 (da)

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60251274A (ja) * 1984-05-28 1985-12-11 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 窒化物被覆方法
EP0174743A3 (en) * 1984-09-05 1988-06-08 Morton Thiokol, Inc. Process for transition metal nitrides thin film deposition
US4690871A (en) * 1986-03-10 1987-09-01 Gordon Roy G Protective overcoat of titanium nitride films
US4946712A (en) * 1986-08-28 1990-08-07 Libbey-Owens-Ford Co. Glass coating method and resulting article
US4847157A (en) * 1986-08-28 1989-07-11 Libbey-Owens-Ford Co. Glass coating method and resulting article
US4900633A (en) * 1987-03-26 1990-02-13 Ppg Industries, Inc. High performance multilayer coatings
US4920006A (en) * 1987-03-26 1990-04-24 Ppg Industries, Inc. Colored metal alloy/oxynitride coatings
US4861669A (en) * 1987-03-26 1989-08-29 Ppg Industries, Inc. Sputtered titanium oxynitride films
US4924936A (en) * 1987-08-05 1990-05-15 M&T Chemicals Inc. Multiple, parallel packed column vaporizer
GB8801366D0 (en) * 1988-01-21 1988-02-17 Secr Defence Infra red transparent materials
US5167986A (en) * 1988-04-15 1992-12-01 Gordon Roy G Titanium silicide-coated glass windows
GB8809504D0 (en) * 1988-04-22 1988-05-25 Marconi Gec Ltd Optical devices
DE3830174A1 (de) * 1988-09-06 1990-03-15 Geesthacht Gkss Forschung Leitfaehige oberflaechenschicht
GB8824104D0 (en) * 1988-10-14 1988-11-23 Pilkington Plc Process for coating glass
JP2637804B2 (ja) * 1988-12-20 1997-08-06 日本碍子株式会社 メッキ付き基材
US5139825A (en) * 1989-11-30 1992-08-18 President And Fellows Of Harvard College Process for chemical vapor deposition of transition metal nitrides
DE3941795A1 (de) * 1989-12-19 1991-06-20 Leybold Ag Optisch wirkende schicht fuer substrate, die insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist, und verfahren zur herstellung der schicht
DE4117258A1 (de) * 1989-12-19 1992-12-03 Leybold Ag Optisch wirkende schicht fuer substrate, die insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist
DE3941797A1 (de) * 1989-12-19 1991-06-20 Leybold Ag Belag, bestehend aus einem optisch wirkenden schichtsystem, fuer substrate, wobei das schichtsystem insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist, und verfahren zur herstellung des belags
DE4117257B4 (de) * 1989-12-27 2006-03-30 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Optisch wirkendes Schichtsystem mit hoher Antireflexwirkung für transparente Substrate
EP0516714B1 (en) * 1990-02-22 1995-10-18 GORDON, Roy Gerald Titanium nitride or tin oxide bonding to a coater surface
US5091244A (en) * 1990-08-10 1992-02-25 Viratec Thin Films, Inc. Electrically-conductive, light-attenuating antireflection coating
US5407733A (en) * 1990-08-10 1995-04-18 Viratec Thin Films, Inc. Electrically-conductive, light-attenuating antireflection coating
US5279857A (en) * 1991-08-16 1994-01-18 Materials Research Corporation Process for forming low resistivity titanium nitride films
US5308655A (en) * 1991-08-16 1994-05-03 Materials Research Corporation Processing for forming low resistivity titanium nitride films
US5188979A (en) * 1991-08-26 1993-02-23 Motorola Inc. Method for forming a nitride layer using preheated ammonia
US5202152A (en) * 1991-10-25 1993-04-13 Cornell Research Foundation, Inc. Synthesis of titanium nitride films
DE69213898T2 (de) 1991-12-13 1997-02-06 Ford Werke Ag Metallnitridfilm
US5194642A (en) * 1992-01-24 1993-03-16 Ford Motor Company Metallo-organic precursors to titanium nitride
US5300322A (en) * 1992-03-10 1994-04-05 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Molybdenum enhanced low-temperature deposition of crystalline silicon nitride
US5409735A (en) * 1992-11-30 1995-04-25 Wayne State University Chemical vapor deposition of metal pnictogenide films using single source precursors
US5416045A (en) * 1993-02-18 1995-05-16 Micron Technology, Inc. Method for chemical vapor depositing a titanium nitride layer on a semiconductor wafer and method of annealing tin films
FR2708924B1 (fr) * 1993-08-12 1995-10-20 Saint Gobain Vitrage Int Procédé de dépôt d'une couche de nitrure métallique sur un substrat transparent.
US5378501A (en) * 1993-10-05 1995-01-03 Foster; Robert F. Method for chemical vapor deposition of titanium nitride films at low temperatures
US5975912A (en) * 1994-06-03 1999-11-02 Materials Research Corporation Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits
US5628829A (en) * 1994-06-03 1997-05-13 Materials Research Corporation Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films
US5665640A (en) * 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
AU1745695A (en) * 1994-06-03 1996-01-04 Materials Research Corporation A method of nitridization of titanium thin films
JPH10508656A (ja) * 1994-10-11 1998-08-25 ゲレスト インコーポレーテツド コンフオーマルなチタン系フイルムおよびその製造方法
US5691044A (en) * 1994-12-13 1997-11-25 Asahi Glass Company, Ltd. Light absorptive antireflector
US5656338A (en) * 1994-12-13 1997-08-12 Gordon; Roy G. Liquid solution of TiBr4 in Br2 used as a precursor for the chemical vapor deposition of titanium or titanium nitride
US6231999B1 (en) * 1996-06-21 2001-05-15 Cardinal Ig Company Heat temperable transparent coated glass article
US5968594A (en) * 1996-06-28 1999-10-19 Lam Research Corporation Direct liquid injection of liquid ammonia solutions in chemical vapor deposition
US5980977A (en) * 1996-12-09 1999-11-09 Pinnacle Research Institute, Inc. Method of producing high surface area metal oxynitrides as substrates in electrical energy storage
US5989652A (en) * 1997-01-31 1999-11-23 Tokyo Electron Limited Method of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of tin film over titanium for use in via level applications
FR2766817B1 (fr) * 1997-07-31 1999-08-27 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent muni d'au moins une couche reflechissante et son procede d'obtention
KR20010042649A (ko) * 1999-02-12 2001-05-25 베리 아이클스 텅스텐 질화물의 화학기상증착
US6265311B1 (en) 1999-04-27 2001-07-24 Tokyo Electron Limited PECVD of TaN films from tantalum halide precursors
US6410433B1 (en) 1999-04-27 2002-06-25 Tokyo Electron Limited Thermal CVD of TaN films from tantalum halide precursors
US6410432B1 (en) 1999-04-27 2002-06-25 Tokyo Electron Limited CVD of integrated Ta and TaNx films from tantalum halide precursors
US6413860B1 (en) 1999-04-27 2002-07-02 Tokyo Electron Limited PECVD of Ta films from tanatalum halide precursors
US6268288B1 (en) 1999-04-27 2001-07-31 Tokyo Electron Limited Plasma treated thermal CVD of TaN films from tantalum halide precursors
US6548402B2 (en) 1999-06-11 2003-04-15 Applied Materials, Inc. Method of depositing a thick titanium nitride film
US6555183B2 (en) * 1999-06-11 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of a titanium nitride film formed by chemical vapor deposition
US20010051215A1 (en) * 2000-04-13 2001-12-13 Gelest, Inc. Methods for chemical vapor deposition of titanium-silicon-nitrogen films
JP2001322833A (ja) * 2000-05-09 2001-11-20 Central Glass Co Ltd 車両用低反射ガラス
US6451692B1 (en) * 2000-08-18 2002-09-17 Micron Technology, Inc. Preheating of chemical vapor deposition precursors
US6854487B2 (en) * 2003-06-26 2005-02-15 General Electric Company Fluid conduit wall inhibiting heat transfer and method for making
WO2005073428A1 (en) * 2004-01-23 2005-08-11 Arkema Inc. Method of depositing film stacks on a substrate
US7966969B2 (en) * 2004-09-22 2011-06-28 Asm International N.V. Deposition of TiN films in a batch reactor
KR100681274B1 (ko) 2004-11-25 2007-02-09 삼성전자주식회사 커패시터 및 그 제조 방법
US7691757B2 (en) 2006-06-22 2010-04-06 Asm International N.V. Deposition of complex nitride films
US7629256B2 (en) * 2007-05-14 2009-12-08 Asm International N.V. In situ silicon and titanium nitride deposition
JP5062144B2 (ja) * 2008-11-10 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 ガスインジェクター
US7833906B2 (en) 2008-12-11 2010-11-16 Asm International N.V. Titanium silicon nitride deposition
WO2011162747A1 (en) 2010-06-22 2011-12-29 Line Travel Automated Coating Inc. Plural component coating application system with a compressed gas flushing system and spray tip flip mechanism
RU2534150C2 (ru) * 2012-05-22 2014-11-27 Николай Евгеньевич Староверов Способ получения нитридной наноплёнки или нанонити
US10139520B2 (en) 2015-01-30 2018-11-27 Cpfilms Inc. Method of using a heat-treated titanium nitride film
JP6851173B2 (ja) * 2016-10-21 2021-03-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB284412A (en) * 1926-11-01 1928-02-01 Henry C Stephens Ltd Improvements in or relating to containers for liquid or semiliquid adhesives
US2865791A (en) * 1954-03-05 1958-12-23 Metallgesellschaft Ag Metal nitride coating process
GB773702A (en) * 1954-03-05 1957-05-01 Metallgesellschaft Ag Method of producing coatings from hard high-melting point nitrides
US2953483A (en) * 1956-08-13 1960-09-20 Owens Illinois Glass Co Method and apparatus for applying coatings to selected areas of articles
US3511703A (en) * 1963-09-20 1970-05-12 Motorola Inc Method for depositing mixed oxide films containing aluminum oxide
US3306768A (en) * 1964-01-08 1967-02-28 Motorola Inc Method of forming thin oxide films
GB1282866A (en) * 1968-08-16 1972-07-26 Pilkington Brothers Ltd Improvements in or relating to the production of glass having desired surface characteristics
BE758067A (fr) * 1969-10-27 1971-04-27 Ppg Industries Inc Appareil de revetement du verre
GB1283432A (en) * 1970-03-24 1972-07-26 Pilkington Brothers Ltd Improvements in or relating to the coating of glass
BE787599A (fr) * 1971-08-16 1973-02-16 Battelle Memorial Institute Vitrage filtrant antisolaire et isolant thermique
US4101703A (en) * 1972-02-04 1978-07-18 Schwarzkopf Development Corporation Coated cemented carbide elements
US3850679A (en) * 1972-12-15 1974-11-26 Ppg Industries Inc Chemical vapor deposition of coatings
US3979500A (en) * 1973-05-02 1976-09-07 Ppg Industries, Inc. Preparation of finely-divided refractory powders of groups III-V metal borides, carbides, nitrides, silicides and sulfides
US4196233A (en) * 1974-02-07 1980-04-01 Ciba-Geigy Corporation Process for coating inorganic substrates with carbides, nitrides and/or carbonitrides
LU74666A1 (da) * 1976-03-29 1977-10-10
US4206252A (en) * 1977-04-04 1980-06-03 Gordon Roy G Deposition method for coating glass and the like
JPS5437077A (en) * 1977-08-02 1979-03-19 Agency Of Ind Science & Technol Chemical evaporation method and apparatus for same
BE879189A (fr) * 1978-10-19 1980-04-04 Bfg Glassgroup Procede de formation d'un revetement d'oxyde d'etain sur un support de verre chaud et produits ainsi obtenus
CH628600A5 (fr) * 1979-02-14 1982-03-15 Siv Soc Italiana Vetro Procede pour deposer en continu, sur la surface d'un substrat porte a haute temperature, une couche d'une matiere solide et installation pour la mise en oeuvre de ce procede.
US4401052A (en) * 1979-05-29 1983-08-30 The University Of Delaware Apparatus for continuous deposition by vacuum evaporation
IT1134153B (it) * 1979-11-21 1986-07-31 Siv Soc Italiana Vetro Ugello per depositare in continuo su un substrato uno strato di una materia solida
US4325988A (en) * 1980-08-08 1982-04-20 Ppg Industries, Inc. Deposition of coatings from fine powder reactants
CH640571A5 (fr) * 1981-03-06 1984-01-13 Battelle Memorial Institute Procede et dispositif pour deposer sur un substrat une couche de matiere minerale.

Also Published As

Publication number Publication date
MX160808A (es) 1990-05-25
EP0128169B1 (en) 1990-07-11
GB2141444B (en) 1986-06-11
US4585674A (en) 1986-04-29
CH662808A5 (fr) 1987-10-30
AU565957B2 (en) 1987-10-01
WO1984002128A1 (en) 1984-06-07
IT8368218A0 (it) 1983-11-21
EP0128169A4 (en) 1985-08-27
US4535000A (en) 1985-08-13
DE3390341T1 (de) 1985-01-10
GB8417560D0 (en) 1984-08-15
AU2269883A (en) 1984-06-18
SE8403834D0 (sv) 1984-07-23
CA1222912A (en) 1987-06-16
ES527422A0 (es) 1984-11-01
DK353284D0 (da) 1984-07-19
DK353284A (da) 1984-07-19
SE453491B (sv) 1988-02-08
EP0128169A1 (en) 1984-12-19
US4524718A (en) 1985-06-25
SE8403834L (sv) 1984-07-23
ES8500874A1 (es) 1984-11-01
DE3390341C2 (da) 1992-10-22
DK162938C (da) 1992-05-25
IT1203683B (it) 1989-02-15
GB2141444A (en) 1984-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK162938B (da) Fremgangsmaade til afsaetning af en transparent, solstraaleregulerende film hovedsageligt bestaaende af titannitrid paa et transparent, opvarmet, baandformet glassubstrat
DK168664B1 (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et pladeglasprodukt
CN102378682A (zh) 薄膜涂层及其制备方法
JPH0196044A (ja) 低放射率金属酸化物被覆の形成方法
CA1200444A (en) Coating process using alkoxy substituted silicon- bearing reactant
JP4441741B2 (ja) 高い反射率を有する被覆基体
McCurdy Successful implementation methods of atmospheric CVD on a glass manufacturing line
DK168793B1 (da) Fremgangsmåde til fremstilling af en titanoxynitridovertrukket genstand samt anvendelse af således fremstillede genstande
US4857361A (en) Haze-free infrared-reflecting coated glass
EP0353461B1 (en) Chemical vapor deposition of bismuth oxide
US20080038457A1 (en) Near infrared reflecting coatings on glass
JPH04265253A (ja) 被覆ガラス及びその製造法
SE513945C2 (sv) Glasningspanel med solfiltrerande egenskaper
JPS62502811A (ja) 透明な曇りのない酸化すず被膜の形成方法
EP1105356B1 (en) Process for coating glass
KR920007956B1 (ko) 헤이즈가 없는 투명한 산화주석코팅막의 제조방법
US4775552A (en) Nebulizable coating compositions for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings
CS218598B2 (en) Method of depositing the coating of the tin oxide of low specific resistance on the mineral base
JPH0230765A (ja) 酸化錫被覆の形成方法
WO2005073428A1 (en) Method of depositing film stacks on a substrate
WO2022255200A1 (ja) 積層膜付き基材
JP2007022839A (ja) 調光ガラスの製造方法
US4954367A (en) Vapor deposition of bis-tributyltin oxide
JPS59502062A (ja) 窒化チタニウムフィルムの化学蒸着方法
AU2002300125B2 (en) Coated substrate with high reflectance

Legal Events

Date Code Title Description
PBP Patent lapsed