DE8502446U1 - Gaslaser mit einem frequenzselektiven dielektrischen Schichtensystem - Google Patents
Gaslaser mit einem frequenzselektiven dielektrischen SchichtensystemInfo
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08018—Mode suppression
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Description
Balzers Aktiengesellschaft Unser Zeichen
Für st enttarn Liechtenstein VPA 85 P 8 O O 5 DE
Siemens Aktiengesellschaft
Berlin und München
Berlin und München
Gaslaser mit einem frequenzselektiven dielektrischen Schichtensystem.
Die Erfindung betrifft einen Gaslaser gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ein solcher Laser ist beispielsweise
aus der DE-OS 23 42 911 bekannt.
Gaslaser strahlen gewöhnlich auf einer Vielzahl von Wellenlängen. Man muß daher, wenn nur eine einzige
Wellenlänge benötigt wird, Vorkehrungen zur Unterdrükkung des restlichen Emissionsspektrums treffen. In der
eingangs zitierten Offenlegungsschrift wird hierzu vorgeschlagen, einen der beiden Resonatorspiegel folgendermaßen
zu beschichten: Vor und hinter einer λ/2-Schicht befinden sich - in spiegelsymmetrischer Anordnung - mehrere,
jeweils aus einer optisch dichten und einer optisch dünnen λ/4-Schicht gebildete Paare (A= Wellenlänge
des störenden Lichts). Ein derartiges Schichtensystem liefert ein ausgeprägtes Reflexionsminimum. Man kann
damit aus einer Reihe relativ eng benachbarter Laserlinien
ohne weiteres eine bestimmte Linie wegfiltern; es bereitet aber Schwierigkeiten, umgekehrt aus dem gleichen
Spektrum alle Linien bis auf eine zu unterdrücken.
Eine solche Frequenzcharakteristik ließe sich durch eine modifizierte Beschichtung erzielen. Hierfür sind allerdings
Schichtengefüge erforderlich, deren Reflexionsmaxima temperatur- und druckabhängig sind, und zwar in
einem Ausmaß, das beispielsweise bei einem Ar+-Laser mit seinen relativ geringen Linienabständen zu spürbaren
Leistungseinbüßen "führt. Weniger kritisch sind die Verhältnisse,
wenn man die Linienauswahl durch dielektrische Kantenfilter auf beiden Spiegeln trifft. Dem ste-Les
1 Lk/9.1.1985
85 P 8 O O 5 DE
her allerdings höhere Kosten gegenüber: Die Spiegelherstellung ist aufwendig - man muß ein relativ weiches
Material mit einer häufig auch noch gekrümmten Oberfläche polieren und beschichten - und führt zu Ausbeuten von
deutlich unter 100%.
Natürlich könnte man mit breitbandigen Spiegeln arbeiten
und die Linienauswahl durch Etalons, frequenzselektive Polarisatoren oder dispergierende Elemente besorgen
lu lassen {uei—kjo c\j ou ?£.? uuer tro-uo <nj fy /η-ό). ^uä
Teile im Resonator sollten allerdings nach Möglichkeit vermieden werden, allein schon deshalb, weil sie den
Aufbau komplizierter machen und den Strahl schwächen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Laser der eingangs genannten Art so auszugestalten, daß
störende Frequenzanteile des Laserlichts einfach und zuverlässig unterbunden werden. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß
durch eine Lasertype mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Der vorgeschlagene Gaslaser läßt sich relativ kostengünstig
fertigen: Zusatzteile sind nicht erforderlich. Das Brewster-Fenster besteht gewöhnlich aus einem harten,
gut polierbaren Material (Quarz) mit planen Oberflächen; es läßt sich also bequem vergüten und beschichten. Die
Mehrfachschicht ist aus nur zwei Schichtenarten aufgebaut; die Schichten dürfen dabei von ihrem Elealwert ( A). abweichen,
vorausgesetzt, Schichten gleicher Art sind mit einer Toleranz von einigen % - gleich dick. Hinzukommen
bemerkenswerte optische Qualitäten: Verglichen mit einem frequenzseiektiven Spiegel sind die Dämpfungswerte beim Nutz- und Störlicht in etwa gleich und die
Einflüsse von Temperatur- und Druckänderungen geringer.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand zusätzlicher Ansprüche.
L' 3 -
VPA 85 P 8 O O 5 DE
Der Lösungsvorschlag soll nun anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert
werden. In den Figuren der Zeichnung sind einander entsprechende Teile mit gleichem Bezugszeichen versehen.
Es zeigen
Fig. 1 das Ausführungsbeispiel in einem schematischen
Fig. 1 das Ausführungsbeispiel in einem schematischen
Längsschnitt und
Fig. 2 von dem Ausführungsbeispiel der Fig. 1 einen vergrößerten Ausschnitt, mit einer genaueren Darstellung
der Mehrfachschicht.
Der dargestellte Laser ist ein Ar+-Laser, der ausschließlich
bei einer Frequenz von 0,488um emittieren soll. Er enthält im einzelnen ein argongefülltes Entladungsrohr 1,
das an seinen beiden Enden mit je einer Entladungselektrode
2, 3 versehen ist und durch ,je ein Brewster-Fenster 4, 5 abgeschlossen wird. Das Rohr befindet sich in einem
durch zwei Spiegel 6, 7 gebildeten Resonator.
Das Fenster 5 ist auf seiner dem Spiegel 7 zugewandten Seite mit einer dielektrischen Mehrfachschicht 8 überzogen.
Dieses Schichtensystem besteht aus zwölf Einzelschichten 9, 10, die abwechselnd einen Brechungsindex von
2,2 bzw. 1,46 haben und 71,2nm bzw. 120,5nm dick sind. Sie bestehen aus aufgedampftem Ta2U3 bzw. S1O2. Die
Brewster-Fenster bestehen ebenfalls aus Quarz.
Für die einzelnen Laserlinien \ mit ihren Anregungswahrscheinlichkeiten A ergeben sich - für p-polarisiertes
Licht bei einem Einfallswinkel von 55,5° - folgende Reflexionsfaktoren Rr,
Ai (nm) | D f οδ ^ | A |
454 | 11 | 0.12 |
456 | 12 | 0.35 |
466 | 13 | 0.2 |
473 | 9.7 | 0.3 |
λ i (nm) | Rp {%) | A |
476 | 7.4 | 0.75 |
488 | 0.000 | 1.5 |
496 | 6.8 | 0.7 |
501 | 17.7 | 0.4 |
514 | 51 | 2.0 |
J '4 -
"VPA 85 P 8 O O 5 OE
Bei Schichtdickenrehiern von -lift und Streulicht- und Absorptionsverlusten
von insgesamt<O,05% belaufen sich die
Verluste bei der O,488um-Linie auf etwa 0,2%. Die übrigen
Laserlinien sind ausgedämpft; dies gilt insbesondere auch für die an sich stark angeregte 0,5i4um-Linie, weil gerade
in diesem Frequenzbereich der R -Wert besonders hoch ist.
Die Erfindung beschränkt sich nicht nur auf das dargestellte Ausführungsbeispiel. So läßt sich die Mehrfachschicht
- in entsprechender Anpassung - für die Selektion anderer Ar+-Linien oder Linien anderer (Edel-)Gase
und in geeigneten Fällen sogar zur Auswahl von mehr als einer Linie verwenden. Davon abgesehen bleibt es dem
Fachmann unbenommen, das Schichtensystem im vorgeschlagene η Rahmen in mehrfacher Hinsicht abzuwandeln: Die
niedrig- und/oder hochbrechenden Schichten könnten beispielsweise zur Steigerung der Selektivität - dicker
gewählt werden (q>1); die Mehrfachschicht könnte wenigstens teilweise auf die Innenseite des Brewster-Fensters
aufgebracht werden - eine Aufteilung auf beide Fensterseiten kann sich aus Gründen der Thermostabilität empfehlen;
die Schichten lassen sich auch auf andere Weise, beispielsweise durch eine Sputtertechnik, auftragen. Im
übrigen ist es ohne Belang, ob das Brewster-Fenster einen gasdichten Rohrabschluß bildet oder rein mechanisch gehaltert
wird.
7 Pe*eß*|fnsprüche
2 Figuren
2 Figuren
Claims (7)
1. Gaslaser, enthaltend
1a) ein Entladungsrohr, das
b).zumindest an einem seiner beiden Enden mit einem Brewster-Fenster versehen ist;
1a) ein Entladungsrohr, das
b).zumindest an einem seiner beiden Enden mit einem Brewster-Fenster versehen ist;
2a) ein frequenzselektives dielektrisches Schichtensystem zur Unterdrückung unerwünschter Laserlinien,
mit
b) einer Mehrfachschicht aus mehreren aufeinander folgenden Schichten, die alternierend einen hohen Brechungsindex
nn ("Schichten erster Art") und einen niedrigen Brechungsindex n^ ("Schichten zweiter Art")
aufweisen (An = H^-Ii1=O, 5) und insbesondere die gleiche
optische Dicke haben;
dadurch gekennzeichnet, daß 2c) das Schichtensystem auf demBrewster-Fenster (5)
angeordnet ist,
d) ausschließlich aus der Mehrfachschicht (8) besteht, e) zwischen fünf und neun Schichten (9, 10) jeder Art
vorgesehen sind, und daß gilt:
f) 0 2^ ^l
f) 0 2^ ^l
(dim « Dicke der i-ten Schicht der m-ten Art,
gemessen in Richtung des durchtretenden Lichts; q * ganze Zahl - 0;
A. = Wellenlänge der gewünschten Laserlinie in der
jeweiligen Schicht).
2. Laser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß gilt: 0,99dQm =dim=1,01dQm und
3. Laser nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrfachschicht (8) aus höchstens
sieben Schichten (9, 10) jeder Art besteht und daß gilt: 1,9=nh = 2,5 , 1,38=^^1,7 und ^n = O,6.
Il ) 1 )
-'•6 - VPA 85P 8 O 05 QE
4. Argon-Ionen-Laser nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß λ= 0,488um, daß die
Mehrfachschicht (8) aus mindestens sechs Schichten (9, 10) Jeder Art besteht und daß gilt:
2,1 = 1^ = 2,3 und 1,4 = ^ = 1,5.
5. Laser nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die Mehrfachschicht (8) aus sechs Schichten (9, 10) jeder Art besteht, daß n^ und U1 Werte
von etwa 2,2 bzw. 1,46 haben und daß die Schichten (9, 10) der ersten und zweiten Art etwa 71,2nm bzw. 120,5nm dick
sind.
6. Laser nach Anspruch 5, dadurch gekenn zeichnet, daß die Schichten (9, 10) erster und
zweiter Art aus Ta£°3 bzw* Si02
7. Laser nach einem der Ansprüche 1 bis 6, d a d u r ch gekennzeichnet, daß sich die Mehrfachschicht
(8) auf der Außenseite des Brewster-Fensters (5) befindet.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19858502446 DE8502446U1 (de) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | Gaslaser mit einem frequenzselektiven dielektrischen Schichtensystem |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19858502446 DE8502446U1 (de) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | Gaslaser mit einem frequenzselektiven dielektrischen Schichtensystem |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE8502446U1 true DE8502446U1 (de) | 1986-09-11 |
Family
ID=6776840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19858502446 Expired DE8502446U1 (de) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | Gaslaser mit einem frequenzselektiven dielektrischen Schichtensystem |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE8502446U1 (de) |
-
1985
- 1985-01-30 DE DE19858502446 patent/DE8502446U1/de not_active Expired
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