DE19541014A1 - Antireflexschichtsystem und Verfahren zur Herstellung eines Antireflexschichtsystems - Google Patents

Antireflexschichtsystem und Verfahren zur Herstellung eines Antireflexschichtsystems

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Description

Die Erfindung betrifft einen optisch wirkenden Schichtbelag, bestehend aus einem auf Substraten angeordneten Mehrschichtensystem, wobei das Schichtensystem eine hohe Antireflexwirkung und eine hohe Lichttransmission aufweist oder eine ho­ he Antireflexwirkung bei gegebener Lichttransmis­ sion.
Derartige Antireflexschichten werden vorzugsweise auf im sichtbaren Lichtspektrum transparenten Substraten, insbesondere Glasscheiben, aufge­ bracht, welche z. B. zum Schutz vor Gemälden oder zum Einsatz in Vitrinen oder auch als Schaufen­ sterscheiben verwendet werden.
Aus der DE 41 17 257 ist ein Schichtsystem bekannt, welches auf einem transparenten Substrat aufge­ bracht ist und eine hohe Antireflexwirkung auf­ weist. Dieses auf der DE 39 42 990 basierende Schichtsystem besteht im wesentlichen aus auf dem Substrat in abwechselnder Folge aufgebrachter Me­ talloxyd- und Nitridschichten. Die nach der DE 41 17 257 hergestellten Schichtsysteme genügen dem heute geforderten hohen Transmissionsgrad und den Forderungen nach einem kostengünstigen Herstel­ lungsverfahren nicht mehr. Insbesondere die dort vorgeschlagenen, aus TiO₂ bestehenden Schichten lassen sich nur unter hohem Fertigungsaufwand in entsprechend teueren Herstellungsverfahren produ­ zieren, da die Sputterrate von TiO₂ bei den dort eingesetzten Beschichtungsverfahren ca. 5 mal kleiner ist als die für niederbrechendes SiO₂.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein gattungsgemäßes Schichtsystem und dessen Herstel­ lungsverfahren anzugeben, welches die Nachteile der eingangs genannten Schichtsysteme vermeidet und die heute geforderten Anforderungen im Hin­ blick auf die Entspiegelungswirkung, die Kon­ trasterhöhung und Erhöhung der Antistatikwirkung heutiger Schichten erfüllt.
Dabei sollen gleichzeitig Voraussetzungen dafür geschaffen werden, daß eine nur geringe Anzahl von Einzelschichten benötigt wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein die Merkmale des Hauptanspruchs aufweisendes Schicht­ system erfüllt. Ein Verfahren zur Herstellung ei­ nes erfindungsgemäßen Schichtsystems ist mit den im Anspruch 10 aufgeführten Merkmalen angegeben.
Ein erfindungsgemäßes Schichtsystem besteht aus mehreren, einen Belag bildenden Einzelschichten, welche sukzessive auf einem lichttransparenten Substrat mittels eines vakuumgestützten Beschich­ tungsverfahrens aufgetragen werden, wobei minde­ stens zwei Einzelschichten aus einem Nitrid oder einem Mischnitrid bestehen und mindestens eine der Nitridschichten aus einem Metallnitrid oder aus einem Metallmischnitrid besteht. Vorzugsweise sind hierfür Metallnitride aus der Gruppe Titannitrid (TiN) und/oder Zirkonnitrid (ZrN) (siehe Anspruch 2) vorgesehen, welche vorteilhaft sowohl chemisch als auch mechanisch stabile und harte Schichten bilden. Diese Metallnitridschichten bilden damit einen vorteilhaften Ersatz für die bisher in klas­ sischen Entspiegelungsfilterschichten verwendeten, hoch brechenden Oxydschichten. Als Substratmateri­ al ist, wie in Anspruch 8 genannt, z. B. Glas vor­ gesehen, das einen Brechungsindex nG von 1,46 nG 1,6 aufweist.
Weiterhin ist vorgesehen, daß die sehr dünnen, er­ findungsgemäß wie in Anspruch 8 angegeben, rund 70 nm bis 90 nm dicken Metallnitridschichten je­ weils zwischen zwei Nitridschichten eingebettet sind. Diese Einbettung gewährleistet in überra­ schender Weise, daß eine Zerstörung einer z. B. aus Zirkonnitrid oder Titannitrid bestehenden Schicht durch Oxydation infolge einer direkt an diese Schichten angelagerte Oxydschicht vermieden wird. Hierdurch wird eine hohe optische Stabilität und Qualität des Gesamtschichtsystems auch über einen langen Zeitraum gewährleistet.
Von Vorteil ist weiterhin, daß Metallnitridschich­ ten aufweisende Schichtsysteme eine gute Antista­ tikwirkung aufweisen, was eine deutliche Reduzie­ rung bzw. Verhinderung elektrostatischer Aufladun­ gen, wie diese z. B. bei Fernsehbildkathodenstrahl­ röhren sonst auftreten könnten, bewirkt.
Wie in den Unteransprüchen 3 bzw. 6 angegeben, um­ faßt ein erfindungsgemäßes Schichtsystem z. B. vier bzw. fünf Einzelschichten, die sukzessive auf ei­ nem Substrat mittels eines Kathodenzerstäubungs­ verfahrens nach Anspruch 10 aufgebracht werden. Gemäß Anspruch 7 ist vorgesehen, daß zur Verbesse­ rung der Haftfestigkeit der Nitridschichten auf einer untergelegten Oxydschicht die Nitridschicht auf der Oxydschicht mittels einer Haftvermittler­ schicht angelagert ist, welche vorzugsweise aus Nickel-Chrom-Nitrid (NiCrN) besteht und eine Schichtdicke von vorzugsweise 1 nm bis 25 nm auf­ weist.
Zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Schichtsy­ stems mittels eines Sputterverfahrens ist vorgese­ hen, ein mit einer Mittelfrequenz-Stromversorgung im Frequenzbereich von 20 kHz bis 70 kHz elek­ trisch betriebenes Doppelmagnetron einzusetzen, was eine vorteilhafte, kostengünstige und qualita­ tiv hochwertige Schichtenherstellung ermöglicht. Typische Prozeßkammerdrücke zur Schichterzeugung liegen in einem Druckbereich von 1×10-3 mbar bis 8×10-3 mbar. Je nach aufzubringender Schichtart be­ steht das Prozeßgas aus einem Edelgas, vorzugswei­ se Argon, und einem Reaktivgas, vorzugsweise Stickstoff bzw. Sauerstoff.
Ein weiterer Vorteil einer erfindungsgemäß herge­ stellten Schicht besteht in der im Vergleich zu herkömmlich hergestellten Schichtsystemen geringen Gesamtdicke von nur ca. 100 nm. Im Vergleich hier­ zu weisen klassische Entspiegelungsschichtsysteme Gesamtdicken von ca. 240 nm bis 350 nm Schichtdicke auf, die damit nur kostenaufwendiger herzustel­ len sind, da die Sputterrate von hochbrechendem Material wie TiO₂ sehr klein ist im Vergleich zu SiO₂. ZrN und TiN weisen vergleichbare Raten zu TiO₂ auf, jedoch wird die erfindungsgemäß erforder­ liche Schichtdicke bei gleicher Wirkung sehr viel geringer; z. B. weist eine herkömmlich verwendete TiO₂-Schicht eine Dicke von ca. 100 nm auf, wohin­ gegen eine ZrN- bzw. TiN-Schicht lediglich eine Dicke von 10 nm besitzt.
Weitere vorteilhafte Merkmale der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Nachfolgend werden besonders vorteilhafte Ausfüh­ rungsbeispiele in den Figuren beschrieben.
Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt eines aus vier Ein­ zelschichten bestehenden, auf einem Substrat anliegenden Schichtensystem,
Fig. 2 einen Querschnitt durch ein aus vier Einzelschichten bestehendes Schichtsy­ stem,
Fig. 3 eine Querschnittansicht eines aus fünf Einzelschichten bestehenden Schichtsy­ stems,
Fig. 4 eine Querschnittsansicht eines aus fünf Einzelschichten bestehenden Schichtsy­ stems,
Fig. 5 eine Transmissionsgrad- bzw. Reflexions­ gradkurve in Abhängigkeit der Lichtwel­ lenlänge für ein aus vier Einzelschich­ ten bestehendes Schichtsystem nach ei­ nem ersten Ausführungsbeispiel,
Fig. 6 eine Transmissionsgrad- bzw. Reflexions­ gradkurve in Abhängigkeit der einfal­ lenden Lichtwellenlänge eines aus vier Einzelschichten bestehenden Schichtsy­ stems nach einem zweiten Ausführungs­ beispiel und
Fig. 7 eine Transmissionsgrad- bzw. Refle­ xionsgradkurve in Abhängigkeit der Lichtwellenlänge eines aus fünf Einzel­ schichten bestehenden Schichtsystems.
Die in den Fig. 1 bis 4 dargestellten Schicht­ systeme bestehen aus vier, wie in den Fig. 1 und 2 wiedergegeben, bzw. aus fünf (siehe Fig. 3) oder sechs (siehe Fig. 4) auf einem Substrat 2 mittels eines vakuumgestützten Beschichtungsver­ fahrens aufgebrachter Einzelschichten 4, 6, 8, 10, 12, 14.
Das Schichtsystem 1 des ersten Ausführungsbei­ spiels (siehe Fig. 1) ist wie folgt aufgebaut:
  • - Auf der Vorderseite 16 des Substrats 2 ist eine erste, absorptionsfreie Schicht 4 auf­ gebracht, welche aus Si₃N₄ bzw. AlN besteht und eine Schichtdicke von 20 nm bis 24 nm aufweist,
  • - die zweite optisch wirksame Schicht 6 be­ steht aus einer 7 nm bis 9 nm dicken ZrN- oder TiN-Schicht,
  • - die dritte optisch wirksame Schicht 8 be­ steht aus einer absorptionsfreien Si₃N₄- bzw. AlN-Schicht, die eine Schichtdicke von 1,5 nm bis 2,5 nm aufweist,
  • - die vierte optisch wirksame Schicht 10 be­ steht aus einer absorptionsfreien Schicht aus SiO₂ oder MgF₂ oder aus Al₂O₃ und weist eine Schichtdicke von 60 nm bis 100 nm auf.
Das Schichtsystem des zweiten, in Fig. 2 darge­ stellten Ausführungsbeispiels ist wie folgt aufge­ baut:
  • - Die erste, unmittelbar auf der Vorderseite 16 des Substrats 2 aufgebrachte Schicht 12 besteht aus TiO₂ oder Ta₂O₅ und weist eine Schichtdicke von 20 nm bis 24 nm auf,
  • - die zweite optisch wirksame Schicht 6 be­ steht aus ZrN bzw. TiN und weist eine Schichtdicke von 7 nm bis 9 nm auf,
  • - die dritte optisch wirksame Schicht 8 be­ steht aus Si₃N₄ bzw. AlN und weist eine Schichtdicke von 1,5 nm bis 2,5 nm auf,
  • - die vierte optisch wirksame Schicht 10 be­ steht aus SiO₂ oder aus MgF₂ oder aus Al₂O₃ und weist eine Schichtdicke von 60 nm bis 100 nm auf.
Das Schichtsystem des dritten, in Fig. 3 darge­ stellten Ausführungsbeispiels ist wie folgt aufge­ baut:
  • - Die unmittelbar auf dem Substrat 2 aufge­ brachte erste Schicht 12 besteht aus einer absorptionsfreien, aus TiO₂ bzw. Ta₂O₅ be­ stehenden Oxydschicht mit einer Schichtdicke von 20 nm bis 24 nm,
  • - die auf die erste Schicht 12 aufgebrachte zweite Schicht 4 besteht aus Si₃N₄ bzw. aus AlN und besitzt eine Schichtdicke von 20 nm bis 24 nm,
  • - die dritte optisch wirksame Schicht 6 be­ steht aus ZrN bzw. aus TiN und besitzt eine Schichtdicke von 7 nm bis 9 nm,
  • - als vierte optisch wirksame Schicht ist ei­ ne absorptionsfreie, aus Si₃N₄ bzw. AlN be­ stehende Nitridschicht vorgesehen, die eine Schichtdicke von 1,5 nm bis 2,5 nm auf­ weist,
  • - als fünfte Schicht ist eine absorptions­ freie, aus SiO₂ oder aus MgF₂ bzw. Al₂O₃ be­ stehende Schicht 10 vorgesehen, die eine Schichtdicke von 60 nm bis 100 nm aufweist.
Das Schichtsystem des vierten, in Fig. 4 darge­ stellten Ausführungsbeispiels weist insgesamt sechs Schichten auf und ist wie folgt aufgebaut:
  • - Als erste Schicht 12 ist eine absorptions­ freie Oxydschicht, bestehend aus TiO₂ bzw. Ta₂O₅, mit einer Schichtdicke von 20 nm bis 24 nm vorgesehen, auf welcher eine
  • - zweite, aus Nickel-Chrom-Nitrid bestehende Haftvermittlerschicht aufgebracht ist, wel­ che eine Schichtdicke von 1 nm bis 3 nm aufweist,
  • - als zweite optisch wirksame Schicht ist ei­ ne absorptionsfreie, aus Si₃N₄ bzw. AlN be­ stehende Nitridschicht 4 vorgesehen, die eine Schichtdicke von 20 nm bis 24 nm auf­ weist, auf welche
  • - eine dritte optisch wirksame und absorbie­ rende Nitridschicht 6 aufgebracht ist, wel­ che aus ZrN bzw. aus TiN besteht und eine Schichtdicke von 7 nm bis 9 nm aufweist, auf welche
  • - eine vierte optisch wirksame, absorptions­ freie Nitridschicht 8, bestehend aus Si₃N₄ bzw. AlN, in einer Schichtstärke von 1,5 nm bis 2,5 nm aufgebracht ist und aus
  • - einer fünften optisch wirksamen Schicht 10, welche aus SiO₂ oder MgF₂ oder aus Al₂O₃ be­ steht und eine Schichtdicke von 60 nm bis 100 nm aufweist.
Das Substrat 2 in den vorgenannten vier Ausfüh­ rungsbeispielen besteht aus Glas, insbesondere aus Floatglas, Mineralglas oder auch Plexiglas, und weist einen Brechungsindex nG von 1,46 nG 1,6, vorzugsweise von nG = 1,52 auf. Die wesentlichen, lichtoptisch wirksamen Eigenschaften der durch die Schichtenabfolge und jeweiligen Schichtendicke de­ finierten Kenngrößen bilden der Reflexionsgrad bzw. Transmissionsgrad in Abhängigkeit der einfal­ lenden Lichtwellenlänge. Der Grundgedanke der Er­ findung läßt damit eine Vielzahl von Ausführungs­ beispielen bzw. Schichtsystemen zu, die in den nachfolgend beschriebenen drei Beispielen durch die Wahl der genannten Schichtenmaterialien und Schichtendicken charakterisiert sind. Vorgestellt werden Schichtsysteme, bei denen der Reflexions­ grad und der Transmissionsgrad im sichtbaren Wel­ lenlängenbereich des Lichts gemessen wurde.
Die Meßergebnisse sind graphisch anhand von Kurven in den Fig. 5, 6 und 7 dargestellt. Bei der Be­ schreibung des der Fig. 6 zugrunde liegenden Schichtsystems werden die Bezugsziffern der Be­ schreibung der Fig. 1 benutzt und bei der Be­ schreibung des in Fig. 7 dargestellten Schichtsy­ stems werden die Bezugsziffern der Beschreibung der Fig. 3 benutzt.
Das Schichtsystem des ersten Beispiels ist wie folgt aufgebaut:
Substrat 2: Material Glas, Dicke: 2 mm;
Schicht 4: Material Si₃N₄, Schichtdicke 22 nm;
Schicht 6: Material ZrN, Schichtdicke 8 nm;
Schicht 8: Material Si₃N₄, Schichtdicke 6 nm;
Schicht 10: Material SiO₂, Schichtdicke 76 nm.
Die in Fig. 4 mit 14 bezeichnete Haftvermittler­ schicht ist in diesem Ausführungsbeispiel nicht vorhanden.
Für dieses Schichtsystem wird der Reflexions- bzw. Transmissionsgrad in Prozent über einen Wellenlän­ genbereich von 400 nm bis ca. 700 nm angegeben.
Nachfolgend werden die Meßergebnisse für die Re­ flexion und die Transmission in Tabelle 1 bestimm­ ten Wellenlängen gegenübergestellt:
Tabelle 1
Die Meßergebnisse werden wie dargelegt als Kurven in Fig. 5 graphisch dargestellt. Zur Führung des Auges sind die einzelnen Meßpunkte miteinander verbunden. Auf der Abszisse des Koordinatensystems in Fig. 5 sind die Wellenlängen in µm eingetra­ gen. Auf der linken Ordinate des Kurvendiagramms sind die Meßwerte für den Reflexionsgrad und auf der rechten Ordinate des Koordinatensystems sind die Prozentwerte für den Transmissionsgrad einge­ tragen.
Aus dem Verlauf der Reflexionskurve ist ersicht­ lich, daß im Kernwellenlängenbereich von 420 nm bis 680 nm der Reflexionsgrad weit geringer als 0,5% beträgt. Dieser gewünschten hohen Antire­ flexwirkung korrespondiert der Verlauf der über dem genannten Wellenlängenbereich hohe Werte aufweisende Transmissionsgradkurve. So weist das Schichtsystem im genannten Wellenlängenbereich ho­ he Transmissionsgradwerte zwischen 80% und 90% auf.
Das Schichtsystem des zweiten, in Fig. 2 darge­ stellten Beispiels, ist wie folgt aufgebaut:
Substrat 2: Material Glas, Dicke 2 mm;
Schicht 12: Material TiO₂, Schichtdicke 12 nm;
Schicht 6: Material ZrN, Schichtdicke 10 nm;
Schicht 8: Material Si₃N₄, Schichtdicke 10 nm;
Schicht 10: Material SiO₂, Schichtdicke 74 nm.
Das Reflexions- und Transmissionsverhalten dieses Schichtsystems ist für den Wellenlängenbereich von 400 nm bis 688 nm in Fig. 6 in Abhängigkeit der Lichtwellenlänge aufgetragen. Die den der Fig. 6 zugrunde liegenden Reflexions- und Transmissions­ werte sind in der Tabelle 2 gegenübergestellt:
Tabelle 2
Aus dem lichtwellenlängenabhängigen Verhalten der in Fig. 6 eingezeichneten Reflexionskurve ist er­ sichtlich, daß diese im optisch sichtbaren Bereich sehr geringe Reflexionswerte von kleiner als 0,2% im Intervall von 420 nm bis 660 nm aufweist. Nur für kleinere Lichtwellenlängen als 400 nm bzw. bei größeren Lichtwellenlängen als 700 nm beträgt der Reflexionsgrad größer als 0,5%. Das Transmissi­ onsverhalten des letztgenannten Schichtsystems be­ stimmt sich durch einen hohen Transmissionsgrad von über 90% bei 400 nm und fällt zu höheren Wel­ lenlängen auf ca. 75% bei 688 nm im wesentlichen linear ab.
Ein dem zweiten Beispiel ähnliches lichtwellenlän­ genabhängiges Transmissions- und Reflexionsver­ halten zeigt das in Fig. 3 dargestellte dritte beispielhafte Schichtsystem. Dieses letztgenannte Schichtsystem besteht auf dem folgenden Schicht­ aufbau:
Substrat 2: Material Glas, Dicke 2 mm;
Schicht 12: Material TiO₂, Schichtdicke 10 nm;
Schicht 6: Material Si₃O₄, Schichtdicke 2 nm;
Schicht 6: Material ZrN, Schichtdicke 10 nm;
Schicht 8: Material Si₃N₄, Schichtdicke 10 nm;
Schicht 10: Material SiO₂, Schichtdicke 75 nm.
Im Vergleich zu dem im zweiten Beispiel beschrie­ benen Schichtsystem weist dieser Schichtbelag eine weitere, aus Si₃N₄ bestehende Schicht auf. Das Transmissions- und Reflexionsvermögen des Schicht­ systems nach Beispiel 3 ist als Funktion der Lichtwellenlänge in Fig. 7 dargestellt. Ein Ver­ gleich der Funktionsverläufe mit denen in der Fig. 6 zeigt, daß das Reflexions- und Transmissi­ onsverhalten ähnlich dem des in Beispiel 2 vorge­ stellten Schichtsystems ist. Auch bei dem Schicht­ system nach Beispiel 3 wird wie gewünscht ein sehr geringer Reflexionsgrad und hoher Transmissions­ grad über den optisch sichtbaren Lichtwellenlän­ genbereich realisiert. Die der Fig. 7 zugrunde liegenden Reflexions- und Transmissionswerte sind in der nachfolgenden Tabelle 3 aufgelistet.
Tabelle 3
Die Schichtsysteme, mit denen die oben in den Be­ spielen 1 bis 3 genannten Transmission- und Refle­ xionswerte erzielt wurden, sind nach dem im fol­ genden beschriebenen Verfahren hergestellt worden. In reaktiver Gasatmosphäre von ca. 5 × 10-3 mbar wurde je nach abzuscheidender optischer Schicht als Targetmaterial Titan, Zirkonium, Silicium, Aluminium, Tantal oder Nickelchrom ausgewählt. Un­ ter Verwendung von Edelgas unter Hinzufügung eines Reaktivgases, wie z. B. eines Ar/N-Gasgemisches, wurde von der Targetoberfläche unter Sputterein­ wirkung Targetsubstanzmaterial abgesputtert, wel­ ches sich auf dem zu beschichtenden Substrat 2 als chemische Verbindung, wie z. B. ZrN oder Si₃N₄, nie­ derschlägt und sich als eine geschlossenen Einzel­ schicht ausbildet. Durch zeitliche Abfolge des Sputterprozesses an verschiedenen Targetmateriali­ en werden nacheinander einzelne, aus unterschied­ lichen chemischen Elementen zusammengesetzte Ver­ bindungen bestehende Einzelschichten zu einem Schichtsystem aufgebaut, welches die genannten op­ tisch wirkenden Eigenschaften aufweist.
Auf der beschichteten Seite der Schichtsysteme wurde jeweils der Flächenwiderstand R zu R 5 kΩ/ gemessen. Die statische Aufladung der beschichteten Flächen wird durch Erdung derselben reduziert bzw. sogar vollständig aufgehoben. Damit wird der gewünschte Antistatikeffekt erzielt.
Bezugszeichenliste
1 Belag, Schichtsystem
2 Substrat, Glas
4 erste Schicht
6 zweite Schicht
8 dritte Schicht
10 vierte Schicht, Deckschicht
12 Oxydschicht
14 Haftvermittlerschicht
15 Rückseite
16 Vorderseite

Claims (16)

1. Belag bestehend aus einem optisch wirkenden Schichtsystem für Substrate, wobei das Schichtsystem insbesondere eine hohe Antire­ flexwirkung und eine hohe Lichttransmission aufweist oder eine hohe Antireflexwirkung bei gegebener Lichttransmission aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß das Schichtsystem (1) mindestens zwei, jeweils aus einem Nitrid oder einem Mischnitrid bestehende Einzel­ schichten (6, 8) umfaßt, wobei mindestens eine der Nitridschichten aus einem Metallnitrid oder einem Metallmischnitrid besteht.
2. Belag nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß die aus Metallnitrid bestehende Ein­ zelschicht aus ZrN und/oder TiN besteht.
3. Belag nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Schichtsystem (1) min­ destens vier Einzelschichten (4, 6, 8, 10, 12) umfaßt, wobei auf dem Substrat (2) eine er­ ste, absorptionsfreie Schicht (4, 12) angeord­ net ist, darauf folgend eine zweite, absor­ bierende Nitridschicht (6), vorzugsweise ZrN oder TiN, angeordnet ist, darauf folgend eine dritte, absorptionsfreie Nitridschicht (8), vorzugsweise bestehend aus SiN oder AlN, an­ geordnet ist, darauf folgend eine vierte, ab­ sorptionsfreie Schicht (10) angeordnet ist, welche einen niedrigen Brechungskoeffizienten aufweist und vorzugsweise aus SiO₂ oder MgF₂ oder Al₂O₃ oder deren Mischoxyde besteht.
4. Belag nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste, auf dem Substrat (2) angeordnete Schicht (4) eine vorzugsweise aus Si₃N₄ oder AlN bestehen­ de Nitridschicht (4) ist.
5. Belag nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste, auf dem Substrat (2) angeordnete Schicht (12) eine vorzugsweise aus TiO₂ oder Ta₂O₅ beste­ hende Oxydschicht ist.
6. Belag nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Schichtsystem (1) min­ destens fünf Einzelschichten (4, 6, 8, 10, 12) umfaßt, wobei auf dem Substrat (2) eine er­ ste, absorptionsfreie Oxydschicht (12), vor­ zugsweise bestehend aus TiO₂ oder Ta₂O₅, ange­ ordnet ist, darauf folgend eine zweite, ab­ sorptionsfreie Nitridschicht (4), vorzugswei­ se bestehend aus Si₃N₄ oder AlN, angeordnet ist, darauf folgend eine dritte, absorbieren­ de Nitridschicht (6), vorzugsweise bestehend aus ZrN oder TiN angeordnet ist, darauf fol­ gend eine vierte, absorptionsfreie Nitrid­ schicht (8), vorzugsweise bestehend aus Si₃N₄ oder AlN angeordnet ist, darauf folgend eine fünfte, absorptionsfreie Schicht (10) ange­ ordnet ist, die einen niedrigen Berechungs­ koeffizienten aufweist und welche vorzugswei­ se aus SiO₂ oder MgF₂ oder Al₂O₃ oder dessen Mischoxyden besteht.
7. Belag nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß zwischen der Oxyd­ schicht (12) und der Nitridschicht (6) eine Haftvermittlerschicht (14) angeordnet ist, welche vorzugsweise aus Nickel-Chrom-Nitrid (NiCrN) besteht und welche eine Schichtdicke von vorzugsweise 1 nm bis 2,5 nm aufweist.
8. Belag, bestehend aus einem optisch wirkenden, Einzelschichten umfassenden Schichtsystem für Substrate, wobei das Schichtsystem insbeson­ dere eine hohe Antireflexwirkung und eine ho­ he Lichttransmission aufweist oder eine hohe Antireflexwirkung bei gegebener Lichttrans­ mission aufweist, insbesondere nach minde­ stens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (2) aus Glas besteht, welches einen Brechungsindex nG mit 1,46 nG 1,60, vorzugsweise mit nG = 1,52, aufweist und wobei die erste auf dem Substrat (2) aufgebrachte Schicht (4) vorzugsweise aus Si₃N₄ besteht und eine Schichtdicke von 200 nm bis zu 240 nm aufweist, daß die zweite Schicht (6) vorzugsweise aus ZrN besteht und eine Schichtdicke von 70 nm bis 90 nm auf­ weist, und daß die dritte Schicht (8) vor­ zugsweise aus Si₃N₄ besteht und eine Schicht­ dicke von 1,5 nm bis 2,5 nm aufweist und wo­ bei die vierte Schicht (10) vorzugsweise aus SiO₂ besteht und eine Schichtdicke von 70 nm bis 80 nm aufweist.
9. Belag nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Schichtsystem (1) einen Flächenwiderstand R von R 5 kΩ/ aufweist.
10. Verfahren zur Herstellung eines Belages nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, da­ durch gekennzeichnet, daß die Einzelschichten (4, 6, 8, 10, 12) mittels eines Kathodenzerstäu­ bungsverfahrens, insbesondere mittels eines reaktiven Sputterverfahrens unter Verwendung eines mit einer Mittelfrequenz- Stromversorgung betriebenen Doppelmagnetrons hergestellt werden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zum Beschichten von Glas (2), insbesondere von Floatglas, durch reaktives Sputtern von einem Silizium-Target unter Ein­ satz eines mit einem Mittelfrequenz-Generator elektrisch betriebenen Doppelmagnetrons eine Schicht aus Si₃N₄ bei Anwesenheit eines Sput­ tergasgemisches, welches Argongas und Stick­ stoffgas aufweist, bei einem Prozeßkammer­ druck p von 1×10-3 mbar p 8×10-3 mbar auf dem Glassubstrat (2) abgeschieden wird.
12. Verfahren nach Anspruch 10 und/oder 11, da­ durch gekennzeichnet, daß durch reaktives Sputtern von einem Silizium-Target mit einem von einem Mittelfrequenz-Generator bei einer Stromfrequenz von 30 kHz bis 60 kHz elek­ trisch versorgten Doppelmagnetron eine Schicht aus SiO₂ bei Anwesenheit eines Sput­ tergasgemisches welches Ar und O₂ umfaßt, ge­ bildet wird, wobei der Prozeßkammerdruck p in einem Bereich von 1×10-3 mbar p 8×10-3 mbar liegt.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß durch reaktives Sputtern von einem Aluminium-Target unter Einsatz eines insbesondere von einem Mittel­ frequenz-Generator elektrisch versorgten Dop­ pelmagnetrons eine Schicht aus Al₂O₃ bei Anwe­ senheit eines Sputtergasgemisches, welches Ar und O₂ umfaßt, bei einem Prozeßkammerdruck p von 1×10-3 mbar p 8×10-3 mbar auf dem Substrat (2) gebildet wird.
14. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Doppelmagnetron bei einer Stromfrequenz von 30 kHz bis 60 kHz betrieben wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (2) aus Glas, vorzugsweise aus Floatglas besteht.
16. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß zum Aufbringen der Einzelschichten (4, 6, 8, 10, 12) ein an sich bekanntes Beschichtungsverfahren eingesetzt wird.
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