DE765253C - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SelengleichrichternInfo
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-
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung vom Selengleichrichter», die sich
in der Durchlaßrichtung' durch eine besonders gute Leitfähigkeit auszeichnen und die in der
Sperrichtung einwandfreie Sperreigenschaffen zeigen.
Es war bekannt, daß zur Erzielung guter Sperrfähigkeit auf die freie Oberfläche des
Halbleiters eine Schicht aus einem isolierenden1 Lack ad!, dgl. oder aber eine Schicht nicht
leitenden Selens oder einer nicht leitenden
Selenverbindung aufgedampft wird. Mit der so erzielten guten Sperrfähigkeit ist jedoch
keineswegs eine besonders gute Leitfähigkeit in der Durchlaßrichtung verbunden. Vielmehr
geht in der Regel mit der Verbesserung der Sperrfähigkeit eine Herabsetzung der
Leitfähigkeit in der Durchlaßrichtung Hand in Hand.
Das Verfahren nach der Erfindung vermeidet
diesen Übelstand, indem durch einen besonderen Arbeitsgang zunächst die Leitfähigkeit
des Halbleiters in der späteren Durchlaßrichtung verbessert wird und durch eine besondere Nachbehandlung die günstigen
Sperreigenschaften hervorgerufen werden. Nach der Erfindung werden bei dem Verfahren
zur Herstellung von Selengleichrichtern
die Gleichrichterelemente nach der Umwandlung des Selens in die leitende kristalline
Form und vor dem Aufbringen der Sperroder Gegenelektrode in eine maximal 5°/oige
Chlor-, Brom- oder Jodlösung getaucht, dann auf etwa 20o° C so lange erwärmt, bis das
Lösungsmittel, die Halogene und deren Reaktionsprodukte mit Selen verdampft sind,
darauf in eine etwa i°/oige methyl- oder äthylalkoholische
Lösung von Kalium- oder Natriumselenid getaucht und abermals auf
etwa 200° C erwärmt, wonach die Sperrelektrode aufgebracht wird. Vermutlich wird
durch die Behandlung mit alkoholischer SeIenidlösung auf der freien Oberfläche des Halbleiters
eine sehr dünne Haut nicht leitenden Selens erzeugt, welche für die guten Sperreigenschaften
maßgebend ist.
Es ist vorteilhaft, die zur Verwendung gelangenden Lösungen in starker Verdünnung
anzusetzen. Die Selenidlösungen sollten möglichst nicht über ι °/o Substanz in Methyloder
Äthylalkohol enthalten, während in den die Leitfähigkeit erzeugenden Lösungen der
Prozentgehalt des Halogens im Lösungsmittel 5% nicht übersteigen sollte. Zweckmäßig
werden die getauchten Platten im nassen Zustand sofort auf eine Heizplatte gebracht.
Ein besonderer Vorzug des Verfahrens nach der Erfindung ist die Möglichkeit, für
das Halbleitermaterial Trägerplatten aus Leichtmetallen ohne besondere Zwischenschicht
zu verwenden. Dem bekannten Vorschlag, dem Halbleiter selbst im geschmolzenen
Zustand Halogenide u. dgl. zur Erhöhung der Leitfähigkeit beizufügen, haftet dieser
Vorzug nicht an. Auch ändert sich die mit solchen Beimengungen zunächst erzielte Leitfähigkeit
wieder mit der Umwandlung des Selens. Ein weiterer Vorzug des neuen Verfahrens liegt darin, daß man weniger abhängig
von dem Selen als Ausgangsmaterial in bezug auf geringe Beimengungen ist und man
vielmehr mit beliebigem Selen brauchbare Ventilzellen erhält, da man die gewünschten
Eigenschaften derselben kurz vor ihrer Vollendung mit dem neuen Verfahren einstellen
kann. Die Leitfähigkeit von so behandelten Selenzellen mit Leichtmetallträgerplatte ist
die 20- bis ßofache derjenigen unbehandelter Gleichrichter, und zwar ohne daß es einer
besonderen Zwischenschicht zwischen Trägerelektrode und Selen bedarf.
Claims (1)
- PaTENTANSPBUCH:Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichrichterelemente nach der Umwandlung des Selens in die leitende kristalline Form und vor dem Aufbringen der Sperrelektrode in eine maximal 5°/oige Chlor-, Brom- oder Jodlösung getaucht, dann auf etwa 2ooc C so lange erwärmt werden, bis das Lösungsmittel, die Halogene und deren Reaktionsprodukte mit Selen verdampft sind, darauf in eine etwa i°/oige methyl- oder äthylalkoholische Lösung von Kalium- oder Xatriumselenid getaucht und abermals auf etwa 2oo° C erwärmt werden, wonach die Sperrelektrode aufgebracht wird.Zur Abgrenzung des Erfindungsgegenstands vom Stand der Technik sind im Erteilungsverfahren folgende Druckschriften in Betracht gezogen worden:Österreichische Patentschrift Xr. 153 134;Ries, »Das Selen«, Diessen vor München, 1918, S. 14, 4. Abs.© 5040 5.53
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| DEN0044394 | 1940-12-23 | ||
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT153134B (de) * | 1936-06-13 | 1938-04-11 | Aeg | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern. |
-
1940
- 1940-12-24 DE DEN44394D patent/DE765253C/de not_active Expired
Patent Citations (1)
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