DE69825808T2

DE69825808T2 - Photoelektrische Umwandlungsanordnung

Info

Publication number: DE69825808T2
Application number: DE69825808T
Authority: DE
Inventors: Eiichi Ohta-ku Takami; Noriyuki Ohta-ku Kaifu; Kenji Ohta-ku Kajiwara
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-04-10
Filing date: 1998-04-06
Publication date: 2005-09-01
Anticipated expiration: 2018-04-07
Also published as: JPH10341013A; EP1432043A3; EP0872896A1; JP3805100B2; US20020070344A1; DE69825808D1; EP1432043A2; US20070108372A1; US7164112B2; US6384393B2; US7663082B2; KR19980081229A; EP0872896B1; KR100467003B1

Description

ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine photoelektrische Umwandlungsanordnung, und bezieht sich insbesondere auf eine photoelektrische Umwandlungsanordnung mit einer zweidimensionalen photoelektrischen Umsetzzone, die geeignet ist, für das Lesen verwendet zu werden (insbesondere zum Lesen mit einer 1:1-Vergrößerung), beispielsweise in Faxgeräten, Digitalkopierern, Röntgenstrahlgeräten zur zerstörungsfreien Untersuchung oder dergleichen.
Zum Stand der Technik.
Bekannt sind jene Leseanordnungen, die ein verkleinerndes optisches System und einen CCD-Sensor als Bildleseeinrichtung für Faxgeräte, Kopierer, Scanner oder für Röntgengeräte verwenden; mit der Entwicklung der photoelektrischen Umsetzhalbleitermaterialien, die typisiert sind durch hydriertes amorphes Silizium (wird nachstehend als a-Si bezeichnet) ist die Entwicklung sogenannter Kontaktsensoren bemerkenswert, bei denen ein photoelektrisches Umsetzelement und ein Signalverarbeitungsabschnitt auf einem großflächigen Substrat gebildet sind, und wobei ein Bild einer Informationsquelle von einem optischen System mit einer 1:1-Vergrößerung (1×-Vergrößerung) relativ zur Informationsquelle gelesen wird. Zum Lesen eines Röntgenbildes werden Röntgenstrahlen in ein Wellenlängenumsetzglied geleitet, wie ein Fluoreszenzglied, um in Licht von Wellenlängen in einen sichtbaren Wellenlängenbereich umgesetzt zu werden vom Sensor, und der Sensor liest das Licht. Da es Lichtverluste im Bildlesesystem des verkleinernden optischen Systems gibt, ist die Leseeffizient beabsichtigt, erhöht zu werden durch Kontaktlesen mit dem Wellenlängenumsetzglied und dem Sensor der einfachen Vergrößerung.
Da insbesondere das a-Si nicht nur als photoelektrisches Umsetzungsmaterial verwendet wird, sondern auch als Material für einen Dünnfilm-Feldeffekttransistor (wird nachstehend als TFT bezeichnet), und da solchermaßen der Vorteil des gleichzeitigen Bildens von Halbleiterschichten für die photoelektrische Umsetzung und für den TFT besteht, zeigt sich eine gute Anpassung mit Kondensatorelementen und Schaltelementen, wie TFT, die gemeinsam gebildet werden. Diese Elemente können gebildet werden durch Stapeln von dünnen Schichten und durch eine Stapelreihenfolge der jeweiligen dünnen Schichten, und diese Elemente können aus demselben Material bestehen. Diese Konfiguration gestattet den dünnen Schichten das Bilden der jeweiligen Elemente, die gleichzeitig als gemeinsame Schichten gebildet werden. Diese Simultanbildung von Elementen senkt die Anzahl von Produktionsschritten und die Länge der Verdrahtungen, wodurch die photoelektrische Umwandlungsanordnung mit einem hohen Störabstand bei geringen Kosten herstellbar ist.
Auch die kapazitiven Elemente (Kondensatoren) können mit guten Eigenschaften hergestellt werden, weil eine Isolationsschicht als Zwischenschicht zwischen den Halbleiterschichten vorgesehen ist, die Elektroden werden. Die Verbesserung der Eigenschaften der kapazitiven Elemente realisiert auch eine hohe funktionale photoelektrische Umwandlungsanordnung, die in der Lage ist, Integralwerte optischer Informationen abzugeben, die eine Vielzahl von photoelektrischen Umsetzungselementen durch eine einfache Struktur erzeugt und auch die Konfigurationen von Faxgeräten und Röntgengeräten mit großer Fläche gestattet, mit einer hochpegligen Funktion und guten Eigenschaften bei geringen Kosten.
Bei derartigen Großbildschirmsensoren mit hohen Kennlinien gab es wegen ihrer großen Bildschirme und großen Fläche einige Fälle, bei denen Strahlungsrauschen auf Grund von Rauschspannung oder Rauschstrom anstieg, um in die photoelektrischen Umsetzungshalbleiterschichten und die TFT-Halbleiterschichten zu gelangen und einen Fehlerbetrieb oder ein Fehlersignal hervorzurufen, wodurch die Zuverlässigkeit der photoelektrischen Umsetzungsanordnung extrem degradiert wird.
Das Mittel, wie es in 1 gezeigt ist, wird gelegentlich als Gegenmaßnahme gegen Strahlungsrauschen verwendet, wie es zuvor beschrieben wurde.
1 ist eine schematische Querschnittsansicht einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung zur Röntgenstrahlfeststellung. In dieser photoelektrischen Umsetzungsanordnung ist auf einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung 21 mit einem photoelektrischen Umsetzungselement und mit TFT ein Metallfilm 26 gebildet, um eine sogenannte Antennenerde zu schaffen, als eine Maßnahme zum Vermeiden des Strahlungsrauschens, das das Eindringen in die Einrichtung verhindert, durch Vakuumdampfauftragung oder dergleichen. Bezugszeichen 23 bedeutet einen Fluoreszenzbildschirm zum Abtasten von Röntgenstrahlen, der auf den Metallfilm 26 mit einem Kleber 24 gestapelt ist.
Es ist jedoch nicht zu verneinen, daß der durch Vakuumdampfauftragung gebildete Metallfilm oder dergleichen nachteilig hinsichtlich der Kosten ist. Es gibt auch Raum zur Verbesserung in Hinsicht der Ausbeute.
Es ist unmöglich, feinen Staub während der Herstellung vollständig von den photoelektrischen Umsetzhalbleiterschichten fern zu halten, insbesondere zwei Arten von Staub bilden ein Problem; Staubpartikel, die von der Innenwand des Dünnfilmauftragungsgerätes während des Auftragens einer amorphen Siliziumschicht auf das Substrat abbröckeln; und Staubpartikel, die auf einen Substrat während des Auftragens einer Metallschicht auf dem Substrat verbleiben.
Zusätzlich zu dem Umstand, daß es ursprünglich unmöglich war, die defekten Zustände von Leitungen vollständig zu beseitigen, das heißt, kurzgeschlossene oder unterbrochene Leitungen, kommt das Problem auf, daß das Verfahren zur Herstellung des Metallfilms durch Vakuumdampfauftragung oder dergleichen und Mustern desselben dann zur Bewirkung der Verdrahtung, um die Antennenerde für das Vermeiden des Strahlungsrausches zu schaffen und am Eintreten in die Einrichtung zu hindern, ein Faktor wäre, der weiter die Ausbeute der Substrate verringert und die Kosten bei der Herstellung einer photoelektrischen Großschirmumwandlungsanordnung erhöht.
Wenn der Metallfilm auf der Lichteinfallsseite des photoelektrischen Umsetzungsabschnitts vorgesehen ist, erfordert dies die Berücksichtigung des Abfalls der einfallenden Lichtmenge auf Grund des Metallfilms. Um den Abfall der Effizienz auf Grund dieses Metallfilms zu verringern, ist es auch denkbar, einen durchsichtigen gleitenden Films eines Metalloxids oder dergleichen vorzusehen. Dies jedoch zwingt zu einer schwierigen Herstellung von Filmen und löst nicht vollständig das obige Problem.
Wie zuvor beschrieben, wird die Gegenmaße gegen Strahlungsrauschen wichtiger mit dem Anwachsen der Lichtempfangsfläche und dem Erzielen von Informationen mit hohem Störabstand.
Es besteht der Bedarf nach einer Gegenmaßnahme, die des weiteren sicher das Strahlungsrauschen vermeidet, ohne einen signifikanten Anstieg der Kosten und eine signifikante Verschlechterung der Ausbeute hervorzurufen.
Aus einem anderen Aspekt wird das Wellenlängenumsetzungsglied, wie der Fluoreszenzbildschirm, ziemlich oft angegriffen mit einem Außenfaktor, wie Feuchtigkeit. Das heißt, der Bedarf nach Schutz des Wellenlängenumsetzungsgliedes zur Verbesserung der Haltbarkeit, der Handhabbarkeit und der Wartungsfreiheit der photoelektrischen Umsetzungsanordnung zur Röntgenstrahlfeststellung ist folglich gegeben. Weitere photoelektrische Einrichtungen sind offenbart in den Dokumenten JP-A-58 118 977, EP-A 528 676 und EP-A-529 981.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung, wie sie im Patentanspruch 1 angegeben ist, ist entstanden in Hinsicht auf die obigen Probleme und hat als Erfindung zur Aufgabe, eine photoelektrische Umsetzungsanordnung zu schaffen, die sicher die Wirkung des Strahlungsrauschens auf den großflächigen Bildschirmsensor zu vermeiden, wie den Sensor vom Kontakttyp, der auf die photoelektrischen Umsetzungselemente montiert wird, um zweidimensional zu gleichen Intervallen angeordnet zu werden, um eine kostengünstige und einfach aufzubauende Struktur ohne Auftragen von Schichten.
Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine photoelektrische Umsetzungsanordnung zu schaffen mit hohem Störabstand und auch eine photoelektrische Umsetzungsanordnung mit hervorragenden Wiederstandsfähigkeit gegenüber Umgebungseinflüssen.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine photoelektrische Umsetzungsanordnung zu schaffen, die eine Verschlechterung des Wellenlängenumsetzungsgliedes, wie des Fluoreszenzgliedes, auf Grund von Feuchtigkeit, Wasser oder dergleichen, zu schaffen, wodurch ein stabiles Lesen gewährleistet wird.
Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine photoelektrische Umsetzungsanordnung mit einem photoelektrischen Umsetzungsglied zu schaffen, das auf einem Substrat vorgesehen ist, und ein elektrisch leitendes Glied, das durch Kleben aufgebracht wird (das heißt durch Laminieren) auf das photoelektrische Umsetzungselement.
Durch Vorsehen der Klebung auf ein photoelektrisches Umsetzungselement bei der vorliegenden Erfindung mit einem Halbleitermaterial, das in der Lage ist, zur photoelektrischen Umsetzung oder dergleichen als eine Komponente, kann ein leitfähiges Glied mit wenigstens einer leitenden Schicht, wie einem dünnen Metallblatt (tatsächlich kann das leitfähige Glied nur die leitfähige Schicht besitzen), wobei die oben genannten Probleme gelöst werden zum Bereitstellen einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung mit einem hinreichend hohem Rauschabstand, hoher Zuverlässigkeit und hinreichender Haltbarkeit.
Da die vorliegende Erfindung keinerlei fortgeschrittene Prozesse während des Schrittes der Bereitstellung des leitfähigen Materials erfordert, kann die Erfindung eine kostengünstigere photoelektrische Umsetzungsanordnung schaffen, die eine hohe Kostengünstigkeit und Ausbeute gewährleistet.
In der photoelektrischen Umsetzungsanordnung nach der vorliegenden Erfindung ist ein Wellenlängenumsetzglied vorzugsweise zwischen dem photoelektrischen Umsetzungselement und dem leitfähigen Glied vorgesehen, und das Wellenumsetzungsglied kann über ein Fluoreszenzglied verfügen.
In der photoelektrischen Umsetzungsanordnung nach der vorliegenden Erfindung kann das leitfähige Glied eine Isolierbasis haben und eine elektrische leitende Schicht kann auf der Basis vorgesehen sein, und die Anordnung kann des weiteren über ein Schutzmaterial auf einer Oberfläche der elektrisch leitenden Schicht auf der gegenüberliegenden Seite der Basis verfügen.
In der photoelektrischen Umsetzungsanordnung nach der vorliegenden Erfindung hat das leitfähige Glied eine größere Fläche als eine solche, in der das photoelektrische Element gebildet ist.
In der photoelektrischen Umsetzungsanordnung nach der vorliegenden Erfindung hat das elektrisch leitende Glied eine größere Fläche als eine Fläche, in der das photoelektrische Umsetzelement gebildet ist.
Wenn in der photoelektrischen Umsetzungsanordnung nach der vorliegenden Erfindung die Einrichtung insbesondere über ein Wellenlängenumsetzungsglied verfügt, sind die Kantenabschnitte der elektrisch leitenden Schicht und das Wellenlängenumsetzungsglied vorzugsweise mit einem Harz versiegelt; die elektrisch leitende Schicht kann vorgesehen sein, um die Kantenabschnitte des Wellenlängenumsetzungsgliedes zu bedecken; die elektrisch leitende Schicht kann vorgesehen sein, um Kontakt mit den Kantenabschnitten des Wellenlängenumsetzungsgliedes zu haben und kann das Wellenlängenumsetzungsglied bedecken.
Die elektrisch leitende Schicht ist vorzugsweise mit Harz versiegelt, um so das Wellenlängenumsetzungsglied nach außen in einer umfangseitigen Zone des Wellenlängenumsetzungsgliedes zu schützen.
In der Struktur des photoelektrischen Umsetzungselements sind viele photoelektrische Umsetzungselemente zu einer Matrix angeordnet, und es ist auch vorzuziehen, daß die photoelektrischen Umsetzungselemente im wesentlichen zu gleichen Intervallen angeordnet sind.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
1 ist eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines Beispiels einer photoelektrischen Umsetzungseinrichtung;
2 ist eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung;
3 ist eine schematische Aufsicht zur Erläuterung eines Beispiels der Lagebeziehung zwischen einem leitfähigen Glied und einem photoelektrischen Umsetzungsabschnitt in einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung;
4 ist eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines Beispiels der Struktur eines elektrisch leitenden Gliedes;
5 ist eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels der Struktur eines elektrisch leitenden Gliedes;
6 ist eine schematische teilweise Querschnittsansicht zur Erläuterung eines Beispiels einer elektrischen Verbindung von einem elektrisch leitenden Glied;
7 ist eine schematische teilweise Querschnittsansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels einer elektrischen Verbindung von einem elektrisch leitenden Glied;
8 ist ein schematisches Blockschaltbild zur Erläuterung eines Beispiels einer elektrischen Verbindung eines elektrisch leitenden Gliedes;
9 ist ein schematisches Blockschaltbild zur Erläuterung eines weiteren Beispiels einer elektrischen Verbindung von einem elektrischen leitenden Glied;
10 ist ein schematisches Blockschaltbild zur Erläuterung eines weiteren Beispiels einer elektrischen Verbindung von einem elektrisch leitenden Glied;
11 ist eine schematische strukturelle Ansicht zur Erläuterung eines Beispiels einer Anordnung einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung, wenn diese in einem Röntgenstrahlabbildungsgerät verwendet wird;
12 ist eine schematische Aufsicht auf eine photoelektrische Umwandlungsanordnung;
13 ist eine schematische Querschnittsansicht der in 12 gezeigten Anordnung;
14 ist ein schematisches Ablaufdiagramm zur Erläuterung eines Beispiels eines Herstellprozesses von einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung;
15 ist eine schematische Aufsicht auf eine andere photoelektrische Umsetzungsanordnung;
16 ist eine schematische Querschnittsansicht der in 15 gezeigten Anordnung;
17 ist eine schematische Aufsicht auf eine weitere photoelektrische Umsetzungsanordnung;
18 ist eine schematische Querschnittsansicht der in 17 gezeigten Anordnung;
19 ist eine schematische Aufsicht auf noch eine andere photoelektrische Umsetzungsanordnung;
20 ist eine schematische Querschnittsansicht der in 19 gezeigten Anordnung;
21 ist eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung; und
22 ist eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines anderen Beispiels einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
Nachstehend beschrieben ist die vorliegende Erfindung unter Bezug auf die beiliegende Zeichnung.
2 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Beispiels einer photoelektrischen Umwandlungsanordnung, die in der Lage ist, ein Röntgenstrahlbild zu lesen, bei dem eine Röntgenstrahlabbildung auf einem Fluoreszenzglied Licht strahlt bei Empfang von Röntgenstrahlen, die einen Gegenstand durch Leuchten, und elektrisch gelesen wird von einem photoelektrischen Umsetzungselement.
Die photoelektrische Umsetzungsanordnung nach der vorliegenden Erfindung betrifft im allgemeinen Kontaktsensoren des 1:1-Lesetyps mit einer photoelektrischen Umsetzungsschicht, die aus einem Material besteht, das in der Lage ist, zur photoelektrischen Umsetzung, wie beispielsweise a-Si, insbesondere alle zweidimensionalen Sensoren, aber die Einrichtung wird beschrieben mit typischen Beispielen der Anwendung als Bildinformationslesemittel eines Röntgengerätes (Röntgenstrahlabbildungsgeräts).
2 zeigt ein Beispiel einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung, bei der ein Fluoreszenzbildschirm 2 zum Umsetzen in Röntgenstrahlen in Licht von Wellenlängen in der lichtempfindlichen Zone des photoelektrischen Umsetzungselements 1 mit einem Kleber 4 auf der Oberfläche des photoelektrischen Umsetzungselements 1 geklebt ist, das einen großflächigen Sensor bildet, in dem ein dünnes Metallblatt 3 zur Vermeidung von Außenstrahlungsrauschen weiter auf den Fluoreszenzbildschirm 2 mit dem Kleber 4 geklebt ist.
Dieses photoelektrische Umsetzungselement ist so gebildet, daß die photoelektrischen Umsetzungselemente der Dünnfilm/Feldeffekttransistoren (TFT) zum Umschalten aus einem typinfizierten photoelektrischen Umsetzungshalbleitermaterials bestehen, beispielsweise aus a-Si, auf einem gemeinsamen Substrat, und daß eine Vielzahl von Kontaktsensoren zum lesen eines Bildes einer sogenannten Informationsquelle durch ein optisches System mit der Vergrößerung von 1 zur Informationsquelle zweidimensional aufgebaut sind vom Substrat, auf dem die photoelektrische Umsetzungshalbleiterschicht und die TFT-Halbleiterschicht gleichzeitig gebildet sind.
Um Rauschspannungen oder Rauschströme auf Grund des Strahlungsrauschens daran zu hindern, in die photoelektrische Umsetzungshalbleiterschicht 1 und die Halbleiterschicht vom TFT einzudringen, und einen Schutz zu bieten vor weitgehender Degradierung der Zuverlässigkeit der photoelektrischen Umsetzungsanordnung, wegen des Fehlersignals, wobei das dünne Metallblatt 3 auf ein Basisblatt (nicht dargestellt) aus Harz oder dergleichen laminiert ist, beispielsweise geklebt auf die Oberfläche des photoelektrischen Umsetzungselements 1, ohne irgend eine Falte oder einen Streifen, und das dünne Metallblatt 3 ist mit der elektrischen Masse verbunden.
Die photoelektrische Umsetzungsanordnung ist nachstehend anhand der schematischen Aufsicht von 3 weiter in mehr Einzelheiten beschrieben.
Das dünne Metallblatt zur Vermeidung des Rauschens ist geklebt auf die Oberfläche des photoelektrischen Umsetzungselements 1 mit dem Klebstoff 4; insbesondere im Falle des Röntgengerätes muß das dünne Metallblatt 3 aus einem Metall bestehen, das Röntgenstrahlen leicht durchläst und in einer geringen Stärke ist, um Röntgenstrahlverluste zu reduzieren. Je dünner andererseits das Metallblatt 3 ist, um so schwieriger wird das Kleben ohne Falten oder Streifen. Es ist somit vorzuziehen, beispielsweise das dünne Metallblatt 3 auf ein Basisblatt oder ein Harz oder dergleichen zu laminieren, um so die Festigkeit des dünnen Metallblattes 3 zu verstärken. Kleben in diesem Zustand erleichtert Kleben ohne irgend eine Falte oder einen Streifen. Das dünne Metallblatt 3 wird dann mit Masse verbunden.
In Hinsicht auf die Vereinfachung des Klebens, wie es zuvor beschrieben wurde, ist es vorzuziehen, daß wenigstens eine Oberfläche des dünnen Metallblattes 3 mit dem Harzfilm laminiert ist. Das dünne Metallblatt 3 kann des weiteren einen Schutzfilm besitzen, um den Harzfilm als Basis und die Metalloberfläche vor mechanischer Verletzung zu schützen oder gegenüber anderen Substanzen, die wässerig sind. In diesem Falle ist es vorzuziehen, beide Oberflächen des dünnen Metallblattes mit Harz zu überziehen. Es gibt keine speziellen Beschränkungen bezüglich der Materialien für die Basis und für den Schutzfilm, und man kann entweder ein gemeinsames Material oder auch unterschiedliche Materialien verwenden, sofern diese die gewünschten Eigenschaften besitzen.
Das dünne Metallblatt wird eine leitfähige Schicht, die eine sogenannte Foliengestalt oder eine Filmgestalt haben kann, die auf der Grundlage durch Dampfauftragung gebildet ist. In diesem Falle kann die Dampfauftragung auf der Grundlage leichter ausgeführt werden als die Bildung der photoelektrischen Umsetzelemente, weil der Grad der Flachheit höher ist (die Oberfläche weist keine Unebenheiten auf auf Grund der photoelektrischen Umsetzelemente) und weil der Film unter optimalen Bedingungen auf der Basis hergestellt werden kann.
Der Harz für die Basis oder der Harz zum Schutz kann ebenfalls durch ein Verfahren gebildet werden, mit Ausnahme der Laminierung, beispielsweise durch Beschichtung.
Berücksichtigt man die elektrische Isolation von den photoelektrischen Umsetzelementen, kann das Metall oxidiert werden, um ein Oxid zu bilden. Als Beispiel vom Metall mit einer hohen Röntgenstrahldurchlässigkeit und leichten Bildens eines Dünnfilm kann Aluminium (Al) vorzugsweise verwendet werden. Oxidiertes Aluminium kann leicht die Oberflächenfestigkeit verstärken.
Obwohl die Stärke des dünnen Metallblattes ausgewählt wird abhängig von Umständen und verwendeten Materialien, ist es wünschenswert, nicht mehr als 100 μm im Falle von Aluminium unter Berücksichtigung der oberen Punkte zu verwenden.
In der Beschreibung und in den Patentansprüchen wird das Glied, das das dünne Metallblatt enthält, auf den photoelektrischen Umsetzelementen vorgesehen, wie zuvor beschrieben, und allgemein als elektrisch leitendes Glied bezeichnet.
Die Gesamtfläche der rauschverhindernden Platte einschließlich des dünnen Metallblattes ist vorzugsweise wenigstens größer als der Bereich der Oberfläche vom photoelektrischen Umsetzelement 1. Teile der Platte sind versehen mit Anschlüssen zum Erdverbindungsabschnitt 5 vom dünnen Metallblatt 3 zur Verdrahtung mit Masse in der Zone außerhalb der photoelektrischen Umsetzelementoberfläche 1, wie in 3 gezeigt, und das dünne Metallblatt 3 ist mit Masse verbunden durch Schraubbefestigung oder durch Kontaktierung. In diesem Falle zeigt Abschnitt A einen Abschnitt auf, der den Anschlußabschnitt des dünnen Metallblattes mit dem Masseverbindungsabschnitt 5 enthält und dessen weitseitige Laminierung. 1 und 2 zeigen die photoelektrische Umsetzanordnung für Röntgenstrahlenbilder, aber im Falle des Abbildungssensors vom Kontakttyp für einen üblichen Abtaster wird der Fluoreszenzschirm 2 überflüssig.
Bei der aktuellen Verdrahtung mit Masse, wie sie schematisch gezeigt ist, sind die vergrößere Querschnittsansicht des Masseanbindungsabschnitts von 4, ein Basisharzfilm 7 und ein Schutzharzfilm plaziert entweder auf einer Seite des dünnen Metallblattes 6 (welches dasselbe ist wie das dünne Metallblatt 3 von 2), um ein Laminat zu bilden und der Basis Harzfilm 7 ist ein Film mit einer Stärke, die gleich oder größer ist als der Schutzharzfilm 8. Das dünne Metallblatt 6, das mit den Harzfilmen auf beiden Seiten verklebt ist, ist versehen mit einem Loch 10 zur Verbindung mit Masse. Eine Schraube oder dergleichen ist in das Loch 10 eingebracht und mit dem Masseanschluß verschraubt. Ein Teil des Schutzharzfilms 8 ist im Kontaktabschnitt 11 abgehoben, um den Kontakt zum Masseanschluß herzustellen.
Ein anderes bevorzugtes Beispiel ist in 5 gezeigt. 5 zeigt ein Beispiel, bei dem ringförmige Metallglieder mit Vorsprüngen auf einer Seite (beispielsweise Durchbohrungen) in dem Erdverbindungsabschnitt befestigt sind, um Verbunden zu werden mit dem Masseanschluß. In 5, wie im Beispiel von 4, sind der Basisharzfilm 7 und der Schutzfilm 8 auf einer Seite des dünnen Metallblattes 6 gebildet, um laminiert zu sein, und der Basisharzfilm 7 ist ein Harzfilm mit einer Dicke, die gleich oder größer ist als der Schutzharzfilm 8. Zur Massebildung des laminierten dünnen Metallblattes 6 mit den Harzfilmen auf beiden Seiten ist das Loch 10 aus einem gestanzten Lötauge oder dergleichen. Die vorstehenden Abschnitte der ringförmigen Metallglieder (beispielsweise Lötaugen) 9 brechen des weiteren teilweise in den Harzfilm 7, 8 ein, um eine Verbindung zwischen den Metallgliedern (Lötaugen) 9 und dem dünnen Metallblatt 6 herzustellen, wodurch die Metallglieder (Lötaugen) 9 selber als Verbindungsanschluß auf den Filmen beider Seite dienen.
Die aktuelle Verbindung mit dem Masseanschluß ist in 6 gezeigt für den Fall des Verschraubens von 4 und in 7 für den Fall der Lötaugen von 5.
Wie in 6 gezeigt, ist ein Befestigungsglied 12, wie eine Schraube, in das Loch 10 gesteckt und mit einem Gewindekopplungsglied 121 verbunden, wie einer Nuß, so daß der Verbindungsabschnitt 11 elektrisch mit der elektrischen Schaltplatine 13 verbunden ist, die über einen Masseanschluß verfügt. Im dargestellten Beispiel ist ein Kontaktanschluß 14, wie eine Metallunterlegscheibe oder ein Weichlötmetall, vorgesehen zur Sicherung der elektrischen Verbindung zwischen dem dünnen Metallblatt 6 und dem Masseanschluß. Der Kontaktanschluß 14 muß jedoch nicht immer vorgesehen sein, wenn die hinreichende elektrische Verbindung sichergestellt ist. Die elektrische Verbindung wird erzielt durch Drehen und Befestigen des Befestigungsgliedes 12 in Hinsicht auf das Kupplungsglied 121, aber das Befestigungsverfahren ist nicht auf das in diesem Beispiel dargestellte Verfahren beschränkt.
Wie in 7 gezeigt, kann die Leitung auch erzielt werden unter Verwendung der Metallglieder (Lötaugenmetallplatten) 9 und durch Montieren eines Verbindungsanschlusses 151, wie eine mit einem Draht verbundene Unterlegscheibe eines Massekabels 15 mittels Befestigungsglied 12 und dem Koppelglied 121.
Die in 6 und in 7 gezeigten Verfahren können abgewandelt werden, falls dies erforderlich ist; beispielsweise können das Massekabel 15 und der Verbindungsanschluß 151, wie in 7 gezeigt, angewandt werden auf das in 6 gezeigte Verfahren; oder die elektrische Schaltungsplatine 13 und der Verbindungsanschluß 14, wie in 6 gezeigt, können angewandt werden auf das Verfahren von 7, um die Verbindung herzustellen.
Die elektrische Schaltungsplatine 13 kann das Substrat sein, bei dem die photoelektrischen Umsetzelemente gebildet sind. Besonders bevorzugte Beispiele der Verbindungsabschnitte sind nachstehend beschrieben.
8 ist ein schematisches Blockdiagramm, das ein Beispiel zeigt, bei dem der Massepunkt mit dem Gerätegehäuse verbunden ist. In 8 hat das Gerätegehäuse 16 eine Stromversorgungsschaltung 17 zum Liefern des Versorgungsstroms an jeden Abschnitt, eine Schnittstelle 18 zur Ein-/Ausgabe eines Signals zu oder von einem externen Gerät, eine Analogschaltung 19 zum Aufzeigen eines Röntgenstrahlbildes auf der Grundlage analoger elektrischer Signale durch Lesen des Röntgenstrahlbildes aus der photoelektrischen Umsetzanordnung und zur Ausgabe des Röntgenstrahlbildes oder dergleichen, eine digitale Schaltung 20 zum Ausführen einer A/D-Umsetzung der Röntgenstrahlbildsignale aus der analogen Schaltung 19 zum Ausführen einer digitalen Bildverarbeitung und danach zum Rückgeben der digitalen Signale an die analoge Schaltung 19, und die photoelektrische Umsetzeinrichtung des Laminatsubstrats, bei dem der Fluoreszenzbildschirm 2, der die Röntgenstrahlen abtastet, auf eine Oberfläche des photoelektrischen Umsetzelements 1 mit einem Kleber geklebt ist, und bei dem das dünne Metallblatt 3 zur Vermeidung von Strahlungsrauschen ebenfalls darauf geklebt ist. Das dünne Metallblatt 3 der photoelektrischen Umsetzanordnung ist verbunden mit dem Gerätegehäuse 16 als Masse, die das Strahlungsrauschen daran hindert, in die photoelektrische Umsetzanordnung einzudringen.
9 ist ein schematisches Blockdiagramm, das ein Beispiel zeigt, bei dem der Masseanschluß verbunden ist mit der digitalen Schaltung 20. Im in 9 gezeigten Beispiel ist das dünne Metallblatt 3 von der photoelektrischen Umsetzanordnung verbunden mit dem Massedraht der digitalen Schaltung 20 zur Erdung. Dieses ist besonders geeignet für Fälle, bei denen sich die photoelektrische Umsetzanordnung nahe der digitalen Schaltung 20 befindet oder bei denen die beiden Einrichtungen elektrisch gleiches Massepotential haben.
10 ist ein schematisches Blockdiagramm, das ein Beispiel zeigt, bei dem der Masseanschluß verbunden ist mit der analogen Schaltung 19. Im in 10 dargestellten Beispiel ist das dünne Metallblatt 3 der photoelektrischen Umsetzanordnung verbunden mit dem Massedraht der analogen Schaltung 19 zur Erdung. Dies ist ebenfalls in geeigneter Weise verwendbar bei Fällen, bei denen sich die photoelektrische Umsetzanordnung nahe der analogen Schaltung 19 befindet oder bei denen die beiden Einrichtungen ein gleiches Betriebsmassepotential aufweisen.
Wie zuvor beschrieben, hat die Zusammenbaustruktur, bei der das dünne Metallblatt 3 zur Vermeidung von Strahlungsrauschen auf den oberen Abschnitt des photoelektrischen Umsetzelements 1 nach Fertigstellung des photoelektrischen Umsetzelementsubstrats geklebt ist. Es ist vorzuziehen, daß das dünne Metallblatt 3 aus einem dünneren Material besteht, um den Röntgenstrahlenverlust abzusenken, und in Laminatform auf beide Seiten geklebt ist, um die Bildung von Falten oder Streifen zu vermeiden. Die Gesamtfläche des dünnen Metallblattes 3 ist größer als die Oberfläche des photoelektrischen Umsetzelements 1, und der Masseverbindungsabschnitt ist in dem Abschnitt außerhalb der Zone vorgesehen, bei dem sich das photoelektrische Umsetzelement befindet; wodurch der Masseverbindungsabschnitt mit dem Masseanschluß durch ein Lötauge oder eine Schraube an der Stelle verbunden werden kann, bei der die Oberfläche des photoelektrischen Umsetzelements 1 nicht berührt ist, wodurch eine Verbindung mit Masse erzielt wird. Dies kann in effektiver Weise bei geringen Kosten und einfacher Aufbaustruktur Strahlungsrauschen beseitigen und die Ausbeute des Produkts verbessern.
Die nachstehende Beschreibung betrifft hauptsächlich den Schutz des Fluoreszenzgliedes als Wellenlängenumsetzglied. Das Material des Wellenlängenumsetzgliedes, wie des Fluoreszenzgliedes, kann abhängig von der Anwendung, dem Zweck und so weiter genau ausgewählt werden. Beispielsweise kann CsI die Effizienz der Wellenlängenumsetzung von Röntgenstrahlen in sichtbares Licht sehr verbessern, aber es gibt immer noch Platz für Verbesserungen in der Widerstandsfähigkeit gegenüber Außenfaktoren, wie Wasser und dergleichen. Die folgende Beschreibung vom Gesichtspunkt substantieller Verbesserung der Widerstandsfähigkeit ist äußerst nützlich.
11 ist eine schematische strukturelle Ansicht zur Erläuterung eines Beispiels, bei dem die photoelektrische Umsetzeinrichtung, wie sie in 2 gezeigt ist, verwendet wird in einem Röntgenstrahlabbildungsgerät.
In 11 bedeutet Bezugszeichen 2101 ein Gehäuse, Bezugszeichen 2102 bedeutet ein Gitter und Bezugszeichen 2103 bedeutet die photoelektrische Umsetzanordnung. Obwohl in 11 nicht dargestellt, befindet sich eine Röntgenstrahlquelle auf der linken Seite der Figur, und Röntgenstrahlen durchlaufen ein Objekt (ein zu untersuchendes Objekt durch zerstörungsfreie Untersuchung, beispielsweise ein Mensch oder ein Gegenstand), plaziert zwischen der Röntgenstrahlquelle und dem Gitter 2102, durchläuft das Gitter 2102 und Gehäuse 2101, um in die photoelektrische Umsetzanordnung 2103 einzudringen. Die Röntgenstrahlen treten in den Fluoreszenzbildschirm der photoelektrischen Umsetzanordnung 2103 ein, um in Licht mit Wellenlängen im lichtempfindlichen Bereich des photoelektrischen Umsetzelements umgesetzt zu werden, wie zuvor beschrieben. Das solchermaßen durch die Umsetzung gewonnene Licht kann photoelektrisch umgesetzt werden, um Informationen über die Röntgenstrahlen zu gewinnen, die durch das Objekt als elektrische Information übertragen wurden.
Das Gitter 2102 ist vorgesehen, um Röntgenstreustrahlen innerhalb des Objekts daran zu hindern, in die photoelektrische Umsetzanordnung einzudringen.
12 ist eine schematische Aufsicht auf einen Röntgenstrahlsensorabschnitt, und 13 ist eine schematische Querschnittsansicht des Röntgenstrahlsensorabschnitts. Bezugszeichen 5104 bedeutet flexible Schaltplatinen, Bezugszeichen 5105 bedeutet gedruckte Schaltungsplatinen, Bezugszeichen 5106 bedeutet Leiterelektrodenabschnitte, die sich auf Sensorsubstrat befinden, und Bezugszeichen 5107 bedeutet ein Versiegelungsmaterial. In den Verbindungsabschnitten zwischen den Leiterelektrodenabschnitten und den flexiblen Schaltplatinen ist das Versiegelungsmaterial vorgesehen zum Zwecke der Antikorrosion der Leiterelektroden. Bezugszeichen 5108 bis 5111 bedeuten Sensorsubstrate auf der oberen Oberfläche, auf der Sensorelemente gebildet sind, Bezugszeichen 5113 bedeutet eine Basis zum Stützen der Sensorsubstrate, und Bezugszeichen 5114 bedeutet einen Kleber zum Sichern der Sensorsubstrate auf der Basis. Die Sensorsubstrate 5108 bis 5111 befinden sich an Stellen, um zu Pixelabständen in zweidimensionalen Richtungen zu passen, und sind auf der Basis befestigt. Bezugszeichen 5115 bedeutet ein Fluoreszenzglied zum Umsetzen von Röntgenstrahlen in sichtbares Licht, und Bezugszeichen 5116 bedeutet einen Kleber zum Laminieren des Fluoreszenzgliedes mit den Sensorsubstraten. Röntgenstrahlen, die von der Röntgenstrahlquelle durch das Objekt in das Fluoreszenzglied übertragen werden, werden konvergiert in sichtbares Licht im Fluoreszenzglied. Das sichtbare Licht nach der Umsetzung durchläuft den Klebstoff unmittelbar unter dem Fluoreszenzglied, um die Sensorelemente zu erreichen, die auf den Sensorsubstraten gebildet sind. Diese werden photoelektrisch umgesetzt, um als zweidimensionales Bild abgegeben zu werden.
14 ist ein Verarbeitungsdiagramm, das ein Beispiel der Schritte zum Erzeugen des Röntgenstrahlsensorabschnitts zeigt, gemäß den 12 und 13. Ein Sensorsubstrat 5108 bis 5111, erzeugt durch den Dünnfilmhalbleiterprozeß, wird zunächst in erforderlicher Größe durch eine Drehdiamantklinge oder dergleichen (5401) in Scheiben geschnitten. Dann werden die gedruckten Schaltplatinen durch flexible Schaltplatinen in erforderliche Größe (5402) mit den Leiterelektroden der Sensorsubstrate 5108 bis 5111 befestigt. Die flexiblen Schaltplatinen werden dann auf den Leiterelektroden (5403) verbunden und in diesem Zustand wird ein Versiegelungsmittel 5107 aufgetragen, um so die Verbindungsabschnitte einzukapseln, durch einen Verteiler oder dergleichen (5404). Die vier Sensorsubstrate, die solchermaßen versiegelt sind, werden positioniert, um in die Pixelabstände der zweidimensionalen Richtung zu passen, und werden befestigt durch Montieren eines jeden Substrates auf der Basis 5113, die vorher mit dem Kleber 5114 (5405) beschichtet wurde. Danach wird das Fluoreszenzglied 5115 auf der gesamten Oberfläche beschichtet mit einem Klebstoff oder einem druckempfindlichen Klebstoff 5116 durch Sprühen oder dergleichen, wird montiert auf die vier Sensorsubstrate 5108 bis 5111 und wird dann durch Anwenden eines konstanten Druckes über eine Walze (5406) darauf geklebt.
Wie zuvor beschrieben, ist es in einem Falle, bei dem eine hinreichende Größe unter Verwendung eines Sensorsubstrats nicht erzielbar ist, vorzuziehen, ein Pseudoeinzelsubstrat durch Anordnen einer Vielzahl von Sensorsubstraten zu bilden, während die Pixelabstände in den zweidimensionalen Richtungen in der zuvor beschriebenen Weise angepaßt werden. Im Scheibenbildungsprozeß (5401), wie er in 14 gezeigt ist, wird folglich vorzugsweise den Punkten Aufmerksamkeit gezollt, wie Einrichtungsbrüchen und Korrosionen aufgrund der Chipbildung vom Isolationsfilm und vom Schutzfilm auf den Sensorsubstraten, verursacht durch Entgraten oder durch Chips, die während der Scheibenbildung erzeugt werden. Der Isolierfilm und der Schutzfilm der Sensorsubstrate bedecken den Sensorelementabschnitt, den Dünnfilmtransistorabschnitt, die Gateleitungen und die Signalleitungen, um so Wasser oder Ionen von Verunreinigungen wie Kalium, Natrium oder Chlor am Einführen in die Halbleiterschichten oder die Metallschicht zu hindern, wodurch eine Korrosion der Metalleitung vermieden wird. Wenn jedoch der Scheibenbildungsprozeß vom Isolierfilm oder vom Schutzfilm beschädigt ist und wegen der Entgratung oder der Chips, die während der Scheibenbildung entstehen, nicht zur Chipbildung verwendet werden kann, gibt es Möglichkeiten, daß das Wasser oder Verunreinigungsionen in die Zwischenstelle zwischen dem Isolierfilm und das transparente Isoliersubstrat eindringen, um Korrosion der Leitung zu verursachen. Eine derartige Korrosion der Leitung könnte letztlich zu einem Drahtbruch führen. Dies führt beispielsweise zu Zeilendefekten im Bild, wodurch die Bildqualität bemerkenswert verschlechtert wird.
In den obigen beschriebenen Schritten des Ausrichtens einer Vielzahl von Sensorsubstraten (beispielsweise vier), während die Anpassung der Pixelabstände in den zweidimensionalen Richtungen erfolgt, und des Plazierens und Fixierens eines jeden Substrats auf der Basis, die vorher mit dem Kleber oder der druckempfindlichen Klebung beschichtet wurde, und dann des Plazierens des Fluoreszenzgliedes mit der gesamten Oberfläche, die mit dem Kleber durch Sprühen oder dergleichen beschichtet ist, auf den vier Sensorsubstraten und Kleben des Fluoreszenzgliedes darauf durch Anwenden des Konstantdruckgliedes durch die Walze, ist es auch wünschenswert, Aufmerksamkeiten den Punkten des Einrichtungsbruchs und der Korrosion zu zollen, die verursacht wird durch Chipbildung oder Bruch des Isolationsfilms oder des Schutzfilms auf dem Sensorsubstrat wegen des sogenannten Staubs, der Partikel und aufgenommene Chips während des Klebens enthält.
Wenn es Chipbildung in der Nähe der Gateleitungen gibt, wie zuvor beschrieben, aufgrund der Chipbildung oder des Bruchs vom Isolationsfilm oder vom Schutzfilm auf den Sensorsubstraten aufgrund von Staub, können Pixeldefekte auftreten und Wasser und Verunreinigungsionen können in die Zwischenschicht zwischen Isolationsfilm und transparentem Isolationssubstrat eindringen, um eine Leitungskorrosion hervorzurufen. Die Konfigurationen der vorliegenden Erfindung lösen ein derartiges Problem.
Die vorliegende Erfindung kann auch das Fluoreszenzglied als das Wellenlängenumsetzglied gleichzeitig schützen. Diese Punkte sind nachstehend in mehr Einzelheiten anhand der Zeichnung beschrieben.
Eine photoelektrische Umsetzanordnung nach der vorliegenden Erfindung hat eine Metallfolie (ein dünnes Metallblatt), das auf dem Fluoreszenzglied 5115 gebildet ist, wie in 12 und in 13 gezeigt. In diesem Falle arbeitet das Metall als Sperre gegenüber Wasser und unerwünschten Ionen. Es kann die Halbleiter und den photoelektrischen Umsetzabschnitt sowie die Metalleitungen gegenüber negativen Auswirkungen schützen. Gleichzeitig werden Wasser und unerwünschte Ionen daran gehindert, in das Fluoreszenzglied als das Wellenlängenumsetzglied einzudringen. Ein Beispiel der photoelektrischen Umsetzanordnung, ausgestattet mit der Metallfolie, ist in 15 und in 16 gezeigt.
Das Eindringen von Wasser tritt auch durch die Zwischenschicht zwischen den Substraten auf, auf denen die photoelektrischen Umsetzelemente gebildet sind, und der Metalleiterschicht, der Isolierschicht, den Halbleiterschichten und dergleichen, die die photoelektrischen Umsetzelemente bilden, oder durch die Zwischenschichten zwischen den jeweiligen Schichten.
Solchermaßen ist es vorzuziehen, die Anordnungsbildungszone 5119 für den photoelektrischen Umsetzabschnitt im wesentlichen innerhalb der Peripherie des dünnen Metallblattes (Metallfolie) 5118 vorzusehen, wie in den 17 und 18 gezeigt.
Dies liegt daran, daß die obige Anordnung den Abstand von der Peripherie erhöht, bei dem das Eindringen insbesondere leichter auftritt, wobei die erforderliche Zeit für das Wasser und dergleichen zum Erreichen der Einrichtungsbildungszone 5119 verlängert werden kann, um kein Problem im der praktischen Anwendung zu bilden.
Durch Erhöhen der Größe vom dünnen Metallblatt 5118 in hinreichendem Umfang auf diese Weise, kann die Gegenmaßnahme gegen Strahlungsrauschen ebenfalls in effizienter Weise gelöst werden.
Um die Einrichtung mit dem gewünschten Abstand zu den Kanten in die Form zu bringen, wie in 17 und auch in 18 gezeigt, wird der Umfang der gesamten Einrichtung größer, um hinreichende Haltbarkeit zu erreichen. Nachstehend ist ein Beispiel der Struktur beschrieben, die eine weiter verbesserte Haltbarkeit aufweist, während diesem Punkt weiter Rechnung getragen wird.
Die in 19 und in 20 gezeigte photoelektrische Umsetzanordnung ist grundsätzlich eine Abwandlung der in 15 und in 16 gezeigten photoelektrischen Umsetzanordnung, bei der die Peripherie (der Umfang) vom dünnen Metallblatt 5118 versiegelt ist mit Versiegelungsmaterial 5120 aus organischem Harz oder einem anorganischem Material.
Dies kann das Eindringen von Wasser oder dergleichen für eine Zeitdauer verhindern, in der das Wasser oder dergleichen in dieses Versiegelungsmaterial 5120 eindringt.
21 zeigt nur eine schematische Querschnittsansicht, in der die Peripherie des dünnen Metallblattes 5118 geneigt ist, um geklebt und/oder mit einem Harz auf Teilen der Sensorsubstrate geklebt zu werden.
Im in 21 gezeigten Beispiel ist die Haltbarkeit weiter verbessert wegen des Raumes, der zwischen dem dünnen Metallblatt 5118 und dem Fluoreszenzglied und den photoelektrischen Umsetzelementen eingerichtet ist. Durch Ausfüllen dieses Raumes mit Harz wird die Haltbarkeit weiter verbessert.
22 zeigt ein Beispiel, bei dem die vorstehenden Abschnitte des dünnen Metallblattes 5118 außerhalb des Fluoreszenzgliedes unter einem rechten Winkel längs der Kante des Fluoreszenzgliedes abgeknickt sind, um in eine derartige Form eines rechten Winkels gebracht zu werden, um das dünne Metallblatt 5118 in Kontakt mit dem Umfang der Sensorsubstrate zu halten, die die Sensorelemente besitzen, die dort Kleben unterzogen worden sind, und in denen die Peripherie versiegelt ist mit einem Versiegelungsmaterial 120 eines organischen Harzes oder eines anorganischen Materials.
Da dieses Beispiel die Kantenflächenabschnitte des Fluoreszenzgliedes mit Metall überdeckt, kann Wasser und dergleichen daran gehindert werden, in das Fluoreszenzglied einzudringen, und die Haltbarkeit des Fluoreszenzgliedes kann weiter verbessert werden.
Es ist eine Tatsache, daß die dünnen Metallblätter 5118, die in den 15 bis 22 gezeigt sind, ein Harzmaterial oder ein anorganisches Material als Basis und/oder als Schutzschicht enthalten, wie zuvor beschrieben.
Das Kleben vom dünnen Metallblatt 5118 auf das Fluoreszenzglied 5115 wird vorzugsweise ausgeführt unter Verwendung eines Metalls 5117, das dasselbe Material oder aus derselben Familie ist wie der druckempfindliche Kleber und/oder der Klebstoff, der beim Kleben des Fluoreszenzgliedes 5115 auf den photoelektrischen Umsetzabschnitt verwendet wird.
Gemäß der vorliegenden Erfindung, wie sie zuvor beschrieben wurde, wird es in einer photoelektrischen Umsetzanordnung mit einem photoelektrischen Umsetzelement durch Anwenden der Konfiguration, bei dem ein dünnes Metallblatt auf eine Oberfläche des photoelektrischen Umsetzgliedes geklebt ist, und wobei das Metallblatt verbunden ist mit einem Masseanschluß, um das Strahlungsrauschen zu beseitigen, möglich, die Wirkung des Strahlungsrauschens zu vermeiden, während die Ausbeute kostengünstig durch einfache Aufbaustruktur ohne Anwenden teurer Filmerzeugungsprozesse erreicht wird.
Des weiteren kann nach der vorliegenden Erfindung eine kostengünstige photoelektrische Umsetzanordnung und eine Röntgenstrahlbildleseanordnung mit hervorragender Widerstandsfähigkeit gegenüber Strahlungsrauschen geschaffen werden.
Durch Anwenden des Aufbaus, bei dem das dünne Metallblatt aufbereitet wird, um so eine größere Fläche als diejenige der Oberfläche des photoelektrischen Umsetzelements zu haben, und dadurch, daß der Masseverbindungsabschnitt vorgesehen ist, werden die beiden Seiten des dünnen Metallblattes laminiert mit Harz; und der Masseverbindungsabschnitt ist befestigt mit dem Masseanschluß durch Verwenden einer Schraube, eines Lötauges und so weiter, um mit Masse des Gerätegehäuses, der Digitalschaltung oder der Analogschaltung verbunden zu werden; es wird möglich, den einfachen Zusammenbau vom Kleben des dünnen Metallblattes auf die Oberfläche des photoelektrischen Umsetzelements zu realisieren, um diese in engen Kontakt miteinander zu bringen, so daß die Masseherstellung an einem beliebigen Abschnitt erfolgen kann.
Nach der vorliegenden Erfindung wird es darüber hinaus möglich, eine photoelektrische Umsetzanordnung mit Beständigkeit gegenüber Feuchtigkeit und Verunreinigungsionen bei hoher Haltbarkeit bereitzustellen.

Claims

Photoelektrische Umwandlungsanordnung, mit: einer Vielzahl photoelektrischer Umwandlungselemente, die auf einem Substrat (1) angeordnet sind; einem Wellenlängenumwandlungsglied (2), das mit der Vielzahl photoelektrischer Umwandlungselemente durch einen Kleber (4) zwischen dem Wellenleiterumwandlungsglied und den photoelektrischen Umwandlungselementen verklebt ist; und einem leitfähigen Glied (3), das als Schutzglied auf der Bildauftreffseite der photoelektrischen Umwandlungsanordnung dient, die an das Wellenlängenumwandlungsglied mit einem Kleber (4) zwischen dem leitfähigen Glied und dem Wellenlängenumwandlungsglied geklebt ist; dadurch gekennzeichnet daß: die Vielzahl photoelektrischer Umwandlungselemente zweidimensional auf dem Substrat (1) angeordnet sind; das leitfähige Glied (3) eine größere Fläche als die Fläche bedeckt, auf der die Vielzahl photoelektrischer Umwandlungselemente zweidimensional angeordnet sind; und das leitfähige Glied einen Stecker (5) zur Verbindung mit Masse hat.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach Anspruch 1, deren Wellenlängenumwandlungsglied (2) aus einem Fluoreszenzglied besteht.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, deren leitfähiges Glied (3) über eine Isolationsbasis (8) und eine leitende Schicht (6) verfügt.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach Anspruch 3, die des weiteren über eine Schicht aus Schutzmaterial (7) auf einer Oberfläche der leitfähigen Schicht (6) auf der der Isolationsbasis (8) gegenüberliegenden Seite verfügt.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, deren leitfähiges Glied (3) aus Metall besteht.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach Anspruch 5, deren Metall Aluminium ist.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach Anspruch 1, deren leitfähiges Glied (3) mit Masse verbunden ist.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach Anspruch 7, deren leitfähiges Glied (3) elektrisch verbunden ist mit einem Gehäuse (1b), das wenigstens das Substrat (1), das Wellenlängenumwandlungsglied 2 und das leitfähige Glied (3) umschließt.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach Anspruch 7, deren leitfähiges Glied (3) elektrisch mit Masse einer bei der Ansteuerung der photoelektrischen Umwandlungsanordnung beteiligten analogen Schaltung (19) verbunden ist.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach Anspruch 7, deren leitfähiges Glied (3) im Betrieb elektrisch mit der Masse einer an der Ansteuerung der photoelektrischen Umwandlungsanordnung beteiligten digitalen Schaltung (20) verbunden ist.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei der Kantenabschnitte des leitfähigen Gliedes (3) und des Wellenlängenumwandlungsgliedes (2) mit Harz vergossen sind.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei der das leitfähige Glied (3) so ausgestaltet ist, daß es einen Kantenabschnitt des Wellenlängenumwandlungsgliedes (2) bedeckt.
Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche 1 bis 11, bei der das leitfähige Glied so ausgestaltet ist, daß es in Kontakt mit einem Kantenabschnitt des Wellenlängenumwandlungsgliedes steht und das Wellenlängenumwandlungsglied bedeckt.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach Anspruch 1, bei der das leitfähige Glied (3) mit Harz eingegossen ist, um das Wellenlängenumwandlungsglied (2) zu isolieren.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei der sich der Kleber (3) zwischen dem Wellenlängenumwandlungsglied (2) und den photoelektrischen Umwandlungselementen (1) befindet, die zur selben Familie gehören wie der Kleber (4), den das leitfähigen Glied (3) und das Wellenlängenumwandlungsglied (2) dazwischen einschließt.
Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dessen leitfähiges Glied ein dünnes Metallblatt aus Aluminium mit einer Stärke von nicht mehr als 100 μm ist.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach Anspruch 1, deren Stecker (5) die Form eines Vorsprungs (A) hat.
Photoelektrische Umwandlungsanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, deren Wellenlängenumwandlungsglied (2) der Umsetzung von Röntgenstrahlung dient.
Abbildungsgerät mit einer photoelektrischen Umwandlungsanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche 1 bis 18 und mit einer Steuerschaltung (17-20) zum Ansteuern der Einrichtung (1-5).
Abbildungsgerät nach Anspruch 19, das des weiteren über ein Gitter (2102) auf einer Abbildungsinformationseingabeseite der photoelektrischen Umwandlungsanordnung nach Anspruch 18 verfügt.
Abbildungsgerät nach einem der Ansprüche 19 oder 20, dessen photoelektrische Umwandlungsanordnung nach Anspruch 18 eingerichtet ist und das eine Röntgenstrahlenquelle enthält.