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ALLGEMEINER STAND DER
TECHNIK
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Gebiet der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine photoelektrische Umwandlungsanordnung,
und bezieht sich insbesondere auf eine photoelektrische Umwandlungsanordnung
mit einer zweidimensionalen photoelektrischen Umsetzzone, die geeignet
ist, für
das Lesen verwendet zu werden (insbesondere zum Lesen mit einer
1:1-Vergrößerung),
beispielsweise in Faxgeräten,
Digitalkopierern, Röntgenstrahlgeräten zur
zerstörungsfreien
Untersuchung oder dergleichen.
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Zum Stand der Technik.
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Bekannt
sind jene Leseanordnungen, die ein verkleinerndes optisches System
und einen CCD-Sensor als Bildleseeinrichtung für Faxgeräte, Kopierer, Scanner oder
für Röntgengeräte verwenden;
mit der Entwicklung der photoelektrischen Umsetzhalbleitermaterialien,
die typisiert sind durch hydriertes amorphes Silizium (wird nachstehend
als a-Si bezeichnet) ist die Entwicklung sogenannter Kontaktsensoren
bemerkenswert, bei denen ein photoelektrisches Umsetzelement und
ein Signalverarbeitungsabschnitt auf einem großflächigen Substrat gebildet sind,
und wobei ein Bild einer Informationsquelle von einem optischen
System mit einer 1:1-Vergrößerung (1×-Vergrößerung)
relativ zur Informationsquelle gelesen wird. Zum Lesen eines Röntgenbildes
werden Röntgenstrahlen
in ein Wellenlängenumsetzglied
geleitet, wie ein Fluoreszenzglied, um in Licht von Wellenlängen in
einen sichtbaren Wellenlängenbereich
umgesetzt zu werden vom Sensor, und der Sensor liest das Licht.
Da es Lichtverluste im Bildlesesystem des verkleinernden optischen
Systems gibt, ist die Leseeffizient beabsichtigt, erhöht zu werden
durch Kontaktlesen mit dem Wellenlängenumsetzglied und dem Sensor
der einfachen Vergrößerung.
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Da
insbesondere das a-Si nicht nur als photoelektrisches Umsetzungsmaterial
verwendet wird, sondern auch als Material für einen Dünnfilm-Feldeffekttransistor
(wird nachstehend als TFT bezeichnet), und da solchermaßen der
Vorteil des gleichzeitigen Bildens von Halbleiterschichten für die photoelektrische
Umsetzung und für
den TFT besteht, zeigt sich eine gute Anpassung mit Kondensatorelementen
und Schaltelementen, wie TFT, die gemeinsam gebildet werden. Diese
Elemente können
gebildet werden durch Stapeln von dünnen Schichten und durch eine Stapelreihenfolge
der jeweiligen dünnen
Schichten, und diese Elemente können
aus demselben Material bestehen. Diese Konfiguration gestattet den
dünnen Schichten
das Bilden der jeweiligen Elemente, die gleichzeitig als gemeinsame
Schichten gebildet werden. Diese Simultanbildung von Elementen senkt
die Anzahl von Produktionsschritten und die Länge der Verdrahtungen, wodurch
die photoelektrische Umwandlungsanordnung mit einem hohen Störabstand bei
geringen Kosten herstellbar ist.
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Auch
die kapazitiven Elemente (Kondensatoren) können mit guten Eigenschaften
hergestellt werden, weil eine Isolationsschicht als Zwischenschicht
zwischen den Halbleiterschichten vorgesehen ist, die Elektroden
werden. Die Verbesserung der Eigenschaften der kapazitiven Elemente
realisiert auch eine hohe funktionale photoelektrische Umwandlungsanordnung,
die in der Lage ist, Integralwerte optischer Informationen abzugeben,
die eine Vielzahl von photoelektrischen Umsetzungselementen durch
eine einfache Struktur erzeugt und auch die Konfigurationen von
Faxgeräten
und Röntgengeräten mit
großer
Fläche
gestattet, mit einer hochpegligen Funktion und guten Eigenschaften
bei geringen Kosten.
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Bei
derartigen Großbildschirmsensoren
mit hohen Kennlinien gab es wegen ihrer großen Bildschirme und großen Fläche einige
Fälle,
bei denen Strahlungsrauschen auf Grund von Rauschspannung oder Rauschstrom
anstieg, um in die photoelektrischen Umsetzungshalbleiterschichten
und die TFT-Halbleiterschichten zu gelangen und einen Fehlerbetrieb
oder ein Fehlersignal hervorzurufen, wodurch die Zuverlässigkeit
der photoelektrischen Umsetzungsanordnung extrem degradiert wird.
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Das
Mittel, wie es in 1 gezeigt ist, wird gelegentlich
als Gegenmaßnahme
gegen Strahlungsrauschen verwendet, wie es zuvor beschrieben wurde.
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1 ist
eine schematische Querschnittsansicht einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung zur
Röntgenstrahlfeststellung.
In dieser photoelektrischen Umsetzungsanordnung ist auf einer photoelektrischen
Umsetzungsanordnung 21 mit einem photoelektrischen Umsetzungselement
und mit TFT ein Metallfilm 26 gebildet, um eine sogenannte
Antennenerde zu schaffen, als eine Maßnahme zum Vermeiden des Strahlungsrauschens,
das das Eindringen in die Einrichtung verhindert, durch Vakuumdampfauftragung
oder dergleichen. Bezugszeichen 23 bedeutet einen Fluoreszenzbildschirm
zum Abtasten von Röntgenstrahlen,
der auf den Metallfilm 26 mit einem Kleber 24 gestapelt
ist.
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Es
ist jedoch nicht zu verneinen, daß der durch Vakuumdampfauftragung
gebildete Metallfilm oder dergleichen nachteilig hinsichtlich der
Kosten ist. Es gibt auch Raum zur Verbesserung in Hinsicht der Ausbeute.
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Es
ist unmöglich,
feinen Staub während
der Herstellung vollständig
von den photoelektrischen Umsetzhalbleiterschichten fern zu halten,
insbesondere zwei Arten von Staub bilden ein Problem; Staubpartikel,
die von der Innenwand des Dünnfilmauftragungsgerätes während des
Auftragens einer amorphen Siliziumschicht auf das Substrat abbröckeln; und
Staubpartikel, die auf einen Substrat während des Auftragens einer
Metallschicht auf dem Substrat verbleiben.
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Zusätzlich zu
dem Umstand, daß es
ursprünglich
unmöglich
war, die defekten Zustände
von Leitungen vollständig
zu beseitigen, das heißt,
kurzgeschlossene oder unterbrochene Leitungen, kommt das Problem
auf, daß das
Verfahren zur Herstellung des Metallfilms durch Vakuumdampfauftragung
oder dergleichen und Mustern desselben dann zur Bewirkung der Verdrahtung,
um die Antennenerde für
das Vermeiden des Strahlungsrausches zu schaffen und am Eintreten
in die Einrichtung zu hindern, ein Faktor wäre, der weiter die Ausbeute
der Substrate verringert und die Kosten bei der Herstellung einer
photoelektrischen Großschirmumwandlungsanordnung
erhöht.
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Wenn
der Metallfilm auf der Lichteinfallsseite des photoelektrischen
Umsetzungsabschnitts vorgesehen ist, erfordert dies die Berücksichtigung
des Abfalls der einfallenden Lichtmenge auf Grund des Metallfilms.
Um den Abfall der Effizienz auf Grund dieses Metallfilms zu verringern,
ist es auch denkbar, einen durchsichtigen gleitenden Films eines
Metalloxids oder dergleichen vorzusehen. Dies jedoch zwingt zu einer
schwierigen Herstellung von Filmen und löst nicht vollständig das
obige Problem.
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Wie
zuvor beschrieben, wird die Gegenmaße gegen Strahlungsrauschen
wichtiger mit dem Anwachsen der Lichtempfangsfläche und dem Erzielen von Informationen
mit hohem Störabstand.
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Es
besteht der Bedarf nach einer Gegenmaßnahme, die des weiteren sicher
das Strahlungsrauschen vermeidet, ohne einen signifikanten Anstieg
der Kosten und eine signifikante Verschlechterung der Ausbeute hervorzurufen.
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Aus
einem anderen Aspekt wird das Wellenlängenumsetzungsglied, wie der
Fluoreszenzbildschirm, ziemlich oft angegriffen mit einem Außenfaktor,
wie Feuchtigkeit. Das heißt,
der Bedarf nach Schutz des Wellenlängenumsetzungsgliedes zur Verbesserung
der Haltbarkeit, der Handhabbarkeit und der Wartungsfreiheit der
photoelektrischen Umsetzungsanordnung zur Röntgenstrahlfeststellung ist folglich
gegeben. Weitere photoelektrische Einrichtungen sind offenbart in
den Dokumenten JP-A-58 118 977, EP-A 528 676 und EP-A-529 981.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung, wie sie im Patentanspruch 1 angegeben ist,
ist entstanden in Hinsicht auf die obigen Probleme und hat als Erfindung
zur Aufgabe, eine photoelektrische Umsetzungsanordnung zu schaffen,
die sicher die Wirkung des Strahlungsrauschens auf den großflächigen Bildschirmsensor
zu vermeiden, wie den Sensor vom Kontakttyp, der auf die photoelektrischen
Umsetzungselemente montiert wird, um zweidimensional zu gleichen
Intervallen angeordnet zu werden, um eine kostengünstige und
einfach aufzubauende Struktur ohne Auftragen von Schichten.
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Eine
andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine photoelektrische
Umsetzungsanordnung zu schaffen mit hohem Störabstand und auch eine photoelektrische
Umsetzungsanordnung mit hervorragenden Wiederstandsfähigkeit
gegenüber Umgebungseinflüssen.
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Eine
weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine photoelektrische
Umsetzungsanordnung zu schaffen, die eine Verschlechterung des Wellenlängenumsetzungsgliedes,
wie des Fluoreszenzgliedes, auf Grund von Feuchtigkeit, Wasser oder
dergleichen, zu schaffen, wodurch ein stabiles Lesen gewährleistet
wird.
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Eine
andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine photoelektrische
Umsetzungsanordnung mit einem photoelektrischen Umsetzungsglied zu
schaffen, das auf einem Substrat vorgesehen ist, und ein elektrisch
leitendes Glied, das durch Kleben aufgebracht wird (das heißt durch
Laminieren) auf das photoelektrische Umsetzungselement.
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Durch
Vorsehen der Klebung auf ein photoelektrisches Umsetzungselement
bei der vorliegenden Erfindung mit einem Halbleitermaterial, das
in der Lage ist, zur photoelektrischen Umsetzung oder dergleichen
als eine Komponente, kann ein leitfähiges Glied mit wenigstens
einer leitenden Schicht, wie einem dünnen Metallblatt (tatsächlich kann
das leitfähige
Glied nur die leitfähige
Schicht besitzen), wobei die oben genannten Probleme gelöst werden
zum Bereitstellen einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung mit
einem hinreichend hohem Rauschabstand, hoher Zuverlässigkeit
und hinreichender Haltbarkeit.
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Da
die vorliegende Erfindung keinerlei fortgeschrittene Prozesse während des
Schrittes der Bereitstellung des leitfähigen Materials erfordert,
kann die Erfindung eine kostengünstigere
photoelektrische Umsetzungsanordnung schaffen, die eine hohe Kostengünstigkeit
und Ausbeute gewährleistet.
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In
der photoelektrischen Umsetzungsanordnung nach der vorliegenden
Erfindung ist ein Wellenlängenumsetzglied
vorzugsweise zwischen dem photoelektrischen Umsetzungselement und
dem leitfähigen
Glied vorgesehen, und das Wellenumsetzungsglied kann über ein
Fluoreszenzglied verfügen.
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In
der photoelektrischen Umsetzungsanordnung nach der vorliegenden
Erfindung kann das leitfähige
Glied eine Isolierbasis haben und eine elektrische leitende Schicht
kann auf der Basis vorgesehen sein, und die Anordnung kann des weiteren über ein Schutzmaterial
auf einer Oberfläche
der elektrisch leitenden Schicht auf der gegenüberliegenden Seite der Basis
verfügen.
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In
der photoelektrischen Umsetzungsanordnung nach der vorliegenden
Erfindung hat das leitfähige
Glied eine größere Fläche als
eine solche, in der das photoelektrische Element gebildet ist.
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In
der photoelektrischen Umsetzungsanordnung nach der vorliegenden
Erfindung hat das elektrisch leitende Glied eine größere Fläche als
eine Fläche,
in der das photoelektrische Umsetzelement gebildet ist.
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Wenn
in der photoelektrischen Umsetzungsanordnung nach der vorliegenden
Erfindung die Einrichtung insbesondere über ein Wellenlängenumsetzungsglied
verfügt,
sind die Kantenabschnitte der elektrisch leitenden Schicht und das
Wellenlängenumsetzungsglied
vorzugsweise mit einem Harz versiegelt; die elektrisch leitende
Schicht kann vorgesehen sein, um die Kantenabschnitte des Wellenlängenumsetzungsgliedes
zu bedecken; die elektrisch leitende Schicht kann vorgesehen sein,
um Kontakt mit den Kantenabschnitten des Wellenlängenumsetzungsgliedes zu haben
und kann das Wellenlängenumsetzungsglied
bedecken.
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Die
elektrisch leitende Schicht ist vorzugsweise mit Harz versiegelt,
um so das Wellenlängenumsetzungsglied
nach außen
in einer umfangseitigen Zone des Wellenlängenumsetzungsgliedes zu schützen.
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In
der Struktur des photoelektrischen Umsetzungselements sind viele
photoelektrische Umsetzungselemente zu einer Matrix angeordnet,
und es ist auch vorzuziehen, daß die
photoelektrischen Umsetzungselemente im wesentlichen zu gleichen
Intervallen angeordnet sind.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNG
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1 ist
eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines Beispiels einer
photoelektrischen Umsetzungseinrichtung;
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2 ist
eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels
einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung;
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3 ist
eine schematische Aufsicht zur Erläuterung eines Beispiels der
Lagebeziehung zwischen einem leitfähigen Glied und einem photoelektrischen
Umsetzungsabschnitt in einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung;
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4 ist
eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines Beispiels der
Struktur eines elektrisch leitenden Gliedes;
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5 ist
eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels
der Struktur eines elektrisch leitenden Gliedes;
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6 ist
eine schematische teilweise Querschnittsansicht zur Erläuterung
eines Beispiels einer elektrischen Verbindung von einem elektrisch
leitenden Glied;
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7 ist
eine schematische teilweise Querschnittsansicht zur Erläuterung
eines weiteren Beispiels einer elektrischen Verbindung von einem
elektrisch leitenden Glied;
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8 ist
ein schematisches Blockschaltbild zur Erläuterung eines Beispiels einer
elektrischen Verbindung eines elektrisch leitenden Gliedes;
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9 ist
ein schematisches Blockschaltbild zur Erläuterung eines weiteren Beispiels
einer elektrischen Verbindung von einem elektrischen leitenden Glied;
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10 ist
ein schematisches Blockschaltbild zur Erläuterung eines weiteren Beispiels
einer elektrischen Verbindung von einem elektrisch leitenden Glied;
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11 ist
eine schematische strukturelle Ansicht zur Erläuterung eines Beispiels einer
Anordnung einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung, wenn diese
in einem Röntgenstrahlabbildungsgerät verwendet
wird;
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12 ist
eine schematische Aufsicht auf eine photoelektrische Umwandlungsanordnung;
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13 ist
eine schematische Querschnittsansicht der in 12 gezeigten
Anordnung;
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14 ist
ein schematisches Ablaufdiagramm zur Erläuterung eines Beispiels eines
Herstellprozesses von einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung;
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15 ist
eine schematische Aufsicht auf eine andere photoelektrische Umsetzungsanordnung;
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16 ist
eine schematische Querschnittsansicht der in 15 gezeigten
Anordnung;
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17 ist
eine schematische Aufsicht auf eine weitere photoelektrische Umsetzungsanordnung;
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18 ist
eine schematische Querschnittsansicht der in 17 gezeigten
Anordnung;
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19 ist
eine schematische Aufsicht auf noch eine andere photoelektrische
Umsetzungsanordnung;
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20 ist
eine schematische Querschnittsansicht der in 19 gezeigten
Anordnung;
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21 ist
eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels
einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung; und
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22 ist
eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines anderen Beispiels
einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung.
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BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
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Nachstehend
beschrieben ist die vorliegende Erfindung unter Bezug auf die beiliegende
Zeichnung.
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2 ist
eine schematische Querschnittsansicht eines Beispiels einer photoelektrischen
Umwandlungsanordnung, die in der Lage ist, ein Röntgenstrahlbild zu lesen, bei
dem eine Röntgenstrahlabbildung
auf einem Fluoreszenzglied Licht strahlt bei Empfang von Röntgenstrahlen,
die einen Gegenstand durch Leuchten, und elektrisch gelesen wird von
einem photoelektrischen Umsetzungselement.
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Die
photoelektrische Umsetzungsanordnung nach der vorliegenden Erfindung
betrifft im allgemeinen Kontaktsensoren des 1:1-Lesetyps mit einer photoelektrischen
Umsetzungsschicht, die aus einem Material besteht, das in der Lage
ist, zur photoelektrischen Umsetzung, wie beispielsweise a-Si, insbesondere
alle zweidimensionalen Sensoren, aber die Einrichtung wird beschrieben
mit typischen Beispielen der Anwendung als Bildinformationslesemittel
eines Röntgengerätes (Röntgenstrahlabbildungsgeräts).
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2 zeigt
ein Beispiel einer photoelektrischen Umsetzungsanordnung, bei der
ein Fluoreszenzbildschirm 2 zum Umsetzen in Röntgenstrahlen in
Licht von Wellenlängen
in der lichtempfindlichen Zone des photoelektrischen Umsetzungselements 1 mit
einem Kleber 4 auf der Oberfläche des photoelektrischen Umsetzungselements 1 geklebt
ist, das einen großflächigen Sensor
bildet, in dem ein dünnes Metallblatt 3 zur
Vermeidung von Außenstrahlungsrauschen
weiter auf den Fluoreszenzbildschirm 2 mit dem Kleber 4 geklebt
ist.
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Dieses
photoelektrische Umsetzungselement ist so gebildet, daß die photoelektrischen
Umsetzungselemente der Dünnfilm/Feldeffekttransistoren
(TFT) zum Umschalten aus einem typinfizierten photoelektrischen
Umsetzungshalbleitermaterials bestehen, beispielsweise aus a-Si,
auf einem gemeinsamen Substrat, und daß eine Vielzahl von Kontaktsensoren
zum lesen eines Bildes einer sogenannten Informationsquelle durch
ein optisches System mit der Vergrößerung von 1 zur Informationsquelle
zweidimensional aufgebaut sind vom Substrat, auf dem die photoelektrische
Umsetzungshalbleiterschicht und die TFT-Halbleiterschicht gleichzeitig
gebildet sind.
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Um
Rauschspannungen oder Rauschströme auf
Grund des Strahlungsrauschens daran zu hindern, in die photoelektrische
Umsetzungshalbleiterschicht 1 und die Halbleiterschicht
vom TFT einzudringen, und einen Schutz zu bieten vor weitgehender
Degradierung der Zuverlässigkeit
der photoelektrischen Umsetzungsanordnung, wegen des Fehlersignals,
wobei das dünne
Metallblatt 3 auf ein Basisblatt (nicht dargestellt) aus
Harz oder dergleichen laminiert ist, beispielsweise geklebt auf
die Oberfläche des
photoelektrischen Umsetzungselements 1, ohne irgend eine
Falte oder einen Streifen, und das dünne Metallblatt 3 ist
mit der elektrischen Masse verbunden.
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Die
photoelektrische Umsetzungsanordnung ist nachstehend anhand der
schematischen Aufsicht von 3 weiter
in mehr Einzelheiten beschrieben.
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Das
dünne Metallblatt
zur Vermeidung des Rauschens ist geklebt auf die Oberfläche des
photoelektrischen Umsetzungselements 1 mit dem Klebstoff 4;
insbesondere im Falle des Röntgengerätes muß das dünne Metallblatt 3 aus
einem Metall bestehen, das Röntgenstrahlen
leicht durchläst
und in einer geringen Stärke
ist, um Röntgenstrahlverluste
zu reduzieren. Je dünner
andererseits das Metallblatt 3 ist, um so schwieriger wird
das Kleben ohne Falten oder Streifen. Es ist somit vorzuziehen,
beispielsweise das dünne
Metallblatt 3 auf ein Basisblatt oder ein Harz oder dergleichen
zu laminieren, um so die Festigkeit des dünnen Metallblattes 3 zu
verstärken.
Kleben in diesem Zustand erleichtert Kleben ohne irgend eine Falte
oder einen Streifen. Das dünne
Metallblatt 3 wird dann mit Masse verbunden.
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In
Hinsicht auf die Vereinfachung des Klebens, wie es zuvor beschrieben
wurde, ist es vorzuziehen, daß wenigstens
eine Oberfläche
des dünnen Metallblattes 3 mit
dem Harzfilm laminiert ist. Das dünne Metallblatt 3 kann
des weiteren einen Schutzfilm besitzen, um den Harzfilm als Basis
und die Metalloberfläche
vor mechanischer Verletzung zu schützen oder gegenüber anderen
Substanzen, die wässerig
sind. In diesem Falle ist es vorzuziehen, beide Oberflächen des
dünnen
Metallblattes mit Harz zu überziehen.
Es gibt keine speziellen Beschränkungen
bezüglich
der Materialien für
die Basis und für den
Schutzfilm, und man kann entweder ein gemeinsames Material oder
auch unterschiedliche Materialien verwenden, sofern diese die gewünschten
Eigenschaften besitzen.
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Das
dünne Metallblatt
wird eine leitfähige Schicht,
die eine sogenannte Foliengestalt oder eine Filmgestalt haben kann,
die auf der Grundlage durch Dampfauftragung gebildet ist. In diesem Falle
kann die Dampfauftragung auf der Grundlage leichter ausgeführt werden
als die Bildung der photoelektrischen Umsetzelemente, weil der Grad
der Flachheit höher ist
(die Oberfläche
weist keine Unebenheiten auf auf Grund der photoelektrischen Umsetzelemente)
und weil der Film unter optimalen Bedingungen auf der Basis hergestellt
werden kann.
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Der
Harz für
die Basis oder der Harz zum Schutz kann ebenfalls durch ein Verfahren
gebildet werden, mit Ausnahme der Laminierung, beispielsweise durch
Beschichtung.
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Berücksichtigt
man die elektrische Isolation von den photoelektrischen Umsetzelementen,
kann das Metall oxidiert werden, um ein Oxid zu bilden. Als Beispiel
vom Metall mit einer hohen Röntgenstrahldurchlässigkeit
und leichten Bildens eines Dünnfilm kann
Aluminium (Al) vorzugsweise verwendet werden. Oxidiertes Aluminium
kann leicht die Oberflächenfestigkeit
verstärken.
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Obwohl
die Stärke
des dünnen
Metallblattes ausgewählt
wird abhängig
von Umständen
und verwendeten Materialien, ist es wünschenswert, nicht mehr als
100 μm im
Falle von Aluminium unter Berücksichtigung
der oberen Punkte zu verwenden.
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In
der Beschreibung und in den Patentansprüchen wird das Glied, das das
dünne Metallblatt enthält, auf
den photoelektrischen Umsetzelementen vorgesehen, wie zuvor beschrieben,
und allgemein als elektrisch leitendes Glied bezeichnet.
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Die
Gesamtfläche
der rauschverhindernden Platte einschließlich des dünnen Metallblattes ist vorzugsweise
wenigstens größer als
der Bereich der Oberfläche
vom photoelektrischen Umsetzelement 1. Teile der Platte
sind versehen mit Anschlüssen
zum Erdverbindungsabschnitt 5 vom dünnen Metallblatt 3 zur
Verdrahtung mit Masse in der Zone außerhalb der photoelektrischen
Umsetzelementoberfläche 1,
wie in 3 gezeigt, und das dünne Metallblatt 3 ist
mit Masse verbunden durch Schraubbefestigung oder durch Kontaktierung.
In diesem Falle zeigt Abschnitt A einen Abschnitt auf, der den Anschlußabschnitt
des dünnen
Metallblattes mit dem Masseverbindungsabschnitt 5 enthält und dessen
weitseitige Laminierung. 1 und 2 zeigen
die photoelektrische Umsetzanordnung für Röntgenstrahlenbilder, aber im Falle
des Abbildungssensors vom Kontakttyp für einen üblichen Abtaster wird der Fluoreszenzschirm 2 überflüssig.
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Bei
der aktuellen Verdrahtung mit Masse, wie sie schematisch gezeigt
ist, sind die vergrößere Querschnittsansicht
des Masseanbindungsabschnitts von 4, ein Basisharzfilm 7 und
ein Schutzharzfilm plaziert entweder auf einer Seite des dünnen Metallblattes 6 (welches
dasselbe ist wie das dünne
Metallblatt 3 von 2), um ein
Laminat zu bilden und der Basis Harzfilm 7 ist ein Film
mit einer Stärke,
die gleich oder größer ist
als der Schutzharzfilm 8. Das dünne Metallblatt 6,
das mit den Harzfilmen auf beiden Seiten verklebt ist, ist versehen
mit einem Loch 10 zur Verbindung mit Masse. Eine Schraube
oder dergleichen ist in das Loch 10 eingebracht und mit
dem Masseanschluß verschraubt.
Ein Teil des Schutzharzfilms 8 ist im Kontaktabschnitt 11 abgehoben,
um den Kontakt zum Masseanschluß herzustellen.
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Ein
anderes bevorzugtes Beispiel ist in 5 gezeigt. 5 zeigt
ein Beispiel, bei dem ringförmige Metallglieder
mit Vorsprüngen
auf einer Seite (beispielsweise Durchbohrungen) in dem Erdverbindungsabschnitt
befestigt sind, um Verbunden zu werden mit dem Masseanschluß. In 5,
wie im Beispiel von 4, sind der Basisharzfilm 7 und
der Schutzfilm 8 auf einer Seite des dünnen Metallblattes 6 gebildet,
um laminiert zu sein, und der Basisharzfilm 7 ist ein Harzfilm
mit einer Dicke, die gleich oder größer ist als der Schutzharzfilm 8.
Zur Massebildung des laminierten dünnen Metallblattes 6 mit
den Harzfilmen auf beiden Seiten ist das Loch 10 aus einem gestanzten
Lötauge
oder dergleichen. Die vorstehenden Abschnitte der ringförmigen Metallglieder
(beispielsweise Lötaugen) 9 brechen
des weiteren teilweise in den Harzfilm 7, 8 ein,
um eine Verbindung zwischen den Metallgliedern (Lötaugen) 9 und
dem dünnen
Metallblatt 6 herzustellen, wodurch die Metallglieder (Lötaugen) 9 selber
als Verbindungsanschluß auf
den Filmen beider Seite dienen.
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Die
aktuelle Verbindung mit dem Masseanschluß ist in 6 gezeigt
für den
Fall des Verschraubens von 4 und in 7 für den Fall
der Lötaugen
von 5.
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Wie
in 6 gezeigt, ist ein Befestigungsglied 12,
wie eine Schraube, in das Loch 10 gesteckt und mit einem
Gewindekopplungsglied 121 verbunden, wie einer Nuß, so daß der Verbindungsabschnitt 11 elektrisch
mit der elektrischen Schaltplatine 13 verbunden ist, die über einen
Masseanschluß verfügt. Im dargestellten
Beispiel ist ein Kontaktanschluß 14,
wie eine Metallunterlegscheibe oder ein Weichlötmetall, vorgesehen zur Sicherung
der elektrischen Verbindung zwischen dem dünnen Metallblatt 6 und
dem Masseanschluß.
Der Kontaktanschluß 14 muß jedoch
nicht immer vorgesehen sein, wenn die hinreichende elektrische Verbindung
sichergestellt ist. Die elektrische Verbindung wird erzielt durch
Drehen und Befestigen des Befestigungsgliedes 12 in Hinsicht
auf das Kupplungsglied 121, aber das Befestigungsverfahren
ist nicht auf das in diesem Beispiel dargestellte Verfahren beschränkt.
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Wie
in 7 gezeigt, kann die Leitung auch erzielt werden
unter Verwendung der Metallglieder (Lötaugenmetallplatten) 9 und
durch Montieren eines Verbindungsanschlusses 151, wie eine
mit einem Draht verbundene Unterlegscheibe eines Massekabels 15 mittels
Befestigungsglied 12 und dem Koppelglied 121.
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Die
in 6 und in 7 gezeigten
Verfahren können
abgewandelt werden, falls dies erforderlich ist; beispielsweise
können
das Massekabel 15 und der Verbindungsanschluß 151,
wie in 7 gezeigt, angewandt werden auf das in 6 gezeigte Verfahren;
oder die elektrische Schaltungsplatine 13 und der Verbindungsanschluß 14,
wie in 6 gezeigt, können
angewandt werden auf das Verfahren von 7, um die
Verbindung herzustellen.
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Die
elektrische Schaltungsplatine 13 kann das Substrat sein,
bei dem die photoelektrischen Umsetzelemente gebildet sind. Besonders
bevorzugte Beispiele der Verbindungsabschnitte sind nachstehend
beschrieben.
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8 ist
ein schematisches Blockdiagramm, das ein Beispiel zeigt, bei dem
der Massepunkt mit dem Gerätegehäuse verbunden
ist. In 8 hat das Gerätegehäuse 16 eine
Stromversorgungsschaltung 17 zum Liefern des Versorgungsstroms
an jeden Abschnitt, eine Schnittstelle 18 zur Ein-/Ausgabe
eines Signals zu oder von einem externen Gerät, eine Analogschaltung 19 zum
Aufzeigen eines Röntgenstrahlbildes
auf der Grundlage analoger elektrischer Signale durch Lesen des
Röntgenstrahlbildes
aus der photoelektrischen Umsetzanordnung und zur Ausgabe des Röntgenstrahlbildes
oder dergleichen, eine digitale Schaltung 20 zum Ausführen einer
A/D-Umsetzung der Röntgenstrahlbildsignale
aus der analogen Schaltung 19 zum Ausführen einer digitalen Bildverarbeitung
und danach zum Rückgeben
der digitalen Signale an die analoge Schaltung 19, und
die photoelektrische Umsetzeinrichtung des Laminatsubstrats, bei
dem der Fluoreszenzbildschirm 2, der die Röntgenstrahlen
abtastet, auf eine Oberfläche des
photoelektrischen Umsetzelements 1 mit einem Kleber geklebt
ist, und bei dem das dünne
Metallblatt 3 zur Vermeidung von Strahlungsrauschen ebenfalls darauf
geklebt ist. Das dünne
Metallblatt 3 der photoelektrischen Umsetzanordnung ist
verbunden mit dem Gerätegehäuse 16 als
Masse, die das Strahlungsrauschen daran hindert, in die photoelektrische Umsetzanordnung
einzudringen.
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9 ist
ein schematisches Blockdiagramm, das ein Beispiel zeigt, bei dem
der Masseanschluß verbunden
ist mit der digitalen Schaltung 20. Im in 9 gezeigten
Beispiel ist das dünne
Metallblatt 3 von der photoelektrischen Umsetzanordnung
verbunden mit dem Massedraht der digitalen Schaltung 20 zur
Erdung. Dieses ist besonders geeignet für Fälle, bei denen sich die photoelektrische
Umsetzanordnung nahe der digitalen Schaltung 20 befindet
oder bei denen die beiden Einrichtungen elektrisch gleiches Massepotential
haben.
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10 ist
ein schematisches Blockdiagramm, das ein Beispiel zeigt, bei dem
der Masseanschluß verbunden
ist mit der analogen Schaltung 19. Im in 10 dargestellten
Beispiel ist das dünne
Metallblatt 3 der photoelektrischen Umsetzanordnung verbunden
mit dem Massedraht der analogen Schaltung 19 zur Erdung.
Dies ist ebenfalls in geeigneter Weise verwendbar bei Fällen, bei
denen sich die photoelektrische Umsetzanordnung nahe der analogen Schaltung 19 befindet
oder bei denen die beiden Einrichtungen ein gleiches Betriebsmassepotential
aufweisen.
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Wie
zuvor beschrieben, hat die Zusammenbaustruktur, bei der das dünne Metallblatt 3 zur
Vermeidung von Strahlungsrauschen auf den oberen Abschnitt des photoelektrischen
Umsetzelements 1 nach Fertigstellung des photoelektrischen
Umsetzelementsubstrats geklebt ist. Es ist vorzuziehen, daß das dünne Metallblatt 3 aus
einem dünneren
Material besteht, um den Röntgenstrahlenverlust
abzusenken, und in Laminatform auf beide Seiten geklebt ist, um
die Bildung von Falten oder Streifen zu vermeiden. Die Gesamtfläche des
dünnen
Metallblattes 3 ist größer als
die Oberfläche
des photoelektrischen Umsetzelements 1, und der Masseverbindungsabschnitt ist
in dem Abschnitt außerhalb
der Zone vorgesehen, bei dem sich das photoelektrische Umsetzelement befindet;
wodurch der Masseverbindungsabschnitt mit dem Masseanschluß durch
ein Lötauge
oder eine Schraube an der Stelle verbunden werden kann, bei der
die Oberfläche
des photoelektrischen Umsetzelements 1 nicht berührt ist,
wodurch eine Verbindung mit Masse erzielt wird. Dies kann in effektiver
Weise bei geringen Kosten und einfacher Aufbaustruktur Strahlungsrauschen
beseitigen und die Ausbeute des Produkts verbessern.
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Die
nachstehende Beschreibung betrifft hauptsächlich den Schutz des Fluoreszenzgliedes als
Wellenlängenumsetzglied.
Das Material des Wellenlängenumsetzgliedes,
wie des Fluoreszenzgliedes, kann abhängig von der Anwendung, dem
Zweck und so weiter genau ausgewählt
werden. Beispielsweise kann CsI die Effizienz der Wellenlängenumsetzung
von Röntgenstrahlen
in sichtbares Licht sehr verbessern, aber es gibt immer noch Platz für Verbesserungen
in der Widerstandsfähigkeit
gegenüber Außenfaktoren,
wie Wasser und dergleichen. Die folgende Beschreibung vom Gesichtspunkt
substantieller Verbesserung der Widerstandsfähigkeit ist äußerst nützlich.
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11 ist
eine schematische strukturelle Ansicht zur Erläuterung eines Beispiels, bei
dem die photoelektrische Umsetzeinrichtung, wie sie in 2 gezeigt
ist, verwendet wird in einem Röntgenstrahlabbildungsgerät.
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In 11 bedeutet
Bezugszeichen 2101 ein Gehäuse, Bezugszeichen 2102 bedeutet
ein Gitter und Bezugszeichen 2103 bedeutet die photoelektrische
Umsetzanordnung. Obwohl in 11 nicht
dargestellt, befindet sich eine Röntgenstrahlquelle auf der linken
Seite der Figur, und Röntgenstrahlen durchlaufen
ein Objekt (ein zu untersuchendes Objekt durch zerstörungsfreie
Untersuchung, beispielsweise ein Mensch oder ein Gegenstand), plaziert
zwischen der Röntgenstrahlquelle
und dem Gitter 2102, durchläuft das Gitter 2102 und
Gehäuse 2101,
um in die photoelektrische Umsetzanordnung 2103 einzudringen.
Die Röntgenstrahlen
treten in den Fluoreszenzbildschirm der photoelektrischen Umsetzanordnung 2103 ein,
um in Licht mit Wellenlängen
im lichtempfindlichen Bereich des photoelektrischen Umsetzelements
umgesetzt zu werden, wie zuvor beschrieben. Das solchermaßen durch
die Umsetzung gewonnene Licht kann photoelektrisch umgesetzt werden,
um Informationen über
die Röntgenstrahlen
zu gewinnen, die durch das Objekt als elektrische Information übertragen
wurden.
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Das
Gitter 2102 ist vorgesehen, um Röntgenstreustrahlen innerhalb
des Objekts daran zu hindern, in die photoelektrische Umsetzanordnung
einzudringen.
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12 ist
eine schematische Aufsicht auf einen Röntgenstrahlsensorabschnitt,
und 13 ist eine schematische Querschnittsansicht des
Röntgenstrahlsensorabschnitts.
Bezugszeichen 5104 bedeutet flexible Schaltplatinen, Bezugszeichen 5105 bedeutet
gedruckte Schaltungsplatinen, Bezugszeichen 5106 bedeutet
Leiterelektrodenabschnitte, die sich auf Sensorsubstrat befinden,
und Bezugszeichen 5107 bedeutet ein Versiegelungsmaterial.
In den Verbindungsabschnitten zwischen den Leiterelektrodenabschnitten
und den flexiblen Schaltplatinen ist das Versiegelungsmaterial vorgesehen
zum Zwecke der Antikorrosion der Leiterelektroden. Bezugszeichen 5108 bis 5111 bedeuten
Sensorsubstrate auf der oberen Oberfläche, auf der Sensorelemente
gebildet sind, Bezugszeichen 5113 bedeutet eine Basis zum
Stützen
der Sensorsubstrate, und Bezugszeichen 5114 bedeutet einen
Kleber zum Sichern der Sensorsubstrate auf der Basis. Die Sensorsubstrate 5108 bis 5111 befinden
sich an Stellen, um zu Pixelabständen
in zweidimensionalen Richtungen zu passen, und sind auf der Basis
befestigt. Bezugszeichen 5115 bedeutet ein Fluoreszenzglied
zum Umsetzen von Röntgenstrahlen
in sichtbares Licht, und Bezugszeichen 5116 bedeutet einen
Kleber zum Laminieren des Fluoreszenzgliedes mit den Sensorsubstraten.
Röntgenstrahlen,
die von der Röntgenstrahlquelle
durch das Objekt in das Fluoreszenzglied übertragen werden, werden konvergiert
in sichtbares Licht im Fluoreszenzglied. Das sichtbare Licht nach
der Umsetzung durchläuft
den Klebstoff unmittelbar unter dem Fluoreszenzglied, um die Sensorelemente
zu erreichen, die auf den Sensorsubstraten gebildet sind. Diese
werden photoelektrisch umgesetzt, um als zweidimensionales Bild
abgegeben zu werden.
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14 ist
ein Verarbeitungsdiagramm, das ein Beispiel der Schritte zum Erzeugen
des Röntgenstrahlsensorabschnitts
zeigt, gemäß den 12 und 13.
Ein Sensorsubstrat 5108 bis 5111, erzeugt durch
den Dünnfilmhalbleiterprozeß, wird
zunächst
in erforderlicher Größe durch
eine Drehdiamantklinge oder dergleichen (5401) in Scheiben
geschnitten. Dann werden die gedruckten Schaltplatinen durch flexible
Schaltplatinen in erforderliche Größe (5402) mit den
Leiterelektroden der Sensorsubstrate 5108 bis 5111 befestigt.
Die flexiblen Schaltplatinen werden dann auf den Leiterelektroden
(5403) verbunden und in diesem Zustand wird ein Versiegelungsmittel 5107 aufgetragen,
um so die Verbindungsabschnitte einzukapseln, durch einen Verteiler
oder dergleichen (5404). Die vier Sensorsubstrate, die
solchermaßen versiegelt
sind, werden positioniert, um in die Pixelabstände der zweidimensionalen Richtung
zu passen, und werden befestigt durch Montieren eines jeden Substrates
auf der Basis 5113, die vorher mit dem Kleber 5114 (5405)
beschichtet wurde. Danach wird das Fluoreszenzglied 5115 auf
der gesamten Oberfläche
beschichtet mit einem Klebstoff oder einem druckempfindlichen Klebstoff 5116 durch
Sprühen
oder dergleichen, wird montiert auf die vier Sensorsubstrate 5108 bis 5111 und
wird dann durch Anwenden eines konstanten Druckes über eine
Walze (5406) darauf geklebt.
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Wie
zuvor beschrieben, ist es in einem Falle, bei dem eine hinreichende
Größe unter
Verwendung eines Sensorsubstrats nicht erzielbar ist, vorzuziehen,
ein Pseudoeinzelsubstrat durch Anordnen einer Vielzahl von Sensorsubstraten
zu bilden, während die
Pixelabstände
in den zweidimensionalen Richtungen in der zuvor beschriebenen Weise
angepaßt werden.
Im Scheibenbildungsprozeß (5401),
wie er in 14 gezeigt ist, wird folglich
vorzugsweise den Punkten Aufmerksamkeit gezollt, wie Einrichtungsbrüchen und
Korrosionen aufgrund der Chipbildung vom Isolationsfilm und vom
Schutzfilm auf den Sensorsubstraten, verursacht durch Entgraten
oder durch Chips, die während
der Scheibenbildung erzeugt werden. Der Isolierfilm und der Schutzfilm
der Sensorsubstrate bedecken den Sensorelementabschnitt, den Dünnfilmtransistorabschnitt,
die Gateleitungen und die Signalleitungen, um so Wasser oder Ionen
von Verunreinigungen wie Kalium, Natrium oder Chlor am Einführen in
die Halbleiterschichten oder die Metallschicht zu hindern, wodurch
eine Korrosion der Metalleitung vermieden wird. Wenn jedoch der
Scheibenbildungsprozeß vom
Isolierfilm oder vom Schutzfilm beschädigt ist und wegen der Entgratung
oder der Chips, die während
der Scheibenbildung entstehen, nicht zur Chipbildung verwendet werden
kann, gibt es Möglichkeiten,
daß das
Wasser oder Verunreinigungsionen in die Zwischenstelle zwischen
dem Isolierfilm und das transparente Isoliersubstrat eindringen,
um Korrosion der Leitung zu verursachen. Eine derartige Korrosion
der Leitung könnte
letztlich zu einem Drahtbruch führen.
Dies führt beispielsweise
zu Zeilendefekten im Bild, wodurch die Bildqualität bemerkenswert
verschlechtert wird.
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In
den obigen beschriebenen Schritten des Ausrichtens einer Vielzahl
von Sensorsubstraten (beispielsweise vier), während die Anpassung der Pixelabstände in den
zweidimensionalen Richtungen erfolgt, und des Plazierens und Fixierens
eines jeden Substrats auf der Basis, die vorher mit dem Kleber oder
der druckempfindlichen Klebung beschichtet wurde, und dann des Plazierens
des Fluoreszenzgliedes mit der gesamten Oberfläche, die mit dem Kleber durch
Sprühen
oder dergleichen beschichtet ist, auf den vier Sensorsubstraten
und Kleben des Fluoreszenzgliedes darauf durch Anwenden des Konstantdruckgliedes
durch die Walze, ist es auch wünschenswert,
Aufmerksamkeiten den Punkten des Einrichtungsbruchs und der Korrosion
zu zollen, die verursacht wird durch Chipbildung oder Bruch des Isolationsfilms
oder des Schutzfilms auf dem Sensorsubstrat wegen des sogenannten
Staubs, der Partikel und aufgenommene Chips während des Klebens enthält.
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Wenn
es Chipbildung in der Nähe
der Gateleitungen gibt, wie zuvor beschrieben, aufgrund der Chipbildung
oder des Bruchs vom Isolationsfilm oder vom Schutzfilm auf den Sensorsubstraten
aufgrund von Staub, können
Pixeldefekte auftreten und Wasser und Verunreinigungsionen können in
die Zwischenschicht zwischen Isolationsfilm und transparentem Isolationssubstrat
eindringen, um eine Leitungskorrosion hervorzurufen. Die Konfigurationen der
vorliegenden Erfindung lösen
ein derartiges Problem.
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Die
vorliegende Erfindung kann auch das Fluoreszenzglied als das Wellenlängenumsetzglied gleichzeitig
schützen.
Diese Punkte sind nachstehend in mehr Einzelheiten anhand der Zeichnung
beschrieben.
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Eine
photoelektrische Umsetzanordnung nach der vorliegenden Erfindung
hat eine Metallfolie (ein dünnes
Metallblatt), das auf dem Fluoreszenzglied 5115 gebildet
ist, wie in 12 und in 13 gezeigt.
In diesem Falle arbeitet das Metall als Sperre gegenüber Wasser
und unerwünschten
Ionen. Es kann die Halbleiter und den photoelektrischen Umsetzabschnitt
sowie die Metalleitungen gegenüber negativen
Auswirkungen schützen.
Gleichzeitig werden Wasser und unerwünschte Ionen daran gehindert,
in das Fluoreszenzglied als das Wellenlängenumsetzglied einzudringen.
Ein Beispiel der photoelektrischen Umsetzanordnung, ausgestattet
mit der Metallfolie, ist in 15 und
in 16 gezeigt.
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Das
Eindringen von Wasser tritt auch durch die Zwischenschicht zwischen
den Substraten auf, auf denen die photoelektrischen Umsetzelemente gebildet
sind, und der Metalleiterschicht, der Isolierschicht, den Halbleiterschichten
und dergleichen, die die photoelektrischen Umsetzelemente bilden,
oder durch die Zwischenschichten zwischen den jeweiligen Schichten.
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Solchermaßen ist
es vorzuziehen, die Anordnungsbildungszone 5119 für den photoelektrischen Umsetzabschnitt
im wesentlichen innerhalb der Peripherie des dünnen Metallblattes (Metallfolie) 5118 vorzusehen,
wie in den 17 und 18 gezeigt.
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Dies
liegt daran, daß die
obige Anordnung den Abstand von der Peripherie erhöht, bei
dem das Eindringen insbesondere leichter auftritt, wobei die erforderliche
Zeit für
das Wasser und dergleichen zum Erreichen der Einrichtungsbildungszone 5119 verlängert werden
kann, um kein Problem im der praktischen Anwendung zu bilden.
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Durch
Erhöhen
der Größe vom dünnen Metallblatt 5118 in
hinreichendem Umfang auf diese Weise, kann die Gegenmaßnahme gegen
Strahlungsrauschen ebenfalls in effizienter Weise gelöst werden.
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Um
die Einrichtung mit dem gewünschten Abstand
zu den Kanten in die Form zu bringen, wie in 17 und
auch in 18 gezeigt, wird der Umfang der
gesamten Einrichtung größer, um
hinreichende Haltbarkeit zu erreichen. Nachstehend ist ein Beispiel
der Struktur beschrieben, die eine weiter verbesserte Haltbarkeit
aufweist, während
diesem Punkt weiter Rechnung getragen wird.
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Die
in 19 und in 20 gezeigte
photoelektrische Umsetzanordnung ist grundsätzlich eine Abwandlung der
in 15 und in 16 gezeigten photoelektrischen
Umsetzanordnung, bei der die Peripherie (der Umfang) vom dünnen Metallblatt 5118 versiegelt
ist mit Versiegelungsmaterial 5120 aus organischem Harz
oder einem anorganischem Material.
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Dies
kann das Eindringen von Wasser oder dergleichen für eine Zeitdauer
verhindern, in der das Wasser oder dergleichen in dieses Versiegelungsmaterial 5120 eindringt.
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21 zeigt
nur eine schematische Querschnittsansicht, in der die Peripherie
des dünnen
Metallblattes 5118 geneigt ist, um geklebt und/oder mit einem
Harz auf Teilen der Sensorsubstrate geklebt zu werden.
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Im
in 21 gezeigten Beispiel ist die Haltbarkeit weiter
verbessert wegen des Raumes, der zwischen dem dünnen Metallblatt 5118 und
dem Fluoreszenzglied und den photoelektrischen Umsetzelementen eingerichtet
ist. Durch Ausfüllen
dieses Raumes mit Harz wird die Haltbarkeit weiter verbessert.
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22 zeigt
ein Beispiel, bei dem die vorstehenden Abschnitte des dünnen Metallblattes 5118 außerhalb
des Fluoreszenzgliedes unter einem rechten Winkel längs der
Kante des Fluoreszenzgliedes abgeknickt sind, um in eine derartige
Form eines rechten Winkels gebracht zu werden, um das dünne Metallblatt 5118 in
Kontakt mit dem Umfang der Sensorsubstrate zu halten, die die Sensorelemente
besitzen, die dort Kleben unterzogen worden sind, und in denen die
Peripherie versiegelt ist mit einem Versiegelungsmaterial 120 eines
organischen Harzes oder eines anorganischen Materials.
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Da
dieses Beispiel die Kantenflächenabschnitte
des Fluoreszenzgliedes mit Metall überdeckt, kann Wasser und dergleichen
daran gehindert werden, in das Fluoreszenzglied einzudringen, und die
Haltbarkeit des Fluoreszenzgliedes kann weiter verbessert werden.
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Es
ist eine Tatsache, daß die
dünnen
Metallblätter 5118,
die in den 15 bis 22 gezeigt sind,
ein Harzmaterial oder ein anorganisches Material als Basis und/oder
als Schutzschicht enthalten, wie zuvor beschrieben.
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Das
Kleben vom dünnen
Metallblatt 5118 auf das Fluoreszenzglied 5115 wird
vorzugsweise ausgeführt
unter Verwendung eines Metalls 5117, das dasselbe Material
oder aus derselben Familie ist wie der druckempfindliche Kleber
und/oder der Klebstoff, der beim Kleben des Fluoreszenzgliedes 5115 auf den
photoelektrischen Umsetzabschnitt verwendet wird.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung, wie sie zuvor beschrieben wurde, wird es in einer photoelektrischen
Umsetzanordnung mit einem photoelektrischen Umsetzelement durch
Anwenden der Konfiguration, bei dem ein dünnes Metallblatt auf eine Oberfläche des
photoelektrischen Umsetzgliedes geklebt ist, und wobei das Metallblatt
verbunden ist mit einem Masseanschluß, um das Strahlungsrauschen
zu beseitigen, möglich,
die Wirkung des Strahlungsrauschens zu vermeiden, während die
Ausbeute kostengünstig
durch einfache Aufbaustruktur ohne Anwenden teurer Filmerzeugungsprozesse
erreicht wird.
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Des
weiteren kann nach der vorliegenden Erfindung eine kostengünstige photoelektrische
Umsetzanordnung und eine Röntgenstrahlbildleseanordnung
mit hervorragender Widerstandsfähigkeit gegenüber Strahlungsrauschen
geschaffen werden.
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Durch
Anwenden des Aufbaus, bei dem das dünne Metallblatt aufbereitet
wird, um so eine größere Fläche als
diejenige der Oberfläche
des photoelektrischen Umsetzelements zu haben, und dadurch, daß der Masseverbindungsabschnitt
vorgesehen ist, werden die beiden Seiten des dünnen Metallblattes laminiert
mit Harz; und der Masseverbindungsabschnitt ist befestigt mit dem
Masseanschluß durch Verwenden
einer Schraube, eines Lötauges
und so weiter, um mit Masse des Gerätegehäuses, der Digitalschaltung
oder der Analogschaltung verbunden zu werden; es wird möglich, den
einfachen Zusammenbau vom Kleben des dünnen Metallblattes auf die Oberfläche des
photoelektrischen Umsetzelements zu realisieren, um diese in engen
Kontakt miteinander zu bringen, so daß die Masseherstellung an einem
beliebigen Abschnitt erfolgen kann.
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Nach
der vorliegenden Erfindung wird es darüber hinaus möglich, eine
photoelektrische Umsetzanordnung mit Beständigkeit gegenüber Feuchtigkeit
und Verunreinigungsionen bei hoher Haltbarkeit bereitzustellen.