DE69808405T2

DE69808405T2 - Anschlussflächenstruktur für Flüssigkristallanzeige und Halbleiterbauelement und Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number: DE69808405T2
Application number: DE69808405T
Authority: DE
Inventors: Akira Fujita; Choei Sugitani
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-10-28
Filing date: 1998-10-26
Publication date: 2003-07-10
Anticipated expiration: 2018-10-27
Also published as: KR19990037451A; US6683662B2; TW475089B; US6323931B1; JP3102392B2; JPH11133452A; DE69808405D1; US6184966B1; EP0913719A2; EP0913719A3; EP0913719B1; KR100302577B1; US20020053667A1

Description

Bereich der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauteil wie ein farbiges LCD (Flüssigkristallanzeigevorrichtung) u. dgl., in welchem eine aktive Matrixanzeigeeinheit verwendet wird, und ein Verfahren zu dessen Herstellung, im Besonderen auf ein verbessertes Halbleiterbauteil in Bezug auf die Anschlußflächenstruktur von hervorstehenden Leitungen, in dem Bereich, der mit einer externen Treiberschaltung verbindet.

Verwandte Technik

Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, in der ein aktives Matrixanzeigeverfahren verwendet wird, kann die Anzeige von Bildern mit voller Farbe, hohem Kontrast und von detaillierten Bildern mit hoher Auflösung verwirklichen.
In einer Anzeigevorrichtung, auf welche ein aktives Matrixanzeigeverfahren angewandt wird, werden die Matrixelektrode und eine Vielzahl von Bildelementelektroden auf der inneren Fläche eines Elektrodensubstrats gebildet, das einem anderen Elektrodensubstrat gegenüberliegt. Auf jeder Bildelementelektrode ist ein Dünnfilmtransistor (TFT) als aktives Schaltelement aufgebracht. Dieser TFF arbeitet in Übereinstimmung mit einer Matrixbildung, so dass er dadurch seine entsprechende Bildelementelektrode (Pixelelektrode) schaltet.
Um jedes der Schaltelemente in Übereinstimmung mit der Matrixbildung durch einen TFT zu betreiben, muß jedes dieser Bildelemente mit einem LSI u. dgl. einer externen Treiberschaltung verbunden sein. Jede Anschlußfläche von Leitungen, die die Verdrahtung der Matrixelektrode einschließlich der TFT-Schaltelemente bilden und auf einem vorspringenden Bereich eines Flüssigfeldsubstrats liegen, ist mit einem transparenten leitfähigen Film aus chemisch stabilem ITO (Indiumzinnoxid) bedeckt.
Fig. 11 zeigt eine beispielhafte herkömmliche Struktur einer solchen Anschlußfläche, wie oben erwähnt. Fig. 12 zeigt eine seitliche Querschnittsansicht entlang der Linie A-A von Fig. 11.
Auf der Fläche zwischen den gekerbten Enden der oberen und unteren Glassubstrate 1, 2, auf der ein Anschlußelement eines Treiber-LSI verbunden ist, wird eine transparente leitende Schicht 13 abgeschieden und darunter einer Metalleitung 11 gebildet. In diesem Fall wird das folgende Problem entstehen. Metall von der Metalleitung wird leicht durch Wasser (Feuchtigkeit) ionisiert, das durch die transparente leitende Schicht hindurchdringt, da die transparente leitende Schicht porös ist und wenig effektiv darin, das Eindringen von Wasser unter Verhältnissen hoher Feuchtigkeit auszuschließen. Daher tritt Metallkorrosion auf, und das korrodierte Metall sickert zwischen den Anschlüssen heraus und verursacht das Auftreten von Kriechströmen zwischen den Anschlüssen.
Um dieses Problem zu lösen, hat dieser Anmelder (Inhaber) in der japanischen Patentoffenlegung Nr. JP-A-8-6059 (1996) ein aktives Matrixsubstrat vorgeschlagen, in welchem eine obere Metalleitung aus einem Anschlußbereich entfernt wird, der nicht mit einem anorganischen Schutzfilm bedeckt ist, oder einem Verbindungsmaterial, das mit dem Anschluß verbunden ist.

Zusammenfassung der Offenbarung

Dennoch bleibt bei dem oben offenbarten aktiven Matrixsubstrat das folgende ungelöste Problem bestehen. Wenn Korrosion in dem Bereich der oberen Metalleitung auftritt, die mit der Leitung einer Plastikleiterplatte verbunden werden soll, tritt zur gleichen Zeit ein Kriechstrom zwischen den Anschlüssen auf. Um es genauer zu erklären, die obere Metalleitung ist gewöhnlich mit einer anisotropen leitenden Schicht bedeckt und mit den Leitungen der biegsamen Leiterplatte mittels einer anisotropen leitenden Schicht durch das Bandträgergehäuse-(Tape Carrier Package)-Verfahren verbunden. Jedoch kann die anisotrope leitende Schicht zu einem gewissen Grad Wasser aufnehmen, so daß Wasser, das durch die anisotrope leitende Schicht hindurchgedrungen ist, mit Metall von der oberen Metalleitung reagiert. Falls eine ionische Verunreinigung, wie Chlor u. dgl., entweder auf der anisotropen leitenden Schicht oder der biegsamen Leiterplatte anhaftet, reagiert die anhaftende ionische Verunreinigung mit dem Metall. Als Folge tritt Korrosion des Metalls auf, und das korrodierte Metall sickert zwischen den Anschlüssen heraus, so daß Kriechströme zwischen den Anschlüssen auftreten.
Demgemäß ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, im Besonderen einschließlich eines aktiven Matrixflüssigkristallanzeigefeldes u. dgl., das imstande ist, das Auftreten von Kurzschlüssen durch Kriechströme zwischen den Anschlüssen zu verhindern, sogar unter Verhältnissen hoher Feuchtigkeit, und ein Verfahren zur Herstellung desselben.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Halbleiterbauteil vorgesehen, das eine Vielzahl von Linien aus Metalleitungen aufweist, die mit Bildelementelektroden verbunden sind und auf einem Substrat gebildet werden, wobei jede Reihe einen an der Kante des Substrats gelegenen Anschluß zur Verbindung mit einer externen Treiberschaltung aufweist, um an jede Bildelementelektrode unabhängig Spannung anlegen zu können. Das Halbleiterbauteil ist wie folgt gekennzeichnet: jede der Metalleitungen an der Stelle der Anschlußfläche weist ein Muster gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen auf, das eine leitende Insel und eine Vertiefung oder Vertiefungen, die um die Insel herum angeordnet sind, einschließt; die Oberfläche dei Metalleitung außer zumindest einem Teil der Insel, aber einschließlich des Inneren der Vertiefung darauf, ist mit einem schützenden isolierenden Film bedeckt; ein Kontaktloch wird aus dem mit der schützenden isolierenden Schicht nicht bedeckten Teil auf der Insel gebildet; und eine transparente leitende Schicht wird auf der Oberfläche der schützenden Isolierschicht, dem Inneren des Kontaktlochs und der Oberseite der Insel abgelagert.
In diesem Fall wird ein Fortschreiten der Korrosion, die von der Insel ausgeht, die auf der Anschlußfläche der Metalleitung gebildet worden ist, durch die Vertiefung aufgehalten, und folglich kann verhindert werden, daß sich die Korrosion von der Insel ausbreitet.
In einem aktiven Matrixanzeigeverfahren werden Matrixelektroden, eine Vielzahl von Bildelementelektroden und aktive Schaltelemente, die 1 : 1 den Bildelementelektroden entsprechen, zur Verbindung mit jeder der Metallelektroden, außer dem zuvor erwähnten Anschlußflächenende verwendet. Die Metallelektrode bildet, das Anschlußflächenende ausgenommen, einen Anzeigebereich auf einem Substrat. Jede der Bildelementelektroden kann entsprechend der Matrixtätigkeit der aktiven Schaltelemente geschaltet werden. Flüssigkristalle werden in den Zwischenraum der Elektrodenflächen gefüllt, der zwischen dem Substrat und einem weiteren Substrat, die einander gegenüberliegend verbunden sind, liegt.
Diese Anordnung macht es aus dem folgenden Grund möglich, das Auftreten von Kriechströmen zwischen den Anschlüssen zu verhindern. In der vorliegenden Erfindung weist jede der Metalleitungen eine Struktur aus einer leitenden Insel und einer oder mehreren Vertiefungen auf ihrem Anschlußflächenteil gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen auf. Obwohl Korrosion auf der Inselfläche auftritt, kann das Fortschreiten der Korrosion durch die Vertiefung oder die Vertiefungen um die Insel herum verhindert werden, da die Metalleitung aus einem Metallfilm außer im Bereich der Insel mit einer schützenden Isolierschicht bedeckt ist, die wirkungsvoll das Eindringen von Wasser verhindert. Darüberhinaus kann auch der Fluß von Metall, das von der Insel ausgewaschen wird, in der Vertiefung aufgehalten werden und erreicht niemals die Außenseite. Dementsprechend kann das Auftreten von Kriechströmen zwischen den Anschlüssen verhindert werden.
Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Halbleiterbauteil vorgesehen, das durch die folgenden Merkmale gekennzeichnet ist:
Jede der Metalleitungen im Bereich der genannten Anschlußfläche weist ein Muster gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen auf, das eine leitende Insel und eine Vertiefung oder Vertiefungen enthält, die um die genannte Insel herum angeordnet sind; die Oberfläche der Metalleitung außer zumindest einem Teil der Insel, aber einschließlich des Inneren der genannten Vertiefung oder Vertiefungen darauf, ist mit einer schützenden Isolierschicht bedeckt; ein Kontaktloch wird aus dem Bereich mit der schützenden Isolierschicht nicht bedeckten auf der Insel gebildet; ein Becken mit Boden, das die Vertiefung erreicht, wird durch die schützende Isolierschicht gebildet, die an das genannte Kontaktloch angrenzt; eine transparente leitende Schicht wird auf der Oberfläche der schützenden Isolierschicht abgelagert, einschließlich des Inneren des Kontaktlochs und des Beckens mit Boden.
Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Halbleiterbauteil vorgesehen, das durch die folgenden Merkmale gekennzeichnet ist:
Jede der genannten Metalleitungen im Bereich der Anschlußfläche weist eine obere Metalleitung und eine untere Metalleitung auf, mit einer isolierenden Zwischenschicht, die zwischen der oberen Metalleitung und der unteren Metalleitung liegt; eine Struktur gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen, die eine leitende Insel und eine Vertiefung oder Vertiefungen enthält, die um die Insel herum angeordnet sind, ist an derselben Stelle der oberen und unteren Metalleitungen vorgesehen. Die Oberfläche der Metalleitung außer zumindest einem Teil der Insel, aber einschließlich des Inneren der Vertiefung darauf, ist mit einer schützenden Isolierschicht bedeckt; ein Kontaktloch ist in dem Bereich gebildet, der nicht mit der schützenden Isolierschicht auf der Insel bedeckt ist; eine transparente leitende Schicht ist auf der Oberfläche der schützenden Isolierschicht abgelagert, einschließlich des Inneren des Kontaktlochs und der Oberseite der genannten Insel.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils vorgesehen. Das Verfahren umfaßt die folgenden Schritte:
Ablagerung einer Metallschicht durch Vakuumbedampfung oder Zerstäubung und teilweises Entfernen der Metallschicht, um das vorgesehene Muster der Metalleitungen zu bilden; Bildung einer Struktur gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen, die eine leitende Insel und eine Vertiefung oder Vertiefungen aufweist, die um die Insel herum angeordnet sind, im Bereich der zu bildenden Anschlußfläche;
Aufbringung einer schützenden Isolierschicht auf der Oberfläche der Metalleitung außer zumindest einem Teil der Insel, aber einschließlich des Inneren der Vertiefung darauf, um aus der Stelle ein Kontaktloch herzustellen, die nicht mit der schützenden Isolierschicht auf der Insel bedeckt ist; und
Aufbringen einer transparenten leitenden Schicht auf der Oberfläche der schützenden Isolierschicht einschließlich des Inneren des Kontaktlochs und der Oberseite der Insel.
Gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils vorgesehen, das die folgenden Schritte aufweist:
Aufbringen einer Metallschicht durch Vakuumbedampfung oder Zerstäubung, um ein vorgesehenes Muster der Metalleitungen zu bilden;
Bildung einer Struktur gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen, die eine leitende Insel und eine Vertiefung oder Vertiefungen aufweist, die um die Insel herum angeordnet sind, im Bereich der zu bildenden Anschlußstelle;
Ablagerung einer schützenden Isolierschicht auf der Oberfläche der Metalleitung außer zumindest einem Teil der Insel, aber einschließlich des Inneren der Vertiefung;
Bereitstellung eines Kontaktlochs auf dem Teil der Insel, der nicht mit der schützenden Isolierschicht bedeckt ist;
Herstellung eines Beckens mit Boden, das die Vertiefung durch die schützende Isolierschicht benachbart dem Kontaktloch erreicht; und
Aufbringen einer transparenten leitenden Schicht auf der Oberfläche der schützenden Isolierschicht einschließlich des Inneren des Kontaktlochs und des Beckens mit Boden.
Gemäß einem sechsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils vorgesehen, das aus den folgenden Schritten besteht:
Aufbringen einer unteren Metallschicht auf dem Glassubstrat durch Vakuumbedampfung oder Zerstäubung;
Ätzen des unteren Metallfilms, so daß eine Struktur gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen gebildet wird, die eine leitende Insel, eine Vertiefung oder Vertiefungen, die um die Insel herum angeordnet sind, an der Stelle des genannten, zu bildenden Anschlusses, aufweist;
Bildung einer isolierenden Zwischenschicht auf der unteren Metallschicht durch Zerstäubung;
Aufbringen einer oberen Metallschicht darauf durch Vakuumbedampfung oder Zerstäubung;
Ätzung der oberen Metallschicht, so daß Matrixelektroden in dem zentralen Bereich der Glasplatte hergestellt werden und zugleich die Anschlußfläche mit einer Struktur gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen auf dem Außenbereich des Glassubstrats hergestellt wird, die die gleiche Form hat wie die Struktur auf der unteren Metallschicht, wobei der zentrale Teil später zum Anzeigeteil werden wird, das Muster gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen eine leitende Insel, eine Vertiefung oder Vertiefungen und zumindest einen verengten Teil aufweist, der die Insel mit der Vertiefung oder den Vertiefungen verbindet und die Anschlußfläche mit der auf dem zentralen Bereich gebildeten Elektrode verbunden wird;
Bildung einer schützenden Isolierschicht darauf durch Vakuumbedampfung oder Zerstäubung;
Entfernung der schützenden Isolierschicht, die auf den Inseln der Anschlußfläche gebildet wurde, und der schützenden Isolierschicht und der isolierenden Zwischenschicht, die auf der Vertiefung oder den Vertiefungen gebildet wurde, durch teilweises Ätzen;
Ablagerung einer transparenten leitenden Schicht durch Vakuumbedampfung oder Zerstäubung; und
Ätzen der transparenten leitenden Schicht in die vorbestimmte Form der Anschlußfläche.
Gemäß weiteren Aspekten der vorliegenden Erfindung kann jeder der zuvor erwähnten Schritte kombiniert oder ausgelassen werden, um ein verändertes Verfahren zusammenzustellen. Außerdem kann jedes der zuvor erwähnten Merkmale und jene, die in den abhängigen Ansprüchen dargelegt werden, kombiniert oder ausgelassen werden, um ein verändertes Halbleiterbauteil zusammenzustellen.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht eines zusammengesetzten Flüssigkristallanzeigefeldes, das ein Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauteils der vorliegenden Erfindung ist.
Fig. 2 ist ein vergrößerter Grundriß, der eine Anschlußfläche gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 3 ist eine seitliche Querschnittsansicht in der Linie A-A von Fig. 2, die das erste Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 4 ist eine Querschnittsansicht eines TFT-bildenden Bereichs eines aktiven Matrixflüssigkristallanzeigebauteils.
Fig. 5(a) bis (e) sind seitliche Querschnittsansichten der Herstellungsschritte der Anschlußfläche gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in dieser Reihenfolge.
Fig. 6 ist ein vergrößerten Grundriß, der beispielhaft tatsächliche Abmessungen eines wesentlichen Teils einer Struktur gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen in der Anschlußfläche zeigt, gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Fig. 7 ist eine seitliche Querschnittsansicht einer Anschlußfläche eines zweiten Ausführungsbeispiels gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 8(a) bis (e) sind seitliche Querschnittsansichten der Produktionsschritte der Anschlußfläche gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in dieser Reihenfolge.
Fig. 9 ist eine seitliche Querschnittsansicht einer Anschlußfläche eines dritten Ausführungsbeispiels gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 10(a) bis (e) sind seitliche Querschnittsansichten der Herstellungsschritte einer Anschlußfläche gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in dieser Reihenfolge.
Fig. 11 ist ein vergrößerter Grundriß einer Anschlußfläche eines herkömmlichen Flüssigkristallanzeigefeldes.
Fig. 12 ist eine seitliche Querschnittsansicht entlang der Linie A-A der Fig. 11, die eine beispielhafte herkömmliche Anschlußfläche zeigt.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung

Ein Flüssigkristallanzeigefeld, das eines der bevorzugten Ausführungsbeispiele eines Halbleiterbauteils der vorliegenden Erfindung ist, und sein Herstellungsverfahren werden mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen erklärt werden.
Fig. 1 bis 6 zeigen das erste Ausführungsbeispiel eines Flüssigkristallanzeigebauteils der vorliegenden Erfindung. Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht des zusammengesetzten Feldes; Fig. 2 ein Grundriß einer Anschlußfläche und Fig. 3 eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A der Fig. 2. Fig. 4 ist eine Querschnittsansicht, die einen herkömmlichen Bildelementelektrodenbereich mit einem TFT zeigt und als Verständnishilfe für die Erklärung bezüglich der Ausführungsweise der Erfindung dient.
Der Aufbau des Flüssigkristallanzeigefeldes wird durch die folgende Erklärung deutlich gemacht werden hinsichtlich eines Herstellungsverfahrens der vorliegenden Erfindung, so daß es hier grob erklärt werden wird. Wie in Fig. 1 gezeigt, weist das Flüssigkristallanzeigefeld ein oberes und ein unteres Glassubstrat 1 und 2 auf. Diese Substrate sind mit einem Zwischenraum zueinander durch ein Versiegelungsharz verklebt. Ein Flüssigkristall ist zwischen diesen Substraten eingeschlossen und bildet eine Flüssigkristallzelle. Auf der Oberfläche des unteren Glassubstrats, die dem oberen Substrat gegenüberliegt, sind Metalleitungen gebildet, die ein Muster einer aktiven Matrixanzeigeelektrode bilden. Jede der Metalleitungen hat eine Anschlußfläche 3, die auf dem gegenüber dem oberen Glassubstrat vorspringenden Bereich der unteren Glassubstratoberfläche liegt. Diese Anschlußflächen sind mit einem Verbindungselement wie einem Treiber-LSI u. dgl. verbunden.
Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung dieses Flüssigkristallanzeigefeldes, besonders seiner verbesserten Anschlußfläche 3, die außerhalb des oberen Glassubstrats 1 liegt, erklärt werden mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen wie Fig. 1 u. dgl., hauptsächlich auf Fig. 5, die ein Schema der Herstellungsschritte aus Querschnittsansichten entlang der Linie A-A der Fig. 2 darstellt.
Unter Bezug auf Fig. 5(a) wird zunächst Cr (Chrom) in einer Dicke von 200 nm auf dem unteren Glassubstrat 2 durch Zerstäubung abgelagert und dann teilweise entfernt, um ein Muster aus unteren Metalleitungen 9 zu erzeugen. Durch jede dieser Metalleitungen 9 wird eine Gateelektrode 9a in einem in Fig. 4 gezeigten TFT-Bereich gebildet.
Als nächstes wird eine Verbundschicht aus Siliziumoxid- und Siliziumnitridschichten mit einer Gesamtdicke von 500 nm auf der unteren Metalleitung 9 durch Plasma-CVD (chemische Gasabscheidung) abgeschieden, um eine isolierende Zwischenschicht (Passivierungsschicht) 10 (Fig. 5(b)) zu bilden.
In dem in Fig. 4 gezeigten TET-Bereich wird nachfolgend amorphes Silizium (im folgenden als "a-Si" bezeichnet) in derselben CVD-Anlage auf der isolierenden Zwischenschicht 10 abgeschieden und dann dotiert, um eine nicht dotierte a-Si-Schicht 16 in einer Dicke von 200 nm und eine aufgewachsene n&spplus;-Typ-a-Si-Schicht 17 in einer Dicke von 20 nm zu erzeugen. Danach wird die n&spplus;-Typ-a-Si-Schicht teilweise entfernt, um eine Inselstruktur aus der nichtdotierten a-Si-Schicht zu bilden. Die isolierende Zwischenschicht 10, die unter dem Inselmuster der nicht dotierten a-Si-Schicht angeordnet ist, dient als eine Gate-Isolierschicht.
Andererseits wird unter Bezug auf Fig. 5(b), um erneut das Herstellungsverfahren der verbesserten Anschlußfläche 3 zu erklären, die abgeschiedene isolierende Zwischenschicht 10 teilweise an der vorbestimmten Stelle entfernt, an der die untere Metalleitung 9 mit der oberen Metalleitung 11 in Kontakt treten soll, die im nächsten Schritt gebildet werden soll (vgl. Fig. 5(c)), um die Struktur eines Kontaktlochs 10a zu bilden.
Unter Bezug auf Fig. 5(c), die den nächsten Schritt der Fig. 5(b) zeigt, wird eine obere Metalleitung 11 aus Cr auf der isolierenden Zwischenschicht 10 abgeschieden, um das Innere des Kontaktlochs 10a zu bedecken. Um es genauer zu erklären, Chrom von 200 nm Dicke wird auf der isolierenden Zwischenschicht 10 durch Zerstäubung abgeschieden und bildet die obere Metalleitung 11, die elektrisch mit der unteren Metalleitung 9 im Bereich des Kontaktlochs 10a verbunden ist.
Von der oberen Metalleitung 11 werden die Drain-Elektrode 11b und die Source-Elektrode 11c in dem TFT-bildenden Bereich von Fig. 4; und eine Datensignalleitung 11a des aktiven Matrixanzeigebauteils in einem Anzeigebereich außerhalb des TFT-bildenden Bereichs gebildet.
In dem Schritt der Fig. 5(c), der für den Herstellungsprozess der verbesserten Anschlussfläche gemäß der vorliegenden Erfindung wesentlich ist, wird die obere Metallleitung 11 teilweise entfernt, um eine Struktur aus Vertiefungen 4 und leitenden Inseln 5 gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen zu bilden. Die Insel 5 wird unter einem Kontaktloch 12a (vgl. Fig. 5(d)) gebildet, welches durch eine isolierende Schutzschicht 12 im nächsten Schritt hergestellt wird, und umgeben von den Vertiefungen 4. Wie in Fig. 2 gezeigt wird, die ein Grundriß des Anschlusses ist, werden die Vertiefungen 4 und die Insel 5 durch einen verengten Teil 6 verbunden.
In nächsten Schritt von Fig. 5(d) wird eine Siliziumnitridschicht von ungefähr 200 nm Dicke durch Plasma-CVD auf der oberen Metalleitung 11, die die Struktur aus den Vertiefungen 4 und der Insel 5 gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen aufweist, abgeschieden, um eine isolierende Schutzschicht 12 zu bilden. Die isolierende Schutzschicht 12 wird teilweise entfernt, um ein Kontaktloch 12a auf dem verbindenden Punkt der oberen Metalleitung 11 zu bilden, die mit einer transparenten leitenden Schicht 13 (vgl. Fig. 5(e)) verbunden werden wird, die im nächsten Schritt gebildet werden soll.
Dieses Kontaktloch 12a wird genau auf der in der oberen Metalleitung 11 gebildeten Insel 5 gebildet und ist dementsprechend von den Vertiefungen 4 umgeben.
Im nächsten Schritt von Fig. 5(e) wird eine transparente leitende Schicht 13 aus ITO mit einer Dicke von 40 nm auf der isolierenden Schutzschicht 12 gebildet, um das Innere des Kontaktlochs 12a zu bedecken, das durch die isolierende Schutzschicht 12 gebildet worden ist. Fig. 2 ist eine Aufsicht auf die Anschlußfläche 3, die durch all die oben erwähnten Schritte vollendet worden ist. Man wird verstehen, daß ein Quadrat, das durch eine durchgezogene Linie 12a in Fig. 2 gezeichnet ist, ein Kontaktloch bedeutet, das durch die isolierende Schutzschicht 12 hindurch gebildet worden ist, und das jenes, das durch eine gestrichelte Linie 10a in Fig. 2 gezeichnet ist, das durch die isolierende Zwischenschicht 10 hindurch gebildete Kontaktloch bedeutet.
Wie in Fig. 4 gezeigt ist, die den TFT-bildenden Bereich zeigt, wird die transparente leitende Schicht 13 in dem Anzeigebereich in eine Struktur aus einer Bildelementelektrode 13a verbunden mit einer Source-Elektrode 11c verändert.
Durch all die oben erwähnten Schritte wird das untere Glassubstrat 2 mit der Anschlußfläche 3 darauf hergestellt. Anschließend wird das erhaltene untere Glassubstrat 2 mit dem oberen Glassubstrat 1 mit einem Dichtungsharz 15, wie in Fig. 3 gezeigt, verklebt. Dann wird ein Flüssigkristall 14 in den Zwischenraum zwischen den oberen und unteren Glassubstraten 1 und 2 gefüllt, um das erste Ausführungsbeispiel des Flüssigkristallanzeigefeldes darzustellen, das viele Anschlußflächen 3, die um das obere Glassubstrat 1 herum angeordnet sind, aufweist.
In dem so hergestellten ersten Ausführungsbeispiel des Flüssigkristallanzeigefeldes der vorliegenden Erfindung ist die gesamte Oberfläche der oberen Metalleitung 11 außer den leitenden Inseln 5 in der Struktur gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen mit der isolierenden Schutzschicht 12 bedeckt. Wasser kann diese isolierende Schutzschicht 12 kaum durchdringen, so daß es kaum möglich ist, Korrosion in diesem Bereich der oberen Metalleitung 11 zu verursachen, die mit der isolierenden Schutzschicht bedeckt ist.
Obwohl der Teil der Insel 5, der nicht mit der schützenden Isolierschicht 12 bedeckt ist, auch mit der transparenten leitenden Schicht 13 bedeckt ist, ist der Widerstand des transparenten leitenden Films 13 gegen Wasserdurchtritt nicht sehr hoch. Aus diesem Grund ist es möglich, Korrosion in den Inseln 5 zu verursachen. Jedoch tritt die Korrosion nur in der Insel auf und schreitet niemals zu einem anderen Teil der oberen Metalleitung 11 fort. Daher nimmt das Heraussickern von Metallionen aus der Anschlußfläche 3 ab und die Wahrscheinlichkeit des Auftretens von Kurzschlüssen wegen eines Kriechstroms zwischen den Anschlüssen kann durch diese Antikorrosionswirkung stark vermindert werden verglichen mit der herkömmlichen Struktur ähnlich dem Halbleiterbauteil der vorliegenden Erfindung.
Andererseits steigt der elektrische Widerstand im Verhältnis zu den Vertiefungen 4, die die Insel 5 umgeben und gebildet werden, um das Kurzschließen der oberen Metalleitung 11 zwischen den Anschlüssen zu verhindern. Dieses Problem kann jedoch gelöst und überwunden werden durch das Herstellen einer elektrischen Verbindung zwischen der oberen Metalleitung 11 und der unteren Metalleitung 9 mittels des Kontaktlochs 10a, das durch die isolierende Zwischenschicht 10 hindurch gebildet wird.
Ein LCD wurde unter Verwendung des ersten Ausführungsbeispiels des Flüssigkristallanzeigefelds der vorliegenden Erfindung hergestellt und seine Wirkung wurde untersucht und ergab die folgenden Ergebnisse.
Fig. 6 zeigt beispielhaft tatsächliche Abmessungen des Gebiets um die Insel 5 der oberen Metalleitung 11, die in der Anschlußfläche 3 gebildet wurde. Der Abstand zwischen den Verbindungen der Anschlußfläche wurde auf 70 um festgesetzt, die Breite des Anschlusses auf 40 um. Die Struktur gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen, die acht Stellen von Inseln 5 bezogen auf eine obere Metalleitung 11 der Anschlußfläche 3 aufweist, wurde gebildet.
Der Anschluß der so erhaltenen Anschlußfläche 3 wurde absichtlich durch Berührung mit einem Finger verunreinigt und dann mit einem Verbindungselement eines Treiber- LSI durch einen anisotropen leitenden Film durch Druck verbunden. Das erhaltene Flüssigkristallanzeigefeld wurde unter Verhältnissen von 50ºC und 85% Feuchtigkeit tatsächlich betrieben. Nachdem 240 Stunden seit dem Beginn des Betriebs vergangen waren, wurde das Flüssigkristallfeld untersucht. Als Ergebnis wurden in Bezug auf herkömmliche Flüssigkristallanzeigefelder Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen in dem hohen Verhältnis von 8 zu 10 Beispielen beobachtet. Im Gegensatz dazu wurde kein Kurzschluß zwischen den Anschlüssen beim ersten Ausführungsbeispiel eines Flüssigkristallanzeigefeldes der vorliegenden Erfindung beobachtet.
Als nächstes wird unter Bezug auf die Fig. 7 und 8, die eine oder mehr Querschnittsansichten entlang der Linie A-A der Fig. 2 zeigen, das zweite Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt werden. Fig. 7 ist eine Ansicht des zweiten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung, das der Querschnittsstruktur des Anschlusses des ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung, das in Fig. 3 gezeigt ist, entspricht. Fig. 8 ist ein Diagramm der Herstellungsschritte, das sich auf die Anschlußstruktur bezieht, die in Fig. 7 gezeigt wird. Die TFT-Produktionsschritte des zweiten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung sind die gleichen wie jene des ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung. Entsprechend werden Erklärungen bezüglich der TFT-Herstellungsschritte, die bereits erklärt worden sind, hier ausgelassen.
Unter Bezug auf Fig. 8(a) wird Cr in einer Dicke von 200 nm zunächst auf dem unteren Glassubstrat 2 durch Zerstäubung niedergeschlagen und dann teilweise entfernt, um ein Muster der unteren Metalleitungen 9 zu bilden.
Als nächstes wird, unter Bezug auf Fig. 8(b), eine Verbundschicht aus Siliziumoxid- und Siliziumnitridschichten mit einer Gesamtdicke von 500 nm auf der unteren Metallleitung 9 durch Plasma-CVD abgeschieden, um eine isolierende Zwischenschicht 10 zu bilden. Anschließend wird diese isolierende Zwischenschicht 10 an der vorbestimmten Stelle teilweise entfernt, an der die untere Metalleitung 9 mit der oberen Metalleitung 11 in Kontakt treten soll, die im nächsten Schritt gebildet werden soll, um die Struktur eines Kontaktlochs 10a zu bilden. Zur gleichen Zeit wird die isolierende Zwischenschicht 10 um das in der oberen Metalleitung 11 zu bildende Inselmuster herum entfernt, um Beckenvertiefungen 18' zu bilden.
Als nächstes wird im Schritt von Fig. 8(c) Chrom in 200 nm Dicke auf der isolierenden Zwischenschicht 10 abgeschieden und dann teilweise entfernt, um eine Struktur der oberen Metalleitung 11 zu bilden. Diese obere Metalleitung 11 kann sich mit der unteren Metalleitung 9 durch das Kontaktloch 10a, das im vorherigen Schritt gebildet worden ist, elektrisch verbinden.
In diesem Schritt wird in der oberen Metalleitung 11 eine Struktur gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen aus Vertiefungen 4 und leitenden Inseln 5 gebildet, die die gleichen sind wie jene des ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
Als nächstes wird, wie in Fig. 8(d) gezeigt, eine Siliziumnitridschicht von ungefähr 200 nm Dicke durch Plasma-CVD auf der oberen Metalleitung 11 abgeschieden, um eine isolierende Schutzschicht 12 zu bilden. Dann wird die isolierende Schutzschicht 12 teilweise entfernt (strukturiert), um ein Kontaktloch 12a auf der Verbindungsstelle der oberen Metalleitung 11 zu bilden, die mit der transparenten leitenden Schicht 13 verbunden werden wird, die im nächsten Schritt gebildet werden wird.
Als nächstes wird, wie in Fig. 8(e) gezeigt, eine transparente leitende Schicht 13 aus ITO mit einer Dicke von 40 nm auf der isolierenden Schutzschicht 12 gebildet, so daß sie das Innere des Kontaktlochs 12a bedeckt. Becken 18 werden an der Stelle der Beckenvertiefungen 18' in Fig. 8(b) hergestellt.
Durch all diese genannten Schritte wird das untere Glassubstrat 2 mit der Anschlußfläche 3 darauf hergestellt. Anschließend wird das erhaltene untere Glassubstrat 2 mit einem Versiegelungsharz 15 an das obere Glassubstrat 1 angeklebt. Dann wird ein Flüssigkristall 14 in den Zwischenraum zwischen den oberen und unteren Glassubstraten 1 und 2 gefüllt, um das zweite Ausführungsbeispiel des Flüssigkristallanzeigefelds mit einer Vielzahl von Verbindungsflächen 3, die um das obere Glassubstrat 1 herum angeordnet sind, wie in Fig. 7 gezeigt, herzustellen.
Gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird durch die Becken 18', die zusätzlich zu dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung vorgesehen sind, korrodiertes Metall in den Becken 18 aufgefangen und verteilt sich nicht in dem Bereich zwischen den Anschlüssen. Folglich kann die Ursache von unakzeptablen Kurzschlüssen durch Kriechströme zwischen den Anschlüssen, verglichen mit dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, noch wirksamer verhindert werden.
Als nächstes wird unter Bezug auf die Fig. 9 und 10, die eine oder mehrere Querschnittsansichten entlang der Linie A-A von Fig. 2 zeigen, das dritte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt werden. Fig. 9 ist eine Ansicht des dritten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung, die der Querschnittsstruktur des Anschlusses des ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung in Fig. 3 entspricht. Fig. 10 ist ein Diagramm der Produktionsschritte hinsichtlich der in Fig. 9 gezeigten Anschlußstruktur. Die TFT-Produktionsschritte des dritten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung sind die gleichen wie jene des ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung. Folglich werden Erklärungen bezüglich der TFT- Herstellungsschritte, die bereits erklärt worden sind, hier ausgelassen.
Zunächst wird, wie in Fig. 10(a) gezeigt, Cr in einer Dicke von 200 nm auf dem unteren Glassubstrat 2 durch Zerstäubung abgeschieden und dann teilweise entfernt, um die Struktur der unteren Metalleitungen 9 zu bilden. Während dieses Zeitraums wird, um keinen ungeschützten Bereich herzustellen, der nicht mit einer zu bildenden Isolierschicht bedeckt ist, die untere Metalleitung 9 so hergestellt, daß sie eine Struktur aus Vertiefungen 4 und Inseln 5 gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen aufweist. Diese Struktur gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen hat die gleiche Form wie jene der oberen Metalleitung 11, die in einem späteren Schritt gebildet werden wird (siehe Fig. 10(c)).
Als nächstes wird im Schritt von Fig. 10(b) eine Verbundschicht aus Siliziumoxid- und Siliziumnitridschichten mit einer Gesamtdicke von 500 nm durch Plasma-CVD auf der unteren Metalleitung 9 abgeschieden, um eine isolierende Zwischenschicht 10 zu bilden. Anschließend wird diese isolierende Zwischenschicht 10 an der vorbestimmten Stelle teilweise entfernt, an der die untere Metalleitung 9 in Kontakt mit der im nächsten Schritt zu bildenden oberen Metalleitung 11 stehen soll, um die Struktur eines Kontaktlochs 10(a) zu bilden.
Als nächstes wird, wie in Fig. 10(c) gezeigt, Cr mit einer Dicke von 200 nm auf der isolierenden Zwischenschicht 10 abgeschieden und dann teilweise entfernt, um die Struktur der oberen Metalleitung 11 zu bilden. Diese obere Metalleitung 11 ist mit der unteren Metalleitung an der Stelle des Kontaktlochs 10a verbunden. Diese obere Metalleitung 11 wird so gebildet, daß sie eine Struktur aus Vertiefungen 4 und Inseln 5 gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen aufweist.
Als nächstes wird, wie in Fig. 10(d) gezeigt, eine Siliziumnitridschicht von ungefähr 200 nm Dicke durch Plasma-CVD auf der oberen Metalleitung 11 abgeschieden, um eine isolierende Schutzschicht 12 zu bilden. Dann wird die isolierende Schutzschicht 12 teilweise entfernt, um ein Kontaktloch 12a an der Verbindungsstelle der oberen Metallleitung 11 zu bilden, die mit einer im nächsten Schritt zu bildenden transparenten leitenden Schicht 13 (siehe Fig. 10(e)) verbunden werden wird. Zur gleichen Zeit werden die isolierende Schutzschicht 12 genauso wie die isolierende Zwischenschicht 10 um die in der oberen Metalleitung 11 gebildete Insel 5 herum durch Ätzen entfernt, um Becken 18 auszubilden.
Anschließend wird in dem in Fig. 10(e) gezeigten Schritt eine transparente leitende Schicht 13 aus ITO in einer Dicke von 400 nm gebildet und dann teilweise entfernt, so daß sie die Anschlußfläche 3 bedeckt.
In der oben genannten Weise wird das untere Glassubstrat 2 hergestellt. Das erhaltene untere Glassubstrat 2 wird mit dem oberen Glassubstrat 1 durch ein Versiegelungsharz 15 verklebt. Dann wird ein Flüssigkristall 14 in den Zwischenraum zwischen den oberen und unteren Glassubstraten 1 und 2 gefüllt, um das dritte Ausführungsbeispiel des in Fig. 9 gezeigten Flüssigkristallanzeigefeldes herzustellen.
Im dritten Ausführungsbeispiel des Flüssigkristallfeldes der vorliegenden Erfindung sind die Becken 18 tief verglichen mit jenen des zweiten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung. Folglich wird korrodiertes Metall vollständig in den Becken 18 aufgefangen und breitet sich nicht in den Bereich zwischen den Anschlüssen aus. Demgemäß kann die Wirkung gegen Kurzschlüsse wegen Kriechströmen zwischen den Anschlüssen weiter verbessert werden.
Die vorzuziehenden ersten bis dritten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sind dargelegt worden. Sie sollten jedoch erläuternd und nicht einschränkend betrachtet werden. Andere Ausführungsbeispiele können möglich sein. Zum Beispiel können die untere Metalleitung 9 und die obere Metalleitung 11 eine einzelne oder zusammengesetzte Schicht aus Aluminium, Molybdän, Wolfram u. dgl. anstelle einer einzelnen Schicht aus Cr sein, wie in den ersten bis dritten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung dargelegt. Das Material dieser Metalleitungen kann sich voneinander unterscheiden. Die isolierende Zwischenschicht 10 und die isolierende Schutzschicht 12 können ebenfalls aus anderem Material hergestellt werden, als dem, das in jedem der Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung, wie oben erklärt, verwendet worden ist. Die Form und Anzahl der Vertiefung 4 und der Insel 5, die die Struktur gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen bilden, sollte nicht einschränkend betrachtet werden.
Die verdienstvollen Wirkungen der vorliegenden Erfindung werden wie folgt zusammengefaßt.
Wie oben erwähnt, ist ein Halbleiterbauteil und sein Herstellungsverfahren der vorliegenden Erfindung für die Anwendung auf ein Aktivmatrix-LCD vorzuziehen. In der vorliegenden Erfindung weist die Anschlußfläche einer Metalleitung eine Struktur gegen Kurzschlüsse zwischen den Anschlüssen auf, einschließlich einer Insel, die nicht mit einer isolierenden Schutzschicht bedeckt ist, die wirkungsvoll das Eindringen von Wasser unterbindet. Die Metalleitung einer Metallschicht, mit Ausnahme des Bereichs der Insel, ist mit der isolierenden Schutzschicht bedeckt. Folglich kann das Fortschreiten von Korrosion, obwohl Korrosion in der Gegend der Insel auftritt, durch die um die Insel herum angeordneten Vertiefungen aufgehalten werden. Darüberhinaus kann auch der Fluß von Metall, das aus der Insel heraussickert, in der Vertiefung aufgehalten werden und erreicht niemals das äußere. Folglich kann das Auftreten von Kriechströmen zwischen den Anschlüssen wirkungsvoll verhindert werden.
Weitere Aufgaben und Lösungen, die in der vorliegenden Erfindung enthalten sind, werden in der gesamten Offenbarung, einschließlich der beigefügten Ansprüche und Zeichnungen, augenscheinlich werden.
Es sollte zur Kenntnis genommen werden, daß in der Technik naheliegende Änderungen erfolgen können, ohne vom Umfang der vorliegenden Erfindung, wie sie hierin offenbart und im folgenden Anhang beansprucht wird, abzuweichen.

Claims

1. Halbleiterspeichervorrichtung mit einer Anzahl von Leitungen aus Metalldrähten (11), die mit Pixelelektroden verbunden sind und auf einem Substrat (2) ausgebildet sind, wobei jede Leitung einen Verbindungsanschluß (3) aufweist, der mit der Kante des Substrats verbunden ist, für eine Verbindung an eine externe Treiberschaltung zum Anlegen einer Spannung unabhängig an jede Pixelelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß:

jeder der Metalldrähte an der Position des Verbindungsanschlusses mit einem Zwischenanschluß-Antikurzschluß-Muster versehen ist mit einer leitfähigen Insel (5) und einer Ausnehmung oder Ausnehmungen (4), die um die Insel angeordnet ist/sind,

wobei die Oberfläche des Metalldrahtes mit Ausnahme zumindest eines Teils der Insel, aber einschließlich der Innenseite der Ausnehmung oder der Ausnehmungen, mit einem schützenden Isolierfilm (12) versehen ist,

ein Kontaktloch (12a) auf dem unbedeckten Teil mit dem schützenden Isolierfilm auf der Insel ausgebildet ist und daß

ein transparenter leitfähiger Film (13) auf der Oberfläche des schützenden Isolierfilms, der Innenseite des Kontaktloches und der oberen Fläche der Insel abgeschieden ist.

2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Ausnehmung ausreicht, die Fortpflanzung von Korrision abzuschneiden, die von der Insel herrührt, die auf dem in der Position des Anschlusses angeordneten Metalldrahtes montiert ist, so daß Korrosion aus der Insel nicht verbreitet wird.

3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, die eine Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige ist, mit Matrixelektroden, mehreren Pixelelektroden und aktiven Schaltelementen, die einer oder mehreren der Pixelelektroden entsprechen, wobei alle mit jeder der Metallelektroden mit Ausnahme des Verbindungsanschlußendes verbunden sind und einen Anzeigeteil auf dem Substrat bilden, wobei die Pixelelektroden entsprechend der Matrixoperation der aktiven Schaltelemente geschaltet werden können und wobei Flüssigkristall in den Raum der Elektrodenfläche eingefüllt ist, der zwischen dem Substrat und einem weiteren Substrat angeordnet ist, die einander gegenüberliegend miteinander verbunden sind.

4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, wobei die aktiven Schaltelemente Dünnfilmtransistoren sind.

5. Halbleitervorrichtung mit einer Anzahl von Leitungen aus Metalldraht (11), die mit Pixelelektroden verbunden sind und auf einem Substrat (2) ausgebildet sind, wobei jede einen Verbindungsanschluß (3) aufweist, der an der Kante des Substrats ausgebildet ist, zur Verbindung mit einer externen Treiberschaltung zum Anlegen von Spannung unabhängig an jede Pixelelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß

jeder der Metalldrähte an der Position des Verbindungsanschlusses mit einem Zwischenanschluß-Antikurzschluß-Muster versehen ist, mit einer leitfähigen Insel (5) oder Ausnehmung oder Ausnehmungen (4), die um die Insel herum angeordnet ist/sind,

wobei die Oberfläche des Metalldrahtes mit Ausnahme von zumindest einem Teil der Insel, aber einschließlich der Innenseite der Ausnehmung oder der Ausnehmungen, darauf mit einem schützenden Isolierfilm (12) bedeckt ist,

ein Kontaktloch (12a) auf dem unbedeckten Teil mit dem schützenden Isolierfilm auf der Insel ausgebildet ist,

ein Bodenpool (18), der an der Ausnehmung ankommt, durch den schützenden Isolierflim angrenzend an das Kontaktloch vorgesehen ist und daß

ein transparenter leitfähiger Film (13) auf der Oberfläche des schützenden Isolierfilms abgeschieden ist, einschließlich der Innenseite des Kontaktloches und des Bodenpools.

6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, wobei die Ausnehmung und der Bodenpool ausreichend sind, die Fortpflanzung von Korrosion abzuschneiden, die aus der Insel resultiert, die auf dem in Position des Anschlusses angeordneten Metalldraht montiert ist, um somit Korrosion nicht aus der Insel zu verteilen.

7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, die eine Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung ist, mit Matrixelektroden, mehreren Pixelelektroden und aktiven Schaltelementen, die einzeln den Pixelelektroden entsprechen, wobei alle mit jeder der Metallelektroden mit Ausnahme des Verbindungsanschlußendes verbunden sind und einen Anzeigebereich auf dem Substrat bilden, wobei die Pixelelektrode entsprechend der Matrixoperation des aktiven Schaltelementes geschaltet werden kann und Flüssigkristall in dem Raum der Elektrodenfläche zwischen dem Substrat und einem weiteren Substrat eingefüllt ist, die miteinander verbunden sind.

8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, wobei die aktiven Schaltelemente Dünnfilmtransistoren sind.

9. Halbleitervorrichtung mit mehreren Leitungen aus Metalldrähten (11), die mit Pixelelektroden verbunden sind und auf einem Substrat (2) ausgebildet sind, wobei jede einen Verbindungsanschluß (3) aufweist, der an der Kante des Substrats angeordnet ist, zum Verbinden mit einer externen Treiberschaltung zum Anlegen von Spannung unabhängig an jede Pixelelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß

jeder der Metalldrähte in der Position des Verbindungsanschlusses einen oberen Metalldraht (11) und einen unteren Metalldraht (9) aufweist mit einem isolierenden Zwischenschichtfilm (10), der zwischen den oberen Metalldraht und den unteren Metalldraht eingefügt ist,

ein Zwischenanschluß-Antikurzschluß-Schaltungsmuster vorgesehen ist mit einer leitfähigen Insel (5) und einer Ausnehmung oder Ausnehmungen (4), die um die Insel herum angeordnet ist, in derselben Position des oberen und des unteren Metalldrahtes,

die Oberfläche des Metalldrahtes mit Ausnahme eines Teils der Insel, aber einschließlich des Inneren der Ausnehmung oder der Ausnehmungen, mit einem schützenden Isolierflim (12) bedeckt ist,

ein Kontaktloch (12a) auf dem unbedeckten Teil des schützenden Isolierfilms auf der Insel ausgebildet ist und daß

ein transparenter leitfähiger Film (13) auf der Oberfläche des schützenden Isolierfilms einschließlich der Innenseite des Kontaktloches und der oberen Fläche der Insel abgeschieden ist.

10. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit mehreren Leitungen von Metalldraht (11), die mit Pixelelektroden verbunden sind und auf einem Substrat (2) ausgebildet sind, wobei jede Leitung einen Verbindungsanschluß (3) aufweist, der an der Kante des Substrates positioniert ist, zur Verbindung mit einer externen Treiberschaltung zum Anlegen von Spannung unabhängig an jede Pixelelektrode, mit den Schritten:

Abscheiden eines Metallfilms (11) durch Vakuumabscheidung oder Spluttern und teilweises Entfernen des Metallfilms zur Ausbildung des vorgegebenen Musters der Metalldrähte,

Ausbilden eines Zwischenanschluss-Antikurzschluß-Musters mit einer leitfähigen Insel (5) und einer Ausnehmung oder Ausnehmungen (4), die um die Inseln herum angeordnet ist/sind, in der Position des auszubildenden Verbindungsanschlusses,

Abscheiden eines schützenden Isolierfilms (12) auf der Oberfläche des Metalldrahtes mit Ausnahme zumindest eines Teils der Insel, aber einschließlich der Innenseite der Ausnehmung darauf, zur Bitdung eines Kontaktloches (12a) des unbedeckten Bereichs mit dem schützenden Isolierfilm auf der Insel, und

Abscheiden eines transparenten leitfähigen Films (13) auf der Oberfläche des schützenden Isolierfilms, einschließlich der Innenseite des Kontaktloches und der oberen Fläche der Insel.

11. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit mehreren Leitungen von Metalldraht (11), die mit Pixelelektroden verbunden sind und auf einem Substrat (2) ausgebildet sind, wobei jede Leitung einen Verbindungsanschluß (3) aufweist, der an der Kante des Substrats ausgebildet ist, zum Verbinden mit einer externen Treibervorrichtung zum Anlegen von Spannung unabhängig an jede Pixelelektrode, mit den Schritten:

Abscheiden eines Metallfilms (11) durch Vakuumabscheidung oder Sputtern, zur Ausbildung eines vorgegebenen Musters auf den Metalldrähten,

Ausbildung einer Zwischenanschluß-Antikurzschluß-Musters mit einer leitfähigen Insel (5) und einer Ausnehmung oder Ausnehmungen (4), die um die Inseln herum an der Position des zu bildenden Verbindungsanschlusses angeordnet ist/sind,

Abscheiden eines schützenden Isolierfilms (12) auf der Oberfläche des Metalldrahtes mit Ausnahme zumindest eines Teils der Insel, aber einschließlich der Innenseite der Ausnehmung, zum Vorsehen eines Kontaktloches (12a) des unbeschichteten Teils mit dem schützenden Isolierfilm auf der Insel,

Ausbilden eines Bodenpools (18), der an der Ausnehmung ankommt, durch den schützenden Isolierfilm angrenzend an das Kontaktloch und

Abscheiden eines transparenten leitfähigen Films (13) auf der Oberfläche des schützenden Isolierfilms, einschließlich der Innenseite des Kontaktloches und dem Bodenpool.

12. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit mehreren Leitungen von Metalldraht (9, 11), die mit Pixelelektroden verbunden sind und auf einem Glassubstrat (2) ausgebildet sind, mit jeweils einem Verbindungsanschluß (3), der an der Kante des Glassubstrats angeordnet ist, zum Verbinden mit einer externen Treiberschaltung zum Anlegen von Spannung unabhängig an jede Pixelelektrode mit den Schritten:

Abscheiden eines unteren Metallfilms (9) auf dem Glassubstrat durch Vakuumabscheidung oder Sputtern,

Ätzen des unteren Metallfilms zur Ausbildung eines Zwischenanschluß-Antikurzschluß-Musters mit einer leitfähigen Insel (5), einer Ausnehmung oder Ausnehmungen (4), die um die Insel herum angeordnet ist/sind, in einer Position des auszubildenden Anschlusses,

Ausbilden einer Zwischenisolierschicht (10) auf dem unteren Metallfilm durch Sputtern,

Abscheiden eines oberen Metallfilms (11) darauf durch Vakuumabscheidung oder Sputtern,

Ätzen des oberen Metallfilms zur Ausbildung von Matrixelektroden auf dem Mittenteil der Glasplatte, gleichzeitig zur Ausbildung des Verbindungsanschlusses mit einem Zwischenanschluß-Antikurzschluß-Musters auf dem Umfang des Glassubstrates in derselben Form wie das Muster des unteren Metallfilms, wobei der Mittenteil in einen Anzeigeteil geändert wird, wobei das Zwischenanschluß-Antikurzschluß-Muster eine leitfähige Insel (5), eine Ausnehmung oder Ausnehmungen (4) und zumindest einen Beschränkungsteil aufweist, der die Insel mit der Ausnehmung oder den Ausnehmungen verbindet, wobei der Verbindunganschluß mit der Elektrode, die auf dem Mittenteil ausgebildet ist, verbunden wird,

Ausbilden eines schützenden Isolierfilms (12) darauf durch Vakuumabscheidung oder Sputtern,

teilweises Entfernen durch Ätzen des schützenden Isolierfilms, der auf den Inseln des Verbindungsanschlusses ausgebildet ist, und des schützenden Isolierfilms und des Zwischenschicht-Isolierfilms, der auf der Ausnehmung oder den Ausnehmungen ausgebildet ist,

Abscheiden eines transparenten leitfähigen Films (13) durch Vakuumabscheidung oder Sputtern und

Ätzen des transparenten leitfähigen Films in die vorgegebene Form des Verbindungsanschlusses.