KR100859464B1 - 디지털 엑스레이 검출기용 박막트랜지스터 어레이 패널 및 그 제조방법 - Google Patents
디지털 엑스레이 검출기용 박막트랜지스터 어레이 패널 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
최근 디지털 처리기술의 발달로 인해 의학영상분야는 필름을 대신하는 디지털 매체의 사용이 증가하는 추세이다.
기존의 필름촬영방식이 단일 매체로 영상의 획득 및 표시기능을 모두 담당했던 것과는 달리 디지털 X-ray 영상 진단 기기는 영상의 획득기능과 표시기능이 분리되고 획득된 영상데이터는 디지털화 되어 저장되어진다는 점이 가장 큰 차이라고 할 수 있다.
이렇게 영상데이터의 디지털화는 자료를 전산화, 정보화 하는데 매우 유익하고 여기에 영상의 대조도 증강과 경계 강조 등 여러 가지 영상처리기법을 적용함으로써 미세 음영의 가시도 개선과 정량적인 측정과 분석 등에 따른 진단능력의 향상을 기대할 수 있다.
또한, 디지털 X-ray 영상 진단 기기는 영상 획득부의 감도를 별도로 최대화함으로써 기존필름방식에 비해 더 적은 X-ray 조사량으로 우수한 화질을 얻을 수 있어 신체의 피폭량을 줄일 수 있고, 영상을 필름화 할 필요가 없어 방대한 저장시설과 인화에 필요한 화학약품이 불필요함으로 보다 환경에 친화적이다.
뿐만 아니라 영상의 획득, 저장, 전송, 표시등을 일원적으로 관리하는 PACS의 개발과 발달에 따라 획득된 영상을 실시간으로 컴퓨터에서 관리할 수 있으므로 기존의 필름방식에 비해 보다 효율적으로 병원 내 진료의 질적 향상을 가져올 수 있다.
그 구동원리는 비정질 Se 내로 입사된 X-ray가 비정질 Se 내에서 전자-정공쌍을 만들게 되고, 투명전극과 TFT의 최상부 전극 사이에 걸리는 전압에 의해 전자-정공쌍은 가속되어 전자는 외부 전극으로, 정공은 TFT 상부 전극에 포획되고 이 전하가 TFT 내의 스토리지(Storage)를 충전시키게 된다.
이상과 같이 충전된 전압은 TFT를 스위칭하면서 외부로 신호가 전달되어 적당한 신호처리 과정을 거쳐 X-ray 영상을 얻게 된다.
즉, 도 5a는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널의 패드 구조 평면도이고, 도 5b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널의 패드 구조 평면도이며, 도 5c는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널의 패드 구조 평면도이다.
도 5d는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널의 패드 구조 평면도이고, 도 5e는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널의 패드 구조 평면도이며, 도 5f는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널의 패드 구조 평면도이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널의 패드는, 도 5a에 도시한 바와 같이, 직사각형의 제 1 도전층(302)이 일정한 간격을 갖고 수직 방향으로 복수개 배열되고, 상기 각 제 1 도전층(302)을 감싸도록 상기 제 1 도전층(302)위에 어레이 배선인 제 2 도전층(303)이 형성된 구조이다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널의 패드는, 도 5b에 도시한 바와 같이, 직사각형의 제 1 도전층(302)이 일정한 간격을 갖고 수평 방향으로 배열되고, 상기 제 1 도전층(302)을 감싸도록 상기 제 1 도전층(302)위에 어레이 배선인 제 2 도전층(303)이 형성된 구조이다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널의 패드는, 도 5c에 도시한 바와 같이, 제 1 도전층(302)이 일정한 간격을 갖고 매트릭스 형태의 섬 모양으로 배열되고, 상기 제 1 도전층(302)을 감싸도록 상기 제 1 도전층(302)위에 어레이 배선인 제 2 도전층(303)이 형성된 구조이다.
본 발명의 제 5 내지 제 7 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널의 패드는, 도 5d 내지 도 5f에 도시한 바와 같이, 제 1 도전층(302)이 매트릭스 형태가 아닌 대각선 방향 등 불 규칙적인 섬 모양으로 배열되고, 상기 제 1 도전층(302)을 감싸도록 상기 제 1 도전층(302)위에 어레이 배선인 제 2 도전층(303)이 형성된 구조이다.
Claims (3)
- 액티브 영역과 패드 영역으로 정의된 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널에 있어서,절연 기판상의 패드영역에 복수개의 홀이 요철 구조를 갖도록 형성된 제 1 도전층;상기 제 1 도전층 상측 및 액티브 영역에 요철 구조로 형성되는 제 2 도전층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 도전층의 물질은 AlNd(Aluminium Neodymium)합금인 것을 특징으로 하는 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널.
- 액티브 영역과 패드영역으로 정의된 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널 제조에 있어서,절연 기판상의 패드영역에 복수개의 홀이 요철구조를 갖도록 패터닝하여 제 1 도전층을 형성하는 단계;상기 제 1 도전층을 포함한 액티브 영역에 상기 제 1 도전층에 의해 요철 구조의 제 2 도전층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널 제조방법.
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Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003347351A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
KR100745415B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2007-08-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시패널의 데이터 패드부 및 그 제조방법 |
KR100918180B1 (ko) * | 2003-03-04 | 2009-09-22 | 삼성전자주식회사 | 쉬프트 레지스터 |
KR101147260B1 (ko) * | 2003-12-27 | 2012-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
US20070090541A1 (en) * | 2005-10-21 | 2007-04-26 | Chih-Chung Tu | Bonding pad and display panel |
US7863743B1 (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-04 | Oracle America, Inc. | Capactive connectors with enhanced capacitive coupling |
KR101585218B1 (ko) * | 2010-02-04 | 2016-01-13 | 삼성전자주식회사 | 입출력 패드 영역과 중첩된 공정 모니터링 패턴을 포함하는 반도체 소자, 반도체 모듈, 전자 회로 기판 및 전자 시스템 및 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US8802554B2 (en) * | 2011-02-15 | 2014-08-12 | Marvell World Trade Ltd. | Patterns of passivation material on bond pads and methods of manufacture thereof |
JP6663249B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2020-03-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102533660B1 (ko) * | 2018-07-04 | 2023-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN110299073A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-01 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板、柔性连接件和显示装置 |
CN115394212B (zh) * | 2022-08-29 | 2023-07-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及拼接显示屏 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09146120A (ja) * | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
KR970058434A (ko) * | 1995-12-29 | 1997-07-31 | 김광호 | LCD표시장치에서의 인쇄회로 기판(PCB)의 본딩패드(Bonding Pad) |
KR19990037451A (ko) * | 1997-10-28 | 1999-05-25 | 가네꼬 히사시 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR20000004060A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정 표시 장치의 패드부 제조 방법 및 그 방법에 의한 액정 표시 장치 |
JP2000221542A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ基板 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57143838A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPS60101951A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | ゲ−トアレイ |
US4635347A (en) * | 1985-03-29 | 1987-01-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of fabricating titanium silicide gate electrodes and interconnections |
US4811078A (en) * | 1985-05-01 | 1989-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit device and process with tin capacitors |
JPH022179A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Fujitsu Ltd | メタル・セミコンダクタ・fet |
US5219607A (en) * | 1988-11-29 | 1993-06-15 | Nippon Cmk Corp. | Method of manufacturing printed circuit board |
US5578526A (en) * | 1992-03-06 | 1996-11-26 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a multi chip module (MCM) |
JPH0870105A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP3491415B2 (ja) * | 1995-01-13 | 2004-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US5976971A (en) * | 1995-07-19 | 1999-11-02 | Ricoh Company, Ltd. | Fabrication process of a semiconductor device having an interconnection structure |
US5904563A (en) * | 1996-05-20 | 1999-05-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for metal alignment mark generation |
US6081308A (en) * | 1996-11-21 | 2000-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing liquid crystal display |
US6016060A (en) * | 1997-03-25 | 2000-01-18 | Micron Technology, Inc. | Method, apparatus and system for testing bumped semiconductor components |
KR100253077B1 (ko) * | 1997-08-16 | 2000-04-15 | 윤종용 | 소이 구조를 갖는 반도체 메모리 장치 및 그의 제조방법 |
US6130148A (en) * | 1997-12-12 | 2000-10-10 | Farnworth; Warren M. | Interconnect for semiconductor components and method of fabrication |
US6246250B1 (en) * | 1998-05-11 | 2001-06-12 | Micron Technology, Inc. | Probe card having on-board multiplex circuitry for expanding tester resources |
JP3975008B2 (ja) * | 1998-07-21 | 2007-09-12 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-12-29 KR KR1020000085562A patent/KR100859464B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-12-28 US US10/028,982 patent/US6670708B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-11-10 US US10/703,582 patent/US7679084B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09146120A (ja) * | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
KR970058434A (ko) * | 1995-12-29 | 1997-07-31 | 김광호 | LCD표시장치에서의 인쇄회로 기판(PCB)의 본딩패드(Bonding Pad) |
KR19990037451A (ko) * | 1997-10-28 | 1999-05-25 | 가네꼬 히사시 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR20000004060A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정 표시 장치의 패드부 제조 방법 및 그 방법에 의한 액정 표시 장치 |
JP2000221542A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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