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Die vorliegende Erfindung bezieht
sich auf ein Verfahren zum Schutz der Anschlussstifte und Führungsstifte
von Halbleiterbauelementen während des
Transports, welche als "Leistungsmodule" bezeichnet werden
und welche eine Schaltkreisplatte aufnehmen, auf der Halbleiterbauteile
in einem isolierten Gehäuse
montiert sind.
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4 ist
eine Draufsicht, welche die Struktur eines herkömmlichen Halbleiterbauelements
zeigt, welches als ein "Leistungsmodul" oder ein "intelligentes Leistungsmodul" bekannt ist. 5 ist ein Querschnitt entlang
der Linie Q-Q' aus 4. Wie in diesen Figuren
gezeigt ist, hat das Halbleiterbauelement ein Isolationsgehäuse 10 in
der Form eines Rahmens 12, das gegenüberliegende Endöffnungen
und eine innere Oberfläche
hat. Eine Kühlbasisplatte
(beispielsweise eine Metallplatte) 20 ist mit einem Klebemittel
mit einer ersten Öffnungsstufe 14 verbunden, welche
an einem ersten Ende des Rahmens 12 geformt ist, um eine
erste Öffnung
des Gehäuses 10 zu schließen. Schaltkreisplatten
(Keramikplatten) 30, 31 sind mit einem Lötmittel
etc. mit der inneren Oberfläche
der Kühlbasisplatte 20 verbunden.
Leitungsrahmen 40 bis 45 sind an ihren inneren
Leitungsenden A verbunden mit den Landgebieten der auf der Schaltkreisplatte 30 geformten
Dickschichtverdrahtung. Ein Anschlussstiftblock 70, der
integral mit vielen darauf stehenden Anschlussstiften P1 bis P16
gebildet ist, ist an dem Rahmen 12 des Isolationsgehäuses 10 befestigt.
Die Enden B der inneren Anschlüsse
der entsprechenden Anschlussstifte P1 bis P16 sind verbunden mit
der auf der Schaltkreisplatte 31 gebildeten Dickschichtverdrahtung.
Die Schaltkreisplatte 30, die inneren Anschlüsse der
Anschlußrahmen 40 bis 45 und
die inneren Anschlüsse
der Anschlussstifte P1 bis P16 sind in eine Harzgeldichtung 50,
wie z. B. Silikonharz, eingelassen. Eine Isolationsabdeckplatte 60 ist
mit einem Klebemittel mit einer zweiten Öffnungsstufe 18 verbunden,
welche an dem zweiten Ende des Rahmens 12 gebildet ist,
um die zweite Endöffnung
des Gehäuses 10 zu
schließen.
Halbleiterbauteile (Chips) 32, 34 wie z. B. Leistungstransistoren,
IGBTs (Transistortypen mit veränderlicher
Leitfähigkeit),
Dioden, Thyristoren, etc. sind auf den Schaltkreisplatten 30, 31 befestigt.
Die inneren Anschlussenden A der Anschlußrahmen 40 bis 45 sind mit
Lötmittel
oder ähnlichem
mit den Landteilen der Dickschichtverdrahtung der Schaltkreisplatte 30 verbunden
und durch Verbindungsdrähte 32a und 34a mit
den entsprechenden Halbleiterbauteilen 32 und 34 verbunden.
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Die Anschlußrahmen 40 bis 45 sind
eingesetzt in den Rahmen 12 und an dem Rahmen 12 an entsprechenden
Anschlussscheiben 40a bis 45a mit Anschlussschrauben
(nicht gezeigt) befestigt.
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6 ist
eine explosionsförmige
isometrische Ansicht, welche den Anschlussstiftblock und seine Installationsstruktur
zeigt. Mit Bezug auf 6, der
Anschlussstiftblock 70 ist eine Einsetzgießteil, welcher
separat von dem Isolationsgehäuse 10 gegossen
wird. Der Anschlussstiftblock 70 enthält eine Basis 71,
auf der die Anschlussstifte P1 bis P16 stehen, eine Stufe 72,
eine Kupplungsklemme (nicht gezeigt), welche auf der gegenüberliegenden
Seite der Fläche,
auf der die Stufe 72 geformt ist, angeordnet ist, und Führungsstifte
G1 und G2. Die obere Oberfläche
der Stufe 72 ist auf der gleichen Höhe positioniert wie die obere
Oberfläche
der zweiten Endöffnungsstufe 18,
wenn die Führungsstifte
G1 und G2 in die entsprechenden Schlitze 12a, welcher an
der inneren Oberfläche
des Rahmens 12 des Isolationsgehäuses 10 geformt sind,
eingesetzt sind, um die Isolationsabdeckplatte 60 aufzunehmen.
Die Kupplungsklemme kuppelt mit einer keilförmigen Kuppelklemme 12b,
welche auf der inneren Oberfläche
des Rahmens 12 geformt ist, um einer Entfernung des einmal
eingesetzten Anschlussstiftblocks zu widerstehen. Die Führungsstifte
G1 und G2 sind in entsprechende Führungslöcher eingesetzt, welche an einem
weiblichen Stecker für
die Anschlussstifte P1 bis P16 geformt sind (nicht gezeigt). Ein
Paar von Unterstützungsstiften 12c,
welche den eingesetzten Anschlussstiftblock 70 in einer
vorbestimmten Höhe
lokalisieren und stützen,
sind an der inneren Oberfläche
des Rahmens 12 ausgebildet. Der Anschlussstiftblock ist
separat von dem Isolationsgehäuse 10 gegossen,
um das Volumen des Harzgusses zu reduzieren, und um dadurch den
Einfluss des Schrumpfens etc. des Harzes zu minimieren. Durch diese
Mittel werden sowohl die Präzision
der Abstände
zwischen den Anschlussstiften als auch die Vertikalität der Anschlussstifte
P1 bis P16 verbessert, und folglich wird die Produktionsausbeute
des Halbleiterbauelements verbessert.
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Der Anschlussstiftblock 70 ist
am Isolationsgehäuse 10 fest
genug installiert, so dass er nicht leicht durch das Einsetzen des
Anschlussstiftblocks 70 in die Schlitze 12a oder
durch das Zusammenkuppeln der Kupplungsklemmen 12b des
Rahmens 12 und der Kupplungsklemme des Anschlussstiftblocks 70 herausgeht. 7 zeigt einen teilweisen
Querschnitt des Isolationsgehäuses
mit dem darin installierten Anschlussstiftblock. Wie in 7 gezeigt, ist das Isolationsgehäuse 10 mit
der Harzgeldichtung 50 (wie z. B. Silikonharz) gefüllt, und
ist dann durch die Isoationsabdeckplatte 60 verschlossen,
welche mit einem Klebemittel an die zweite Endöffnungsstufe 18 des
Isolationsgehäuses 10 und
an die Stufe 72 des Anschlussstiftblocks 70 befestigt
ist.
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Die oben beschriebene Struktur zum
Installieren des Anschlussstiftblocks 70 an dem Halbleitermodul
hat den Nachteil, dass die Harzgeldichtung (Silikonharz) 50 aufgeheizt
wird und expandiert aufgrund der zur Befestigung der Isolationsabdeckplatte 60 an
dem Isolationsgehäuse 10 aufgebrachten
Erhitzung oder durch die von den Leistungselementen während des
Betriebs des Halbleitermoduls, welche in die Harzgeldichtung 50 eingelassen
sind, erzeugten Hitze. Die expandierende Heizgeldichtung 50 breitet
sich über
die Einsetzlücke
G zwischen der Basis 71 des Anschlussstiftblocks 70 und
der inneren Oberfläche
des Rahmens 12 aus oder hebt die Isolationsabdeckplatte 60 an.
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Ein anderer Nachteil ist, dass, da
die Anschlussstifte P1 bis P16 extrem feine quadratische Stäbchen mit
einer Weite kleiner als 1 mm sind, die Anschlussstifte leicht durch
jeden unerwünschten Kontakt
etc. während
des Transports der Halbleitermodule verbogen werden. Überdies
werden die Führungsstifte
G1 und G2 leicht abgebrochen.
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Die EP-A-0 591 631 zeigt ein Leistungshalbleiterbauelement
mit einem Leistungsschaltkreis und einem Steuerschaltkreis, welche
in ein Harzgehäuse eingelassen
sind, wobei die Schaltkreise auf unterschiedlichen Substraten befestigt
und intern durch Anschlussstifte innerhalb des Gehäuses miteinander verbunden
sind. Leistunganschlüsse
und Kontrollanschlüsse,
welche mit den entsprechenden Leistungssteuerschaltkreisen verbunden
sind, ragen aus dem Gehäuse
und werden zusammen mit Anschlussstiften zuerst mittels Einsetztechniken
zusammen mit dem Gehäuse
gegossen. Die Leistunganschlüsse und
die Kontrollanschlüsse
sind an der peripheren Kante des Gehäuses angeordnet und die Anschlussstifte
sind an einem Stiftblock angeordnet, der an einem Mittelteil innerhalb
des Gehäuses
bereitgestellt ist, wobei das Substrat für den Leistungsschaltkreis auf
einer hitzeableitenden Metallbasis, welche mit dem Boden des Gehäuses kombiniert
ist, angebracht ist, und das Substrat für den Steuerschaltkreis ist
auf dem Stiftblock mit den Leistungsanschlüssen und den Steueranschlüssen und
dem Stiftblock befestigt, wobei die Leistungsanschlüsse und
die Steueranschlüsse
miteinander verlötet
sind. In dieser Konstruktion ragen die Leistungs- und Steueranschlüsse aus
dem Gehäuse,
es ist aber kein Schutz für
die Anschlüsse
bereitgestellt und sie können
leicht verbogen werden, wenn der Gegenstand wie oben beschrieben
verpackt oder transportiert wird.
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Im Hinblick auf das Vorangegangene
ist es ein Gegenstand der Erfindung, ein Verfahren zum Schutz der
Anschlussstift und Führungsstifte
eines Halbleiterbauelements während
des Transports bereitszustellen.
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Entsprechend der vorliegenden Erfindung
ist ein Verfahren zum Schutz der Anschlussstifte und Führungsstifte
eines Halbleiter-Bauelements während
des Transports, welches umfasst ein Isolationsgehäuse (10)
in der Form eines Rahmens (12), welches gegenüberliegende
Endöffnungen
und eine innere Oberfläche
hat; einen Anschlussstiftblock (80) welcher Führungsstifte
(G1, G2) und eine Basis (81) mit einer Vielzahl daraufstehender
Anschlussstifte (P1 bis P16) hat, wobei der Anschlussstiftblock
(80) an der inneren Oberfläche des Rahmens angebracht ist,
und die Anschlussstifte (P1 bis P16) entsprechende innere Anschlüsse haben;
eine Kühlbasisplatte (20),
welche eine erste Endöffnung
des Isolationsgehäuses
abschließt;
eine Schaltkreisplatte (30, 31), auf der Halbleiterchips
(32, 34) befestigt sind, welche mit den Enden
(B) der inneren Anschlüsse
verbunden sind, wobei die Schaltkreisplatte (30, 31)
mit der inneren Oberfläche
der Kühlbasisplatte
(20) verbunden ist; eine Harzgeldichtung (50)
in welche die Schaltkreisplatte (30, 31) und die
inneren Anschlüsse eingelassen
sind, wobei die Harzgeldichtung (50) im wesentlichen den
inneren Raum des Isolationsgehäuses
füllt;
eine Isolationsabdeckplatte (60), welche die zweite Endöffnung des
Isolationsgehäuses
(10) verschließt;
gekennzeichnet durch Bereitstellen eines Umhüllungsblocks (90),
welcher eine Vielzahl von Anschlußlöchern (h1 bis h22) und eine
Vielzahl von Führungslöchern (H1,
H2) hat, in welche die Anschlussstifte (P1 bis P16) und die Führungsstifte
(G1, G2) ungehindert eingeführt
werden können
bzw. welcher ungehindert von den Anschluss- und Führungsstiften
entfernt werden kann, und Anordnen des Umhüllungsblocks über die
Anschluss- und Führungsstifte
derart, um die Anschluss- und Führungsstifte während des
Transports des Halbleiterbauelements zu schützen.
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Vorzugsweise beinhaltet das Verfahren
die Benutzung von Stopp-Vorsprüngen
(84) auf der Basis (81) des Anschlussstiftblocks
(80), um die Einsetztiefe des Umhüllungsblocks auf die Anschluss- und
Führungsstifte
zu begrenzen.
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Das Verfahren kann ebenso beinhaltet
die Benutzung von Stufen (92) in der Nähe der Führungslöcher (H1, H2) auf der Kontaktoberfläche (90a) des
Umhüllungsblocks
(90), welche dem Basisblock zugewandt sind, wenn sie sich über den
Anschluss- und Führungsstiften
befinden.
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Weiter kann ein Umhüllungsblock
benutzt werden, der ein erstes Führungsloch
an einem ersten Ende aufweist, der ein zweites Führungsloch an einem zweiten
Ende aufweist, der ein drittes Führungsloch
mittig in einer Linie der Anschlussstifte aufweist, und der mindestens
einen der Aufteilung dienenden dünneren
Abschnitt, welcher durch eine Ausnehmung gebildet wird, in der Nähe des dritten
Führungslochs
aufweist.
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Die Anschlussstifte und die Führungsstifte werden
vollständig
durch den Umhüllungsblock durch
das Aufstecken des Umhüllungsblocks
auf die Anschlussstifte und die Führungsstifte abgedeckt. Der
Umhüllungsblock
vermeidet, dass während
des Transports irgend etwas in direkten Kontakt mit den Stiften
kommt und bewahrt die Stifte vor dem Verbiegen oder dem Brechen.
Die Stopp-Vorsprünge
werden auf der oberseitigen Oberfläche der Basis des Anschlussstiftblocks
gebildet, um den Bereich einzugrenzen, bis zu dem der Umhüllungsblock
auf die Anschlussstifte gedrückt
werden kann, um ein Minimum an Spielraum zwischen den Stiften der
Schaltkreisanschlußgruppen
auf einer Seite eines Arms zu sichern. Wenn der Umhüllungsblock
aufgesteckt ist, berührt
die Kontaktfläche
die Stopp-Vorsprünge, so dass
eine Lücke
um die Füße (Wurzeln)
der Stifte verbleibt. Diese Lücke
ermöglicht
das Herausziehen des eingesetzten Umhüllungsblocks. Wenn ein Führungsstift
abgebrochen ist, wird der abgebrochene Führungsstift durch Ankleben
mit einem Klebemittel repariert. Wie auch immer, manchmal breitet
sich das Klebemittel von dem reparierten Führungsstift aus und verfestigt
sich an Stellen, welche es erschweren, den Umhüllungsblock komplett aufzustecken.
Der Aussparungsraum für
das sich ausbreitende Klebemittel, welcher gebildet wird durch die
Bereitstellung der Stufen auf der Kontaktfläche des Umhüllungsblocks benachbart zu
den entsprechenden Führungslöchern, ermöglicht das
vollständige
Aufstecken des Umhüllungsblocks.
Durch die Verwendung des Umhüllungsblocks,
der das dritte Führungsloch und
mindestens eine der Aufteilung dienende Ausnehmung hat, können Führungsblöcke mit
unterschiedlicher Anzahl von Anschlussstiften leicht versorgt werden.
Dieser Typ des Umhüllungsblocks
wird entlang der Ausnehmung geteilt, wenn der korrespondierende
Anschlußblock
eine kleinere Anzahl von Anschlussstiften hat.
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Bevorzugte Verfahren zum Ausführen der vorliegenden
Erfindung werden nun mittels Beispielen und mit Bezug auf die begleitenden
Zeichnungen beschrieben, in welchen:
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1(a) ist
ein Querschnitt eines Halbleiterbauelements, auf welches das Verfahren
der vorliegenden Erfindung angewandt werden kann;
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1(b) ist
ein teilweiser Querschnitt, der die Installationsstruktur des Anschlussstiftblocks
aus 1(a) zeigt;
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2 ist
eine explosionsartige isometrische Ansicht, die die Installationsstruktur
für den
Anschlussstiftblock zeigt;
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3(a) ist
eine Draufsicht auf einen zweiten Umhüllungsblock zur Benutzung in
dem Verfahren der vorliegenden Erfindung;
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3(b) ist
eine Vorderansicht des Umhüllungsblocks
aus 3(a);
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4 ist
eine Draufsicht, welche eine Struktur eines herkömmlichen Halbleiterbauelements,
welches "Leistungsmodul" oder "intelligentes Leistungsmodul" genannt wird, zeigt,
auf welches die das vorliegende Verfahren angewandt werden kann;
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5 ist
ein Querschnitt entlang Q-Q' aus 4;
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6 ist
eine explosionsartige isometrische Ansicht, die den Anschlussstiftblock
und seine Installationsstruktur entsprechend dem Stand der Technik zeigt;
und
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7 ist
ein teilweiser Querschnitt des Isolationsgehäuses mit dem darauf installierten
Anschlussstiftblock entsprechend dem Stand der Technik.
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In Bezug auf die Zeichnungen, 1(a) ist ein Querschnitt
eines Halbleiterbauelements auf welches das Verfahren der vorliegenden
Erfindung angewandt werden kann. 1(b) ist
ein teilweiser Querschnitt, der die Installationsstruktur des Anschlussstiftblocks
aus 1(a) zeigt und 2 ist eine explosionsartige
isometrische Ansicht welche die Installationsstruktur für den Anschlussstiftblock und
den Umhüllungsblock
zeigt.
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Das Halbleiterbauelement wird als "Leistungsmodul" oder "intelligentes Leistungsmodul" bezeichnet und hat
ein zweidimensionales Layout entsprechend dem in 4 gezeigten. Um sich nun auf die 1(a) und 1(b) zu beziehen, hat das Halbleiterbauelement
ein Isolationsgehäuse 10 in
der Form eines Rahmens 12, mit gegenüberliegenden Endöffnungen
und einer inneren Oberfläche.
Eine Hitze dissipierende Basisplatte 20 (vorzugsweise eine
Metallplatte) ist mit einem Klebemittel an einen Falz oder eine
Stufe 14, welche an dem ersten Ende des Rahmens 12 ausgebildet
ist, befestigt, um die erste Endöffnung
des Gehäuses 10 zu
schließen.
Schaltkreisplatten (Keramikplatten) 30, 31 sind
beispielsweise mit Lötmittel
etc. mit der inneren Oberfläche
der Basisplatte 20 verbunden. Anschlußrahmen 40 bis 45 sind
an ihren inneren Anschlußenden
A mit der Dickschichtverdrahtung, welche auf der Schaltkreisplatte 30 gebildet
ist, verbunden. Die Anschlußrahmen 41, 43, 44 und 45 sind
in 1(a) gezeigt. Ein
Anschlussstiftblock 80, der ein integriertes Einsetzgießteil mit
daraufstehenden Anschlussstiften P1 bis P16 ist, ist an dem Rahmen 12 des
Gehäuses 10 befestigt.
Die Enden B der inneren Anschlüsse
der entsprechenden Anschlussstifte P1 bis P16 sind mit der auf der
Schaltkreisplatte 31 ausgebildeten Dickschichtverdrahtung
verbunden. Die Schaltkreisplatte 30, die inneren Anschlüsse der
Anschlußrahmen 40 bis 45 und
die inneren Anschlüsse
der Anschlussstifte P1 bis P16 sind in eine Harzgeldichtung (z.
B. Silikonharz) 50 eingelassen. Eine Isolationsabdeckplatte 60 ist
mit einem Klebemittel an eine zweite Endöffnungsstufe 18, welche
an dem zweiten Ende des Rahmens 12 ausgebildet ist, verbunden,
um die zweite Endöffnung
des Gehäuses 10 zu
schließen. Halbleiterelemente
(Chips) 32, 34, wie beispielsweise Leistungstransistoren,
IGBT (Transistortypen mit veränderlicher
Leitfähigkeit),
Dioden, Thyristoren, etc. sind auf den Schaltkreisplatten 30 und 31 angebracht.
Die inneren Anschlußenden
A der Anschlußrahmen 40 bis 45 sind,
z. B. durch Löten
etc., mit den Landteilen der Dickschichtverdrahtung der Schaltkreisplatte 30 verbunden,
und sind mittels Verbindungsdrähten 32a und 34a mit
den korrespondierenden Halbleiterelementen 32 und 34 verbunden.
Die Anschlußrahmen 40 bis 45 sind
in den Rahmen 12 eingesetzt und an entsprechenden Anschlussbeilagscheiben 40a bis 45a mit
Anschlussschrauben (nicht gezeigt) befestigt.
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Um sich nun auf 1(b) und 2 zu
beziehen, ist der Anschlussstiftblock 80 ein Einsetzgießteil, welches
separat von dem Isolationsgehäuse 10 gegossen
wird. Der Anschlussstiftblock 80 beinhaltet eine Basis 81,
auf der die Anschlussstifte P1 bis P16 stehen; eine Stufe 82;
eine erste Kupplungsklaue 81a, welche ein Einrastteil 81b hat,
das an der Oberfläche
der Basis 81 geformt ist, welche der Oberfläche, an
der die Stufe 82 ausgeformt ist, gegenüberliegt; Führungsstifte G1 und G2; eine
Entlüftungsöffnung 83,
welche durch die Basis 81 mittels einer Ausnehmung 82a der
Stufe 82 zu dem Einrastteil 81b der Kupplungsklaue 81a reichend
ausgebildet ist; und eine Vielzahl von Stopp-Vorsprüngen 84, welche
auf der oberen Oberfläche
der Basis 81 gebildet sind. Die obere Oberfläche der
Stufe 82 ist auf der gleichen Höhe angebracht wie die obere
Oberfläche
der zweiten Öffnungsstufe 18,
wenn die Führungsstifte
G1 und G2 in die entsprechenden Schlitze 12a, welche auf
der inneren Oberfläche
des Rahmens 12 des Isolationsgehäuses 10 angebracht
sind, eingesetzt sind, um so die Isolationsabdeckplatte 60 aufzunehmen.
Die Kupplungsklaue 81a kuppelt mit einer keilförmigen Kupplungsklaue 12b,
welche an der inneren Oberfläche
des Rahmens 12 (siehe 1(b))
angeordnet ist. Die Führungsstifte
G1 und G2 sind eingesetzt in entsprechende Führungslöcher, welche auf einem weiblichen
Stecker für
die Anschlussstifte P1 bis P16 (nicht gezeigt) angebracht sind.
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Der Anschlussstiftblock 80 ist
auf dem Isolationsgehäuse 10 so
fest angebracht, so dass er nicht leicht durch Einsetzen des Anschlussstiftblocks 80 in die
Schlitze 12a und durch Zusammenkuppeln der Kupplungsklaue 12b des
Rahmens 12 und der Kupplungsklaue 81a des Anschlussstiftblocks 80 herausgeht.
In diesem Ausführungsbeispiel
ist die Einsetzlücke
G zwischen dem Anschlussstiftblock 80 und dem Rahmen 12 verschlossen
mit einer Dichtung oder einem Klebemittel etc. 85 auf der
Seite des inneren Raumes des Gehäuses 10,
welches über
die Entlüftungsöffnung 83 mit
der Außenseite
kommuniziert.
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Folglich wird die Einsetzlücke G zwischen dem
Anschlussstiftblock 80 und dem Rahmen 20 auf der
Seite der inneren Oberfläche
des Gehäuses 10 dadurch
geschlossen, dass der Anschlussstiftblock 80 in den Schlitz 12a eingesetzt
und in dem Gehäuse 10 eingebaut
wird. Die Harzgeldichtung 50, auch wenn sie erhitzt wird
und durch die von den Halbleiterchips 32 und 34 erzeugte
Hitze expandiert wird, weitet sich niemals durch die Lücke G aus.
Falls die Harzgeldichtung 50 thermisch expandiert, neigt
der Luftdruck in dem Inneren dazu, anzusteigen. Wie auch immer,
die Entlüftungsöffnung 83 verhindert
das Ansteigen des inneren Druckes, und das Niveau der freien Oberfläche der
Harzgeldichtung 50 vergrößert sich ohne Probleme, wenn
das Gel expandiert. Folglich wird exzessive thermische Beanspruchung
und ein Abheben der Isolationsabdeckplatte 60 verhindert,
und die Zuverlässigkeit
des Halbleiterelements wird verbessert. In diesem Ausführungsbeispiel
ist die Entlüftungsöffnung 83 über das
Einrastteil 81b der Kupplungsklaue 81a ausgebildet,
so dass die Entlüftungsöffnung mit
der Außenseite
durch die Lücke
der Kupplungsklaue 12b, welche auf der Seite des Gehäuses 10 ausgeformt
ist, in Verbindung treten. Der Anschlussstiftblock 80 mit
der daran ausgebildeten Entlüftungsöffnung 83 wird
hergestellt durch Einspritzguß in
einem einfachen Guß ohne
bewegliche Kerne, durch Ausformung der Entlüftungsöffnung 83 über dem
Stuftenteil der Kupplungsklaue 81 des anschließend gegossenen
Anschlussstiftblocks. Da die Gießkonstruktion vereinfacht wird,
werden die Herstellungskosten des Halbleiterbauelements verringert.
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Wie in 2 gezeigt
ist, hat ein aus Harz gemachter Umhüllungsblock 90 Anschlußlöcher h1
bis h22 korrespondierend zu den Anschlussstiften P1 bis P16 und
Führungslöcher H1
und H2 korrespondierend zu den Führungsstiften
G1 und G2. Die Anschlussstifte P1 bis P16 sind frei einsetzbar in
und entfernbar von den Anschlußlöchern hl
bis h22. Die Führungsstifte
G1 und G2 sind frei einsetzbar in und entfernbar von den Führungsstiften
H1 und H2. Und Doppelstufen 92 bzw. 92 , welche
zwei entsprechende Stufen haben, sind auf einer Kontaktoberfläche 90a des
Umhüllungsblocks 90 auf
der Seite der jeweiligen Führungsstifte
H1 und H2 ausgebildet.
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Die Anschlussstifte und die Führungsstifte werden
vollständig
durch ein Umhüllungsblock
bedeckt, in dem ein Umhüllungsblock 90 auf
die Anschlussstifte P1 bis P16 und die Führungsstifte G1 und G2 aufgesteckt
wird. Der Umhüllungsblock 90 behindert
alles daran, während
des Transports in direkten Kontakt mit den Stiften zu kommen, und
bewahrt die Stifte vor dem Umbiegen oder Brechen. Stopp-Vorsprünge 84 sind
auf der oberen Oberfläche der
Basis 81 des Anschlussstiftblocks 80 angeordnet,
um den Abstand zwischen den Schaltkreisanschlußgruppen auf einer Seite eines
Arms zu bestimmen. Wenn der Umhüllungsblock 90 aufgesteckt wird,
berührt
eine Kontaktoberfläche 90a die Stopp-Vorsprünge 84,
wobei eine Lücke
um die Füße der Stifte
gelassen wird. Die Lücke
zwischen dem Umhüllungsblock
und der Basis 81 ermöglicht
das Entfernen des aufgesetzten Umhüllungsblocks 90.
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Falls entweder Führungsstift G1 oder G2 gebrochen
ist, wird der gebrochene Führungsstift
durch Zusammenkleben seiner Teile mit einem Klebemittel repariert.
Wie auch immer, manchmal verbreitet sich das Klebemittel von den
reparierten Führungsstiften und
haftet an den benachbarten Gebieten der Basis 81 und macht
es schwierig, den Umhüllungsblock vollständig aufzustecken.
Um dieses Problem zu vermeiden, werden Doppelstufen 92 auf
der Kontaktoberfläche 90a des
Umhüllungsblocks 90 an
den Seiten der entsprechenden Führungslöcher H1
und H2 geformt, um einen Entlastungsraum zur Aufnahme jedes überflüssigen Klebemittels
bereitzustellen. Folglich kann der Umhüllungsblock 90 einfach
auf einen reparierten Führungsstift
aufgesteckt werden.
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3(a) ist
eine Draufsicht auf einen anderen Umhüllungsblock, und 3(b) ist eine Frontalansicht
eines Umhüllungsblocks
gemäß 3(a). Dieser Umhüllungsblock 100 hat
ein erstes Führungsloch
H1, welches an einem Ende des Umhüllungsblocks 100 angeordnet
ist, ein zweites Führungsloch
H2, welches an einem anderen Ende des Umhüllungsblocks 100 angeordnet
ist, und ein drittes Führungsloch
H3, welches an einer Stelle in der Mitte der Anordnung der Führungslöcher h1
bis h36 angeordnet ist. Die Führungslöcher h1
bis h25 sind zwischen dem ersten Führungsloch H1 und dem dritten Führungsloch
H3 angeordnet. Ausnehmungen 100a zum Aufteilen sind an
den vorderseitigen und rückseitigen
Oberflächen
des Umhüllungsblocks 100 zwischen
dem dritten Führungsloch
H3 und dem Führungsloch
h26 angeordnet. Doppelstufen (wie die Stufen 92) sind an
einer Kontaktoberfläche 100b des Umhüllungsblocks 100 benachbart
der Führungslöcher H1,
H2 und H3 angeordnet.
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Dieser Umhüllungsblock 100 kommt
mit Anschlussstiftblöcken
zurecht, welche eine unterschiedliche Anzahl von Anschlussstiften
haben. Zum Schutz eines Anschlussstiftblocks, der 36 Anschlussstifte
hat, wird der Umhüllungsblock 100 in
dem Zustand, wie in den 3(a) und 3(b) gezeigt ist, benutzt.
Zum Schutz eines Anschlussstiftblocks, der 25 Anschlussstifte hat,
wird der Umhüllungsblock 100 geteilt
durch Zerbrechen des geschwächten
Abschnitts zwischen den Ausnehmungen 100a, 100a, und
der Teil, der die Führungslöcher H1
und H3 hat, wird verwendet. Folglich reduziert der Umhüllungsblock 100 die
Kosten des Gusses.
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Wie oben dargelegt wurde, beinhaltet
das Verfahren entsprechend der Erfindung die Verwendung eines Umhüllungsblocks,
der die auf einem Anschlussstiftblock stehenden Stifte abdeckt und schützt.
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Da die Anschlussstifte und die Führungsstifte
des Anschlussstiftblocks vollständig
durch den Umhüllungsblock
abgedeckt werden, wenn der Umhüllungsblock
auf den Anschlussstiften und den Führungsstiften plaziert ist,
sind die Stifte vor Berührungen,
Deformationen und Abbrechen während
des Transports geschützt.
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Die Bereitstellung der Stopp-Vorsprünge, welche
auf der oberen Oberfläche
der Basis des Anschlussstiftblocks angeordnet sind, bedeutet, dass eine
Lücke um
die Füße der Stifte
gelassen wird, und dass so der eingesetzte Umhüllungsblock leicht entfernt
werden kann.
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Da ein Entlastungsraum für sich ausbreitende
Klebemittel gelassen wird, in dem die Doppelstufen bzw. zwei angebrachten
Stufen auf der Kontaktoberfläche
des Umhüllungsblocks
benachbart zu den entsprechenden Führungslöchern angeordnet sind, wird
das vollständige
Einsetzen des Umhüllungsblocks
ermöglicht,
sogar wenn gebrochene Führungsstifte
durch Klebemittelverbindung repariert worden sind.
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Durch die Benutzung des Umhüllungsblocks, der
ein drittes Führungsloch
und Ausnehmungen zum Aufteilen hat, ist es möglich, mit Führungblöcken zurechtzukommen,
welche eine unterschiedliche Anzahl von Anschlussstiften haben.
Diese Art von Umhüllungsblock
wird entlang der Ausnehmungen geteilt, wenn der Anschlußblock,
für den
er benutzt werden soll, eine geringere Anzahl von Anschlussstiften hat.