DE69529529T2 - Herstellungsverfahren von dünnschicht-solarzellen - Google Patents
Herstellungsverfahren von dünnschicht-solarzellenInfo
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- DE69529529T2 DE69529529T2 DE69529529T DE69529529T DE69529529T2 DE 69529529 T2 DE69529529 T2 DE 69529529T2 DE 69529529 T DE69529529 T DE 69529529T DE 69529529 T DE69529529 T DE 69529529T DE 69529529 T2 DE69529529 T2 DE 69529529T2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VZZSRKCQPCSMRS-UHFFFAOYSA-N dipotassium;selenium(2-) Chemical compound [K+].[K+].[Se-2] VZZSRKCQPCSMRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- VPQBLCVGUWPDHV-UHFFFAOYSA-N sodium selenide Chemical compound [Na+].[Na+].[Se-2] VPQBLCVGUWPDHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 22
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical group C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 20
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 20
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000003112 potassium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017612 Cu(In,Ga)Se2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
- H01L21/441—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes
- H01L21/443—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes from a gas or vapour, e.g. condensation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03923—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
- Die voliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht- Solarzellen.
- CuInSe&sub2; (Kupfer-Indium-Selenid) - Dünnschicht-Solarzellen werden normalerweise hergestellt durch Ablagerung eines Molybdän (Mo)-Ruhekontakts auf einem Substrat, z. B. einem Glas- Substrat. Kupfer, Indium und Selenid werden dann auf den Ruhekontakt abgelagert, um eine CuInSe&sub2;-Schicht zu bilden, wobei das CuInSe, durch chemische Reaktion in einer Selen enthaltenden Atmosphäre gebildet wird. In diesem Stadium der Herstellung wird die Struktur einer Temperatur in dem Bereich von 350 bis 600ºC unterworfen.
- Die CuInSe&sub2;-Schicht ist ein Halbleiter vom p-Typ. Ein Halbleiter vom n-Typ wird auf der CuInSe&sub2;-Schicht abgelagert, um eine pn-Grenzschicht zu bilden, die die eigentliche Solarzelle darstellt. Der n-Typ-Halbleiter besteht meist aus einer dünnen Schicht von CdS und einer viel dickeren Schicht von ZnO, was die beste Struktur bietet. Die ZnO-Schicht bildet gleichzeitig einen Kontakt an der Vorderseite.
- Es ist erwünscht, die Wirksamkeit von Solarzellen dieser Art zu verbessern.
- In Proc. 23rd IEEE Photovoltaic Specialist Conference (1993) "ZnO/Cds/Cu(In,Ga)Se&sub2;, Thin film solar cells with improved performance", J. Hedström und H. Ohlsén, ist der letzte Stand der Technik von Dünnschicht-Solarzellen der vorliegenden Art beschrieben.
- Solarzellen gemäß Fig. 1 dieser Schrift haben den Nachteil, daß es schwierig ist, einen gleichmäßigen und hohen Wirkungsgrad der Solarzelle zu erreichen.
- Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen von Solarzellen, das den Wirkungsgrad der hergestellten Solarzelle stark erhöht.
- Demgemäß bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Solarzellenstruktur, das die folgenden Schritte aufweist:
- a) Bereitstellen eines Substrats, b) Bilden einer Metallschicht auf dem Substrat, wobei die Metallschicht einen elektrischen Ruhekontakt in der Dünnschicht-Solarzellenstruktur bildet, c) Bilden einer Zwischenschicht auf der Metallschicht, wobei die Zwischenschicht aus einem Material besteht, das aus der Gruppe eines Alkali-Metalls und einer Alkali-Metall-Verbindung ausgewählt wird. d) Bilden einer polykristallinen Schicht aus einer p-Typ-CuInxGA1-xSySe2-y- Verbindung auf der Zwischenschicht.
- Gemäß einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist das Alkali- Metall, das auf die Struktur vor dem Aufbringen der CuInSe&sub2;-Schicht aufgebracht wird, Natrium (Na) oder Kalium (K).
- Unter einer Kupfer-Indium-Selenid-Schicht, wie im vorliegenden Kontext und in den Ansprüchen verwendet, ist eine Kupfer-Indium-Selenid-Schicht unterschiedlicher Zusammensetzungen zu verstehen, die unterschiedliche Legierungssubstanzen enthält, vorwiegend Gallium und Schwefel. Der Begriff Kupfer-Indium-Selenid, wie er hier verwendet wird, betrifft vorwiegend die Verbindungen CuInSe&sub2;, CuInxGa1-xSe&sub2;, und CuInxGa1-xSySe2-y.
- Die Erfindung wird unten unter Bezugnahme auf eine Schicht aus Kupfer-Indium-Selenid beschrieben, die die Formel CuInSe&sub2; hat.
- Die vorliegende Erfindung wird nun mehr im einzelnen beschrieben, teilweise unter Bezugnahme auf ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, das in der beiliegenden Zeichnung dargestellt ist, deren einzige Figur eine Solarzellenstruktur veranschaulicht.
- Die vorliegende Erfindung beruht auf dem Verständnis, daß, wenn Natrium oder elementares Kalium in der Form von elementarem Natrium oder Kalium oder in einer Verbindung, in der diese grundlegenden Substanzen vorhanden sind, auf die Oberfläche aufgebracht wird, auf der die CuInSe&sub2;-Schicht aufgebaut werden soll, zum Beispiel auf die Molybdän-Schicht, die Körnung in dem polykristallinen CuInSe&sub2;-Film mehr in einer Säulenstruktur orientiert ist. Die Körnung ist auch größer und die Struktur ist dichter. Der Widerstand in der CuInSe&sub2;-Schicht ist auch vermindert, was bedeutet, daß eine effektivere p-Dotierung erhalten wird, wodurch eine höhere Zellenspannung resultiert.
- Andere Alkali-Metalle als Natrium und Kalium liefern den gleichen Effekt. Dies betrifft zumindest Lithium, das ein geringes Atomgewicht hat.
- Fig. 1 ist eine schematische Schnittansicht einer Dünnschicht-Solarzelle. Das Substrat, auf dem die Dünnschicht-Solarzellen aufgebaut werden, kann eine große Größe haben, zum Beispiel eine Größe von 1 · 0,4 Meter. Die Substratoberfläche wird daher eine sehr große Anzahl von Zellen tragen, die miteinander elektrisch verbunden sind. Fig. 1 zeigt nur einen Teil einer solchen Zelle. Die Technik des Herstellens einer großen Anzahl von getrennten, aber elektrisch miteinander verbundenen Zellen auf einer Substratoberfläche ist im Stand der Technik bekannt und wird hier nicht im einzelnen beschrieben.
- Eine Solarzelle, auf die die Erfindung angewandt werden kann, kann in der folgenden Weise konstruiert sein. Das Substrat 1 hat normalerweise die Form einer Glastafel geeigneter Dicke, zum Beispiel einer Dicke von 2,0 mm. Eine Molybdän (Mo)-Schicht 2 wird zunächst auf die Glasoberfläche aufgesprüht. Die Molybdän-Schicht bildet den Ruhekontakt und den positiven Anschluß der fertigen Zelle. Die Molybdän-Schicht kann eine Dicke von 1.000 Nanometer haben. Dann wird eine CuInSe&sub2;-Schicht 3 aufgebracht, die eine gegebene Dicke von zum Beispiel 2.500 Nanometer haben kann. Dann wird zuerst auf die Schicht 3 eine Kadmium- Sulfid (CdS)-Schicht 4 aufgebracht, die eine gegebene Dicke von zum Beispiel 50 Nanometer haben kann, und danach eine elektrische Kontaktschicht in der Form einer transparenten dotierten Zink-Oxid-Schicht (ZnO) 5, die eine gegebene Dicke von zum Beispiel 500 Nanometer haben kann.
- Wenn Sonnenlicht auf die Solarzelle, fällt, wird eine elektrische Spannung zwischen dem elektrischen Kontakt 5 (ZnO), der der negative Anschluß ist, und dem elektrischen Ruhekontakt 2 erzeugt.
- Die Erfindung wird unten beispielsweise unter Bezugnahme auf die Verwendung von Natrium beschrieben. Es ist jedoch zu verstehen, daß andere Alkali-Metalle mit gleicher Wirkung verwendet werden können. Es ist zu verstehen, daß, obwohl die Schicht 6 der dargestellten Solarzelle auf Natrium bezogen ist, die Schicht 6 in der Tat aus dem Alkali-Metall besteht, das verwendet wird, wenn dieses Alkali-Metall ein anders als Natrium ist.
- Gemäß der Erfindung wird eine Schicht 6, die ein Alkali-Metall enthält, in dem dargestellten Fall Natrium (Na), auf der Oberseite der Metallschicht 2 gebildet, d. h. an der Oberseite der Molybdän-Schicht des dargestellten Beispiels, vor dem Aufbringen der CuInSe&sub2;-Schicht 3.
- Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird Natrium auf den elektrischen Ruhekontakt aufgebracht, d. h. die Metallschicht durch Verdampfen von Natrium- Selenid (Na&sub2;Se).
- Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird Kalium auf den Ruhekontakt aufgebracht, d. h. die Metallschicht durch Verdampfen von Kalium-Selenid (K&sub2;Se).
- Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel wird das Alkali-Metall, in dem dargestellten Fall Natrium, gleichzeitig mit dem elektrischen Ruhekontakt aufgebracht, wenn der Ruhekontakt aus Molybdän besteht.
- Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die Schicht, die das Alkali-Metall enthält, in dem dargestellten Fall Natrium, in einer Dicke von 50 bis 500 Nanometer aufgebracht.
- Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel enthält die Schicht auch Sauerstoff (O).
- Es wurde gefunden, daß, wenn die CuInSe&sub2;-Schicht auf die Oberseite der Schicht aufgebracht wird, die Natrium oder Kalium enthält, das Natrium oder Kalium im wesentlichen von der Oberfläche des Metallkontakts verschwindet. Wenn die CuInSe&sub2;-Schicht aufgebracht wird, findet man Natrium oder Kalium wieder an den Korngrenzen in der CuInSe&sub2;-Schicht und an der Oberfläche der Schicht. Wenn die CdS-Schicht dann in einem nassen Verfahren aufgebracht wird, verschwindet die Natrium- oder die Kalium-Verbindung von der Oberfläche, vorausgesetzt daß die Natrium- oder die Kalium-Verbindung in der in dem nassen Verfahren verwendeten Flüssigkeit löslich ist.
- Dieses Verfahren resultiert in einer sehr überraschenden Erhöhung des Wirkungsgrads der beschriebenen und beispielsweise gezeigten Solarzelle, nämlich in einer Erhöhung von etwa 25%. Der typische Wirkungsgrad einer solchen Solarzelle dieser Art, auf die die Erfindung nicht angewandt wurde, ist 12%. Der Wirkungsgrad erhöht sich auf 15%, wenn die Erfindung angewandt wird.
- Obwohl die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf eine gegebene Solarzellen-Struktur beschrieben wurde, ist zu verstehen, daß die vorliegende Erfindung auf andere Strukturen angewandt werden kann, in denen der elektrische Ruhekontakt nicht aus Molybdän besteht, sondern aus irgendeinem anderen geeigneten Metall, wie beispielsweise Wolfram, Nickel, Titan oder Chrom.
- Ferner können andere Substrate als Glas, das Natrium enthält, verwendet werden. Zum Beispiel kann Glas verwendet werden, das nicht Natrium enthält, wie auch Glas, das Natrium enthält und das eine Diffusionssperre gegen Natrium an der Oberfläche enthält, auf der der elektrische Ruhekontakt aufgebaut werden soll.
- Die Erfindung ist daher nicht als auf die zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiele derselben beschränkt anzusehen, da Variationen innerhalb des Rahmens der folgenden Ansprüche vorgenommen werden können.
Claims (7)
1. Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Solarzellenstruktur, das die folgenden
Schritte aufweist:
a) Bereitstellen eines Substrats (1),
b) Bilden einer Metallschicht (2) auf dem Substrat, wobei die Metallschicht einen
elektrischen Ruhekontakt in der Dünnschicht-Solarzellenstruktur bildet,
c) Bilden einer Zwischenschicht (6) auf der Metallschicht, wobei die Zwischenschicht
aus einem Material besteht, das aus der Gruppe eines Alkali-Metalls und einer
Alkali-Metall-Verbindung ausgewählt wird,
d) Bilden einer polykristallinen Schicht (3) aus einer
p-Typ-CuInxGA1-xSySe2-y-Verbindung auf der Zwischenschicht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Zwischenschicht durch Verdampfen von
Natrium-Selenid gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Zwischenschicht durch Verdampfen von
Kalium-Selenid gebildet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Zwischenschicht eine Dicke von
zwischen 50 und 500 Nanometern hat.
5. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, wobei die Zwischenschicht außerdem
Sauerstoff aufweist.
6. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3, 4 oder 5, wobei die Metallschicht aus Molybdän
besteht.
7. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5 oder 6, wobei das Verfahren weiterhin die
folgenden Schritte aufweist:
e) Bilden einer n-Typ-Kadmium-Sulfid-Schicht (4) auf der Kupfer-Indium-Selenid-
Schicht,
f) Bilden einer elektrischen Kontaktschicht (5) auf der n-Typ-Kadmium-Sulfid-
Schicht, wobei die elektrische Kontaktschicht vorzugsweise eine Schicht aus
dotiertem Zink-Oxid ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9403609A SE508676C2 (sv) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | Förfarande för framställning av tunnfilmssolceller |
PCT/SE1995/001242 WO1996013063A1 (en) | 1994-10-21 | 1995-10-20 | A method of manufacturing thin-film solar cells |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69529529D1 DE69529529D1 (de) | 2003-03-06 |
DE69529529T2 true DE69529529T2 (de) | 2003-12-11 |
Family
ID=20395698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69529529T Expired - Lifetime DE69529529T2 (de) | 1994-10-21 | 1995-10-20 | Herstellungsverfahren von dünnschicht-solarzellen |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5994163A (de) |
EP (1) | EP0787354B1 (de) |
JP (1) | JP3690807B2 (de) |
AU (1) | AU3820595A (de) |
DE (1) | DE69529529T2 (de) |
ES (1) | ES2191716T3 (de) |
SE (1) | SE508676C2 (de) |
WO (1) | WO1996013063A1 (de) |
Families Citing this family (67)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4447866B4 (de) * | 1994-11-16 | 2005-05-25 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbleiter-Dünnschichtsolarzelle |
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US8329501B1 (en) | 2004-02-19 | 2012-12-11 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake particles |
US7700464B2 (en) | 2004-02-19 | 2010-04-20 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from nanoflake particles |
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US8927315B1 (en) | 2005-01-20 | 2015-01-06 | Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. | High-throughput assembly of series interconnected solar cells |
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TWI661991B (zh) | 2014-09-18 | 2019-06-11 | 瑞士商弗里松股份有限公司 | 用於製造薄膜裝置之自組裝圖案化 |
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US10651324B2 (en) | 2016-02-11 | 2020-05-12 | Flisom Ag | Self-assembly patterning for fabricating thin-film devices |
WO2017147037A1 (en) | 2016-02-26 | 2017-08-31 | Dow Global Technologies Llc | Method for improving stability of photovoltaic articles incorporating chalcogenide semiconductors |
US20210115239A1 (en) | 2018-03-08 | 2021-04-22 | Performance Materials Na, Inc. | Photovoltaic module and encapsulant composition having improved resistance to potential induced degradation |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1994
- 1994-10-21 SE SE9403609A patent/SE508676C2/sv not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-10-20 US US08/817,693 patent/US5994163A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-20 AU AU38205/95A patent/AU3820595A/en not_active Abandoned
- 1995-10-20 EP EP95936166A patent/EP0787354B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-20 ES ES95936166T patent/ES2191716T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-20 DE DE69529529T patent/DE69529529T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-20 JP JP51383596A patent/JP3690807B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-20 WO PCT/SE1995/001242 patent/WO1996013063A1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69529529D1 (de) | 2003-03-06 |
SE9403609L (sv) | 1996-04-22 |
EP0787354B1 (de) | 2003-01-29 |
JP3690807B2 (ja) | 2005-08-31 |
JPH10512096A (ja) | 1998-11-17 |
WO1996013063A1 (en) | 1996-05-02 |
EP0787354A1 (de) | 1997-08-06 |
AU3820595A (en) | 1996-05-15 |
US5994163A (en) | 1999-11-30 |
SE508676C2 (sv) | 1998-10-26 |
ES2191716T3 (es) | 2003-09-16 |
SE9403609D0 (sv) | 1994-10-21 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
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