DE69424884T2 - Positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung - Google Patents

Positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung, die für die Verwendung in der Lithographie, die Strahlen im fernen UV-Bereich (einschließlich eines Excimerlasers) benützt, geeignet sind.
  • Mit dem zunehmenden Integrationswert integrierter Schaltungen wird seit kurzem die Erzeugung eines Musters in der Größenordnung von Submikron gefordert. Insbesondere wird die Lithographie mit Excimerlasern mit Interesse beobachtet, da sie die Herstellung von einem 64 und einem 256 Megabit dynamic random access memory (MDRAM) ermöglicht. Durch die Änderung der Lichtquelle von Strahlen einer herkömmlichen Quecksilberlampe, wie g-Strahlen und i-Strahlen, in einen Laser mit einer Wellenlänge von zum Beispiel 248 nm werden bei heutigen Resists zusätzlich zu den bisher geforderten Eigenschaften, wie Wärmebeständigkeit, Erhalt der Filmdicke, Profil usw., folgende Eigenschaften gefordert:
  • (1) eine hohe Empfindlichkeit gegenüber den vorstehend genannten Lichtquellen mit kurzen Wellenlängen und
  • (2) eine hohe Auflösung.
  • In Anbetracht des vorstehend genannten Standes der Technik wurde ein Resist vom Typ der sogenannten chemischen Verstärkung vorgeschlagen, der einen Säurekatalysator und eine chemische Verstärkungswirkung verwendet. Bei diesem Resisttyp wird beim Belichten aus einer photoinduzierten Säurevorstufe eine Säure erzeugt, und aufgrund der katalytischen Wirkung der Säure findet eine Umsetzung statt, und damit kommt es zu einem Unterschied zwischen der Löslichkeit des belichteten Bereichs und der des unbelichteten Bereichs in der Entwicklungslösung. Dadurch wird ein positiv (oder negativ) arbeitender Photoresist erhalten.
  • Kawai et al. beschreiben die Eigenschaften eines positiv arbeitenden Resists, der auf monodispersem Polyvinylphenol basiert (MDPR), bei der KrF-Excimerlaser-Lithographie (DATABASE INSPEC INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS, STEVENAGE, GB Inspec Nr. 4369457). MDPR ist ein in Alkalien entwickelbarer, einschichtiger Resist, der aus teilweise t-butyloxycarbonyloxyliertem Polyvinylphenol, einem Lösungsinhibitor und einem Photosäureerzeuger besteht.
  • Spence, C. A., et al. beschreiben die Silylierung von Poly(t-butyloxycarbonyloxy)styrol- Resists im Zusammenhang mit der Leistung und den Mechanismen (ADVANCES IN RESIST TECHNOLOGY AND PROCESSING VII, SAN JOSE, CA, USA, 5. bis 6. März 1990, 344 - 357). Die untersuchten Resists umfassen eine Säurevorstufe und ein Copolymer von p-t-But oxycarbonyloxystyrolsund Styrol, wobei das Verhältnis von Styrol zu p-t-Butoxycarbonyloxystyrol im Bereich von 0 bis 33% Styrol liegt.
  • In derartigen Resists vom Typ der chemischen Verstärkung wurde als alkylilösliches Harz bisher Poly(p-hydroxystyrol-p-t-butoxycarbonyloxystyrol) verwendet, wie es zum Beispiel in der Japanischen Patentanmeldung KOKAI Nr. 2-209977 aufgeführt ist. Dieser Resisttyp kann die Bedingungen, die für die Herstellung von 64 und 256 MDRAM erforderlich sind, jedoch aus folgenden Gründen nicht erfüllen:
  • (1) Ein solches Harz hat eine geringe Adhäsionsstärke gegenüber dem Siliconsubstrat, und deshalb löst sich das bei der Entwicklung erzeugte positive Muster leicht,
  • (2) in einem solchen Harz entsteht dann eine große Menge an Carboniumionen, wenn die t- Butoxycarbonylgruppe durch die Wirkung der Säure beseitigt wird, die beim Belichten entsteht, wodurch die Umwandlung von einem positiv arbeitenden in einen negativ arbeitenden Typ gefördert wird, und
  • (3) ein solches Harz kann kein positives Muster mit hoher Auflösung liefern.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung bereitzustellen, die eine hervorragende Empfindlichkeit und Auflösung zeigt, während die anderen Eigenschaften, wie Wärmebeständigkeit, Erhalt der Filmdicke, Profil usw. hervorragend bleiben.
  • Diese Aufgabe wurde durch die Bereitstellung einer positiv arbeitenden Photoresistzusammensetzung gelöst, umfassend ein alkalilösliches Harz, das ein Copolymer von p-Vinylphenol oder einem Derivat davon und Styrol enthält, einen Lösungsinhibitor und eine photoinduzierte Säurevorstufe, wobei das Copolymer von p-Vinylphenol oder einem Derivat davon und Styrol einen Rest der nachstehenden Formeln (Ia) oder (Ib)
  • enthält, worin m, n und p Zahlen sind, die folgende Bedingungen erfüllen: (m + p) : n = von 50 : 50 bis 95 : 5 und p:(m + p) = von 1 : 50 bis 45 : 50. Von diesen Copolymeren sind Copolymere der vorstehend genannten Formeln bevorzugt, in denen m, n und p die Gleichungen (m + p) : n = von 65 : 35 bis 85 : 15 und p : (m + p) = von 1 : 20 bis 30 : 50 erfüllen.
  • Allgemein ausgedrückt hat das Copolymer von p-Vinylphenol oder einem Derivat davon und Styrol vorzugsweise ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 1000 bis 6000 und stärker bevorzugt von 2000 bis 5000. Das in dieser Erfindung verwendete p-Vinylphenol/Styrol-Copolymer kann durch radikalische oder ionische Polymerisation eines Gemisches von 4-Acetoxystyrol und Styrol, gefolgt von der Hydrolyse des entstehenden Copolymers bei alkalischen Bedingungen leicht hergestellt werden. Teilweise p-t-butoxycarbonyloxyliertes Styrol wird durch Austausch eines Teils der Hydroxygruppen des p-Vinylphenols mit t-Butoxycarbonyloxygruppen hergestellt. Ein Copolymer von teilweise butoxycarbonyloxyliertem Styrol und Styrol kann zum Beispiel durch Umsetzen des vorstehend genannten p-Vinylphenol/Styrol- Copolymers mit Di-t-butyldicarbonat in einem hydrophilen, organischen Lösungsmittel, wie Aceton oder Tetrahydrofuran, in Gegenwart einer alkalischen Verbindung, wie Kaliumcarbonat, hergestellt werden. Diese Umsetzung erfolgt vorzugsweise in Gegenwart eines Phasen- Transfer-Katalysators, wie Kronenether. Im durch Hydrolyse erzeugten Copolymer beträgt das Molverhältnis von p-Vinylphenol zu Styrol vorzugsweise 50 : 50 bis 95 : 5 und stärker bevorzugt 65 : 35 bis 85 : 15. Das p-Vinylphenol/Styrol-Copolymer hat vorzugsweise ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 1000 bis 5000 und stärker bevorzugt von 2000 bis 4000.
  • Beispiele der photoinduzierten Säurevorstufe umfassen die Ester der nachstehenden Formel (III):
  • worin R¹&sup0; ein gegebenenfalls substituierter Arylen-, Alkylen- oder Alkenylenrest ist und R¹¹ ein gegebenenfalls substituierter Alkyl- oder Arylrest ist, Disulfonverbindungen der nachstehenden Formel (IV):
  • worin R¹² und R¹³ unabhängig voneinander jeweils ein Wasserstoffatom, ein Alkyl- oder ein Alkoxyrest sind, und
  • Ester der nachstehenden Formel (V):
  • worin R¹&sup4; ein gegebenenfalls substituierter Alkyl- oder Arylrest ist und R15 ein Wasserstoffatom, ein Alkyl-, Alkoxy- oder Alkoxycarbonyloxyrest ist.
  • In der Formel (III) schließen Beispiele des Arylenrestes R10 monocyclische und bicyclische Arylenreste ein, von denen eine Phenylen- und Naphthylengruppe bevorzugt sind. Als bevorzugter Substituent, der am Arylenrest vorhanden ist, können ein Halogenatom, eine Nitrogruppe und eine Acetylaminogruppe genannt werden.
  • Beispiele des Alkylenrestes R¹&sup0; schließen geradkettige und verzweigte Alkylenreste ein, wobei die mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen bevorzugt und Ethylen und Propylen besonders bevorzugt sind. Als bevorzugter Substituent, der am Alkylenrest vorhanden ist, können ein Halogenatom, ein Niederalkoxyrest und ein monocyclischer Arylrest genannt werden.
  • Beispiele des Alkenylenrestes R¹&sup0; schließen jene mit 2 bis 4 Kohlenstoffatomen ein, von denen eine Vinylidengruppe bevorzugt ist. Als bevorzugter Substituent, der am Alkenylenrest vorhanden ist, können monocyclische Arylreste genannt werden.
  • Beispiele des Alkylrestes R¹¹ schließen geradkettige, verzweigte und cyclische Alkylreste ein, von denen geradkettige Alkylreste mit 1 bis 8 Kohlenstoffatomen bevorzugt sind. Als bevorzugter Substituent, der am Alkylrest vorhanden ist, können ein Halogenatom und ein Niederalkyoxyrest genannt werden.
  • Beispiele des Arylrestes R¹¹ schließen monocyclische und bicyclische Arylreste ein, von denen monocyclische Arylreste bevorzugt und eine Phenylgruppe besonders bevorzugt sind. Als bevorzugter Substituent, der am Arylrest vorhanden ist, können ein Niederalkylrest, ein Niederalkoxyrest und Halogenatom genannt werden.
  • In der Formel (IV) schließen Beispiele des Alkylrestes oder des Alkylrestes am Alkoxyrest, R¹² oder R¹³, geradkettige, verzweigte und cyclische Alkylreste ein, von denen geradkettige Alkylreste mit 1 bis 8 Kohlenstoffatomen bevorzugt sind.
  • In der Formel (V) schließen Beispiele des Alkylrestes R¹&sup4; und des Alkylrestes oder des Alkylrestes am Alkoxyrest oder am Alkylcarbonyloxyrest, R¹&sup5;, geradkettige, verzweigte und cyclische Alkylreste ein, von denen geradkettige Alkylreste mit 1 bis 8 Kohlenstoffatomen bevorzugt sind.
  • Als bevorzugter Substituent, der am Alkylrest vorhanden ist, können Halogenatome und Niederalkoxyreste genannt werden.
  • Beispiele des Arylrestes R¹&sup4; schließen monocyclische und bicyclische Arylreste ein, von denen monocyclische Arylreste bevorzugt und Phenylgruppen und dergleichen besonders bevorzugt sind. Als bevorzugter Substituent, der am Arylrest vorhanden ist, können Niederalkylreste, Niederalkoxyreste und Halogenatome genannt werden.
  • Als bevorzugte Beispiele des Esters der Formel (III) können folgende genannt werden:
  • Ester der vorstehenden Formel (III) können hergestellt werden; indem eine cyclische N- Hydroxyimidverbindung der nachstehenden Formel (IIIa)
  • worin R¹&sup0; wie vorstehend definiert ist, die nach dem Verfahren hergestellt werden kann, das zum Beispiel in G. F. Jaubert, Ber., 28, 360 (1985), D. E. Ames et al., J. Chem. Soc., 3518 (1955) oder M. A. Stolberg et al., J. Amer. Chem. Soc., 79, 2615 (1957) aufgeführt ist, bei basischen Bedingungen mit einer Sulfonylchloridverbindung der Formel R¹¹-SO&sub2;Cl, worin R&sub1;&sub1; wie vorstehend definiert ist, umgesetzt wird [L. Bauer et al., J. Org. Chem., 24, 1293 (1959)].
  • Der Ester der Formel (III) kann entweder unabhängig oder in Form eines Gemisches von zwei oder mehr Verbindungen verwendet werden.
  • Die Disulfonverbindung der Formel (IV) kann nach dem Verfahren hergestellt werden, das zum Beispiel in der Japanischen Patentanmeldung KOKAI Nr. 1-284554, in J. Org. Chem., 31, 3418 (1966), J. Chem. Soc., 93, 1524 (1908), Ber., 49, 2593 (1916) usw. aufgeführt ist, d. h. nach einem Verfahren, das die Herstellung einer Disulfonverbindung aus Sulfinsäure unter Verwendung von Cobalt(III)-sulfat in wäßriger Schwefelsäure umfaßt, einem Verfahren, das die Herstellung einer Disulfonverbindung aus Sulfonylchlorid unter Verwendung von Ethylxanthogenat umfaßt, einem Verfahren, das die Herstellung einer Disulfonverbindung durch Umsetzen von Sulfinsäure und Sulfonylchlorid bei basischen Bedingungen umfaßt, usw.
  • Als bevorzugte Beispiele der Disulfonverbindung der Formel (IV) können folgende genannt werden:
  • Der Ester der Formel (V) kann zum Beispiel nach dem Verfahren hergestellt werden, das in der Japanischen Patentanmeldung KOKAI Nr. 2-245756 aufgeführt ist, d. h. durch Umsetzen einer entsprechenden Phenolverbindung mit Sulfonylchlorid bei basischen Bedingungen.
  • Als bevorzugte Beispiele des Esters der Formel (V) können folgende genannt werden:
  • Beispiele des Lösungsinhibitors schließen Verbindungen mit einem Benzolring, der mit einer t-Butoxycarbonyloxygruppe substituiert ist, wie es in der Europäischen Patentanmeldung Nr. 0564997 A2 aufgeführt ist, und Verbindungen der nachstehenden Formel (II):
  • ein, worin R&sub1; bis R&sub9; jeweils ein Wasserstoffatom, ein Alkylrest, eine t-Butoxycarbonyloxygruppe oder eine Hydroxygruppe sind, mit der Maßgabe, daß mindestens einer der Reste R¹ bis R&sub4; eine t-Butoxycarbonyloxygruppe ist und mindestens einer der Reste R&sub5; bis R&sub9; eine t-Butoxycarbonyloxygruppe ist.
  • Beispiele der Alkylreste R¹ bis R&sup9; schließen jene mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen ein, von denen eine Methylgruppe besonders bevorzugt ist.
  • Von diesen Lösungsinhibitoren sind zum Beispiel folgende bevorzugt:
  • Diese Lösungsinhibitoren werden entweder unabhängig oder in Form eines Gemisches von zwei oder mehreren Verbindungen verwendet.
  • In den positiv arbeitenden Photoresistzusammensetzungen ist das Mischungsverhältnis der Bestandteile gewöhnlich wie folgt:
  • alkalilösliches Harz 30 bis 90 Gew.-%, Lösungsinhibitor 2 bis 50 Gew.-%, photoinduzierte Säurevorstufe 0,1 bis 20 Gew.-%,
  • und vorzugsweise wie folgt:
  • alkalilösliches Harz 50 bis 85%, Lösungsinhibitor 12 bis 40 Gew.-%, photoinduzierte Säurevorstufe 1 bis 15 Gew.-%. Der erfindungsgemäßen positiv arbeitenden Photoresistzusammensetzung können falls erwünscht verschiedene Zusätze, die herkömmlich auf diesem technischen Gebiet verwendet werden, wie ein Sensibilisierungsmittel, ein Farbstoff und ein Haftfähigkeitsverbesserer, zugesetzt werden.
  • Eine Photoresistlösung wird gewöhnlich hergestellt, indem die vorstehend genannte positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung in ein Lösungsmittel gemischt wird, so daß die Konzentration der Zusammensetzung im gesamten Gemisch 1 bis 50 Gew.-% beträgt. Für diesen Zweck verwendbare Lösungsmittel umfassen zum Beispiel Ethylcellosolve-acetat, Methylcellosolve-acetat, Ethylcellosolve, Methylcellosolve, Propylenglycolmonomethyletheracetat, Propylenglycolmonoethyletheracetat, Propylenglycolmonomethylether, Propylenglycolmonoethylether, Diethylenglycoldimethylether, Ethyllactat, Butylacetat, Ethylpyruvat, 2-Heptanon, Cyclohexanon, Methylisobutylketon und Xylol. Diese Lösungsmittel werden entweder unabhängig voneinander oder in Kombination von zwei oder mehreren verwendet.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand der nachstehenden Beispiele genauer erläutert.
  • In den Beispielen sind die Teile auf das Gewicht bezogen, wenn es nicht anders aufgeführt ist.
    • Bezugsbeispiel 1
  • In 45 g einer 5%igen wäßrigen Natriumcarbonatlösung wurden 3,5 g N-Hydroxysuccinimid gelöst. Der entstandenen Lösung wurden bei Raumtemperatur tropfenweise 6,0 g Benzolsulfonylchlorid zugegeben. Nach der tropfenweisen Zugabe wurde das Reaktionsgemisch 2 Stunden bei Raumtemperatur gerührt. Dann wurde das Reaktionsgemisch in 300 ml Wasser gegossen und das gefällte kristalline Produkt wurde durch Filtration aufgefangen. Das kristalline Produkt wurde mit Wasser gewaschen, bis die Waschungen neutral waren, und danach aus einem Gemisch von Aceton/Wasser umkristallisiert, wodurch N-Hydroxysuccinimidbenzolsulfonat erhalten wurde.
    • Bezugsbeispiel 2
  • In ein Gemisch von 11,5 g LYNCUR®CST-70 (Molverhältnis von p-Hydroxystyrol zu Styrol im Copolymer 7 : 3, Gewichtsmittel des Molekulargewichts 2900, von Maruzen Petrochemical Co. hergestellt) und 100 g Tetrahydrofuran wurden 1,53 g Di-t-butyldicarbonat (von Wako Pure Chemicals Co. hergestellt), 1,16 g Kaliumcarbonat und 0,05 g 18-Crown-6 (Kronenether, von Wako Pure Chemical Industries, Ltd. hergestellt) gegeben. Nach der Zugabe wurde das entstandene Gemisch 24 Stunden bei Raumtemperatur umgesetzt. Das Reaktionsgemisch wurde filtriert, und das Filtrat wurde eingeengt. Nach dem Einengen wurden dem Rückstand 200 g Ethylacetat zugesetzt. Die erhaltene Ethylacetatlösung wurde fünfmal mit jeweils 200 ml destilliertem Wasser gewaschen. Nachdem die gewaschene Lösung eingeengt worden war, wurden dem Rückstand 200 ml Diglyme zugesetzt. Die erhaltene Lösung von Diglyme (Diethylenglycoldimethylether) wurde eingeengt, um die restlichen geringen Mengen von Wasser und Ethylacetat zu entfernen. Dadurch wurde eine Lösung des Harzes A in Diglyme erhalten (die Konzentration der Feststoffkomponente betrug 33 Gew.-%). Im erhaltenen Harz A waren 10% der gesamten Hydroxygruppen im zugrundeliegenden Harz (LYNCUR CST-70) durch t-Butoxycarbonyloxygruppen geschützt.
    • Bezugsbeispiel 3
  • In ein Gemisch von 11,5 g LYNCUR CST-70 und 100 g Tetrahydrofuran wurden 3,06 g Di-t-butyldicarbonat, 2,32 g Kaliumcarbonat und 0,05 g 18-Crown-6 gegeben. Nach der Zugabe wurde das entstandene Gemisch 24 Stunden bei Raumtemperatur umgesetzt. Das Reaktionsgemisch wurde filtriert, und das Filtrat wurde eingeengt. Nach dem Einengen wurden dem Rückstand 200 g Ethylacetat zugesetzt. Die erhaltene Ethylacetatlösung wurde fünfmal mit jeweils 200 ml destilliertem Wasser gewaschen. Nachdem die gewaschene Lösung eingeengt worden war, wurden dem Rückstand 200 ml Diglyme zugesetzt. Die erhaltene Diglymelösung wurde eingeengt, um die restlichen geringen Mengen von Wasser und Ethylacetat zu entfernen. Dadurch wurde eine Lösung des Harzes B in Diglyme erhalten (die Konzentration der Feststoffkomponente betrug 33 Gew.-%). Im erhaltenen Harz B waren 20% der gesamten Hydroxygruppen im zugrundeliegenden Harz durch t-Butoxycarbonyloxygruppen geschützt.
    • Beispiel 1
  • In 50 Teilen Diglyme wurden 13,5 Teile Harz A, 4,1 Teile eines Lösungsinhibitors der nachstehenden Formel:
  • und 2,0 Teile N-Hydroxysuccinimidbenzolsulfonat (photoinduzierte Säurevorstufe), das in Bezugsbeispiel 1 erhalten worden war, gelöst. Die Lösung wurde durch einen Teflonfilter mit einer Porengröße von 0,2 um filtriert, wodurch eine Resistlösung hergestellt wurde.
  • Ein auf herkömmliche Weise gewaschenes Silicium-Wafer wurde mit einer Schleuderbeschichtungsvorrichtung mit der Resistlösung beschichtet, wodurch eine Beschichtungsdicke von 0,7 um erhalten wurde. Dann wurde das Silicium-Wafer eine Minute bei 100ºC auf einer Heizplatte vorgetrocknet. Der vorgetrocknete Beschichtungsfilm wurde dann mit einem KrF Excimerlaser-Stepper (NSR-1755, EXBA, NA = 0,45, von Nicon Co. hergestellt) mit einer Belichtungswellenlänge von 248 nm durch ein gemustertes Retikel belichtet. Nach dem Belichten wurde der Wafer 90 Sekunden bei 80ºC auf einer Heizplatte erwärmt und mit einer wäßrigen 2,38%igen Tetramethylammoniumhydroxidlösung entwickelt, wodurch ein positives Muster erhalten wurde. Es wurde kein Ablösen des Musters beobachtet. Die Beobachtung des erzeugten Musters mit einem Elektronenmikroskop zeigte, daß ein 0,30 um Linie-Lücke-Muster mit einem guten Profil aufgelöst werden konnte, und die Empfindlichkeit betrug 70 mJ/cm².
    • Beispiel 2
  • Ein positives Muster wurde durch Wiederholen von Beispiel 1 erzeugt, außer daß das Harz A durch das Harz B ersetzt wurde.
  • Es wurde kein Ablösen des Musters beobachtet. Die Beobachtung des erzeugten Musters mit einem Elektronenmikroskop zeigte, daß ein 0,30 um Linie-Lücke-Muster mit einem guten Profil aufgelöst werden konnte, und die Empfindlichkeit betrug 94 mJ/cm².
    • Beispiel 3
  • Ein positives Muster wurde erzeugt, indem Beispiel 2 wiederholt wurde, außer daß N- Hydroxysuccinimidbenzolsulfonat durch 1,5 Teile N-Hydroxysuccinimid-2-propansulfonat ersetzt wurde.
  • Es wurde kein Ablösen des Musters beobachtet. Die Beobachtung des erzeugten Musters mit einem Elektronenmikroskop zeigte, daß ein 0,30 um Linie-Lücke-Muster mit einem guten Profil aufgelöst werden konnte, und die Empfindlichkeit betrug 70 mJ/cm².
    • Beispiel 4
  • Ein positives Muster wurde erzeugt, indem Beispiel 3 wiederholt wurde, außer daß N- Hydroxysuccinimid-2-propansulfonat durch N-Hydroxysuccinimidchlormethansulfonat ersetzt wurde.
  • Es wurde kein Ablösen des Musters beobachtet. Die Beobachtung des erzeugten Musters mit einem Elektronenmikroskop zeigte, daß ein 0,40 um Linie-Lücke-Muster mit einem guten Profil aufgelöst werden konnte, und die Empfindlichkeit betrug 15 mJ/cm².
    • Beispiel 5
  • Ein positives Muster wurde erzeugt, indem Beispiel 3 wiederholt wurde, außer daß N- Hydroxysuccinimid-2-propansulfonat durch Diphenyldisulfon ersetzt wurde.
  • Es wurde kein Ablösen des Musters beobachtet. Die Beobachtung des erzeugten Musters mit einem Elektronenmikroskop zeigte, daß ein 0,50 um Linie-Lücke-Muster mit einem guten Profil aufgelöst werden konnte, und die Empfindlichkeit betrug 60 mJ/cm².
    • Beispiel 6
  • Ein positives Muster wurde erzeugt, indem Beispiel 3 wiederholt wurde, außer daß N- Hydroxysuccinimid-2-propansulfonat durch Pyrogalloltrimethansulfonat ersetzt wurde. Es wurde kein Ablösen des Musters beobachtet. Die Beobachtung des erzeugten Musters mit einem Elektronenmikroskop zeigte, daß ein 0,45 um Linie-Lücke-Muster mit einem guten Profil aufgelöst werden konnte, und die Empfindlichkeit betrug 178 mJ/cm².
    • Beispiel 7
  • Ein positives Muster wurde erzeugt, indem Beispiel 3 wiederholt wurde, außer daß N- Hydroxysuccinimid-2-propansulfonat durch Phloroglucinoltrimethansulfonat ersetzt wurde. Es wurde kein Ablösen des Musters beobachtet. Die Beobachtung des erzeugten Musters mit einem Elektronenmikroskop zeigte, daß ein 0,50 um Linie-Lücke-Muster mit einem guten Profil aufgelöst werden konnte, und die Empfindlichkeit betrug 200 mJ/cm².
    • Beispiel 8
  • Ein positives Muster wurde erzeugt, indem Beispiel 3 wiederholt wurde, außer daß N- Hydroxysuccinimid-2-propansulfonat durch den Trimethansulfonsäureester von Ethylgallat ersetzt wurde. Es wurde kein Ablösen des Musters beobachtet. Die Beobachtung des erzeugten Musters mit einem Elektronenmikroskop zeigte, daß ein 0,50 um Linie-Lücke-Muster mit einem guten Profil aufgelöst werden konnte, und die Empfindlichkeit betrug 240 mJ/cm².
    • Beispiel 9
  • Es wurde ein positives Muster erzeugt, indem Beispiel 1 wiederholt wurde, außer daß das Harz A durch MARUKA LYNCUR CST-70 (von Maruzen Petrochemical Co. hergestellt, Gewichtsmittel des Molekulargewichts 2300) ersetzt wurde. Es wurde kein Ablösen des Musters beobachtet. Die Beobachtung des erzeugten Musters mit einem Elektronenmikroskop zeigte, daß ein 0,50 um Linie-Lücke-Muster mit einem guten Prof 1 aufgelöst werden konnte, und die Empfindlichkeit betrug 85 mJ/cm².

Claims (5)

1. Positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung, umfassend ein alkalilösliches Harz, das ein Copolymer von p-Vinylphenol oder einem Derivat davon und Styrol enthält, einen Lösungsinhibitor und eine photoinduzierte Säurevorstufe, wobei das Copolymer von p- Vinylphenol oder einem Derivat davon und Styrol einen Rest der nachstehenden Formeln (Ia) oder (Ib):
enthält, worin m, n und p Zahlen sind, die folgende Bedingungen erfüllen:
(m + p) : n = von 50 : 50 bis 95 : 5 und
p : (m + p) = von 1 : 50 bis 45 : 50.
2. Positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei der Lösungsinhibitor eine Verbindung der nachstehenden Formel (II)
ist, worin R&sub1; bis R&sub9; jeweils ein Wasserbonyloffatom oder ein Alkylrest, eine t-Butoxycarbonyloxygruppe oder eine Hydroxygruppe sind, mit der Maßgabe, daß mindestens einer der Reste R&sub1; bit R&sub4; eine t-Butoxycarbonylensetzungruppe ist und mindestens einer oder Reste R&sub5; bis R&sub9; eine t-Butoxycarbonyloxygruppe ist.
3. Positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die photoinduzierte Säurevorstufe ein Ester der nachstehenden Formel (III)
ist, worin R¹&sup0; ein gegebenenfalls substituierter Arylen-, Alkylen- oder Alkenylenrest ist und R¹¹ ein gegebenenfalls substituierter Alkyl- oder Arylrest ist.
4. Positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei die photoinduzierte Säurevorstufe eine Disulfonverbindung der nachstehenden Formel (IV)
ist, worin R¹² und R¹³ unabhängig voneinander jeweils ein Wasserstoffatom, ein Alkyl- oder ein Alkoxyrest sind.
5. Positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei die photoinduzierte Säurevorstufe ein Ester der nachstehenden Formel (V)
ist, worin R¹&sup4; ein gegebenenfalls substituierter Alkyl- oder Arylrest ist und R¹&sup5; ein Wasserstoffatom, ein Alkyl-, Alkoxy- oder Alkoxycarbonyloxyrest ist.
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