DE69216120T2

DE69216120T2 - Verfahren zum Herstellen einer Elektrooptischen Vorrichtung

Info

Publication number: DE69216120T2
Application number: DE69216120T
Authority: DE
Inventors: Shigeki Miyazaki
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1991-02-20
Filing date: 1992-02-19
Publication date: 1997-07-10
Anticipated expiration: 2012-02-20
Also published as: EP0500085A3; EP0500085B1; US5525862A; DE69216120D1; EP0500085A2; JPH04265931A; JP3013470B2

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer elektrooptischen Vorrichtung und einer Adressierungsstruktur gemäß jeweils dem Oberbegriff der unabhängigen Ansprüche 1 und 10. Ein derartiges Verfahren ist aus der JP-A-2 17396/89 bekannt.
Als Mittel, um einem Flüssigkristalldisplay hohe Auflösung und hohen Kontrast zu verleihen, wird im allgemeinen ein Verfahren durchgeführt, bei welchem aktive Elemente wie Transistoren, etc., für jedes Displaypixel vorgesehen werden, um diese zu steuern (das Verfahren wird daher Aktivmatrix-Adressierungssystem genannt).
Da jedoch die Anbringung einer großen Anzahl von Halbleiterelementen wie Dünnfilmtransistoren notwendig ist, kommt in diesem Fall, insbesondere bei Vergrößerung der Anzeigefläche, das Problem der Ausbeute auf, wodurch das große Problem steigender Kosten entsteht. Für die Lösung dieses Problems haben somit Buzaku et al. in der japanischen offengelegten Amneldungsveröffentlichung Nr.217396/89 ein Verfahren zur Verwendung eines Entladungsplasmas anstelle von Halbleiterelementen wie MOS-Transistoren oder Dünnfilmtransistoren, etc., als aktive Elemente vorgeschlagen. Die Konfiguration einer Bildanzeigevorrichtung zur Ansteuerung eines Flüssigkristalls unter Verwendung eines Entladungsplasmas wird nachfolgend kurz beschrieben.
Diese Bildanzeigevorrichtung wird plasmaadressierte Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung (Plasma Addressed Liquid Crystal display device, PALC) genannt. Wie därgestellt in Fig.6 sind eine als elektrooptische Materialschicht dienende Flüssigkristallschicht 101 und Plasmakammern 102 beidseits einer dünnen dielektrischen Lage 103 aus Glas etc., angeordnet.
Die Plasmakammem 102 werden durch Bilden einer Vielzahl von einander parallelen Gräben 105 in einem Glassubstrat oder einer Basisplatte 104 erzeugt. In diese Kammern wird jonisierbares Gas eingefüllt. Ferner werden Paare von einander parallelen Elektroden 106 und 107 jeweils in den Gräben angeordnet. Diese Elektroden 106 und 107 fünktionieren als eine Anode und eine Kathode zum Ionisieren des Gases innerhalb der Plasmakammern 102, um ein Entladungsplasma zu erzeugen.
Auf der anderen Seite wird die Flüssigkristallschicht 101 durch die dünne dielektrische Platte 103 und eine transparente Basisplatte 108 gehalten. Auf der Oberfläche der transparenten Basisplatte 108 an der Seite der Flüssigkristall schicht 101 werden transparente Elektroden 109 gebildet. Die Bereiche, bei denen sich die transparenten Elektroden 109 und die Plasmakammem 102 überschneiden, entsprechen den jeweiligen Pixeln.
In der vorstehend beschriebenen Bildanzeigevoffichtung werden durch Schalten und reihenweises Abrastern der Plasmakammern 102, in denen eine Plasmaentladung erfolgt, und Anlegen von Signalspannungen an die transparenten Elektroden 109 auf der Seite der Flüssigkristallschicht 101 in Synchronisation mit dem Schaltungsabraster-Betrieb diese Signalspannungen von den entsprechenden Pixeln gehalten. Die Flüssigkristallschicht 101 wird solchermaßen angesteuert.
Demgemäß entsprechen die Gräben 105, d.h. die Plasmakammem 102, jeweils einer Abrasterleitung und die Entladungsregion ist in Abrastereinheiten unterteilt.
Mittlerweile wird die Überlegung angestellt, daß in Bildanzeigevoffichtungen unter Verwendung des vorstehend beschriebenen Entladungsplasmas eine vergrößerte Anzeigefläche leichter realisiert werden kann als in solchen unter Verwendung von Halbleiterelementen, jedoch verschiedene Probleme bei der Umsetzung eines derartigen Bauelements in die Praxis verblieben sind.
Zum Beispiel beinhaltet die Bildung der Gräben 105 zur Erzeugung einer Plasmakammer 102 auf einem Glassubstrat 104, welches ein transparentes Substrat ist, ein erhebliches Fabrikationsproblem. Insbesondere ist es extrem schwierig, Gräben in einer hohen Dichte zu bilden.
Ferner ist es erforderlich, Elektroden 106 und 107 für die Entladung in den Gräben 105 zu bilden. Ein Ätzprozeß ist zu diesem Zweck jedoch mühselig und es ist schwierig, den Abstand zwischen den Elektroden 106 und 107 mit hoher Genauigkeit einzuhalten.
Angesichts der vorerwähnten Probleme des Stands der Technik wurde die vorliegende Erfindung vorgeschlagen und ihre Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung einer elektrooptischen Vorrichtung zur Anwendung als Bildanzeigevorrichtung mit einfachen Herstellungsschriffen anzugeben, resultierend in einer elektrooptischen Vorrichtung, die für die Implementierung einer vergrößerten Anzeigefläche mit hoher Miniaturisierung geeignet ist.
Zur Lösung der vorstehend beschriebenen Aufgabe weist ein Verfahren zum Herstellen einer elektrooptischen Vorrichtung die Verfahrensschritte auf
- Ausbilden eines ersten Substrats, welches auf einer Hauptoberfläche eine Vielzahl von nicht-überlappenden ersten Elektroden aufweist;
- Ausbilden eines zweiten Substrats, welches dem ersten Substrat gegenüberliegt;
- Ausbilden einer Vielzahl von nicht-überlappenden zweiten Elektroden auf einer Hauptoberfläche des zweiten Substrats, wobei die zweiten Elektroden im wesentlichen senkrecht zu den ersten Elektroden angeordnet sind
- Ausbilden einer elektrooptischen Materialschicht zwischen den ersten und zweiten Elektroden; und
- Ausbilden einer Entladungskammer, welche zwischen der elektrooptischen Materialschicht und dem zweiten Substrat angeordnet ist und Befüllen der Entladungskammer mit einem ionisierbaren Gas, wobei die Entladungskammer eine Vielzahl von Abraster- oder Bildzerlegungseinheiten aufweist,
gekennzeichnet durch einen Verfahrensschritt des Ausbildens von Unterteilungswänden zum Unterteilen in die Abrastereinheiten durch
- mehrfaches, schichtweises Aufdrucken einer Glaspaste durch einen Siebdruckprozeß, wobei die Anzahl von Siebdrucken zur Steuerung des Abstandsintervalls der Entladungskammer eingestellt wird (Anspruch 1).
Die abhängigen Ansprüche 2 bis 9 sind vorteilhafte Weiterbildungen davon.
Gemäß einem zweiten Aspekt der Erfindung ist ein Verfahren angegeben zum Herstellen einer Adressierungsstruktur mit den Verfahrensschritten.
- Ausbilden eines Substrats mit einer Vielzahl von Elektroden auf einer ihrer Hauptoberflächen;
- Ausbilden einer dielektrischen Materialschicht, welche dem Substrat gegenüberliegt und
- Einfüllen eines ionisierbaren Gases zwischen das Substrat und die dielektrische Materialschicht, wobei das Gas einen Entladungsbereich definiert, durch welchen Abraster- oder Bildzerlegungseinheiten bereitgestellt werden,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Verfahrensschriff des Ausbildens von Unterteilungswänden zum Unterteilen in die Abrastereinheiten durch mehrfaches, schichtweises Aufdrucken einer Glaspaste durch einen Siebdruckprozeß bereitgestellt wird, wobei die Anzahl der Siebdrucke zur Steuerung des Abstandsintervalls der Entladungsregion eingestellt wird (Anspruch 10).
In der erfindungsgemäßen elektrooptischen Vorrichtung werden Unterteilungswände, welche den Entladungsbereich bei jeder Abrastereinheit unterteilen, durch einen Siebdruckprozeß gebildet. Der Siebdruckprozeß ist eine sehr einfache Technik und erlaubt die Formation eines sehr feinen Musters. Somit kann die Produktivität und/oder die Arbeitseffizienz zu einem höheren Grad verbessert werden als das gräbenbildende Verfahren. Da ferner die zweiten Elektroden für die Entladung auf einem flachen Substrat gebildet werden, ist der Ätzprozeß ebenfalls einfach und der Abstand zwischen den Elektroden kann mit hoher Genauigkeit gesteuert werden.
Im folgenden zeigen:
Fig.1 eine schematische Querschnittsansicht zur Darstellung einer Ausführungsform, auf die eine erfindungsgemäße elektrooptische Vorrichtung angewandt wird.
Fig.2 eine Modellansicht zur Darstellung einer Elektrodenkonfiguration für die Ansteuerung der Flüssigkristauschicht.
Fig.3 eine Modellansicht zur Darstellung eines Anordnungs- und Verbindungszustands der Entladungselektroden.
Fig.4 ein Diagramm eines äquivalenten Schaltkreises zur Erläuterung einer Bildanzeige- Operation.
Fig.5 eine schematische Querschnittsansicht zur Darstellung einer anderen Ausführungsform einer Bildanzeigevorrichtung, auf die eine erfindungsgemäße elektrooptische Vorrichtung angewandt wird.
Fig.6 eine schematische Querschnittsansicht zur Darstellung eines Beispiels von konventionellen Bildanzeigevorrichtungen.
Eine aktuelle Ausführungsform, in welcher die Erfindung zur Anwendung kommt, wird im folgenden unter Bezugnahme auf die angefügten Zeichnungen im einzelnen beschrieben.
Eine Bildanzeigevorrichtung dieser Ausführungsform ist von der in Fig. 1 dargestellten Struktur, in welcher eine als elektrooptische Materialschicht dienende Flüssigkristall schicht 3 zwischen ein flaches und optisch ausreichend transparentes erstes Substrat 1 und ein ähnlich flaches und transparentes zweites Substrat 2 eingesetzt ist, und ein Raum zwischen der Flüssigkristallschicht 3 und der zweiten Basisplatte 2 als Entladungskammer 4 verwendet wird.
Diese Basisplatten 1 und 2 sind hier beide aus einem nichtleitenden und optisch transparenten Material geformt, wobei der Fall in Betracht gezogen wird, daß die Bildanzeigevorrichtung dieser Ausführungsform vom Transmissionstyp ist. In dem Fall, in dem die Bildanzeigevorrichtung als eine Anzeigevorrichtung vom Direktansichts- oder Reflexionstyp ist, ist es ausreichend, wenn eine von den Basisplatten transparent ist.
Streifenförmige Elektroden 5 werden auf einer Hauptobertläche 1 a des ersten Substrats 1 gebildet und eine Flüssigkristallschicht 3 aus einem nematischen Flüssigkristall, etc., wird im Kontakt mit den Elektroden 5 angeordnet. Die Flüssigkristallschicht 3 wird durch einen dünnen dielektrischen Film 6 aus Glas, Mica oder Plastik, etc., zwischen dem dünnen dielektrischen Film 6 und der ersten Basisplatte 1 gehalten. Somit ist eine Konfiguration einer Form gegeben, daß sogenannte Flüssigkristallzellen durch die erste Basisplatte 1, die Flüssigkristallschicht 3 und den dielektischen Film 6 gebildet werden.
Der vorstehend erwähnte dielektrische Film 6 fungiert als eine isolierende Abschirmschicht der Flüssigkristallschicht 3 und der Entladungskammer 4. Falls kein dielektrischer Film 6 vorhanden ist, existiert die Möglichkeit, daß das Flüssigkristallmaterial in irgendeine Entladungskammer 4 fließen kann oder daß das Flüssigkristallmaterial durch das Gas in der Entladungskammer 4 verunreinigt wird. Es sei angemerkt, daß in dem Fall, in dem ein eingekapseltes elektrooptisches Material oder ein solches aus einem Festkörper anstelle des Flüssigkristallmaterials verwendet wird, unter Umständen ein derartiger dielektrischer Film 6 nicht erforderlich ist.
Da der dielektrische Film 6 aus dielektrischem Material gebildet ist, fungiert der dielektrische Film 6 überdies selbst als Kondensator. Demgemäß ist es wünschenswert, daß der dielektrische Film 6 so dünn wie möglich ist, um eine ausreichende elektrische Kopplung zwischen der Entladungskammer 4 und der Flüssigkristallschicht 3 zu ermöglichen und um eine zweidimensionale Diffusion der Ladungen zu verhindern.
Auf der anderen Seite werden Entladungselektrodengruppen 7 als eine streifenförmige Elektrode ebenso auf dem zweiten Substrat 2 gebildet. Ferner ist durch Unterstützen der peripheren Abschnitte des zweiten Substrats 2 durch dichtende Abstandsglieder 8 das Substrat 2 mit einem vorbestimmten Abstand von dem dielektrischen Film 6 angeordnet. Somit wird der Raum zwischen dem zweiten Substrat 2 und dem dielektrischen Film 6 dazu ausersehen als Entladungskammer oder als Region für die Erzeugung eines Entladungsplasmas zu dienen.
Die Entladungskammer 4 ist durch die durch den Druckprozeß hergestellte Unterteilungswände 9 unterteilt, um entsprechende unabhängige Plasmakammem P&sub1;, P&sub2;, P&sub3;,... Pn zu bilden.
Ionisierbares Gas wird in die entsprechenden Plasmakammern P&sub1;, P&sub2;, P&sub3;,... Pn eingefüllt. Als ionisierbares Gas kann Helium, Neon, Argon oder ein daraus gemischtes Gas verwendet werden.
Die vorstehend erwähnten Unterteilungswände 9 werden parallel zu entsprechenden streifenförmigen Elektroden der Entladungselektrodengruppen 7 und in Lücken zwischen diesen streifenförmigen Elektroden gebildet. In dieser Ausführungsform werden sie bei jedem Paar von Anoden und Kathoden, d.h. bei jeder Abrastereinheit gebildet, was später beschrieben werden wird. Demgemäß entsprechen diese Plasmakammem P&sub1;, P&sub2;, P&sub3;,... Pn den jeweiligen Abrasterleitungen.
Die Unterteilungswände 9 werden durch den Druckprozeß gebildet. Sie können durch schichtweises Aufdrucken, beispielsweise einer Glaspaste durch einen mehrfachen Siebdruckprozeß gebildet werden. Hier haben die Unterteilungswände 9 die Rolle der Begrenzung des Abstandsintervalls W der Entladungskammer 4 (d.h. dem Abstand zwischen dem zweiten Substrat 2 und dem dielektrischen Film 6). Dies wird durch Einstellen der Anzahl der Siebdrucke gesteuert. Die Abstandsbreite W beträgt gewöhnlich etwa 200 µm.
Ferner können die in den entsprechenden Plasmakammern P&sub1;, P&sub2;, P&sub3;,... Pn gebildeten Entladungselektrodengruppen 7 direkt auf dem zweiten Substrat gebildet werden. Zum Beispiel können diese Elektrodengruppen durch Drucken einer leitfähigen Paste enthaltend Ag-Pulver, etc., gebildet werden. Natürlich können diese Elektrodengruppen durch einen Ätzprozeß gebildet werden. Da Elektroden auf einer flachen, ebenen Oberfläche durch jeden Prozeß gebildet werden können, kann die Bildung mit Leichtigkeit erfolgen. Überdies kann die größenmäßige Genauigkeit des Elektrodenintervalls, etc., gewährleistet werden.
Demgemäß werden bei der Herstellung die Entladungselektrodengruppen 7 zuerst auf dem flachen zweiten Substrat 2 gebildet und die Unterteilungswände 9 werden dann durch den Druckprozeß gebildet.
Vorstehend wurde die Konfiguration der Bildanzeigevorrichtung erläutert. Auf den entsprechetiden Basisplatten 1 und 2 werden Elektroden für die Ansteuerung der Flüssigkristallschicht 3 gebildet. Die Konfiguration dieser Elektroden wird im folgenden beschrieben.
Auf der Hauptoberfläche 1a des dem zweiten Substrat 2 gegenüberliegenden ersten Substrats 1 werden eine Mehrzahl von streifenförmigen Elektroden 5 mit einer vorbestimmten Breite gebildet. Diese Elektroden 5 werden durch ein transparentes, leitfähiges Material, z.B. Indiumzinnoxid (Indium Tin Oxide, ITO), etc., gebildet und sind optisch transparent. Ferner werden die entsprechenden Elektroden 5 parallel zueinander und senkrecht zu z.B. der Anzeigenoberfläche angeordnet.
Auf der anderen Seite werden ebenso auf der Hauptoberfläche 2a der der ersten Basisplatte 1 gegenüberliegenden zweiten Basisplatte 2 Gruppen von Entladungselektroden 7 in ähnlicher Weise gebildet. Diese Entladungselektrodengruppen 7 sind ebenso parallele lineare Elektroden, aber sie sind in einer Richtung senkrecht zu den auf dem ersten Substrat 1 gebildeten Elektroden 5 angeordnet. Diese Entladungselektrodengruppen 7 sind nämlich in einer horizontalen Richtung auf dem Schirm angeordnet. Insbesondere bestehen diese Entladungselektrodengruppen 7 aus Anodenelektroden A&sub1;, A&sub2;, A&sub3;,... An-1, An und Kathodenelektroden K&sub1;, K&sub2;, K&sub3;,... Kn-1, Kn. Durch Paarbildung von entsprechenden dieser Elektroden werden entsprechende Entladungselektroden gebildet. Sie werden innerhalb der entsprechenden Plasmakammem P&sub1;, P&sub2;, P&sub3;,... Pn angeordnet.
Der Anordnungszustand der auf dem ersten Substrat 1 gebildeten Elektroden 5 und der auf der zweiten Basisplatte 2 gebildeten Entladungselektrodengruppen 7 ist modellhaft in Fig.2 dargestellt.
Hier sind erste Signalzuführungsmittel bestehend aus einem Datenansteuerschaltkreis 10 und Ausgangsverstärkern 11 mit den auf dem ersten Substrat 1 angeordneten Elektroden 5 verbunden. Somit werden von den jeweiligen Ausgangsverstärkem 11 ausgegebene Analogspannungen als jeweilige Flüssigkristallsteuersignale geliefert.
Auf der anderen Seite sind zweite Signalzuführungsmittel bestehend aus einem Datenaustastschaltkreis 12 und Ausgangsverstärkem 13 mit jeweiligen Kathodenelektroden K&sub1;, K&sub2;, K&sub3;,... Kn-1, Kn der auf dem zweiten Substrat 2 angeordneten Entladungselektroden gruppen 7 verbunden. Somit werden von den jeweiligen Ausgangsverstärkern 13 ausgegebene Pulsspannungen als jeweilige Datenaustastsignale geliefert. Zusätzlich wird eine gemeinsame Referenzspannung (Massespannung) an die jeweiligen Anodenelektroden A&sub1;, A&sub2;, A&sub3;,... An-1, An angelegt.
Demgemäß ist die Verbindungsstruktur der auf dem zweiten Substrat 2 gebildeten Entladungselektrodengruppen 7 wie dargestellt in Fig.3.
Ferner ist ein Abrastersteuerschaltkreis 14 mit dem Datensteuerschaltkreis 10 und dem Datenaustastschaltkreis 12 verbunden, um ein Bild über dem gesamten Anzeigeschirm zu erzeugen. Dieser Abrastersteuerschaltkreis 14 dient zur Steuerung oder Regulierung der Funktionen des Datensteuerschaltkreises 10 und des Datenaustastschaltkreises 12, um eine sequentielle Adressierung von Reihe zu Reihe in Bezug auf alle Pixelzüge der Flüssigkristallschicht 3 durchzuführen.
In der wie vorstehend beschrieben aufgebauten Bildanzeigevorrichtung fungiert die Flüssigkristallschicht 3 als ein Abtastkondensator für die an die auf dem Substrat 1 gebildeten Elektroden 5 angelegten Analogspannungen und das in der Entladungskammer 4 erzeugte Entladungsplasma fungiert als ein Abtastschalter. Somit wird eine Bildanzeige durchgeführt.
Das Modell zur Erläuterung des Bildanzeigeablaufs ist in Fig.4 dargestellt. In Fig.4 kann die den jeweiligen Pixeln entsprechende Flüssigkristallschicht 3 als jeweilige Kondensatormodelle 15 aufgefaßt oder verstanden werden. Die Kondensatormodelle 15 bedeuten nämlich kapazitive Flüssigkristallzellen, die in den Bereichen gebildet werden, an denen sich die Elektroden 5 und entsprechende Plasmakammem P&sub1;, P&sub2;, P&sub3;,... Pn gegenseitig überlappen.
Im folgenden wird angenommen, daß analoge Spannungen an die jeweiligen Elektroden 5 durch den Datensteuerschaltkreis 10 angelegt werden. Wenn nun angenommen wird, daß kein Austastsignal (Pulsspannung) an die Kathodenelektrode K&sub1; des zweiten Substrats 2 angelegt wird, d.h. die Kathodenelektrode K&sub1; sich in einem AUS-Zustand befindet, dann wird auch keine Entladung über der Anodenelektrode A&sub1; und der Kathodenelektrode K&sub1; erzeugt. Im Ergebnis wird also das in der Nähe befindliche Gas in einen nicht-ionisierten Zustand gebracht. Demgemäß wird der Plasmaschalter S&sub1; (die elektrische Verbindung der Elektrode 5 und der Anodenelektrode A&sub1;) ebenso in einen AUS-Zustand gebracht. Im Ergebnis ergibt sich, auch wenn irgendeine Analogspannung an die Elektroden 5 angelegt wird, keine Änderung in der an die entsprechenden Kondensatormodelle 14 angelegten Potentialdifferenz.
Auf der anderen Seite wird, falls ein Datenaustastsignal an die Kathodenelektrode K&sub2; der zweiten Basisplatte 2 angelegt wird, d.h. wenn die Kathodenelektrode K&sub2; sich in einem EIN-Zustand befindet, das Gas durch eine Entladung zwischen der Anodenelektrode A&sub2; und der Kathodenelektrode K&sub2; ionisiert, so daß innerhalb der Plasmakammer P&sub2; eine ionisierte Region (Entladungsplasma) entsteht. Somit ergibt sich durch die sogenannte Plasmaschaltoperation der Zustand, in dem die Elektrode 5 und die Anodenelektrode A&sub2; elektrisch verbunden sind. Vom Standpunkt der Schaltkreisoperation aus betrachtet ergibt sich ein Zustand, der einem Zustand äquivalent ist, in dem der Plasmaschalter S&sub2; in den Zustand EIN geschaltet wird.
Im Ergebnis wird die an die Elektrode 5 gelieferte Analogspannung in ein Kondensatormodell 14 der Spalte gespeichert, in der die Kathodenelektrode K&sub2; sich in einem Austastzustand befindet. Auch nachdem die Austastung der Kathodenelektrode K&sub2; beendet wurde, das Entladungsplasma sich also innerhalb einer Zeitperiode bis zur Durchführung der nächsten Austastung auflöst oder zerstreut wird (während mindestens eines Feldintervalls dieses Bildes), bleibt diese Analogspannung in dem Zustand, in dem sie in den entsprechenden Kondensatormodellen 14 gespeichert ist. Im Ergebnis unterliegt diese Analogspannung nicht dem Einfluß von Änderungen in den zu späteren Zeiten an die Elektroden 5 angelegten Analogspannungen.
Wenn demgemäß an den Kathodenelektroden K&sub1;, K&sub2;, K&sub3;,... Kn-1, Kn eine sequentielle Adressierung vorgenommen wird, um an diese Datenaustastsignale zur Ansteuerung der Plasmakammem P&sub1;, P&sub2;, P&sub3;,... Pn anzulegen und gleichzeitig Flüssigkristallsteuersignale als analoge Spannungen an die entsprechenden Elektroden 5 in Synchronisation mit dem Anlegen der Datenaustastsignale anzulegen, fungieren die Plasmaschalter als aktives Element auf dieselbe Art wie in dem Fall der Halbleiterelemente wie Dünnfilmtransistoren, etc. Somit wird die Flüssigkristallschicht 3 auf dieselbe Art angesteuert wie in dem Fall des aktiven Matrixadressierungssystem.
Es sei angemerkt, daß das Steuerungssystem für eine Bildanzeigevorrichtung nicht auf das vorstehend beschriebene System beschränkt ist.
In der vorstehend beschriebenen Ausführungsform sind jeweilige gepaarte Elektroden (Anode und Kathode) als eine Entladungselektrode innerhalb der Plasmakammern P&sub1;, P&sub2;, P&sub3;,... Pn angeordnet. Zusätzlich ist es möglich, den Grad der Elektrodenposition und die Anzahl der Elektroden zu erhöhen, indem Unterteilungswände durch den Druckprozeß gebildet werden.
Im folgenden wird eine Erläuterung im Zusammenhang mit einer Ausführungsform gegeben, in welcher die Unterteilungswände auf der Eelektrode gebildet werden, um somit die Anzahl der Entladungselektroden auf die Hälfte zu reduzieren.
Bei einer auf eine Bildanzeigevorrichtung angewandten elektrooptischen Vorrichtung der zweiten Ausführungsform, wie dargestellt in Fig.5, ist ebenso zwischen einem ersten Substrat 21 enthaltend darauf gebildete streifenförmige Elektroden 23 und einem zweiten Substrat 22 enthaltend darauf gebildete Entladungselektroden 24 eine als elektrooptische Materialschicht dienende Flüssigkristallschicht 25 eingesetzt. Ferner dient ein Zwischenraum zwischen dem dielektrischen Film 26 und dem zweiten Substrat 22 als eine Entladungsregion 27. Diese Konfiguration ist ähnlich der der vorstehend beschriebenen Ausführungsform.
Diese Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß die Entladungselektroden 24 auf dem zweiten Substrat 22 bei gleichen Intervallen angeordnet sind und daß die Unterteilungswände 28 durch einen Druckprozeß auf den entsprechenden Entladungselektroden 24 gebildet werden, wobei die Entladungskammer in entsprechende Plasmakammern P&sub1;, P&sub2;, P&sub3;,... Pn unterteilt ist. Eine derartige Konfiguration kann erstmals durch Druckformen der die Entladungsregion 27 unterteilenden Unterteilungswände 28 erstellt werden.
In dem Fall, in dem die Unterteilungswände auf der Entladungselektrode 24 auf die vorstehend beschriebene Art druckgeformt werden, werden in den entsprechenden, durch die Unterteilungswände unterteilten Plasmakammern P&sub1;, P&sub2;, P&sub3;,... Pn die Entladungselektroden 24 auf die übliche Weise verwendet. Die Entladungselektrode 24a dient nämlich sowohl als eine Entladungselektrode der Plasmakammer P&sub1; wie auch als Entladungselektrode der Plasmakammer P&sub2;. In ähnlicher Weise dient die Entladungselektrode 24b als eine Entladungselektrode der Plasmakammer P&sub2; wie auch als Entladungselektrode der Plasmakammer P&sub3;. Demgemäß kann die Anzahl der Elektroden auf die Hälfte reduziert werden.
Ferner kann die Apertur oder das Öffnungsverhältnis verbessert werden, da eine Struktur derart eingesetzt wird, daß Unterteilungswände 28, die zur Anzeige keinen Beitrag liefern, und Entladungselektroden 24 miteinander überlappen, wodurch es möglich ist, die optische Charakteristik zu verbessern.
Es sei angemerkt, daß in dem Fall, in dem die Entladungselektroden 24 auf derartige Weise angeordnet sind, daß sie für benachbarte Plasmakammern auf gewöhnliche Weise verwendet werden, ist es notwendig, das Steuersystem etwas anzupassen. Zum Beispiel ist es ausreichend, eine Anpassung derart vorzunehmen, daß entsprechende Entladungselektroden 24 sowohl als Anode als auch Kathode dienen können, um ein sequentielles Schalten zwischen der Anode und der Kathode durchzuführen, um deren Zeitgebungen aufeinander abzustimmen, um somit die Entladung in den jeweiligen Plasmakammern P&sub1;, P&sub2;, P&sub3;,... Pn sequentiell durchzuführen.
Die Erfindung ist nicht auf die vorstehend beschriebenen aktuellen Anwendungsbeispiele beschränkt. Material, Form und Dimensionen sind willkürlich. Überdies können die Unterteilungswände, die in den vorstehend beschriebenen beiden Ausführungsformen druckgeformt werden, in Abständen von einer Mehrzahl von Abrastereinheiten (zwei oder mehr) gebildet werden.
Aus der vorangegangenen Beschreibung wird deutlich, daß die die Entladungsregion teilenden Unterteilungswände durch den Druckprozeß gebildet werden und der schwierige Prozeß des Ätzens von Gräben oder die Bildung von Elektroden in den Gräben nicht notwendig und die Herstellung einfach ist. Ferner ist die Erfindung vorteilhaft für die Implementierung von einem vergrößerten Anzeigeschirm oder einer erhöhten Genauigkeit.
Zusätzlich kann, indem ein Überlappen der Entladungselektroden und der Unterteilungswände miteinander ermöglicht wird, die von diesen belegte Fläche reduziert werden. Somit kann das Aperturverhältnis verbessert werden. Demgemäß kann die Effizienz verbessert werden. Dies ist ebenso für die optische Charakteristik vorteilhaft.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen einer elecktrooptischen Vorrichtung mit den Verfahrensschritten:

- Ausbilden eines ersten Substrats (1; 21), welches auf einer Hauptoberfläche (1a) eine Vielzahl von nicht-überlappenden ersten Elektroden (5; 23) aufweist;

- Ausbilden eines zweiten Substrats (2; 22), welches dem ersten Substrat gegenüberliegt;

- Ausbilden einer Vielzahl von nicht-überlappenden zweiten Elektroden (7; 24a; 24b...) auf einer Hauptoberfläche des zweiten Substrats, wobei die zweiten Elektroden im wesentlichen senkrecht zu den ersten Elektroden angeordnet sind;

- Ausbilden einer elektrooptischen Materialschicht (3; 25) zwischen den ersten und zweiten Elektroden (5, 7; 23, 24,...); und

- Ausbilden einer Entladungskammer (4; 27), welche zwischen der elektrooptischen Materialschicht und dem zweiten Substrat angeordnet ist und Befüllen der Entladungskammer mit einem ionisierbaren Gas, wobei die Entladungskammer eine Vielzahl von Abraster- oder Bildzerlegungseinheiten (P&sub1;, P&sub2;) aufweist

- gekennzeichnet durch einen Verfahrensschritt des Ausbildens von Unterteilungswänden (9; 28) zum Unterteilen in die Abrastereinheiten durch

- mehrfaches, schichtweises Aufdrucken einer Glaspaste durch einen Siebdruckprozeß, wobei die Anzahl von Siebdrucken zur Steuerung des Abstandsintervalls der Entladungskammer eingestellt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen weiteren Verfahrensschritt des Abscheidens einer dielektrischen Materialschicht (6; 26) zwischen der elektrooptischen Materialschicht und der Entladungskammer.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterteilungswände (28) auf den zweiten Elektroden (24a,24b...) gebildet werden.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterteilungswände (9) auf dem zweiten Substrat (2) gebildet werden.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterteil ungswände bei jeder Abrastereinheit gebildet werden.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterteilungswände in Abständen von einer Mehrzahl von Abrastereinheiten gebildet werden.

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Verfahrensschritt des Ausbildens der zweiten Elektroden das Ausbilden einer Vielzahl von Paarelektroden umfaßt, welche durch Anoden- und Kathodenelektroden gebildet sind.

8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß benachbarte zweite Elektroden in gleichen Intervallen angeordnet sind.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterteilungswände auf den zweiten Elektroden gebildet werden.

10. Verfahren zum Herstellen einer Adressierungsstruktur mit den Verfahrensschritten:

- Ausbilden eines Substrats mit einer Vielzahl von Elektroden auf einer ihrer Hauptoberflächen;

- Ausbilden einer dielektrischen Materialschicht, welche dem Substrat gegenüberliegt und

- Einfüllen eines ionisierbaren Gases zwischen das Substrat und die dielektrische Materialschicht, wobei das Gas eine Entladungsregion definiert, durch welchen Abraster- oder Bildzerlegungseinheiten bereitgestellt werden,

dadurch gekennzeichnet, daß ein Verfahrensschritt des Ausbildens von Unterteilungswänden zum Unterteilen in die Abrastereinheiten durch mehrfaches, schichtweises Aufdrucken einer Glaspaste durch einen Siebdruckprozeß bereitgestellt wird, wobei die Anzahl der Siebdrucke zur Steuerung des Abstandsintervalls der Entladungsregion eingestellt wird.