DE2653076C2 - Elektrolumineszente Darstellungsplatte - Google Patents
Elektrolumineszente DarstellungsplatteInfo
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Description
dadurch gekennzeichnet, daß der Verfahrensschritt (c) folgendes umfaßt:
1. Richten von Lichtstrahlung durch das Substrat (12), um die freiliegenden Gebiete der photopolymerisierbaren
Schicht (32) zu photopolymerisieren, die nicht durch die lichtundurchlässige
Elektrode erster Höhe (30), nicht durch die lichtundurchlässige Dünnschicht-Schaltung (Tu
T2, Cs) und nicht durch die lichtundurchlässigen Sammelschienen (16, 18, 20) abgeschirmt sind,
wobei die photopolymerisierte Fläche der Schicht (32) im Bereich der Elektrode erster
Höhe (30) an der Bodenfläche der photopolymerisierbaren Schicht (32) das Gebiet überschreitet,
das an der oberen Oberfläche der Schicht (32) photopolymerisiert wird, so daß sich ein im wesentlichen invertiert konischer
unpolymerisierter Schichtteil (46) über jeder Elektrode erster Höhe (30) erstreckt (F i g. 5b);
2. Anordnen einer lichtundurchlässigen Photomaske (48) über der Schicht (32) in Ausrichtung
zu jeder Elektrode erster Höhe (30), wobei die Fläche der lichtundurchlässigen Photomaske
(48) die Fläche der Elektrode erster Höhe (30), überschreitet und ungefähr gleich der Fläche
der nicht belichteten oberen Fläche oberhalb der Elektrode erster Höhe (30) ist;
3. Bestrahlen der Schicht (32) mit von einer Stelle oberhalb der Photomaske (48) ausgehender
Lichtstrahlung, um den nicht belichteten Teil der Schicht (32) mit der Ausnahme der von der
Photomaske (48) bedeckten Fläche zu photopolymerisieren;
Entfernen des unpolymerisierten Teils der Schicht (32); und
Vakuumablagern von leitenden Metallelektroden (38,40) über der isolierenden photopolymerisierten
Schicht (32) zur Bildung jeweils eines Elektrodenteils zweiter Höhe (38) sowie eines
verbindenden Elektrodenteils (40), der sich zu der Elektrode erster Höhe (30) erstreckt und
mit dieser einen Kontakt hat
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
einer elektrolumineszenten Darstellungspiatte gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs.
Bei derartigen Platten wird eine X- V-Anordnung von DarstelJungselementen auf einem isolierenden Substrat
vorgesehen, die miteinander verknüpft sind, um eine großflächige, ebene Plattendarstellung zu erzeugen, die
anstelle einer Kathodenstrahlröhre verwendet werden kann. Jedes der Darstellungselemente der Anordnung
umfaßt integrale Dünnschicht-Transistor-Schalt- und -Steuer-Schaltkreiselemente, die dazu verwendet werden,
bestimmte Gebiete der ebenen elektrolumineszenten Phosphorschicht selektiv zu adressieren, die dann
erregt werden, um einen Lichtausgang in Form eines Darstellungsmusters zu erzeugen. Ein derartiges Verfahren
sowie eine derartige elektrolumineszente Darstellungspiatte werden in der Druckschrift IEEE Trans.
Eletron-Devices, Band ED-22, Nr. 9, 1975, S. 739-748, beschrieben. Gemäß dieser Druckschrift wird die elektrolumineszente
Darstellungsplatte dadurch hergestellt, daß aufeinanderfolgende Schichten ausgewählter Materialien
im Vakuum abgelagert werden, um eine λ"- V-Anordnung von Darstellungselementen auf einem isolierenden
Substrat zu bilden. Jedes Darstellungselement bedeckt eine gleiche Fläche auf der Platte und ein wesentlicher
Teil der Fläche des Darstellungselementes wird von Jen einzelnen Dünnschicht-Schaltkreiselementen
und insbesondere durch den jeweiligen Abstand zwischen diesen Elementen eingenommen, um eine ungewünschte
elektrische Wechselwirkung zwischen den Elementen zu verhindern. Für Anwendungen mit hoher
Auflösung muß die physikalische Größe und die Fläche dieser Darstellungselemente vermindert werden, wodurch
der Flächenanteil eines jeden Darstellungselementes, der von den Dünnschicht-Schaltkreiselementen
beansprucht wird, weiter erhöht wird, auf Kosten der elektrolumiszenten Elektrode. Diese Elektrode ist der
einzige Teil des Darstellungselementes, der tatsächlich den elektrolumineszenten Phosphor anregt, welcher
gleichförmig über die Platte verteilt ist. Die tatsächliche Größe der Dünnschicht-Schaltkreiselemente kann nicht
in einfacher Weise vermindert werden, da bestimmte elektrische Eigenschaften aufrechterhalten werden sollen.
Dies gilt insbesondere hinsichtlich des kapazitiven Speicherelementes, das bei einer Ausführungsform des
für eine derartige elektrolumineszente Darstellungsplatte verwendeten Adressier-Schaltkreises erforderlich
ist. Um einen ausreichend großen Kapazitätswert für diesen Speicherkondensator zu erhalten, ist dessen
wirksame Fläche verhältnismäßig groß.
In der oben angegebenen Druckschrift wird ein bestimmtes
Verfahren zur wirksamen Isolierung der elektrolumineszenten Phosphorschicht von den Dünnschicht-Schaltkreiselementen
und den Antriebssignal-Sammeischienen beschrieben. Eine laminierte photopo-
lymerisierbare Schicht wird über derartigen Dünnschicht-Schaltkreiselementen
sowie über den Signal-Sammelschienen vorgesehen, um auf diese Weise das
elektrolumineszente Phosphor von diesen elektrischen Bauteilen zu isolieren. Diese laminierte photopolymerisierbare
Schicht wird als eine verhältnismäßig dicke Schicht aufgebracht, wobei die photopolymerisierbare
Isolationsschicht von den Gebieten selektiv entfernt wird, die über den elektrolumineszenten Elektroden
liegt, um einen Kontakt dieser Elektrode mit der Phosphorschicht zu ermöglichen, die dann über diesen
Elektroden und über den isolierenden polymerisierten Teilen abgelagert wird, die die Elemente der Dünnschicht-Schaltung
und der Signal-Sammelschienen überdeckt
Helligkeit und Auflösung von derartigen elektrolumineszenten Darstellungsplatten werden dur«.h die wirksame
Fläche der elektrolumineszenten Phosphorschicht begrenzt, die sich im Kontakt mit einzelnen elektrolumineszenten
Elektroden befindet und von diesen angeregt wird. Bis jetzt betrug diese erregte Fläche ungefähr
15% der Plattenfläche. Es ist daher sehr wünschenswert,
daß die elektrolumineszenten Elektroden so weit ausgedehnt werden, daß sie eine größere Fläche der Darstellungsplatte
bedecken.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen elektrolumineszenten Darstellungsplatte
zu schaffen.
Die Erfindung wird für ein Verfahren nach dem Oberbegriff
des Anspruchs durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs gelöst
Die sich ergebenden elektrolumineszenten Darstellungsplatten haben eine Struktur, bei der sich die individuellen
elektrolumineszenten Elektroden über eine wesentliche Fläche der gesamten Darstellungsplatte erstrecken.
Die ind-viduellen elektrolumineszenten Elektroden bestehen aus einer in mehreren Ebenen befindlichen
Elektrode, mit einem Elektrodenteil in einer ersten Ebene oder Höhe, der auf dem isolierenden Substrat
angeordnet ist, und mit einem Elektrodenteil in einer zweiten Ebene oder Höhe, der auf der isolierenden polymerisierten
Schicht angeordnet ist, wobei sich zwischen den Elektrodenteilen in der ersten und der zweiten
Ebene ein Verbindungs-Elektrodenteil erstreckt.
Die effektiv erleuchtete Fläche und die Helligkeit der Platte kann auf diese Weise stark erhöht werden, mit
einer erleuchteten Plattenfläche, die mehr als ungefähr 70% der gesamten Darstellungs-Plattenfläche ausmacht.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen
näher erläutert, die in den Zeicnnungen dargestellt sind. Es zeigt
F i g. 1 eine schematische Darstellung der erfindungsgemäßen elektrolumineszenten Darstellungsplatte mit
angeschlossenen Antriebseinrichtungen;
F i g. 2 eine Querschnitts-Darstellung durch einen Teil
der Platte, um die in mehreren Ebenen liegenden Elektrodenstruktur der erfindungsgemäßen Platte wiederzugeben;
Fig.3 eine vergrößerte schematische Darstellung
der Anordnung der Darstellungselemente zur Erläuterung der Dünnschicht-Schaltung der Darstellungsplatte,
F i g. 4 eine schematische Darstellung des zur Herstellung der erfindungsgemäßen Platte verwendeten Herstellungsverfahrens;
F i g. 5a eine Illustration der Plattenstruktur der photopolymerisierten
Schicht bei Herstellung gemäß bekannten Verfahren;
F i g. 5b eine Darstellung des Kantenmusters der photopolymerisierten
Schicht bei Herstellung gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren, wie es in F i g. 4 dargestellt
ist
Die elektrolurnineszente Darstellungsplatte 10 ist in
F i g. 1 schematisch in Verbindung mit einer Antriebs-Schalteinrichtung wiedergegeben. Die Darstellungsplatte
10 umfaßt ein ebenes isolierendes Substrat 12, auf dem Dünnschicht-Schaltkreiselemente 14 angeordnet
sind, und zwar in Form von Reihen und Spalten (X- Y-Koordinaten)
von einzeln adressierbaren und steuerbaren Darstellungselementen, die mittels Adressier- und
Antnebssignal-Sammelschienen 16,18 und 20 miteinander
verknüpft sind. Die grundlegende Dünnschicht-Transistor-Schaltung und deren Herstellungsverfahren
sind in der eingangs erwähnten Druckschrift näher erläutert Wie aus der F i g. 3 noch deutlicher wird, enthält
jedes Darstellungsefement einen Schalttransistor 71, einen Treibertransistor oder Leistungstransistor T2 sowie
einen Speicherkondensator Cs. Das Videosignal wird
der .^Sammelschiene aufgedrückt, und zwar von dem Analog-Videoregister 22, mittels der Zeileitschreib-Abtasteinrichtung
24, der das Videosignal zugeführt wird. Das Videosignal wird durch den Schalttransistor 71 hindurchgeleitet,
wenn das entsprechende Adressiersignal an der Schalter-Sammelschiene Yj vorhanden ist, das
den Transistor 71 einschaltet, wodurch der Speicherkondensator
Cs auf einen Spannungspegel aufgeladen wird, der dem Videosignal entspricht Die Schalt-Sammelschienen
Yj sind einzeln mit einem Vertikal-Abtasttreiber
26 verbunden. Eine hochfrequente Leistungsversorgung 28 ist mit einer gemeinsamen lichtdurchlässigen
Obersei ten-Elektrode oberhalb des elektrolumineszenten Phosphors verbunden, um den Phosphor anzuregen.
Wenn alle Kondensatoren C1 einer gegebenen Linie mit
dem Videosignal geladen sind, wird ein Torsteuersignal der Steuerelektrode des Transistors T2 zugeführt und T2
eingeschaltet, wodurch das hochfrequente Darstellungs-Leistungssignal
an die elektrokimineszenten Elektroden und die EL-Phosphorschicht angelegt werden kann.
Die Dünnschicht-Transistor-Schaltkreiselemente 71,
72, C5 und die Sammelschienen für das Informationssignal,
das Schaltsignal und das Leistungssignal sind in aufeinanderfolgenden Stufen als Dünnschichten aus
entsprechenden Materialien mit darüberliegenden zugehörigen Isolationsschichten auf dem Substrat 12 abgelagert
Ein elektrolumineszenter Elektrodenteil 30 einer ersten Höhe wird während einer der Metalldampf-Ablagerungsschritte
direkt auf das isolierende Substrat 12 abgelagert (vgl. Fig.2). Die teilweise hergestellte
Platte wird danach aus dem Vakuumsystem entfernt und eine laminierte photopolymerisierbare Schicht über
die gesamten Plattenfläche gepreßt. Die laminierte (mehrschichtige) photopolymerisierbare Schicht besteht
aus isolierendem Material, das an Ort und Stelle durch Bestrahlung mit Licht polymerisiert werden kann.
Ein geeignetes laminiertes Photoresistmaterial wird von
der Firma DuPont unter dem Handelsnamen »Riston« vertrieben. Diese poiymerisierte Isolierschicht 32 ist
verhältnismäßig dick und besitzt typischerweise eine Dicke von ungefähr 0,025 mm, um die Dünnschicht-Schaltkreiselemente
und die verschiedenen Sammelschienen von der elektrolumineszenten Phosphorschicht
34, die die gesamte Platte bedeckt, wirksam zu isolieren. Es war bisher üblich, lediglich die el^ktrolumineszente
Elektrode 30 in der ersten Höhe mit dem Phosphormaterial in Kontakt zu bringen. Somit wurde
nur dieser Teil der elektrolumineszenten PhosDhor-
schicht oberhalb der auf dem Substrat abgelagerten Elektrode tatsächlich zum Leuchten gebracht. Eine
lichtdurchlässige gemeinsame obere elektrolumineszente Elektrode 36 ist über der Oberseite der Phosphorschicht
34 angeordnet. Diese gemeinsame Elektrode 36 ist mit der Leistungsversorgung 28 verbunden. Eine
Glasfrontplatte 42 kann über der Oberelektrode 36 vorgesehen werden. Die isolierende Polymerschicht 32 bedeckt
alle Dünnschicht-Schaltkreiskomponenten mit der Ausnahme der elektrolumineszenten Elektroden 30
der ersten Höhe. In dieser isolierenden Polymerschicht 32 sind durch ein weiteres Resistverfahren Durchbrüche
vorgesehen, um die Elektroden der ersten Höhe freizulegen. In den Querschnittsansichten ist das relative Ausmaß
der Schichten stark übertrieben, um die Beschreibung zu erleichtern.
Um das aktive Gebiet des elektrolumineszenten Phosphors weiter auszudehnen, ist eine elektrolumineszente
Elektrode 38 auf einer zweiten Höhe oberhalb der Polymer-lsolatorschicht 32 angeordnet. Diese auf zweiter
Höhe befindliche elektrolumineszente Elektrode 38 ist im wesentlichen eben und liegt parallel zu der auf der
ersten Höhe angeordneten elektrolumineszenten Elektrode. Ein verbindender Elektrodenteil 40 stellt zwischen
den elektrolumineszenten Elektrodenteilen erster und zweiter Höhe eine elektrische Verbindung her. Er
ist längs tier Neigung der Polymer-lsolatorschicht 32 an
den Kanten der Öffnung angeordnet, die in der polymeren Isolatorschicht um die Elektrode 30 herum geöffnet
ist Der Elektrodenteil 30 erster Höhe ist ein im allgemeinen
recl.teckige Platte, die einen Teil der Fläche eines jeden Darstellungs-Einheitselementes einnimmt.
Die öffnungen, die in der polymeren Isolatorschicht 32
gebildet sind, sind rechteckig und besitzen im allgemeinen invertierte konische Querschnitte, d. h„ die öffnungsfläche
ist an der Oberfläche der Elektrode 30 erster Höhe kleiner als an der oberen Oberfläche der
Schicht 32. Eine langsam nach innen sich neigende Kante wird somit in der Schicht 32 an jeder öffnung oberhalb
einer jeden Elektrode 30 gebildet. Die elektrolumineszente Phosphorschicht 34 wird daher über der gesamten
Darsteliungsplatte in Kontakt mit der elektrolumineszenten Elektrode 30 erster Höhe, der elektrolumineszenten
Elektrode 38 zweiter Höhe und dem verbindenden Elektrodenteil 40 abgelagert, so daß ein stark
vergrößertes Gebiet des Phosphors für ein gegebenes Darstellungselement aktiviert wird. Dies verbessert
ganz erheblich den Helligkeitspegel der Platte. Die einzelnen elektrolumineszenten Elektroden können daher
einen wesentlichen Teil der Gesamtfläche der Darstellungsplatte
bedecken, wobei die einzelnen verbleibenden nicht abgedeckten Flächen die sind, die zur Herstellung
des Abstandes zwischen angrenzenden Kanten der einzelnen Elektroden erforderlich sind. Um einen
70%-Anteil für die beleuchtete Fläche zu erreichen, wurde der Abstand zwischen den Elektroden etwa
02 mm breit gemacht, wobei dieser Abstand auf ungefähr 0,05 bis 0,075 mm vermindert werden kann, um die
Elektrodenfläche und damit die beleuchtete Fläche der Darstellungsplatte weiter zu erhöhen.
Die Herstellung der mehrschichtigen elektrolumineszenten Elektrodenstruktur in der Darstellungsplatte gemäß
der vorliegenden Erfindung erfordert sorgfältige Ablagerung des verbindenden Elektrodenteils 40, um
sicherzustellen, daß sich aus den Elektrodenteilen erster Höhe und zweiter Höhe und den verbindenden Elektrodenteilen
eine ununterbrochene, großflächige elektrolumineszente Elektrode ergibt. Die Dicke der laminierten
photopolymerisierbaren Isolierschicht 32 führt zu einem Problem, wenn das photopolymerisierbare Material einer
Lichtstrahlung ausgesetzt wird und eine Maske über der ersten elektrolumineszenten Elektrodenfläche aufgelegt
ist, weil die über den Elektroden 30 gebildeten Öffnungen an der Kante der Maske einen Kanteneffekt
erzeugen, und zwar aufgrund der Lichtbrechung oder Lichtstreuung der Lichtstrahlung, was nach Entwicklung
der nicht belichteten Fläche und nach Bildung der öffnung 44 zu einem Überhängen von polymerisiertem
Material an der oberen Fläche der Schicht 32 führt, wie in Fig.5a zu erkennen ist. Die gebildete öffnung 44
besitzt eine kleinere Fläche an der oberen Oberfläche der Schicht 32 als an der Bodenfiäche. Dieses überhängen
des photopolymerisierten Isoliermaterials ist deshalb schädlich, weil es die Ablagerung eines wirksamen
Verbindungs-Elektrodenteils 40 verhindert. Dies kommt daher, weil die Metallschicht, die im Vakuum als
verbindender Elektrodenteil 40 abgelagert wird, durch Sichtlinien-Vakuumablagerung erfolgt, wodurch der
Überhang des photopolymerisierten Materials die Ablagerung des Metalls unterhalb dieses Überhanggebietes
verhindert Vorzugsweise besitzt die Kante des photopolymerisierbaren
Isolators angrenzend zur elektrolumineszenten Elektrode erster Höhe eine graduelle
Steigerung, wie sie in Fig.5b dargestellt ist, wo die
Öffnung 46 in wünschenswerter Weise geneigte Kanten besitzt, bei der die Öffnungsfläche an der oberen Fläche
der Schicht 32 die Öffnungsfläche an der Bodenfläche übertrifft, wodurch eine Sichtlinien-Metallablagerung
auf diesen Kanten ermöglicht wird. Die elektrolumineszente Elektrode 38 zweiter Höhe wird zur gleichen Zeit
wie der verbindende Elektrodenteil 40 dampfabgelagert, und zwar auf der oberen ebenen Oberfläche der
photopolymeren Isolatorschicht 32. Die einzelnen elektrolumineszenten Elektroden werden vorzugsweise aus
Aluminium gebildet, das im Vakuum bis zu einer Dicke von ungefähr 150 nm bei der Bildung derartiger Elektroden
abgelagert wird. Der Teil 30 erster Höhe kann dicker sein als der Teil 38 zweiter Höhe und der verbindende
Teil 40, weil während der Ablagerung des Teils zweiter Höhe und des verbindenden Teils das sich ablagernde
Metall auch die bereits abgelagerte Elektrode erster Höhe bedeckt. Dadurch wird ein guter Kontakt
zwischen den einzelnen Elektrodenteilen hergestellt.
Ein neuartiges Verfahren, das sicherstellen soll, daß die Neigung der Kante der Isolatorschicht gemäß
Fig.5, 6 sich ergibt soll nun anhand der Fig.4 beschrieben
werden. Typischerweise wird Lichtstrahlung im Uitravioiett-Bereich benutzt, um die Schicht 32 selektiv
zu polymersieren. Die Lichtstrahlung wird durch das Substrat 12 vorbei an der lichtundurchlässigen Elektrode
30 erster Höhe wie auch vorbei an den lichtundurchlässigen Dünnschicht-Schaltkreisteilen gerichtet.
Die durch das Substrat durchlaufende Strahlung läuft um die rechteckige Elektrode 30 erster Höhe herum und
photopolymerisiert die Schicht 32 mit einem Kantenprofil um die Elektrode herum, das die in F i g. 5b dargestellte
Form annähert Der Bodenteil der Schicht 32 wird vollständig polymerisiert, während die oberen Teile
der Schicht 32 oberhalb der Kante der Elektrode 30 unpolymerisiert sind, so daß dann, wenn die Schicht 32
zur Entfernung der nicht belichteten Gebiete entwickelt wird, die gebildete öffnung 46 eine kleinere Fläche am
Boden besitzt als an der oberen Oberfläche, wobei sich eine etwas geneigte Kante ergibt Die geneigte Kante
steht somit für die Direktsicht-Metallablagerung zur Verfugung, so daß eine ununterbrochene Verbindungs-
elektrode auf dieser geneigten Kante abgelagert werden kann.
Nach der Belichtung durch das Substrat 12 hindurch zur Bildung der gewünschten Form der öffnung und vor
Entwicklung der Schicht zur Bildung der öffnung wird eine zweite Belichtung in herkömmlicher Richtung, d. h„
von der oberen Oberfläche der Schicht 32 aus, durchgeführt. Eine lichtundurchlässige Photomaske wird über
den Gebieten der Elektrode erster Höhe ausgerichtet. Die Größe oder Fläche der ausgerichteten undurchlässigen
Maske oberhalb der elektrolumineszenten Elektrode erster Höhe ist größer als die Fläche der Elektrode
erster Höhe. Dies dient dazu, eine weitere Belichtung des oberen Teiis der Schicht 32 an den Kanten um die
Elektrode 30 herum zu verhindern, während gleichzeitig die Schicht 32 oberhalb des Restes der Platte stattfindet,
der durch die lichtundurchlässigen Sammelschienen und Dünnschicht-Schaltungen abgedeckt war, als die Lichtstrahlung
durch das Substrat hindurch gerichtet war. Die Schicht 32 wird dadurch an allen Gebieten wirksam
polymerisiert, mit der Ausnahme der Gebiete oberhalb der Elektrode 30.
Die mehrschichtige Elektrodenplattenstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung liefert eine deutliche Erhöhung
der beleuchteten Fläche der Phosphorschicht, und dieser Flächenanstieg erzeugt eine erhöhte Helligkeit
der Platte. Die Helligkeit der Platte wird weiter verbessert aufgrund der Tatsache, daß sich der Elektrodenteil
zweiter Höhe oberhalb der verhältnismäßig dicken Isolationsschicht
über der Dünnschicht-Schaltung befindet. Die Phosphorschicht zwischen dem Elektrodenteil
zweiter Höhe und der oberen Elektrode ist weniger dick als zwischen dem Elektrodenteil erster Höhe und die
angelegte Spannung erzeugt über der dünnen Phosphorschicht einen Phosphor-Lichtausgang größerer
Helligkeit.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
40
45
50
60
65
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zur Herstellung einer elektrolumineszenten Darstellungsplatte, bei dem nacheinander folgende Schritte ausgeführt werden:(a) aufeinanderfolgendes Ablagern von Materialschichten im Vakuum auf einem dünnen ebenen isolierendem Substrat (12) zur Bildung einer X-V-Anordnung von Darstellungselementen auf dem Substrat (12), wobei jedes Darstellungselement eine gleiche Fläche auf der Platte bildet und ein wesentlicher Teil der Fläche integrale Dünnschicht-Schaltkreiseiemente (Tl, T2, CS) mit gegenseitigen Abständen umfaßt, die auf dem isolierenden Substrat (12) angeordnet und mittels Sammelschienen (16,18,20) miteinander verknüpft sind;(b) Auflaminieren einer verhältnismäßig dicken elektrisch isolierenden polymerisierbaren Schicht (32) über der gesamten Plattenseite, auf der sich die Dünnschicht-Schaltkreiselemente befinden, wobei jedes Darstellungselement eine in einer ersten Höhe angeordnete elektrolumineszente Elektrode (30) aufweist;(c) selektives Entfernen der photopolymerisierbaren Schicht von den Bereichen, die über den elektrolumineszenten Elektroden (30) liegt; und(d) Ablagern einer elektrolumineszenten Phosphorschicht über der gesamten Plattenfläche in Kontakt mit den elektrolumineszenten Elektroden (30);
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/636,281 US4006383A (en) | 1975-11-28 | 1975-11-28 | Electroluminescent display panel with enlarged active display areas |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2653076A1 DE2653076A1 (de) | 1977-06-02 |
DE2653076C2 true DE2653076C2 (de) | 1986-02-13 |
Family
ID=24551221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2653076A Expired DE2653076C2 (de) | 1975-11-28 | 1976-11-23 | Elektrolumineszente Darstellungsplatte |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4006383A (de) |
JP (1) | JPS5267993A (de) |
CA (1) | CA1040768A (de) |
DE (1) | DE2653076C2 (de) |
FR (1) | FR2333312A1 (de) |
GB (1) | GB1567623A (de) |
NL (1) | NL186479C (de) |
Families Citing this family (93)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4042854A (en) * | 1975-11-21 | 1977-08-16 | Westinghouse Electric Corporation | Flat panel display device with integral thin film transistor control system |
US4110662A (en) * | 1976-06-14 | 1978-08-29 | Westinghouse Electric Corp. | Thin-film analog video scan and driver circuit for solid state displays |
US4237456A (en) * | 1976-07-30 | 1980-12-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Drive system for a thin-film EL display panel |
US4094582A (en) * | 1976-10-18 | 1978-06-13 | Rca Corporation | Liquid crystal matrix display device with transistors |
US4087792A (en) * | 1977-03-03 | 1978-05-02 | Westinghouse Electric Corp. | Electro-optic display system |
US4114070A (en) * | 1977-03-22 | 1978-09-12 | Westinghouse Electric Corp. | Display panel with simplified thin film interconnect system |
US4112333A (en) * | 1977-03-23 | 1978-09-05 | Westinghouse Electric Corp. | Display panel with integral memory capability for each display element and addressing system |
US4110664A (en) * | 1977-04-15 | 1978-08-29 | Westinghouse Electric Corp. | Electroluminescent bargraph with integral thin-film transistor control circuitry |
US4156833A (en) * | 1977-05-24 | 1979-05-29 | Westinghouse Electric Corp. | Information display panel and method of fabrication |
US4266223A (en) * | 1978-12-08 | 1981-05-05 | W. H. Brady Co. | Thin panel display |
US4229732A (en) * | 1978-12-11 | 1980-10-21 | International Business Machines Corporation | Micromechanical display logic and array |
US4838656A (en) * | 1980-10-06 | 1989-06-13 | Andus Corporation | Transparent electrode fabrication |
JPS5875194A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-06 | 株式会社日立製作所 | マトリクス表示装置及び駆動方法 |
US4528480A (en) * | 1981-12-28 | 1985-07-09 | Nippon Telegraph & Telephone | AC Drive type electroluminescent display device |
JPS5910988A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-20 | ホシデン株式会社 | カラ−液晶表示器 |
US6492966B1 (en) | 1982-09-17 | 2002-12-10 | Alton O. Christensen | Integrally fabricated gated pixel elements and control circuitry for flat-panel displays |
JPS59116685A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-05 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 画像表示装置 |
US4535341A (en) * | 1983-08-19 | 1985-08-13 | Westinghouse Electric Corp. | Thin film electroluminescent line array emitter and printer |
US5019807A (en) * | 1984-07-25 | 1991-05-28 | Staplevision, Inc. | Display screen |
FR2580848B1 (fr) * | 1985-04-17 | 1987-05-15 | Menn Roger | Ecran matriciel, son procede de fabrication et dispositif d'affichage matriciel a plusieurs nuances de couleurs, commande en tout ou rien, comportant cet ecran |
JPS61286866A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Nec Home Electronics Ltd | 光プリンタ |
US5326298A (en) * | 1988-07-14 | 1994-07-05 | Minolta Camera Co., Ltd. | Light emitter for giving plasma light emission |
US4982275A (en) * | 1988-07-21 | 1991-01-01 | Magnascreen Corporation | Modular flat-screen color television displays and modules and circuit drives therefor |
US4980775A (en) * | 1988-07-21 | 1990-12-25 | Magnascreen Corporation | Modular flat-screen television displays and modules and circuit drives therefor |
US4982272A (en) * | 1988-07-21 | 1991-01-01 | Magnascreen Corporation | Modular flat-screen color television displays and modules and circuit drives therefor |
US5068740A (en) * | 1988-07-21 | 1991-11-26 | Magnascreen Corporation | Modular flat-screen television displays and modules and circuit drives therefor |
US4980774A (en) * | 1988-07-21 | 1990-12-25 | Magnascreen Corporation | Modular flat-screen television displays and modules and circuit drives therefor |
US4982273A (en) * | 1988-07-21 | 1991-01-01 | Brody Thomas P | Modular flat-screen color television displays and modules and circuit drives therefor |
US5067021A (en) * | 1988-07-21 | 1991-11-19 | Brody Thomas P | Modular flat-screen television displays and modules and circuit drives therefor |
US5079636A (en) * | 1988-07-21 | 1992-01-07 | Magnascreen Corporation | Modular flat-screen television displays and modules and circuit drives therefor |
US5043631A (en) * | 1988-08-23 | 1991-08-27 | Westinghouse Electric Corp. | Thin film electroluminescent edge emitter structure on a silicon substrate |
US4951150A (en) * | 1989-03-01 | 1990-08-21 | Foresight, Inc. | Optical projection system |
JPH0829606B2 (ja) * | 1989-04-17 | 1996-03-27 | 株式会社テック | 端面発光型el素子アレイの製作方法 |
US5101137A (en) * | 1989-07-10 | 1992-03-31 | Westinghouse Electric Corp. | Integrated tfel flat panel face and edge emitter structure producing multiple light sources |
JPH0383017A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Sharp Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
WO1991004632A1 (en) * | 1989-09-12 | 1991-04-04 | Foresight, Inc. | Optical projection system with electronic sector erase system |
US5017824A (en) * | 1989-11-13 | 1991-05-21 | Westinghouse Electric Corp. | TFEL edge emitter module and packaging assembly employing sealed cavity capacity varying mechanism |
JPH0758635B2 (ja) * | 1989-11-24 | 1995-06-21 | 富士ゼロックス株式会社 | El駆動回路 |
JPH0766246B2 (ja) * | 1989-12-15 | 1995-07-19 | 富士ゼロックス株式会社 | El駆動回路 |
JP2656843B2 (ja) * | 1990-04-12 | 1997-09-24 | 双葉電子工業株式会社 | 表示装置 |
US5043632A (en) * | 1990-04-13 | 1991-08-27 | Westinghouse Electric Corp. | TFEL edge emitter structure with uniform light emission filter |
US5075595A (en) * | 1991-01-24 | 1991-12-24 | Motorola, Inc. | Field emission device with vertically integrated active control |
JP2794678B2 (ja) | 1991-08-26 | 1998-09-10 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法 |
US6713783B1 (en) | 1991-03-15 | 2004-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Compensating electro-optical device including thin film transistors |
JP2873632B2 (ja) | 1991-03-15 | 1999-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US5177406A (en) * | 1991-04-29 | 1993-01-05 | General Motors Corporation | Active matrix vacuum fluorescent display with compensation for variable phosphor efficiency |
US5252895A (en) * | 1991-05-09 | 1993-10-12 | Westinghouse Electric Corp. | TFEL edge emitter structure with light emitting face at angle greater than ninety degrees to substrate street |
US5258690A (en) * | 1991-05-23 | 1993-11-02 | Westinghouse Electric Corp. | TFEL edge emitter module with hermetically-sealed and refractive index-matched solid covering over light-emitting face |
US6759680B1 (en) | 1991-10-16 | 2004-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having thin film transistors |
US7253440B1 (en) | 1991-10-16 | 2007-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having at least first and second thin film transistors |
US7071910B1 (en) | 1991-10-16 | 2006-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical device and method of driving and manufacturing the same |
JP2784615B2 (ja) * | 1991-10-16 | 1998-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学表示装置およびその駆動方法 |
WO1993011452A1 (en) * | 1991-11-25 | 1993-06-10 | Magnascreen Corporation | Microprojection display system with fiber-optic illuminator, and method of display and illumination |
US5302966A (en) * | 1992-06-02 | 1994-04-12 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Active matrix electroluminescent display and method of operation |
WO1994020975A1 (en) * | 1993-03-11 | 1994-09-15 | Fed Corporation | Emitter tip structure and field emission device comprising same, and method of making same |
US5342477A (en) * | 1993-07-14 | 1994-08-30 | Micron Display Technology, Inc. | Low resistance electrodes useful in flat panel displays |
US5557436A (en) * | 1994-05-12 | 1996-09-17 | Magnascreen Corporation | Thin seal liquid crystal display and method of making same |
US5805117A (en) * | 1994-05-12 | 1998-09-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Large area tiled modular display system |
US5525867A (en) * | 1994-08-05 | 1996-06-11 | Hughes Aircraft Company | Electroluminescent display with integrated drive circuitry |
US5463279A (en) * | 1994-08-19 | 1995-10-31 | Planar Systems, Inc. | Active matrix electroluminescent cell design |
US6104041A (en) * | 1994-08-24 | 2000-08-15 | Sarnoff Corporation | Switching circuitry layout for an active matrix electroluminescent display pixel with each pixel provided with the transistors |
US5587329A (en) * | 1994-08-24 | 1996-12-24 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Method for fabricating a switching transistor having a capacitive network proximate a drift region |
US5684365A (en) * | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
US5550066A (en) * | 1994-12-14 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a TFT-EL pixel |
JP3401356B2 (ja) * | 1995-02-21 | 2003-04-28 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
US5694155A (en) * | 1995-04-25 | 1997-12-02 | Stapleton; Robert E. | Flat panel display with edge contacting image area and method of manufacture thereof |
US5585695A (en) * | 1995-06-02 | 1996-12-17 | Adrian Kitai | Thin film electroluminescent display module |
US5644327A (en) * | 1995-06-07 | 1997-07-01 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Tessellated electroluminescent display having a multilayer ceramic substrate |
US5999153A (en) * | 1996-03-22 | 1999-12-07 | Lind; John Thomas | Soft proofing display |
JP3555141B2 (ja) * | 1996-09-26 | 2004-08-18 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置 |
JP3392672B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2003-03-31 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
US5949188A (en) * | 1996-12-18 | 1999-09-07 | Hage Gmbh & Co. Kg | Electroluminescent display device with continuous base electrode |
US6229506B1 (en) | 1997-04-23 | 2001-05-08 | Sarnoff Corporation | Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method |
KR100209657B1 (ko) * | 1997-04-24 | 1999-07-15 | 구자홍 | 다색 전계 발광 디스플레이 어레이 패널 및 그 제조방법 |
US6175345B1 (en) * | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
JP3520396B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
KR100707779B1 (ko) * | 1997-08-21 | 2007-04-18 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액티브 매트릭스형 표시장치 |
JP3580092B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
US6897855B1 (en) * | 1998-02-17 | 2005-05-24 | Sarnoff Corporation | Tiled electronic display structure |
JP3252897B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2002-02-04 | 日本電気株式会社 | 素子駆動装置および方法、画像表示装置 |
US6873098B2 (en) * | 1998-12-22 | 2005-03-29 | Alton O. Christensen, Sr. | Electroluminescent devices and displays with integrally fabricated address and logic devices fabricated by printing or weaving |
JP3686769B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2005-08-24 | 日本電気株式会社 | 有機el素子駆動装置と駆動方法 |
US6498592B1 (en) | 1999-02-16 | 2002-12-24 | Sarnoff Corp. | Display tile structure using organic light emitting materials |
JP2000310969A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-11-07 | Canon Inc | 画像表示装置及び画像表示装置の駆動方法 |
TW548621B (en) * | 2000-12-08 | 2003-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | EL display device |
JP2002216977A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
JP2002289347A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置、その製造方法、被着マスク及びその製造方法 |
JP2003167551A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 画素回路の駆動方法、画素回路及びこれを用いたel表示装置並びに駆動制御装置 |
US7633470B2 (en) | 2003-09-29 | 2009-12-15 | Michael Gillis Kane | Driver circuit, as for an OLED display |
US7310077B2 (en) * | 2003-09-29 | 2007-12-18 | Michael Gillis Kane | Pixel circuit for an active matrix organic light-emitting diode display |
GB2416621A (en) * | 2004-07-27 | 2006-02-01 | Cambridge Display Tech Ltd | Laminated interconnects for opto-electronic device modules |
US20070108897A1 (en) * | 2005-11-15 | 2007-05-17 | Jonnalagadda Krishna D | Electroluminescent display having electric shock prevention |
CN104991091B (zh) * | 2015-07-07 | 2017-09-22 | 昆山鸿志犀自动化机电设备有限公司 | 一种缩间隙模组 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2919366A (en) * | 1957-10-23 | 1959-12-29 | Thorn Electrical Ind Ltd | Electro-luminescent devices |
US3379931A (en) * | 1964-12-01 | 1968-04-23 | Gen Telephone & Elect | Electroluminescent translator utilizing thin film transistors |
US3512041A (en) * | 1966-09-26 | 1970-05-12 | Olivetti & Co Spa | Display device comprising a matrix of selection electrodes,field effect transistors and luminescent elements |
US3860424A (en) * | 1971-12-30 | 1975-01-14 | Bell Telephone Labor Inc | Led display |
US3786307A (en) * | 1972-06-23 | 1974-01-15 | Atronics Corp | Solid state electroluminescent x-y display panels |
US3885196A (en) * | 1972-11-30 | 1975-05-20 | Us Army | Pocketable direct current electroluminescent display device addressed by MOS or MNOS circuitry |
US3862360A (en) * | 1973-04-18 | 1975-01-21 | Hughes Aircraft Co | Liquid crystal display system with integrated signal storage circuitry |
JPS5847811B2 (ja) * | 1974-06-17 | 1983-10-25 | 株式会社日立製作所 | ケイコウメンノ セイゾウホウホウ |
-
1975
- 1975-11-28 US US05/636,281 patent/US4006383A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-10-22 US US05/734,942 patent/US4149885A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-11-02 NL NLAANVRAGE7612129,A patent/NL186479C/xx active Search and Examination
- 1976-11-23 DE DE2653076A patent/DE2653076C2/de not_active Expired
- 1976-11-24 CA CA266,427A patent/CA1040768A/en not_active Expired
- 1976-11-26 FR FR7635813A patent/FR2333312A1/fr active Granted
- 1976-11-29 GB GB49652/76A patent/GB1567623A/en not_active Expired
- 1976-11-29 JP JP51142385A patent/JPS5267993A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7612129A (nl) | 1977-06-01 |
FR2333312A1 (fr) | 1977-06-24 |
JPS5267993A (en) | 1977-06-06 |
NL186479C (nl) | 1990-12-03 |
GB1567623A (en) | 1980-05-21 |
JPS5755149B2 (de) | 1982-11-22 |
CA1040768A (en) | 1978-10-17 |
FR2333312B1 (de) | 1982-05-14 |
US4006383A (en) | 1977-02-01 |
DE2653076A1 (de) | 1977-06-02 |
US4149885A (en) | 1979-04-17 |
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---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |