DE69126868T2 - Positivresistzusammensetzung - Google Patents

Positivresistzusammensetzung

Info

Publication number
DE69126868T2
DE69126868T2 DE69126868T DE69126868T DE69126868T2 DE 69126868 T2 DE69126868 T2 DE 69126868T2 DE 69126868 T DE69126868 T DE 69126868T DE 69126868 T DE69126868 T DE 69126868T DE 69126868 T2 DE69126868 T2 DE 69126868T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resist composition
positive resist
trihydroxybenzophenone
hydroxyl group
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69126868T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69126868D1 (de
Inventor
Yasunori Doi
Hirotoshi Nakanishi
Yasunori Uetani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Publication of DE69126868D1 publication Critical patent/DE69126868D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69126868T2 publication Critical patent/DE69126868T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

    Art der Erfindung
  • Die vorliegende Brindung betrifft eine Resistzusammensetzung, die einen hohen Wert besitzt.
  • Eine Zusammmensetzung, die eine Verbindung mit einer Chinondiazidgruppe und ein Alkali-lösliches Harz enthält, findet Verwendung als Positivresist, weil sich die Chinondiazidgruppe beim Belichten mit Licht einer Wellenlänge von 300 bis 500 nm zu einer Carboxylgruppe zersetzt, wodurch die ursprünglich Alkali-unlösliche Zusanunmensetzung Alkali-löslich wird. Die Positivresistzusammensetzung hat eine viel bessere Auflösung als eine Negativresistzusammensetuung und wird zur Herstellung integrierter Schaltungen, wie IC oder LSI verwendet.
  • Kürzlich ist insbesondere bei integrierten Schaltungen die Miniaturisierung mit einem Anstieg des Integierungsniveaus fortgeschritten, was zu Forderungen nach Erzeugung von Mustern von Submicrongröße und besserer Auflösung (hoher γ-Wert) führt. Allerdings hat eine Resistzusammensetzung, die eine herkömmliche Chinondiazidverbindung und ein herkömmliches Alkali-lösliches Harz umfaßt, beim Anstieg des γ-Wertes eine Grenze.
  • Zum Beispiel treten ernste Probleme, wie Verschlechterung der Empfindlichkeit und Zunahme von Rückständen nach der Entwicklung auf, wenn die Menge an Chinondiazidverbindung erhöht wird, um den γ-Wert zu verbessern. Deshalb ist die Verbesserung des γ-Wertes begrenzt.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, eine Positivresistzusammensetzung mit einem höheren γ-Wert zu liefern.
  • Die vorliegende Erfindung basiert auf dem Befund, daß die Positivresistzusammensetzung einen stark erhöhten γ-Wert besitzt, wenn ein Chinondiazidsulfonsäureester eines polyvalenten Phenols mit einer speziellen chemischen Struktur als Sensibilisator verwendet wird.
  • Demgemäß liefert die vorliegende Erfindung eine Positivresistzusammensetzung, die ein Alkali-lösliches Harz und, als Sensibilisator, einen Chinondiazidsulfonsäureester einer Phenolverbindung der Formel
  • umfaßt, worin Y&sub1;, Y&sub2;, Z&sub1;, Z&sub2;, Z&sub3;, Z&sub4;, Z&sub5;, Z&sub6; und Z&sub7; unabhängig ein Wassserstoffatom, eine Hydroxylgruppe oder ein C&sub1;-C&sub4;-Alkykest, der mit einem Halogenatom substituiert sein kann, sind, unter der Maßgabe, daß mindestens einer der Reste Y&sub1; und Y&sub2; eine Hydroxylgruppe ist und mindestens zwei der Reste Z&sub1; bis Z&sub7; Hydroxylgruppen sind.
  • Insbesondere ist die Phenolverbindung (I), in der zwei der Reste Z&sub1; bis Z&sub7; Hydroxylgruppen smd, bevorzugt, weil die Resistzusammensetzung, die den Chinondiazidsulfonsäureester eines solchen Phenols enthält, einen besonders hohen γ-Wert besitzt.
  • Zusätzlich ist die Phenolverbindung (I), in der mindestens einer der Reste Z&sub1;, Z&sub2;, Z&sub3; und Z&sub4; eine Hydroxylgrupppe ist und mindestens einer der Reste Z&sub5;, Z&sub6; und Z&sub7; eine Hydroxylgruppe ist, bevorzugt, weil die Resistzusammensetzung eine hohe Filmdickenbeibehaltung besitzt.
  • In der allgemeinen Formel (I) sind R&sub1; bis R&sub6; unabängig ein C&sub1;-C&sub1;&sub0;-Alkylrest (z.B. eine Methylgruppe, eine Ethylgruppe), ein C&sub1;-C&sub4;-Alkenylrest, ein Cycloalkylrest oder ein Arylrest oder ein Wassserstoffatom.
  • Spezielle Beispiele für die Phenolverbindung (I) sind
  • Der Chinondiazidsulfonsäureester der Phenolverbindung kann mittels eines per se herkömmlichen Verfahrens hergestellt werden. Zum Beispiel wird der Ester durch eine Kondensationsreaktion der Phenolverbindung mit Naphthochinondiazidsulfonylhalogenid oder Benzochinondiazidsulfonylhalogenid in Gegenwart einer schwachen Base, wie Natriumcarbonat, hergestellt.
  • Die Chinondiazidsulfonsäureester können allein oder in Kombination verwendet werden.
  • Zur Resistzusammensetzung der vorliegenden Erfindung kann ein Chinondiazidsulfonsäureester einer anderen polyvalenten Phenolverbindung gegeben werden. Beispiele lür die andere polyvalente Phenolverbindung sind Hydrochinon; Resorcin; Phloroglucin; 2,4-Dihydroxybenzophenon; Trihydroxybenzophenone, wie 2,3,4- Trihydroxybenzophenon, 2,2',3-Trihydroxybenzophenon, 2,2',4-Trihydroxybenzophenon, 2,2',5-Trihydroxybenzophenon, 2,3,3'-Trihydroxybenzophenon, 2,3,4'- Trihydroxybenzophenon, 2,3',4-Trihydroxybenzophenon, 2,3',5-Trihydroxybenzophenon, 2,4,4'-Trihydroxybenzophenon, 2,4',5-Trihydroxybenzophenon, 2',3,4- Trihydroxybenzophenon, 3,3',4-Trihydroxybenzophenon und 3,4,4'- Trihydroxybenzophenon; Tetrahydroxybenzophenone, wie 2,3,3',4- Tetrahydroxybenzophenon, 2,3,4,4'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',4,4'- Tetrahydroxybenoophenon, 2,2'3,4-Tetrahydroxybenoophenon, 2,2',3,4'- Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',5,'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,3',4',5- Tetrahydroxybenzophenon und 2,3',5,5'-Tetrahydroxybenzophenon; Pentahydroxybenzophenone, wie 2,2',3,4,4'-Pentahydroxybenzophenon, 2,2',3,4,5'- Pentahydroxybenzophenon, 2,2',3,3',4-Pentahydroxybenzophenon und 2,3,3',4,5'- Pentahydroxybenzophenon; Hexahydroxybenzophenone, wie 2,3,3'4,4',5'- Hexahydroxybenzophenon und 2,2',3,3',4,5'-Hexahydroxybenzophenon; Gallussäurealkylester; Oxyflavane.
  • Als Alkali-lösliches Harz wird vorzugsweise ein Novolakharz verwendet. Das Novolakharz wird durch eine Additionskondensationsreaktion eines Phenols mit Formaldehyd hergestellt. Spezielle Beispiele für das als eines der Rohmaterialen für das Novolakharz verwendete Phenol schließen Phenol, Kresol, Xylenol, Ethylphenol, Trimethylphenol, Propylphenol, Methylbutylphenol, Butylphenol, Dihydroxybenzol, Naphthole ein. Diese Phenole können allein oder in Kombination verwendet werden.
  • Das Formaldehyd, das die Additionskondensationsreaktion mit dem Phenol eingeht, kann in Form einer wäßrigen Lösung von Formaldehyd (Formalin) oder Paraformaldehyd verwendet werden. Insbesondere kann 37% Formalin, ein im Handel erhältliches Massenprodukt, geeigneterweise verwendet werden.
  • Die Additionskondensationsreaktion des Phenols mit Formaldehyd kann nach einem üblichen Verfähren durchgeführt werden. Diese Reaktion wird 2 bis 30 Stunden bei einer Temperatur von 60 bis 120ºC durchgeführt. Als Katalysatoren werden organische Säuren, anorganische Säuren oder zweiwertige Metallsalze verwendet. Spezielle Beispiele sind Oxalsäure, Salzsäure, Schwefelsäure, Perchlorsäure, p-Toluolsuffonsäure, Trichloressigsäure, Phosphorsäure, Ameisensäure, Zinkacetat, Magnesiumacetat.
  • Die Reaktion kann in Gegenwart oder Abwesenheit eines Lösungsmittels durchgeführt werden.
  • Die Menge an Chinondiazidsulfonsäureester, die zur Resistzusammensetzung gegeben werden muß, beträgt 15 bis 50 Gewichts-% bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Komponenten in der Resistzusammensetzung.
  • Die Menge an Alkali-löslichem Harz beträgt 50 bis 85 Gewichts-% bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Komponenten in der Resistzusammensetzung.
  • Der positive Photoresist wird durch Mischen und Lösen des Chinondiazidsulfonsäureesters und des Alkali-löslichen Harzes in einem Lösungsmittel hergestellt. Das verwendete Lösungsmittel verdampft vorzugsweise mit einer geeigneten Trocknungsgeschwindigkeit, um einen einheitlichen und glatten Beschichtungsfilm zu ergeben. Solch ein Lösungsmittel schließt Ethylcellosolveacetat, Methylcellosolveacetat, Ethylcellosolve, Methylcellosolve, Propylenglycolmonomethyletheracetat, Butylacetat, Methylisobutylketon, Xylol etc. ein. Die Menge des Lösungsmittels beträgt im Falle von Ethylcellosolveacetat zum Beispiel 50 bis 80 Gewichts-%.
  • Zu der Positivphotoresistzusammensetzung, die mit dem voranstehenden Verfahren erhalten wurde, können, falls gewünscht, kleine Mengen an Harzen, Farbstoffen zugegeben werden.
  • Mit der Resistzusammensetzung der vorliegenden Erfindung knnn der γ-Wert verbessert werden und die mit dem Ansteigen von Entwicklungsrückstanden verbundenen Probleme können gelöst werden.
  • Beispiele
  • Die vorliegende Erfindung wird mit den folgenden Beispielen ausführlicher erläutert. In den Beispielen sind "Teile" Gewichtsteile.
  • Synthesebeispiel 1
  • Resorcin (88 g), Wasser (241,4 g) und 36% Salzsäure (22,6 g) wurden in einen 500 ml-Vierhalskolben gegeben und auf 50 bis 55ºC erhitzt, um eine homogene Lösung zu erhalten. Zu der Lösung wurde in 60 Minuten tropfenweise Cyclohexan (19,6 g) gegeben, und das Gemisch wurde 6 Stunden bei 50 bis 55 ºC gerührt. Nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur wurde der ausgefallene Kuchen durch Filtration gewonnen und mit Wasser gewaschen (2 Liter). Der nasse Kuchen wurde in Essigsäureethylester (500 g) gelöst und mit Wasser (500 g) gewaschen, bis die wäßrige Phase neutral reagierte.
  • Nach der Abtrennung wurde der Essigsäureethylester unter vermindertem Druck von der wäßrigen Phase verdampft, und man erhielt einen Rückstand (75,2 g). Zu dem Rückstand wurde Toluol (75 g) gegeben und auf 80ºC erhitzt, um eine homogene Lösung zu erzeugen. Nach dem Abkühlen auf 25ºC wurde das Gemisch mit Eis gekühlt und eine Stunde bei einer Temperatur von nicht mehr als 5 ºC gehalten und anschließend filtriert.
  • Ein nasser Kuchen wurde mit Toluol (30 g) gewaschen. Der gewaschene Kuchen wurde zu Toluol (48 g) gegeben und auf 80ºC erhitzt und anschließend eine Stunde gerührt. Dann wurde das Gemisch auf 25ºC abgekühlt und filtriert. Ein Kuchen wurde mit Toluol (30 g) gewaschen und getrocknet und man erhielt eine weiße Kristallverbindung (27,6 g) der Formel (II):
  • Molekulargewicht: 380
  • Schmelzpunkt: 259-261 ºC
  • Referenzbeispiel 1
  • In einen 300 ml-Dreihalskolben wurden die in Synthesebeispiel 1 erhaltene Verbindung (II) (6,00 g), Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-5-suifonylchlofid (8,49 g) (das Molverhältnis von Verbindung (II) zum Sulfonylchlorid beträgt 1:2) und Dioxan (168 g) gegeben und gerührt, um vollständige Auflösung zu erreichen. Dann wurde innerhalb von 30 Minuten tropfenweise Triethylamin (4,45 g) zugegeben, während in einem Wasserbad gerührt wurde, um die Reaktionstemperatur bei 20-25ºC zu halten. Die Reaktion wurde unter Rühren weitere 4 Stunden bei 20-25ºC durchgeführt. Die Reaktionslösung wurd dann in entionisiertes Wasser gegeben, filtriert und getrocknet und man erhielt einen Sensibilisator, der als Sensibilisator A bezeichnet wird.
  • Referenzbeispiele 2 und 3
  • Auf die gleiche Weise wie in Referenzbeispiel 1 wurden Sensibilisator B oder C hergestellt, außer daß 2,2',4-Trihydroxybenzophenon oder 2,3,4-Trihydroxybenzophenon anstelle der Verbindung (II) verwendet wurden.
  • Beispiel 1 und Vergleichsbeispiele 1 und 2
  • Der Sensibilisator, der in jedem der Referenzbeispiele hergestellt worden war, und ein Novolakliarz wurden in Mengen, die in Tabelle 1 angegeben sind, in 48 Teilen Ethylcellosolveacetat gelöst, um eine Resistlösung herzustellen, die durch einen Teflon(Handelsname)-Filter von 0,2 µm Porengröße filtriert wurde. Ein Siliciumwafer, der in einer üblichen Weise gespült worden war, wurde mit Hilfe einer Spinndüse mit der Resistlösung beschichtet, um einen Resistfilm von 1,3 µm Dicke zu erzeugen. Anschließend wurde der Siliciumwafer 60 Sekunden auf einer heißen Platte, die bei 100ºC gehalten wurde, gehärtet und mit Licht der Wellenlänge 436 nm (g-Linie) belichtet, wobei die Belichtungszeit mit Hilfe eines Reduktionsprojektionsbelichtungsgerätes (DSW 4800 mit NA = 0,28, hergestellt von GCA) schrittweise verändert wurde. Danach wurde der Siliciumwafer eine Minute in einer Entwicklerlösung (SOPD, hergestellt von Sumitomo Chemical Company, Limited) entwickelt, um ein positives Muster zu erhalten.
  • Der γ-Wert wird als tan θ ausgedrückt, wobei der Winkel θ durch Auftragen des Verhältnisses der standardisierten Filmdicke (= beibehaltene Filindicke / ursprüngliche Filmdicke) gegen die Belichtungszeit und Berechnung der Steigung der aufgetragenen Geraden erhalten wird.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 aufgeführt. Tabelle 1
  • Bemerkung:
  • *) Novolakharz:
  • Ein Kresolgemisch (das Molverhältnis von m-Isomer zu p-Isomer = 7:3) wurde mit Formalin (das Molverhöltnis der Kresole zu Formalin = 1:0,8) unter Verwendung von Oxalsäure als Katalysator unter Rückfluß umgesetzt, und man erhielt ein Novolakharz mit einem mittleren Molekulargewicht, berechnet als Polystyrol, von 9800.

Claims (3)

1. Positivresistzusammensetzung, die ein Alkali-lösliches Harz und als Sensibilisator einen Chinondiazidsulfonsäureester einer Phenolverbindung der Formel
umfaßt, worin Y&sub1;, Y&sub2;, Z&sub1;, Z&sub2;, Z&sub3;, Z&sub4;, Z&sub5;, Z&sub6; und Z&sub7; unabhängig ein Wasserstoffatom, eine Hydroxylgruppe, ein C&sub1;-C&sub4;-Alkylrest, der mit einem Halogenatom substituiert sein kann, sind, unter der Maßgabe, daß mindestens einer der Reste Y&sub1; und Y&sub2; eine Hydroxylgruppe ist und mindestens zwei der Reste Z&sub1; bis Z&sub7; Hydroxylgruppen sind, und R&sub1;, R&sub2;, R&sub3;, R&sub4;, R&sub5; und R&sub6; unabängig ein Wasserstoffatom, ein C&sub1;-C&sub1;&sub0;-Alkylrest, ein C&sub1;-C&sub4;-Alkenylrest, ein Cycloalkylrest oder ein Arylrest sind.
2. Positivresistzusannnensetzung nach Anspruch 1, worin zwei der Reste Z&sub1; bis Z&sub7; Hydroxylgruppen sind.
3. Positivresistzusammensetzung nach Anspruch 1, worin mindestens einer der Reste Z&sub1;, Z&sub2;, Z&sub3; und Z&sub4; eine Hydroxylgruppe ist und mindestens einer der Reste Z&sub5;, Z&sub6; und Z&sub7; eine Hydroxylgruppe ist.
DE69126868T 1991-01-11 1991-01-11 Positivresistzusammensetzung Expired - Fee Related DE69126868T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP1991/000013 WO1992012205A1 (en) 1991-01-11 1991-01-11 Positive resist composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69126868D1 DE69126868D1 (de) 1997-08-21
DE69126868T2 true DE69126868T2 (de) 1998-01-29

Family

ID=14014208

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69126868T Expired - Fee Related DE69126868T2 (de) 1991-01-11 1991-01-11 Positivresistzusammensetzung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5283155A (de)
EP (1) EP0525185B1 (de)
KR (1) KR100209107B1 (de)
DE (1) DE69126868T2 (de)
WO (1) WO1992012205A1 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2023791A1 (en) * 1989-08-24 1991-02-25 Ayako Ida Radiation-sensitive positive resist composition
DE69519455T2 (de) 1994-08-05 2001-06-28 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Chinondiazidsulfonsäureester und diese enthaltende,positiv arbeitende Photoresistzusammensetzungen
US5580602A (en) * 1994-09-01 1996-12-03 International Business Machines Corporation Process for making a thin film magnetic head
JP3278306B2 (ja) * 1994-10-31 2002-04-30 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP3427562B2 (ja) * 1995-05-09 2003-07-22 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
US5939134A (en) * 1996-07-10 1999-08-17 International Business Machines Corporation Process for making a thin film magnetic head
US6040107A (en) * 1998-02-06 2000-03-21 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Photosensitive diazonaphthoquinone esters based on selected cyclic alkyl ether-containing phenolics and their use in radiation sensitive mixtures
JP3688469B2 (ja) * 1998-06-04 2005-08-31 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いたレジストパターンの形成方法
WO2002032891A1 (en) * 2000-10-18 2002-04-25 Ribotargets Limited Flavan compounds, their preparation and their use in therapy
KR101443863B1 (ko) 2012-10-22 2014-09-23 (주)파낙스이엠 반도체 감광액 용 레소시놀 화합물의 제조방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL78797C (de) * 1949-07-23
US3046119A (en) * 1950-08-01 1962-07-24 Azoplate Corp Light sensitive material for printing and process for making printing plates
US2767092A (en) * 1951-12-06 1956-10-16 Azoplate Corp Light sensitive material for lithographic printing
NL247588A (de) * 1959-01-21
JPS61118744A (ja) * 1984-11-15 1986-06-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物
JPH0814696B2 (ja) * 1987-09-17 1996-02-14 富士写真フイルム株式会社 感光性樹脂組成物
DE3811040A1 (de) * 1988-03-31 1989-10-19 Ciba Geigy Ag Im nahen uv hochaufloesende positiv-fotoresists
US5059507A (en) * 1988-06-13 1991-10-22 Sumitomo Chemical Company, Limited Positive resist composition containing quinone diazide sulfonic acid ester of a phenol compound and an alkali soluble resin
JPH022559A (ja) * 1988-06-13 1990-01-08 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト用組成物
JP2800186B2 (ja) * 1988-07-07 1998-09-21 住友化学工業株式会社 集積回路製作用ポジ型レジスト組成物の製造方法
JP2636348B2 (ja) * 1988-07-20 1997-07-30 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト用組成物

Also Published As

Publication number Publication date
KR100209107B1 (ko) 1999-07-15
EP0525185A4 (en) 1993-02-24
EP0525185A1 (de) 1993-02-03
DE69126868D1 (de) 1997-08-21
WO1992012205A1 (en) 1992-07-23
KR920702890A (ko) 1992-10-28
US5283155A (en) 1994-02-01
EP0525185B1 (de) 1997-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68927140T2 (de) Photolackzusammensetzung
US5407779A (en) Positive resist composition
DE69327678T2 (de) Positiv arbeitende Resistzusammensetzung
DE68928823T2 (de) Strahlungsempfindliche, positiv arbeitende Resistzusammensetzung
DE69510888T2 (de) Positiv arbeitende Fotoresist-Zusammensetzung
DE69229332T2 (de) Positiv-arbeitende Resistzusammensetzung
DE69032204T2 (de) Positiv arbeitende photoresistzusammensetzung
DE69126868T2 (de) Positivresistzusammensetzung
DE69309769T2 (de) Positivarbeitende Resistzusammensetzung
DE69226600T2 (de) Strahlungsempfindliche positiv-arbeitende Resistzusammensetzung
DE69130896T2 (de) Strahlungsempfindliche positiv arbeitende Lackzusammensetzung
DE68927315T2 (de) Schutzlack-Zusammensetzung
US5378586A (en) Resist composition comprising a quinone diazide sulfonic diester and a quinone diazide sulfonic complete ester
DE69121790T2 (de) Positivresistzusammensetzung
DE69216884T2 (de) Mehrwertige Phenolverbindung und diese umfassende Posotivresistzusammensetzung
DE69604314T2 (de) Tetraphenolverbindungen, Verfahren zur ihrer Herstellung und ihre Verwendung als Photosensibilisatoren
DE69121739T2 (de) Strahlungsempfindliche, positiv arbeitende Resistmasse
DE69308634T2 (de) Positiv arbeitende Photolackzusammensetzung
DE68927129T2 (de) Resistzusammensetzung, Phenolverbindung und Chinondiazidsulfonsäureester dieser Phenolverbindung
DE69513433T2 (de) Positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung
DE69032744T2 (de) Vollständig substituierte novalak-polymere enthaltende strahlungsempfindliche zusammensetzungen
DE69121475T2 (de) Positivresistzusammensetzung
JP2810875B2 (ja) ポジティブ型フォトレジスト組成物
EP0445680A2 (de) Positiv arbeitende Photolackzusammensetzung
US5283324A (en) Process for preparing radiation sensitive compound and positive resist composition

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee