DE69126868T2 - Positivresistzusammensetzung - Google Patents
PositivresistzusammensetzungInfo
- Publication number
- DE69126868T2 DE69126868T2 DE69126868T DE69126868T DE69126868T2 DE 69126868 T2 DE69126868 T2 DE 69126868T2 DE 69126868 T DE69126868 T DE 69126868T DE 69126868 T DE69126868 T DE 69126868T DE 69126868 T2 DE69126868 T2 DE 69126868T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- resist composition
- positive resist
- trihydroxybenzophenone
- hydroxyl group
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 25
- -1 phenol compound Chemical class 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 12
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000005840 aryl radicals Chemical class 0.000 claims 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims 1
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 4
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical class OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- FLYXGBNUYGAFAC-UHFFFAOYSA-N (2,4-dihydroxyphenyl)-(2-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1O FLYXGBNUYGAFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 2-butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1O GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical group [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 150000001896 cresols Chemical class 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N o-Hydroxyethylbenzene Natural products CCC1=CC=CC=C1O IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UYBDKTYLTZZVEB-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentahydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical class OC1=C(O)C(O)=C(O)C(O)=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 UYBDKTYLTZZVEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZVUJKLIMBKHGS-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-trihydroxyphenyl)-(2,3,5-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=C(O)C(C(=O)C=2C(=C(O)C(O)=CC=2)O)=C1 BZVUJKLIMBKHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLKJWNJPOGWYLH-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C(=C(O)C(O)=CC=2)O)=C1O SLKJWNJPOGWYLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZUVFQYWUNNWHX-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-(2,4-dihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(O)=C1O WZUVFQYWUNNWHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIKXTXDEGMWPJZ-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-(2-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)O)=C1O JIKXTXDEGMWPJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTVXSEBDMOBJHI-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-(3-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C(=C(O)C=CC=2)O)=C1 BTVXSEBDMOBJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQCSLQBRPJWOID-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-(4-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(O)=C1O WQCSLQBRPJWOID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBQZZLQKUYLGFT-UHFFFAOYSA-N (2,4-dihydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O GBQZZLQKUYLGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBKYIYGREQXQJY-UHFFFAOYSA-N (2,4-dihydroxyphenyl)-(3-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(O)=C1 NBKYIYGREQXQJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKJFKPFBSPZTAH-UHFFFAOYSA-N (2,4-dihydroxyphenyl)-(4-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1O OKJFKPFBSPZTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXIIFBJDJHDNGW-UHFFFAOYSA-N (2,5-dihydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C(C(=O)C=2C(=C(O)C(O)=CC=2)O)=C1 AXIIFBJDJHDNGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKVDGOSVDAOQCN-UHFFFAOYSA-N (2,5-dihydroxyphenyl)-(2-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)O)=C1 KKVDGOSVDAOQCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRXWMCBHRMJSBR-UHFFFAOYSA-N (2,5-dihydroxyphenyl)-(3,4-dihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C(C(=O)C=2C=C(O)C(O)=CC=2)=C1 ZRXWMCBHRMJSBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VALZJSLSNXGUMF-UHFFFAOYSA-N (2,5-dihydroxyphenyl)-(3,5-dihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C(C(=O)C=2C=C(O)C=C(O)C=2)=C1 VALZJSLSNXGUMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOONHAXNKJMGRE-UHFFFAOYSA-N (2,5-dihydroxyphenyl)-(3-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C(=CC=C(O)C=2)O)=C1 QOONHAXNKJMGRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYVHNBIJFJZZNO-UHFFFAOYSA-N (2,5-dihydroxyphenyl)-(4-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC(O)=CC=C1O ZYVHNBIJFJZZNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFNNWCSMHFTEQD-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-(2,3,4,5,6-pentahydroxyphenyl)methanone Chemical class OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=C(O)C(O)=C(O)C(O)=C1O NFNNWCSMHFTEQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJNDHHARPXNIFF-UHFFFAOYSA-N (3,4-dihydroxyphenyl)-(2-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1O UJNDHHARPXNIFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVWMZIXXIMKKOU-UHFFFAOYSA-N (3,4-dihydroxyphenyl)-(3-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C=C(O)C(O)=CC=2)=C1 WVWMZIXXIMKKOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFUDAGZTGYQJOT-UHFFFAOYSA-N (3,4-dihydroxyphenyl)-(4-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 UFUDAGZTGYQJOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPILYRLRGZENJD-UHFFFAOYSA-N (3,5-dihydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC(C(=O)C=2C(=C(O)C(O)=CC=2)O)=C1 OPILYRLRGZENJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWZREQONUGCFIT-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C(=C(O)C(O)=CC=2)O)=C1 HWZREQONUGCFIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRUGBBIQLIVCSI-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trimethylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(C)=C1C XRUGBBIQLIVCSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXDDPOHVAMWLBH-UHFFFAOYSA-N 2,4-Dihydroxybenzophenone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 ZXDDPOHVAMWLBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASLNDVUAZOHADR-UHFFFAOYSA-N 2-butyl-3-methylphenol Chemical compound CCCCC1=C(C)C=CC=C1O ASLNDVUAZOHADR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCHYEKKJCUJAKN-UHFFFAOYSA-N 2-propylphenol Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1O LCHYEKKJCUJAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004399 C1-C4 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N Phloroglucinol Natural products CCC=CCC=CCC=CCC=CCCCCC(=O)C1=C(O)C=C(O)C=C1O JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N anhydrous gallic acid Natural products OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 description 1
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical class OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001553 phloroglucinol Drugs 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N sulfuryl dichloride Chemical compound ClS(Cl)(=O)=O YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 150000003739 xylenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- 235000013904 zinc acetate Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
- Die vorliegende Brindung betrifft eine Resistzusammensetzung, die einen hohen Wert besitzt.
- Eine Zusammmensetzung, die eine Verbindung mit einer Chinondiazidgruppe und ein Alkali-lösliches Harz enthält, findet Verwendung als Positivresist, weil sich die Chinondiazidgruppe beim Belichten mit Licht einer Wellenlänge von 300 bis 500 nm zu einer Carboxylgruppe zersetzt, wodurch die ursprünglich Alkali-unlösliche Zusanunmensetzung Alkali-löslich wird. Die Positivresistzusammensetzung hat eine viel bessere Auflösung als eine Negativresistzusammensetuung und wird zur Herstellung integrierter Schaltungen, wie IC oder LSI verwendet.
- Kürzlich ist insbesondere bei integrierten Schaltungen die Miniaturisierung mit einem Anstieg des Integierungsniveaus fortgeschritten, was zu Forderungen nach Erzeugung von Mustern von Submicrongröße und besserer Auflösung (hoher γ-Wert) führt. Allerdings hat eine Resistzusammensetzung, die eine herkömmliche Chinondiazidverbindung und ein herkömmliches Alkali-lösliches Harz umfaßt, beim Anstieg des γ-Wertes eine Grenze.
- Zum Beispiel treten ernste Probleme, wie Verschlechterung der Empfindlichkeit und Zunahme von Rückständen nach der Entwicklung auf, wenn die Menge an Chinondiazidverbindung erhöht wird, um den γ-Wert zu verbessern. Deshalb ist die Verbesserung des γ-Wertes begrenzt.
- Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, eine Positivresistzusammensetzung mit einem höheren γ-Wert zu liefern.
- Die vorliegende Erfindung basiert auf dem Befund, daß die Positivresistzusammensetzung einen stark erhöhten γ-Wert besitzt, wenn ein Chinondiazidsulfonsäureester eines polyvalenten Phenols mit einer speziellen chemischen Struktur als Sensibilisator verwendet wird.
- Demgemäß liefert die vorliegende Erfindung eine Positivresistzusammensetzung, die ein Alkali-lösliches Harz und, als Sensibilisator, einen Chinondiazidsulfonsäureester einer Phenolverbindung der Formel
- umfaßt, worin Y&sub1;, Y&sub2;, Z&sub1;, Z&sub2;, Z&sub3;, Z&sub4;, Z&sub5;, Z&sub6; und Z&sub7; unabhängig ein Wassserstoffatom, eine Hydroxylgruppe oder ein C&sub1;-C&sub4;-Alkykest, der mit einem Halogenatom substituiert sein kann, sind, unter der Maßgabe, daß mindestens einer der Reste Y&sub1; und Y&sub2; eine Hydroxylgruppe ist und mindestens zwei der Reste Z&sub1; bis Z&sub7; Hydroxylgruppen sind.
- Insbesondere ist die Phenolverbindung (I), in der zwei der Reste Z&sub1; bis Z&sub7; Hydroxylgruppen smd, bevorzugt, weil die Resistzusammensetzung, die den Chinondiazidsulfonsäureester eines solchen Phenols enthält, einen besonders hohen γ-Wert besitzt.
- Zusätzlich ist die Phenolverbindung (I), in der mindestens einer der Reste Z&sub1;, Z&sub2;, Z&sub3; und Z&sub4; eine Hydroxylgrupppe ist und mindestens einer der Reste Z&sub5;, Z&sub6; und Z&sub7; eine Hydroxylgruppe ist, bevorzugt, weil die Resistzusammensetzung eine hohe Filmdickenbeibehaltung besitzt.
- In der allgemeinen Formel (I) sind R&sub1; bis R&sub6; unabängig ein C&sub1;-C&sub1;&sub0;-Alkylrest (z.B. eine Methylgruppe, eine Ethylgruppe), ein C&sub1;-C&sub4;-Alkenylrest, ein Cycloalkylrest oder ein Arylrest oder ein Wassserstoffatom.
- Spezielle Beispiele für die Phenolverbindung (I) sind
- Der Chinondiazidsulfonsäureester der Phenolverbindung kann mittels eines per se herkömmlichen Verfahrens hergestellt werden. Zum Beispiel wird der Ester durch eine Kondensationsreaktion der Phenolverbindung mit Naphthochinondiazidsulfonylhalogenid oder Benzochinondiazidsulfonylhalogenid in Gegenwart einer schwachen Base, wie Natriumcarbonat, hergestellt.
- Die Chinondiazidsulfonsäureester können allein oder in Kombination verwendet werden.
- Zur Resistzusammensetzung der vorliegenden Erfindung kann ein Chinondiazidsulfonsäureester einer anderen polyvalenten Phenolverbindung gegeben werden. Beispiele lür die andere polyvalente Phenolverbindung sind Hydrochinon; Resorcin; Phloroglucin; 2,4-Dihydroxybenzophenon; Trihydroxybenzophenone, wie 2,3,4- Trihydroxybenzophenon, 2,2',3-Trihydroxybenzophenon, 2,2',4-Trihydroxybenzophenon, 2,2',5-Trihydroxybenzophenon, 2,3,3'-Trihydroxybenzophenon, 2,3,4'- Trihydroxybenzophenon, 2,3',4-Trihydroxybenzophenon, 2,3',5-Trihydroxybenzophenon, 2,4,4'-Trihydroxybenzophenon, 2,4',5-Trihydroxybenzophenon, 2',3,4- Trihydroxybenzophenon, 3,3',4-Trihydroxybenzophenon und 3,4,4'- Trihydroxybenzophenon; Tetrahydroxybenzophenone, wie 2,3,3',4- Tetrahydroxybenzophenon, 2,3,4,4'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',4,4'- Tetrahydroxybenoophenon, 2,2'3,4-Tetrahydroxybenoophenon, 2,2',3,4'- Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',5,'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,3',4',5- Tetrahydroxybenzophenon und 2,3',5,5'-Tetrahydroxybenzophenon; Pentahydroxybenzophenone, wie 2,2',3,4,4'-Pentahydroxybenzophenon, 2,2',3,4,5'- Pentahydroxybenzophenon, 2,2',3,3',4-Pentahydroxybenzophenon und 2,3,3',4,5'- Pentahydroxybenzophenon; Hexahydroxybenzophenone, wie 2,3,3'4,4',5'- Hexahydroxybenzophenon und 2,2',3,3',4,5'-Hexahydroxybenzophenon; Gallussäurealkylester; Oxyflavane.
- Als Alkali-lösliches Harz wird vorzugsweise ein Novolakharz verwendet. Das Novolakharz wird durch eine Additionskondensationsreaktion eines Phenols mit Formaldehyd hergestellt. Spezielle Beispiele für das als eines der Rohmaterialen für das Novolakharz verwendete Phenol schließen Phenol, Kresol, Xylenol, Ethylphenol, Trimethylphenol, Propylphenol, Methylbutylphenol, Butylphenol, Dihydroxybenzol, Naphthole ein. Diese Phenole können allein oder in Kombination verwendet werden.
- Das Formaldehyd, das die Additionskondensationsreaktion mit dem Phenol eingeht, kann in Form einer wäßrigen Lösung von Formaldehyd (Formalin) oder Paraformaldehyd verwendet werden. Insbesondere kann 37% Formalin, ein im Handel erhältliches Massenprodukt, geeigneterweise verwendet werden.
- Die Additionskondensationsreaktion des Phenols mit Formaldehyd kann nach einem üblichen Verfähren durchgeführt werden. Diese Reaktion wird 2 bis 30 Stunden bei einer Temperatur von 60 bis 120ºC durchgeführt. Als Katalysatoren werden organische Säuren, anorganische Säuren oder zweiwertige Metallsalze verwendet. Spezielle Beispiele sind Oxalsäure, Salzsäure, Schwefelsäure, Perchlorsäure, p-Toluolsuffonsäure, Trichloressigsäure, Phosphorsäure, Ameisensäure, Zinkacetat, Magnesiumacetat.
- Die Reaktion kann in Gegenwart oder Abwesenheit eines Lösungsmittels durchgeführt werden.
- Die Menge an Chinondiazidsulfonsäureester, die zur Resistzusammensetzung gegeben werden muß, beträgt 15 bis 50 Gewichts-% bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Komponenten in der Resistzusammensetzung.
- Die Menge an Alkali-löslichem Harz beträgt 50 bis 85 Gewichts-% bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Komponenten in der Resistzusammensetzung.
- Der positive Photoresist wird durch Mischen und Lösen des Chinondiazidsulfonsäureesters und des Alkali-löslichen Harzes in einem Lösungsmittel hergestellt. Das verwendete Lösungsmittel verdampft vorzugsweise mit einer geeigneten Trocknungsgeschwindigkeit, um einen einheitlichen und glatten Beschichtungsfilm zu ergeben. Solch ein Lösungsmittel schließt Ethylcellosolveacetat, Methylcellosolveacetat, Ethylcellosolve, Methylcellosolve, Propylenglycolmonomethyletheracetat, Butylacetat, Methylisobutylketon, Xylol etc. ein. Die Menge des Lösungsmittels beträgt im Falle von Ethylcellosolveacetat zum Beispiel 50 bis 80 Gewichts-%.
- Zu der Positivphotoresistzusammensetzung, die mit dem voranstehenden Verfahren erhalten wurde, können, falls gewünscht, kleine Mengen an Harzen, Farbstoffen zugegeben werden.
- Mit der Resistzusammensetzung der vorliegenden Erfindung knnn der γ-Wert verbessert werden und die mit dem Ansteigen von Entwicklungsrückstanden verbundenen Probleme können gelöst werden.
- Die vorliegende Erfindung wird mit den folgenden Beispielen ausführlicher erläutert. In den Beispielen sind "Teile" Gewichtsteile.
- Resorcin (88 g), Wasser (241,4 g) und 36% Salzsäure (22,6 g) wurden in einen 500 ml-Vierhalskolben gegeben und auf 50 bis 55ºC erhitzt, um eine homogene Lösung zu erhalten. Zu der Lösung wurde in 60 Minuten tropfenweise Cyclohexan (19,6 g) gegeben, und das Gemisch wurde 6 Stunden bei 50 bis 55 ºC gerührt. Nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur wurde der ausgefallene Kuchen durch Filtration gewonnen und mit Wasser gewaschen (2 Liter). Der nasse Kuchen wurde in Essigsäureethylester (500 g) gelöst und mit Wasser (500 g) gewaschen, bis die wäßrige Phase neutral reagierte.
- Nach der Abtrennung wurde der Essigsäureethylester unter vermindertem Druck von der wäßrigen Phase verdampft, und man erhielt einen Rückstand (75,2 g). Zu dem Rückstand wurde Toluol (75 g) gegeben und auf 80ºC erhitzt, um eine homogene Lösung zu erzeugen. Nach dem Abkühlen auf 25ºC wurde das Gemisch mit Eis gekühlt und eine Stunde bei einer Temperatur von nicht mehr als 5 ºC gehalten und anschließend filtriert.
- Ein nasser Kuchen wurde mit Toluol (30 g) gewaschen. Der gewaschene Kuchen wurde zu Toluol (48 g) gegeben und auf 80ºC erhitzt und anschließend eine Stunde gerührt. Dann wurde das Gemisch auf 25ºC abgekühlt und filtriert. Ein Kuchen wurde mit Toluol (30 g) gewaschen und getrocknet und man erhielt eine weiße Kristallverbindung (27,6 g) der Formel (II):
- Molekulargewicht: 380
- Schmelzpunkt: 259-261 ºC
- In einen 300 ml-Dreihalskolben wurden die in Synthesebeispiel 1 erhaltene Verbindung (II) (6,00 g), Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-5-suifonylchlofid (8,49 g) (das Molverhältnis von Verbindung (II) zum Sulfonylchlorid beträgt 1:2) und Dioxan (168 g) gegeben und gerührt, um vollständige Auflösung zu erreichen. Dann wurde innerhalb von 30 Minuten tropfenweise Triethylamin (4,45 g) zugegeben, während in einem Wasserbad gerührt wurde, um die Reaktionstemperatur bei 20-25ºC zu halten. Die Reaktion wurde unter Rühren weitere 4 Stunden bei 20-25ºC durchgeführt. Die Reaktionslösung wurd dann in entionisiertes Wasser gegeben, filtriert und getrocknet und man erhielt einen Sensibilisator, der als Sensibilisator A bezeichnet wird.
- Auf die gleiche Weise wie in Referenzbeispiel 1 wurden Sensibilisator B oder C hergestellt, außer daß 2,2',4-Trihydroxybenzophenon oder 2,3,4-Trihydroxybenzophenon anstelle der Verbindung (II) verwendet wurden.
- Der Sensibilisator, der in jedem der Referenzbeispiele hergestellt worden war, und ein Novolakliarz wurden in Mengen, die in Tabelle 1 angegeben sind, in 48 Teilen Ethylcellosolveacetat gelöst, um eine Resistlösung herzustellen, die durch einen Teflon(Handelsname)-Filter von 0,2 µm Porengröße filtriert wurde. Ein Siliciumwafer, der in einer üblichen Weise gespült worden war, wurde mit Hilfe einer Spinndüse mit der Resistlösung beschichtet, um einen Resistfilm von 1,3 µm Dicke zu erzeugen. Anschließend wurde der Siliciumwafer 60 Sekunden auf einer heißen Platte, die bei 100ºC gehalten wurde, gehärtet und mit Licht der Wellenlänge 436 nm (g-Linie) belichtet, wobei die Belichtungszeit mit Hilfe eines Reduktionsprojektionsbelichtungsgerätes (DSW 4800 mit NA = 0,28, hergestellt von GCA) schrittweise verändert wurde. Danach wurde der Siliciumwafer eine Minute in einer Entwicklerlösung (SOPD, hergestellt von Sumitomo Chemical Company, Limited) entwickelt, um ein positives Muster zu erhalten.
- Der γ-Wert wird als tan θ ausgedrückt, wobei der Winkel θ durch Auftragen des Verhältnisses der standardisierten Filmdicke (= beibehaltene Filindicke / ursprüngliche Filmdicke) gegen die Belichtungszeit und Berechnung der Steigung der aufgetragenen Geraden erhalten wird.
- Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 aufgeführt. Tabelle 1
- Bemerkung:
- *) Novolakharz:
- Ein Kresolgemisch (das Molverhältnis von m-Isomer zu p-Isomer = 7:3) wurde mit Formalin (das Molverhöltnis der Kresole zu Formalin = 1:0,8) unter Verwendung von Oxalsäure als Katalysator unter Rückfluß umgesetzt, und man erhielt ein Novolakharz mit einem mittleren Molekulargewicht, berechnet als Polystyrol, von 9800.
Claims (3)
1. Positivresistzusammensetzung, die ein Alkali-lösliches Harz und als Sensibilisator einen
Chinondiazidsulfonsäureester einer Phenolverbindung der Formel
umfaßt, worin Y&sub1;, Y&sub2;, Z&sub1;, Z&sub2;, Z&sub3;, Z&sub4;, Z&sub5;, Z&sub6; und Z&sub7; unabhängig ein
Wasserstoffatom, eine Hydroxylgruppe, ein C&sub1;-C&sub4;-Alkylrest, der mit einem
Halogenatom substituiert sein kann, sind, unter der Maßgabe, daß mindestens einer
der Reste Y&sub1; und Y&sub2; eine Hydroxylgruppe ist und mindestens zwei der Reste Z&sub1; bis
Z&sub7; Hydroxylgruppen sind, und R&sub1;, R&sub2;, R&sub3;, R&sub4;, R&sub5; und R&sub6; unabängig ein
Wasserstoffatom, ein C&sub1;-C&sub1;&sub0;-Alkylrest, ein C&sub1;-C&sub4;-Alkenylrest, ein Cycloalkylrest
oder ein Arylrest sind.
2. Positivresistzusannnensetzung nach Anspruch 1, worin zwei der Reste Z&sub1; bis Z&sub7;
Hydroxylgruppen sind.
3. Positivresistzusammensetzung nach Anspruch 1, worin mindestens einer der Reste Z&sub1;,
Z&sub2;, Z&sub3; und Z&sub4; eine Hydroxylgruppe ist und mindestens einer der Reste Z&sub5;, Z&sub6; und
Z&sub7; eine Hydroxylgruppe ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP1991/000013 WO1992012205A1 (en) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | Positive resist composition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69126868D1 DE69126868D1 (de) | 1997-08-21 |
DE69126868T2 true DE69126868T2 (de) | 1998-01-29 |
Family
ID=14014208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69126868T Expired - Fee Related DE69126868T2 (de) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | Positivresistzusammensetzung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5283155A (de) |
EP (1) | EP0525185B1 (de) |
KR (1) | KR100209107B1 (de) |
DE (1) | DE69126868T2 (de) |
WO (1) | WO1992012205A1 (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2023791A1 (en) * | 1989-08-24 | 1991-02-25 | Ayako Ida | Radiation-sensitive positive resist composition |
DE69519455T2 (de) | 1994-08-05 | 2001-06-28 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Chinondiazidsulfonsäureester und diese enthaltende,positiv arbeitende Photoresistzusammensetzungen |
US5580602A (en) * | 1994-09-01 | 1996-12-03 | International Business Machines Corporation | Process for making a thin film magnetic head |
JP3278306B2 (ja) * | 1994-10-31 | 2002-04-30 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP3427562B2 (ja) * | 1995-05-09 | 2003-07-22 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
US5939134A (en) * | 1996-07-10 | 1999-08-17 | International Business Machines Corporation | Process for making a thin film magnetic head |
US6040107A (en) * | 1998-02-06 | 2000-03-21 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Photosensitive diazonaphthoquinone esters based on selected cyclic alkyl ether-containing phenolics and their use in radiation sensitive mixtures |
JP3688469B2 (ja) * | 1998-06-04 | 2005-08-31 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
WO2002032891A1 (en) * | 2000-10-18 | 2002-04-25 | Ribotargets Limited | Flavan compounds, their preparation and their use in therapy |
KR101443863B1 (ko) | 2012-10-22 | 2014-09-23 | (주)파낙스이엠 | 반도체 감광액 용 레소시놀 화합물의 제조방법 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL78797C (de) * | 1949-07-23 | |||
US3046119A (en) * | 1950-08-01 | 1962-07-24 | Azoplate Corp | Light sensitive material for printing and process for making printing plates |
US2767092A (en) * | 1951-12-06 | 1956-10-16 | Azoplate Corp | Light sensitive material for lithographic printing |
NL247588A (de) * | 1959-01-21 | |||
JPS61118744A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
JPH0814696B2 (ja) * | 1987-09-17 | 1996-02-14 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
DE3811040A1 (de) * | 1988-03-31 | 1989-10-19 | Ciba Geigy Ag | Im nahen uv hochaufloesende positiv-fotoresists |
US5059507A (en) * | 1988-06-13 | 1991-10-22 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Positive resist composition containing quinone diazide sulfonic acid ester of a phenol compound and an alkali soluble resin |
JPH022559A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト用組成物 |
JP2800186B2 (ja) * | 1988-07-07 | 1998-09-21 | 住友化学工業株式会社 | 集積回路製作用ポジ型レジスト組成物の製造方法 |
JP2636348B2 (ja) * | 1988-07-20 | 1997-07-30 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト用組成物 |
-
1991
- 1991-01-11 KR KR1019910700604A patent/KR100209107B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-01-11 US US07/688,514 patent/US5283155A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-11 DE DE69126868T patent/DE69126868T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-01-11 EP EP91901891A patent/EP0525185B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-11 WO PCT/JP1991/000013 patent/WO1992012205A1/ja active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100209107B1 (ko) | 1999-07-15 |
EP0525185A4 (en) | 1993-02-24 |
EP0525185A1 (de) | 1993-02-03 |
DE69126868D1 (de) | 1997-08-21 |
WO1992012205A1 (en) | 1992-07-23 |
KR920702890A (ko) | 1992-10-28 |
US5283155A (en) | 1994-02-01 |
EP0525185B1 (de) | 1997-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE68927140T2 (de) | Photolackzusammensetzung | |
US5407779A (en) | Positive resist composition | |
DE69327678T2 (de) | Positiv arbeitende Resistzusammensetzung | |
DE68928823T2 (de) | Strahlungsempfindliche, positiv arbeitende Resistzusammensetzung | |
DE69510888T2 (de) | Positiv arbeitende Fotoresist-Zusammensetzung | |
DE69229332T2 (de) | Positiv-arbeitende Resistzusammensetzung | |
DE69032204T2 (de) | Positiv arbeitende photoresistzusammensetzung | |
DE69126868T2 (de) | Positivresistzusammensetzung | |
DE69309769T2 (de) | Positivarbeitende Resistzusammensetzung | |
DE69226600T2 (de) | Strahlungsempfindliche positiv-arbeitende Resistzusammensetzung | |
DE69130896T2 (de) | Strahlungsempfindliche positiv arbeitende Lackzusammensetzung | |
DE68927315T2 (de) | Schutzlack-Zusammensetzung | |
US5378586A (en) | Resist composition comprising a quinone diazide sulfonic diester and a quinone diazide sulfonic complete ester | |
DE69121790T2 (de) | Positivresistzusammensetzung | |
DE69216884T2 (de) | Mehrwertige Phenolverbindung und diese umfassende Posotivresistzusammensetzung | |
DE69604314T2 (de) | Tetraphenolverbindungen, Verfahren zur ihrer Herstellung und ihre Verwendung als Photosensibilisatoren | |
DE69121739T2 (de) | Strahlungsempfindliche, positiv arbeitende Resistmasse | |
DE69308634T2 (de) | Positiv arbeitende Photolackzusammensetzung | |
DE68927129T2 (de) | Resistzusammensetzung, Phenolverbindung und Chinondiazidsulfonsäureester dieser Phenolverbindung | |
DE69513433T2 (de) | Positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung | |
DE69032744T2 (de) | Vollständig substituierte novalak-polymere enthaltende strahlungsempfindliche zusammensetzungen | |
DE69121475T2 (de) | Positivresistzusammensetzung | |
JP2810875B2 (ja) | ポジティブ型フォトレジスト組成物 | |
EP0445680A2 (de) | Positiv arbeitende Photolackzusammensetzung | |
US5283324A (en) | Process for preparing radiation sensitive compound and positive resist composition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |