DE69109397T2

DE69109397T2 - Methode zur herstellung einer optischen halbleitervorrichtung mit vergrabener mesa-struktur.

Info

Publication number: DE69109397T2
Application number: DE69109397T
Authority: DE
Inventors: Nirou Okazaki
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1990-02-28
Filing date: 1991-02-26
Publication date: 1995-09-07
Anticipated expiration: 2011-02-27
Also published as: EP0470258A1; EP0470258A4; EP0470258B1; JP2561163B2; WO1991013480A1; US5362674A; DE69109397D1; JPH03250684A

Description

Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer optischen Halbleitervorrichtung und insbesondere auf eine Struktur einer optischen Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen derselben, wie beispielsweise einen Halbleiterlaser, der eine Mesastruktur vorsieht, einen optischen Modulator, ein optisches Filter oder ein lichtempfindliches Element.
Als ein Beispiel einer Struktur einer optischen Halbleitervorrichtung ist tvpischerweise eine optische Halbleitervorrichtung vom eingebetteten Mesatyp bekannt.
Diese Struktur wird durch Ätzen einer vielschichtigen Struktur aus verschiedenen Halbleiterschichten, die hauptsächlich als optische Halbleitervorrichtungen funktionieren, in die mesaartige Struktur geformt, wobei anschließend beide Seiten einer solchen Struktur innerhalb einer Halbleiterschicht zum Abführen von Strom eingebettet werden.
Die optische Halbleitervorrichtung vom eingebetteten Mesatyp muß in einer konstanten hohen Qualität hergestellt werden, da sie eine sehr wichtige Rolle als Vorrichtung zur Realisierung eines optischen Kommunikationssystems oder eines optischen Computersystems spielt.

Stand der Technik

Die Fig. 1 und 2 sind Diagramme, die die Mesastruktur des Standes der Technik durch die Schnittansichten der hauptsächlichen Herstellungsvorgänge eines InP-Halbleiterlasersystems vom eingebetteten Mesatyp zeigen.
In diesen Figuren bezeichnet das Bezugszeichen 1 das InP-Substrat; 2 die aktive Schicht, die aus InGaAsP oder InGaAs besteht; 3 die InP-Überzugsschicht; 4 die InGaAsP- Kontaktschicht; und 5 die Ätzmaske, die aus Siliziumdioxid besteht.
Die mesaartige Struktur 10, die in Fig. 1 gezeigt ist, wird durch Ätzen eines Teils der Kontaktschicht 4, der überzugsschicht 3, der aktiven Schicht 2 und des Substrats 1 gebildet, wobei ein Ätzmittel verwendet wird, das aus Brommethanol besteht.
Die mesaartige Struktur 10, die in Fig. 2 gezeigt ist, wird außerdem geformt durch Ätzen einer Halbleiterschicht, die aus dem InP-Material gebildet wird, mit Chlorsäure oder Bromwasserstoff und auch durch Ätzen der Halbleiterschicht, die aus dem InGaAsP- oder InGaAs-Material gebildet ist, mit einem Ätzmittel, das aus einem Schwefelsäuresystem besteht.
In den Fig. 1 und 2 besitzt der flache Bereich des Substrates die (100)-Fläche.
In der Struktur, die in den Fig. 1 und 2 gezeigt ist, sind beide Seiten der mesaartigen Struktur 10 innerhalb der Halbleiterschicht des InP-Systems (Stromzurückweisungsschicht) eingebettet, die einen Strompfad begrenzt.
Im Falle des Standes der Technik, der in den Fig. 1 und 2 gezeigt ist, wird jedoch die Halbleiterschicht durch das metallorganische chemische Aufdampfverfahren (MOCVD- Verfahren) aufgebaut, um beide Seiten der Mesastruktur einzubetten, wobei diese Wachstumsschicht manchmal außerhalb der (111)-B-Fläche während des Aufbauprozesses freigelegt wird.
Die (111)-B-Fläche wächst bei dem MOCVD-Verfahren im Vergleich zu der (100)-Fläche, die den flachen Bereich des Substrates bildet, sehr langsam, und es besteht daher, wenn diese Fläche freiliegt, ein Problem darin, daß unregelmäßige Wachstumsbereiche oder Löcher in der wachsenden Halbleiterschicht erzeugt werden.
Fig. 3 zeigt ein Beispiel, bei welchem beide Seiten der mesaartigen Struktur 10, die in Fig. 1 gezeigt ist, in der Halbleiterschicht 6 eingebettet sind. Fig. 4 zeigt ebenfalls ein Beispiel, bei welchem beide Seiten der measaartigen Struktur 10 in der Halbleiterschicht 6 eingebettet sind, die aus InP mit hohem Widerstand besteht.
Bei dem Beispiel, bei welchem die Struktur gemäß Fig. 1 in der Halbleiterschicht 6 eingebettet ist, wird, wie in Fig. 3 gezeigt, ein unregelmäßiger Wachstumsbereich 6A erzeugt.
Außerdem sind, wie in Fig. 4 gezeigt ist, bei dem Beispiel, bei welchem die Struktur gemäß Fig. 2 in der Halbleiterschicht 6 eingebettet ist, Löcher 6B erzeugt worden.
Die Strukturen, die in den Fig. 3 und 4 dargestellt sind, zeigen die Beispiele, bei denen ein normales Wachstum aufgrund des Freiliegens der (111)-B-Fläche während des Wachsens nicht möglich ist.
Nach der Beendigung des eingebetteten Wachsens wird beispielsweise Gold als Elektrodenmaterial aufgebracht.
Gold diffundiert jedoch leicht in das Halbleitermaterial und es ist erforderlich, die TiPt-Schicht als eine Sperrschicht usw. vor der Aufbringung von Gold aufzubringen. Da es schwierig ist, die Sperrschicht in dem anormal gewachsenen, komplizierten Bereich gemäß Fig. 3 oder in dem Lochbereich gemäß Fig. 4 aufzubringen, wird daher Gold direkt in solchen Bereichen aufgebracht werden.
Der Bereich, in dem Gold direkt aufgebracht worden ist, ermöglicht die Bildung eines leitenden Pfades und folglich wird leicht ein Kriechstrom erzeugt, und es kann keine gute Leistung erhalten werden.
Ein anderes Beispiel einer optischen Halbleitervorrichtung gemäß dem Stand der Technik, die auf einer Mesastruktur basiert, ist in Elektronik Letters, Vol. 24, Nr. 24, November 1988, Seiten 1483-1484, von T. Tanbunek et. al., offenbart. Diese Vorrichtung ist gestützt auf eine nichtgeschlossene Mesa, die eine verengte aktive Schicht besitzt, die durch selektives Ätzen hergestellt wird. Die erstellung dieser Vorrichtung wird in zwei MOVPE-Wachstumsschritten ausgeführt. In dem zweiten Wachstumsschritt, werden die Schlitze, die an die aktive Schicht angrenzen, mit der Absicht verschlossen, eine im wesentlichen ebene Vorrichtung zu erhalten.
Ein ebene planare Heterostrukturlaservorrichtung ist auch im Journal of Applied Physics, Vol. 64, Nr. 7, Oktober 1988, Seiten 3684-3689, von T. Kawabata et. al., offenbart. Die Autoren untersuchen das Wachstum von InP- und InGaAsP- Schichten, die die Mesa bilden, bei der Verwendung einer Niederdruck-MOVCD-Technik.
Schließlich ist in der EP-A-0 118 671 eine Halbleiterlaservorrichtung offenbart, die sich aus vier Halbleiterschichten zusammensetzt, wobei der optische Einschließungsbereich als ein Mesastreifen ausgebildet ist. Die Schicht struktur ist in zwei separate Halbleitereingrabungsschichten eingebettet.

Aufgabe und Offenbarung der Erfindung

Es ist eine erste Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Herstellen einer optischen Halbleitervorrichtung vom eingebetteten Mesatyp vorzusehen, die eine Struktur zur Verfügung stellt, so daß das Freiliegen der (111)-B-Fläche, die ein unregelmäßiges Wachstum während des Einbettens der beiden Seiten der mesaartigen Struktur verursacht, unterdrückt werden kann.
Es ist eine zweite Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine optische Halbleitervorrichtung vom eingebetteten Mesatyp zu erhalten, die durch das obige Verfahren, das eine Unterdrückung des Freiliegens der (111)-B-Fläche während des Einbettens der beiden Seiten der mesaartigen Struktur ermöglicht, hergestellt wird.
Um die erste Aufgabe zu lösen, sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Herstellen einer optischen Halbleitervorrichtung der mesaeingebettenen Art vor, wie sie im Anspruch 1 definiert ist.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 bis 4 sind Diagramme, um den Stand der Technik bezüglich der vorliegenden Erfindung zu erläutern.
Fig. 5 ist ein Diagramm einer ersten Ausführungsform, das die Basisstruktur der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 6 bis 10 sind Diagramme, um die zweite Ausführungsform zu erläutern, die die Herstellungsprozesse der vorliegenden Erfindung zeigt.

Bevorzugte Ausführungsform der Erfindung

(Ausführungsform 1)

Fig. 5 ist ein Diagramm zum Erläutern der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Fig. 5 zeigt eine Schnittansicht der ersten Ausführungsform, bei welcher die vorliegende Erfindung auf ein InP-Halbleiterlasersystem angewandt wird.
In dieser Figur bezeichnet das Bezugszeichen 11 das InP-Substrat; 11A die erste Fläche auf dem Substrat; 11B die zweite Fläche auf dem Substrat; 12 die aktive InGaAsP- Schicht; 13 die InP-Überzugsschicht; 14 die InGaAsP- Elektrodenkontaktschicht; 16 eine einbettende Schicht, die aus InP besteht; 17 die Sperrschicht, die aus TiPt besteht; 18 die Goldelektrodenschicht; 19 die Elektrodenschicht auf der Rückseite und 20 die mesaartige Struktur.
Wie es aus der Fig. 5 offensichtlich wird, ist bei dieser Ausführungsform die erste Fläche 11A auf dem Substrat 11 vorgesehen worden, darüber hinaus ist eine vielschichtige Halbleiterschicht, die aus dem Substrat 11, der aktiven Schicht 12, der Überzugsschicht 13 und der Kontaktschicht 14 besteht, als die mesaartige Struktur 20 ausgebildet worden, und die zweite Fläche ist auf dem höheren Bereich als die erste Fläche 11A auf der mesaartigen Struktur 20 vorgesehen.
Sowohl die erste Fläche 11A als auch die zweite Fläche 11B haben die Flächenindexzahl (100).
In dem Fall, bei welchem die einbettende Schicht 16 mit dem metallorganischen chemischen Aufdampfverfahren (MOCVD-Verfahren) hergestellt worden ist, sind unregelmäßiges Wachstum oder Löcher, die bei dem Stand der Technik beobachtet worden sind, nicht erzeugt worden, wie es aus Fig. 5 ersichtlich ist. Diese Tatsache ist experimentell bestätigt worden.
Auch wenn die Einzelheiten des Mechanismus, daß kein unregelmäßiges Wachstum und keine Löcher erzeugt werden, bis jetzt noch nicht eindeutig analysiert sind, wird die Flächenindexzahl als sehr wichtig angesehen, um die ersten und zweiten Flächen zu bilden.
Bei dieser Ausführungsform sind nämlich die ersten und zweiten Flächen mit der Flächenindexzahl (100) gebildet worden, diese (100)-Fläche kann jedoch einfach durch das MOCVD-Verfahren aufgebaut werden und besitzt die Eigenschaft gegenüber derjenigen der (111)-B-Fläche.
Da diese ersten und zweiten Flächen in unterschiedlichen Höhen angeordnet sind, wird angenommen, daß zunächst ein Film von diesen zwei Arten von Flächen in der Anfangsphase des Wachstums aufgebracht wird.
Bei dem Stand der Technik wird die (100)-Fläche nur auf der ebenen Oberfläche des Substrates gebildet, und es kann angenommen werden, daß die (111)-B-Fläche einfach erscheint, da das Wachstum hauptsächlich von einer solchen Fläche wie die Wachstumsstartfläche auftritt.
Auf der anderen Seite ist bei der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die (100)-Fläche als Wachstumsstartfläche in zwei Abschnitte unterteilt, und das Wachstum tritt individuell von den jeweiligen Flächen auf. Ein derartiges Hauptwachstum wird daher als schwierig erachtet und das Erscheinen der (111)-B-Fläche wird als unterdrückt angesehen.
Wenn, wie in dem Ausführungsbeispiel gezeigt ist, die Schicht 16 wie erforderlich eingebettet ist, kann die Sperrschicht, die anschließend gebildet werden muß, gleichmäßig auf die gesamte Oberfläche der Fläche aufgetragen werden, und die Goldelektrode, die als nächstes gebildet werden muß, wird nicht direkt auf die vielschichtige Halbleiterschicht aufgetragen werden, wodurch ein Problem eines Kriechstroms, der bei dem Stand der Technik auftritt, gelöst werden kann.
Bei einer Alternative kann eine Vielzahl von ähnlichen Flächen anstelle der ersten und zweiten Flächen vorgesehen werden.
Außerdem werden diese Flächen auf dem Substrat 11 vorgesehen, das einen Teil der mesaartigen Struktur 20 bei dieser Ausführungsform bildet, jedoch ist es ebenfalls möglich, derartige Flächen auf den anderen Schichten vorzusehen, die die mesaartige Struktur 20 bilden, beispielsweise der aktiven Schicht 12, der Überzugsschicht 13 und der Elektrodenkontaktschicht 14.

(Ausführungsform 2)

Die Fig. 6 bis 10 sind Diagramme, um die zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zu erläutern. Die Elemente, die zu denen in Fig. 1 gleich sind, werden durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet.
Es wird Bezug genommen auf Fig. 6:
Bei der Verwendung des MOCVD-Verfahrens werden zum Beispiel die aktive Schicht 12, die Überzugsschicht 13 und die Elektrodenkontaktschicht 14 sequentiell auf dem n-InP- Substrat 11 aufgebaut, das die Flächenindexzahl (100) hat.
Die hauptsächlichen Beschaffenheiten für jede Wachstumsschicht sind zum Beispiel wie folgt.

1 Für das Substrat 11:

Verunreinigung: S oder Sn
Verunreinigungskonzentration: 5 x 10¹&sup8; (cm&supmin;³)

2 Für die aktive Schicht 12:

Material: undotiertes InGaAsP
Lumineszenz-Scheitelwellenlänge: 1,3 (um)
Dicke: 0,15 (um)

3 Für die Überzugsschicht 13:

Material: p-InP
Verunreinigung: Cd oder Zn
Verunreinigungskonzentration: 7 x 10¹&sup7; (cm&supmin;³)
Dicke: 1,5 (um)

4 Für die Elektrodenkontaktschicht 14:

Material: p-InGaAsP
Verunreinigung: Cd oder Zn
Verunreinigungskonzentration: 1 x 10¹&sup9; (cm&supmin;³)
Dicke: 0,3 (um)
Danach wird unter der Verwendung des chemischen Aufdampfverfahrens eine Siliziumdioxidschicht 15 in der Dicke von etwa (100) nm (1000 Å) aufgebaut.
Außerdem kann Siliziumdioxid ersetzt werden durch Siliziumnitrid oder Aluminiumoxid.
Anschließend wird die Musterung des Siliziumdioxidfilms 15 ausgeführt, indem das Abdeckverfahren, das die herkömmliche Photoätztechnik benutzt, und das reaktive Ionenätzverfahren (RIE-Verfahren), bei welchem Trichloromethan (CHF&sub3;) als das Ätzgas verwendet wird, angewandt werden.
Diese Musterung wird so ausgeführt, daß der Siliziumdioxidfilm 15 sich in die Richtung von < 011> des Substrats 11 erstreckt und in der Breite von etwa 3 bis 4 (um) abgezogen wird.
Es wird Bezug genommen auf die Fig. 7:
Die Musterung der Elektrodenkontaktschicht 14 kann unter der Verwendung des Siliziumdioxidfilms 15 ausgeführt werden, der als eine Maske verwendet wird, und indem das Naßätzverfahren eingesetzt wird, bei welchem Schwefelsäure als Ätzmittel verwendet wird.
Anschließend wird das Ätzen durch die Verwendung eines Salzsäuresystems als Ätzmittel durchgeführt, und die Überzugsschicht 13 wird selektiv geätzt, wobei die gemusterte Elektrodenkontaktschicht l4 als Maske verwendet wird.
Als nächstes wird das Ätzen mit einer Schwefelsäure als Ätzmittel ausgeführt, und die aktive Schicht 14 wird selektiv geätzt, wobei die gemusterte Überzugsschicht 13 als Maske verwendet wird.
Bei diesem Timing wird die Menge der seitlichen Ätzung der aktiven Schicht 14 durch die Einstellung der Ätzzeit gesteuert, wobei dadurch die Breite der aktiven Schicht 14 gesteuert werden kann.
Es wird Bezug genommen auf die Fig. 8:
Es wird durch das Ätzen ein abgestufter Bereich auf dem Substrat 11 gebildet, wobei als Ätzmittel HCl + HNO&sub3; + H&sub2;O&sub2; verwendet werden.
Bei diesem Vorgang wird die erste Fläche 11A auf dem Halbleitersubstrat 11 gebildet, wobei die Überzugsschicht 13 ebenfalls seitlich in der Seitenrichtung während der Zeit dieses Ätzens geätzt wird und sich die Seitenoberfläche bis zu der Oberfläche zurückzieht, die an die Elektrodenkontaktschicht 14 und die aktive Schicht 12 anschließt, und wobei die zweite Fläche 11B freigelegt wird.
Mit dem obengenannten Verfahren wird die mesaartige Struktur 20 gebildet, die aus einer vielschichtigen Struktur des Substrates 11, der aktiven Schicht 12, der Überzugsschicht 13 und der Elektrodenkontaktschicht 14 besteht.
Es wird Bezug genommen auf die Fig. 9:
Anschließend wird eine einbettende Schicht 16 durch die Anwendung des MOCVD-Verfahrens gebildet.
Die einbettende Schicht 16 wächst nicht in dem Bereich, in welchem der Siliziumdioxidfilm 15 ausgebildet ist.
Die eingebettete Schicht 16 hat zum Beispiel die folgende Beschaffenheiten.
Material: InP
Verunreinigung: Fe
Verunreinigungskonzentration: 7 x 10¹&sup6; (cm&supmin;³)
Die eingebettete Schicht 16 enthält Fe, das eine Verunreinigung wird, um einen tiefen Pegel (Tiefenakzeptor) zu bilden, und wirkt als eine Schicht mit hohem Widerstand. Daher wird die Injizierung des Stroms nur auf den Bereich der Mesastruktur begrenzt.
Die eingebettete Schicht 16 startet das Wachstum von der ersten Fläche 11A und der zweiten Fläche 11B, wobei die Möglichkeit des Auftretens der (111)-B-Fläche während des Wachstums unterdrückt wird. Demzufolge werden ein unregelmäßiges Wachstum oder Löcher niemals erzeugt werden.
Die eingebettete Schicht kann nicht nur die Schicht, die den pn-Sperrvorspannungsübergang bildet (zum Beispiel die Schichtstruktur der n-Schicht und der p-Schicht), zusätzlich zu der Schicht mit hohem Widerstand, die oben erläutert worden ist, sondern auch eine Kombination einer Schicht mit hohem Widerstand und einem pn-Sperrvorspannungsübergang sein (zum Beispiel eine Struktur, bei welcher die eingebettete Schicht durch eine Schicht mit hohem Widerstand und einer n-Schicht gebildet wird und die p- Schicht darauf geschichtet ist).
Es wird Bezug genommen auf die Fig. 10:
Anschließend, nachdem der Siliziumdioxidfilm 15 durch die Verwendung eines Ätzmittels eines HF-Systems entfernt worden ist, werden eine Sperrschicht 17 und eine Goldelektrode 18 gebildet, und auf der Rückseite des Substrats 11 wird ebenfalls eine rückseitige Oberflächenelektrodenschicht 19 gebildet, um den Halbleiterlaser zu vervollständigen.
Jede Elektrode hat zum Beispiel die folgenden Beschaffenheiten:

Für die Sperrschicht 17:

Material: geschichtetes Material aus Ti und Pt
Dicke: Ti = 100nm (1000 Å) , Pt = 300 nm (3000 Å)

Für die Goldelektrode 18:

Dicke: 3 um

Für die rückseitige Oberflächenelektrodenschicht 19:

Material: geschichtetes Material aus Au und Au/Ge- Legierung
Dicke: Au = 250 nm (2500 Å), Au/Ge = 50 nm (500 Å)
Der mesaartige eingebettete Halbleiterlaser, der durch das oben erläterte Verfahren hergestellt worden ist, ist hinsichtlich der Erzeugung von unregelmäßigem Wachstum und Löchern kontrolliert. Dadurch kann eine derartige Befürchtung wie die Erzeugung eines Kriechstroms aufgrund der Diffusion der Goldelektrode 18 in die Halbleiterschicht aufgehoben werden.
Bei der obigen Ausführungsform ist die vorliegende Erfindung auf eine Struktur einer Halbleiterschicht angewandt worden, jedoch ermöglicht die vorliegende Erfindung als eine Vielzahl von Alternativen die Anwendung auf verschiedene optische Halbleitervorrichtungen, indem die Ausgestaltung einer vielschichtigen Halbleiterschicht einer Mesastruktur modifiziert wird.
Es kann zum Beispiel ein optischer Modulator realisiert werden, indem die aktive Schicht 12 einer vielschichtigen Halbleiterschicht, die eine mesaartige Struktur bildet, mit InGaAsP hergestellt wird, das Licht von 1,3 um absorbiert, bei welchem λ 1,55 ist.
Außerdem kann auch ein optisches Filter realisiert werden, indem die aktive Schicht 12 mit einer Halbleiterschicht ausgebildet wird, die das partikuläre Licht in einer Struktur absorbiert, die ähnlich zu dem optischen Modulator ist.
Zusätzlich kann ein lichtempfindliches Element ebenfalls realisiert werden, indem die aktive Schicht 12 zum Beispiel mit der InGaAs-Lichtabsorbtionsschicht ausgebildet wird.
Die Alternativen, die oben erläutert wurden, sind lediglich Beispiele und jede Art von optischen Halbleitervorrichtungen, die eine mesaartige eingebettete Struktur einsetzt, erlaubt die Anwendung der vorliegenden Erfindung.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen einer optischen Halbleitervorrichtung vom eingebetteten Mesatyp, das die Schritte umfaßt:

Bilden einer vielschichtigen Halbleiterschichtstruktur auf einem Substrat (11), die eine aktive Schicht (12) und eine obere Schicht (13) aufweist, die auf der aktiven Schicht gebildet ist, um die optischen Halbleitervorrichtung zu bilden;

selektives Ätzen der vielschichtigen Halbleiterschichtstruktur um die Mesastruktur auf einer ersten Fläche (11A) zu formen, so daß die Mesastruktur einen ersten Abschnitt, der eine erste Breite und eine Seitenwand hat, einen zweiten Abschnitt, der auf dem ersten Abschnitt angeordnet ist und die aktive Schicht und die obere Schicht aufweist, wobei der zweite Bereich eine geebnete Seitenwand, die durch die aktive Schicht und die obere Schicht definiert ist, und eine zweite Breite hat, die kleiner als die erste Breite ist, und eine zweite Fläche (11B) besitzt, die zwischen dem ersten Abschnitt und dem zweiten Abschnitt angeordnet ist; und

Bilden einer eingebetteten Schicht (16) durch Wachstumsaufdampfen auf den ersten und zweiten Flächen (11A, 11B) und der geebneten Seitenwand der vielschichtigen Halbleiterschicht der mesaartigen Struktur.

2. Verfahren zum Herstellen einer optischen Halbleitervorrichtung vom eingebetteten Mesatyp nach Anspruch 1, bei dem die erste Fläche (11A) durch gleichzeitiges Ätzen der Substratoberfläche anläßlich des selektiven Ätzens der vielschichtigen Halbleiterschichtstruktur (12, 13) freigelegt wird.

3. Verfahren zum Herstellen einer optischen Halbleitervorrichtung vom eingebetteten Mesatyp nach Anspruch 2, bei dem die zweite Fläche (11B) von der Substratoberfläche geätzt wird, die freigelegt wird, während die vielschichtige Halbleiterschichtstruktur (12, 13) sich zurückzieht, wenn das seitliche Ätzen ausgeführt wird, nachdem die vielschichtige Halbleiterschicht selektiv geätzt worden ist.

4. Verfahren zum Herstellen einer optischen Halbleitervorrichtung vom eingebetteten Mesatyp nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die eingebettete Schicht (16) durch das metallorganische chemische Aufdampfverfahren (MOCVD- Verfahren) gebildet wird.

5. Verfahren zum Herstellen einer optischen Halbleitervorrichtung vom eingebetteten Mesatyp nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die ersten und zweiten Flächen (11A, 11B) die Oberflächenindexzahl (100) haben.

6. Verfahren zum Herstellen einer optischen Halbleitervorrichtung vom eingebetteten Mesatyp nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die eingebettete Schicht (16) eine Strombeschränkungsschicht ist, um einen Strom nur in die vielschichtige Halbleiterschichtstruktur (12, 13) der mesaartigen Struktur zu injizieren.

7. Verfahren zum Herstellen einer optischen Halbleitervorrichtung vom eingebetteten Mesatyp nach Anspruch 6, bei dem die eingebettete Schicht (16) eine Halbleiterschicht mit hohem Widerstand ist.