JP2561163B2 - メサ埋め込み型光半導体装置の製造方法 - Google Patents
メサ埋め込み型光半導体装置の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 InP系半導体レーザ或いはInP系光変調器などメサを埋
め込んだ形式の光半導体装置を製造する方法の改良に関
し、 メサの埋め込み層に異常成長や空孔が発生しないよう
に、また、活性層の幅を狭くしても充分な電極コンタク
トがとれるようにすることを目的とし、InP基板上にInG
aAsP層或いはInGaAs層をInP層で挟んだダブル・ヘテロ
構造を形成する工程と、次いで、表面から前記InP基板
の一部にまで達し且つ該表面に於ける最上段は前記InP
基板に対して垂直或いは逆メサ形状であってしかも下段
になるにつれて幅広になる複数段のメサを形成する工程
と、次いで、前記複数段のメサを有機金属気相成長法を
適用してInP層で埋め込む工程とを含んでなるよう構成
する。
め込んだ形式の光半導体装置を製造する方法の改良に関
し、 メサの埋め込み層に異常成長や空孔が発生しないよう
に、また、活性層の幅を狭くしても充分な電極コンタク
トがとれるようにすることを目的とし、InP基板上にInG
aAsP層或いはInGaAs層をInP層で挟んだダブル・ヘテロ
構造を形成する工程と、次いで、表面から前記InP基板
の一部にまで達し且つ該表面に於ける最上段は前記InP
基板に対して垂直或いは逆メサ形状であってしかも下段
になるにつれて幅広になる複数段のメサを形成する工程
と、次いで、前記複数段のメサを有機金属気相成長法を
適用してInP層で埋め込む工程とを含んでなるよう構成
する。
本発明は、InP系半導体レーザ或いはInP系光変調器な
どメサを埋め込んだ形式の光半導体装置を製造する方法
の改良に関する。
どメサを埋め込んだ形式の光半導体装置を製造する方法
の改良に関する。
半導体レーザ或いは光変調器に於いて、InP基板上にI
nP系の諸半導体層が多層に積層されたウエハを用い、表
面から活性層を含む適宜の層までをメサ状に形成し、該
メサの周囲をInP系半導体で埋め込むことが行われ、こ
のうち、特に高速応答を要求されるものに於いては、埋
め込み層を高抵抗化することが行われている。
nP系の諸半導体層が多層に積層されたウエハを用い、表
面から活性層を含む適宜の層までをメサ状に形成し、該
メサの周囲をInP系半導体で埋め込むことが行われ、こ
のうち、特に高速応答を要求されるものに於いては、埋
め込み層を高抵抗化することが行われている。
前記構成の半導体レーザ或いは光変調器は、高速の光
通信システムや光コンピュータを実現する上で重要な素
子となるので、良質のものを安定に製造できるようにし
なければならない。
通信システムや光コンピュータを実現する上で重要な素
子となるので、良質のものを安定に製造できるようにし
なければならない。
第８図は従来の技術を説明する為の工程要所に於ける
InP系半導体レーザの要部切断正面図を表している。
InP系半導体レーザの要部切断正面図を表している。
図に於いて、 １はInP基板、 ２はInGaAsP或いはInGaAsからなる活性層、 ３はInPクラッド層、 ４はInGaAsP電極コンタクト層、 ５はエッチング・マスクである二酸化シリコン膜をそ
れぞれ示している。
れぞれ示している。
このメサは、ブロム・メタノールからなる非選択性エ
ッチング液を用いて形成したものである。
ッチング液を用いて形成したものである。
第９図は従来の技術を説明する為の工程要所に於ける
InP系半導体レーザの要部切断正面図を表し、第８図に
於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ
意味を持つものとする。
InP系半導体レーザの要部切断正面図を表し、第８図に
於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ
意味を持つものとする。
このメサは、臭化水素系の非選択性エッチング液を用
いて形成したものである。
いて形成したものである。
第10図は従来の技術を説明する為の工程要所に於ける
InP系半導体レーザの要部切断正面図を表し、第８図に
於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ
意味を持つものとする。
InP系半導体レーザの要部切断正面図を表し、第８図に
於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ
意味を持つものとする。
このメサは、InPは塩酸或いは臭化水素を用いて、ま
た、InGaAsP或いはInGaAsは硫酸系の選択性エッチング
液を用いて形成したものである。
た、InGaAsP或いはInGaAsは硫酸系の選択性エッチング
液を用いて形成したものである。
第８図乃至第10図に見られる各メサは、この後、気相
成長法を適用することで生成されるInP系半導体層で埋
め込まれる。
成長法を適用することで生成されるInP系半導体層で埋
め込まれる。
第８図及び第10図に見られる従来例の場合、気相成長
法を適用することに依って、メサをInP系半導体層で埋
め込む場合、埋め込み層の成長中に（111）Ｂ面が現
れ、そこでは結晶の成長が著しく遅い為、メサ・トップ
に異常成長が発生したり、或いは、メサ・サイドに空孔
が発生するなどの問題がある。
法を適用することに依って、メサをInP系半導体層で埋
め込む場合、埋め込み層の成長中に（111）Ｂ面が現
れ、そこでは結晶の成長が著しく遅い為、メサ・トップ
に異常成長が発生したり、或いは、メサ・サイドに空孔
が発生するなどの問題がある。
第11図は第８図並びに第10図について説明されたよう
なメサをInP系半導体で埋め込んだ場合の異常成長を解
説する為の半導体結晶構成の顕微鏡写真である要部切断
正面図を表し、また、第12図は第11図を説明するための
半導体レーザの要部切断正面図を表し、第８図乃至第11
図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは
同じ意味を持つものとする。
なメサをInP系半導体で埋め込んだ場合の異常成長を解
説する為の半導体結晶構成の顕微鏡写真である要部切断
正面図を表し、また、第12図は第11図を説明するための
半導体レーザの要部切断正面図を表し、第８図乃至第11
図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは
同じ意味を持つものとする。
図に於いて、６はInP埋め込み層、6Aはメサを埋め込
む為の半導体層が異常成長した部分を表している。
む為の半導体層が異常成長した部分を表している。
第13図は同じく第８図並びに第10図について説明され
たようなメサをInP系半導体で埋め込んだ場合の空孔発
生を解説する為の半導体結晶構成の顕微鏡写真である要
部切断正面図を表し、また、第14図は第13図を説明する
ための半導体レーザの要部切断正面図を表し、第８図乃
至第10図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか
或いは同じ意味を持つものとする。
たようなメサをInP系半導体で埋め込んだ場合の空孔発
生を解説する為の半導体結晶構成の顕微鏡写真である要
部切断正面図を表し、また、第14図は第13図を説明する
ための半導体レーザの要部切断正面図を表し、第８図乃
至第10図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか
或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、6Bはメサを埋め込む為の半導体層に発生
した空孔を表している。
した空孔を表している。
前記したような異常成長部分6A、或いは、空孔6Bなど
が発生する理由は、前記したように、結晶成長中に（11
1）Ｂ面が現れ、そこでの半導体結晶成長速度が著しく
遅いことに起因している。このように、異常成長部分6
A、或いは、空孔6Bなどが発生すると、リークが発生し
て良好な半導体レーザは得られない。即ち、前記埋め込
みが終わった後は、電極となる厚さ例えば２〔μｍ〕乃
至３〔μｍ〕程度のAuをコンタクト層表面に、且つ、そ
れよりも幅広く形成するのであるが、そのAuを被着させ
る前の段階で、厚さ例えば2000〔Å〕程度のTiPtを被着
させている。これは、Auが半導体層内に入り込むことを
抑止する為であり、若し、これを行わない場合、Auが半
導体層内に入ってリークを発生することになる。ところ
が、前記したように、異常成長部分6A、或いは、空孔6B
などが発生すると、その異常成長部分6Aの近傍や空孔6B
の内部にはTiPtが被着されない部分が生じ、Auの電極を
形成した際、そこからAuが容易に侵入し、リークが発生
する原因となって、良好な性能を得ることはできない。
が発生する理由は、前記したように、結晶成長中に（11
1）Ｂ面が現れ、そこでの半導体結晶成長速度が著しく
遅いことに起因している。このように、異常成長部分6
A、或いは、空孔6Bなどが発生すると、リークが発生し
て良好な半導体レーザは得られない。即ち、前記埋め込
みが終わった後は、電極となる厚さ例えば２〔μｍ〕乃
至３〔μｍ〕程度のAuをコンタクト層表面に、且つ、そ
れよりも幅広く形成するのであるが、そのAuを被着させ
る前の段階で、厚さ例えば2000〔Å〕程度のTiPtを被着
させている。これは、Auが半導体層内に入り込むことを
抑止する為であり、若し、これを行わない場合、Auが半
導体層内に入ってリークを発生することになる。ところ
が、前記したように、異常成長部分6A、或いは、空孔6B
などが発生すると、その異常成長部分6Aの近傍や空孔6B
の内部にはTiPtが被着されない部分が生じ、Auの電極を
形成した際、そこからAuが容易に侵入し、リークが発生
する原因となって、良好な性能を得ることはできない。
また、第９図について説明されたようなメサでは、図
から明らかな通り、下方になるにつれて幅が拡がる形成
になっていることから、活性層２の幅を狭くした場合、
電極を形成する為の電極コンタクト層４の幅が著しく狭
いものとなり、半導体レーザを構成するダイオードのシ
リーズ抵抗が高くなって特性が悪化する。
から明らかな通り、下方になるにつれて幅が拡がる形成
になっていることから、活性層２の幅を狭くした場合、
電極を形成する為の電極コンタクト層４の幅が著しく狭
いものとなり、半導体レーザを構成するダイオードのシ
リーズ抵抗が高くなって特性が悪化する。
本発明は、メサの埋め込み層に異常成長や空孔などに
起因してリークなどが発生しないように、また、活性層
の幅を狭くしても充分な電極コンタクトがとれるように
しようとする。
起因してリークなどが発生しないように、また、活性層
の幅を狭くしても充分な電極コンタクトがとれるように
しようとする。
第１図は本発明を実施して形成されたメサを説明する
為の工程要所に於ける光半導体装置の要部切断正面図を
表している。
為の工程要所に於ける光半導体装置の要部切断正面図を
表している。
図に於いて、 11はInP基板、 11Aは第一段メサ部分、 12はInGaAsP活性層、 13はInPクラッド層、 14はInGaAsPコンタクト層、 15はエッチング・マスクである二酸化シリコン膜をそ
れぞれ示している。
れぞれ示している。
図から明らかな通り、この光半導体装置に於ける第一
段メサ部分11AはInP基板11の一部から、また、第二段メ
サ部分は活性層12とクラッド層13とコンタクト層14から
それぞれ構成されている。
段メサ部分11AはInP基板11の一部から、また、第二段メ
サ部分は活性層12とクラッド層13とコンタクト層14から
それぞれ構成されている。
このように、階段状メサ部分を形成してから埋め込み
を行うと、前記したような異常成長や空孔は全く発生し
ないことが実験的に確認され、そして、図からも明らか
なように、活性層12の幅に比較して電極コンタクト層の
幅が狭くなる虞も皆無である。
を行うと、前記したような異常成長や空孔は全く発生し
ないことが実験的に確認され、そして、図からも明らか
なように、活性層12の幅に比較して電極コンタクト層の
幅が狭くなる虞も皆無である。
このようなことから、本発明に依る埋め込み型光半導
体装置の製造方法に於いては、InP基板（例えばｎ型InP
基板11）上にInGaAsP層（例えばInGaAs活性層12）或い
はInGaAs層をInP層（例えばｎ型InP基板11及びｐ型InP
クラッド層13）で挟んだダブル・ヘテロ構造を形成する
工程と、次いで、表面から前記InP基板の一部にまで達
し且つ該表面に於ける最上段は前記InP基板に対して垂
直或いは逆メサ形状であってしかも下段になるにつれて
幅広になる複数段のメサを形成する工程と、次いで、前
記複数段のメサを有機金属気相成長法を適用してInP層
で埋め込む工程とを含んでいる。
体装置の製造方法に於いては、InP基板（例えばｎ型InP
基板11）上にInGaAsP層（例えばInGaAs活性層12）或い
はInGaAs層をInP層（例えばｎ型InP基板11及びｐ型InP
クラッド層13）で挟んだダブル・ヘテロ構造を形成する
工程と、次いで、表面から前記InP基板の一部にまで達
し且つ該表面に於ける最上段は前記InP基板に対して垂
直或いは逆メサ形状であってしかも下段になるにつれて
幅広になる複数段のメサを形成する工程と、次いで、前
記複数段のメサを有機金属気相成長法を適用してInP層
で埋め込む工程とを含んでいる。
前記手段を採ることに依り、InPからなる埋め込み層
に（111）Ｂ面に起因する異常成長や空孔が発生するこ
とは皆無であり、従って、電極材料が侵入してリークが
発生するなどの虞は解消され、また、活性層の幅を狭く
しても電極コンタクト層の幅は充分に採れるから、電極
の形成が困難になったり、シリーズ抵抗が高くなったり
する虞もない。
に（111）Ｂ面に起因する異常成長や空孔が発生するこ
とは皆無であり、従って、電極材料が侵入してリークが
発生するなどの虞は解消され、また、活性層の幅を狭く
しても電極コンタクト層の幅は充分に採れるから、電極
の形成が困難になったり、シリーズ抵抗が高くなったり
する虞もない。
第２図乃至第５図は本発明一実施例を説明する為の工
程要所に於ける半導体レーザの要部切断正面図を表し、
以下、これ等の図を参照しつつ詳細に解説する。尚、第
１図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或い
は同じ意味を持つものとする。
程要所に於ける半導体レーザの要部切断正面図を表し、
以下、これ等の図を参照しつつ詳細に解説する。尚、第
１図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或い
は同じ意味を持つものとする。
第２図参照 ２−（１） 有機金属気相成長（metalorganics vapor phase e
pitaxy:MOVPE）法を適用することに依って、面指数が
（100）であるｎ型InP基板11上に活性層12、クラッド層
13、電極コンタクト層14を順に成長させる。ここで、各
半導体層に関する主要なデータを例示すると次の通りで
ある。
pitaxy:MOVPE）法を適用することに依って、面指数が
（100）であるｎ型InP基板11上に活性層12、クラッド層
13、電極コンタクト層14を順に成長させる。ここで、各
半導体層に関する主要なデータを例示すると次の通りで
ある。
基板11について 不純物:S或いはSn 不純物濃度:5×1018〔cm-3〕 活性層12について 材料：ノン・ドープInGaAsP ルミネセンス・ピーク波長:1.3〔μｍ〕 厚さ:0.15〔μｍ〕 クラッド層13について 材料:p型InP 不純物:Cd或いはZn 不純物濃度:7×1017〔cm-3〕 厚さ:1.5〔μｍ〕 電極コンタクト層14について 材料:p型InGaAsP 不純物:Cd或いはZn 不純物濃度:1×1018〔cm-3〕 厚さ:0.3〔μｍ〕 ２−（２） 化学気相堆積（chemical vapour deposition:CVD）
法を適用することに依って、二酸化シリコン膜15を成長
させる。尚、この場合の膜厚は約1000〔Å〕程度で良
く、また、材料としては、二酸化シリコンの他に窒化シ
リコン膜や酸化アルミニウム膜などを用いることができ
る。
法を適用することに依って、二酸化シリコン膜15を成長
させる。尚、この場合の膜厚は約1000〔Å〕程度で良
く、また、材料としては、二酸化シリコンの他に窒化シ
リコン膜や酸化アルミニウム膜などを用いることができ
る。
２−（３） 通常のフォト・リソグラフィ技術に於けるレジスト・
プロセス及びエッチング・ガスをトリフロロメタン（CH
F3）とする反応性イオン・エッチング（reactive ion
etching:RIE）法を適用することに依り、二酸化シリ
コン膜15のパターニングを行って、基板11の〔011〕方
向に延び、且つ、幅が例えば３〜４〔μｍ〕程度である
ストライプを形成する。
プロセス及びエッチング・ガスをトリフロロメタン（CH
F3）とする反応性イオン・エッチング（reactive ion
etching:RIE）法を適用することに依り、二酸化シリ
コン膜15のパターニングを行って、基板11の〔011〕方
向に延び、且つ、幅が例えば３〜４〔μｍ〕程度である
ストライプを形成する。
第３図参照 ３−（１） エッチャントを硫酸系エッチング液とするウエット・
エッチング法を適用することに依り、ストライプ状二酸
化シリコン膜15をエッチング・マスクとして電極コンタ
クト層14のパターニングを行う。
エッチング法を適用することに依り、ストライプ状二酸
化シリコン膜15をエッチング・マスクとして電極コンタ
クト層14のパターニングを行う。
３−（２） エッチャントを塩酸系エッチング液とするウエット・
エッチング法を適用することに依り、クラッド層13のパ
ターニングを行う。
エッチング法を適用することに依り、クラッド層13のパ
ターニングを行う。
３−（３） エッチャントを硫酸系エッチング液とするウエット・
エッチング法を適用することに依り、活性層12のパター
ニングを行う。
エッチング法を適用することに依り、活性層12のパター
ニングを行う。
この場合、エッチング時間を調節することに依り、活
性層12の幅を制御することが可能である。
性層12の幅を制御することが可能である。
第４図参照 ４−（１） エッチャントをHCl＋HNO3＋H2O2とするウエット・エ
ッチング法を適用することに依り、基板11をエッチング
してメサ11Aを形成する。尚、この工程を経ることに依
り、活性層12、クラッド層13、電極コンタクト層14の形
状は、図示のように、逆メサ状になり、そして、このメ
サが第一段目のメサ、メサ11Aが第二段目のメサであっ
て、第一段目のメサに比較して第二段目のメサは幅広に
なっていることが明らかである。
ッチング法を適用することに依り、基板11をエッチング
してメサ11Aを形成する。尚、この工程を経ることに依
り、活性層12、クラッド層13、電極コンタクト層14の形
状は、図示のように、逆メサ状になり、そして、このメ
サが第一段目のメサ、メサ11Aが第二段目のメサであっ
て、第一段目のメサに比較して第二段目のメサは幅広に
なっていることが明らかである。
第５図参照 ５−（１） MOVPE法を適用することに依り、埋め込み層16を形成
する。
する。
ここで、埋め込み層16に関する主要なデータを例示す
ると次の通りである。
ると次の通りである。
材料:InP 厚さ:1.95〔μｍ〕〜２〔μｍ〕 ５−（２） この後、通常の技法を適用することに依り、ｎ側電極
やｐ側電極を形成して完成する。尚、ｐ側電極を形成す
る際には、二酸化シリコン膜15を除去しなければならな
いのは云うまでもない。
やｐ側電極を形成して完成する。尚、ｐ側電極を形成す
る際には、二酸化シリコン膜15を除去しなければならな
いのは云うまでもない。
以上のようにして作成した半導体レーザに於いては、
図からも明らかなように、メサの埋め込み層16に異常成
長が発生したり、空孔が発生することは全くなかった。
図からも明らかなように、メサの埋め込み層16に異常成
長が発生したり、空孔が発生することは全くなかった。
第６図は前記実施例に於ける第４図に対応する半導体
結晶構成の顕微鏡写真である要部切断正面図を表してい
る。
結晶構成の顕微鏡写真である要部切断正面図を表してい
る。
図に依ると、本発明を実施して、二段のメサを形成し
た状態が明瞭に認められよう。
た状態が明瞭に認められよう。
第７図は前記実施例に於ける第５図に相当する半導体
結晶構成の顕微鏡写真である要部切断正面図を表してい
る。尚、本図では、埋め込み層16が単層ではなく、複数
の層が積層されているが、これは、実験の為、InPの埋
め込み層16を複数回に分けて成長させるようにし、その
間に、極薄のInAsPマーカ層を介在させてあることに依
るものであり、実質的には第５図に示した状態と変わり
ないものである。
結晶構成の顕微鏡写真である要部切断正面図を表してい
る。尚、本図では、埋め込み層16が単層ではなく、複数
の層が積層されているが、これは、実験の為、InPの埋
め込み層16を複数回に分けて成長させるようにし、その
間に、極薄のInAsPマーカ層を介在させてあることに依
るものであり、実質的には第５図に示した状態と変わり
ないものである。
図から明らかな通り、異常成長や空孔は全く発生して
いないことが看取されよう。
いないことが看取されよう。
本発明に依る光半導体装置の製造方法に於いては、メ
サの埋め込み層に異常成長や空孔が発生しないように、
また、活性層の幅を狭くしても充分な電極コンタクトが
とれるようにすることを目的とし、InP基板上にInGaAsP
層或いはInGaAs層をInP層で挟んだダブル・ヘテロ構造
を形成する工程と、次いで、表面から前記InP基板の一
部にまで達し且つ該表面に於ける最上段は前記InP基板
に対して垂直或いは逆メサ形状であってしかも下段にな
るにつれて幅広になる複数段のメサを形成する工程と、
次いで、前記複数段のメサを有機金属気相成長を適用し
てInP層で埋め込む工程とを含んでいる。
サの埋め込み層に異常成長や空孔が発生しないように、
また、活性層の幅を狭くしても充分な電極コンタクトが
とれるようにすることを目的とし、InP基板上にInGaAsP
層或いはInGaAs層をInP層で挟んだダブル・ヘテロ構造
を形成する工程と、次いで、表面から前記InP基板の一
部にまで達し且つ該表面に於ける最上段は前記InP基板
に対して垂直或いは逆メサ形状であってしかも下段にな
るにつれて幅広になる複数段のメサを形成する工程と、
次いで、前記複数段のメサを有機金属気相成長を適用し
てInP層で埋め込む工程とを含んでいる。
前記構成、特に、メサの形状と有機金属気相成長法と
の組み合わせに依って、InPからなる埋め込み層に（11
1）Ｂ面に起因する異常成長や空孔が発生することは皆
無であり、従って電極材料が侵入してリークを発生する
などの虞は解消される。また、活性層の幅を狭くしても
電極コンタクト層の幅は充分に採れるから、電極の形成
が困難になったり、或いは、シリーズ抵抗が高くなった
りする虞もない。更にまた、InPからなる埋め込み層を
高抵抗化するにはFeをドーピングすることが好ましい
が、この場合に液相成長法を適用しようとすると温度が
800〔℃〕程度以上も必要であるから、InPが耐えられな
い状態になってしまうが、本発明では有機金属気相成長
法を適用するので、前記メサの形状と相俟って、良質の
Feドープ高抵抗InP埋め込み層を低温の雰囲気で容易に
実現することができる。
の組み合わせに依って、InPからなる埋め込み層に（11
1）Ｂ面に起因する異常成長や空孔が発生することは皆
無であり、従って電極材料が侵入してリークを発生する
などの虞は解消される。また、活性層の幅を狭くしても
電極コンタクト層の幅は充分に採れるから、電極の形成
が困難になったり、或いは、シリーズ抵抗が高くなった
りする虞もない。更にまた、InPからなる埋め込み層を
高抵抗化するにはFeをドーピングすることが好ましい
が、この場合に液相成長法を適用しようとすると温度が
800〔℃〕程度以上も必要であるから、InPが耐えられな
い状態になってしまうが、本発明では有機金属気相成長
法を適用するので、前記メサの形状と相俟って、良質の
Feドープ高抵抗InP埋め込み層を低温の雰囲気で容易に
実現することができる。
第１図は本発明を実施して形成されたメサを説明する為
の工程要所に於ける光半導体装置の要部切断正面図、第
２図乃至第５図は本発明一実施例を説明する為の工程要
所に於ける半導体レーザの要部切断正面図、第６図は前
記実施例に於ける第４図に対応する半導体結晶構成の顕
微鏡写真である要部切断正面図、第７図は前記実施例に
於ける第５図に相当する半導体結晶構成の顕微鏡写真で
ある要部切断正面図、第８図は従来の技術を説明する為
の工程要所に於けるInP系半導体レーザの要部切断正面
図、第９図は従来の技術を説明する為の工程要所に於け
るInP系半導体レーザの要部切断正面図、第10図は従来
の技術を説明する為の工程要所に於けるInP系半導体レ
ーザの要部切断正面図、第11図は第８図及び第10図につ
いて説明されたようなメサをInP系半導体で埋め込んだ
場合の異常成長を解説する為の半導体結晶構成の顕微鏡
写真である要部切断正面図、第12図は第11図を説明する
ための半導体レーザの要部切断正面図、第13図は同じく
第８図及び第10図について説明されたようなメサをInP
系半導体で埋め込んだ場合の空孔発生を解説する為の半
導体結晶構成の顕微鏡写真である要部切断正面図、第14
図は第13図を説明するための半導体レーザの要部切断正
面図をそれぞれ表している。 図に於いて、 11はInP基板、 11Aは第一段メサ部分、 12はInGaAsP活性層、 13はInPクラッド層、 14はInGaAsPコンタクト層、 15はエッチング・マスクである二酸化シリコン膜をそれ
ぞれ示している。
の工程要所に於ける光半導体装置の要部切断正面図、第
２図乃至第５図は本発明一実施例を説明する為の工程要
所に於ける半導体レーザの要部切断正面図、第６図は前
記実施例に於ける第４図に対応する半導体結晶構成の顕
微鏡写真である要部切断正面図、第７図は前記実施例に
於ける第５図に相当する半導体結晶構成の顕微鏡写真で
ある要部切断正面図、第８図は従来の技術を説明する為
の工程要所に於けるInP系半導体レーザの要部切断正面
図、第９図は従来の技術を説明する為の工程要所に於け
るInP系半導体レーザの要部切断正面図、第10図は従来
の技術を説明する為の工程要所に於けるInP系半導体レ
ーザの要部切断正面図、第11図は第８図及び第10図につ
いて説明されたようなメサをInP系半導体で埋め込んだ
場合の異常成長を解説する為の半導体結晶構成の顕微鏡
写真である要部切断正面図、第12図は第11図を説明する
ための半導体レーザの要部切断正面図、第13図は同じく
第８図及び第10図について説明されたようなメサをInP
系半導体で埋め込んだ場合の空孔発生を解説する為の半
導体結晶構成の顕微鏡写真である要部切断正面図、第14
図は第13図を説明するための半導体レーザの要部切断正
面図をそれぞれ表している。 図に於いて、 11はInP基板、 11Aは第一段メサ部分、 12はInGaAsP活性層、 13はInPクラッド層、 14はInGaAsPコンタクト層、 15はエッチング・マスクである二酸化シリコン膜をそれ
ぞれ示している。
Claims (1)
- 【請求項１】InP基板上にInGaAsP層あるいはInGaAs層を
InP層で挟んだダブル・ヘテロ構造を形成する工程と、 次いで、表面から前記InP基板の一部にまで達し且つ該
表面に於ける最上段は前記InP基板に対して垂直或いは
逆メサ形状であってしかも下段になるにつれて幅広にな
る複数段のメサを形成する工程と、 次いで、前記複数段のメサを有機金属気相成長法を適用
してInP層で埋め込む工程と を含んでなることを特徴とするメサ埋め込み型光半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045854A JP2561163B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | メサ埋め込み型光半導体装置の製造方法 |
| EP91904318A EP0470258B1 (en) | 1990-02-28 | 1991-02-26 | Method of producing a mesa embedded type optical semiconductor device |
| DE69109397T DE69109397T2 (de) | 1990-02-28 | 1991-02-26 | Methode zur herstellung einer optischen halbleitervorrichtung mit vergrabener mesa-struktur. |
| US07/721,575 US5362674A (en) | 1990-02-28 | 1991-02-26 | Method of producing a mesa embedded type optical semiconductor device including an embedded layer at its side wall |
| PCT/JP1991/000255 WO1991013480A1 (en) | 1990-02-28 | 1991-02-26 | Mesa buried type optical semiconductor device and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045854A JP2561163B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | メサ埋め込み型光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250684A JPH03250684A (ja) | 1991-11-08 |
| JP2561163B2 true JP2561163B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=12730797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2045854A Expired - Fee Related JP2561163B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | メサ埋め込み型光半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5362674A (ja) |
| EP (1) | EP0470258B1 (ja) |
| JP (1) | JP2561163B2 (ja) |
| DE (1) | DE69109397T2 (ja) |
| WO (1) | WO1991013480A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9929191B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-03-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW347597B (en) * | 1994-01-31 | 1998-12-11 | Mitsubishi Chem Corp | Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode |
| KR0146714B1 (ko) * | 1994-08-08 | 1998-11-02 | 양승택 | 평면 매립형 레이저 다이오드의 제조방법 |
| SE9700931D0 (sv) * | 1997-03-14 | 1997-03-14 | Ericsson Telefon Ab L M | Buried heterostructure laser |
| GB2407434A (en) * | 2003-10-24 | 2005-04-27 | Sharp Kk | Vcsel |
| CN111684344B (zh) * | 2018-02-09 | 2023-03-21 | 三菱电机株式会社 | 光半导体元件及其制造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5496386A (en) * | 1978-01-14 | 1979-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of buried optical semiconductor device |
| JPS59145590A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0118671A1 (en) * | 1983-01-17 | 1984-09-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
| JPS59147478A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
| JPS59227177A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS60115281A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS61256320A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Hitachi Ltd | 導波型光変調器 |
| GB8518353D0 (en) * | 1985-07-20 | 1985-08-29 | Plessey Co Plc | Heterostructure device |
| US4662998A (en) * | 1985-12-12 | 1987-05-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electrodeposition of refractory metal silicides |
| JPH01256178A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2045854A patent/JP2561163B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-26 US US07/721,575 patent/US5362674A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-26 WO PCT/JP1991/000255 patent/WO1991013480A1/ja active IP Right Grant
- 1991-02-26 EP EP91904318A patent/EP0470258B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-26 DE DE69109397T patent/DE69109397T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9929191B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-03-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0470258A1 (en) | 1992-02-12 |
| EP0470258A4 (en) | 1992-07-15 |
| EP0470258B1 (en) | 1995-05-03 |
| WO1991013480A1 (en) | 1991-09-05 |
| US5362674A (en) | 1994-11-08 |
| DE69109397T2 (de) | 1995-09-07 |
| DE69109397D1 (de) | 1995-06-08 |
| JPH03250684A (ja) | 1991-11-08 |
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