DE69005711T2 - Verfahren zur Herstellung von P-Typ-II-VI-Halbleitern. - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von P-Typ-II-VI-Halbleitern.

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Description

    Technisches Gebieteerfindung
  • Die Erfindung bezieht sich allgemein auf das p-Dotieren von optischen Materialien aus Gruppe II-VI-Kombinationen und insbesondere auf das p-Dotieren von HgCdTe mittels Molekularstrahlepitaxie.
    • Beschreibung des verwandten Standes der Technik
  • Die Fähigkeit HgCdTe mit einer p-Dotierung zu versehen, ist hinsichtlich der Herstellung von Übergangs- bzw. p-n-Übergangsstrukturen, die sich im Herzen von Infrarotdetektoren befinden, kritisch. Bisher wurde eine passende Dotierungstechnik unter Verwendung von Molekularstrahlepitaxie, die kompatibel zu den bevorzugten Herstellungsprozessen für IR- Detektoren ist, nicht gefunden.
  • Die Herrichtung von HgCdTe zur Verwendung in Detektionsbauelementen mittels Bulk- oder Expitaxialtechniken ist schwierig. Das am meisten verwendete epitaxiale Aufwachsverfahren für dieses Material ist Flüssigphasenepitaxie. Obwohl mit Flüssigphasenepitaxie Hochleistungsinfrarotdetektoren realisiert worden sind, können mit dieser Technik keine abrupten Hetero-Übergänge und Übergitter erzeugt werden, wie sie für fortgeschrittene opto-elektronische Bauelemente nötig sind. Eine Übersicht der verschiedenen Herstellungs- bzw. Aufwachstechniken ist in J.P. Faurie, et al., "Latest Developments in the Growth of Hg1-xCdxTe and CdTe-HgTe Superlattices by Molecular Beam Epitaxy", J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 1, No. 3, July/September 1983, Seiten 1593-97, beschrieben.
  • Die Molekularstrahlelpitaxie (MBE) ist für das Herstellen bzw. Aufwachsen von hochqualitativen Epi-Schichten, abrupten Heteroübergängen in alternierenden Mikrostrukturen wie z. B. Übergitterstrukturen geeignet. Diese Technik ist in J.P. Faurie, et al., "Molecular Beam Epitaxy of II-VI Compounds: Hg1-xCdxTe", J. Cryst. Growth, Vol. 54, No.3, Seiten 582- 585, 1981, beschrieben.
  • MBE ist ein Vakuumablagerungsprozeß. Mehrere Effusionszellen werden verwendet, wobei jede Zelle einen elektrisch heizbaren Tiegel umfaßt, der eine der Substanzen der aufzuwachsenden Verbindung enthält. Durch das Aufheizen erzeugen die Zellen atomare oder molekulare Materialströme aus Quecksilber, Kadmium, Tellurium oder CdTe. Die Materialströme werden auf die Oberfläche des Substrats gerichtet, wo sie miteinander reagieren und eine epitaxiale Schicht erzeugen.
  • Arsen (As) wird gewöhnlich als p-Dotierungsmittel verwendet, obwohl auch Antimon (Sb) und Phosphor (P) für diesen Zweck verwendbar sind. Es wurde jedoch bereits entdeckt, daß diese Gruppe-V-Elemente auch als n-Dotierungsmittel anstatt als p- Dotierungsmittel in HgCdTe agieren können, wenn sie mittels des MBE-Verfahrens eingelagert werden. Siehe hierzu M. Boukerche, et al., "The Doping of Mercury Cadmium Telluride Grown By Molecular Beam Epitaxy", J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 6, No. 4, July/August, 1988, Seiten 2830-33. Es wird angenommen, daß die n-Dotierung durch das Besetzen von Hg Leerstellen in den Metallgittern durch As resultiert. Es ist schwierig die Dampfdrücke von Cd und Hg so einzustellen, daß gewährleistet ist, dar alle Positionen in den Metallgittern gefüllt sind. Da Te einen höheren Haftkoeffizienten als Hg aufweist, besteht eine Tendenz zu einem Überhang von Hg-Gitterleerstellen. Die Hg-Leerstellen ermöglichen die Substitution von As-Atomen in dem Metallgitter durch Hg und verhindern deren ausschließliches Eindringen in das Te-Untergitter der Legierung. Dieser Effekt wird durch den Umstand verstärkt, daß As und Te eine Verbindung bilden, die zu der zwischen Cd und Te gleichartig ist.
  • As fehlt gegenüber Te ein Elektron und es wird daher ein p- Dotierungsmittel, wenn es in die Te-Position des Gitters eingebaut wird. As hat jedoch im Vergleich zu Gruppe-II-Materialien, wie z. B. Hg und Cd, ein Mehr von drei Elektronen und wirkt daher als ein n-Dotierungsmittel, wenn es in die Hg-Leerstellen in dem Hg-Cd-(Metall-)Gitter in der HgCdTe- Schicht eingebaut wird. Dieses Phänomen hat die praktische Verwendung von As und anderen Gruppe-V-Elementen als p-Dotierungsmittel für HgCdTe in Verbindung mit normaler MBE effektiv verhindert.
  • Ein Ansatz, um dieses Problem zu lösen, könnte das Erhöhen des Hg und/oder Cd-Dampfdruckes sein, um die Metallgitterleerstellen zu eliminieren bzw. wenigstens zu verringern. Doch stört ein Erhöhen des Dampfdrucks auf wesentlich über 10&supmin;&sup6; Atmosphären die Stöchiometrie und würde im allgemeinen über den Bereich niedrigen Dampfdrucks liegen, der für effektive MBE notwendig ist. Höhere Dampfdrücke bewirken, dar der Molekularstrahl streut und beeinträchtigt die erreichbare Steuerung über die das Substrat erreichenden Materialien.
  • Ein weiterer Ansatz ist die Vermeidung von As überhaupt und an dessen Stelle die Verwendung von Silber (Ag, Gruppe I). Siehe hierzu M.L. Roge, et al, "Controlled P-Type Impurity Doping of Hg1-xCdxTe During Growth By Molecular-Beam Epitaxy", J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 6, No. 4, July /August, 1988, Seiten 2826-29. Während diese Technik das n-Dotierungsproblem vermeidet, eliminiert es auch die speziellen Vorteile von As als Dotierungsmittel, insbesondere weil Ag in II-VI-Verbindungen schnell diffundiert.
  • Die Verwendung von photounterstützter Dotierung mit As ist ein weiterer Forschungsansatz, um das n-Dotierungsproblem zu lösen. Dies beinhaltet eine Modifizierung des normalen MBE- Systems, um die Beleuchtung des Substrats während des Aufwachsprozesses zu erlauben und ist z. B. in S. Hwang, et al., "Properties of Doped CdTe Films Grown By Photoassisted Molecuar-Beam Epitaxy", J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 6, No. 4, July/August, 1988, pages 2821-25, beschrieben. Diese Technik fügt dem System einen weiteren Komplexitätsgrad hinzu und es konnte noch nicht gezeigt werden, daß sie in dem Legierungssystem voll effektiv ist.
  • Die Situation wurde bisher anhand von HgCdTe beschrieben. Es versteht sich jedoch, dar gleichartige Überlegungen auch für HgTe und CdTe gelten. Gleichartiges Dotieren mittels Gruppe- V-Elementen tritt auch mit anderen Gruppe-II-VI-Kombinationen auf. Im allgemeinen können Zn, Cd, Hg und Mg aus Gruppe II mit S, Se und Te aus Gruppe VI kombiniert werden und sind geeignet für MBE-Herstellungstechniken, wobei die Wahl der genauen Kombination von der gewünschten Bandlücke und der Kinetik des Aufwachsens und des Einbauens des Dotierungsmittels in das Gitter abhängt.
    • Kurzfassung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung offenbart ein Verfahren zum Dotieren einer Gruppe-II-IV-Kombination mit einem Gruppe-V Dotierungsmittel durch Verwendung konventioneller MBE-Ausrüstung, um ohne Zuhilfenahme von Photo- oder Ionenzusatztechniken p- Dotierung zu erreichen. Die Herstellung gelingt unter normalen MBE-Drücken und -Temperaturen, wobei das Gruppe-V- Dotierungsmittel geordnet in die Gruppe-VI-Gitterpositionen eingebaut wird. Die effektive Dotierungsmittelablagerungsrate und damit der Grad der Dotierung kann mittels einfacher Temperaturregelung akkurat gesteuert werden.
  • Um diese Ziele zu erreichen, wird ein MBE-Materialstrahl aus einer Kombination eines Gruppe-V-Dotierungsmittels und eines Gruppe-II-Materials gebildet. Das Gruppe-V-Dotierungsmittel kann aus As, Sb und P ausgewählt werden, während das Gruppe- II-Material aus Zn, Cd, Hg und Mg ausgewählt wird. Das Substrat wird mit dem Materialstrahl während des MBE-Aufwachsens bei einem Druck von weniger als 10&supmin;&sup6; Atmosphären beaufschlagt. Der Gruppe-II-Materialfluß besetzt und bindet die normalen Metalleerstellen in dem Metallgitter (typischerweise Hg bei einer HgCdTe-Aufwachsschicht). Als Ergebnis wandert das Gruppe-V-Dotierungsmittel in das Gruppe-VI-Gitter, wo es als p-Dotierungsmittel agiert.
  • Der Gruppe-II-VI-Materialfluß wird vorzugsweise aus einer Verbindung erzeugt, in der das Gruppe-II Material überwiegt. Allgemein gesprochen weist diese Verbindung die chemische Formel X&sub3;Y&sub2; auf, wobei X das Gruppe-II-Material und Y das Gruppe-V-Material bezeichnet. Die Dotierungskonzentration kann leicht mittels Regelung der Temperatur der Verbindung, aus dem der Dotierungsmittelstrom herrührt, gesteuert werden.
  • Diese und andere Vorteile der vorliegenden Verbindung ergeben sich für den Durchschnittsfachmann anhand der nachfolgenden detaillierten Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen im Zusammenhang mit der Zeichnung.
    • Kurzbeschreibung der Zeichnung
  • FIG. 1 ist eine vereinfachte Illustration der Gitterstruktur eines mittels MBE erzeugten Gruppe-II-IV-Materials, das gemäß der vorliegenden Verbindung p-dotiert werden soll;
  • FIG. 2 ist ein schematisches Diagramm zur Illustrierung eines MBE-Apparates mit dem die Erfindung ausgeführt wird; und
  • FIG. 3 ist eine Schnittdarstellung durch einen gemäß der vorliegenden Erfindung gebildeten p-n-Übergang.
    • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Die Gitterstruktur einer epitaxial erzeugten HgCdTe-Schicht ist in FIG. 1 auf der Basis eines kubischen Gitters dargestellt, obwohl andere Modelle verwendet werden könnten, je nachdem an welcher Stelle man in das Gitter eintritt. Das Gitter besteht im wesentlichen aus zwei flächenzentrierten, ineinander geschachtelten Würfeln, die jeweils entweder Cd-, Hg- oder Te-Atome aufweisen. Das Verhältnis von Cd zu Hg wird durch die Auswahl der Materialien für den Molekularstrahl gesteuert, mittels dem die Struktur erzeugt wird, und kann variieren zwischen ausschließlich Cd und ausschließlich Hg oder verschiedenen Verhältnissen dazwischen. Der Anteil von Hg/Cd zusammen ist im wesentlichen gleich dem Anteil von Te.
  • Ein vollständiger Würfel des Gruppe-VI-Elements Te besetzt die Positionen 2, während ein Teil eines Würfels aus Cd- und/oder Hg-Atomen die Stellen 4 besetzend gezeigt ist. Verbindungen sind zwischen jeder Eckposition und den flächenzentrierten Positionen zu anderen Positionen in dem Würfel und auch zu benachbarten Würfeln hergestellt. Eine Metalleerstelle wird von der Position 4* durch einen schraffierten Kreis dargestellt; es wird im allgemeinen eine Hg-Position sein.
  • Wie vorstehend angemerkt wurde, neigen Hg-Leerstellen dazu, einige As oder andere Gruppe-V-Dotierungsmittel zu binden, wodurch diese gehindert werden, in das Te-Untergitter einzudringen und was zu einer n- anstelle einer p-Dotierung führt. Dieses Problem wird durch die vorliegende Erfindung in einer einzigartigen aber einfachen Weise unter Verwendung einer herkömmlichen MBE-Kammer, wie sie in FIG. 2 dargestellt ist, gelöst. Die Kammer 8 wird auf einem niedrigen Druck von weniger als 0,1 Pa (10&supmin;&sup6; Atmosphären) und vorzugsweise auf weniger als ungefähr 0,01 Pa (10&supmin;&sup7; Atmosphären) mittels einer Vakuumpumpe 10 gehalten. Materialstromquellen werden in einer Anzahl von unterschiedlichen Tiegeln in der Kammer bereitgestellt. Für HgCdTe werden im allgemeinen 4 Tiegel verwendet. Ein Tiegel 12 enthält CdTe, ein anderer 14 Hg und ein dritter Tiegel 16 enthält Te, während ein vierter Tiegel 18 das Dotierungsmaterial enthält. Die Tiegel werden individuell mittels elektrischem Strom von einer Stromquelle 20 erhitzt, um Dampfströme aus dem jeweiligen Material zu erzeugen. Die Materialströme 22 werden auf ein Substrat 24 gerichtet, das epitaxial auf einer Plattform 26 in herkömmlicher MBE-Art aufgewachsen wird.
  • Gemäß der Erfindung wird der Dotierungsmittelstrom aus einer Kombination eines gewünschten Gruppe-V-Dotierungsmittels und einem Gruppe-II-Material, insbesondere entweder Zn, Cd, Hg oder Mg, abgeleitet. Die freie Metallgitterposition 2* ist elektropositiver als die Gruppe-VI-Stellen 4 und bevorzugt daher die Gruppe-II-Komponente gegenüber der Gruppe-V-Komponente der Dotierungsmittelkombination. Der Gruppe-II-Anteil in dem Dotierungsmittelfluß neigt daher dazu, die freien Metallgitterplätze zu besetzen bzw. zu binden, wodurch es dem Gruppe-V-Dotierungsmittel frei bleibt, in das gewünschte Gruppe-VI-Gitter einzudringen und eine p-Dotierung zu bewerkstelligen. Um diesen Effekt zu verstärken, ist der Anteil des Gruppe-II-Materials in der Dotierungsquelle vorzugsweise größer als der Anteil des Gruppe-V-Dotierungsmaterials.
  • Die Gruppe-V-Dotierungsmittel, die gemäß der vorliegenden Verbindung verwendet werden können, sind Arsen (As), Antimon (Sb) und Phosphor (P). Es gibt auch geeignete Verbindungen mit diesen Materialien, die den für MBE nötigen niedrigen Dampfdruck aufweisen. Von den anderen Gruppe-V-Materialien wird Stickstoff normalerweise nicht zum Dotieren verwendet und Bismuth ist zu metallisch. Während die chemischen Eigenschaften von Phosphor es geeignet für die Verwendung gemäß der vorliegenden Erfindung machen, muß mit Phosphor vorsichtig hantiert werden, da es leicht entzündbar ist.
  • Jedes der Gruppe-II-Metallatome kann verwendet werden, um die Dotierungsatome in dem Dotierungsmittelfluß zu begleiten. Dies sind Zink (Zn), Kadmium (Cd), Quecksilber (Hg) und Magnesium (Mg).
  • Die Dotierungsmittelkombination wird vorzugsweise als eine Verbindung mit der chemischen Formel X&sub3;Y&sub2; bereitgestellt, wobei X das Gruppe-II-Material und Y das Gruppe-V-Material bezeichnet. Dies bedeutet ein Überwiegen des Gruppe-II-Materials und hilft zu gewährleisten, daß die meisten Gruppe-II- Leerstellen in dem Gitter besetzt werden und die Dotierungsatome nicht von den Gruppe-VI-Plätzen abziehen.
  • Für das Herstellen bzw. Aufwachsen von HgCdTe ist Cd&sub3;As&sub2; die bevorzugte Dotierungsmittelverbindung. Es existiert auch Hg&sub3;As&sub2;, Hg hat jedoch ein wesentlich niedrigeren Haftkoeffizienten als Cd und würde daher nicht so viele Gruppe-II-Gitterleerstellen besetzen. Des weiteren ist der Hg-Dampfdruck viel höher als der von Cd bei der gleichen Temperatur, was die Verwendung zusammen mit MBE schwierig macht.
  • Einer der wesentlichen Vorteile des Bereitstellens des Gruppe-V-Dotierungsmittels in Verbindungsform zusammen mit einem Gruppe-II-Material im Vergleich zum Bereitstellen als Reinstoff besteht in einer verbesserten Möglichkeit, die Dampfdrücke und damit Dotierungskonzentrationen zu steuern. Mit Dotierungsmitteln in Elementform, erzeugen geringe Änderungen der Temperatur sehr große Änderungen im Dampfdruck, während die Abhängigkeit des Dampfdrucks von der Temperatur für die Gruppe-II-V-Verbindungen wesentlich kleiner ist. Daher kann der Dampfdruck des Dotierungsmittels für die II-V- Verbindungen wesentlich genauer geregelt werden als für elementare Dotierungsmittel.
  • Verschiedene andere Kadmium-Arsen-Dotierungsmittelverbindungen sind verwendbar wie z. B. CdAs und CdAs&sub2;. Diese Verbindungen könnten zwar in der vorliegenden Erfindung bis zu einem gewissen Grad eingesetzt werden, der höhere Anteil des Gruppe-II-Materials in Cd&sub3;As&sub2; wird jedoch wegen seiner Tendenz, mehr Gruppe-II-Gitterleerstellen zu besetzen, bevorzugt. Weitere Beispiele für mögliche Dotierungsmittelverbindungen (nicht vollständig) sind: Cd&sub3;Sb&sub2; und Cd&sub4;Sb&sub3; (vorzugsweise Cd&sub3;Sb&sub2;), Cd&sub3;P&sub2;, Cd&sub6;P&sub7; und CdP&sub2; (vorzugsweise Cd&sub3;P&sub2;), Cd&sub3;As&sub2;, Zn&sub3;P&sub2;, Zn&sub3;Sb&sub2;, Mg&sub3;As&sub2;, Mg&sub3;P&sub2;, Mg&sub3;Sb&sub2;, etc.
  • Die Dotierungsmittelverbindungen werden im allgemeinen auf etliche hundert Grad unter ihrem Schmelzpunkt erhitzt. Um den Dotierungsmitteldruck leicht steuerbar zu machen, sollten die Verbindungsschmelzpunkte größer als ungefähr 400º - 500ºC sein. Cd&sub3;As&sub2; wird im allgemeinen auf eine Temperatur zwischen 150º und 250ºC erhitzt, wobei das obere Ende des Bereichs für einen größeren Dotierungsmitteldampfdruck und eine korrespondierende größere Dotierungsmittelkonzentration gewählt wird. Die Betriebstemperaturbereiche für die meisten Sb- und P-Dotierungsmittelverbindungen wären vergleichbar.
  • Es gibt einen interessanten Kontrast zur n-Dotierung mittels MBE auf diesem Gebiet. N-Dotierung wird normalerweise mit Indium bewerkstelligt, dessen Dampfdruck im Vergleich zu dem Dampfdruck von elementaren p-Dotierungsmitteln sehr viel leichter mittels Temperatureinstellung geregelt werden kann. Der aus der Verwendung von II-V-Verbindungen anstelle von elementaren Dotierungsmitteln abgeleitete einzigartige Vorteil der Kontrollierbarkeit des Dampfdrucks bei der vorliegenden Erfindung ist einzigartig für p-Dotierungsmittel.
  • Es wird angenommen, dar ein weiterer Vorteil in der Verwendung einer Gruppe-II-V-Dotierungsmittelquelle in der Natur der Gruppe-V-Partikel liegt, die das Substrat erreichen. Die in dem Partikelstrom auf dem Substrat in dem Strahl mit niedrigem Druck vorhandenen Gruppe-V-Teilchen können im atomaren Zustand sein. Falls dem so ist, wird angenommen, dar das Zuführen der Gruppe-V-Partikel zu den Gruppe-VI-Gitterpositionen verbessert wird, wodurch die p-Typ-Charakteristik der aufgetragenen Schicht verbessert wird.
  • Die Erfindung ist im allgemeinen für das Aufwachsen und Dotieren von Gruppe-II- und Gruppe-VI-Materialien mit beliebiger Mischung aus einem oder zwei der genannten Gruppe-II-Materialien mit einem Gruppe-VI-Material, das aus Schwefel (S), Selen (Se) oder Tellur (Te) ausgewählt wird, geeignet. S hat eine große Bandlücke und wird nicht oft verwendet, kann jedoch verwendet werden, die Bandlücke des gesamten II- VI-Materials einzustellen.
  • Mit der beschriebenen Erfindung kann der Dotierungsgrad erfolgreich in der Größenordnung von 10¹&sup5;cm&supmin;³ gesteuert werden. Dieser Bereich ist besonders interessant für die Herstellung von HgCdTe verwendenden p-n-Übergangsbauelementen, für Infrarotdetektoren und Kommunikationsbauteilen. Da das Aufwachsen von Schichten mittels MBE einen hohen Grad von Anpassungsfähigkeit hinsichtlich der Steuerung der Zusammensetzung, der Dotierung und der Oberflächenmorphologie ermöglicht, ist die vorliegende Erfindung insbesondere für die MBE-Technologie wichtig, da es die Verwendung dieser Technik ermöglicht, um die Anforderungen bei Infrarotnachtsichtgeräten und Kommunikationssystemen zu erfüllen.
  • Eine einfache p-n-Übergangsstruktur, die mit der vorliegenden Erfindung hergestellt werden kann, ist in FIG. 3 dargestellt. Eine erste Schicht 28 eines Gruppe-II-VI-Materials wird als erstes mittels eines MBE-Prozesses aufgewachsen und dotiert. Falls sie p-dotiert wird, wird die Technik gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet; herkömmliche n-Typ- MBE-Dotierungstechniken können verwendet werden, falls sie n-dotiert wird. Beispielsweise würde eine HgCdTe Schicht typischerweise mit einem Cd&sub3;As&sub2;-Strom dotiert, falls p-Dotierung gewünscht ist oder direkt mit Indium, falls n-Dotierung gewünscht wird. Nach dem Vervollständigen der ersten Schicht 28 wird auf den anderen Dotierungstyp gewechselt und der MBE-Prozeß wird mit dem Dotierungsmittel fortgesetzt, das auf eine geeignete Temperatur für die gewünschte Dotierungsmittelkonzentration erhitzt ist. Dadurch wird eine zweite Schicht 30 erzeugt, die zu der Schicht 28 entgegengesetzt dotiert ist und an die Schicht 28 entlang eines Übergangs 32 angrenzt. Diese grundlegende Übergangsstruktur kann als Bauelement für eine Vielzahl von Bauteilen in IR-Detektoren und im Bereich Kommunikation verwendet werden.
  • Die MBE-Technik ist insbesondere attraktiv, weil Schichten bei 180ºC und tiefer erzeugt werden können. Da die Mobilität von Hg-Atomen in dem Gitter bei Temperaturen über 200ºC stark zunimmt, ist das Aufwachsen bei niedrigen Temperaturen mittels MBE insbesondere geeignet, kontrolliert stöchiometrische Legierungsschichten mit scharfen Schnittstellen, die kritisch hinsichtlich der Steuerung der Übergänge in p-n- Übergangsbauelementen sind, zu erzeugen. Diese Steuerung ist auch wichtig für das Erzeugen von Übergittern, weil es dazu neigt, die Schärfe der Schnittstellen zwischen aufeinanderfolgenden Schichten zu intensivieren, indem Interdiffusion von Komponentenatomen in dem Gitter an diesen Schnittstellen minimiert wird.

Claims (7)

1. Verfahren zum p-dotieren eines Substrats, das aus einer Kombination von wenigstens einem Gruppe-II-Material, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Zn, Cd, Hg und Mg, und einem Gruppe-VI-Material, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus S, Se und Te, geformt ist, mit:
Bilden eines Materialstromes aus einer Kombination von Gruppe-II- und Gruppe-V-Materialien, wobei das Gruppe-II-Material aus der Gruppe bestehend aus Zn, Cd, Hg und Mg und das Gruppe-V-Material aus der Gruppe bestehend aus As, Sb und P ausgewählt wird, und
Beaufschlagen des Substrats mit diesem Materialstrom bei einem Druck von weniger als ungefähr 0,1 Pa (10&supmin;&sup6; Atmoshpären).
2. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Kombination von Gruppe-II- und Gruppe-V-Materialien als eine Verbindung mit der Zusammensetzung X3Y2 bereitgestellt wird, wobei X das Gruppe-II-Material und Y das Gruppe-V-Material bezeichnet.
3. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, weiter gekennzeichnet durch den Verfahrens schritt die Temperatur der Kombination von Gruppe-II- und Gruppe-V-Materialien zu steuern, um damit die Dotierungskonzentration zu steuern.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin das Substrat HgCd in Kombination mit einem der Gruppe-V-Materialien aufweist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, worin der Anteil von Hg und Cd zusammen im wesentlichen gleich dem Anteil von Te in dem Materialstrom ist, der relative Anteil von Hg im Bereich zwischen 0 und 1 und der relative Anteil von Cd im Bereich zwischen 1 und 0 liegt.
6. Verfahren noch einem der vorhergehenden Ansprüche, worin eine Schicht optischen Materials mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) aufgetragen wird, und
wobei die Beaufschlagung der Schicht aus optischem Material mit dem Materialstrom zusammen mit der Auftragung der Schicht mittels MBE erfolgt.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin eine Bauelement mit p-n-Übergang gebildet wird, mittels:
a) Bilden einer n-dotierten Schicht aus dem Material des Bauelements, und
b) Bilden einer zu der n-dotierten Schicht benachbart angeordneten p-dotiereten Schicht aus dem Material des Bauelements durch:
i) Aufwachsen einer Schicht aus dem Material des Bauelements mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE),
ii) Bilden eines Materialstromes aus einer Kombination von Gruppe-II- und Gruppe-V-Materialien, wobei das Gruppe-II-Material aus der Gruppe bestehend aus Zn, Cd, Hg und Mg und das Gruppe-V-Material aus der Gruppe bestehend aus As, Sb und P ausgewählt wird, und
iii) Beaufschlagen der Schicht aus dem Material des Bauelements mit dem Materialstrom gleichzeitig mit dem MBE-Aufwachsen der Schicht, wobei die n- und p-dotierten Schichten an dem Übergang aufeinandtertreffen.
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