DE69005711T2 - Verfahren zur Herstellung von P-Typ-II-VI-Halbleitern. - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von P-Typ-II-VI-Halbleitern.Info
- Publication number
- DE69005711T2 DE69005711T2 DE90305859T DE69005711T DE69005711T2 DE 69005711 T2 DE69005711 T2 DE 69005711T2 DE 90305859 T DE90305859 T DE 90305859T DE 69005711 T DE69005711 T DE 69005711T DE 69005711 T2 DE69005711 T2 DE 69005711T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- group
- dopant
- mbe
- layer
- doping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 59
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 50
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007381 Zn3Sb2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- APAWRDGVSNYWSL-UHFFFAOYSA-N arsenic cadmium Chemical compound [As].[Cd] APAWRDGVSNYWSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N cadmium;mercury;tellurium Chemical compound [Cd]=[Te]=[Hg] MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/002—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02562—Tellurides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/041—Doping control in crystal growth
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/064—Gp II-VI compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/169—Vacuum deposition, e.g. including molecular beam epitaxy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/925—Fluid growth doping control, e.g. delta doping
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/971—Stoichiometric control of host substrate composition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
- Die Erfindung bezieht sich allgemein auf das p-Dotieren von optischen Materialien aus Gruppe II-VI-Kombinationen und insbesondere auf das p-Dotieren von HgCdTe mittels Molekularstrahlepitaxie.
- Die Fähigkeit HgCdTe mit einer p-Dotierung zu versehen, ist hinsichtlich der Herstellung von Übergangs- bzw. p-n-Übergangsstrukturen, die sich im Herzen von Infrarotdetektoren befinden, kritisch. Bisher wurde eine passende Dotierungstechnik unter Verwendung von Molekularstrahlepitaxie, die kompatibel zu den bevorzugten Herstellungsprozessen für IR- Detektoren ist, nicht gefunden.
- Die Herrichtung von HgCdTe zur Verwendung in Detektionsbauelementen mittels Bulk- oder Expitaxialtechniken ist schwierig. Das am meisten verwendete epitaxiale Aufwachsverfahren für dieses Material ist Flüssigphasenepitaxie. Obwohl mit Flüssigphasenepitaxie Hochleistungsinfrarotdetektoren realisiert worden sind, können mit dieser Technik keine abrupten Hetero-Übergänge und Übergitter erzeugt werden, wie sie für fortgeschrittene opto-elektronische Bauelemente nötig sind. Eine Übersicht der verschiedenen Herstellungs- bzw. Aufwachstechniken ist in J.P. Faurie, et al., "Latest Developments in the Growth of Hg1-xCdxTe and CdTe-HgTe Superlattices by Molecular Beam Epitaxy", J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 1, No. 3, July/September 1983, Seiten 1593-97, beschrieben.
- Die Molekularstrahlelpitaxie (MBE) ist für das Herstellen bzw. Aufwachsen von hochqualitativen Epi-Schichten, abrupten Heteroübergängen in alternierenden Mikrostrukturen wie z. B. Übergitterstrukturen geeignet. Diese Technik ist in J.P. Faurie, et al., "Molecular Beam Epitaxy of II-VI Compounds: Hg1-xCdxTe", J. Cryst. Growth, Vol. 54, No.3, Seiten 582- 585, 1981, beschrieben.
- MBE ist ein Vakuumablagerungsprozeß. Mehrere Effusionszellen werden verwendet, wobei jede Zelle einen elektrisch heizbaren Tiegel umfaßt, der eine der Substanzen der aufzuwachsenden Verbindung enthält. Durch das Aufheizen erzeugen die Zellen atomare oder molekulare Materialströme aus Quecksilber, Kadmium, Tellurium oder CdTe. Die Materialströme werden auf die Oberfläche des Substrats gerichtet, wo sie miteinander reagieren und eine epitaxiale Schicht erzeugen.
- Arsen (As) wird gewöhnlich als p-Dotierungsmittel verwendet, obwohl auch Antimon (Sb) und Phosphor (P) für diesen Zweck verwendbar sind. Es wurde jedoch bereits entdeckt, daß diese Gruppe-V-Elemente auch als n-Dotierungsmittel anstatt als p- Dotierungsmittel in HgCdTe agieren können, wenn sie mittels des MBE-Verfahrens eingelagert werden. Siehe hierzu M. Boukerche, et al., "The Doping of Mercury Cadmium Telluride Grown By Molecular Beam Epitaxy", J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 6, No. 4, July/August, 1988, Seiten 2830-33. Es wird angenommen, daß die n-Dotierung durch das Besetzen von Hg Leerstellen in den Metallgittern durch As resultiert. Es ist schwierig die Dampfdrücke von Cd und Hg so einzustellen, daß gewährleistet ist, dar alle Positionen in den Metallgittern gefüllt sind. Da Te einen höheren Haftkoeffizienten als Hg aufweist, besteht eine Tendenz zu einem Überhang von Hg-Gitterleerstellen. Die Hg-Leerstellen ermöglichen die Substitution von As-Atomen in dem Metallgitter durch Hg und verhindern deren ausschließliches Eindringen in das Te-Untergitter der Legierung. Dieser Effekt wird durch den Umstand verstärkt, daß As und Te eine Verbindung bilden, die zu der zwischen Cd und Te gleichartig ist.
- As fehlt gegenüber Te ein Elektron und es wird daher ein p- Dotierungsmittel, wenn es in die Te-Position des Gitters eingebaut wird. As hat jedoch im Vergleich zu Gruppe-II-Materialien, wie z. B. Hg und Cd, ein Mehr von drei Elektronen und wirkt daher als ein n-Dotierungsmittel, wenn es in die Hg-Leerstellen in dem Hg-Cd-(Metall-)Gitter in der HgCdTe- Schicht eingebaut wird. Dieses Phänomen hat die praktische Verwendung von As und anderen Gruppe-V-Elementen als p-Dotierungsmittel für HgCdTe in Verbindung mit normaler MBE effektiv verhindert.
- Ein Ansatz, um dieses Problem zu lösen, könnte das Erhöhen des Hg und/oder Cd-Dampfdruckes sein, um die Metallgitterleerstellen zu eliminieren bzw. wenigstens zu verringern. Doch stört ein Erhöhen des Dampfdrucks auf wesentlich über 10&supmin;&sup6; Atmosphären die Stöchiometrie und würde im allgemeinen über den Bereich niedrigen Dampfdrucks liegen, der für effektive MBE notwendig ist. Höhere Dampfdrücke bewirken, dar der Molekularstrahl streut und beeinträchtigt die erreichbare Steuerung über die das Substrat erreichenden Materialien.
- Ein weiterer Ansatz ist die Vermeidung von As überhaupt und an dessen Stelle die Verwendung von Silber (Ag, Gruppe I). Siehe hierzu M.L. Roge, et al, "Controlled P-Type Impurity Doping of Hg1-xCdxTe During Growth By Molecular-Beam Epitaxy", J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 6, No. 4, July /August, 1988, Seiten 2826-29. Während diese Technik das n-Dotierungsproblem vermeidet, eliminiert es auch die speziellen Vorteile von As als Dotierungsmittel, insbesondere weil Ag in II-VI-Verbindungen schnell diffundiert.
- Die Verwendung von photounterstützter Dotierung mit As ist ein weiterer Forschungsansatz, um das n-Dotierungsproblem zu lösen. Dies beinhaltet eine Modifizierung des normalen MBE- Systems, um die Beleuchtung des Substrats während des Aufwachsprozesses zu erlauben und ist z. B. in S. Hwang, et al., "Properties of Doped CdTe Films Grown By Photoassisted Molecuar-Beam Epitaxy", J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 6, No. 4, July/August, 1988, pages 2821-25, beschrieben. Diese Technik fügt dem System einen weiteren Komplexitätsgrad hinzu und es konnte noch nicht gezeigt werden, daß sie in dem Legierungssystem voll effektiv ist.
- Die Situation wurde bisher anhand von HgCdTe beschrieben. Es versteht sich jedoch, dar gleichartige Überlegungen auch für HgTe und CdTe gelten. Gleichartiges Dotieren mittels Gruppe- V-Elementen tritt auch mit anderen Gruppe-II-VI-Kombinationen auf. Im allgemeinen können Zn, Cd, Hg und Mg aus Gruppe II mit S, Se und Te aus Gruppe VI kombiniert werden und sind geeignet für MBE-Herstellungstechniken, wobei die Wahl der genauen Kombination von der gewünschten Bandlücke und der Kinetik des Aufwachsens und des Einbauens des Dotierungsmittels in das Gitter abhängt.
- Die vorliegende Erfindung offenbart ein Verfahren zum Dotieren einer Gruppe-II-IV-Kombination mit einem Gruppe-V Dotierungsmittel durch Verwendung konventioneller MBE-Ausrüstung, um ohne Zuhilfenahme von Photo- oder Ionenzusatztechniken p- Dotierung zu erreichen. Die Herstellung gelingt unter normalen MBE-Drücken und -Temperaturen, wobei das Gruppe-V- Dotierungsmittel geordnet in die Gruppe-VI-Gitterpositionen eingebaut wird. Die effektive Dotierungsmittelablagerungsrate und damit der Grad der Dotierung kann mittels einfacher Temperaturregelung akkurat gesteuert werden.
- Um diese Ziele zu erreichen, wird ein MBE-Materialstrahl aus einer Kombination eines Gruppe-V-Dotierungsmittels und eines Gruppe-II-Materials gebildet. Das Gruppe-V-Dotierungsmittel kann aus As, Sb und P ausgewählt werden, während das Gruppe- II-Material aus Zn, Cd, Hg und Mg ausgewählt wird. Das Substrat wird mit dem Materialstrahl während des MBE-Aufwachsens bei einem Druck von weniger als 10&supmin;&sup6; Atmosphären beaufschlagt. Der Gruppe-II-Materialfluß besetzt und bindet die normalen Metalleerstellen in dem Metallgitter (typischerweise Hg bei einer HgCdTe-Aufwachsschicht). Als Ergebnis wandert das Gruppe-V-Dotierungsmittel in das Gruppe-VI-Gitter, wo es als p-Dotierungsmittel agiert.
- Der Gruppe-II-VI-Materialfluß wird vorzugsweise aus einer Verbindung erzeugt, in der das Gruppe-II Material überwiegt. Allgemein gesprochen weist diese Verbindung die chemische Formel X&sub3;Y&sub2; auf, wobei X das Gruppe-II-Material und Y das Gruppe-V-Material bezeichnet. Die Dotierungskonzentration kann leicht mittels Regelung der Temperatur der Verbindung, aus dem der Dotierungsmittelstrom herrührt, gesteuert werden.
- Diese und andere Vorteile der vorliegenden Verbindung ergeben sich für den Durchschnittsfachmann anhand der nachfolgenden detaillierten Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen im Zusammenhang mit der Zeichnung.
- FIG. 1 ist eine vereinfachte Illustration der Gitterstruktur eines mittels MBE erzeugten Gruppe-II-IV-Materials, das gemäß der vorliegenden Verbindung p-dotiert werden soll;
- FIG. 2 ist ein schematisches Diagramm zur Illustrierung eines MBE-Apparates mit dem die Erfindung ausgeführt wird; und
- FIG. 3 ist eine Schnittdarstellung durch einen gemäß der vorliegenden Erfindung gebildeten p-n-Übergang.
- Die Gitterstruktur einer epitaxial erzeugten HgCdTe-Schicht ist in FIG. 1 auf der Basis eines kubischen Gitters dargestellt, obwohl andere Modelle verwendet werden könnten, je nachdem an welcher Stelle man in das Gitter eintritt. Das Gitter besteht im wesentlichen aus zwei flächenzentrierten, ineinander geschachtelten Würfeln, die jeweils entweder Cd-, Hg- oder Te-Atome aufweisen. Das Verhältnis von Cd zu Hg wird durch die Auswahl der Materialien für den Molekularstrahl gesteuert, mittels dem die Struktur erzeugt wird, und kann variieren zwischen ausschließlich Cd und ausschließlich Hg oder verschiedenen Verhältnissen dazwischen. Der Anteil von Hg/Cd zusammen ist im wesentlichen gleich dem Anteil von Te.
- Ein vollständiger Würfel des Gruppe-VI-Elements Te besetzt die Positionen 2, während ein Teil eines Würfels aus Cd- und/oder Hg-Atomen die Stellen 4 besetzend gezeigt ist. Verbindungen sind zwischen jeder Eckposition und den flächenzentrierten Positionen zu anderen Positionen in dem Würfel und auch zu benachbarten Würfeln hergestellt. Eine Metalleerstelle wird von der Position 4* durch einen schraffierten Kreis dargestellt; es wird im allgemeinen eine Hg-Position sein.
- Wie vorstehend angemerkt wurde, neigen Hg-Leerstellen dazu, einige As oder andere Gruppe-V-Dotierungsmittel zu binden, wodurch diese gehindert werden, in das Te-Untergitter einzudringen und was zu einer n- anstelle einer p-Dotierung führt. Dieses Problem wird durch die vorliegende Erfindung in einer einzigartigen aber einfachen Weise unter Verwendung einer herkömmlichen MBE-Kammer, wie sie in FIG. 2 dargestellt ist, gelöst. Die Kammer 8 wird auf einem niedrigen Druck von weniger als 0,1 Pa (10&supmin;&sup6; Atmosphären) und vorzugsweise auf weniger als ungefähr 0,01 Pa (10&supmin;&sup7; Atmosphären) mittels einer Vakuumpumpe 10 gehalten. Materialstromquellen werden in einer Anzahl von unterschiedlichen Tiegeln in der Kammer bereitgestellt. Für HgCdTe werden im allgemeinen 4 Tiegel verwendet. Ein Tiegel 12 enthält CdTe, ein anderer 14 Hg und ein dritter Tiegel 16 enthält Te, während ein vierter Tiegel 18 das Dotierungsmaterial enthält. Die Tiegel werden individuell mittels elektrischem Strom von einer Stromquelle 20 erhitzt, um Dampfströme aus dem jeweiligen Material zu erzeugen. Die Materialströme 22 werden auf ein Substrat 24 gerichtet, das epitaxial auf einer Plattform 26 in herkömmlicher MBE-Art aufgewachsen wird.
- Gemäß der Erfindung wird der Dotierungsmittelstrom aus einer Kombination eines gewünschten Gruppe-V-Dotierungsmittels und einem Gruppe-II-Material, insbesondere entweder Zn, Cd, Hg oder Mg, abgeleitet. Die freie Metallgitterposition 2* ist elektropositiver als die Gruppe-VI-Stellen 4 und bevorzugt daher die Gruppe-II-Komponente gegenüber der Gruppe-V-Komponente der Dotierungsmittelkombination. Der Gruppe-II-Anteil in dem Dotierungsmittelfluß neigt daher dazu, die freien Metallgitterplätze zu besetzen bzw. zu binden, wodurch es dem Gruppe-V-Dotierungsmittel frei bleibt, in das gewünschte Gruppe-VI-Gitter einzudringen und eine p-Dotierung zu bewerkstelligen. Um diesen Effekt zu verstärken, ist der Anteil des Gruppe-II-Materials in der Dotierungsquelle vorzugsweise größer als der Anteil des Gruppe-V-Dotierungsmaterials.
- Die Gruppe-V-Dotierungsmittel, die gemäß der vorliegenden Verbindung verwendet werden können, sind Arsen (As), Antimon (Sb) und Phosphor (P). Es gibt auch geeignete Verbindungen mit diesen Materialien, die den für MBE nötigen niedrigen Dampfdruck aufweisen. Von den anderen Gruppe-V-Materialien wird Stickstoff normalerweise nicht zum Dotieren verwendet und Bismuth ist zu metallisch. Während die chemischen Eigenschaften von Phosphor es geeignet für die Verwendung gemäß der vorliegenden Erfindung machen, muß mit Phosphor vorsichtig hantiert werden, da es leicht entzündbar ist.
- Jedes der Gruppe-II-Metallatome kann verwendet werden, um die Dotierungsatome in dem Dotierungsmittelfluß zu begleiten. Dies sind Zink (Zn), Kadmium (Cd), Quecksilber (Hg) und Magnesium (Mg).
- Die Dotierungsmittelkombination wird vorzugsweise als eine Verbindung mit der chemischen Formel X&sub3;Y&sub2; bereitgestellt, wobei X das Gruppe-II-Material und Y das Gruppe-V-Material bezeichnet. Dies bedeutet ein Überwiegen des Gruppe-II-Materials und hilft zu gewährleisten, daß die meisten Gruppe-II- Leerstellen in dem Gitter besetzt werden und die Dotierungsatome nicht von den Gruppe-VI-Plätzen abziehen.
- Für das Herstellen bzw. Aufwachsen von HgCdTe ist Cd&sub3;As&sub2; die bevorzugte Dotierungsmittelverbindung. Es existiert auch Hg&sub3;As&sub2;, Hg hat jedoch ein wesentlich niedrigeren Haftkoeffizienten als Cd und würde daher nicht so viele Gruppe-II-Gitterleerstellen besetzen. Des weiteren ist der Hg-Dampfdruck viel höher als der von Cd bei der gleichen Temperatur, was die Verwendung zusammen mit MBE schwierig macht.
- Einer der wesentlichen Vorteile des Bereitstellens des Gruppe-V-Dotierungsmittels in Verbindungsform zusammen mit einem Gruppe-II-Material im Vergleich zum Bereitstellen als Reinstoff besteht in einer verbesserten Möglichkeit, die Dampfdrücke und damit Dotierungskonzentrationen zu steuern. Mit Dotierungsmitteln in Elementform, erzeugen geringe Änderungen der Temperatur sehr große Änderungen im Dampfdruck, während die Abhängigkeit des Dampfdrucks von der Temperatur für die Gruppe-II-V-Verbindungen wesentlich kleiner ist. Daher kann der Dampfdruck des Dotierungsmittels für die II-V- Verbindungen wesentlich genauer geregelt werden als für elementare Dotierungsmittel.
- Verschiedene andere Kadmium-Arsen-Dotierungsmittelverbindungen sind verwendbar wie z. B. CdAs und CdAs&sub2;. Diese Verbindungen könnten zwar in der vorliegenden Erfindung bis zu einem gewissen Grad eingesetzt werden, der höhere Anteil des Gruppe-II-Materials in Cd&sub3;As&sub2; wird jedoch wegen seiner Tendenz, mehr Gruppe-II-Gitterleerstellen zu besetzen, bevorzugt. Weitere Beispiele für mögliche Dotierungsmittelverbindungen (nicht vollständig) sind: Cd&sub3;Sb&sub2; und Cd&sub4;Sb&sub3; (vorzugsweise Cd&sub3;Sb&sub2;), Cd&sub3;P&sub2;, Cd&sub6;P&sub7; und CdP&sub2; (vorzugsweise Cd&sub3;P&sub2;), Cd&sub3;As&sub2;, Zn&sub3;P&sub2;, Zn&sub3;Sb&sub2;, Mg&sub3;As&sub2;, Mg&sub3;P&sub2;, Mg&sub3;Sb&sub2;, etc.
- Die Dotierungsmittelverbindungen werden im allgemeinen auf etliche hundert Grad unter ihrem Schmelzpunkt erhitzt. Um den Dotierungsmitteldruck leicht steuerbar zu machen, sollten die Verbindungsschmelzpunkte größer als ungefähr 400º - 500ºC sein. Cd&sub3;As&sub2; wird im allgemeinen auf eine Temperatur zwischen 150º und 250ºC erhitzt, wobei das obere Ende des Bereichs für einen größeren Dotierungsmitteldampfdruck und eine korrespondierende größere Dotierungsmittelkonzentration gewählt wird. Die Betriebstemperaturbereiche für die meisten Sb- und P-Dotierungsmittelverbindungen wären vergleichbar.
- Es gibt einen interessanten Kontrast zur n-Dotierung mittels MBE auf diesem Gebiet. N-Dotierung wird normalerweise mit Indium bewerkstelligt, dessen Dampfdruck im Vergleich zu dem Dampfdruck von elementaren p-Dotierungsmitteln sehr viel leichter mittels Temperatureinstellung geregelt werden kann. Der aus der Verwendung von II-V-Verbindungen anstelle von elementaren Dotierungsmitteln abgeleitete einzigartige Vorteil der Kontrollierbarkeit des Dampfdrucks bei der vorliegenden Erfindung ist einzigartig für p-Dotierungsmittel.
- Es wird angenommen, dar ein weiterer Vorteil in der Verwendung einer Gruppe-II-V-Dotierungsmittelquelle in der Natur der Gruppe-V-Partikel liegt, die das Substrat erreichen. Die in dem Partikelstrom auf dem Substrat in dem Strahl mit niedrigem Druck vorhandenen Gruppe-V-Teilchen können im atomaren Zustand sein. Falls dem so ist, wird angenommen, dar das Zuführen der Gruppe-V-Partikel zu den Gruppe-VI-Gitterpositionen verbessert wird, wodurch die p-Typ-Charakteristik der aufgetragenen Schicht verbessert wird.
- Die Erfindung ist im allgemeinen für das Aufwachsen und Dotieren von Gruppe-II- und Gruppe-VI-Materialien mit beliebiger Mischung aus einem oder zwei der genannten Gruppe-II-Materialien mit einem Gruppe-VI-Material, das aus Schwefel (S), Selen (Se) oder Tellur (Te) ausgewählt wird, geeignet. S hat eine große Bandlücke und wird nicht oft verwendet, kann jedoch verwendet werden, die Bandlücke des gesamten II- VI-Materials einzustellen.
- Mit der beschriebenen Erfindung kann der Dotierungsgrad erfolgreich in der Größenordnung von 10¹&sup5;cm&supmin;³ gesteuert werden. Dieser Bereich ist besonders interessant für die Herstellung von HgCdTe verwendenden p-n-Übergangsbauelementen, für Infrarotdetektoren und Kommunikationsbauteilen. Da das Aufwachsen von Schichten mittels MBE einen hohen Grad von Anpassungsfähigkeit hinsichtlich der Steuerung der Zusammensetzung, der Dotierung und der Oberflächenmorphologie ermöglicht, ist die vorliegende Erfindung insbesondere für die MBE-Technologie wichtig, da es die Verwendung dieser Technik ermöglicht, um die Anforderungen bei Infrarotnachtsichtgeräten und Kommunikationssystemen zu erfüllen.
- Eine einfache p-n-Übergangsstruktur, die mit der vorliegenden Erfindung hergestellt werden kann, ist in FIG. 3 dargestellt. Eine erste Schicht 28 eines Gruppe-II-VI-Materials wird als erstes mittels eines MBE-Prozesses aufgewachsen und dotiert. Falls sie p-dotiert wird, wird die Technik gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet; herkömmliche n-Typ- MBE-Dotierungstechniken können verwendet werden, falls sie n-dotiert wird. Beispielsweise würde eine HgCdTe Schicht typischerweise mit einem Cd&sub3;As&sub2;-Strom dotiert, falls p-Dotierung gewünscht ist oder direkt mit Indium, falls n-Dotierung gewünscht wird. Nach dem Vervollständigen der ersten Schicht 28 wird auf den anderen Dotierungstyp gewechselt und der MBE-Prozeß wird mit dem Dotierungsmittel fortgesetzt, das auf eine geeignete Temperatur für die gewünschte Dotierungsmittelkonzentration erhitzt ist. Dadurch wird eine zweite Schicht 30 erzeugt, die zu der Schicht 28 entgegengesetzt dotiert ist und an die Schicht 28 entlang eines Übergangs 32 angrenzt. Diese grundlegende Übergangsstruktur kann als Bauelement für eine Vielzahl von Bauteilen in IR-Detektoren und im Bereich Kommunikation verwendet werden.
- Die MBE-Technik ist insbesondere attraktiv, weil Schichten bei 180ºC und tiefer erzeugt werden können. Da die Mobilität von Hg-Atomen in dem Gitter bei Temperaturen über 200ºC stark zunimmt, ist das Aufwachsen bei niedrigen Temperaturen mittels MBE insbesondere geeignet, kontrolliert stöchiometrische Legierungsschichten mit scharfen Schnittstellen, die kritisch hinsichtlich der Steuerung der Übergänge in p-n- Übergangsbauelementen sind, zu erzeugen. Diese Steuerung ist auch wichtig für das Erzeugen von Übergittern, weil es dazu neigt, die Schärfe der Schnittstellen zwischen aufeinanderfolgenden Schichten zu intensivieren, indem Interdiffusion von Komponentenatomen in dem Gitter an diesen Schnittstellen minimiert wird.
Claims (7)
1. Verfahren zum p-dotieren eines Substrats, das aus
einer Kombination von wenigstens einem
Gruppe-II-Material, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Zn,
Cd, Hg und Mg, und einem Gruppe-VI-Material,
ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus S, Se und Te,
geformt ist, mit:
Bilden eines Materialstromes aus einer Kombination
von Gruppe-II- und Gruppe-V-Materialien, wobei das
Gruppe-II-Material aus der Gruppe bestehend aus Zn,
Cd, Hg und Mg und das Gruppe-V-Material aus der
Gruppe bestehend aus As, Sb und P ausgewählt wird,
und
Beaufschlagen des Substrats mit diesem
Materialstrom bei einem Druck von weniger als ungefähr 0,1
Pa (10&supmin;&sup6; Atmoshpären).
2. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Kombination von
Gruppe-II- und Gruppe-V-Materialien als eine
Verbindung mit der Zusammensetzung X3Y2 bereitgestellt
wird, wobei X das Gruppe-II-Material und Y das
Gruppe-V-Material bezeichnet.
3. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, weiter
gekennzeichnet durch den Verfahrens schritt die Temperatur
der Kombination von Gruppe-II- und
Gruppe-V-Materialien zu steuern, um damit die
Dotierungskonzentration zu steuern.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
worin das Substrat HgCd in Kombination mit einem der
Gruppe-V-Materialien aufweist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, worin der Anteil von Hg
und Cd zusammen im wesentlichen gleich dem Anteil
von Te in dem Materialstrom ist, der relative Anteil
von Hg im Bereich zwischen 0 und 1 und der relative
Anteil von Cd im Bereich zwischen 1 und 0 liegt.
6. Verfahren noch einem der vorhergehenden Ansprüche,
worin eine Schicht optischen Materials mittels
Molekularstrahlepitaxie (MBE) aufgetragen wird, und
wobei die Beaufschlagung der Schicht aus optischem
Material mit dem Materialstrom zusammen mit der
Auftragung der Schicht mittels MBE erfolgt.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
worin eine Bauelement mit p-n-Übergang gebildet
wird, mittels:
a) Bilden einer n-dotierten Schicht aus dem
Material des Bauelements, und
b) Bilden einer zu der n-dotierten Schicht
benachbart angeordneten p-dotiereten Schicht
aus dem Material des Bauelements durch:
i) Aufwachsen einer Schicht aus dem Material
des Bauelements mittels
Molekularstrahlepitaxie (MBE),
ii) Bilden eines Materialstromes aus einer
Kombination von Gruppe-II- und
Gruppe-V-Materialien, wobei das Gruppe-II-Material aus
der Gruppe bestehend aus Zn, Cd, Hg und Mg
und das Gruppe-V-Material aus der Gruppe
bestehend aus As, Sb und P ausgewählt wird,
und
iii) Beaufschlagen der Schicht aus dem Material
des Bauelements mit dem Materialstrom
gleichzeitig mit dem MBE-Aufwachsen der
Schicht, wobei die n- und p-dotierten
Schichten an dem Übergang
aufeinandtertreffen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/366,827 US5028561A (en) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | Method of growing p-type group II-VI material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69005711D1 DE69005711D1 (de) | 1994-02-17 |
DE69005711T2 true DE69005711T2 (de) | 1994-04-28 |
Family
ID=23444718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE90305859T Expired - Fee Related DE69005711T2 (de) | 1989-06-15 | 1990-05-30 | Verfahren zur Herstellung von P-Typ-II-VI-Halbleitern. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5028561A (de) |
EP (1) | EP0403110B1 (de) |
JP (1) | JPH0817155B2 (de) |
DE (1) | DE69005711T2 (de) |
IL (1) | IL94430A (de) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0670593A3 (de) * | 1991-05-15 | 1996-02-07 | Minnesota Mining & Mfg | II-VI Halbleitervorrichtung und blau-grüner Diodenlaser. |
US5213998A (en) * | 1991-05-15 | 1993-05-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for making an ohmic contact for p-type group II-VI compound semiconductors |
US5306662A (en) * | 1991-11-08 | 1994-04-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Method of manufacturing P-type compound semiconductor |
US5510644A (en) * | 1992-03-23 | 1996-04-23 | Martin Marietta Corporation | CDTE x-ray detector for use at room temperature |
US5273931A (en) * | 1992-06-04 | 1993-12-28 | North American Philips Corporation | Method of growing epitaxial layers of N-doped II-VI semiconductor compounds |
JPH0653257A (ja) * | 1992-06-05 | 1994-02-25 | Nec Corp | 不純物ドーピング方法及び不純物ドーピングによるキャリア濃度制御方法 |
JPH06244222A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Nec Corp | フォトアシストMBE法によるテルル化カドミウムのp型キャリア濃度制御方法 |
US5306386A (en) * | 1993-04-06 | 1994-04-26 | Hughes Aircraft Company | Arsenic passivation for epitaxial deposition of ternary chalcogenide semiconductor films onto silicon substrates |
JP2550870B2 (ja) * | 1993-07-14 | 1996-11-06 | 日本電気株式会社 | テルル化水銀カドミウム分子線エピタキシャル成長における組成及びドーピング濃度制御方法 |
US5398641A (en) * | 1993-07-27 | 1995-03-21 | Texas Instruments Incorporated | Method for p-type doping of semiconductor structures formed of group II and group VI elements |
US5492080A (en) * | 1993-12-27 | 1996-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Crystal-growth method and semiconductor device production method using the crystal-growth method |
JPH07240561A (ja) * | 1994-02-23 | 1995-09-12 | Hewlett Packard Co <Hp> | Ii−vi族系半導体レーザおよびその製造方法 |
US5882805A (en) * | 1994-05-18 | 1999-03-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Chemical vapor deposition of II/VI semiconductor material using triisopropylindium as a dopant |
US5998809A (en) * | 1995-10-06 | 1999-12-07 | Raytheon Company | Room temperature 3-5 micrometer wavelength HgCdTe heterojunction emitter |
US6815736B2 (en) | 2001-02-09 | 2004-11-09 | Midwest Research Institute | Isoelectronic co-doping |
CA2744774C (en) | 2008-07-17 | 2017-05-23 | Uriel Solar, Inc. | High power efficiency, large substrate, polycrystalline cdte thin film semiconductor photovoltaic cell structures grown by molecular beam epitaxy at high deposition rate for use in solar electricity generation |
CN102714252A (zh) * | 2009-12-10 | 2012-10-03 | 乌利尔太阳能有限公司 | 用于太阳能发电的高功率效率多晶CdTe薄膜半导体光伏电池结构 |
WO2011112612A1 (en) | 2010-03-08 | 2011-09-15 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Boron, bismuth co-doping of gallium arsenide and other compounds for photonic and heterojunction bipolar transistor devices |
RU2511279C1 (ru) * | 2012-10-22 | 2014-04-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского" | Способ напыления в вакууме структур для приборов электронной техники, способ регулирования концентрации легирующих примесей при выращивании таких структур и резистивный источник паров напыляемого материала и легирующей примеси для реализации указанного способа регулирования, а также основанный на использовании этого источника паров способ напыления в вакууме кремний-германиевых структур |
RU2699949C1 (ru) * | 2019-02-08 | 2019-09-11 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Способ настройки эпитаксиального выращивания в вакууме легированных слоёв кремния и резистивный испарительный блок для его осуществления |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4159919A (en) * | 1978-01-16 | 1979-07-03 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Molecular beam epitaxy using premixing |
US4411728A (en) * | 1981-03-30 | 1983-10-25 | Agency Of Industrial Science & Technology | Method for manufacture of interdigital periodic structure device |
US4392453A (en) * | 1981-08-26 | 1983-07-12 | Varian Associates, Inc. | Molecular beam converters for vacuum coating systems |
FR2578095B1 (fr) * | 1985-02-28 | 1988-04-15 | Avitaya Francois D | Procede et dispositif de depot par croissance epitaxiale d'un materiau dope |
US4735910A (en) * | 1985-09-19 | 1988-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | In-situ doping of MBE grown II-VI compounds on a homo- or hetero-substrate |
JPS6279630A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | P型ZnSeの製造方法 |
JPH0251240A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-21 | Sanyo Electric Co Ltd | P型ZnSeの製造方法 |
-
1989
- 1989-06-15 US US07/366,827 patent/US5028561A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-05-17 IL IL9443090A patent/IL94430A/en not_active IP Right Cessation
- 1990-05-30 EP EP90305859A patent/EP0403110B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-30 DE DE90305859T patent/DE69005711T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-15 JP JP2155602A patent/JPH0817155B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL94430A (en) | 1995-11-27 |
JPH0817155B2 (ja) | 1996-02-21 |
DE69005711D1 (de) | 1994-02-17 |
IL94430A0 (en) | 1991-03-10 |
JPH0330418A (ja) | 1991-02-08 |
EP0403110A1 (de) | 1990-12-19 |
US5028561A (en) | 1991-07-02 |
EP0403110B1 (de) | 1994-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69005711T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von P-Typ-II-VI-Halbleitern. | |
DE68918362T2 (de) | Elektrolumineszierende Anordnung von Verbindungshalbleitern. | |
DE60107111T2 (de) | Vorrichtung und verfahren zur dotierung von atomschichten | |
DE2738329C2 (de) | ||
DE2943211C2 (de) | Amorphe Halbleiter auf Silizium- und/oder Germaniumbasis, ihre Verwendung und ihre Herstellung durch Glimmentladung | |
DE69119124T2 (de) | Quaternäres II-VI-Halbleitermaterial für photonische Bauelemente | |
DE3123231C2 (de) | ||
DE2359072C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Durchsicht-Photokathode | |
DE2214404A1 (de) | Verfahren zum Aufbauen von Dünnschichten durch epitaxiales Wachstum | |
DE1137512B (de) | Verfahren zur Herstellung einkristalliner Halbleiterkoerper von Halbleiteranordnungen aus Verbindungshalbleitern | |
DE2822963A1 (de) | Verfahren zur herstellung von pbs tief x se tief 1-x -epischichten mittels gleichgewichtzuechtung | |
DE2062041C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterübergängen durch Flüssigphasenepitaxie von festen Lösungen aus n/IV- und IV/Vl-Halbleiterverbindungen | |
DE10119216A1 (de) | Verfahren zur Ausformung eines Halbleiterfilms vom Typ P und eine dieses nutzende lichtemittierende Vorrichtung | |
DE2030367C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch aus einer A tief III B tief V -Verbindung gewachsenen Schicht | |
EP0954033A1 (de) | Halbleiterbauelement, insbesondere eine Solarzelle, mit einer Schicht aus Pyrit, sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE112019006575T5 (de) | Lichtemittierendes Halbleiterelement und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Halbleiterelements | |
DE2522921C3 (de) | Verfahren zur epitaktischen Abscheidung dotierter III-V-Verbindungshalbleiter-Schichten | |
DE3123232C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines pn-Übergangs in einem ZnSe-Einkristall | |
DE69009820T2 (de) | Halbleiteranordnung mit eindimensionalen Dotierungsleitern und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiteranordnung. | |
DE3124456C2 (de) | Halbleiterbauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2163075C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrolumineszierenden Halbleiterbauelementen | |
DE102016004085A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines elektrisch funktionalisierten halbleiterelements und ein solches halbleiterelement | |
DE69006823T2 (de) | Borquelle für Molekularstrahlepitaxie. | |
DE2452197B2 (de) | Verfahren zum Abscheiden von unterschiedlich dotierten Halbleiterschichten auf einem Halbleitersubstrat | |
DE2255508A1 (de) | Verfahren zum epitaktischen aufwachsen einer duennen, gut leitenden halbleiterschicht |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: HUGHES ELECTRONICS CORP., EL SEGUNDO, CALIF., US |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |