JPH07240561A - Ｉｉ−ｖｉ族系半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
Ｉｉ−ｖｉ族系半導体レーザおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH07240561A JPH07240561A JP6049762A JP4976294A JPH07240561A JP H07240561 A JPH07240561 A JP H07240561A JP 6049762 A JP6049762 A JP 6049762A JP 4976294 A JP4976294 A JP 4976294A JP H07240561 A JPH07240561 A JP H07240561A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adsorption layer
- semiconductor laser
- final
- layer
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 81
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000171 gas-source molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000603 solid-source molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 2
- 238000001741 metal-organic molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0083—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds
- H01L33/0087—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds with a substrate not being a II-VI compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/327—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIBVI compounds, e.g. ZnCdSe-laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/347—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIBVI compounds, e.g. ZnCdSe- laser
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 特性に優れ、かつ低スレショルド電圧，低動
作電圧のＩＩ−ＶＩ族系（特に、ＭｇＺｎＳＳｅ，Ｃｄ
ＺｎＳＳｅ，ＭｇＣｄＺｎＳＳｅ系）半導体レーザおよ
びその製造方法を提供する。 【構成】 ｎ型基板に結晶構成元素とドーピング不純物
とを含む吸着層を順次結晶成長させて構成されるＩＩ−
ＶＩ族系半導体レーザにおいて、最初の吸着層から最終
のｐ型吸着層の直前までの層をソリッドソースＭＢＥ法
により形成し、最終のｐ型吸着層を、ガスソースＭＢＥ
法またはＭＯＶＰＥ法により形成する。この場合、好ま
しくは、最終のｐ型吸着層が、ＩＩ族リッチの条件下で
成長される。
作電圧のＩＩ−ＶＩ族系（特に、ＭｇＺｎＳＳｅ，Ｃｄ
ＺｎＳＳｅ，ＭｇＣｄＺｎＳＳｅ系）半導体レーザおよ
びその製造方法を提供する。 【構成】 ｎ型基板に結晶構成元素とドーピング不純物
とを含む吸着層を順次結晶成長させて構成されるＩＩ−
ＶＩ族系半導体レーザにおいて、最初の吸着層から最終
のｐ型吸着層の直前までの層をソリッドソースＭＢＥ法
により形成し、最終のｐ型吸着層を、ガスソースＭＢＥ
法またはＭＯＶＰＥ法により形成する。この場合、好ま
しくは、最終のｐ型吸着層が、ＩＩ族リッチの条件下で
成長される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特性に優れ、かつ低ス
レショルド電圧，低動作電圧のＩＩ−ＶＩ族系（特に、
ＭｇＺｎＳＳｅ，ＣｄＺｎＳＳｅ，ＭｇＣｄＺｎＳＳｅ
系）半導体レーザおよびその製造方法に関する。
レショルド電圧，低動作電圧のＩＩ−ＶＩ族系（特に、
ＭｇＺｎＳＳｅ，ＣｄＺｎＳＳｅ，ＭｇＣｄＺｎＳＳｅ
系）半導体レーザおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＩ−ＶＩ族系半導体レーザの結
晶成長技術として、ソリッドソースＭＢＥ法（分子線エ
ピタキシー法）、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相エピタキ
シー法）およびガスソースＭＢＥ法（ガスソース分子線
エピタキシー法）の開発・実用化が進められている。
晶成長技術として、ソリッドソースＭＢＥ法（分子線エ
ピタキシー法）、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相エピタキ
シー法）およびガスソースＭＢＥ法（ガスソース分子線
エピタキシー法）の開発・実用化が進められている。
【０００３】ソリッドソースＭＢＥ法による製造装置で
は、排気速度の大きいポンプ（イオンポンプ等）を用い
て超真空とされたチャンバー内のほぼ中央に備えられた
ホルダに基板が取り付けられ、該基板に向けて半導体の
成長に必要な元素やドーパントがそれぞれのセル（加熱
炉）からビーム状となって照射される。そして、これら
の元素やドーパントは、物理的、化学的な作用により順
次基板上に積層形成される。なお、積層形成の際の元素
やドーパントの吸着条件は、基板温度、基板の表面状
態、該元素やドーパントの種類等により決定される。
は、排気速度の大きいポンプ（イオンポンプ等）を用い
て超真空とされたチャンバー内のほぼ中央に備えられた
ホルダに基板が取り付けられ、該基板に向けて半導体の
成長に必要な元素やドーパントがそれぞれのセル（加熱
炉）からビーム状となって照射される。そして、これら
の元素やドーパントは、物理的、化学的な作用により順
次基板上に積層形成される。なお、積層形成の際の元素
やドーパントの吸着条件は、基板温度、基板の表面状
態、該元素やドーパントの種類等により決定される。
【０００４】ソリッドソースＭＢＥ法による結晶成長で
は、各種化合物やその混晶を基板結晶に対する制約なし
に形成でき、結晶構成元素やドーピング不純物の供給を
精度よく制御できる。結晶成長に際しては、種々の電子
線回折装置、操作型の電子顕微鏡、アナライザ等の装置
を用いて観察することもできる。また、各セルの照射口
側に設けられたシャッターの開閉制御により容易に超格
子を形成することもできるし、ヘテロレーザの界面の厚
さも原子オーダでの制御が可能である。
は、各種化合物やその混晶を基板結晶に対する制約なし
に形成でき、結晶構成元素やドーピング不純物の供給を
精度よく制御できる。結晶成長に際しては、種々の電子
線回折装置、操作型の電子顕微鏡、アナライザ等の装置
を用いて観察することもできる。また、各セルの照射口
側に設けられたシャッターの開閉制御により容易に超格
子を形成することもできるし、ヘテロレーザの界面の厚
さも原子オーダでの制御が可能である。
【０００５】ガスソースＭＢＥ法は、上記ソリッドソー
スＭＢＥ法においてソリッドソースのいくつかをガスソ
ースに置き換えたものである。また、超真空で有機金属
材料を用いる方法は、ＭＯＭＢＥ法と呼ばれ、ＭＢＥ法
におけるソリッドソースやガスソースを有機金属材料に
置き代えた成長法である。有機金属材料も一般にガス状
でないしはガス化して照射されため、本発明では、上記
ガスソースＭＢＥ法およびＭＯＭＢＥ法を、ガスソース
ＭＢＥ法と総称する。ガスソースＭＢＥ法は、多元混晶
を作ることもできること、超格子の作製も可能であるこ
と等、ソリッドソースＭＢＥ法と共通するところも多い
が、照射する物質にガス分子や有機金属分子が含まれる
ため、セルの構造、吸着条件（チャンバー内温度、圧力
等）はソリッドソースＭＢＥとは多少異なっている。
スＭＢＥ法においてソリッドソースのいくつかをガスソ
ースに置き換えたものである。また、超真空で有機金属
材料を用いる方法は、ＭＯＭＢＥ法と呼ばれ、ＭＢＥ法
におけるソリッドソースやガスソースを有機金属材料に
置き代えた成長法である。有機金属材料も一般にガス状
でないしはガス化して照射されため、本発明では、上記
ガスソースＭＢＥ法およびＭＯＭＢＥ法を、ガスソース
ＭＢＥ法と総称する。ガスソースＭＢＥ法は、多元混晶
を作ることもできること、超格子の作製も可能であるこ
と等、ソリッドソースＭＢＥ法と共通するところも多い
が、照射する物質にガス分子や有機金属分子が含まれる
ため、セルの構造、吸着条件（チャンバー内温度、圧力
等）はソリッドソースＭＢＥとは多少異なっている。
【０００６】一方、ＭＯＶＰＥ法は、有機金属材料を高
温で反応させるもので、複数種の化合物、これらの混晶
のエピタキシー成長が可能である。
温で反応させるもので、複数種の化合物、これらの混晶
のエピタキシー成長が可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したよう
に、ソリッドソースＭＢＥ法では、高精度で制御された
層構成のＩＩ−ＶＩ族系半導体レーザを得ることができ
るが、スレショルド電圧Ｖｔｈは、一般に１５〜３０
〔Ｖ〕と高く、したがって電極間抵抗も高くなる。これ
は、ｐ型キャップ層と電極との間に生ずるショットキー
障壁に起因する所が大である。このため、消費電力が大
きく、発熱対策等に対する考慮（ヒートシンクの容量
等）が必要であり、これにより装置の大きさも大きくな
るし寿命も短くなる。一方、ガスソースＭＢＥ法では、
２．５〜７〔Ｖ〕と低いＶｔｈを得ることができるが、
結晶性に問題があるため、実用化には至っていないのが
現状である。
に、ソリッドソースＭＢＥ法では、高精度で制御された
層構成のＩＩ−ＶＩ族系半導体レーザを得ることができ
るが、スレショルド電圧Ｖｔｈは、一般に１５〜３０
〔Ｖ〕と高く、したがって電極間抵抗も高くなる。これ
は、ｐ型キャップ層と電極との間に生ずるショットキー
障壁に起因する所が大である。このため、消費電力が大
きく、発熱対策等に対する考慮（ヒートシンクの容量
等）が必要であり、これにより装置の大きさも大きくな
るし寿命も短くなる。一方、ガスソースＭＢＥ法では、
２．５〜７〔Ｖ〕と低いＶｔｈを得ることができるが、
結晶性に問題があるため、実用化には至っていないのが
現状である。
【０００８】なお、ガスソースＭＢＥ法とソリッドソー
スＭＢＥ法では、共に超真空が必要とされる等共通点も
多いため、同一の装置を併用することも可能である。し
かし、たとえばガスソースＭＢＥ法により半導体レーザ
を作製した場合には、チャンバー内に、雰囲気ガスやガ
スソースが残存してしまう。このため、ガスソースＭＢ
Ｅ法とソリッドソースＭＢＥ法を一連の工程中で混用す
ると言った思想は、半導体レーザの分野においては行わ
れてはいない。
スＭＢＥ法では、共に超真空が必要とされる等共通点も
多いため、同一の装置を併用することも可能である。し
かし、たとえばガスソースＭＢＥ法により半導体レーザ
を作製した場合には、チャンバー内に、雰囲気ガスやガ
スソースが残存してしまう。このため、ガスソースＭＢ
Ｅ法とソリッドソースＭＢＥ法を一連の工程中で混用す
ると言った思想は、半導体レーザの分野においては行わ
れてはいない。
【０００９】本発明は、上記のような問題を解決するた
めに提案されたものであって、キャップ層と電極とのシ
ョットキー抵抗の値を低く抑え、かつレーザの特性を劣
化させないＩＩ−ＶＩ族系（特に、ＭｇＺｎＳＳｅ，Ｃ
ｄＺｎＳＳｅ，ＭｇＣｄＺｎＳＳｅ系）半導体レーザを
提供することを目的とする。なお、本発明では特にｎ型
基板を用い、キャップ層はｐ型である場合を想定してい
る。
めに提案されたものであって、キャップ層と電極とのシ
ョットキー抵抗の値を低く抑え、かつレーザの特性を劣
化させないＩＩ−ＶＩ族系（特に、ＭｇＺｎＳＳｅ，Ｃ
ｄＺｎＳＳｅ，ＭｇＣｄＺｎＳＳｅ系）半導体レーザを
提供することを目的とする。なお、本発明では特にｎ型
基板を用い、キャップ層はｐ型である場合を想定してい
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ソリッドソ
ースＭＢＥ法と、ガスソースＭＢＥ法とは別個の製造プ
ロセスであるとの既成概念を取り払う一方で、これらの
方法を併用することを試みた。そして、鋭意検討した結
果、（１）ソリッドソースＭＢＥ法によるレーザでの不
都合と、ガスソースＭＢＥ法によるレーザでの不都合と
を同時に解消すると共に、双方の利点を生かすことがで
き、（２）両ＭＢＥ法を連続したプロセスで実行し、か
つチャンバー内に前プロセスにおいで用いたソース等
（特定の元素や化合物）が後プロセスでの処理に悪影響
を及ぼさないようにすることで生産効率を高めることが
できる、ＩＩ−ＶＩ族系半導体レーザおよびその製造方
法の実現を可能とした。
ースＭＢＥ法と、ガスソースＭＢＥ法とは別個の製造プ
ロセスであるとの既成概念を取り払う一方で、これらの
方法を併用することを試みた。そして、鋭意検討した結
果、（１）ソリッドソースＭＢＥ法によるレーザでの不
都合と、ガスソースＭＢＥ法によるレーザでの不都合と
を同時に解消すると共に、双方の利点を生かすことがで
き、（２）両ＭＢＥ法を連続したプロセスで実行し、か
つチャンバー内に前プロセスにおいで用いたソース等
（特定の元素や化合物）が後プロセスでの処理に悪影響
を及ぼさないようにすることで生産効率を高めることが
できる、ＩＩ−ＶＩ族系半導体レーザおよびその製造方
法の実現を可能とした。
【００１１】すなわち、本発明のＩＩ−ＶＩ族系半導体
レーザの製造方法は、ｎ型基板に結晶構成元素とドーピ
ング不純物とを含む吸着層を照射し、順次結晶成長させ
る半導体レーザの製造方法にかかるものであり、通常、
最初の吸着層から最終のｐ型吸着層の直前までの層をソ
リッドソースＭＢＥ法により形成し、最終のｐ型吸着層
を、ガスソースＭＢＥ法により形成する。
レーザの製造方法は、ｎ型基板に結晶構成元素とドーピ
ング不純物とを含む吸着層を照射し、順次結晶成長させ
る半導体レーザの製造方法にかかるものであり、通常、
最初の吸着層から最終のｐ型吸着層の直前までの層をソ
リッドソースＭＢＥ法により形成し、最終のｐ型吸着層
を、ガスソースＭＢＥ法により形成する。
【００１２】結晶表面の酸化等による劣化を回避できる
場合はガスソースＭＢＥ法に代えてＭＯＶＰＥ法を用い
ることができる。この場合、一般的には同一のチャンバ
ーでソリッドソースＭＢＥ法とガスソースＭＯＶＰＥ法
を行うことは困難である。
場合はガスソースＭＢＥ法に代えてＭＯＶＰＥ法を用い
ることができる。この場合、一般的には同一のチャンバ
ーでソリッドソースＭＢＥ法とガスソースＭＯＶＰＥ法
を行うことは困難である。
【００１３】ここで、前記最終のｐ型吸着層をＩＩ族リ
ッチの条件下で形成することが好ましく、具体的には、
最終のｐ型吸着層を成長させる際のビーム線量のＩＩ−
ＶＩ比を２：１〜８：１となるように形成することが特
に好ましい。
ッチの条件下で形成することが好ましく、具体的には、
最終のｐ型吸着層を成長させる際のビーム線量のＩＩ−
ＶＩ比を２：１〜８：１となるように形成することが特
に好ましい。
【００１４】このようにして製造される本発明のＩＩ−
ＶＩ族系半導体レーザは、スレショルド電圧が２．５〜
７〔Ｖ〕となるように形成することができる。
ＶＩ族系半導体レーザは、スレショルド電圧が２．５〜
７〔Ｖ〕となるように形成することができる。
【００１５】本発明は、シングルヘテロレーザ，ダブル
ヘテロレーザ等、種々の型のストライプ型半導体レー
ザ，面発光型半導体レーザに適用できる。
ヘテロレーザ等、種々の型のストライプ型半導体レー
ザ，面発光型半導体レーザに適用できる。
【００１６】本発明では、基板として、ｎ型ＧａＡｓ基
板，ｎ型ＺｎＳｅ基板等、種々のものが用いられるが、
通常はｎ型ＧａＡｓ基板が用いられる。また、半導体レ
ーザの層構造は、基本的には、基板／クラッド層／活性
層／クラッド層／キャップ層であるが、たとえば基板／
クラッド層との間にバッファ層を設ける等、層構造の変
更は可能である。たとえば、最初の吸着層がバッファ層
であり、最終の吸着層（すなわち、電極と接する層）が
キャップ層の場合、バッファ層からキャップ層の直前の
層まではソリッドソースＭＢＥ法によりエピタキシー成
長される。クラッド層／活性層／クラッド層における結
晶性は、半導体レーザの特性を律する上で最も高いもの
が要求される。本発明ではこの成長はソリッドソースＭ
ＢＥ法により行われるので、優れた特性の半導体レーザ
を得ることができる。
板，ｎ型ＺｎＳｅ基板等、種々のものが用いられるが、
通常はｎ型ＧａＡｓ基板が用いられる。また、半導体レ
ーザの層構造は、基本的には、基板／クラッド層／活性
層／クラッド層／キャップ層であるが、たとえば基板／
クラッド層との間にバッファ層を設ける等、層構造の変
更は可能である。たとえば、最初の吸着層がバッファ層
であり、最終の吸着層（すなわち、電極と接する層）が
キャップ層の場合、バッファ層からキャップ層の直前の
層まではソリッドソースＭＢＥ法によりエピタキシー成
長される。クラッド層／活性層／クラッド層における結
晶性は、半導体レーザの特性を律する上で最も高いもの
が要求される。本発明ではこの成長はソリッドソースＭ
ＢＥ法により行われるので、優れた特性の半導体レーザ
を得ることができる。
【００１７】上記ＭＢＥ法による成長過程におけるチャ
ンバー内の圧力は、従来行われているＭＢＥ法の場合と
同様であり、好ましくは超真空とされる。また各セルに
おける加熱温度もＧａ，Ａｓ，Ｚｎ，Ｓｅによって定め
られる。
ンバー内の圧力は、従来行われているＭＢＥ法の場合と
同様であり、好ましくは超真空とされる。また各セルに
おける加熱温度もＧａ，Ａｓ，Ｚｎ，Ｓｅによって定め
られる。
【００１８】最終のｐ型吸着層（たとえば、キャップ
層）はガスソースＭＢＥ法によることもできるしＭＯＶ
ＰＥ法によることもできる。すなわち、目的の元素を気
相状態で噴射させて結晶成長を行う。本発明では、該元
素の水素化物あるいはアルキル化物などの化合物により
この結晶成長を行う。この化合物の具体例は、ＩＩ族で
は、ＤＭＺｎ（ジメチル亜鉛の意。以下ジメチルをＤＭ
と記す。），ＤＥＺｎ（ジエチル亜鉛の意。以下ジエチ
ルをＤＥと記す。）、ＤＭＣｄ，ＤＥＣｄなどが挙げら
れる。ＶＩ族ではＨ２Ｓ，Ｈ２Ｓｅ，ＤＭＳ、ＤＭＳ
ｅ，ＤＥＳｅ，ＤＥＳ，Ｃ４Ｈ４Ｓｅ，Ｃ４Ｈ４Ｓなど
が挙げられる。
層）はガスソースＭＢＥ法によることもできるしＭＯＶ
ＰＥ法によることもできる。すなわち、目的の元素を気
相状態で噴射させて結晶成長を行う。本発明では、該元
素の水素化物あるいはアルキル化物などの化合物により
この結晶成長を行う。この化合物の具体例は、ＩＩ族で
は、ＤＭＺｎ（ジメチル亜鉛の意。以下ジメチルをＤＭ
と記す。），ＤＥＺｎ（ジエチル亜鉛の意。以下ジエチ
ルをＤＥと記す。）、ＤＭＣｄ，ＤＥＣｄなどが挙げら
れる。ＶＩ族ではＨ２Ｓ，Ｈ２Ｓｅ，ＤＭＳ、ＤＭＳ
ｅ，ＤＥＳｅ，ＤＥＳ，Ｃ４Ｈ４Ｓｅ，Ｃ４Ｈ４Ｓなど
が挙げられる。
【００１９】キャップ層をガスソースＭＢＥ法またはＭ
ＯＶＰＥ法により形成した場合、キャップ層と該キャッ
プ層に接する側の電極とのショットキー抵抗値が小さく
なり、この結果、半導体レーザのスレショルド電圧や動
作電圧の値も小さくなる。
ＯＶＰＥ法により形成した場合、キャップ層と該キャッ
プ層に接する側の電極とのショットキー抵抗値が小さく
なり、この結果、半導体レーザのスレショルド電圧や動
作電圧の値も小さくなる。
【００２０】この現象は、ガスソースＭＢＥ法やＭＯＶ
ＰＥ法において用いられるソースに（ＭＯＶＰＥ法にお
いては、キャリアーガスにも）含まれる水素原子が結晶
中に取り込まれ、これらにより結晶表面に深い（アクセ
プター）準位が形成され、結果的にショットキー障壁が
小さくなることに原因しているというのが通説である。
ＰＥ法において用いられるソースに（ＭＯＶＰＥ法にお
いては、キャリアーガスにも）含まれる水素原子が結晶
中に取り込まれ、これらにより結晶表面に深い（アクセ
プター）準位が形成され、結果的にショットキー障壁が
小さくなることに原因しているというのが通説である。
【００２１】
【実施例】本発明の実施例を、ＺｎＳｅ系半導体レーザ
を例に、図面を参照しつつ説明する。図２は本発明の半
導 体レーザの製造方法に用いるＭＢＥ装置の一例を示す
図である。同図では、真空チャンバーの中央部にはマニ
ピュレータ（図示せず）により位置調整，角度調整が可
能な基板ホルダ０１が配置され、チャンバー１にはＨ２
Ｓ，Ｈ２Ｓｅを照射できる２つのガス噴出セル２Ａ，２
Ｂ、およびＺｎ，Ｃｄ，Ｍｇ，ＺｎＳ，Ｓｅ，ＺｎＣｌ
２を照射するセル３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ，３Ｆ
が設けられている。各セルの前面にはシャッターＳＴＲ
が配置され、さらに、ＥＣＲ Ｎ２セル４Ａが設けられ
ている。また、このチャンバー１には、ＲＨＥＥＤ（反
射高速電子回折）銃５Ａ、この銃５Ａから照射される電
子線の回折パターンを撮像するＣＣＤカメラ５Ｂ、およ
びモニタ装置５Ｃからなる、ＲＨＥＥＤシステム５が装
備されている。また、超真空を得るためにクライオ（Ｃ
ｒｙｏ）ポンプ，ターボポンプなどのポンプ６が用いら
れている。
を例に、図面を参照しつつ説明する。図２は本発明の半
導 体レーザの製造方法に用いるＭＢＥ装置の一例を示す
図である。同図では、真空チャンバーの中央部にはマニ
ピュレータ（図示せず）により位置調整，角度調整が可
能な基板ホルダ０１が配置され、チャンバー１にはＨ２
Ｓ，Ｈ２Ｓｅを照射できる２つのガス噴出セル２Ａ，２
Ｂ、およびＺｎ，Ｃｄ，Ｍｇ，ＺｎＳ，Ｓｅ，ＺｎＣｌ
２を照射するセル３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ，３Ｆ
が設けられている。各セルの前面にはシャッターＳＴＲ
が配置され、さらに、ＥＣＲ Ｎ２セル４Ａが設けられ
ている。また、このチャンバー１には、ＲＨＥＥＤ（反
射高速電子回折）銃５Ａ、この銃５Ａから照射される電
子線の回折パターンを撮像するＣＣＤカメラ５Ｂ、およ
びモニタ装置５Ｃからなる、ＲＨＥＥＤシステム５が装
備されている。また、超真空を得るためにクライオ（Ｃ
ｒｙｏ）ポンプ，ターボポンプなどのポンプ６が用いら
れている。
【００２２】上記装置により、図１に示すＺｎＳｅ系の
量子井戸構造の半導体レーザを製造する場合を説明す
る。 （１）まず、ソリッドソースＭＢＥ法により、最初の吸
着層から最終の吸着層（キャップ層ないしはキャップ層
の一部）の直前の層までを形成する。ｎ−ＧａＡｓ基板
に、固体ソースを用いて、ｎ−ＺｎＭｇＳＳｅ：Ｃｌク
ラッド層（本実施例では０．８μｍ）を成長する。基板
温度は２８０℃である。キャリアー密度（Ｎｄ−Ｎａ）
は８×１０１７程度である。次に、同様のキャリアー密
度のｎ−ＺｎＳｅ：Ｃｌ光ガイド層（本実施例では６０
ｎｍ）を成長し、ＺｎＣｄＳｅ活性層（本実施例では７
ｎｍ）を成長する。さらに、キャリアー密度（Ｎａ−Ｎ
ｄ）５×１０１７程度のｐ−ＺｎＳｅ：Ｎ光ガイド層
（本実施例では６０ｎｍ）を成長する。さらにキャリア
ー密度（Ｎａ−Ｎｄ）２×１０１７程度のｐ−ＺｎＭｇ
ＳＳｅ：Ｎクラッド層（本実施例では０．６μｍ）、キ
ャリアー密度（Ｎａ−Ｎｄ）５×１０１７程度のｐ−Ｚ
ｎＳｅ：Ｎ層（本実施例では０．６μｍ）を成長させ
る。なお、ｐ型のＮのドーピングはＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ−Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）に
よって生成された活性窒素を用いる。
量子井戸構造の半導体レーザを製造する場合を説明す
る。 （１）まず、ソリッドソースＭＢＥ法により、最初の吸
着層から最終の吸着層（キャップ層ないしはキャップ層
の一部）の直前の層までを形成する。ｎ−ＧａＡｓ基板
に、固体ソースを用いて、ｎ−ＺｎＭｇＳＳｅ：Ｃｌク
ラッド層（本実施例では０．８μｍ）を成長する。基板
温度は２８０℃である。キャリアー密度（Ｎｄ−Ｎａ）
は８×１０１７程度である。次に、同様のキャリアー密
度のｎ−ＺｎＳｅ：Ｃｌ光ガイド層（本実施例では６０
ｎｍ）を成長し、ＺｎＣｄＳｅ活性層（本実施例では７
ｎｍ）を成長する。さらに、キャリアー密度（Ｎａ−Ｎ
ｄ）５×１０１７程度のｐ−ＺｎＳｅ：Ｎ光ガイド層
（本実施例では６０ｎｍ）を成長する。さらにキャリア
ー密度（Ｎａ−Ｎｄ）２×１０１７程度のｐ−ＺｎＭｇ
ＳＳｅ：Ｎクラッド層（本実施例では０．６μｍ）、キ
ャリアー密度（Ｎａ−Ｎｄ）５×１０１７程度のｐ−Ｚ
ｎＳｅ：Ｎ層（本実施例では０．６μｍ）を成長させ
る。なお、ｐ型のＮのドーピングはＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ−Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）に
よって生成された活性窒素を用いる。
【００２３】（２）次に、ガスソースＭＢＥ法により、
最終の吸着層（キャップ層）を形成する。すなわち、上
記（１）のソリッドソースＭＢＥ法により形成した中間
製品に、固体Ｓｅに代えてＨ２Ｓｅを用いてキャリアー
密度５×１０１７〜１０１８程度（Ｎａ−Ｎｄ）のｐ−
ＺｎＳｅ：Ｎ層（本実施例では０．１μｍ）を成長させ
る。（１）の工程からこの工程に移行する際に、チャン
バー内の圧力および温度は特に制御する必要はない。た
だし、（１）の工程により製造された中間製品が酸化さ
れると、ガスソースの吸着が良好に行われないことがあ
る。したがって、（１）からこの（２）の工程への移行
は速やかに行うことが好ましい。
最終の吸着層（キャップ層）を形成する。すなわち、上
記（１）のソリッドソースＭＢＥ法により形成した中間
製品に、固体Ｓｅに代えてＨ２Ｓｅを用いてキャリアー
密度５×１０１７〜１０１８程度（Ｎａ−Ｎｄ）のｐ−
ＺｎＳｅ：Ｎ層（本実施例では０．１μｍ）を成長させ
る。（１）の工程からこの工程に移行する際に、チャン
バー内の圧力および温度は特に制御する必要はない。た
だし、（１）の工程により製造された中間製品が酸化さ
れると、ガスソースの吸着が良好に行われないことがあ
る。したがって、（１）からこの（２）の工程への移行
は速やかに行うことが好ましい。
【００２４】このガスソースＭＢＥ法によるキャップ層
の成長の際には、かなりＩＩ族リッチ（ビーム線量のＩ
Ｉ−ＶＩ比で２：１〜８：１）にしておくと、ｐ型キャ
リアー密度が上げ易くなり、その結果より低いコンタク
ト抵抗を得ることができる。なお、本実施例では、金属
電極はｎ−ＧａＡｓ基板にはＩｎ、ｐ−キャップ層には
Ａｕを用いている。
の成長の際には、かなりＩＩ族リッチ（ビーム線量のＩ
Ｉ−ＶＩ比で２：１〜８：１）にしておくと、ｐ型キャ
リアー密度が上げ易くなり、その結果より低いコンタク
ト抵抗を得ることができる。なお、本実施例では、金属
電極はｎ−ＧａＡｓ基板にはＩｎ、ｐ−キャップ層には
Ａｕを用いている。
【００２５】本発明に用いるガスソースにはＨが必ず含
まれている。前述したようにＨが何らかの理由により深
いアクセプタとして働きショットキー障壁を低くすると
考えられる。この結果、半導体レーザのスレショルド電
圧が２．５〜７〔Ｖ〕程度にまで低下する。
まれている。前述したようにＨが何らかの理由により深
いアクセプタとして働きショットキー障壁を低くすると
考えられる。この結果、半導体レーザのスレショルド電
圧が２．５〜７〔Ｖ〕程度にまで低下する。
【００２６】上記実施例では、ＥＣＲによって生成され
た活性窒素を用いたが、ＲＦプラズマによって生成され
た活性窒素を用いることも可能である。基板温度も、２
３０〜４５０℃とすることができる。キャリアー密度に
ついても、１０１７以上あればレーザ動作が可能である
が、大きい方が動作電圧の点で有利である。ただし、あ
まり大きくすると結晶性が悪くなり、一般には５×１０
１９程度が限界であると考えられる。各層厚、構造材料
系の変更は、必要な発振波長や出力などの特性に応じて
すべて可能である。
た活性窒素を用いたが、ＲＦプラズマによって生成され
た活性窒素を用いることも可能である。基板温度も、２
３０〜４５０℃とすることができる。キャリアー密度に
ついても、１０１７以上あればレーザ動作が可能である
が、大きい方が動作電圧の点で有利である。ただし、あ
まり大きくすると結晶性が悪くなり、一般には５×１０
１９程度が限界であると考えられる。各層厚、構造材料
系の変更は、必要な発振波長や出力などの特性に応じて
すべて可能である。
【００２７】たとえば、 ｎ−ＧａＡｓ基板 ＋ ｎ−ＺｎＳＳｅクラッド層 ＋
ｎ−ＺｎＳｅ光ガイド層 ＋ ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳ
ｅ量子井戸活性層 ＋ ｐ−ＺｎＳｅ光ガイド層 ＋
ｐ−ＺｎＳＳｅクラッド層 ＋ ｐ−ＺｎＳＳｅキャッ
プ層 なども可能であり、このキャップ層の成長にはＨ２Ｓｅ
に加えてＨＳ２も用いられる。
ｎ−ＺｎＳｅ光ガイド層 ＋ ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳ
ｅ量子井戸活性層 ＋ ｐ−ＺｎＳｅ光ガイド層 ＋
ｐ−ＺｎＳＳｅクラッド層 ＋ ｐ−ＺｎＳＳｅキャッ
プ層 なども可能であり、このキャップ層の成長にはＨ２Ｓｅ
に加えてＨＳ２も用いられる。
【００２８】また、電極も、特にｎ−ＧａＡｓ基板側は
オーミック性が取れるものなら何でも良く、またｐ側の
電極にはＡｕに併せてＰｔやＰｄなどを用いるのも効果
的である。なお、ｎ−ＧａＡｓのバッファー層を基板に
まず成長させて、より良い結晶を得ることも可能であ
る。
オーミック性が取れるものなら何でも良く、またｐ側の
電極にはＡｕに併せてＰｔやＰｄなどを用いるのも効果
的である。なお、ｎ−ＧａＡｓのバッファー層を基板に
まず成長させて、より良い結晶を得ることも可能であ
る。
【００２９】ＺｎＭｇＳＳｅ／ＺｎＣｄＳＳｅの成長に
おける、使用可能なソースについての具体例を〔表１〕
〜〔表４〕に示す。
おける、使用可能なソースについての具体例を〔表１〕
〜〔表４〕に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】
【表３】
【００３３】
【表４】
【００３４】
【発明の効果】本発明は、上記のように構成したので以
下の効果を奏することができる。 （１）キャップ層と電極とのショットキー抵抗の値を低
く抑えることができる。したがって、（ｉ）半導体レー
ザの発熱を低く抑えることができ、発熱対策が不要とな
いし大幅緩和され、装置の小型化が可能となり、（ｉ
ｉ）従来に比して、高寿命、高発光効率、高信頼性の半
導体レーザの提供が可能となる。 （２）半導体レーザの特に発光に関する部分はソリッド
ソースＭＢＥ法により作製されるので、レーザの特性が
劣化することはない。
下の効果を奏することができる。 （１）キャップ層と電極とのショットキー抵抗の値を低
く抑えることができる。したがって、（ｉ）半導体レー
ザの発熱を低く抑えることができ、発熱対策が不要とな
いし大幅緩和され、装置の小型化が可能となり、（ｉ
ｉ）従来に比して、高寿命、高発光効率、高信頼性の半
導体レーザの提供が可能となる。 （２）半導体レーザの特に発光に関する部分はソリッド
ソースＭＢＥ法により作製されるので、レーザの特性が
劣化することはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体レーザの層構造を示す図であ
る。
る。
【図２】図１の半導体レーザの層構造を示す図である。
Claims (8)
- 【請求項１】 ｎ型基板に結晶構成元素とドーピング不
純物とを含む吸着層を順次結晶成長させて構成されるＩ
Ｉ−ＶＩ族系半導体レーザにおいて、 最初の吸着層から最終のｐ型吸着層の直前までの層をソ
リッドソースＭＢＥ法により形成し、最終のｐ型吸着層
を、ガスソースＭＢＥ法またはＭＯＶＰＥ法により形成
してなることを特徴とするＩＩ−ＶＩ族系半導体レー
ザ。 - 【請求項２】 最終のｐ型吸着層が、ＩＩ族リッチの条
件下で成長されることを特徴とする請求項１に記載のＩ
Ｉ−ＶＩ族系半導体レーザ。 - 【請求項３】 最終のｐ型吸着層を成長する際のビーム
線量のＩＩ−ＶＩ比が、２：１〜８：１であることを特
徴とする請求項２に記載のＩＩ−ＶＩ族系半導体レー
ザ。 - 【請求項４】 最終のｐ型吸着層の形成に用いるガスソ
ースが、Ｈを含むことを特徴とする請求項１〜３に記載
のＩＩ−ＶＩ族系半導体レーザ。 - 【請求項５】 基板に結晶構成元素とドーピング不純物
とを含む吸着層を順次結晶成長させるＩＩ−ＶＩ族系半
導体レーザの製造方法において、 最初の吸着層から最終のｐ型吸着層の直前までの層をソ
リッドソースＭＢＥ法により形成し、最終のｐ型吸着層
をガスソースＭＢＥ法またはＭＯＶＰＥ法により形成す
ることを特徴とするＩＩ−ＶＩ族系半導体レーザの製造
方法。 - 【請求項６】 最終のｐ型吸着層を、ＩＩ族リッチの条
件下で形成することを特徴とする請求項５に記載のＩＩ
−ＶＩ族系半導体レーザの製造方法。 - 【請求項７】 最終のｐ型吸着層を成長する際のビーム
線量のＩＩ−ＶＩ比を、２：１〜８：１となるように形
成することを特徴とする請求項６に記載のＩＩ−ＶＩ族
系半導体レーザの製造方法。 - 【請求項８】 最終のｐ型吸着層の形成に用いるガスソ
ースが、Ｈを含むことを特徴とする請求項５〜７に記載
のＩＩ−ＶＩ族系半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6049762A JPH07240561A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | Ｉｉ−ｖｉ族系半導体レーザおよびその製造方法 |
| US08/394,664 US5616177A (en) | 1994-02-23 | 1995-02-22 | Group II-VI semiconductor laser and method for the manufacture thereof |
| EP95301185A EP0669685A3 (en) | 1994-02-23 | 1995-02-23 | Group II-VI semiconductor laser and method of manufacture. |
| CN95100650A CN1113355A (zh) | 1994-02-23 | 1995-02-23 | Ii-vi族半导体激光器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6049762A JPH07240561A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | Ｉｉ−ｖｉ族系半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240561A true JPH07240561A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12840195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6049762A Pending JPH07240561A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | Ｉｉ−ｖｉ族系半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5616177A (ja) |
| EP (1) | EP0669685A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07240561A (ja) |
| CN (1) | CN1113355A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5701522A (en) * | 1991-03-06 | 1997-12-23 | Nikon Corporation | Camera shake amplitude detecting device |
| CA2298491C (en) | 1997-07-25 | 2009-10-06 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| US6090042A (en) * | 1998-01-23 | 2000-07-18 | Rullo; Janice Lee | Surgical support apparatus with adjustable rake and adjustable cable lifting disk |
| JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| WO2000052796A1 (fr) * | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Nichia Corporation | Element de laser semiconducteur au nitrure |
| JP4043672B2 (ja) * | 1999-11-16 | 2008-02-06 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| US7037574B2 (en) * | 2001-05-23 | 2006-05-02 | Veeco Instruments, Inc. | Atomic layer deposition for fabricating thin films |
| CA2396325C (en) * | 2001-09-06 | 2010-03-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Zn1-xmgxsyse1-y pin photodiode and zn1-xmgxsyse1-y avalanche-photodiode |
| US7071118B2 (en) * | 2003-11-12 | 2006-07-04 | Veeco Instruments, Inc. | Method and apparatus for fabricating a conformal thin film on a substrate |
| US7136408B2 (en) * | 2004-06-14 | 2006-11-14 | Coherent, Inc. | InGaN diode-laser pumped II-VI semiconductor lasers |
| US20060272577A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Ming Mao | Method and apparatus for decreasing deposition time of a thin film |
| TWI362769B (en) * | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
| CN105609585B (zh) * | 2015-12-16 | 2017-11-17 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5068204A (en) * | 1987-03-27 | 1991-11-26 | Misawa Co. Ltd. | Method of manufacturing a light emitting element |
| US5028561A (en) * | 1989-06-15 | 1991-07-02 | Hughes Aircraft Company | Method of growing p-type group II-VI material |
| US5299217A (en) * | 1990-10-11 | 1994-03-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor light-emitting device with cadmium zinc selenide layer |
| JPH05243283A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Sony Corp | エピタキシャル成長装置及び成長方法 |
| US5818072A (en) * | 1992-05-12 | 1998-10-06 | North Carolina State University | Integrated heterostructure of group II-VI semiconductor materials including epitaxial ohmic contact and method of fabricating same |
| US5351255A (en) * | 1992-05-12 | 1994-09-27 | North Carolina State University Of Raleigh | Inverted integrated heterostructure of group II-VI semiconductor materials including epitaxial ohmic contact and method of fabricating same |
| KR100292308B1 (ko) * | 1992-06-19 | 2001-09-17 | 이데이 노부유끼 | 반도체장치 |
-
1994
- 1994-02-23 JP JP6049762A patent/JPH07240561A/ja active Pending
-
1995
- 1995-02-22 US US08/394,664 patent/US5616177A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-02-23 CN CN95100650A patent/CN1113355A/zh active Pending
- 1995-02-23 EP EP95301185A patent/EP0669685A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1113355A (zh) | 1995-12-13 |
| EP0669685A3 (en) | 1996-03-27 |
| US5616177A (en) | 1997-04-01 |
| EP0669685A2 (en) | 1995-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3331035B1 (en) | Group iii nitride semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor | |
| US8692228B2 (en) | Semiconductor light emitting device and wafer | |
| JP4865773B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US20020053665A1 (en) | Light emitting nitride semiconductor device, and light emitting apparatus and pickup device using the same | |
| JP4767020B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
| US20090224240A1 (en) | Semiconductor light emitting element and method of manufacturing therefor | |
| JPH07240561A (ja) | Ｉｉ−ｖｉ族系半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2905667B2 (ja) | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体薄膜の製造方法およびｉｉ−ｖｉ族化合物半導体装置 | |
| JPH10144960A (ja) | ｐ型窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体素子 | |
| JP2010225657A (ja) | 半導体レーザ構造 | |
| JPH0897519A (ja) | 半導体発光装置 | |
| EP0708488B1 (en) | Epitaxial growth of semiconductor | |
| JP4647287B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4192293B2 (ja) | ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザの製造方法、ＡｌＧａＡｓ系半導体装置の製造方法および化合物半導体の成長方法 | |
| JPH0983079A (ja) | 半導体素子 | |
| JP2001119105A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2004266287A (ja) | 半導体素子 | |
| JP2010040926A (ja) | 半導体素子 | |
| JP2000031590A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2004047607A (ja) | 酸化物半導体超格子およびこれを用いたデバイス | |
| JPH07153781A (ja) | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の成長方法 | |
| JPH05347456A (ja) | 結晶改善された化合物半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH09162498A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000049091A (ja) | 半導体層構造並びにその形成方法及び半導体装置 | |
| JPH10294521A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |