DE3123231C2 - - Google Patents

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter­ körpers nach dem Oberbegriff der Ansprüche 1 und 2. Ein derartiges Ver­ fahren ist aus der DE-AS 10 25 995 bekannt.
Die Wellenlänge des von lichtemittierenden Dioden (LED) abgegebenen Lichtes hängt von der Größe des Bandabstandes des Halbleitermaterials ab, aus welchem die Diode hergestellt ist. Im Allgemeinen ist die Wellenlänge des emittierten Lichtes größer als es der Absorptionskante des verwendeten Halbleitermaterials entspricht; die Absorptionskante stimmt mit der Wellenlänge des Lichtes bei dem Bandabstand E g des Halbleitermaterials überein. Für die Wellenlänge λ m der Absorptionskante gilt:
mit
h = Plancksche Konstante c = Lichtgeschwindigkeit E g = Bandabstand des verwendeten Halbleitermaterials.
Für eine LED mit einer Lichtemission in einem Wellenlängenbereich jenseits der grünen Farbe ist es notwendig, Halbleitermaterialien zu verwenden, welche einen größeren Bandabstand als Materialien der Gruppe III-V haben, zu denen GaAs, GaP oder GaAl1-x As x gehören. Halbleitermaterialien, welche hierfür geeignet sind, gehören der Gruppe II-VI an. Aus Tabelle 1 geht der Bandabstand von Halbleitermaterialien der Gruppe II-VI hervor, wobei auch der Leitfähigkeitstyp angegeben ist, den man auf natürlichem Wege er­ hält.
Tabelle 1
Die in Tabelle 1 aufgeführten Materialien haben teilweise einen geeigneten Bandabstand, der die Herstellung lichtemittierender Dioden der gewünschten Farbe ermöglicht, jedoch ist es nicht möglich, den Leitfähigkeitstyp einzustellen. So kann z. B. mit ZnS, CdS oder ZnSe leicht n-Typ Leitfähigkeit erzielt werden, jedoch ergibt sich bei der Dotierung mit Akzeptorstörstellen üblicherweise wiederum nur eine n- Leitfähigkeit bzw. der behandelte Kristall nimmt einen hohen Widerstand an und ist entweder n-leitend oder p-leitend. Selbst wenn das Material also zufälligerweise p-leitend wird, läßt sich diese Leitfähigkeit nicht so einstellen, daß man einen pn-Übergang schaffen kann, wie er für eine lichtemit­ tierende Diode notwendig ist.
Aus der eingangs erwähnten DE-AS 10 25 995 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Halblei­ terkörpers einer II-VI-Ver­ bindung mit einem pn-Übergang im Zonenschmelzverfahren bekannt, wobei der Dampfdruck des flüchtigeren Elementes während dem Wandern der Schmelzzone geändert wird, um einen Kristall mit einem pn-Übergang zu erhalten.
Durch "Appl. Phys.Lett." 27 (1975), 74-76 ist es weiterhin bekannt geworden für II-VI-Verbindungen, speziell für ZnSe, den Halbleiterkristall durch Ein­ diffusion von Störstellen mit einem pn-Übergang zu versehen. Die Eindiffusion wird für ZnSe in Anwesenheit von überschüssigem Zink vorgenommen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers aus einer II-IV-Verbindung mit einem definierten pn-Übergang zu schaffen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß für ein Diffusionsverfahren nach dem Kennzeichen des Anspruchs 1 und für ein Epitaxialverfahren nach dem Kennzeichen des Anspruchs 2 gelöst.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
Die Erfindung wird anhand von auf die Zeichnung bezugnehmenden Ausführungsbeispielen näher er­ läutert. Es zeigt
Fig. 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung der Diffusion von Gold in ein Kristallsubstrat;
Fig. 2 eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines Ver­ fahrens zur Herstellung eines pn-Übergangs in einem ZnSe- Kristall unter Verwendung einer epitaxialen Technik.
Beispiel 1
Ein n-leitender ZnSe-Kristall, der bei einem gesteuerten Dampf­ druck für Se gezüchtet wurde, wird als Substrat verwendet und kann etwa 1% Tellur enthalten. Dieser für das Substrat benutzte Kristall wird unter nachfolgenden Bedingungen hergestellt. Wäh­ rend dem Wachstum des Kristalls ist es erforderlich, den Dampf­ druck konstant auf einem verhältnismäßig hohen Niveau zu halten, wobei das Wachstum bei einer niedrigstmöglichen Temperatur be­ wirkt wird, um sicherzustellen, daß die Abweichung von der Stö­ chiometrie des Kristalls so gering als möglich ist. Ferner soll dadurch sichergestellt werden, daß möglichst wenig Leerstellen infolge von Selbstkompensation bewirkt werden, selbst wenn im nachfolgenden Verfahrensschritt eine Akzeptor-Störstellen-Dotie­ rung erfolgt, so daß die Abweichung von der Stöchiometrie mög­ lichst gering ist. Im konkreten Fall wird für das Wachsen eines ZnSe-Kristalls und die nachfolgende Ausbildung eines pn-Über­ ganges die Wachstumstemperatur des Substratkristalls auf etwa 1000°C oder darunter, vorzugsweise bei 950°C und niedriger ge­ halten, wobei ein Se-Dampfdruck eingestellt wird, der bei etwa 1.33 mbar und höher liegt. Damit kann die Leerstellenkonzentration verringert und die Ausbildung des pn-Übergangs erleichtert werden. Das heißt, es ist notwendig, die Diffusion für die p-leitende Störstellen­ verunreinigung bei einer möglichst niederen Temperatur durch­ zuführen, um die Entstehung von Se-Leerstellen zu unterdrücken, welche die Donatoren während der Diffusion sind, was nachfolgend noch erläutert wird. Dadurch kann die Konzentration der diffun­ dierten Akzeptor-Störstellen nicht ausreichend groß werden. Die Störstellenkonzentration liegt in der Größenordnung von z. B. 10¹⁷ Atome cm -3 oder darunter. Dies bedeutet, daß es notwendig ist, dafür zu sorgen, daß zunächst der Substratkristall bei einer mög­ lichst niederen Temperatur und einem möglichst hohen Se-Dampf­ druck wächst, um die Leerstellenkonzentration soweit zu reduzieren, daß sie geringer ist, als die durch Diffusion bewirkte Stör­ stellenkonzentration, um ein p-leitendes Verhalten zu erzielen. Um anschließend einen pn-Übergang aufzubauen, wird der Substratkristall in ein Quarzrohr eingeschlossen, das entweder evakuiert ist oder eine Edelgas-Atmosphäre, z. B. eine Argon- Atmosphäre, hat. Daran schließt die Diffusion von Akzeptor-Stör­ stellen für eine kurze Zeitdauer bei einer Temperatur von etwa 300°C bis etwa 600°C an, welche im Vergleich mit üblichen Diffusionstemperaturen aus den bereits erwähnten Gründen relativ niedrig ist. Für die Erzeugung eines pn-Übergangs ist es für eine Diffusion bei einer niederen Temperatur notwendig; ein Störstellen­ material auszusuchen, welches einen verhältnismäßig hohen Diffu­ sionskoeffizienten hat. Ein solches Material ist z. B. Gold, welches als Akzeptor verhältnismäßig schnell bei niederen Temperaturen eindiffundiert. Es werden etwa 3 Minuten benötigt, um bei der Ver­ wendung von Gold eine Diffusionstiefe von 1 µm bei etwa 300°C bis etwa 400°C zu erreichen. Auch mit Silber können verhältnis­ mäßig rasche Diffusionsgeschwindigkeiten erreicht werden, wobei etwa nur eine Minute oder weniger für eine Diffusionstiefe von etwa 1 µm benötigt werden.
Die Diffusion von Gold und Silber ist mit bemerkenswert niederen Temperaturen und mit großen Diffusionskoeffizienten durchführbar, verglichen mit der Diffusion von Zn in Halbleitermaterialien der Gruppe III-V oder der Diffusion von Bor (B) in Silicium. Damit kann die Diffusion unter Verwendung von Silber und Gold während einer Zeitdauer durchgeführt werden, die kürzer als eine Stunde ist. Diese Störstellenmaterialien haben einen bemerkenswert gro­ ßen Diffusionskoeffizienten verglichen mit den Se-Leerstellen, wel­ che aufgrund der Verdampfung von Se während dem Diffusionsvor­ gang erzeugt werden. Infolge dieser Gegebenheiten ist es möglich, die Erzeugung von Leerstellen zu verringern und einen p-leitenden Bereich auszubilden.
Wenn jedoch Gold und Silber in einen herkömmlichen ZnSe-Kri­ stall diffundiert wird, wobei keine Regulierung des Dampfdruckes erfolgt, werden Donator-Leerstellen in großer Anzahl vom Beginn des Diffusionsvorganges an und auch während des Diffusionsvor­ ganges erzeugt, wodurch die Ausbildung eines pn-Überganges Schwierigkeiten bereitet. Es ergeben sich jedoch nicht nur diese Schwierigkeiten, vielmehr werden durch die Störstellen im ver­ botenen Band tiefe Niveaus ausgebildet, welche nicht zur Licht­ emission beitragen, und außerdem tragen die Störstellen dazu bei, daß sich Komplexe aus Störstellen und Leerstellen bilden. In die­ sen Bereichen findet keine Lichtemission statt. Andererseits ist jedoch die Konzentration von Se-Leerstellen in dem unter regulier­ tem Dampfdruck erzeugten Substratkristall bemerkenswert klein. Für den Fall, daß die Diffusion einer Störstelle im Vakuum an­ stelle einer Edelgas-Atmosphäre, z. B. Argon, ausgeführt wird, treten während der Diffusion verdampfte Se-Moleküle aus dem Kristall aus. Die Diffusion kann mit Hilfe eines Systems ausge­ führt werden, welches in Fig. 1 schematisch angedeutet ist. Da­ nach wird ein Substratkristall 2 zusammen mit einer Störstellen­ quelle 4, z. B. einem goldbeschichtetem Film, und ein Se-Metall 3 in einer Quarzröhre 1 angeordnet, in welcher eine Edelgasatmos­ phäre aus Argon besteht. Das Se-Metall 3 und der Quarzkristall 2 sowie die Störstellenquelle 4 sind voneinander getrennt angeordnet. Die Quarzröhre wird derart angeordnet, daß sie in zwei unter­ schiedlichen Temperaturzonen liegt. In der Tem­ peraturzone mit der Temperatur T₁ befindet sich der Substrat­ kristall 2, wogegen in der Temperaturzone mit der Temperatur T₂ das Se-Metall angeordnet ist. Da man den Dampfdruck von Se kennt, ist die Temperatur T₂ derart einzustellen, daß der erfor­ derliche Dampfdruck erreicht wird. Grundsätzlich soll der Dampf­ druck so hoch als möglich sein, und deswegen ist es wünschens­ wert, die Temperatur T₂ entsprechend hoch einzustellen. In Anbe­ tracht der Tatsache, daß Se leicht bei dem ihm zugeordneten Dampfdruck in die erste Zone transportiert werden kann, ergibt sich, daß für eine Temperautur T₂<T₁ ein erheblicher Se-Anteil in die erste Zone transportiert würde. Man sollte allerdings be­ achten, daß bei einer ausreichend kurzen Diffusionszeit die Bezie­ hung T₂<T₁ nicht immer eingehalten werden muß, wenn die kur­ ze Diffusionszeit sicherstellt, daß nur verhältnismäßig wenig Se in die erste Zone transportiert werden kann. In vielen Fällen ist es wünschenswert, die Diffusion mit Gold oder Silber bei Temperaturen von z. B. T₁=350°C und T₂=330°C durchzuführen. Der Se- Dampfdruck muß dann zumindest 0,13 mbar oder höher sein. Bei dem erwähnten Beispiel wurde für den Se-Dampfdruck eine Größe von etwa 0,65 mbar gewählt. Bei diesem Beispiel ergibt sich, daß bemerkenswert wenig Se-Leerstellen erzeugt werden und kaum eine Selbstkompensation stattfindet. Unter diesen Bedingungen wird der Diffusionsbereich p-leitend. Während der Diffusionsphase ist Se-Dampf in der den Substrat-Kristall umgebenden Atmosphäre vor­ handen. Deshalb kann kaum Se aus dem Substratkristall verdampfen. Damit wird während der Wärmebehandlung die Abweichung von der Stöchiometrie, d. h., die Erzeugung von Se-Leerstellen, extrem gering.
An sich ist es bekannt, bei der Diffusion von Störstellen auf den Halbleiterkristall einen dem Halbleitermaterial entsprechenden Dampfdruck einwirken zu lassen. Trotzdem erhielt man bisher keinen pn-Übergang in ZnSe. Hierfür kann man die Tatsache als Grund angeben, daß das Verfahren des gesteuerten Dampfdruckes nicht während dem Züchten des Kristalls verwen­ det wurde, so daß man nur einen Substratkristall erhielt, welcher eine bemerkenswert große Leerstellenkonzentration hatte. Eine Steuerung des Dampfdruckes zu dem Zeitpunkt der nachfolgenden Diffusion von Störstellen reicht nicht aus, um Leerstellen zu re­ duzieren, wobei überdies die Diffusionszeit zu kurz ist. Deshalb ist es nicht möglich, während der Störstellendiffusion die Leer­ stellen zu verringern.
Nachfolgend wird auf die Wellenlänge des von einer Diode emit­ tierten Lichtes eingegangen, welche nach dem vorausstehenden Verfahren z. B. aus einem ZnSe-Kristall hergestellt ist. Der Bandabstand E g für ZnSe bei Zimmertemperatur beträgt etwa 2,8 eV. Der Wellenlängenbereich von der blau-grünen Farbe im sichtbaren Bereich bis zur violetten Farbe hat eine Breite von etwa 550 nm bis 450 nm. Wenn man diesen Wellenlängenbereich im Sinne der Photonenenergie betrachtet, erstreckt er sich über einen Bereich von etwa 2,25 eV bis etwa 2,75 eV. Also sollte für den ZnSe-Kristall ein Donator-Niveau E p in der Größenordnung von etwa 0,03 eV bis 0,2 eV existieren. Dementsprechend sollte, um eine Lichtemission mit Wellenlängen im Bereich von blau/grün bis violett zu erhalten, das Akzeptorniveau eine Tiefe von etwa 0,55 bis etwa 0,05 eV, gemessen vom Valenzband, haben, wenn der Übergang zwischen dem Leitungsband und dem Akzeptorniveau do­ miniert, wogegen eine Tiefe von etwa 0,4 bis etwa 0,02 eV zweck­ mäßig ist, wenn der Übergang zwischen dem Donatorniveau und dem Akzeptorniveau dominiert. Daher ist es erforderlich, daß das Akzeptorniveau einer Störstelle, welche für eine p-Leitfähig­ keit verantwortlich ist, einen Wert von etwa 0,5 eV oder weniger, gemessen vom Valenzband, hat. Ferner ist zu beachten, daß bei einem Akzeptorniveau von etwa 0,5 eV die Ionisation der positi­ ven Löcher bei Zimmertemperatur zu klein ist. Aus diesem Grund ist es für eine gute elektrische Leitfähigkeit im allgemeinen wün­ schenswert, daß das Akzeptorniveau verhältnismäßig flach ist, so daß es zweckmäßiger erscheint, wenn das Störstellenniveau einen Wert von 0,2 eV oder weniger hat.
Die Eigenschaften von Gold als Störstellendotierungsmaterial sind bisher nur wenig bekannt. Wenn man jedoch bei der Herstellung einer LED im Auge behält, daß ein pn-Übergang mit einer Emis­ sion im Blaulichtbereich erzielbar ist, dann scheint Gold ein Ak­ zeptor-Niveau von 0,2 eV und weniger zu haben.
Störstellenmaterialien, deren Akzeptor-Niveaus für ZnSe-Kristalle bekannt sind und für die Dotierung geeignet sind, werden in Tabelle 2 angegeben.
Tabelle 2
Man kann aus der Tabelle entnehmen, daß auch Silber zur Ausbil­ dung eines pn-Überganges Verwendung finden kann. Man muß je­ doch dabei beachten, daß auch Silber bestrebt ist, ein tiefes Ni­ veau in der Größenordnung von 0,5 eV auszubilden.
Selbst wenn man die Störstellendiffusion bei einem regulierten Dampfdruck ausführt, findet immer noch eine gewisse Verdampfung von Se statt, wenn der Dampfdruck nicht ausreichend groß ist. Die­ se Verdampfung von Se kann verhindert werden, wenn für die Diffu­ sionsstörstellen Materialien verwendet werden, deren Diffusionsge­ schwindigkeit ausreichend größer als die Geschwindigkeit ist, mit welcher die im Oberflächenbereich befindlichen Se-Leerstellen, welche infolge der Verdampfung von Se erzeugt werden, in das Innere des Kristalls diffundieren, wobei erforderlich ist, daß die Störstellendiffusion während einer verhältnismäßig kurzen Zeitdauer ausgeführt wird. Als Störstellenmaterial ist Gold wie bereits erwähnt besonders geeignet.
Beispiel 2
Bei diesem Ausführungsbeispiel wird ein n-leitender ZnSe-Substratkristall benutzt, der bei einer regulierten Dampfatmosphäre gezüchtet wurde. Eine p-leitende ZnSe-Schicht wird mit Hilfe einer Epitaxialtechnik in einer Se-Dampfatmosphäre aufgewachsen. Die Epitaxialmethode adoptiert das Flüssigphasenwachstum und verwendet eine Einrichtung ähn­ lich der Einrichtung, wie sie bei einem Epitaxialverfahren mit reguliertem Dampfdruck für die Halbleitermaterialien der Gruppe III-V Verwendung findet. Ein schematischer Aufbau ist in Fig. 2 dargestellt.
Auf einer Gleitschiene 10 aus Kohlenstoff, welche in einem nicht dargestellten Quarzrohr angeordnet ist, sind Substrate 50 abge­ legt. In Schmelzbadbehältern 20 sind Gemische aus geschmolzenem Zn, Te und Se angeordnet. Die Schmelzbadbehälter 20 sind mit einem Deckel luftdicht verschlossen. Das Verhältnis der ge­ schmolzenen Metallanteile von Te und Se wird auf ein gewünschtes Niveau eingestellt. Aus Bereichen 40 wird über eine Quarz­ röhre ein vorher festgelegter Se-Dampfdruck einwirken lassen. Diese Quarzröhre reicht in einen Bereich, in welchem das Se auf eine Temperatur T₂ erhitzt wird. Auf der Außenseite der Quarzröhre 10 im Bereich der Schmelzbadbehälter 20 sowie der Substrate 50 ist ein oberes und ein unteres Heizregister 60 bzw. 70 angeordnet. Die Temperatur des oberen Heizregisters 60 ist höher eingestellt als die des unteren Heizregisters 70. Auf diese Weise wird das Kristallwachstum aus der flüssigen Phase durch die ausgelöste Temperaturdifferenz verwirklicht.
In der gemischten Metallschmelze aus Te und Se hat das Te die Funktion eines Lösungsmittels. Basierend auf dem Se der Metall­ schmelze und der Temperaturdifferenzmethode kann das Wachstum aus der flüssigen Phase bei Temperaturen von etwa 1000°C und darunter erreicht werden. Da der Segregationskoeffizient von Te­ beim Einbau in den Kristall verhältnismäßig klein ist, bleibt der Te-Gehalt in der aufgewachsenen Schicht bei etwa 1% und darunter. Da sich daher als aufgewachsene Schicht im wesentlichen ein ZnSe- Kristall ausgebildet und da das Wachstum im wesentlichen unter re­ guliertem Dampfdruck erfolgt, hat der gezogene Kristall eine mi­ nimale Se-Leerstellenkonzentration.
Die Schmelze wird mit Störstellenmaterial der Tabelle 2, wie z. B. Gold, Silber oder Phosphor dotiert. Da die epitaxial gewachsene Schicht sehr dünn sein kann, ist es aus dem Gesichtspunkt der charakteristischen Eigenschaften des pn-Übergangs wünschenswert, die Schicht bei einer Temperatur von etwa 800°C bis etwa 400°C aufzubringen. Diese Temperaturen liegen viel tiefer als die zwi­ schen etwa 950°C und 900°C liegenden Temperaturen für das Ziehen eines Substratkristalls nach bekannten Verfahren. Da also der Kristall bei wesentlich tieferen Temperaturen gezogen werden kann als sie für das reguläre diffundieren von Störstellen benötigt wird, ist der Bereich der Abweichung von der Stöchiometrie sehr klein. Damit wird die Se-Leerstellenkonzentration oder die Kon­ zentration des Se-Komplexes mit Störstellen und Leerstellen wei­ ter verringert, so daß man eine Diode erhält, welche ein Licht im blau-grünen Spektralbereich emittiert.
Das oben beschriebene Verfahren zur Herstellung eines pn-Über­ gangs kann mit gleichem Erfolg für ZnS, CdS und CdSe einge­ setzt werden. Wenn man eine im blau-grünen Spektralbereich lichtemittierende Diode wünscht, sollte man beachten, daß ZnS einen großen Bandabstand hat. CdS hat einen Bandabstand von 2,5 eV. Damit ist es geeignet für eine licht­ emittierende Diode mit einer Emission im grünen oder gelben Spektralbereich, wenn der Wert des Akzeptorniveaus vom Wert des Bandabstandes abgezogen wird.
Wie aus der Tabelle 2 hervorgeht, kann Silber als Akzeptor-Störstellenmaterial in ZnSe zwei oder mehr Akzeptorniveaus haben. In diesem Fall kann für ZnSe nicht nur eine Emission im blauen Spektralbereich, sondern auch eine Emission im roten oder gelben Spektralbereich gleichzeitig auftreten. Wenn dies der Fall ist und eine Emission im reinen blauen Spektral­ bereich gewünscht wird, kann man Fe₂O₃ in das Epoxydharz der Abdeckung einbauen, welches das Licht im roten und gelben Spektralbereich absorbiert.

Claims (8)

1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers aus einer II-IV-Verbindung mit einem pn-Übergang, wobei zunächst ein Halbleiterkristall eines ersten Leitfähig­ keitstyps aus einer Elemente der II. und VI. Gruppe enthaltenden Schmelze gewachsen wird, über welcher der Dampfdruck des leichter flüchtigen Elements durch getrennte Erhitzung dieses Elements erhöht wird, dadurch gekennzeichnet, daß anschließend, während der Halbleiterkristall einem erhöhten Dampfdruck des leichter flüchtigen Elementes ausgesetzt ist, in den Halbleiterkristall zur Erzeugung des pn-Übergangs ein Störstellenmaterial zur Herstellung eines Bereichs vom zweiten Leitfähigkeitstyp eindiffundiert wird.
2. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers aus einer II-IV-Verbindung mit einem pn-Übergang, wobei zunächst ein Halbleiterkristall eines ersten Leitfähig­ keitstyps aus einer Elemente der II. und VI. Gruppe enthaltenden Schmelze gewachsen wird, über welcher der Dampfdruck des leichter flüchtigen Elements durch ge­ trennte Erhitzung dieses Elements erhöht wird, dadurch gekennzeichnet, daß anschließend auf den Halbleiter­ kristall eine epitaxiale Schicht unter erhöhtem Dampfdruck des leichter flüchtigen Elements unter Zugabe eines Stör­ stellenmaterials zur Herstellung eines Bereichs vom zweiten Leitfähigkeitstyp aufgewachsen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß für ZnSe die Temperatur der Schmelze während des Wachsens des Halbleiterkristalls auf weniger als 1000°C gehalten wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Schmelze Tellur in einer solchen Menge beigegeben wird, daß in dem Halbleiterkristall 1% oder weniger Tellur enthalten ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für ZnSe die Störstellen bei einer Temperatur von etwa 600°C und weniger unter einem Dampfdruck von 1,3 mbar und mehr für die leichter flüchtige Komponente Se diffun­ diert werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß als Störstellenmaterial Gold verwendet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß als Störstellenmaterial Silber verwendet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß Gold bei einer Temperatur in einem Bereich von etwa 400 bis etwa 300°C eindiffundiert wird.
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