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Diese
vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen Leistungsverstärker und
im Einzelnen eine Hetero-Bipolar-Transistor-(HBT-)Leistungsverstärkerregelung.
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Jedoch
können
Emitterfolgerschaltungen wie beispielsweise diese, insbesondere
unter hoher Leistungsansteuerung, Stabilitätsprobleme zeigen. Im Einzelnen
sind HBT-Steuerschaltungen auf der Grundlage von Emitterfolger-HBT
empfindlich für
Oszillationen, die eine Betriebsleistung nahe der Spitze zeigen,
auf Grund der großen
Veränderungen
bei den kapazitiven Belastungs- und Vorspannungserfordernissen der
Leistungsverstärkerstufe
unter Steuerung. Dies kann ein induktives Schwingen am Kollektor
des für
die Vorspannungssteuerungsschaltung verwendeten Transistors verursachen.
Das Unterdrücken
von Oszillationen ist entscheidend für die Verstärkerleistung.
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Ein
zusätzlicher,
aber wichtiger, Aspekt der HBT-Steuerschaltung vom grundlegenden
Emitterfolgertyp ist die zum Ansteuern der Steuerschaltung notwendige
Menge an Steuerstrom, die den statischen Ruhevorspannungspunkt des
Leistungsverstärkers
festlegt. Bei hohen Betriebsleistungspegeln wird durch einen Leistungsverstärker (z.B.
den Leistungsverstärker 118 in 1)
HF-Leistung verstärkt und übertragen
und fällt
ebenfalls an der Basis-Emitter-Verbindung einer Steuerschaltung
(z.B. der Basis-Emitter-Verbindung
des Steuertransistors 108 in 1) ein. Die
am Emitter der Steuerschaltung einfallende HF-Leistung bewirkt eine
Gleichrichtung und steigert die zur Ausgangsleistungssteuerung des Leistungsverstärkers erforderliche
Steuerstrommenge. Ein anderes Problem bei den Steuerschaltungen im
grundlegenden Emitterfolgerstil ist, dass die diesen Schaltungen
arteigene scharfe Leistungssteuerungssteilheit (dB/V) das Steuern
des Leistungsverstärkers
schwierig machen kann.
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Dementsprechend
wäre es
hilfreich für
das Gebiet der elektromagnetischen Verarbeitung, effizientere und
zuverlässigere
Leistungsverstärkersteuerungen
bereitzustellen.
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Nach
einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Schaltung bereitgestellt,
die Folgendes umfasst: einen ersten Transistor, einen zweiten Transistor
in Emitterschaltung, einen zwischen einen Emitteranschluss des ersten
Transistors und einen Basisanschluss des zweiten Transistors gekoppelten Vorschaltwiderstand,
eine zwischen die Basis des ersten Transistors und Erde gekoppelte
Diodensäulenschaltung
und einen zwischen einen ersten Eingangsknoten und den Basisanschluss
des ersten Transistors gekoppelten Vorspannungswiderstand, wobei
eine an den ersten Eingangsknoten angelegte Steuerspannung die Verstärkung eines
an den Basisanschluss des zweiten Transistors angelegten Signals
steuert, gekennzeichnet durch: eine Rückkopplungsstabilisierungsschaltung,
die wenigstens einen Kondensator und wenigstens einen Widerstand,
unmittelbar in Reihe zwischen den Kollektor des ersten Transistors
und die Basis des ersten Transistors geschaltet, einschließt.
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Vorzugsweise
schließt
die Schaltung wenigstens einen Überbrückungskondensator
ein, der an einen Kollektoranschluss des ersten Transistors gekoppelt
ist.
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Vorzugsweise
ist wenigstens ein Zusatzwiderstand zwischen den Emitteranschluss
des ersten Transistors und einen Basisanschluss des ersten Transistors
gekoppelt.
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Nach
einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren
zum Verstärken
eines Signals bereitgestellt, das die folgenden Schritte umfasst:
Bereitstellen eines zwischen einen ersten Eingangsknoten und einen
Basisanschluss eines ersten Transistors gekoppelten Vorspannungswiderstands,
Bereitstellen einer zwischen die Basis des ersten Transistors und
Erde gekoppelten Diodensäulenschaltung,
um Temperaturschwankungen auszugleichen, Bereitstellen eines Steuersignals
für den ersten
Eingangsknoten, Erzeugen einer Vorspannung über einen an einen Emitteranschluss
des ersten Transistors gekoppelten Vorschaltwiderstand, Anlegen
der Vorspannung an den Basisanschluss eines zweiten Transistors
in Emitterschaltung, um die Verstärkung eines ebenfalls an den
Basisanschluss des zweiten Transistors angelegten Signals zu verändern, gekennzeichnet
durch: Bereitstellen einer Rückkopplungsstabilisierung
des Steuersignals über wenigstens
einen Kondensator und wenigstens einen Widerstand, in Reibe zwischen
den Kollektor des ersten Transistors und die Basis des ersten Transistors
geschaltet.
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1 zeigt
eine schematische Darstellung einer Leistungsverstärkungssteuerschaltung
nach einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
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2 zeigt
eine schematische Darstellung einer Leistungsverstärkerschaltung,
welche die Steuerschaltung von 1 einschließt.
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3(a) ist eine graphische Darstellung, welche die
Stabilitätsfaktoren
K, Muin und MUout über der
Frequenz für
eine Leistungsverstärkungssteuerschaltung
nach der Erfindung zeigt.
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3(b) ist eine graphische Darstellung, welche die
Verstärkungsparameter
S21 und Gmax (in Dezibel) über
der Frequenz für
eine Leistungsverstärkungssteuerschaltung
nach der Erfindung zeigt.
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Ein
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung schließt eine Vorrichtung und ein
Verfahren für
ein Leistungsverstärker-Steuerungssystem ein.
Zu Illustrationszwecken umfasst ein Ausführungsbeispiel grundlegend
einen Hetero-Bipolar-Transistor-(HBT-)Leistungsverstärker und
eine Steuerschaltung zum Steuern der Leistungsverstärkung eines
HF-Kommunikationssignals. Das hierin offenbarte Verstärkungssteuerungssystem
kann jedoch mit einer breiten Palette von Verarbeitungssystemen
für elektromagnetische
Wellen verwendet werden und ist nicht auf HF-Kommunikationssysteme begrenzt.
Das System kann in einer breiten Palette von Anwendungen, wie beispielsweise
Empfängern, Wandlern
und dergleichen, verwendet werden und ist nicht auf Sender begrenzt.
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Der
Begriff „Signal", wie er hierin verwendet wird,
sollte so breit aufgefasst werden, dass er jede Weise des Übermittelns
von Daten von einem Platz zu einem anderen einschließt, wie
beispielsweise einen elektrischen Strom oder ein elektromagnetisches Feld,
was ohne Begrenzung einen Gleichstrom, der an- und ausgeschaltet wird, oder einen
Wechselstrom oder elektromagnetischen Träger, der einen oder mehrere
Datenströme
enthält,
einschließt.
Daten können
zum Beispiel mit Hilfe von Modulation, die in analoger oder digitaler
Form ausgeführt
werden kann, auf einen Trägerstrom
oder eine -welle überlagert
werden. Der Begriff „Daten", wie er hierin verwendet
wird, sollte ebenfalls so breit aufgefasst werden, dass er jede
Art von Nachrichten oder anderen Informationen einschließt, wie
zum Beispiel und ohne Begrenzung Ton, wie beispielsweise Sprache,
Text und/oder Bild usw.
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Bei
dem zuvor erwähnten
HBT-Transistor-Ausführungsbeispiel
bringt die Erfindung den Stand der Technik bei der Verstärkergestaltung
voran durch Verbessern der Stabilität einer Steuerschaltung vom „Emitterfolger"-Typ für HF-Verstärker, wobei
sie die Spitzenbetriebsleistung des Verstärkers steigert, die zum Steuern
des Leistungsverstärkers notwendige
Steuerstrommenge vermindert und die Leistungssteuerungssteilheit
(dB/V) verbessert (verringert).
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Bei
dem Ausführungsbeispiel
der Steuerschaltung können
der Steuerschaltung mehrere Elemente hinzugefügt werden, um die Stabilität und Leistung
eines daran gekoppelten Leistungsverstärkers zu verbessern. Diese
Elemente können
zum Beispiel einen Linearisierungskondensator über einer Zweidiodensäule (siehe
Elemente 104, 114 in 1), der die
Steuerschaltungsstabilität
unter hoher Leistungsverstärkeransteuerung
verbessert und dazu beiträgt,
die Spitzenbetriebsleistung des Verstärkers zu steigern, einen integrierten
Kollektorüberbrückungskondensator
(siehe Element 110 in 1), der dazu
beiträgt,
das induktive Schwingen am Kollektor zu beseitigen, und ebenfalls
dazu dient, die Spitzenbetriebsleistung des Verstärkers zu
steigern, und einen zusätzlichen
Widerstand (siehe Element 112 in 1) über dem
Basis- und dem Kollektoranschluss eines Steuertransistors, um dazu
beizutragen, die Leistungssteuerungssteilheit des Leistungsverstärkers zu
verbessern (zu verringern), einschließen.
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1 illustriert
ein Ausführungsbeispiel
einer Leistungsverstärkungssteuerschaltung 100.
In ihrer grundlegendsten Ausführungsform
schließt
die Steuerschaltung einen ersten Transistor 108 (im Folgenden
auf Grund der Tatsache, dass er den Betrieb eines zweiten Transistors 118 steuert,
ebenfalls als „Steuer"-Transistor bezeichnet), einen zweiten
Transistor 118 (im Folgenden auf Grund der Tatsache, dass
er ein HF-Signal
verstärkt,
ebenfalls als „Verstärker"-Transistor bezeichnet),
einen Vorspannungswiderstand 102 und einen Vorschaltwiderstand 116 ein.
Der erste (Steuer-) Transistor 108 hat seinen Basisanschluss
durch den Vorspannungswiderstand 102 an einen ersten Eingangsknoten 101 gekoppelt. Bei
dem Ausführungsbeispiel
kann der erste (Steuer-) Transistor 108 einen HBT-Transistor
in Emitterfolgerkonfiguration umfassen.
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Der
zweite (Verstärker-)
Transistor 118 ist durch den Vorschaltwiderstand 116 an
den Emitteranschluss des ersten (Steuer-) Transistors 108 gekoppelt.
Der Kollektoranschluss des ersten (Steuer)-Transistors 108 ist
an eine Rückkopplungsstabilisierungsschaltung 106 gekoppelt,
die wiederum an einen dritten und einen vierten Transistor 104 gekoppelt
ist. Der Kollektoranschluss des ersten (Steuer-) Transistors 108 ist
ebenfalls an einen zweiten Eingangsknoten 111 gekoppelt.
Der zweite Eingangsknoten 111 ist vorzugsweise an eine
Normalspannungsquelle (z.B. Vcc), typischerweise
3 bis 5 Volt (V), gekoppelt.
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Im
Betrieb spannt ein an den Eingangsknoten 101 angelegtes
Leistungsverstärkersteuersignal (Spannung
oder Strom) den ersten (Steuer-) Transistor 108 vor und
bestimmt den Pegel der durch den zweiten (Verstärker-) Transistor 118 gelieferten
Ausgangsleistung. Im Einzelnen dient das Anlegen eines Steuersignals
an den ersten Eingangsknoten 101 zum Erzeugen einer Spannung über den
Vorspannungswiderstand 102 und erzeugt ebenfalls eine Steuerungseingabe
an den Basisanschluss des ersten (Steuer-) Transistors 108.
Die an den Basisanschluss des ersten (Steuer-) Transistors 108 angelegte
Steuerungseingabe spannt den Transistor AN vor, was folglich eine
Spannung über
den Vorschaltwiderstand 116 erzeugt. Die Spannung über den
Vorschaltwiderstand 116 wird demzufolge an den Basisanschluss
des zweiten (Verstärker-)
Transistors 118 angelegt. Der zweite (Verstärker-) Transistor 118 ist vorzugsweise
an einen Antennenkanal eines Eingangsmoduls eines Empfangen gekoppelt,
das für die
HF-Kommunikation verwendete Sprach- und/oder Datensignale enthält.
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Veränderungen
im Steuersignal (z.B. dem an den Eingangsknoten 101 angelegten
HF-Signal) steuern den Stromfluss durch den ersten (Steuer-) Transistor 108,
was folglich die Spannung über
den Vorschaltwiderstand 116 steuert. Die sich ergebende veränderliche
Steuerspannung über
den Vorschaltwiderstand 116 wird dem Basisanschluss des
zweiten (Verstärker-)
Transistors 118 eingegeben, was wiederum den Ruhevorspannungspegel
des zweiten (Verstärker-)
Transistors 118 steuert.
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Bei
dem Ausführungsbeispiel
umfasst der zweite (Verstärker-)
Transistor 118 vorzugsweise einen HBT-Transistor zum Verstärken der
Leistung eines HF-Signals, das zu einem Antennenkanal eines Eingangssendermoduls
weitergeleitet wird. Die vom zweite (Verstärker-) Transistor 118 ausgegebene HF-Leistung wird folglich
gesteuert durch: (1) die am Basisanschluss des zweiten (Verstärker-) Transistors 118 einfallende
HF-Leistung von einer anderen Quelle (z.B. einem spannungsgesteuerten
Oszillator (VCO), einer vorherigen Verstärkungsstufe bei einem mehrstufigen
Leistungsverstärker
usw.) und (2) die dem zweiten (Verstärker-) Transistor 118 durch
den Vorschaltwiderstand 116 zugeführte Steuerspannung (die sich
aus dem Anlegen des Steuersignals an den ersten Eingangsknoten 101 ergibt).
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Die
durch den Vorschaltwiderstand 116 angelegte Steuerspannung
bestimmt den Ruhevorspannungspegel des zweiten (Verstärker-) Transistors 118,
was wiederum den Pegel der durch den zweiten (Verstärker-) Transistor 118 (in
einen Antennenkanal des Eingangsempfängermoduls) weitergeleiteten
HF-Ausgangsleistung bestimmt. Auf diese Weise kann ein HF-Eingangssignal,
das die Sprach-/Dateninformationen enthält, wie beispielsweise ein
HF-Kommunikationssignal durch das System verstärkt werden, und eine solche
Verstärkung kann
gesteuert werden.
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Bei
dem Ausführungsbeispiel
können
zusätzliche
Transistoren (z.B. der dritte und der vierte Transistor 104)
ebenfalls als Teil einer „Diodensäule" eingeschlossen werden,
um die durch den Verstärkungsvorgang
erzeugten Temperaturschwankungen auszugleichen. Ein erster Überbrückungskondensator 114 kann über der
Diodensäule
(z.B. vom Basisanschluss des ersten Transistors in der Diodensäule zum
Emitteranschluss des letzten Transistors in der Diodensäule) angeordnet
werden. Der erste Überbrückungskondensator 114 kann
so ausgewählt
werden, dass er Nicht-Linearitäten
ausgleicht, die auf Grund von Begrenzungen in den Halbleitermaterialien,
aus denen die Schaltung gefertigt ist, im verstärkten Signal auftreten können, wenn
der Leistungspegel gesteigert wird. Folglich trägt der erste Überbrückungskondensator 114 dazu
bei, die Linearität
des verstärkten
Signals bei höheren
Leistungsverstärkungspegeln
aufrechtzuerhalten, um den Systembetrieb zu stabilisieren.
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Es
wird ebenfalls eine Rückkopplungsstabilisierungsschaltung 106 mit
dem ersten (Steuer-) Transistor 108 (der verwendet wird,
um den zweiten (Verstärker-)
Transistor 118 zu steuern) eingeschlossen, um die Stabilität der Steuerschaltung 100 zu
verbessern. Die Rückkopplungsstabilisierungsschaltung 106 umfasst
einen Widerstand 105 und einen Kondensator 107,
die in Reihe vom Kollektor des ersten (Steuer-) Transistors 108 zu
dessen Basis geschaltet sind. Diese Konfiguration trägt dazu
bei, die Spannungsverstärkung
der Steuerschaltung bei niedrigen Frequenzen im Verhältnis zu
den Sende- und Empfangsbändern
des Eingangsempfängermoduls
zu verringern.
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Ein
zweiter Überbrückungskondensator 110 kann
ebenfalls eingeschlossen werden, um die Spitzenbetriebsleistung
der Steuerschaltung 100 zu verbessern. Der zweite Überbrückungskondensator 110 kann
integriert mit dem ersten Transistor 108 bereitgestellt
werden und mit dem Kollektor desselben verbunden sein. Der zweite Überbrückungskondensator 110 verringert
in dieser Konfiguration unerwünschte Hochfrequenzoszillationen
in dem Steuersignal, das dem Basisanschluss des zweiten (Verstärker-) Transistors 118 zugeführt wird,
die bei Abwesenheit des zweiten Überbrückungskondensators 110 durch
induktives Schwingen am Kollektor des ersten (Steuer-) Transistors 108 verursacht
werden.
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Schließlich kann
ein zusätzlicher
Widerstand 112 über
der Basis (außerhalb
des Vorspannungswiderstandes 102) und dem Emitter des ersten
(Steuer-) Transistors 108 in der Steuerschaltung 100 angeordnet
sein. Der zusätzliche
Widerstand 112 verringert die Leistungssteuerungssteilheit
der Leistungsverstärkersteuerschaltung 100,
was folglich die Linearität
der Leistungsverstärkung
des Systems bei veränderlichen
Signalpegeln verbessert.
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Für Fachleute
auf dem Gebiet wird zu verstehen sein, dass der erste Überbrückungskondensator 114,
der zweite Überbrückungskondensator 110 und der
zusätzliche
Widerstand 112 für
den richtigen Betrieb der oben beschriebenen Steuerschaltung 100 nicht
erforderlich sind. Diese Elemente sind wahlweise und stellen zusätzliche
Vorteile bereit.
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2 illustriert
eine Leistungsverstärkerschaltung 200,
welche die zuvor erwähnte
Leistungsverstärkersteuerschaltung 100 einschließt. Wie
in 2 gezeigt, kann eine Vorverstärkungsstufe 210 verwendet
werden, um ein Steuersignal (z.B. das am ersten Eingangsknoten 101 bereitgestellte
Steuersignal zum Vorspannen des ersten (Steuer-) Transistors 108 in
der Steuerschaltung 100), das von der Verstärkungsstufe 220 ausgegeben
wird, zu verarbeiten. Die Vorverstärkungsstufe 210 kann
eine beliebige Zahl von Schaltungskonfigurationen umfassen, die
Fachleuten auf dem Gebiet gut bekannt sind, wie beispielsweise die
in 2 gezeigte Konfiguration von Transistor und Vorspannungsbauteil.
Fachleute auf dem Gebiet werden erkennen, dass die für die Vorverstärkungsstufe 210 gezeigten
spezifischen Werte von Vorspannungsbauteilen nur Illustrationszwecken dienen
und dass die Erfindung nicht auf dieselben begrenzt ist.
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Es
wird zu bemerken sein, dass die Verstärkungsstufe 220 der
Leistungsverstärkerschaltung 200 die
Grundelemente der oben unter Bezugnahme auf 1 beschriebenen
Steuerschaltung 100 einschließt. Im Einzelnen umfassen Transistoren
Q540 und Q7200 den ersten (Steuer-) und den zweiten (Verstärker-) Transistor 108, 118 der
Steuerschaltung 100. Ferner umfassen die Transistoren Q90
den dritten und den vierten Transistor 104 der Diodensäule. Fachleute
auf dem Gebiet werden erkennen, dass die für die Verstärkungsstufe 220 gezeigten
spezifischen Werte von Vorspannungsbauteilen nur Illustrationszwecken
dienen und dass die Erfindung nicht auf dieselben begrenzt ist.
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3a und 3b sind
graphische Darstellungen, welche die simulierte Leistung der Steuerschaltung 100 der
vorliegenden Erfindung illustrieren. Die Simulationen wurden mit
einem oberflächenmontierbaren
externen Überbrückungskondensator
(in 1 bis 2 nicht gezeigt) von 4700 Picofarad (pF)
am ersten Eingangsknoten 101 der Steuerschaltung 100 durchgeführt. Zusätzlich wird
die Steuerschaltung 100 strom- und kapazitiv belastet, so dass sie
aktiv vorgespannt wird, auf eine Weise, ähnlich den Bedingungen, die
sie unter Hochleistungsbetrieb innerhalb der Leistungsverstärkerschaltung 200 von 2 antreffen
würde.
Die begrenzte Stabilität
und die übermäßige Verstärkung der
Steuerschaltung 100 machen sie anfällig für das Verstärken von unerwünschten
Störsignalen
(eingekoppelt von der HF-Leistungsverstärkerschaltung 200)
und Rauschen (von Steuerschalttechnik, die sich außerhalb der
Leistungsverstärkerschaltung 200 befindet,
ausgelegt zum Steuern der Leistungsverstärker-Leistungspegel) und danach
für das
Rückkoppeln
dieser Störsignale
und des Rauschens unmittelbar zur Leistungsverstärkerschaltung 200.
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Das
Einkoppeln von unerwünschten
Störsignalen
und Rauschen kann verbessert werden durch Steuern der Verstärkung der
Steuerschaltung 100 selbst, die durch einen simulierten
Parameter „S21" und einen zugeordneten
Verstärkungsparameter „Gmax" definiert wird.
Je größer die
Funkfrequenz- und HF- Verstärkung (d.h.,
S21 und Gmax) der Steuerschaltung 100, desto instabiler
kann die Steuerschaltung sein und folglich bewirken, dass die zugeordnete
Leistungsverstärkerschaltung 200 instabil
ist und unerwünschte
Störsignale
erzeugt und verstärkt. Weiter
unten werden unter Bezugnahme auf 3 bis 7 verschiedene Vorspannungsanordnungen
für die
Steuerschaltung 100 beschrieben, die dazu dienen, die Verstärkungsparameter
S21 und Gmax zu steuern und folglich das Erzeugen und Verstärken von
Störsignalen
durch die zugeordnete Leistungsverstärkerschaltung 200 zu
begrenzen.
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In
den in 3(a) und 3(b) gezeigten graphischen
Darstellungen wurde der Vorspannungswiderstand 102 auf
280 Ω festgelegt.
Ein Diodensäulen-Überbrückungskondensator 114 wurde auf
14 pF festgelegt, und ein zweiter Überbrückungskondensator 110 wurde
auf 22 pF festgelegt. Die Rückkopplungsstabilisierungsschaltung 106 schließt einen
Widerstand von 90 Ω in
Reihe mit einem Kondensator von 2 pF ein. Wie aus 3(a) und 3(b) zu
ersehen ist, verringerte die sich ergebende Ausführungsform die Verstärkung der
Steuerschaltung 100 bedeutsam und verbesserte die Gesamtstabilität der Steuerschaltung
(und des Leistungsverstärkers)
unter Betriebsbedingungen, ähnlich
denen, die innerhalb eines gesättigten
Leistungsverstärkers
anzutreffen sind.
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Nachdem
so die Erfindung beschrieben worden ist, werden Fachleuten auf dem
Gebiet leicht verschiedene Veränderungen,
Modifikationen und Verbesserungen offensichtlich sein. Es ist beabsichtigt, dass
solche Veränderungen,
Modifikationen und Verbesserungen, wie sie durch diese Offenbarung
offensichtlich gemacht werden, ein Teil dieser Beschreibung sind,
obwohl sie nicht ausdrücklich
hierin dargelegt werden, und es ist beabsichtigt, dass sie innerhalb
des Rahmens der Erfindung liegen, wie sie durch die angefügten Ansprüche definiert
wird.
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Eine
Person mit Durchschnittskenntnissen auf dem Gebiet wird dementsprechend
erkennen, dass Ausführungsformen
der Erfindung oder verschiedene Bauteile und/oder Merkmale derselben vollständig aus
Hardware, Software bestehen können
und/oder eine Kombination von Software und Hardware sein können. Dementsprechend
können jeder
der Blöcke
der Zeichnungen und Kombinationen von Blöcken der Zeichnungen auf viele
unterschiedliche Weisen umgesetzt werden, wie es Fachleuten auf
dem Gebiet gut bekannt ist. Folglich dient die vorstehende Beschreibung
nur als Beispiel und nicht als Begrenzung. Die Erfindung wird nur
begrenzt, wie sie in den folgenden Ansprüchen und deren Äquivalenten
definiert wird.
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Obwohl
die Erfindung in Bezug auf Ausführungsbeispiele
beschrieben worden ist, ist sie nicht auf dieselben begrenzt. Stattdessen
sollten die angefügten
Ansprüche
weit aufgefasst werden, so dass sie andere Varianten und Ausführungsformen
der Erfindung einschließen,
die durch Fachleute auf dem Gebiet vorgenommen werden können, ohne
von dem Rahmen und der Reichweite von Äquivalenten der Erfindung abzuweichen.