DE60015189T2 - Verfahren zur Herstellung von SiON-Wellenleitern - Google Patents

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Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von SiON-Lichtwellenleitern.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG, STAND DER TECHNIK
  • Breitbandkommunikation hängt heute zunehmend von optischen Fasern und optischen Komponenten für Signalverstärkung, Signalführung, Hinzufügen und Entfernen von Information ab. Der Bedarf an Hochleistungs-Kommunikationssystemen hat zur Verwendung von Lichtwellenleitern geführt. Ein Lichtwellenleiter besteht aus einem Kern, hergestellt aus einem Material mit hohem Brechungsindex, und einem Mantel aus einem Material mit niedrigem Brechungsindex, der den Kern umgibt. Bei der üblichen Lichtwellenleitertechnologie sind der Kern und der Mantel aus dotiertem Quarzglas hergestellt, wobei der Brechungsindexkontrast, also der Unterschied des Brechungsindexes der Kernschicht im Verhältnis zu den Mantelschichten, durch ein Dotierungsprofil erreicht wird, z.B. unter Anwendung von P-Dotierung oder Ge-Dotierung. Um optische Komponenten in einer kosteneffizienten Weise in Massenproduktion herzustellen, ist es wünschenswert, die Flächendichte zu erhöhen. Dies kann mit der SiON-Technologie erreicht werden. Ein Überblick über die Technologie der planaren Wellenleiter wird z.B. in „Silica-based optical integrated circuits" von Y.P. Li und C.H. Henry; IEEE Proc.- Optoelectron., Vol.143, No.5, Oktober 1996, 5.263–280, gegeben.
  • Um die Flächendichte im Vergleich zur üblichen Technologie zu erhöhen, sind kleinere Biegeradien erforderlich. Kleinere Biegeradien erfordern aber eine stärkere Führung der optischen Moden als in einem geraden Wellenleiter oder einer Faser. Dies wird durch die Erhöhung des Brechungsindexkontrastes zwischen Kern und Mantel erreicht. Ein Beispiel für ein Verfahren zur Erhöhung des Brechungsindexes eines Glasmaterials wird in der US-Patentschrift 5 500 031 gegeben, wobei das Material mit Wasserstoff unter Wärmeanwendung behandelt wird. Jedoch begrenzen die maximalen Dotierungsniveaus mit P, B, Ge oder anderen Dotierungsmitteln in SiO2 (Siliziumdioxid) den maximal erreichbaren Indexkontrast, und somit gibt es für Wellenleiter ainen minimalen erreichbaren Biegeradius. Bei herkömmlichen Fasern und bei planarem Ge-Siliziumdioxid (SiO2) liegt der Indexkontrast im Bereich von 0,002 bis 0,006. Dies erlaubt einen Krümmungsradius von typischerweise 15 mm. Der Indexkontrast in der SiON-Technologie beträgt typischerweise 0,02 (d.h. 3× bis 10× höher) und erlaubt einen Krümmungsradius bis herunter zu 1,5 mm. Dies entspricht einer Erhöhung der Flächendichte um den Faktor 100. Ein guter Kompromiss zwischen dem minimalen Biegeradius und Kopplungsverlusten gegenüber der Standardfaser und dem daraus resultierenden erforderlichen Unterschied in der Materialzusammensetzung zwischen Kern und Mantel können z.B. mit einem effektiven Brechungsindexkontrast um 0,02 erreicht werden.
  • Wenn die Hülle aus Siliziumdioxid, also SiO2, hergestellt ist, das einen Brechungsindex von 1,45 hat, ist für den Kern ein Material mit einem Brechungsindex nahe 1,51 erwünscht.
  • Wellenleiter mit so einem hohen Indexkontrast können mit Siliziumoxynitrid (SiON)-Kernschichten hergestellt werden. Ein Beispiel für die Verwendung von SiON als Material zur Herstellung von Wellenleitern wird in der US-Patentschrift 5 416 861 gegeben.
  • Dank der Stickstoff- „dotierten" Siliziumoxidverbindung kann der Brechungsindex in sehr flexibler Weise angepasst werden, um andere Gestaltungskriterien wie z.B. erzielbare Dimensionen zu erfüllen. Ein relativ hochwirksamer seitlicher Kontrast im Brechungsindex kann genutzt werden, der etwa 10× höher ist als der in Ge-dotieerten SiO2-Wellenleitern genutzte. Dies erlaubt es, bei Schaltungs-Layouts einen 10× kleineren Krümmungsradius (1,5 mm) zu verwenden.
  • Eine typische Herstellungstechnik ist es, Siliziumoxynitrid über einen PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)-Prozess unter Verwendung von Silan (SiH4), Distickstoffmonoxid (N2O) und Ammoniak (NH3) als gasförmige Vorprodukte abzuscheiden. Das resultierende Material besitzt aber eine hohe Wasserstoffkonzentration. Wasserstoff ist in Form von Hydroxygruppen, Si-H-Gruppen und NH- und NH2-Fragmenten eingebaut. Diese Gruppen und Fragmente führen zusätzliche Absorption in die optische Durchlasscharakteristik des Siliziumoxynitrids ein. Die erste Oberschwingung der NH-induzierten Absorption liegt bei 1510 nm und überlappt mit dem Spektralfenster, das für optische Signalübertragung benutzt wird, und das sich von 1540 nm bis 1570 nm erstreckt, im Folgenden einfach als das optische Übertragungsfenster bezeichnet. Dieses Fenster hat man für optische Übertragung aufgrund der Tatsache ausgewählt, dass die optischen Durchlässigkeitsverluste um 1550 nm herum minimal sind (aufgrund der Herstellungsreinheit), und dass für volloptische Verstärker in Fasernetzwerken (zur Vermeidung von elektrisch-optischen Umwandlungen) die einzigen derzeit erhältlichen Verstärker auf Er (Erbium)-Dotierung von SiO2-Fasern basieren, und das resultierende Verstärkungsfenster auf 1540–1570 nm begrenzt ist. Deswegen ist der akzeptierte Standard für die optischen Telekommunikationsfrequenzen auf dieses Fenster festgelegt worden (vgl. „Review of Rare Earth Doped Fiber Lasers and Amplifiers" von P.Urquhart; IEEE Proc., Band. 135, Pt.J, Nr. 6, Dezember 1988, S. 385–407).
  • Die oben erwähnte NH-Absorption führt zu oft inakzeptabel hohen Verlusten für anwendbare Produkte. Die Wasserstoffkonzentration und damit die resultierenden Absorptionsverluste werden daher derzeit durch ein Hochtemperatur-Temperverfahren verringert, wie z.B. beschrieben im MRS Proceedings-Buch der Frühjahrstagung 1999 der MRS Materials Research Society, „Materials Research Society (MRS) Spring Meeting 1999, 5 bis 8 April 1999, Paper BB.8.3, Symposium BB on Multicomponent Oxides", MRS Proceedings Band 574, S. 255 bis 260, 1999 (ISBN 1-55899-481-5). Das Verfahren verfestigt das SiON-Material und entfernt Wasserstoff aus der N-H-Bindung in Form von H2 und H2O. In herkömmlichem SiON-Material (SiON:H) werden die Verluste durch höhere Temperaturen oder längere Temperzeiten auf niedrigere Werte verringert, aber beide Wege beinhalten das Risiko, ungewollte Fehlstellenstreuung oder Kristallisation einzuführen. Ein weiterer negativer Nebeneffekt des Hochtemperatur-Temperns ist die Einführung von anisotropischer Spannung, verursacht durch den Unterschied der Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Siliciumsubstrat und dem Material des Wellenleiters. Die Spannung korreliert mit dem Temperaturunterschied zwischen Raumtemperatur und der höchsten Tempertemperatur oder einer materialspezifischen Temperatur nahe dessen oberem Kühlpunkt, je nachdem, welche niedriger ist. Die Spannung begünstigt Doppelbrechung und polarisierungsabhängige Durchlasscharakteristiken und ist für die meisten Anwendungen nicht erwünscht.
  • Es ist in der Technik der Faserherstellung bekannt, Deuterium an Stelle von Wasserstoff zu benutzen, um Glas zu produzieren, das einen niedrigen Hydroxygruppen (-OH) -Gehalt hat. Die Hydroxygruppe, die normalerweise in Glas vorhanden ist, das in Gegenwart von Wasserstoff produziert wurde, wird durch das Deuterium enthaltende Ion OD– ersetzt. Absorptions-Spitzenwerte, die normalerweise durch die Gegenwart der Hydroxy-Ionen verursacht werden, werden nach höheren Wellenlängen hin verschoben, wo die Absorptionen nicht lästig sind, wenn der Wellenleiter benutzt wird, um Licht im Bereich von etwa 7000 Å zu übertragen. Daher offenbart die US-Patentschrift 3 791 714 die Herstellung eines SiO2-Wellenleiters über ein Flammenhydrolyseverfahren unter Verwendung von Deuteriumgas oder eines Deuteriumverbindungsgases, das durch eine Flüssigkeit geführt wird, die eine Siliziumverbindung wie Siliziumtetrachlorid enthält. Der resultierende Dampf wird bei hohen Temperaturen (etwa 1800°C) verbrannt, um einen Film von Siliziumdioxid auf einem sich drehenden Dorn abzuscheiden, was zu einem „Ruß"-Niederschlag führt, der OD-Bindungen anstatt der normalen OH-Gruppen enthält.
  • US-Patentschrift 5 872 387 offenbart Halbleiterelemente, darunter MOS-Elemente, die mit Deuterium behandelt werden, um ihre Betriebseigenschaften zu verbessern. Das Verfahren umfasst einen Schritt der Passivierung des Elements mit Deuterium durch Einleitung von molekularem, atomarem oder ionischem Deuterium in die Bereiche des Elements, in denen Schutz gegen Hot-Carrier-Effekte erwünscht ist. Das Deuterium ist mit Atomen in diesem Bereich kovalent gebunden, also stabil eingebaut.
  • Ein flacher Lichtwellenleiter aus Kunststoff wird in der US-Patentschrift 5 062 680 beschrieben, der einen Kernbereich enthält, der aus einem Polymer besteht, das ein Deuteriumatom oder ein Halogenatom enthält, und einen den Kernbereich umgebenden Mantelbereich, der aus einem Polymer besteht, das einen niedrigeren Brechungsindex als der des Kernbereichs hat.
  • Während die US-Patentschrift 5 872 387 nur eine im Anschluss an die Herstellung erfolgende Passivierung in einer erhitzten, mit Deuteriumgas angereicherten Atmosphäre beschreibt, und die US-Patentschrift 5 062 680 ein Deuterium enthaltendes Polymer verwendet, um den Lichtwellenleiter herzustellen, ist der Hauptnachteil der US-Patentschrift 3 791 714 die Tatsache, dass der nach dem dort beschriebenen Verfahren hergestellte Wellenleiter immer noch Hydroxygruppen enthält, und das Verfahren nur anwendbar ist, um Wellenleiter in der Form von Fasern herzustellen. Demnach besteht immer noch ein Bedarfs an Platten-Lichtwellenleitern auf der Basis von SiON-Material, die äußerst geringe optische Verluste und sehr niedrige mechanische Spannung haben.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, Siliziumoxynitrid (SiON)-Schichten für Anwendungen als planare Lichtwellenleiter zur Verfügung zu stellen, die äußerst niedrige optische Verluste im Betriebsbereich haben.
  • Es ist auch eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Niedrigtemperaturverfahren zur Verfügung zu stellen, um solche planaren Lichtwellenleiter herzustellen.
  • Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Technik zur Herstellung solcher Wellenleiter in einer kostengünstigen Massenfabrikationstechnologie vorzuschlagen.
  • Es ist darüber hinaus eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, Lichtwellenleiter bereitzustellen, die niedrige mechanische Spannung und eine deutlich verringerte spannungsbezogene Doppelbrechung aufweisen.
  • Noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung von Lichtwellenleitern auf der Basis von Siliziumoxid, die in herkömmliche CMOS-Technologie integriert werden könnten.
  • Diese und andere Aufgaben und Vorteile werden durch das in Anspruch 1 beanspruchte verfahren gelöst bzw. erreicht.
  • Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die Erfindung wird im folgenden detaillierter beschrieben in Verbindung mit den Zeichnungen, in denen
  • 1 ein Infrarotspektrum ist, das die NH-Absorptionsbande von herkömmlichem SiON:H-Material zeigt, verglichen mit dem SiON:D-Material, das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wurde;
  • 2 den Plattenausbreitungsverlust von SiON:D zeigt, verglichen mit dem SiON:H-Material, das dem Stand der Technik entsprechend getempert wurde;
  • 3 die Druckspannung als Funktion der Temperatur für dem Stand der Technik entsprechendes Material zeigt, verglichen mit dem Material, das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wurde;
    und
  • 4 eine grafische Darstellung der vermuteten Doppelbrechung in Abhängigkeit von der Druckspannung zeigt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Siliziumoxynitrid (SiON)-Schichten können als planare Dichtwellenleiter im Wellenlängenbereich von 1550 nm fungieren. Die optisch leitende SiON-Wellenleiter-Kernschicht hat einen relativ hohen Brechungsindex von 1,500 und ist zwischen zwei Siliziumoxid-Mantelschichten mit einem niedrigeren Brechungsindex von 1,450 eingebettet. Die SiON-Schicht wird durch PECVD unter Verwendung von Silan, Distickstoffmonoxid und Ammoniak als gasförmige Vorprodukte abgeschieden. Biegungen der Wellenleiter mit einem Krümmungsradius von nur 1,5 mm können aufgrund des hohen Brechungsindex-Unterschiedes realisiert werden, der zwischen Kern- und Mantelschichten erreichbar ist. Dies erlaubt die Herstellung von kompakten, relativ komplexen integrierten Lichtwellenleiter-Einheiten.
  • Aufgrund der hydrierten Vorprodukte enthalten die herkömmlichen, dem Stand der Technik entsprechenden SiON-Schichten (im folgenden als SiON:H bezeichnet) eine hohe Zahl an N-H-Bindungen mit deren Infrarot-Eigenabsorption bei einer Wellenzahl von 3350 cm–1. Die erste Oberschwingung dieser Frequenz findet sich bei einer Wellenlänge von 1510 nm, und deren Niedrigenergie-Ende führt zu einem unerwünschten Absorptionsverlust im interessierenden Wellenlängenbereich (1545 bis 1565 nm). 1 zeigt ein typisches Absorptionsspektrum einer dem Stand der Technik entsprechenden planaren Wellenleiterplatten-Struktur mit einer abscheidungsbedingten SiON-Kernschicht (SiON:H, untere Kurve). Ein typischer Verlust für ungetempertes SiON:H-Material ist 10 dB/cm bei 1510 nm und 1,0 bis 1,2 dB/cm bei 1550 nm (10× höher als bei getempertem Material). Die N-H-Bindungen können durch Tempern der SiON-Schichten in einem atmosphärischen Stickstoffstrom bei einer Temperatur von etwa 1140 °C zum größten Teil entfernt werden. Die Spitzenverluste bei 1510 nm verringern sich dann auf einen Wert von 1,0 dB/cm, und die Verluste zwischen 1545 und 1565 nm verringern sich auf typische Werte von 0,15 ± 0,05 dB/cm, was in 2 gezeigt wird.
  • Dieses Hochtemperatur-Temperverfahren ist jedoch ein teurer Produktionsschritt, der zusätzlich die Verfahrenszeit für den Wafer verlängert. Außerdem folgt auf das Herunterkühlen der entspannten Schichten von der Hochtemperatur aufgrund fehlangepasster Wärmeausdehnung der Aufbau von Spannung. Die induzierten Spannungseffekte führen zu spannungsbezogener Polarisationsabhängigkeit (Doppelbrechung). Zusätzlich dazu, da die Wellenleiterproduktion ein „Hochtemperatur"-Prozess ist, können nur spezielle Trägermaterialien genutzt werden, die in der Lage sind, diesen hohen Temperaturen standzuhalten.
  • Die vorliegende Erfindung schlägt daher ein „Niedrigtemperatur"-Verfahren zur Herstellung planarer Lichtwellenleiterplatten auf der Basis von SiON-Material unter Verwendung von deuteriertem SiON-Material (im folgenden SiON:D genannt) vor. „Niedrigtemperatur" bedeutet hier, dass die vorgesehene Maximaltemperatur aller Verfahrensschritte im Bereich von 550 bis 850 °C liegt, einschließlich Verdichtungsschritten und Abstimmung mechanischer Spannung. Ein „Verdichtungsfenster" von 550 bis 850 °C kann auch nützlich sein, um die SiON:D-Eigenschaften zu stabilisieren. Durch Verwendung von SiON:D-Material wird der oben erwähnte Temperaturzyklus bei 1400 °C, der 22 Stunden dauert, vermieden. Somit wird der Arbeitsablauf vereinfacht, und eine größere Verfahrensbreite wird erreicht, da ein breiteres Temperaturfenster erlaubt ist. Außerdem bietet das vorgeschlagene Verfahren die Möglichkeit, die Lichtwellenleiter in herkömmliches CMOS-Verfahren für eine weitere Hybridintegration. Zusätzlich dazu kann niedrige mechanische Spannung im Oxidschichtstapel erreicht werden, die geschätzte Absenkung der Druckspannung im SiON:D-Material liegt bei einem Faktor von 3,5, von etwa –270 auf –80 MPa (vgl. 3). Der typische Wert für SiON:H-Material liegt bei –120 MPa (so wie abgeschieden) und –270 MPa (nach Tempern bei 1145 °C). Im Gegensatz dazu liegt der Wert für erfindungsgemäßes SiON:D-Material bei –115 MPa (abscheidungsbedingt) kein Tempern ist notwendig. Der berechnete ungetemperte SiON:D-Wert von –80 MPa aus 3 beruht auf den bestmöglichen Schätzungen zu der Zeit, in der die Erfindung gemacht wurde, der gegenwärtig zitierte Wert basiert auf drei SiON:D-Wafern mit einem Wert von –115 ±10 MPa. Die genannten Spannungswerte betreffen planare SiON:D- und planare SiON:H-Schichten auf SiO2-Trägerschichten (untere Mantelschicht). Für ein vollständiges Wellenleiterelement werden diese SiON:X-Schichten (X = H,D) bedeckt mit einer oberen SiO2-Mantelschicht, um eine oxidische Dreifachschicht zu formen. Dieses Überwachsen des SiON:X hat den Effekt, das oxidische Sandwich mechanisch symmetrischer zu machen, und verringert daher Eigenspannung und somit die spannungsbezogene Doppelbrechung.
  • Eine Schätzung dieser Doppelbrechung wird in 4 gezeigt, vermutend, dass die SiON:X-Dreifachschicht-Wellenleiterelemente der vorliegenden Erfindung bei einer Druckspannung von –80 bis –100 MPa einen Doppelbrechungswert von null (oder einen von der Polarisation unabhängigen Wert) haben werden. Es wird auch bemerkt, dass eine äußerst geringfügige Druckspannung (etwa –50 MPa) für ein Mehrschichtelement möglicherweise vorteilhaft ist, um mechanisch intakt zu bleiben, weil ein niedrigerer Spannungswert oder Zugspannung leicht zu Schichtablösung, Abblättern und strukturellen Unzulänglichkeiten führen kann. Daher bietet das erfindungsgemäße SiON:D weit bessere mechanische Einstellungsmöglichkeiten als getempertes SiON:H, bei dem das verlustreduzierende Verfahren die Temperaturgeschichte und damit die Eigenspannung bestimmt.
  • Es muss erwähnt werden, dass das neue Verfahren auch die Vorteile bietet, die schon bei Nutzung von getempertem SiON:H-Material vorliegen, nämlich Vermeidung des N-H-Verlustes (siehe 2, untere Kurve), somit Öffnung eines breiteren Wellenlängenfensters für photonische SiON-ICs, Realisierung eines Krümmungsradius von nur 1,5 mm usw., was mit dem hohen Brechungsindex von SiON zusammenhängt.
  • Wie beim Vergleich mit dem Verfahren des Standes der Technik bereits erwähnt wurde, verändert das erfindungsgemäße Verfahren durch Ersetzen des Wasserstoffs mit Deuterium nicht die Ausgangsmaterialien, sondern beginnt schon mit der Verwendung deuterierter gasförmiger Vorprodukte, nämlich SiD4 und/oder ND3. Die durchgeführte Arbeit beweist, dass der größte Anteil des konventionellen N-H-Verlustes bei 1510 nm vom N-H-Vorprodukt herrührt. Das Verfahren mit ND3 als Vorprodukt zu beginnen, verringert den Verlust auf den getemperten herkömmlichen Wert des SiON:H. Die Verwendung beider deuterierter Vorprodukte, SiD4 und ND3, verringert den Verlust um mehr als 5× im Vergleich zum auf herkömmliche Weise getemperten SiON:H-Material. Es muss erwähnt werden, dass nur geringe deuterierte Gasvolumina verbraucht werden und das Verfahren daher sehr kosteneffizient ist. Das vorliegende Plasmaabscheidungsverfahren verbraucht pro vollständigem SiON:D-Kern-Wafer von 4 Zoll Durchmesser drei Liter ND3 und 30 Liter 2-prozentiges SiD4 (verdünnt mit He), so dass 330 vollständige 4-Zoll-SiON:D-Wafer aus einem Standard-Gaszylinder gefertigt werden können.
  • Der Einbau von Stickstoff, „N-Dotierung", hat einen weit stärkeren Effekt auf den Brechungsindex als B-, P- oder Ge-Dotierung, weil die N-Dotierung das Wirtsmaterial durchgehend verändert, im Gegensatz zu leichten Additiven wie B, P oder Ge. Der Effekt des Stickstoffs auf den Brechungsindex ist etwa 1ox stärker, und daher wird bei einem Stickstoffgehalt von 8,0 ± 1 Atom-% N und einem Brechungsindex von 1,510 ein angemessenes optisches „Biegen" mit einem 1,5 mm-Radius erreicht. Der bevorzugte Bereich für Stickstoff liegt bei etwa 3 bis etwa 15 Atom-%; die untere Grenze von 3 % führt zu einigen Vorteilen beim Wellenleiterradius, gegenüber herkömmlichem Ge:SiO2 und ist leicht nachzuweisen, die 15 % als obere Grenze führen zu einem Radius von etwa 0,5 mm.
  • Die bevorzugte Zusammensetzung in relativen Atomanteilen [%] des SiON:D-Materials stellt sich wie folgt dar, wobei z.B. der „N-Atomanteil" die Menge der N-Atome dividiert durch die Gesamtsumme der Si-, O- und N-Atome bedeutet.
    Element Anteil
    Si 10
    O 19
    N 0,05 – 0,10
    D 0,05 – 0,15
    H < 0,01
  • Wie oben erwähnt, können entweder ein oder beide Vorprodukte für die Herstellung der SiON-Wellenleiter, nämlich NH3 und SiH4, deuteriert werden. Fünf Vorprodukt-Zusammensetzungen wurden für die Auswertung der Infrarotabsorption und der optischen Verluste verwendet. Die folgende Tabelle zeigt die Verbesserungsfaktoren verglichen mit dem nach Standard getemperten hydrierten SiON:H-Material (M1).
  • Figure 00140001
  • „Andere Chemie" in M4 gibt an, dass es sich nicht um die gewöhnliche Plasmachemie unter Verwendung von SiH/NH/NO (oder deren D-Isotope) handelt, sondern vielmehr von SiH/NO ohne NH, somit sind die chemischen Reaktionen oder Synthesewege unterschiedlich.
  • Dies zeigt, dass der bei weitem größte Beitrag zu N-H im SiON:H vom NH3-Gas der derzeitigen SiH4/NH3/N2O-Mischung zuzuschreiben ist.
  • Eine Verbesserung beim optischen Verlust bei 1510 nm um den Faktor 5 bis 7 wird mit der Zusammensetzung M2 ohne Tempern erreicht, verglichen mit den Ergebnissen des hydrierten Standard-SiON:H nach dem Tempern. Verlustraten in dB/cm werden in der folgenden Tabelle verglichen (vgl. auch 2).
  • Figure 00140002
  • Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst die folgenden Schritte
    • A) Oxidation eines Silizium-Wafer auf eine definierte Dicke durch Sauerstoffdiffusion bei hoher Temperatur;
    • B) Abscheiden der SiON-Wellenleiterschicht durch Plasma-CVD (Chemical Vapor Deposition);
    • C) Definition der Kantenstruktur durch Lithographie und Ätzen in der SiON-Kernschicht;
    • D) Überwachsen der Kern/Kanten-Struktur mit SiO2 durch Plasma-CVD oder thermischer CVD;
    • E) Verdichtung der Überwachsungsschicht, um die Doppelbrechung zu justieren; und
    • F) Stanzen des Wafer zu individuellen Chips und Polieren der optischen Einlass/Auslass-Flächen der einzelnen Elemente.
  • 3 zeigt die Druckspannung als Funktion der Temperatur. Man sieht, dass das erfindungsgemäße Material (SiON:D) einen deutlich niedrigeren Spannungswert hat als das herkömmlich hergestellte Material (SiON:H).
  • In 4 wird eine grafische Darstellung der geschätzten Abhängigkeit der Doppelbrechung von der Druckspannung in einem Wellenleiter gezeigt. Bei einem gegebenen Wert von etwa –80 MPa für das erfindungsgemäße Material ist klar feststellbar, dass die resultierende Doppelbrechung drastisch abgenommen hat.
  • Der herausragende Vorteil des vorgeschlagenen Verfahrens ist die vollständige Beseitigung der N-H-bezogenen Absorption im SiON, die zu Material mit extrem niedrigem Verlust und mit einer großen optischen Bandbreite führt. Wenn das vorgeschlagene Verfahren mittels PECVD ausgeführt wird, ist es aus zwei Gründen für eine preiswerte Massenfabrikation geeignet: (i) geringe deuterierte Gasvolumina werden verbraucht und (ii) teure Fertigungsprozessschritte wie Hochtemperatur-Tempern entfallen. Somit wird eine kürzere Verfahrenszeit für den Wafer erreicht.
  • Die Vermeidung des Temperzyklus vereinfacht den Arbeitsablauf des Verfahrens und bringt eine größere Verfahrensbreite, da sie die Verwendung eines breiteren Temperaturfensters erlaubt, was die Gestaltung anderer Ummantelungs-/Sinterbehandlungen (Verdichtung) ermöglicht, um die spannungsbezogenen Effekte noch weiter zu vermindern. Die neue Verfahrensbreite wird genutzt, um einen gemäßigten Temperaturverlauf zur Spannungsabstimmung bewusst zu optimieren, und bietet zum ersten Mal die Möglichkeit, die Lichtwellenleiter in ein herkömmliches CMOS-Verfahren für eine weitere Hybridintegration einzubeziehen. Anwendungen könnten optische Taktverteilung, optische Empfänger oder Leistungstreiber für thermisches Tuning sein.

Claims (5)

  1. Verfahren zur Herstellung planarer Lichtwellenleiter auf der Basis von Siliziumoxynitrid (SiON) über einen PECVD-(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)Prozess, dadurch gekennzeichnet, dass als Ausgangsmaterialien deuterierte gasförmige Vorprodukte verwendet werden, und die Maximaltemperatur, die während der Prozessschritte erreicht wird, im Bereich von etwa 550°C bis etwa 850°C liegt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der höhere Wert des Temperaturbereichs nur in dem Fall erreicht wird, dass eine Verdichtung des erhaltenen SiON-Materials notwendig ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die deuterierten gasförmigen Vorprodukte SiD4 und ND3 sind.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei nur eines der deuterierten Vorprodukte verwendet wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 3, wobei beide gasförmigen Vorprodukte verwendet werden.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2001296902A1 (en) * 2000-10-20 2002-05-06 Corning Incorporated Using deuterated source gases to fabricate low loss germanium-doped silicon oxy nitride (gestion-sion)
US7043133B2 (en) 2001-07-12 2006-05-09 Little Optics, Inc. Silicon-oxycarbide high index contrast, low-loss optical waveguides and integrated thermo-optic devices
US6614977B2 (en) 2001-07-12 2003-09-02 Little Optics, Inc. Use of deuterated gases for the vapor deposition of thin films for low-loss optical devices and waveguides
NL1022140C2 (nl) * 2002-12-11 2004-06-15 Draka Fibre Technology Bv Werkwijze voor de depositie van een of meer glaslagen met laag hydroxylgehalte op het inwendige van een substraatbuis.
US7006753B2 (en) 2002-12-18 2006-02-28 General Electric Company Optical waveguide devices with deuterated amorphous carbon core structures
JP2009053425A (ja) * 2007-08-27 2009-03-12 Yokohama National Univ 光導波路波長フィルタの形成方法および光導波路波長フィルタ
JP2011505596A (ja) 2007-11-30 2011-02-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光導波路を作製する方法
JP6212006B2 (ja) * 2014-08-26 2017-10-11 日本電信電話株式会社 光導波路の作製方法
JP2016156933A (ja) * 2015-02-24 2016-09-01 日本電信電話株式会社 光集積回路および製造方法
JP2017111163A (ja) * 2015-12-14 2017-06-22 日本電信電話株式会社 モード合分波器およびその製造方法
JP6805088B2 (ja) * 2017-06-15 2020-12-23 日本電信電話株式会社 光導波路およびその製造方法
JP2019203915A (ja) * 2018-05-21 2019-11-28 日本電信電話株式会社 光集積デバイスおよびその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6023093A (en) * 1997-04-28 2000-02-08 Lucent Technologies Inc. Deuterated direlectric and polysilicon film-based semiconductor devices and method of manufacture thereof
US6156653A (en) * 1997-11-03 2000-12-05 Zilog, Inc. Method of fabricating a MOS device
WO1999044937A1 (en) * 1998-03-05 1999-09-10 International Business Machines Corporation Material with reduced optical absorption

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