DE456513T1 - Supraleitende, optoelektonische einrichtung mit der basis-substanz cu20 der supraleitungsbedingten photoleitfaehigkeit. - Google Patents

Supraleitende, optoelektonische einrichtung mit der basis-substanz cu20 der supraleitungsbedingten photoleitfaehigkeit.

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DE456513T1 DE199191304230T DE91304230T DE456513T1 DE 456513 T1 DE456513 T1 DE 456513T1 DE 199191304230 T DE199191304230 T DE 199191304230T DE 91304230 T DE91304230 T DE 91304230T DE 456513 T1 DE456513 T1 DE 456513T1
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Taizo Yokohama City Kanagawa Pref. Masumi
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University of Tokyo NUC
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Claims (9)

91 304 230.5 University of Tokyo fAnsprüche
1. Supraleitendes, optoelektronisches Bauelement, das ein Substrat/einen photoleitenden Gate-Bereich auf dem Substrat, einen auf dem Substrat an jeweils gegenüberliegenden Seiten des Gate-Bereiches geformten Source-Bereich und einen Drain-Bereich, die einander über den Gate-Bereich gegenüberliegen, und eine Einrichtung zur Zufuhr einer Vorspannung zwischen dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich umfaßt, wobei der Source-Bereich und der Drain-Bereich ein supraleitendes Oxid-Material auf Cu-Basis umfassen, wobei der Gate-Bereich im wesentlichen aus der Grundsubstanz Cu2O besteht und eine mit der Supraleifähigkeit korrespondierende Photoleitfähigkeit hat, die bei einer Temperatur unterhalb der kritischen Temperatur der Supraleitfähigkeit des supraleitfähigen Materials Photoleitfähigkeit offenbart, wodurch ein elektrischer Strom, der zwischen dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich fließt, entsprechend der auf den Gate-Bereich auftreffenden Lichtintensität gesteuert wird.
2. Supraleitendes, optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, wobei der photoleitende Gate-Bereich im wesentlichen aus der Grundsubstanz Cu2O mit mit der Supraleitfähigkeit korrespondierender Photoleitfähigkeit besteht und der Source-Bereich und der Drain-Bereich jeweils im wesentlichen aus einem supraleitenden Oxid-Material mit der allgemeinen chemischen Formel Y3_x-Bax-Cu-
2
O2 mit der Atomanzahl l<x<2, y=3, 6,5<z<7 besteht.
3. Supraleitendes, optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, wobei der photoleitende Gate-Bereich im wesentlichen aus der Grundsubstanz Cu2O mit mit der Supraleitfähigkeit korrespondierender Photoleitfähigkeit besteht und der Source-Bereich und der Drain-Bereich jeweils im wesentlichen aus einem supraleitenden Oxid-Material mit der allgemeinen chemischen Formel La2-Cu1-O2 mit der Atomanzahl 3,92<z<4,02 besteht.
4. Supraleitendes, optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, wobei der photoleitende Gate-Bereich im wesentlichen aus "der Grundsubstanz Cu2O mit mit der Supraleitfähigkeit korrespondierenderPhotoleitfähigkeit" besteht und der Source-Bereich und der Drain-Bereich jeweils im wesentlichen aus einem supraleitenden Oxyd-Material mit der allgemeinen chemischen Formel Nd2_x-Cex-Cu-O2 mit der Atomanzahl x=0,15, 3,96<z<4,02 besteht.
5. Supraleitende, optoelektronische Vorrichtung mit einer Vielzahl verschiedener supraleitender optoelektronischer Bauelemente nach Anspruch 1, wobei die Bauelemente in Form eines integrierten Matrix-Schaltkreises mit hoher Dichte in die Vorrichtung eingegliedert sind.
6. Supraleitende, optoelektronische Vorrichtung mit einer Vielzahl verschiedener supraleitender optoelektronischer Bauelemente nach Anspruch 3, wobei die Bauelemente in Form eines integrierten Matrix-Schaltkreises mit hoher Dichte in die Vorrichtung
eingegliedert sind.
7. Supraleitende, optoelektronische Vorrichtung mit einer Vielzahl verschiedener supraleitender optoelektronischer Bauelemente nach Anspruch 4, wobei die Bauelemente in Form eines integrierten Matrix-Schaltkreises mit hoher Dichte in die Vorrichtung eingegliedert sind.
8. Supraleitende, optoelektronische Vorrichtung mit einer Vielzahl verschiedener supraleitender optoelektronischer Bauelemente nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei die Bauelemente in Form eines organisierten, räumlich integrierten Schaltkreises in die Vorrichtung eingegliedert sind.
9. Supraleitende, optoelektronische Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Bauelemente in Form einer zweidimensionalen Matrix mit ultra-hoher Dichte in die Vorrichtung eingegliedert sind.
DE199191304230T 1990-05-11 1991-05-10 Supraleitende, optoelektonische einrichtung mit der basis-substanz cu20 der supraleitungsbedingten photoleitfaehigkeit. Pending DE456513T1 (de)

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