DE4432010C2 - Optische Schaltvorrichtung und Herstellungsverfahren für diese - Google Patents
Optische Schaltvorrichtung und Herstellungsverfahren für dieseInfo
- Publication number
- DE4432010C2 DE4432010C2 DE4432010A DE4432010A DE4432010C2 DE 4432010 C2 DE4432010 C2 DE 4432010C2 DE 4432010 A DE4432010 A DE 4432010A DE 4432010 A DE4432010 A DE 4432010A DE 4432010 C2 DE4432010 C2 DE 4432010C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- inp
- ingaas
- optical
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 117
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 34
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004018 waxing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
- G02F1/3138—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions the optical waveguides being made of semiconducting materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/0151—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index
- G02F1/0152—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index using free carrier effects, e.g. plasma effect
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/102—In×P and alloy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf optische
Schaltvorrichtungen, mit denen in
einem optischen Wellenleiter geführtes Licht
durch Totalreflexion von einem ersten Lichtweg in einen zweiten Lichtweg
umgelenkt wird. Die Totalreflexion wird dabei durch Stromzufuhr
in den Schaltbereich des Lichtleiters und eine dementsprechende
Änderung des Brechungsindex erzeugt. Ferner bezieht sich die Erfindung
auf Verfahren zur Herstellung derartiger Schaltvorrichtungen.
Optische Schaltvorrichtungen werden im allgemeinen als
hauptsächliche Komponenten eines optischen Übertragungs
systems mit hoher Datenübertra
gungskapazität und Arbeitsgeschwindigkeit verwendet,
wobei die Grenze bestehender elektroni
scher Schaltsysteme überschritten wird.
Ein optischer Halbleiterschalter eines Totalreflexions-Typs
besitzt eine Betriebscharakteristik, bei der der Brechungs
index einer optischen Wellenleiterschicht ver
ändert oder reduziert wird, wenn ein Strom an den optischen
Schalter angelegt wird. Wenn ein Strom an einen Abschnitt
einer optischen Wellenleiterschicht in einem solchen opti
schen Schalter angelegt wird, tritt genauer gesagt ein Un
terschied des Brechungsindex zwischen dem Abschnitt, an den
ein Strom angelegt wird, und einem anderen Abschnitt, an den
kein Strom angelegt wird, in der optischen Wellenleiter
schicht auf. Dadurch wird das Licht, das sich durch die opti
sche Wellenleiterschicht ausbreitet, an der Grenzfläche zwi
schen den zwei Abschnitten gemäß dem Snelliusschen Bre
chungsgesetz totalreflektiert. Folglich wird das sich aus
breitende Licht an der Grenzfläche in der Wellenleiter
schicht umgelenkt. Das umgelenkte Licht breitet sich ent
lang eines anderen optischen Pfades aus. Um in einem opti
schen Wellenleiter eine Totalreflexion des Lichts zu erhal
ten, muß die Änderung des Brechungsindex der Bedingung des
folgenden Ausdrucks genügen:
Δ n n (1 - cosΘ),
wobei n der Brechungsindex der Wellenleiterschicht, Δ · n die
Änderung des Brechungsindex der Wellenleiterschicht, die
durch das Anlegen eines Stroms bewirkt wird, und Θ der Bre
chungswinkel des einfallenden Lichts ist.
Zur Herstellung derartiger optischer Schaltvorrichtungen mit einer Total
reflexions-Grenzfläche werden bisher
folgende
drei Verfahren verwendet:
Das erste Verfahren besteht darin, daß nach dem
Durchführen einer Kristallisierung auf einem Halbleitersub
strat, um eine Kristallschicht zu bilden, Zinkstörstellen
partiell ausschließlich in eine Lichtreflexions-Oberfläche
der Kristallschicht diffundiert werden, wie in Fig. 1A ge
zeigt ist. Diese optische Schaltvorrichtung, die mit einer
partiell diffundierten Reflexionsoberfläche versehen ist,
ist in "An 8 mm Length Nonblocking 4×4 Optical Switch Array",
IEEE Journal on Selected Areas in Commun., Bd. 6, Seiten 1262-1266, 1988, offen
bart.
Gemäß Fig. 1A ist auf einer Hauptoberfläche eines Halblei
tersubstrats 1 eine erste optische Wellenleiterschicht 2
gebildet. Auf der ersten optischen Wellenleiterschicht 2
werden nacheinander eine Kaschier-Schicht 3 und eine
zweite optische Wellenleiterschicht 5 gebildet. Nachdem
Zinkstörstellen partiell in die zweite optische Wellenlei
terschicht und die Kaschier-Schicht diffundiert sind, um
einen Störstellen-diffundierten Abschnitt 8 zu bilden, wird
ein in der Technik gut bekannter Ätzprozeß durchgeführt, um
Abschnitte der zweiten optischen Wellenleiterschicht, der
Kaschier-Schicht und der ersten optischen Wellenleiter
schicht zu entfernen. Dann wird die erste optische Wellen
leiterschicht bis zu einer vorbestimmten Tiefe
entfernt. Nachfolgend werden auf dem Störstellen-diffun
dierten Abschnitt und einer rückseitigen Oberfläche, die
gegenüber der Hauptoberfläche des Substrats 1 liegt, eine
p-Typ-Frontelektrode bzw. eine Rückelektrode gebildet. Bei
dem Aufbau der optischen Schaltvorrichtung, die somit herge
stellt ist, ist eine Lichtreflexions-Oberfläche in dem Stör
stellen-diffundierten Abschnitt 8 gebildet, wie in Fig. 1A
gezeigt ist.
Es ist bei einer solchen optischen Schaltvorrichtung, die
mit einer Reflexionsoberfläche versehen ist, erforderlich,
Zinkstörstellen in eine optische Wellenleiterschicht zu
diffundieren, welche die Breite des Wellenleiters nicht
überschreitet. Bei geringer Breite des Wellenleiters
ist die Ohm′sche Kontaktfläche in der optischen
Schaltvorrichtung beträchtlich begrenzt. Ferner muß die
Breite einer Maske für die Zinkdiffusion berücksichtigt oder
reduziert werden, da das Zink auch in horizontaler
Richtung diffundiert. Wenn das Zink über die Breite
des Wellenleiters hinaus diffundiert ist, wird ein Stromsignal in
unerwünschter Weise über den Bereich des Wellenleiters hinaus gestreut. Aus diesem Grund
besitzt die oben beschriebene optische Schaltvorrichtung den
Nachteil, daß das Stromsignal
nicht effektiv zur Steuerung des Wellenleiters genutzt werden kann.
Als weiteres Verfahren ist ein Herstellungsverfahren für einen
Schlitztyp einer optischen Schaltvorrichtung bekannt, bei dem zwei
Diffusionsschritte vor und nach der Kristallisierung auf
einem Halbleitersubstrat durchgeführt werden, um Stör
stellen-diffundierten Abschnitte in demselben zu bilden, wie
in Fig. 1B gezeigt ist. Das Herstellungsverfahren dieser op
tischen Schaltvorrichtung des Schlitztyps ist in "Appl.
Phys. Lett.", Ausg. 50, Seiten 141-143, 1987, offenbart.
Mit diesem Schlitztyp einer optischen Schaltvorrichtung
kann das Stromsignal, das
durch einen Wellenleiter fließt, effektiv zur
Steuerung des Wellenleiters genutzt werden.
Gleiche Komponenten wie die in Fig. 1A sind durch gleiche
Bezugszeichen angezeigt.
Wie in Fig. 1B gezeigt, wird vor der Kristallbildung auf
einer Hauptoberfläche eines Halbleiters Zink in das Substrat
1 diffundiert, wobei eine Maske verwendet wird, so daß ein
erster diffundierter Abschnitt 8A entsteht. Ähnlich der Kri
stallisierung, die in Fig. 1A gezeigt ist, werden nacheinan
der eine erste optische Wellenleiterschicht 2, eine Kaschier-
Schicht 3 und ein zweiter optischer Wellenleiter 5
auf dem Substrat 1 gebildet. Nachfolgend wird Zink in die
Schichten 5 und 3 diffundiert, um einen zwei
ten diffundierten Abschnitt 8B zu bilden. Eine Frontelektro
de 6 und eine Rückelektrode 7 werden auf dem zweiten diffun
dierten Abschnitt 8B bzw. einer rückseitigen Oberfläche ge
genüber der Hauptoberfläche des Substrats 1 gebildet. Folg
lich besitzt die optische Schlitztyp-Schaltvorrichtung eine
p/n/p/n-Stromsperrschicht, so daß das
Stromsignal effektiv zur Steuerung des
Wellenleiters genutzt werden kann.
Ein derartiger Schlitztyp einer optischen Schaltvorrichtung
besitzt jedoch den Nachteil, daß eine lithographische Aus
richtungstechnik mit einer Genauigkeit von 1 µm und darunter
erforderlich ist, um eine derartige optische Schaltvorrich
tung herzustellen, und daß außerdem zwei Diffusionsschritte un
ter mehreren komplizierten Bedingungen, wie z. B. der genauen
Steuerung der Menge eines Diffusionsmaterials oder einer
präzisen Temperatur, durchgeführt werden müssen. Genauso be
steht ein weiterer Nachteil des Schlitztyps einer optischen
Schaltvorrichtung darin, daß die Reduzierung der Breite des
Wellenleiters und eine Ohm′sche Kontaktfläche signifikant
begrenzt sind.
Schließlich existiert eine optische GaAs/InP-Schaltvor
richtung (Indium-Gallium-Arsenid-Phosphid/ Indium-Phosphid)
mit einer semi-isolierenden InP-Stromsperrschicht, wie sie in
Fig. 1C gezeigt ist. Diese optische Schaltvorrichtung ist in
"InGaAsP/InP Optical Switches Embedded with Semi-Insulating
InP Current Blocking Layers", IEEE Journal on Sel. Areas in Commun., Bd.
6, Seiten 1199-1204, 1988, offenbart.
Gleiche Komponenten wie die in Fig. 1B sind durch gleiche
Bezugszeichen bezeichnet.
Gemäß Fig. 1C werden auf einer Hauptoberfläche eines Halb
leitersubstrats 1 eine erste optische Wellenleiterschicht 2
und eine Stromsperrschicht 4 nacheinander gebildet. Durch
einen Ätzprozeß wird ein Abschnitt der Stromsperrschicht 4
entfernt, um einen offenen Abschnitt zu bilden. Nachfolgend
werden Rekristallisierungsschritte durchgeführt, um in dem
offenen Abschnitt eine Kaschier-Schicht 3′ und eine zweite
optische Wellenleiterschicht 5′ zu bilden. Eine Frontelek
trode 6 und eine Rückelektrode 7 werden jeweils auf der
zweiten optischen Wellenleiterschicht 5′ bzw. einer rücksei
tigen Oberfläche gegenüber der Hauptoberfläche des Substrats
1 gebildet.
Da eine derartige optische InGaAs/InP-Schaltvorrichtung eine
Semi-isolierende InP-Schicht besitzt, die durch das zweima
lige Durchführen der Kristallisierung erzeugt ist, kann ein
Stromfluß durch diese Schicht effektiv gesperrt werden.
Jedoch hat diese optische Schaltvorrichtung die gleichen
Nachteile wie die oben genannten Schalter. Ferner ist in der
optischen InGaAs/InP-Schaltvorrichtung die Kontaktfläche
zwischen dem diffundierten Abschnitt und der Frontelektrode
6 beträchtlich begrenzt und daher die Ohm′sche Charakteri
stik gesenkt, da Zink in den Wellenleiter diffundiert wird,
um einen Störstellen-diffundierten Abschnitt zu bilden, und
die Frontelektrode 6 nur auf dem diffundierten Abschnitt ge
bildet wird. Folglich ist ein hohes Stromsignal von 90 mA
oder höher erforderlich, um in dieser optischen InGaAs/InP-
Schaltvorrichtung eine Schaltoperation durchzuführen, wo
durch folglich der Stromverbrauch mengenmäßig weiter erhöht
ist.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine optische
Schaltvorrichtung zu schaffen, bei der eine Kontaktfläche
zwischen einer Frontelektrode und einem Störstellen-diffun
dierten Abschnitt maximiert ist, um die Ohm′sche Charakteri
stik des Kontaktes zu maximieren. Ferner soll eine optische Schaltvorrichtug
geschaffen werden, bei der darüber hinaus das Stromsignal, das in der Schaltvorrichtung fließt, ef
fektiv zur Steuerung der Schaltvorrichtung genutzt wird, so daß der Stromverbrauch,
der für eine Schaltoperation erforderlich ist, minimiert
werden kann.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung
besteht darin, jeweilige Verfahren zur Herstellung derartiger optischer
Schaltvorrichtungen anzugeben.
Diese Aufgaben werden durch optische Schaltvorrichtungen
gemäß den Patentansprüchen 1 und 2 sowie durch Verfahren zur Herstellung
von optischen Schaltvorrichtungen gemäß den Patentansprüchen 3 und 4 ge
löst.
Gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt die
optische Schaltvorrichtung ein n-InP-Substrat; eine optische
Wellenleiterschicht, die auf der Vorderseite des n-InP-
Substrats gebildet ist; eine n-InP-Kaschierungsschicht, die
auf der optischen Wellenleiterschicht gebildet ist; eine
n-InGaAs-Deckschicht, die auf der n-InP-Kaschierungsschicht
gebildet ist, wobei die Deckschicht eine Öffnung besitzt, die zur Kaschierungsschicht hin
verjüngt ist und bis zu dieser hin reicht; einen dotierten Bereich,
in dem p-Typ-Störstellatome mit einer hohen Konzen
tration durch die Öffnung in die n-InP-Kaschierungsschicht
und bis zu einer vorbestimmten Tiefe in die n-InGaAs-Deck
schicht eingebracht sind;
eine Frontelektrode, die den mit Störstellatomen dotierten Bereich der n-InGaAs-Deck
schicht und der n-InP-Kaschie
rungsschicht überdeckt und eine Rückseitenelektrode, die auf
der Rückseite
des n-InP-Substrats angeordnet ist.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel umfaßt die optische Schalt
vorrichtung ferner eine p-InP-Stromsperrschicht, die zwi
schen der n-InP-Kaschierungsschicht und der n-InGaAs-Deck
schicht gebildet ist, um zu verhindern, daß ein Strom in an
dere Abschnitte außerhalb des Störstellen-diffundierten
Abschnitts gestreut wird. In diesem Fall reicht die abgeschrägte
Kanten aufweisende Öffnung in der Deckschicht bis auf die
Stromsperrschicht; die p-Leitung erzeugenden Fremdatome
werden in den durch die Öffnung freigelegten Bereich der
Stromsperrschicht, den darunter liegenden Bereich der
Kaschierungsschicht und in die Oberfläche der Deckschicht
eingebracht.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung um
faßt das Herstellungsverfahren des optischen Schalters fol
gende Schritte: Aufeinanderfolgendes Aufbringen einer optischen
Wellenleiterschicht, einer n-InP-Kaschierungsschicht und ei
ner n-InGaAs-Deckschicht auf der Vorderseite eines
n-InP-Substrats unter Verwendung eines epitaxialen Aufwach
sens; selektives anisotropes Ätzen der n-InGaAs-Deckschicht, um eine
Öffnung, die sich zur Kaschierungsschicht verjüngt und bis zu dieser reicht, zu bilden; Diffundieren
von Störstellenatomen in die n-InP-Kaschierungsschicht durch die
Öffnung und in die n-InGaAs-Deckschicht, um
einen p-leitenden Bereich in der kaschier
ten n-InP-Schicht unter der Öffnung und
entlang der Ober
fläche der n-InGaAs-Deckschicht zu bilden; Ätzen der Schich
ten auf der optischen Wellenleiterschicht unter Verwendung
einer Maske, um einen stegförmigen Wellenleiter zu bilden;
und Aufbringen von Elektroden auf die stegförmige Anordnung
und auf die Rückseite
des n-InP-Substrats.
Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel umfaßt das Verfahren vor dem
Bilden der n-InGaAs-Deckschicht ferner einen Schritt des
Bildens einer p-InP-Stromsperrschicht, die zwischen der ka
schierten n-InP-Schicht und der n-InGaAs-Deckschicht gebil
det wird, um zu verhindern, daß ein Strom in Ab
schnitte außerhalb des Störstellen-diffundierten Ab
schnitts gestreut wird. In diesem Fall wird ein selektiver,
anisotroper Ätzprozeß zur Erzeugung einer Öffnung mit sich
zur Stromsperrschicht verjüngenden Kanten durchgeführt, bis die
Stromsperrschicht freigelegt ist, so daß anschließend p-Leitung
erzeugende Fremdatome in den freigelegten Bereich der Stromsperrschicht,
den darunter liegenden Bereich der Kaschierschicht und in
die Oberfläche der Deckschicht diffundiert werden können.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die Fig. 2 bis 4
näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1A bis 1C Querschnittansichten, die Ausführungen meh
rerer bekannter optischer Schalter zeigen;
Fig. 2 eine Draufsicht eines optischen Schaltsystems, in
dem eine optische Schaltvorrichtung gemäß der vor
liegenden Erfindung verkörpert ist;
Fig. 3A eine Querschnittansicht, die die Ausführung einer
optischen Schaltvorrichtung zeigt, die gemäß einem
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung her
gestellt ist;
Fig. 3B eine Querschnittansicht, die eine weitere Ausfüh
rung der optischen Schaltvorrichtung, die gemäß ei
nem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung hergestellt ist, zeigt; und
Fig. 4A bis 4E Querschnittansichten, die die Herstellungs
schritte der optischen Schaltvorrichtung von Fig.
3A zeigen.
Gemäß Fig. 2 ist gezeigt, daß die optische Schaltvorrichtung
der vorliegenden Erfindung in einem optischen Schaltsystem
verkörpert ist. Das Bezugszeichen 10 bezeichnet eine opti
sche Schaltvorrichtung, die durch die vorliegende Erfindung
hergestellt ist.
Der optische Wellenleiter in dem optischen Schaltsystem be
sitzt einen kreuzförmigen Aufbau, wie in Fig. 2 gezeigt ist.
Die optische Schaltvorrichtung 10 ist an einer Kreuzung des
optischen Wellenleiters errichtet. Einfallendes Licht Bin
von einem Eingangstor des optischen Wellenleiters wird zu
der optischen Schaltvorrichtung 10 übertragen. Danach wird
das einfallende Licht Bin als übertragenes Licht Btm ausge
geben oder als reflektiertes Licht Brf gemäß dem Betriebs
zustand der optischen Schaltvorrichtung 10 ausgegeben.
Fig. 3A ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A′
von Fig. 2 und zeigt den Aufbau der optischen Schaltvor
richtung 10.
Gemäß Fig. 3A sind auf einer Hauptoberfläche eines n-InP-
Substrats 11 eine optische Wellenleiterschicht 12 und eine
n-InP-Kaschierungsschicht 13 durch Kristallisierung nachein
ander aufgewachsen, wodurch eine Steg-Form auf dem Substrat
11 gebildet ist. Auf der kaschierten Schicht 13 werden nach
einander eine p-InP-Stromsperrschicht 14 und eine n-InGaAs-
Deckschicht 15 gebildet. Diese n-InGaAs-Deckschicht 15 be
sitzt eine Öffnung, die zur Stromsperrschicht hin verjüngt ist. Fremdatome
mit einer hohen Konzentration werden durch die Öffnung in die Stromsperr
schicht 14 und die kaschierte Schicht 13
und danach bis zu einer vorbestimmten Tiefe in die Deckschicht 15
diffundiert.
Folglich ist ein mit Fremdatomen dotierter Abschnitt in Bereichen
der Stromsperrschicht 14 und der kaschierten Schicht 13,
welche aufeinander geschichtet sind, und entlang der Ober
fläche der Deckschicht 15 gebildet.
Ferner ist eine Frontelektrode
16 auf der n-InGaAs-Deckschicht 15 und auf der freiliegenden
Oberfläche der p-InP-Stromsperrschicht 14 gebildet. Auf der Rückseite
des Substrats 11
ist eine Rückelektrode 17 ge
bildet.
Da die n-InGaAs-Deckschicht 15 in der optischen Schalt
vorrichtung 10 mit der abwärts verjüngten Öffnung versehen
ist, besitzt die Deckschicht 15 eine große Fläche, um
einem Schaltbereich des Wellenleiters unter
halb des mit Fremdatomen dotierten Bereichs der
Kaschierungsschicht an einer Kreuzung des optischen Wellen
leiters in der optischen Schaltvorrichtung 10
einen Strom zuzuführen. Folglich kann mit der erfindungsgemäßen
Ausbildung eine optische Schaltvorrichtung mit geringer
Breite des Schaltbereichs und großer Kontaktfläche
entworfen werden, d. h. die
Grenzfläche zwischen dem dotierten
Abschnitt 18 und der Frontelektrode 16 ist ver
glichen mit der einer herkömmlichen optischen Schaltvor
richtung relativ breit, wodurch die Ohm′sche Charakteristik
beträchtlich verbessert werden kann.
Ferner kann durch die Stromsperrschicht 14 verhindert werden, daß ein Stromsignal in
Regionen außerhalb des dotierten Abschnitts
gestreut wird.
Bei dem optischen Schaltsystem gemäß Fig.
2 wird das einfallende Licht Bin durch ein Eingangstor eingeführt
und breitet sich entlang der optischen Wellenleiterschicht
12 aus. Wenn keine Spannung an die Elektroden 17 und
18 angelegt wird, so daß kein Strom in den Schaltbereich an der
Kreuzung der optischen Wellenleiterschicht 12 fließt, tritt
keine Änderung des Brechungsindex in der optischen Wellen
leiterschicht 12 auf. Folglich breitet sich das einfallende
Licht Bin durch die Kreuzung der optischen Wellenleiter
schicht 12 aus und wird als übertragenes Licht Btm ausge
geben.
Wenn jedoch an die Elektroden 17 und 18 ein Spannungssignal
angelegt wird, fließt in den Schaltbereich an der Kreuzung der optischen
Wellenleiterschicht 12 ein Strom. Dann werden Ladungsträger
in dem Schaltbereich der optischen Wellenleiter
schicht 12 angehäuft, wodurch der Brechungsindex in der op
tischen Wellenleiterschicht 12 reduziert wird. Wenn der re
duzierte Brechungsindex der Totalreflexionsbedingung des Smelliusschen
Brechungsgesetzes genügt, wird das einfallende Licht Bin ge
schaltet und als reflektiertes Licht Brf ausgegeben.
Fig. 3B ist eine Querschnittsansicht, die eine weitere opti
sche Schaltvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
Die optische Schaltvorrichtung von Fig. 3B hat den gleichen
Aufbau wie die von Fig. 3A, mit der Ausnahme, daß die opti
sche Wellenleiterschicht aus einer p-InGaAs-Schicht 22 ge
bildet ist und daß die n-InGaAs-Deckschicht 15 ohne die Bildung der p-InP-Stromsperrschicht 14 direkt auf der
n-InP-Kaschierungsschicht 13 gebildet ist.
Die Einzelelemente, die
gleiche Funktionen wie die Einzelelemente der optischen
Schaltvorrichtung des ersten Ausführungsbeispiels (gezeigt
in Fig. 3A) besitzen, sind durch die gleichen Bezugszeichen
angezeigt, und Beschreibungen derselben sind weggelassen.
Die optische Schaltvorrichtung von Fig. 3B hat der Vorrich
tung von Fig. 3A entsprechende Effekte.
Ein Herstellungsverfahren der optischen Schaltvorrichtung
von Fig. 3A wird detailliert bezugnehmend auf die Fig. 4A
bis 4E beschrieben.
Gemäß Fig. 4A werden auf einem n-InP-Substrat 11 nachein
ander eine optische n-InGaAs-Wellenleiterschicht 12, eine
n-InP-Kaschierungsschicht 13, eine p-InP-Stromsperrschicht
14 und eine n-InGaAs-Deckschicht 15 durch ein epitaxiales
Aufwachsverfahren einer MOCVD (metal organic chemical vapor
deposition = metallisch-organische Gasphasenabscheidung nach
chemischem Verfahren) oder der LPE (liquid phase epitaxy =
Flüssigphasen-Epitaxy) aufgewachsen.
In Fig. 4B ist gezeigt, daß in der n-InGaAs-Deckschicht 15
eine Öffnung 25 gebildet wird. Die Deckschicht 15 wird z. B.
selektiv geätzt, um die Öffnung 25 zu bilden. Diese Öffnung
25 besitzt eine abwärts verjüngte Form, da ein anisotropes
Ätzverfahren als das selektive Ätzverfahren verwendet wird.
Die Öffnung 25 wird über dem Schaltbereich der Anordnung
gebildet.
Gemäß Fig. 4C wird ein Diffusionsschritt durchgeführt, um
einen mit Fremdatomen dotierten Abschnitt zu bilden. Zink-
Störstellen werden mit einer hohen Konzentration in die
Stromsperrschicht 14 und die kaschierte Schicht 13 durch die
Öffnung 25 und zur gleichen Zeit bis zu einer vorbestimmten Tiefe in die Deck
schicht 15 diffundiert.
Folglich wird ein mit Zinkatomen
dotierter Abschnitt 18 in der Stromsperrschicht 14 und
der kaschierten Schicht 13, die aufeinander geschichtet
sind, und entlang der Oberfläche der Deckschicht 15 gebil
det. Da der Diffusionskoeffizient für Zinkatome im InP-Material
viel größer ist als der im InGaAs-Material, kann in der
Nähe des Störstellen-diffundierten Abschnitts 18 ohne wei
teres eine Stromsperr-Region mit einer p/n/p/n-Struktur ge
bildet werden.
Da die Deckschicht
der optischen Schaltvorrichtung aus einer n-InGaAs-
Schicht gebildet wird, kann eine Schwefelsäurelösung oder
eine Phosphorsäurelösung als selektive Ätzlösung verwendet
werden, wodurch der Ätzschritt ohne weiteres durchgeführt
werden kann.
Wie in Fig. 4D gezeigt, wird ein Ätzschritt durchgeführt,
um einen Wellenleiter in Steg-Form zu bilden. Durch das
Durchführen eines Naß-Ätzens oder eines Trocken-Ätzens wer
den die Schichten, die auf der optischen Wellenleiterschicht
12 geschichtet sind, unter Verwendung einer Maske entfernt,
um eine Steg-Form zu erhalten.
Schließlich wird der Schritt des Bildens der Elektroden
durchgeführt. Gemäß Fig. 4E wird auf der n-InGaAs-Deck
schicht und der freigelegten Oberfläche der p-InP-Strom
sperrschicht 14 eine Frontelektrode 16 gebildet. Ferner wird
auf der Rückseite des Substrats 11
eine Rückelektrode 17 ge
bildet. Damit ist die Herstellung der optischen Schaltvor
richtung 10 vollendet.
Gemäß Fig. 4E ist die Frontelektrode 16, verglichen mit dem
Schaltbereich unterhalb
des mit Fremdatomen dotierten Abschnitts 18 bemer
kenswert breit, so daß der Kontaktwiderstand zwischen der
Frontelektrode 16 und dem mit Fremdatomen dotierten Bereich
reduziert ist.
Ferner ist eine p/n/p/n-Übergangsstruktur an beiden Seiten
der Anordnung gebildet, so daß
ein Stromfluß an den Seiten der Anordnung blockiert ist.
Folglich wird der gesamte Strom in den Schaltbereich
unterhalb des Abschnitts
18 injiziert.
Das Herstellungsverfahren der optischen Schalt
vorrichtung nach Fig. 3B ist das gleiche wie das der optischen
Schaltvorrichtung nach Fig. 3A, mit der Ausnahme, daß eine
p-InGaAs-Schicht 22 auf dem n-InP-Substrat 11 als eine opti
sche Wellenleiterschicht gebildet ist. Die n-InGaAs-Deck
schicht 15 ist direkt auf der n-InP-Kaschierungsschicht 13
gebildet, ohne die Bildung der p-InP-Stromsperrschicht 14. Außerdem
wird hier beim Erzeugen der Öffnung in der Deckschicht bis zur Kaschierungsschicht
geätzt, so daß anschließend Zinkatome in den
freigelegten Bereich der Kaschierungsschicht und in die
Oberfläche der Deckschicht diffundiert werden.
Wie oben beschrieben, weist die optische Schaltvorrichtung
gemäß der vorliegenden Erfindung eine gute Ohm′sche Charak
teristik auf, da die Frontelektrode
verglichen mit
den Abmessungen des Schaltbereichs
bemerkenswert breit ist.
Ferner wird ein Strom in der Vorrichtung effektiv gesperrt
und die Vorrichtung bei einem kleinen Strompegel
betrieben, da eine n-InGaAs-Deckschicht der optischen
Schaltvorrichtung eine konkav geformte Öffnung aufweist, die
abwärts verjüngt ist, und eine p/n/p/n-Übergangsstruktur an
beiden Seiten des Störstellen-diffundierten Abschnitts ge
bildet ist.
Zusätzlich kann eine Schwefelsäurelösung oder eine Phosphor
säurelösung als selektive Ätzlösung verwendet werden, wo
durch der Ätzprozeß leicht durchgeführt werden kann, da die
Deckschicht der optischen Schaltvorrichtung aus einer n-
InGaAs-Schicht gebildet ist.
Außerdem kann die p/n/p/n-Übergangsstruktur zur Verwendung
als Stromsperrschicht leicht gebildet werden, da sich die
Diffusionskoeffizienten der Zink-Atome für InGaAs- und InP-Materialien voneinander
unterscheiden.
Claims (4)
1. Optische Schaltvorrichtung, bei der durch Stromzufuhr in
den Schaltbereich (10) einer optischen Wellenleiteranordnung
der Brechungsindex des Wellenleitermaterials im
Schaltbereich (10) so verändert wird, daß ein in der
Wellenleiteranordnung geführter Lichtstrahl durch Totalreflexion
von einem ersten Lichtweg in einen zweiten
Lichtweg umgelenkt wird,
- - mit einem n-InP-Substrat (11), auf dessen Rückseite eine
Elektrode aufgebracht ist und auf dessen Vorderseite
eine optische Wellenleiterschicht (22), eine n-InP-Kaschierungsschicht
(13) und eine n-InGaAs-Deckschicht
(15) in der angegebenen Reihenfolge aufgebracht sind,
wobei - - die n-InGaAs-Deckschicht (15) oberhalb des Schaltbereichs (10) der Vorrichtung eine sich zur n-InP-Kaschierungsschicht (13) verjüngende Öffnung (25) aufweist, die bis zu der n-InP-Kaschierungsschicht (13) reicht;
- - in den durch die Öffnung (25) freigelegten Bereich der n-InP-Kaschierungsschicht (13) und in die Oberfläche der n-InGaAs-Deckschicht (15) p-Leitung erzeugende Fremdatome eingebracht sind und wobei
- - eine Vorderseitenelektrode (16) den durch die Öffnung (25) freigelegten, mit den Fremdatomen dotierten Bereich der n-InP-Kaschierungsschicht (13) und die oberflächlich mit den Fremdatomen dotierte n-InGaAs-Deckschicht (15) überdeckt.
2. Optische Schaltvorrichtung (10), bei der durch Stromzufuhr
in den Schaltbereich (10) einer optischen Wellenleiteranordnung
der Brechungsindex des Wellenleitermaterials
im Schaltbereich (10) so verändert wird, daß ein
in der Wellenleiteranordnung geführter Lichtstrahl durch
Totalreflexion von einem ersten Lichtweg in einen zweiten
Lichtweg umgelenkt wird,
- - mit einem n-InP-Substrat (11), auf dessen Rückseite eine
erste Elektrode aufgebracht ist und auf dessen Vorderseite
eine optische Wellenleiterschicht (12), eine
n-InP-Kaschierungsschicht (13), eine p-InP-Stromsperrschicht
(14) und eine n-InGaAs-Deckschicht (15) in der
angegebenen Reihenfolge aufgebracht sind,
wobei - - die n-InGaAs-Deckschicht (15) oberhalb des Schaltbereichs (10) der Vorrichtung eine sich zur p-InP-Stromsperrschicht (14) verjüngende Öffnung (25) aufweist, die bis zu der p-InP-Stromsperrschicht (14) reicht;
- - in den durch die Öffnung (25) freigelegten Bereich der p-InP-Stromsperrschicht (14), den darunter liegenden Bereich der n-InP-Kaschierungsschicht (13) und in die Oberfläche der n-InGaAs-Deckschicht (15) p-Leitung erzeugende Fremdatome eingebracht sind und wobei
- - eine Vorderseitenelektrode (16) den von der Öffnung (25) freigelegten, mit den Fremdatomen dotierten Bereich der p-InP-Sperrschicht (14) und die oberflächlich mit den Fremdatomen dotierte n-InGaAs-Deckschicht (15) überdeckt.
3. Verfahren zur Herstellung einer optischen Schaltvorrichtung,
bei der durch Stromzufuhr in den Schaltbereich
(10) einer optischen Wellenleiteranordnung der Brechungsindex
des Wellenleitermaterials im Schaltbereich
(10) so verändert wird, daß ein in der Wellenleiteranordnung
geführter Lichtstrahl durch Totalreflexion von
einem ersten Lichtweg in einen zweiten Lichtweg umgelenkt
wird, mit folgenden Verfahrensschritten:
- - Aufbringen einer optischen Wellenleiterschicht (22), einer n-InP-Kaschierungsschicht (13) und einer n-InGaAs-Deckschicht (15) auf die Vorderseite eines n-InP-Substrats (11) in der angegebenen Reihenfolge mittels epitaktischer Aufwachsvorgänge,
- - Erzeugen einer sich zur n-InP-Kaschierungsschicht (13) verjüngenden, bis zur Oberfläche der n-InP-Kaschierungsschicht (13) reichenden Öffnung in der n-InGaAs-Deckschicht (15) oberhalb des Schaltbereichs (10) durch selektives anisotropes Ätzen der n-InGa-As-Deckschicht (15),
- - Diffundieren von p-Leitung erzeugenden Fremdatomen in den durch die Öffnung (25) freigelegten Bereich der n-InP-Kaschierungsschicht (13) und in die Oberfläche der n-InGa-As-Deckschicht (15),
- - Strukturieren der n-InGaAs-Deckschicht (15) und der n-InP-Kaschierungsschicht (13) zu einer stegförmigen Anordnung auf der Wellenleiterschicht (12) durch Erzeugen einer Maske und anschließendes Ätzen der Schichten,
- - Aufbringen von Elektrodenmaterial (16) auf die Oberfläche der stegförmigen Anordnung und auf die Rückseite des Substrats (11).
4. Verfahren zur Herstellung einer optischen Schaltvorrichtung,
bei der durch Stromzufuhr in den Schaltbereich
(10) einer optischen Wellenleiteranordnung der Brechungsindex
des Wellenleitermaterials im Schaltbereich
(10) so verändert wird, daß ein in der Wellenleiteranordnung
geführter Lichtstrahl durch Totalreflexion von
einem ersten Lichtweg in einen zweiten Lichtweg umgelenkt
wird, mit folgenden Verfahrensschritten:
- - Aufbringen einer optischen Wellenleiterschicht (22), einer n-InP-Kaschierungsschicht (13), einer p-InP-Stromsperrschicht (11) und einer n-InGaAs-Deckschicht (15) auf die Vorderseite eines n-InP-Substrats (11) in der angegebenen Reihenfolge mittels epitaktischer Aufwachsvorgänge,
- - Erzeugen einer sich zur p-InP-Kaschierungsschicht (13) verjüngenden, bis zur Oberfläche der p-InP-Stromsperrschicht (14) reichenden Öffnung in der n-InGaAs-Deckschicht (15) oberhalb des Schaltbereichs (10) durch selektives anisotropes Ätzen der n-InGa-As-Deckschicht (15),
- - Diffundieren von p-Leitung erzeugenden Fremdatomen in den durch die Öffnung (25) freigelegten Bereich der p-InP-Stromsperrschicht (14), den darunter liegenden Bereich der n-InP-Kaschierungsschicht (13) und in die Oberfläche der n-InGa-As-Deckschicht (15),
- - Strukturieren der n-InGaAs-Deckschicht (15), der p-InP- Stromsperrschicht (14) und der n-InP-Kaschierungsschicht (13) zu einer stegförmigen Anordnung auf der Wellenleiterschicht (12) durch Erzeugen einer Maske und anschließendes Ätzen der Schichten,
- - Aufbringen von Elektrodenmaterial (16) auf die Oberfläche der stegförmigen Anordnung und auf die Rückseite des Substrats (11).
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR93018145A KR970004488B1 (en) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | Method for manufacture for light switching of semiconductor |
KR1019930018267A KR970004495B1 (ko) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 반도체 광스위치 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4432010A1 DE4432010A1 (de) | 1995-03-16 |
DE4432010C2 true DE4432010C2 (de) | 1996-08-14 |
Family
ID=26629878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4432010A Expired - Fee Related DE4432010C2 (de) | 1993-09-09 | 1994-09-08 | Optische Schaltvorrichtung und Herstellungsverfahren für diese |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5581108A (de) |
JP (1) | JP2792826B2 (de) |
DE (1) | DE4432010C2 (de) |
FR (1) | FR2709842B1 (de) |
GB (1) | GB2281786B (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6473541B1 (en) * | 1999-09-15 | 2002-10-29 | Seng-Tiong Ho | Photon transistors |
US6298180B1 (en) | 1999-09-15 | 2001-10-02 | Seng-Tiong Ho | Photon transistors |
US6526193B1 (en) | 2000-11-17 | 2003-02-25 | National Research Council Of Canada | Digital optical switch |
US6738541B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-05-18 | Agilent Technologies, Inc. | Optical switch comprising two non-coplanar arrays of optical waveguides |
JP2004325708A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Yokogawa Electric Corp | アクティブ回折格子 |
US20070262296A1 (en) * | 2006-05-11 | 2007-11-15 | Matthias Bauer | Photodetectors employing germanium layers |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6084812A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | Matsushita Electric Works Ltd | トランジスタの製法 |
JPH02298923A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-11 | Fujikura Ltd | 半導体光スイッチ |
JPH03209816A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH03278030A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 全反射型光導波路スイッチ |
JPH05102606A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-23 | Omron Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JPH05119359A (ja) * | 1991-10-28 | 1993-05-18 | Fujikura Ltd | 基板型光スイツチ及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-09-07 US US08/301,998 patent/US5581108A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-08 FR FR9410930A patent/FR2709842B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-08 GB GB9418153A patent/GB2281786B/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-08 DE DE4432010A patent/DE4432010C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-09 JP JP6216322A patent/JP2792826B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9418153D0 (en) | 1994-10-26 |
DE4432010A1 (de) | 1995-03-16 |
FR2709842A1 (fr) | 1995-03-17 |
GB2281786A (en) | 1995-03-15 |
US5581108A (en) | 1996-12-03 |
JPH07152052A (ja) | 1995-06-16 |
FR2709842B1 (fr) | 1996-01-12 |
JP2792826B2 (ja) | 1998-09-03 |
GB2281786B (en) | 1997-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3300986C2 (de) | ||
EP0187198B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integriert - optischen Anordnung | |
DE2723414C2 (de) | Optisches Halbleiter-Wellenleiterbauelement | |
DE19545164B4 (de) | Optische Halbleitervorrichtung mit vergrabenem Wellenleiter und Herstellungsverfahren dafür | |
DE3689067T2 (de) | Verfahren zur herstellung von optischen halbleiterstrukturen. | |
EP0415225B1 (de) | Integriert optische Anordnung mit wenigstens einem auf einem Substrat aus Halbleitermaterial integrierten optischen Wellenleiter | |
DE3300131C2 (de) | Integriertes optisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE4429772C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Modulator-Halbleiterlaservorrichtung | |
DE10131143B4 (de) | Optischer Modulator. Verfahren zur Herstellung desselben und photonische Halbleitereinrichtung | |
DE3936694C2 (de) | Halbleiterbauteil, insbesondere DFB-Halbleiterlaser | |
DE3007809A1 (de) | Halbleiterlichtausstrahlungselement und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3781568T2 (de) | Optischer schalter. | |
DE10136727C2 (de) | Photonische Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE19619533A1 (de) | Monolithisch integriertes optisches Halbleiterbauelement | |
DE4404459A1 (de) | Optischer Schalter und Verfahren zum Herstellen des optischen Schalters | |
DE19625599A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements und Halbleiter-Bauelement | |
EP0383958B1 (de) | Abstimmbarer Halbleiterlaser | |
DE4432010C2 (de) | Optische Schaltvorrichtung und Herstellungsverfahren für diese | |
EP0278408A2 (de) | Monolithisch integrierte Wellenleiter-Fotodiodenkombination | |
DE60107581T2 (de) | Vielfachsegmentierter integrierter laser und herstellungsverfahren | |
DE3221497A1 (de) | Stabilisierter halbleiterlaser | |
DE3881138T2 (de) | Optisches schaltelement aus zwei parallelen lichtleitern und aus solchen elementen zusammengesetzte schaltmatrix. | |
DE19607894C2 (de) | Halbleiterlaser und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE60112710T2 (de) | Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtungen und optischer Wellenleiter | |
DE19613235A1 (de) | Selektive Maske, Herstellungsverfahren für ein optisches Halbleiterbauelement und optisches Halbleiterbauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |