JPH05102606A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法Info
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- JPH05102606A JPH05102606A JP28544591A JP28544591A JPH05102606A JP H05102606 A JPH05102606 A JP H05102606A JP 28544591 A JP28544591 A JP 28544591A JP 28544591 A JP28544591 A JP 28544591A JP H05102606 A JPH05102606 A JP H05102606A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ジャンクション・ダウン実装に適した構造の
半導体発光素子を提供する。 【構成】 半導体基板10上の活性層12上部に,pクラッ
ド層13,nブロッキング層14およびpキャップ層15を成
長させ,pn接合電流阻止層を設ける。pキャップ層15
からpn接合面を貫通してエッチングによりV溝16を形
成し,pキャップ層15上面およびV溝16内面にZnを拡
散させて,nブロッキング層14の一部をp型に反転させ
て電流狭窄構造とする。pキャップ層上面全体に電極18
を設ける。エッチングによって深いV溝を形成できるの
でキャップ層15から活性層12までの距離を大きくさせる
ことができる。
半導体発光素子を提供する。 【構成】 半導体基板10上の活性層12上部に,pクラッ
ド層13,nブロッキング層14およびpキャップ層15を成
長させ,pn接合電流阻止層を設ける。pキャップ層15
からpn接合面を貫通してエッチングによりV溝16を形
成し,pキャップ層15上面およびV溝16内面にZnを拡
散させて,nブロッキング層14の一部をp型に反転させ
て電流狭窄構造とする。pキャップ層上面全体に電極18
を設ける。エッチングによって深いV溝を形成できるの
でキャップ層15から活性層12までの距離を大きくさせる
ことができる。
Description
【0001】
【技術分野】この発明は半導体発光素子およびその製造
方法に関する。
方法に関する。
【0002】
【先願発明の説明】平坦な基板上に1回の平坦な多層結
晶成工程で電流狭窄構造をもたせた半導体発光素子につ
いて,出願人は既にいくつかの提案を行った。
晶成工程で電流狭窄構造をもたせた半導体発光素子につ
いて,出願人は既にいくつかの提案を行った。
【0003】特願平2−32575 号において提案した半導
体発光素子の一つは図5に示すように端面出射型のもの
であって,n−GaAs基板30上にn−AlGaAs下
部クラッド層31,GaAs活性層32,p−AlGaAs
上部クラッド層33,n−GaAsブロッキング層34,お
よびp−GaAsキャップ層35を順次成長させ,光出射
端面側の一部において,最上層のキャップ層35から上部
クラッド層33に達するまでp−Zn拡散領域36を形成
し,ブロッキング層34におけるこの領域36の導電型をp
型に反転して電流狭窄構造を形成するものである。この
半導体ウエハの上,下面にp側電極38およびn側電極37
が設けられる。
体発光素子の一つは図5に示すように端面出射型のもの
であって,n−GaAs基板30上にn−AlGaAs下
部クラッド層31,GaAs活性層32,p−AlGaAs
上部クラッド層33,n−GaAsブロッキング層34,お
よびp−GaAsキャップ層35を順次成長させ,光出射
端面側の一部において,最上層のキャップ層35から上部
クラッド層33に達するまでp−Zn拡散領域36を形成
し,ブロッキング層34におけるこの領域36の導電型をp
型に反転して電流狭窄構造を形成するものである。この
半導体ウエハの上,下面にp側電極38およびn側電極37
が設けられる。
【0004】この半導体発光素子においてはZn拡散技
術を用いており,Zn拡散の深さには限界があるので,
キャップ層35およびブロッキング層34の厚さを厚くする
ことが困難である。このため活性層32と上表面(電極3
8)との間の距離を大きくとることがむずかしく,ジャ
ンクション・ダウン(J−Down)実装に必ずしも適して
いない。Zn拡散領域36の幅は狭いほど高出力化に有利
であるが,Zn拡散のためのマスク作製工程において幅
の狭いマスク・パターンのパターニングが困難である。
術を用いており,Zn拡散の深さには限界があるので,
キャップ層35およびブロッキング層34の厚さを厚くする
ことが困難である。このため活性層32と上表面(電極3
8)との間の距離を大きくとることがむずかしく,ジャ
ンクション・ダウン(J−Down)実装に必ずしも適して
いない。Zn拡散領域36の幅は狭いほど高出力化に有利
であるが,Zn拡散のためのマスク作製工程において幅
の狭いマスク・パターンのパターニングが困難である。
【0005】特願平2−410085号において提案した端面
出射型半導体発光素子の一つは,図6に示すように,n
−GaAs基板40上に,n−AlGaAs下部クラッド
層41,GaAs活性層42,p−AlGaAs上部クラッ
ド層43,p−GaAs層44およびn−GaAs層45をM
BEまたはMOCVD法等により順次成長させるもので
ある。p−GaAs層44とn−GaAs層45とによって
pn接合電流阻止層が構成される。光出射端面側の一部
において,最上層のn−GaAs層45からp−GaAs
層44に達するまで,しかし上部クラッド層43には達する
ことがない程度の深さのV溝47をエッチングにより形成
する。最後に基板40の下面にn側電極48を,n−GaA
s層45の上面全体および溝47の表面全体にp側電極49を
それぞれ形成する。
出射型半導体発光素子の一つは,図6に示すように,n
−GaAs基板40上に,n−AlGaAs下部クラッド
層41,GaAs活性層42,p−AlGaAs上部クラッ
ド層43,p−GaAs層44およびn−GaAs層45をM
BEまたはMOCVD法等により順次成長させるもので
ある。p−GaAs層44とn−GaAs層45とによって
pn接合電流阻止層が構成される。光出射端面側の一部
において,最上層のn−GaAs層45からp−GaAs
層44に達するまで,しかし上部クラッド層43には達する
ことがない程度の深さのV溝47をエッチングにより形成
する。最後に基板40の下面にn側電極48を,n−GaA
s層45の上面全体および溝47の表面全体にp側電極49を
それぞれ形成する。
【0006】両電極48,49間に電圧を印加すると,p−
GaAs層44とn−GaAs層45との界面に形成される
pn接合により電流の流れが阻止され,V溝47の下端の
部分を通してのみ電流が流れる。これにより電流狭窄構
造が実現される。
GaAs層44とn−GaAs層45との界面に形成される
pn接合により電流の流れが阻止され,V溝47の下端の
部分を通してのみ電流が流れる。これにより電流狭窄構
造が実現される。
【0007】この半導体発光素子においてはV溝47の内
側面に露出したpn接合部分を直接に電極49によって覆
う構造であるために,電流狭窄効果が必ずしも大きくな
らず,発光径が大きくなる。
側面に露出したpn接合部分を直接に電極49によって覆
う構造であるために,電流狭窄効果が必ずしも大きくな
らず,発光径が大きくなる。
【0008】
【発明の概要】この発明は上述した先願発明を一層改善
するものである。
するものである。
【0009】この発明による半導体発光素子は,半導体
基板上に形成された発光層の上部に,駆動電流阻止用の
pn接合が形成され,最上層の半導体層から上記pn接
合を貫通して凹部が形成され,上記最上層の半導体層の
表面および上記凹部の表面に沿って駆動電流の電流通路
となる拡散層が形成され,少なくとも上記最上層の半導
体層の表面に電極が形成されているものである。
基板上に形成された発光層の上部に,駆動電流阻止用の
pn接合が形成され,最上層の半導体層から上記pn接
合を貫通して凹部が形成され,上記最上層の半導体層の
表面および上記凹部の表面に沿って駆動電流の電流通路
となる拡散層が形成され,少なくとも上記最上層の半導
体層の表面に電極が形成されているものである。
【0010】端面出射型の場合には,上記凹部はV溝で
ある。この溝は光出射端面側の一部に形成してもよい
し,両端面間にわたって形成してもよい。またこの溝は
V溝またはU溝でもよい。
ある。この溝は光出射端面側の一部に形成してもよい
し,両端面間にわたって形成してもよい。またこの溝は
V溝またはU溝でもよい。
【0011】面発光型の場合には上記凹部は穴となる。
【0012】この発明による端面出射型半導体発光素子
は,半導体基板上に形成された発光層上に,電流阻止層
として働く第1の導電型の第1の半導体層とこれを上,
下に挟む第2の導電型の第2および第3の半導体層とが
形成され,最上層の第2の半導体層から第1の半導体層
を貫通して第3の半導体層に達するまで溝が形成され,
最上層の第2の半導体層の表面および上記溝の内側面に
そって第2の導電型の不純物による拡散層が形成され,
第1の半導体層におけるこの拡散層の形成されている部
分の導電型が反転することにより電流通路が形成され,
少なくとも最上層の第2の半導体層の表面にオーミック
接触電極が形成されているものである。
は,半導体基板上に形成された発光層上に,電流阻止層
として働く第1の導電型の第1の半導体層とこれを上,
下に挟む第2の導電型の第2および第3の半導体層とが
形成され,最上層の第2の半導体層から第1の半導体層
を貫通して第3の半導体層に達するまで溝が形成され,
最上層の第2の半導体層の表面および上記溝の内側面に
そって第2の導電型の不純物による拡散層が形成され,
第1の半導体層におけるこの拡散層の形成されている部
分の導電型が反転することにより電流通路が形成され,
少なくとも最上層の第2の半導体層の表面にオーミック
接触電極が形成されているものである。
【0013】好ましい実施態様では上記溝はV溝であ
る。このV溝は,光出射端面側の一部に形成してもよい
し,両端面間にわたって形成してもよい。上記オーミッ
ク接触電極はV溝の内側面にも形成されよう。
る。このV溝は,光出射端面側の一部に形成してもよい
し,両端面間にわたって形成してもよい。上記オーミッ
ク接触電極はV溝の内側面にも形成されよう。
【0014】この発明による面発光型半導体発光素子
は,半導体基板上に形成された発光層上に,電流阻止層
として働く第1の導電型の第1の半導体層とこれを上,
下に挟む第2の導電型の第2および第3の半導体層とが
形成され,最上層の第2の半導体層から第1の半導体層
を貫通して第3の半導体層に達するまで凹部が形成さ
れ,最上層の第2の半導体層の表面および上記凹部の内
表面にそって第2の導電型の不純物による拡散層が形成
され,第1の半導体層におけるこの拡散層の形成されて
いる部分の導電型が反転することにより電流通路が形成
され,少なくとも最上層の第2の半導体層の表面にオー
ミック接触電極が形成されているものである。
は,半導体基板上に形成された発光層上に,電流阻止層
として働く第1の導電型の第1の半導体層とこれを上,
下に挟む第2の導電型の第2および第3の半導体層とが
形成され,最上層の第2の半導体層から第1の半導体層
を貫通して第3の半導体層に達するまで凹部が形成さ
れ,最上層の第2の半導体層の表面および上記凹部の内
表面にそって第2の導電型の不純物による拡散層が形成
され,第1の半導体層におけるこの拡散層の形成されて
いる部分の導電型が反転することにより電流通路が形成
され,少なくとも最上層の第2の半導体層の表面にオー
ミック接触電極が形成されているものである。
【0015】この発明による半導体発光素子の製造方法
は,半導体基板上に形成された発光層の上部にpn接合
電流阻止層を形成し,最上層の半導体層から上記pn接
合電流阻止層を貫通して凹部を形成し,上記最上層の半
導体層および上記凹部の表面に沿って,上記pn接合の
一方の導電型を反転し電流通路領域を形成するために拡
散層を形成し,少なくとも上記最上層の半導体層の表面
に電極を形成するものである。
は,半導体基板上に形成された発光層の上部にpn接合
電流阻止層を形成し,最上層の半導体層から上記pn接
合電流阻止層を貫通して凹部を形成し,上記最上層の半
導体層および上記凹部の表面に沿って,上記pn接合の
一方の導電型を反転し電流通路領域を形成するために拡
散層を形成し,少なくとも上記最上層の半導体層の表面
に電極を形成するものである。
【0016】上記凹部を溝とすることにより,端面出射
型の半導体発光素子を製造できる。
型の半導体発光素子を製造できる。
【0017】上記凹部を穴とすることにより,面発光型
の半導体発光素子を製造できる。
の半導体発光素子を製造できる。
【0018】発光層の上部にあるpn接合電流阻止層の
逆耐圧特性によって電流の通過が阻止される。凹部はこ
のpn接合を貫通して形成され,その周囲に拡散層が形
成されているので,この拡散層を通して(および凹の表
面に電極があれば電極を通して)電流が流れ,電流狭窄
構造が実現される。
逆耐圧特性によって電流の通過が阻止される。凹部はこ
のpn接合を貫通して形成され,その周囲に拡散層が形
成されているので,この拡散層を通して(および凹の表
面に電極があれば電極を通して)電流が流れ,電流狭窄
構造が実現される。
【0019】この発明によると,最上層の導電型と同じ
導電型の拡散層を形成し,最上層の上面全体にオーミッ
ク電極を設けることが可能であるから低オーミック抵抗
を実現することが可能である。
導電型の拡散層を形成し,最上層の上面全体にオーミッ
ク電極を設けることが可能であるから低オーミック抵抗
を実現することが可能である。
【0020】また,結晶成長プロセスは1回でよく,結
晶成長プロセスののち溝を形成し,拡散層を形成してオ
ーミック電極を設けるだけでよいので製造プロセスが容
易である。
晶成長プロセスののち溝を形成し,拡散層を形成してオ
ーミック電極を設けるだけでよいので製造プロセスが容
易である。
【0021】上記凹部(溝または穴)はエッチング・プ
ロセス等により形成することができ,その深さを深くす
ることができる。したがって,発光層と上面との間の距
離を大きくとることができるので,ジャンクション・ダ
ウン実装に適したものとなる。
ロセス等により形成することができ,その深さを深くす
ることができる。したがって,発光層と上面との間の距
離を大きくとることができるので,ジャンクション・ダ
ウン実装に適したものとなる。
【0022】上記凹部(V溝またはU字形の穴)の先端
部分は狭くなり,この凹部にそって不純物を拡散するこ
とにより拡散層の幅を狭くすることができる。すなわ
ち,通常のパターニング・プロセスにより安定して狭い
拡散幅を実現できる。この拡散領域によってpn接合の
導電型を反転させているので電流狭窄効果が大きく,発
光径を小さくすることができる。
部分は狭くなり,この凹部にそって不純物を拡散するこ
とにより拡散層の幅を狭くすることができる。すなわ
ち,通常のパターニング・プロセスにより安定して狭い
拡散幅を実現できる。この拡散領域によってpn接合の
導電型を反転させているので電流狭窄効果が大きく,発
光径を小さくすることができる。
【0023】
【実施例】図1はこの発明の実施例による端面出射型発
光素子(LED)の斜視図である。また,図2(A) から
(D) はこの端面出射型発光素子の製造工程を示すもので
ある。
光素子(LED)の斜視図である。また,図2(A) から
(D) はこの端面出射型発光素子の製造工程を示すもので
ある。
【0024】ここではその製造工程を明らかにすること
により,端面出射型発光素子の構造を明らかにする。
により,端面出射型発光素子の構造を明らかにする。
【0025】まずn−GaAs基板10上に,図2(A) に
示すようにn−AlGaAs下部クラッド層11,GaA
s活性層12,p−AlGaAs上部クラッド層13,n−
GaAsブロッキング層14およびp−GaAsキャップ
層15をMBEまたはMOCVD法等により順次成長させ
る。これはpnpn構造である。GaAs活性層12は量
子井戸構造でもよいし,他の任意の構造とすることがで
きる。p−AlGaAs上部クラッド層13とn−GaA
sブロッキング層14とによって電流阻止層用のpn接合
が形成されている。
示すようにn−AlGaAs下部クラッド層11,GaA
s活性層12,p−AlGaAs上部クラッド層13,n−
GaAsブロッキング層14およびp−GaAsキャップ
層15をMBEまたはMOCVD法等により順次成長させ
る。これはpnpn構造である。GaAs活性層12は量
子井戸構造でもよいし,他の任意の構造とすることがで
きる。p−AlGaAs上部クラッド層13とn−GaA
sブロッキング層14とによって電流阻止層用のpn接合
が形成されている。
【0026】次にp−GaAsキャップ層15上にAZレ
ジストを塗布し,パターニングを行い,エッチングによ
ってV溝を形成すべき領域を現像により除去する。この
実施例ではこのようにして形成されたレジスト21の窓21
aは一端面にのぞみ,他端面には達することなく途中で
終っている。もちろん,一端面から他端面まで窓を形成
してもよい。
ジストを塗布し,パターニングを行い,エッチングによ
ってV溝を形成すべき領域を現像により除去する。この
実施例ではこのようにして形成されたレジスト21の窓21
aは一端面にのぞみ,他端面には達することなく途中で
終っている。もちろん,一端面から他端面まで窓を形成
してもよい。
【0027】レジスト21をマスクとして,エッチング液
としてたとえばアンモニア水と過酸化水素水の混合液を
用いて,p−AlGaAs上部クラッド層13に達するま
でエッチングすると,図2(B) に示すように,V溝16が
形成される。
としてたとえばアンモニア水と過酸化水素水の混合液を
用いて,p−AlGaAs上部クラッド層13に達するま
でエッチングすると,図2(B) に示すように,V溝16が
形成される。
【0028】AZレジスト21を除去した後に,図2(C)
に示すように,p−GaAsキャップ層15の上面全体に
Zn拡散を行うと,V溝16の表面にもZnが拡散される
ので,n−GaAsブロッキング層14のV溝16の表面近
くの部分がp導電型に反転する。これにより電流狭窄構
造ができる。
に示すように,p−GaAsキャップ層15の上面全体に
Zn拡散を行うと,V溝16の表面にもZnが拡散される
ので,n−GaAsブロッキング層14のV溝16の表面近
くの部分がp導電型に反転する。これにより電流狭窄構
造ができる。
【0029】最後に,図2(D) に示すように,p−Ga
Asキャップ層15上面全体およびV溝16の表面全体にp
側電極18を,たとえばCr/Auを蒸着して形成し,n
−GaAs基板10の下部にはn側電極19を,たとえばA
uGeNiを蒸着して形成する。V溝16の表面には電極
18を形成しなくてもよい。
Asキャップ層15上面全体およびV溝16の表面全体にp
側電極18を,たとえばCr/Auを蒸着して形成し,n
−GaAs基板10の下部にはn側電極19を,たとえばA
uGeNiを蒸着して形成する。V溝16の表面には電極
18を形成しなくてもよい。
【0030】この実施例による端面出射型発光素子にお
いては,p−GaAsキャップ層15の上面全体(および
V溝16の表面全体)がp側電極18とオーミック接触して
いるので接触抵抗が小さくなり,発熱による光出力の低
下がない。
いては,p−GaAsキャップ層15の上面全体(および
V溝16の表面全体)がp側電極18とオーミック接触して
いるので接触抵抗が小さくなり,発熱による光出力の低
下がない。
【0031】両電極18,19間に電圧を印加すると,p−
AlGaAsクラッド層13とn−GaAsブロッキング
層14との間がpn接合電流阻止層となり,電流はn−G
aAsブロッキング層14内のp導電型に反転したZn拡
散領域17(およびV溝16表面の電極18)を通って流れ
る。これにより電流の流れる部分を非常に狭くし,電流
密度を高くする電流狭窄効果が大きくなるので,微小発
光領域かつ高出力の発光が得られる。
AlGaAsクラッド層13とn−GaAsブロッキング
層14との間がpn接合電流阻止層となり,電流はn−G
aAsブロッキング層14内のp導電型に反転したZn拡
散領域17(およびV溝16表面の電極18)を通って流れ
る。これにより電流の流れる部分を非常に狭くし,電流
密度を高くする電流狭窄効果が大きくなるので,微小発
光領域かつ高出力の発光が得られる。
【0032】またp−AlGaAs上部クラッド層13内
にある上記V字型溝の先端部分はフォトリソグラフィ工
程によるパターン幅よりも狭いので,上記V字型溝の先
端部分から電流を注入すれば,通常のパターニング・プ
ロセスでも安定して狭い電流注入幅を得ることができ
る。
にある上記V字型溝の先端部分はフォトリソグラフィ工
程によるパターン幅よりも狭いので,上記V字型溝の先
端部分から電流を注入すれば,通常のパターニング・プ
ロセスでも安定して狭い電流注入幅を得ることができ
る。
【0033】さらに,V溝16をエッチングにより形成し
ており,V溝を深くすることができるので,キャップ層
15から活性層12までの距離を大きくとることができ,ジ
ャンクション・ダウン実装に適したものとなる。ジャン
クション・ダウン実装において多発するハンダ材のまわ
り込みによる歩留り低下を防止することができる。
ており,V溝を深くすることができるので,キャップ層
15から活性層12までの距離を大きくとることができ,ジ
ャンクション・ダウン実装に適したものとなる。ジャン
クション・ダウン実装において多発するハンダ材のまわ
り込みによる歩留り低下を防止することができる。
【0034】図5に示す端面出射型発光素子の構造で
は,上述したように拡散深さの限界により発光層(活性
層)を表面に近くしなければならない。たとえば,実測
によると,Zn拡散の深さは,GaAsに対して700
℃,1時間の拡散工程で2.5 μm程である。これに対し
て,この実施例の端面出射型発光素子の構造の場合,p
−キャップ層15の厚さを5μm以上にしてもV溝エッチ
ングによりV溝16の先端をGaAs活性層12付近まで近
づけることが可能で,しかも電流注入幅を狭くすること
ができる。
は,上述したように拡散深さの限界により発光層(活性
層)を表面に近くしなければならない。たとえば,実測
によると,Zn拡散の深さは,GaAsに対して700
℃,1時間の拡散工程で2.5 μm程である。これに対し
て,この実施例の端面出射型発光素子の構造の場合,p
−キャップ層15の厚さを5μm以上にしてもV溝エッチ
ングによりV溝16の先端をGaAs活性層12付近まで近
づけることが可能で,しかも電流注入幅を狭くすること
ができる。
【0035】上述したようにV溝16は両端面間にわたっ
て形成してもよいのはいうまでもない。
て形成してもよいのはいうまでもない。
【0036】図3および図4はこの発明を面発光型発光
素子(LED)に適用した実施例を示すものである。
素子(LED)に適用した実施例を示すものである。
【0037】この面発光型発光素子の基本的な構造は図
1に示すものと同じであり,その構造工程も基本的には
図2に示すものと同じであるので,同一物には同一符号
を付し重複説明を省略する。
1に示すものと同じであり,その構造工程も基本的には
図2に示すものと同じであるので,同一物には同一符号
を付し重複説明を省略する。
【0038】面発光型発光素子においては,上面のp−
GaAsキャップ層15からp−AlGaAs上部クラッ
ド層13に達するまで穴26が形成されている。p−GaA
sキャップ層15上面部,ならびに穴26の内周面部および
底面部にZn拡散層17が形成されている。この穴26の部
分から上方に光を取出すために穴26には電極18は形成さ
れていない。
GaAsキャップ層15からp−AlGaAs上部クラッ
ド層13に達するまで穴26が形成されている。p−GaA
sキャップ層15上面部,ならびに穴26の内周面部および
底面部にZn拡散層17が形成されている。この穴26の部
分から上方に光を取出すために穴26には電極18は形成さ
れていない。
【0039】上記2つの実施例においてこれらの発光素
子をアレイ化することもできる。すなわち,一つのウエ
ハ上に多数のV溝16または穴26を形成する。
子をアレイ化することもできる。すなわち,一つのウエ
ハ上に多数のV溝16または穴26を形成する。
【0040】上記実施例ではブロッキング層としてGa
Asが用いられているが拡散速度を高めるためにAlG
aAsとしてもよい。
Asが用いられているが拡散速度を高めるためにAlG
aAsとしてもよい。
【0041】半導体材料にはAlGaAs系にとらわれ
ないのはいうまでもない。
ないのはいうまでもない。
【0042】またp,n導電型は上記実施例のものと逆
でもよい。この場合には拡散される不純物の導電型はn
型となる。
でもよい。この場合には拡散される不純物の導電型はn
型となる。
【0043】さらに,活性層より上のpn接合は,上記
実施例では2つの層からなるが,最上層がブロッキング
(電流阻止)層と逆の導電型であればそれ以上でもよい
のはいうまでもない。
実施例では2つの層からなるが,最上層がブロッキング
(電流阻止)層と逆の導電型であればそれ以上でもよい
のはいうまでもない。
【図1】この発明の実施例による端面出射型発光素子の
斜視図である。
斜視図である。
【図2】(A) から(D) は上記端面出射型発光素子の製造
工程を示すものである。
工程を示すものである。
【図3】この発明の実施例による上面出射型発光素子の
斜視図である。
斜視図である。
【図4】上記上面出射型発光素子の断面図である。
【図5】先願発明による端面出射型発光素子の斜視図で
ある。
ある。
【図6】先願発明による端面出射型発光素子の斜視図で
ある。
ある。
10 n−GaAs基板 11 n−AlGaAs下部クラッド層 12 GaAs活性層 13 p−AlGaAs上部クラッド層 14 n−GaAsブロッキング層 15 p−GaAsキャップ層 16 V溝 17 Zn拡散層 18 p側電極 19 n側電極 26 穴
Claims (12)
- 【請求項1】 半導体基板上に形成された発光層の上部
に,駆動電流阻止用のpn接合が形成され,最上層の半
導体層から上記pn接合を貫通して凹部が形成され,上
記最上層の半導体層の表面および上記凹部の表面に沿っ
て駆動電流の電流通路となる拡散層が形成され,少なく
とも上記最上層の半導体層の表面に電極が形成されてい
る半導体発光素子。 - 【請求項2】 上記凹部がV溝またはU字状の穴である
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 【請求項3】 上記凹部が溝であり,光出射端面側の一
部に形成されている請求項1に記載の半導体発光素子。 - 【請求項4】 半導体基板上に形成された発光層上に,
電流阻止層として働く第1の導電型の第1の半導体層と
これを上,下に挟む第2の導電型の第2および第3の半
導体層とが形成され,最上層の第2の半導体層から第1
の半導体層を貫通して第3の半導体層に達するまで溝が
形成され,最上層の第2の半導体層の表面および上記溝
の内側面にそって第2の導電型の不純物による拡散層が
形成され,第1の半導体層におけるこの拡散層の形成さ
れている部分の導電型が反転することにより電流通路が
形成され,少なくとも最上層の第2の半導体層の表面に
オーミック接触電極が形成されている端面出射型半導体
発光素子。 - 【請求項5】 上記溝がV溝であり,光出射端面側の一
部に形成されている請求項4に記載の端面出射型半導体
発光素子。 - 【請求項6】 上記オーミック接触電極が上記溝の内側
面にも形成されている請求項4に記載の端面出射型半導
体発光素子。 - 【請求項7】 半導体基板上に形成された発光層上に,
電流阻止層として働く第1の導電型の第1の半導体層と
これを上,下に挟む第2の導電型の第2および第3の半
導体層とが形成され,最上層の第2の半導体層から第1
の半導体層を貫通して第3の半導体層に達するまで凹部
が形成され,最上層の第2の半導体層の表面および上記
凹部の内表面にそって第2の導電型の不純物による拡散
層が形成され,第1の半導体層におけるこの拡散層の形
成されている部分の導電型が反転することにより電流通
路が形成され,少なくとも最上層の第2の半導体層の表
面にオーミック接触電極が形成されている面発光型半導
体発光素子。 - 【請求項8】 上記オーミック接触電極が上記最上層の
表面にのみ形成されている請求項7に記載の面発光型半
導体発光素子。 - 【請求項9】 半導体基板上に形成された発光層の上部
にpn接合電流阻止層を形成し, 最上層の半導体層から上記pn接合電流阻止層を貫通し
て凹部を形成し, 上記最上層の半導体層および上記凹部の表面に沿って,
上記pn接合の一方の導電型を反転し電流通路領域を形
成するために拡散層を形成し, 少なくとも上記最上層の半導体層の表面に電極を形成す
る, 半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項10】 上記凹部を溝とし,端面出射型の半導
体発光素子を製造する請求項9に記載の製造方法。 - 【請求項11】 上記凹部を溝とし,この溝を光出射端
面側の一部に形成する,端面出射型の半導体発光素子を
製造する請求項9に記載の製造方法。 - 【請求項12】 上記凹部を穴とし,面発光型の半導体
発光素子を製造する請求項9に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28544591A JPH05102606A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28544591A JPH05102606A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05102606A true JPH05102606A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17691611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28544591A Pending JPH05102606A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05102606A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07152052A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-06-16 | Korea Electron Telecommun | 光スイッチおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP28544591A patent/JPH05102606A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07152052A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-06-16 | Korea Electron Telecommun | 光スイッチおよびその製造方法 |
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