DE4429582A1 - Strahlungsquelle für ein Meßsystem - Google Patents

Strahlungsquelle für ein Meßsystem

Info

Publication number
DE4429582A1
DE4429582A1 DE4429582A DE4429582A DE4429582A1 DE 4429582 A1 DE4429582 A1 DE 4429582A1 DE 4429582 A DE4429582 A DE 4429582A DE 4429582 A DE4429582 A DE 4429582A DE 4429582 A1 DE4429582 A1 DE 4429582A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
radiation source
laser diode
substrate
radiation
peltier element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE4429582A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4429582C2 (de
Inventor
Regina Dr Best-Timmann
Peter Dreyer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Draeger Medical GmbH
Original Assignee
Draegerwerk AG and Co KGaA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Draegerwerk AG and Co KGaA filed Critical Draegerwerk AG and Co KGaA
Priority to DE4429582A priority Critical patent/DE4429582C2/de
Priority to GB9516803A priority patent/GB2292479A/en
Publication of DE4429582A1 publication Critical patent/DE4429582A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4429582C2 publication Critical patent/DE4429582C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/39Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using tunable lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02257Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06804Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Strahlungsquelle für ein Meßsystem zur spektroskopischen Bestimmung des Anteils eines Stoffes in einer Gasprobe mit zumindestens einer Temperiervorrichtung zur Einstellung eines Temperatur-Arbeitspunktes der Strahlungsquelle.
Eine Vorrichtung zur spektroskopischen Bestimmung des Anteils eines Stoffes in einer Gasprobe ist aus der DE-A 41 22 572 bekanntgeworden. Mit der bekannten Vorrichtung werden Sauerstoffkonzentrationen mittels Strahlungsabsorption im Wellenlängenbereich von ca. 760 Nanometer gemessen. Als Strahlungsquelle wird eine sogenannte kantenemittierende Laserdiode mit einer Monitordiode verwendet, mit einem Wellenlängenbereich von 759 bis 764 Nanometer. Die auf der Vorderseite der Laserdiode austretende Strahlung wird als Meßstrahlung verwendet, die rückwärtige Strahlung trifft auf die Monitordiode. Die Laserdiode wird von einem Steuerstrom gespeist, der aus einem Gleichstromanteil und einem Wechselstromanteil mit der Frequenz von 5 KHz zusammengesetzt ist. Mit dem Gleichstromanteil des Steuerstroms wird der Arbeitsstrom I der Laserdiode eingestellt, während der Wechselstromanteil eine periodische Verstimmung im Bereich der Absorptionslinien bewirkt. Um eine möglichst oberwellenfreie Ansteuerung der Laserdiode zu erreichen, wird als Wechselstrom ein sinusförmiger Kurvenverlauf gewählt. Die Laserdiode und die Monitordiode sind als Block auf einer Temperiervorrichtung montiert, wobei über die Temperatur T der Temperatur-Arbeitspunkt der Laserdiode eingestellt und diese hierdurch auf eine der bekannten Absorptionslinien von Sauerstoff gebracht wird. Da die Absorptionslinien, besonders bei Sauerstoff, schwach ausgeprägt sind, wird die zweite Ableitung der Absorptionslinie für die Konzentrationsmessung verwendet. Innerhalb der Absorptionslinie liegt der Arbeitspunkt üblicherweise auf dem mittleren Extremum der zweiten Ableitung der Absorptionslinie. Die von der Laserdiode emittierte Strahlung trifft, nachdem sie das zu untersuchende Gas durchlaufen hat, auf eine Detektoreinrichtung, die an eine Auswerteschaltung angeschlossen ist. Die Auswerteschaltung besteht im wesentlichen aus einem Lock-In Verstärker, der an seinem Signaleingang mit dem Meßsignal der Detektoreinrichtung und an seinem Referenzeingang mit einer Signalspannung von der doppelten Frequenz der Ansteuerung der Laserdiode beaufschlagt wird. Das Ausgangssignal des Lock-In Verstärkers entspricht der zweiten Ableitung des Absorptionssignals.
Nachteilig bei der bekannten Vorrichtung ist, daß kantenemittierende Laserdioden bei Veränderung der Temperatur T der Temperiervorrichtung, des Arbeitsstroms I und auch infolge von Alterungsvorgängen den Longitudinalmode wechseln können, wodurch ein plötzlicher Frequenzsprung oder Modensprung auftritt. Weiter ist nachteilig, daß die Monitordiode mit der aus der Laserdiode austretenden rückwärtigen Strahlung beaufschlagt wird und nicht mit der das zu untersuchende Gas durchlaufenden Meßstrahlung. Hierdurch können sich Ungenauigkeiten bei der Messung der Strahlungsleistung der Laserdiode mittels der Monitordiode einstellen.
Ein Meßsystem zur spektroskopischen Bestimmung des Anteils von Sauerstoff in einer Gasprobe mit einem Peltier-Element als Temperiervorrichtung, ist aus der US 4,730,112 bekanntgeworden. Das Peltier-Element befindet sich sandwichartig zwischen zwei metallischen Trägerplatten von denen eine die warme- und die andere die kalte Seite des Peltier-Elementes darstellt. Als Strahlungsquelle wird eine kantenemittierende Laserdiode verwendet, welche über ein Kühlblech an der "kalten" Trägerplatte des Peltier-Elementes angebracht ist. Die rückwärtige Strahlung der Laserdiode wird mit einer auf der "kalten" Trägerplatte befindliche Monitordiode registriert, während die aus der Laserdiode austretende Meßstrahlung über einen Lichtleiter zu der zu analysierenden Gasprobe geleitet wird.
Nachteilig bei dem bekannten Meßsystem ist der komplizierte Aufbau des Strahlungssenders mit dem Kühlblech.
Ein Anzeigesystem zur Projektion von Daten in das Blickfeld eines Helmträgers ist aus der US 5,325,386 bekanntgeworden. Wesentlicher Bestandteil des Anzeigersystems ist ein Array von vertikal emittierenden Laserdioden, welche auf einem Substrat als Träger angeordnet sind und über eine elektronische Schaltung angesteuert werden. Mit dem Laserdioden Array können sowohl farbige als auch monochromatische Darstellungen mit hoher Auflösung realisiert werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Strahlungsquelle für ein Meßsystem zur spektroskopischen Bestimmung des Anteils eines Stoffes in einer Gasprobe derart zu verbessern, daß das Auftreten von Modensprüngen reduziert ist.
Die Lösung der Aufgabe erfolgt dadurch, daß die Strahlungsquelle als eine, auf einem planaren Substrat befindliche, vertikal zum Substrat emittierende Laserdiode ausgeführt ist.
Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, daß vertikal emittierende Laserdioden wegen ihres kleinen Abstrahlwinkels und ihrer guten Durchstimmbarkeit in dem für die Gasanalyse genutzten Wellenbereich auch besonders vorteilhaft in der IR-Spektroskopie eingesetzt werden können. Vertikal emittierende Laserdioden haben nämlich gegenüber kantenemittierenden Laserdioden den Vorteil, daß sie durch ihren kleinen Resonator große Abstände zwischen den einzelnen Moden haben, so daß innerhalb eines Modes ein Wellenlängenbereich von etwa einem Nanometer durchgestimmt werden kann.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
In zweckmäßiger Weise ist die Laserdiode als ein chipförmiges Array von einzelnen, vertikal emittierenden Laserdioden ausgeführt, welche auf unterschiedliche Wellenlängen abgestimmt sind, um Absorptionen der Meßstrahlung bei unterschiedlichen Wellenlängen messen zu können.
Ein besonders einfacher und kompakter Aufbau in Verbindung mit einer Temperiervorrichtung mit einem Peltier-Element ergibt sich, wenn das die Laserdiode tragende Substrat flächig auf einer Trägerplatte des Peltier-Elementes befestigt wird, wobei als Trägerplatte üblicherweise die kalte Seite des Peltier-Elementes benutzt wird. Die Temperiervorrichtung besteht neben dem Peltier-Element im wesentlichen noch aus einem Steuergerät, welches zur Energieversorgung des Peltier-Elementes dient.
In zweckmäßiger Weise ist auf der das Substrat aufnehmenden Trägerplatte ein Temperaturfühler vorgesehen, welcher an die Temperiervorrichtung angeschlossen ist. Der Temperaturfühler mißt die Temperatur in der Umgebung der Laserdiode und kann entweder auf dem Substrat oder unmittelbar auf der Trägerplatte angebracht sein. Innerhalb des Steuergerätes der Temperiervorrichtung wird die mit dem Temperaturfühler gemessene Temperatur mit einem Sollwert eines Temperatur-Arbeitspunktes T verglichen und die Versorgungsspannung des Peltier-Elementes dann derart verändert, bis vorgegebene und gemessene Temperatur übereinstimmen.
In zweckmäßiger Weise ist im Emissionsbereich der Laserdiode eine die emittierte Strahlung zumindestens teilweise reflektierende, Transmissionsstrahlung durchlassende Scheibe vorgesehen und auf der die Laserdiode aufnehmenden Trägerplatte oder dem Substrat ist eine Monitordiode befestigt, welche im Empfangsbereich der an der Scheibe reflektierten Teilstrahlung liegt. Da mit der Monitordiode ein Teil der emittierten Strahlung gemessen wird, ist auf diese Weise eine besonders gute Regelung der Strahlungsleistung der Laserdiode möglich. Bei den aus der IR-Spektroskopie bekannten kantenemittierenden Laserdioden wird üblicherweise die rückwärtig austretende Strahlung zur Leistungsregelung benutzt, die im allgemeinen nicht die gleiche Strahlungsintensität besitzt wie die Meßstrahlung, mit der die Gasprobe durchstrahlt wird.
Ein zweckmäßiger Aufbau der erfindungsgemäßen Strahlungsquelle besteht darin, daß das Peltier-Element im Bereich des Bodens eines mit Kontaktstiften versehenen, topfförmigen Gehäuses befestigt ist, und daß die dem Boden gegenüberliegende Seite des Gehäuses durch die Scheibe abgeschlossen ist.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und im folgenden näher erläutert.
Die einzige Figur zeigt schematisch eine Strahlungsquelle (1) nach der Erfindung im Längsschnitt. Die Strahlungsquelle (1) besteht aus einer Laserdiode (2) auf einem ebenen Substrat (8), welche einen Meßstrahl (12) vertikal zum Substrat (8) emittiert und flächig auf eine erste Trägerplatte (3) eines Peltier-Elementes (4) aufgeklebt ist. Die erste Trägerplatte (3) entspricht der kalten Seite des Peltier-Elementes (4). Eine sandwichartig zur ersten Trägerplatte (3) angeordnete zweite Trägerplatte (5), welche die warme Seite des Peltier-Elementes (4) darstellt, ist am Boden (6) eines topfförmigen Gehäuses (7) befestigt. Auf dem Substrat (8) sind ferner eine Monitordiode (9) und ein Temperaturfühler (10) angebracht. Der Temperaturfühler (10), das Peltier-Element (4), und ein Steuergerät (15) mit einem Sollwertsteller (16) für eine Temperatur T, bilden zusammen eine Temperiervorrichtung (17) zur Einstellung des Temperatur-Arbeitspunktes T der Laserdiode (2). Die Kontaktierung des Peltier-Elementes (4), der Laserdiode (2), der Monitordiode (9) und des Temperaturfühlers (10) erfolgt über Kontaktstifte (11) am Boden (6) des Gehäuses (7). Der rechte Kontaktstift (11) ist mit dem Temperaturfühler (10) verbunden; die beiden davor ,liegenden Kontaktstifte (11), dienen zur Kontaktierung des Peltier-Elementes (4). Das Steuergerät (15) besteht im wesentlichen aus einer in der Figur nicht dargestellten Spannungsversorgungs­ einheit für das Peltier-Element (4) und einem in der Figur ebenfalls nicht dargestellten Regler, welcher mit dem Meßwert des Temperaturfühlers (10) als Istwert und der am Sollwertsteller (16) eingestellten Vorgabegröße für den Temperatur-Arbeitspunkt T beaufschlagt wird. Das Gehäuse (7) ist an der dem Boden (6) gegenüberliegenden Seite mit einer Scheibe (13) abgeschlossen, an welcher Teilstrahlen (14) des von der Laserdiode (2) emittierten Meßstrahles (12) in Richtung zur Monitordiode (9) reflektiert werden. Der Strahl (12) ist in der Figur nur schematisch dargestellt, da die Strahlungsemission der Laserdiode (2) unter einem gewissen Abstrahlwinkel erfolgt. Das Meßsystem zu spektroskopischen Analyse des Anteils eines nachzuweisenden Stoffes in einer Gasprobe kann beispielsweise nach der DE-A 41 22 572 aufgebaut sein.

Claims (6)

1. Strahlungsquelle (1) für ein Meßsystem zu spektroskopischen Bestimmung des Anteils eines Stoffes in einer Gasprobe mit zumindestens einer Temperiervorrichtung (17) zur Einstellung eines Temperatur-Arbeitspunktes T der Strahlungsquelle, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlungsquelle als eine auf einem planaren Substrat (8) befindliche, vertikal zum Substrat (8) emittierende Laserdiode (2) ausgeführt ist.
2. Strahlungsquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Laserdiode als ein chipförmiges Array von einzelnen, vertikal emittierenden Laserdioden (2) vorliegt, deren Emissionsstrahlen (12) auf unterschiedliche Wellenlängen eingestellt sind.
3. Strahlungsquelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (8) mit der Laserdiode (2) flächig aufliegend auf einer ersten Trägerplatte (3) eines Peltier-Elementes (4), welches Teil der Temperiervorrichtung (17) ist, befestigt ist.
4. Strahlungsquelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß im Bereich des Substrats (8), oder der das Substrat (8) aufnehmenden ersten Trägerplatte (3), ein Temperaturfühler (10) vorgesehen ist, welcher an die Temperiervorrichtung (17) angeschlossen ist.
5. Strahlungsquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß im Emissionsbereich der Laserdiode (2) eine die emittierte Strahlung zumindestens teilweisende reflektierende, Transmissionsstrahlung durchlassende Scheibe (13) vorgesehen ist, und daß eine Monitordiode (9) vorhanden ist, welche auf von der Scheibe (13) reflektierte Teilstrahlen (14) des Strahls (12) ausgerichtet ist.
6. Strahlungsquelle nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die der ersten Trägerplatte (3) gegenüberliegende Seite des Peltierelementes (4) am Boden (6) eines mit Kontaktstiften (11) versehenen, topfförmigen Gehäuses (7) befestigt ist, welches durch die Scheibe (13) abgeschlossen ist.
DE4429582A 1994-08-19 1994-08-19 Strahlungsquelle für ein Meßsystem Expired - Fee Related DE4429582C2 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4429582A DE4429582C2 (de) 1994-08-19 1994-08-19 Strahlungsquelle für ein Meßsystem
GB9516803A GB2292479A (en) 1994-08-19 1995-08-16 Spectroscopic system using surface emission laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4429582A DE4429582C2 (de) 1994-08-19 1994-08-19 Strahlungsquelle für ein Meßsystem

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4429582A1 true DE4429582A1 (de) 1996-02-22
DE4429582C2 DE4429582C2 (de) 1998-02-26

Family

ID=6526177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4429582A Expired - Fee Related DE4429582C2 (de) 1994-08-19 1994-08-19 Strahlungsquelle für ein Meßsystem

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE4429582C2 (de)
GB (1) GB2292479A (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0805528A2 (de) * 1996-04-29 1997-11-05 Motorola, Inc. Reflektionsleistungsüberwachungssystem für VCSEL
DE19717145A1 (de) * 1997-04-23 1998-10-29 Siemens Ag Verfahren zur selektiven Detektion von Gasen und Gassensor zu dessen Durchführung
EP0892473A1 (de) * 1997-07-14 1999-01-20 Mitel Semiconductor AB Hochleistungslaser
WO2002073757A2 (en) * 2001-03-08 2002-09-19 Siemens Plc A wavelength stablilised laser source
DE10033563C2 (de) * 1999-07-12 2002-10-10 Nippon Oxygen Co Ltd Laserspektroskopiesystem
EP1291987A3 (de) * 2001-09-06 2005-04-27 Finisar Corporation Kompaktes Laser Gehäuse mit integrierter Temperaturkontrolle
WO2006029848A1 (de) * 2004-09-14 2006-03-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V Vorrichtung zum messen mindestens einer gaskomponente
DE102009033979A1 (de) * 2009-07-16 2011-01-20 Schmidt & Haensch Gmbh & Co. Vorrichtung zur Schwerpunktwellenlängenjustage emittierter optischer Strahlung
US20200295535A1 (en) * 2017-12-15 2020-09-17 Horiba, Ltd. Semiconductor laser device, and method and program for driving the same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10063678A1 (de) * 2000-12-20 2002-07-18 Siemens Ag Verfahren zur selektiven Detektion von Gasen mittels Laserspektroskopie
GB0105651D0 (en) * 2001-03-08 2001-04-25 Siemens Plc Temperature stabilised laser diode and gas reference package
DE102007039317A1 (de) * 2007-08-20 2009-02-26 Ses-Entwicklung Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur exakten und geregelten Schwerpunktswellenlängenjustage der emittierten Strahlung einer Leuchtdiode

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4730112A (en) * 1986-03-07 1988-03-08 Hibshman Corporation Oxygen measurement using visible radiation
DE3633931A1 (de) * 1986-10-04 1988-04-07 Kernforschungsz Karlsruhe Verfahren und einrichtung zur kontinuierlichen messung der konzentration eines gasbestandteiles
DE3935610A1 (de) * 1989-10-26 1991-05-02 Messerschmitt Boelkow Blohm Monolithisch integrierbares peltier-kuehlelement
DE3017481C2 (de) * 1979-05-08 1991-06-27 Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp
DE4110095A1 (de) * 1991-03-27 1992-10-01 Draegerwerk Ag Verfahren und vorrichtung zur spektroskopischen messung der konzentration eines gasbestandteiles
DE4122572A1 (de) * 1991-07-08 1993-01-14 Draegerwerk Ag Verfahren zum betrieb einer laserdiode
DE4216508A1 (de) * 1992-05-19 1993-11-25 Ortwin Dr Brandt Feststoffanalysengerät (Vorrichtung und Verfahren)
DE4235768A1 (de) * 1992-10-24 1994-05-19 Cho Ok Kyung Modifizierte Halbleiterlaserdiode mit integriertem Temperaturregelungsteil
US5325386A (en) * 1992-04-21 1994-06-28 Bandgap Technology Corporation Vertical-cavity surface emitting laser assay display system

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5311526A (en) * 1993-02-25 1994-05-10 At&T Bell Laboratories Article that comprises a semiconductor laser, and method of operating the article

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3017481C2 (de) * 1979-05-08 1991-06-27 Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp
US4730112A (en) * 1986-03-07 1988-03-08 Hibshman Corporation Oxygen measurement using visible radiation
DE3633931A1 (de) * 1986-10-04 1988-04-07 Kernforschungsz Karlsruhe Verfahren und einrichtung zur kontinuierlichen messung der konzentration eines gasbestandteiles
DE3935610A1 (de) * 1989-10-26 1991-05-02 Messerschmitt Boelkow Blohm Monolithisch integrierbares peltier-kuehlelement
DE4110095A1 (de) * 1991-03-27 1992-10-01 Draegerwerk Ag Verfahren und vorrichtung zur spektroskopischen messung der konzentration eines gasbestandteiles
DE4122572A1 (de) * 1991-07-08 1993-01-14 Draegerwerk Ag Verfahren zum betrieb einer laserdiode
US5202560A (en) * 1991-07-08 1993-04-13 Dragerwerk Aktiengesellschaft System for measuring the concentration of a gaseous component by detecting positions of mode jumps in a laser diode
US5325386A (en) * 1992-04-21 1994-06-28 Bandgap Technology Corporation Vertical-cavity surface emitting laser assay display system
DE4216508A1 (de) * 1992-05-19 1993-11-25 Ortwin Dr Brandt Feststoffanalysengerät (Vorrichtung und Verfahren)
DE4235768A1 (de) * 1992-10-24 1994-05-19 Cho Ok Kyung Modifizierte Halbleiterlaserdiode mit integriertem Temperaturregelungsteil

Non-Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
2-112295 A.,E- 953,July 19,1990,Vol.14,No.336 *
2-165684 A.,E- 978,Sept.14,1990,Vol.14,No.429 *
4- 57382 A.,E-1215,June 11,1992,Vol.16,No.259 *
4-116881 A.,E-1245,Aug. 7,1992,Vol.16,No.367 *
CHANG-HASNAIN,C.J. *
CHANG-HASNAIN,Connie J. *
Electronics Letters 28th March 1991, Vol.27, No. 7, S.583-585 *
et.al.: Monolithic Multiple Wavelength Surface Emitting Laser Arrays. In: Journal of Lightwave Technology, Vol.9, No.12, Dec.1991, S.1665-1673 *
et.al.: Rastered, uniformly separated wavelengths emitted from a two-dimen- sional vertical-cavity surface-emitting laser array. In: Appl.Phys.Lett 58 (1),7 Jan. 1991, S.31-33 *
JP Patents Abstracts of Japan: 4-199890 A.,E-1288,Nov. 5,1992,Vol.16,No.535 *
US-Z.: Appl.Phys.Lett.,Vol.57,No.2,1990,S.117-119 *
US-Z.: Appl.Phys.Lett.,Vol.59,No.1,1991,S.117-119 *

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0805528A2 (de) * 1996-04-29 1997-11-05 Motorola, Inc. Reflektionsleistungsüberwachungssystem für VCSEL
EP0805528A3 (de) * 1996-04-29 1998-04-29 Motorola, Inc. Reflektionsleistungsüberwachungssystem für VCSEL
DE19717145A1 (de) * 1997-04-23 1998-10-29 Siemens Ag Verfahren zur selektiven Detektion von Gasen und Gassensor zu dessen Durchführung
DE19717145C2 (de) * 1997-04-23 1999-06-02 Siemens Ag Verfahren zur selektiven Detektion von Gasen und Gassensor zu dessen Durchführung
EP0892473A1 (de) * 1997-07-14 1999-01-20 Mitel Semiconductor AB Hochleistungslaser
DE10033563C2 (de) * 1999-07-12 2002-10-10 Nippon Oxygen Co Ltd Laserspektroskopiesystem
WO2002073757A2 (en) * 2001-03-08 2002-09-19 Siemens Plc A wavelength stablilised laser source
WO2002073757A3 (en) * 2001-03-08 2003-09-25 Censar Technologies Inc A wavelength stablilised laser source
EP1291987A3 (de) * 2001-09-06 2005-04-27 Finisar Corporation Kompaktes Laser Gehäuse mit integrierter Temperaturkontrolle
WO2006029848A1 (de) * 2004-09-14 2006-03-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V Vorrichtung zum messen mindestens einer gaskomponente
DE102009033979A1 (de) * 2009-07-16 2011-01-20 Schmidt & Haensch Gmbh & Co. Vorrichtung zur Schwerpunktwellenlängenjustage emittierter optischer Strahlung
US20200295535A1 (en) * 2017-12-15 2020-09-17 Horiba, Ltd. Semiconductor laser device, and method and program for driving the same
US11764542B2 (en) * 2017-12-15 2023-09-19 Horiba, Ltd. Semiconductor laser device, and method and program for driving the same

Also Published As

Publication number Publication date
DE4429582C2 (de) 1998-02-26
GB2292479A (en) 1996-02-21
GB9516803D0 (en) 1995-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602004000374T2 (de) Gasdetektionsverfahren und gasdetektoreinrichtung
DE4429582C2 (de) Strahlungsquelle für ein Meßsystem
DE60304027T2 (de) System und verfahren zur steuerung einer lichtquelle für cavity-ringdown-spektroskopie
DE4110095A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur spektroskopischen messung der konzentration eines gasbestandteiles
DE68902738T2 (de) Verfahren zur bestimmung mittels strahlungsabsorption von substanzen in absorbierenden und streuenden matrixmaterialien.
DE69738173T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Gewinnung von Informationen über die optische Absorption eines streuenden Mediums
DE69007291T2 (de) Infrarot-gasdetektor.
DE69531322T2 (de) Nachweis von Chemikalien in einer Probe
EP0175352B1 (de) Verfahren und Anordnung zur schnellen Bestimmung der Parameter eines Probenmediums
EP0677733B1 (de) Gaslaser und Gasnachweis damit
DE19715685A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Analysieren von Kohlenstoffisotopen
EP0263931A2 (de) Verfahren und Einrichtung zur kontinuierlichen Messung der Konzentration eines Gasbestandteiles
WO1994010901A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur analyse von glucose in einer biologischen matrix
EP2135059A2 (de) Messeinrichtung und verfahren zur optischen konzentrationsbestimmung von blutzucker und/oder laktat in biologischen systemen
WO1995012348A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur analyse von glucose in einer biologischen matrix
EP0438465B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur quantitativen bestimmung optisch aktiver substanzen
EP2520924A1 (de) Verfahren und Messanordnung zur Verbesserung der Signalauflösung bei der Gasabsorptionsspektroskopie
DE2537237A1 (de) Laserabsorptionsspektrometer und verfahren der laserabsorptionsspektroskopie
WO2002050514A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur analyse der qualitativen und/oder quantitativen zusammensetzung von fluiden
DE4122572A1 (de) Verfahren zum betrieb einer laserdiode
DE4035266C2 (de) Verfahren und Anordnung zur Thermowellenanalyse
DE4446723C2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Messung der Konzentration eines Gases
WO2004048907A2 (de) Resonatorsverstärktes absorptions-spektrometer mit einer inkohärenten strahlungsquelle
DE202010008426U1 (de) Optoelektronischer Entfernungsmesser
DE2833831C2 (de) Optoakustischer Analysator

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: DRAEGER MEDICAL AG & CO. KGAA, 23558 LUEBECK, DE

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: DRAEGER MEDICAL AG & CO. KG, 23558 LUEBECK, DE

8339 Ceased/non-payment of the annual fee