DE4235768A1 - Modifizierte Halbleiterlaserdiode mit integriertem Temperaturregelungsteil - Google Patents
Modifizierte Halbleiterlaserdiode mit integriertem TemperaturregelungsteilInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine betriebstemperatur- bzw.
wellenlängenstabilisierte Halbleiterlaserdiode mit
integriertem Temperaturregelungsteil.
Bekannt ist die herkömmliche Halbleiterlaserdiode
bereits seit dem Jahre 1962, als zwei Forschergruppen
unabhängig voneinander und nahe zu gleichzeitig GaAs-
Laserdioden demonstrierten. Es brauchte jedoch noch
eine lange Zeit, um die ersten Laserdioden, die noch
Stickstoffkühlung verlangten, in Geräte zu verwandeln,
die die einfach erscheinende Aufgabe, bei Zimmertem
peratur einen kontinuierlichen Laserstrahl auszusenden,
lösen konnten.
Das Entwicklungstempo der Diodenlaser wurde in den
vergangenen 15 Jahren stark beschleunigt und Laser
dioden wurden eine der sich schnellstentwickelnden
Lasertechnologien. Die Technologie wurde einerseits
angeregt durch die Verbreitung der "fiber-optic
communication", welche Halbleiterlichtquellen erfor
dert, andererseits durch den Bedarf an kompakten,
preisgünstigen Lichtquellen für eine Vielzahl von
informationsverarbeitenden Anwendungen. Das Ergebnis
war nicht nur ein sehr grobes Anwachsen der Qualität
der angebotenen Laserdioden, sondern auch der Nachfrage
danach.
Die Wellenlänge (Peakwellenlänge), die von einer Laser
diode ausgesendet wird, hängt neben dem Betriebsstrom
auch sehr stark von der Betriebstemperatur ab. (Wenn
nicht ausdrücklich anders definiert, ist im folgenden
Text mit "Temperatur" immer die Betriebstemperatur der
Laserdiode bzw. des Laserchips gemeint.) Typische Werte
für die Temperaturdrift sind etwa 0,25 nm/°C bei
GaAlAs- und etwa 0,5 nm/°C bei InGaAsP-Laserdioden.
Der Sachverhalt wird kompizierter durch die Tatsache,
daß viele Diodenlaser gleichzeitig in mehreren ver
schiedenen Moden schwingen können, jede mit einer
unterschiedlichen Wellenlänge. Wenn sich die Temperatur
verändert, kann der Laser z. B. von einer longitudinalen
Mode in eine andere springen ("mode-hopping") und dabei
abrupt seine (Peak-)Wellenlänge ändern. Dies kann
erfolgen, wenn die Pulslänge sich im gepulsten Betrieb
änderte oder wenn Betriebsstrom und Ausgangsleistung
sich während des Dauerbetriebs ändern.
Anwachsen des Betriebsstromes kann Dauerstrich-Laser
dioden vom Multimode-Zustand in einen Zustand verset
zen, der sehr stark von einer single-mode dominiert
wird. Das Gesamtbild wird dadurch sehr kompiziert, daß
die emittierte Wellenlänge sich allmählich ändern, dann
abrupt zu einem anderen Wert springen kann. Dieses
Verhalten kann Frequenzinstabilitäten und/oder Tempera
turveränderungen verursachen, ebenso wie einen Anstieg
des Rauschens an den mode-hopping-Punkten.
Bei Anwendungen in denen Wellenlängenstabilität gefor
dert wird, kann daher eine aktive Temperaturregelung,
welche die Laserdiode auf einer festen Temperatur hält,
dazu beitragen, viele der oben genannten Probleme zu
minimieren.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, zum
Zwecke der Wellenlängenstabilisierung und/oder Lei
stungsstabilisierung eine Laserdiode zu konstruieren,
deren Betriebstemperatur durch eine aktive Temperatur
regelung auf einem festen, vom Benutzer einstellbaren
Wert gehalten wird.
Da der Vorzug der kompakten Bauweise herkömmlicher
Laserdioden auf jeden Fall aufrechterhalten werden
soll, hat die vorliegende Erfindung u. a. die Aufgabe,
alle zur Temperaturregelung benötigten Bauteile zu
verkleinern bzw. zu miniaturisieren und neben dem
Laserchip in ein Gehäuse üblicher Baugröße zu integrie
ren.
Entsprechend dem Stande der Technik wird heute meist
versuchte die Temperaturstabilisierung von Laserdioden
durch geeignete Kühlung zu erzielen. Als Beispiele
wären hier
- - Luftkühlung bei gleichzeitiger Verwendung von Kühlkörpern ("heat-sink") grober Oberfläche (ggf. unterstützt durch Ventilatoren),
- - Kühlung durch flüssigen Stickstoff, oder
- - (die heute überwiegend angewendete) Kühlung durch Peltierelemente
zu nennen.
Der Erfindung liegt die überraschende Erkenntnis zu
grunde, daß eine geeignete Temperaturregelung der
Laserdiode, oder besser gesagt des Laserchips, auch
durch Verwendung von Thermistoren ermöglicht wird.
Insbesondere geschieht das durch Verwendung von
Kaltleitern ("PTC-Widerstände" oder kurz "PTCs" ge
nannt), welche als Heiz- und/oder Regelelemente einge
setzt werden.
Bei Verwendung der PTCs als Heizelement wird die Tempe
ratur des Laserchips auf einen Wert oberhalb der Umge
bungstemperatur "hochgeheizt". Dieser Temperaturwert
kann i.a. nicht allein durch Erhitzung des Laserchips
durch Fliegen des Betriebsstromes erreicht werden.
Aufgrund ihrer speziellen bekannten Kennlinie können
PTCs auch als Regelelemente eingesetzt werden. In
diesem Falle heizt der Laserchip den PTC auf seine
Betriebstemperatur, während der PTC nur zur Regelung
dieser Temperatur dient.
Erfindungsgemäß wird ein miniaturisierter PTC mit dem
Laserchip in thermischen Kontakt gebracht. Der PTC
tritt dabei, gegenüber herkömmlichen Laserdioden, an
die Stelle der verwendeten "Befestigungssäule", auf der
der Laserchip normalerweise befestigt ist und die
üblicherweise auch als heat-sink wirkt.
Gegebenenfalls wird zusätzlich zum Zwecke der Tempera
turmessung auch ein Heißleiter ("NTC-Widerstand" oder
kurz "NTC" genannt) oder ein geeignetes Thermoelement
(z. B. NiCr-Ni) in den Bereich des Laserchips gebracht
oder direkt an diesem befestigt.
Gegebenenfalls wird ein geeigneter Puffer zwischen PTC
und Laserchip angeordnet. Als Puffer kann z. B. eine
Scheibe aus Metall dienen, deren Größe i.a. zwischen
der Größe des PTCs und des Laserchips liegt.
Zusätzlich kann ein geeigneter Detektor (z. B. Pindiode)
im Bereich der rückwärtig aus dem Laserchip austreten
den Strahlung montiert werden. Dieser ist jedoch - im
Gegensatz zu herkömmlichen Laserdioden - im Rahmen der
vorliegenden Erfindung nicht unbedingt zur Kontrolle
der optischen Ausgangsleistung erforderlich, da hier
der Laserchip selbst sowohl als Strahlungsdetektor als
auch als Temperatursensor benutzt werden kann.
Weiterhin kann die erfindungsgemäße Vorrichtung je nach
Anwendung Fenster, Filter oder spezielle Lin
sen(systeme) wie z. B. Gradient-Index-Linsen enthalten.
Alle vorstehend genannten Komponenten werden im Rahmen
der vorliegenden Erfindung in einem Gehäuse unterge
bracht, dessen Größe den heute verwendeten Standard
gehäusen entspricht. Bei Verwendung der vorstehend
genannten Fenster, Filter oder Linsen wird das Gehäuse
gleichzeitig durch diese hermetisch abgeriegelt.
Gegebenenfalls kann das Gehäuse zum Schutze des Laser
chips vor ungewünschter Oxidation auch Inertgas enthal
ten.
Für spezielle Anwendungen können auch mehrere Laser
chips auf einem PTC bzw. ein Laserchip zwischen zwei
oder mehr PTCs und miniaturisierten Peltierelementen
ist denkbar.
Die erfindungsgemäße Laserdiode kann in allen Bereichen
in denen heute Laserdioden benutzt werden zur Anwendung
gelangen. Zahlreiche neue Anwendungsmöglichkeiten
öffnen sich dadurch, daß Laserchip und Temperaturrege
lungsteil zu einem einzigen höchstintegrierten Baustein
zusammengefaßt wurden.
Insbesondere wird die erfindungsgemäße Laserdiode dort
Verwendung finden, wo ein Höchstmaß an Wellenlängen
stabilität verlangt wird. Dies ist u. a. beim Einsatz
von Laserdioden für bestimmte Analyseaufgaben der Fall,
wie z. B. der Einsatz in der Analyse menschlichen Gewe
bes, insbesondere bei der in-vivo Untersuchung von
Körperflüssigkeiten sowie ganz speziell bei der
noninvasiven Bestimmung von Bestandteilen des mensch
lichen Blutes (Blutglucose, Cholesterin, Alkohol,
etc.).
Claims (11)
1. Laserdiode mit integriertem Temperaturregelungsteil,
gekennzeichnet durch die Kombination folgender Merkmale:
- - es ist mindestens ein Laserchip vorgesehen,
- - welcher durch mindestens einen PTC-Widerstand beheizt und/oder dessen Betriebstemperatur durch diesen PTC- Widerstand geregelt wird und mit dem Laserchip eine Einheit bildet.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich mindestens ein
miniaturisiertes Peltierelement vorhanden ist, welches
in thermischem Kontakt mit dem Laserchip steht.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet, daß sich zwischen Laserchip und
PTC-Widerstand und/oder zwischen Laserchip und Peltier
element ein Puffer aus einem Material mit geeigneter
Wärmeleitzahl befindet.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß zur Messung der Betriebste
mperatur des Laserchips mindestens ein NTC-Widerstand
oder ein Thermoelement im Bereich des Laserchips oder
auf diesem angeordnet ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß der Laserchip selbst als
Temperatursensor dient. Dabei wird der während einer
Temperaturänderung auftretende Spannungsabfall am
Laserchip gemessen.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß zur Erfassung der
rückwärtig aus dem Laserchip austretenden Strahlung
mindestens ein Strahlungsdetektor im Bereich des Laser
chips angeordnet ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß der Laserchip selbst als
Strahlungsdetektor dient.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß alle zur Temperaturregelung
bzw. Temperaturstabilisierung benötigten Bauteile
miniaturisiert sind und zusammen mit dem Laserchip in
einem einzigen Gehäuse untergebracht werden.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse etwa in der
Größenordnung eines Standardgehäuses vom Typ ø 9 mm
"standard package" oder vom Typ ø 5,6 mm T.O. 18 liegt
oder kleiner ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse Fenster, Fil
ter, Linsen, Linsensysteme oder Gradientindex-Linsen
enthält.
11. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse hermetisch
abgedichtet ist.
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DE4235768A DE4235768A1 (de) | 1992-10-24 | 1992-10-24 | Modifizierte Halbleiterlaserdiode mit integriertem Temperaturregelungsteil |
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---|---|
DE4235768A1 true DE4235768A1 (de) | 1994-05-19 |
Family
ID=6471153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4235768A Ceased DE4235768A1 (de) | 1992-10-24 | 1992-10-24 | Modifizierte Halbleiterlaserdiode mit integriertem Temperaturregelungsteil |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5680410A (de) |
CN (1) | CN1094543A (de) |
DE (1) | DE4235768A1 (de) |
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