DE4320112C2 - Monolithisch integriertes Endstufenbauteil mit einer Überlast-Schutzeinrichtung - Google Patents
Monolithisch integriertes Endstufenbauteil mit einer Überlast-SchutzeinrichtungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein monolithisch integriertes End
stufenbauteil, insbesondere MOS-Endstufe, mit einer Über
last-Schutzeinrichtung.
Überlast-Schutzeinrichtungen sind in verschiedenen diskre
ten Schaltungsvarianten bekannt. Hierbei bedarf die jewei
lige Anpassung an das jeweilige Endstufenbauteil eines
besonderen Aufwandes, und die physikalischen Grenzen des
Halbleiters können nur in beschränktem Maße ausgenutzt
werden.
Unter der Bezeichnung TEMPFET ist ein integriertes MOS-
Endstufenbauteil der Firma Siemens im Handel erhältich.
Die Schutzabschaltung wird dort ausgelöst, wenn die Tempe
ratur des gesamten Chips einen Schwellwert erreicht.
Während die Temperatur des Leistungstransistors bei einem
harten Lastkurzschluß schnell ansteigt, dauert es verhält
nismäßig lange, bis die Temperatur des gesamten Chips die
Schaltschwelle erreicht hat. Deshalb kann der Drainstrom
vor der Schutzabschaltung sehr hohe Werte erreichen, die
dazu führen können, daß der Leistungstransistor wegen
Überhitzung zerstört wird, während die Schaltungsperiphe
rie unbeschädigt bleibt. Bei weichem Lastkurzschluß fließt
ein mittelgroßer Drainstrom. Da die Strombelastung relativ
gering ist, dauert es sehr lange, bis die Absolut-Tempera
turmessung durch die Erwärmung des gesamten Chips zur Ab
schaltung des Leistungstransistors führt. Während der Chip
rechtzeitig vor dem Erreichen seiner Zerstörungstemperatur
abgeschaltet wird, können der überhöhte Drainstrom und die
lange Reaktionszeit der Abschaltung zur Überlastung und
schließlich zur Zerstörung der Leiterbahnen in der Schal
tungsperipherie führen. Der Leistungstransistor selbst ist
daher bei diesem Bauelement nur bei weichen und die Schal
tungsperipherie nur bei harten Lastkurzschlüssen sicher ge
schützt.
Weiterhin ist unter der Bezeichnung TOPFET ein derartiges
MOS-Endstufenbauteil der Firma Philips im Handel erhält
lich. Wenn sich bei einem harten Lastkurzschluß der Drain
strom vervielfacht, entsteht ein Temperaturgefälle zwi
schen dem Leistungstransistor und der integrierten Logik.
Der Temperaturunterschied wird durch eine Differenz-Tempe
raturmessung erkannt und führt bei ausreichender Größe
sehr schnell zum Abschalten des Transistors. Damit wird
auch die Schaltungsperipherie sicher vor Beschädigung be
wahrt. Der mittelgroße Drainstrom bei weichem Lastkurz
schluß reicht nicht aus, die Differenz-Temperaturabschal
tung zu aktivieren. Daher dauert es sehr lange, bis die
Absolut-Temperaturmessung durch die Erwärmung des gesamten
Chips die Abschaltung des Leistungstransistors auslöst.
Während der Chip rechtzeitig vor dem Erreichen seiner Zer
störungstemperatur abgeschaltet wird, können - analog zum
TEMPFET - der überhöhte Drainstrom und die lange Reak
tionszeit der Abschaltung zur Überlastung und schließlich
zur Zerstörung der Leiterbahnen in der Schaltungsperiphe
rie führen. Bei diesem Bauelement ist daher der Leistungs
transitor selbst bei harten und weichen Lastkurzschlüssen
ausreichend geschützt, nicht dagegen die Schaltungsperipherie
bei weichen Lastkurzschlüssen.
Bei einem integrierten MOS-Endstufenbauteil PPS'kAS der
Anmelderin wird der Drainstrom gemessen, und es liegt eine
zeitlich konstante Abschaltschwelle vor. Wird dieses Bau
element beispielsweise zur Steuerung eines Elektromotors
eingesetzt, so muß diese Abschaltschwelle über dem Maxi
malwert des Einschaltstroms gelegt werden, damit der Tran
sistor nicht bereits im Einschaltvorgang abgeschaltet
wird. Nach dem Einschaltstrom erfolgt eine Reduzierung auf
den wesentlich niedrigeren Nominalstrom. Hierdurch wird
der "unsichere Bereich" zwischen der Abschaltschwelle und
dem Drainstrom sehr groß. Wenn der Elektromotor im Fehler
fall hart kurzgeschlossen wird, so ist der Kurzschluß
widerstand so klein, daß der Drainstrom des Leistungs
transistors ein Vielfaches des Nominalstroms erreichen
würde. In diesem Fall erreicht der Drainstrom die Ab
schaltschwelle, so daß der Transistor sicher und schnell
abgeschaltet werden kann. Die Schaltungsperipherie ist für
diese kurze Spitzenbelastung in den meisten Fällen aus
reichend robust. Für den weichen Kurzschluß des Elektro
motors ist eine Vielzahl von Kurzschlußwiderständen mög
lich, die den Drainstrom auf einen Wert im "unsicheren
Bereich" begrenzen, in dem noch keine Abschaltung erfolgt.
Der überhöhte Drainstrom erhöht die Stromdichte in den
Leiterbahnen der Schaltungsperipherie und fließt für die
gesamte Einschaltdauer, die das Eingangssignal vorgibt.
Durch die Erwärmung können die Leiterbahnen beschädigt
oder zerstört werden. Da im Kurzschlußfall die Drain-Sour
ce-Spannung größer ist als im Normalbetrieb, ergibt sich
aus hoher Drain-Source-Spannung, überhöhtem Drainstrom und
langer Einschaltdauer eine hohe Verlustleistung, die zur
Erwärmung und Zerstörung des Leistungstransistors führen
kann. Bei diesem Bauteil werden daher der Leistungstransistor
und die Schaltungsperipherie nur bei harten Lastkurz
schlüssen sicher geschützt.
Weitere Endstufen sind aus den Druckschriften DE 41 15 295 A1 und US-PS 47 71 357
bekannt. Solche bekannte MOS-Endstufen weisen ein Endstufenelement mit einem Gate-,
einem Source- und einem Drain-Anschluß auf sowie Mittel zur Erfassung des Drainstroms. Eine
Überlast-Schutz-Einrichtung arbeitet in Abhängigkeit vom Drainstrom und schaltet das
Endstufenelement bzw. die Endstufe bei Überschreitung eines vorgebbaren Stromwerts ab.
Dazu ist ein Komparator vorgesehen, der den gemessenen Drainstrom mit dem vorgebbaren
Stromwert vergleicht. Der vorgebbare Stromwert ist in Abhängigkeit von einer
Steuereingangsspannung für das Endstufenelement einstellbar.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Endstufe bei Kurzschlüssen vor Überstrom zu
schützen und diesen Schutz mittels einer schaltungstechnisch einfachen Ausgestaltung zu
erzielen, wobei der maximal zulässige Stromwert veränderbar sein soll.
Gelöst wird diese Aufgabe durch eine Endstufe mit den Merkmalen des unabhängigen
Patentanspruchs.
Das erfindungsgemäße Endstufenbauteil mit den kennzeich
nenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den
Vorteil, daß sowohl der Leistungstransistor als auch die
Schaltungsperipherie bei harten und weichen Lastkurz
schlüssen sicher vor Zerstörung geschützt sind. Darüber
hinaus kann die Drainstrom-Abschaltschwelle an verschie
dene Applikationen schnell und einfach angepaßt werden,
lediglich durch anwenderspezifische Einstellung der Ein
gangsspannung bzw. Verlauf der Eingangsspannung. Somit
können vom Hersteller einheitlich dimensionierte End
stufenbauteile vom Anwender mit beliebigen festen oder
funktionsabhängigen Drainstrom-Abschaltschwellen versehen
werden.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen
sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des
im Hauptanspruch angegebenen Endstufenbauteils möglich.
Als Mittel zur Erfassung des Drainstroms ist zweckmäßiger
weise ein Stromsensor vorgesehen, beispielsweise eine zu
sätzliche Sense-Zelle des Endstufenelements. Der Sense
strom ist dann ein Maß für den Drainstrom.
Eine einfache und schaltungsmäßig günstige Ausgestaltung
zur Erzielung der gewünschten Steuereingangsspannungs
abhängigkeit des maximalen vorgebbaren Stromwerts besteht
darin, daß ein vom Meßsignal des Stromsensors beeinfluß
barer Spannungsteiler vorgesehen ist, an dem die Steuer
eingangsspannung anliegt, und daß ein Abgriff des Spannungsteilers
mit dem Steuereingang eines Schalttransistors
des Komparators verbunden ist. Hierzu fließt zweckmäßiger
weise ein drainstromabhängiger Strom des Stromsensors
über wenigstens einen Widerstand dieses Spannungsteilers.
Zur Überstromabschaltung wirkt der Komparator auf ein das
Endstufenelement bei Überschreitung des vorgebbaren Soll
werts abschaltendes Schaltglied ein, das vorzugsweise als
ein dem Gate-Anschluß des Endstufenelements vorgeschalte
tes Signaltor ausgebildet ist. Dieses Signaltor hält das
Endstufenelement nur dann im stromleitenden Zustand, wenn
gleichzeitig die Steuereingangsspannung und ein Ausgangs
signal des Komparators anliegen, das einem Drainstrom
unterhalb des vorgebbaren maximalen Werts entspricht.
Der Komparator ist noch in vorteilhafter Weise mit einem
Fehlerspeicher versehen, damit das Endstufenelement nach
Auftreten eines Fehlers so lange abgeschaltet bleibt, bis
ein gewolltes Zurücksetzen vorgenommen wird, beispiels
weise durch Abschalten der Steuereingangsspannung, also
durch eine Schaltflanke dieser Steuereingangsspannung.
Die Steuereingangsspannung ist zweckmäßigerweise über eine
Eingangsschaltung geführt, die ein Einschaltsignal für das
Endstufenelement nur oberhalb eines vorgebbaren Spannungs
pegels der Steuereingangsspannung abgibt.
Zur gezielten Einstellung der Drainstrom-Abschaltschwelle
sind vorzugsweise Mittel zur zeitlichen Veränderung der
Stromeingangsspannung vorgesehen. Diese Mittel können als
zeitgesteuerte Signalpegel-Umschalter oder als die Steuer
eingangsspannung kontinuierlich zeitlich verändernde Funk
tionsgeneratoren ausgebildet sein. Hierdurch kann eine
beliebige zeitabhängige Funktion der Drainstrom-Abschaltschwelle
auf einfache Weise durch Veränderung der Steuer
eingangsspannung vorgegeben werden.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild als Ausführungsbeispiel des
monolithisch integrierten Endstufenbauteils,
Fig. 2 die Schaltung von Bereichen der Sensorstrom-Auf
bereitungsschaltung und des Komparators,
Fig. 3 ein Beispiel für die funktionsmäßige Beeinflus
sung der Steuereingangsspannung,
Fig. 4 ein weiteres Beispiel für eine solche Beeinflus
sung der Steuereingangsspannung und
Fig. 5 ein Diagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise.
Das in Fig. 1 im Blockschaltbild dargestellte monolithisch
integrierte Endstufenbauteil 10 ist als MOS-Endstufe aus
gestaltet und besitzt drei Anschlüsse: einen Eingangs
anschluß I, einen Drain-Anschluß D und einen Source-Anschluß
S. Zwischen den Drain-Anschluß D und den Source-Anschluß S
ist die Drain-Source-Strecke eines MOS-Transistors 11
geschaltet, der wenigstens eine zusätzliche Sense-Zelle 12
aufweist, um ein dem Drainstrom annähernd proportionales
Signal zu bekommen. Diese als Drainstromsensor verwendete
Sense-Zelle 12 ist über eine Sensorstrom-Aufbereitungs
schaltung 13 mit einem Komparator 14 verbunden, der einen
in Fig. 1 nicht dargestellten Fehlerspeicher enthält. Der
Komparator 14, ein Signaltor 15, die Sensorstrom-Aufberei
tungsschaltung 13 und eine Eingangsschaltung 16 werden
über den Eingangsanschluß I mit der Eingangsspannung VI
zum Zwecke der Stromversorgung beaufschlagt. Ein Ausgangs
signal Q des Komparators 14 wird ausgangsseitig über das
Signaltor 15 dem Gate-Anschluß G des Transistors 11 zuge
führt. Das Signaltor 15 kann beispielsweise als NOR-Gatter
ausgebildet sein. Der Eingangsanschluß I ist weiterhin
über die Eingangsschaltung 16 mit einem zweiten Anschluß
des Signaltors 15 verbunden. Die Eingangsschaltung wandelt
das Eingangssignal VI in ein entsprechend invertiertes Si
gnal VI um. Weiterhin erscheint am Ausgang dieser Ein
gangsschaltung 16 nur dann das invertierte Signal VI, wenn
der Spannungspegel des Eingangssignals VI einen bestimmten
Minimalpegel überschreitet. Die Realisierung einer solchen
Schaltschwelle kann in üblicher Weise durch einen Kompara
tor od. dgl. erfolgen. Das invertierte Ausgangssignal VI
wird dem Komparator 14 bzw. dem Fehlerspeicher des Kompa
rators 14 als Rücksetzsignal zugeführt.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel dient
das Endstufenbauelement 10 zur Steuerung eines Elektro
motors 17, der an den Drain-Anschluß D angeschlossen ist.
Zwischen einer zweiten Anschlußklemme 18 des Elektromotors
17 und dem Source-Anschluß liegt eine Betriebsspannung VB.
Der Source-Anschluß S ist mit Masse verbunden.
Bei der in Fig. 2 dargestellten Schaltung fließt der Strom
der Sense-Zelle 12 in der Sensorstrom-Aufbereitungsschal
tung 13 durch einen an Masse angeschlossenen Widerstand
19, an dem dadurch eine drainstromabhängige Spannung ab
fällt. Dieser Widerstand 19 bildet zusammen mit einer Kom
pensationsdiode 20 und zwei Widerständen 21, 22 einen
Spannungsteiler, an dem die Eingangsspannung VI des End
stufenbauteils 10 anliegt. Der Abgriff zwischen den Wider
ständen 21, 22 ist dem Gate-Anschluß eines Transistors 23
zugeführt, dessen Source-Anschluß an Masse und dessen
Drain-Anschluß über einen Widerstand 24 mit dem positiven
Pol der Eingangsspannung VI verbunden ist. Weiterhin ist
der Drain-Anschluß mit dem Eingang des Fehlerspeichers 25
verbunden, dessen Ausgangssignal Q gemäß Fig. 1 dem Si
gnaltor 15 zugeführt ist. Das Ausgangssignal VI der Ein
gangsschaltung 16 ist dem Rücksetzeingang des Fehlerspei
chers 25 zugeführt, der beispielsweise als Flipflop ausge
bildet sein kann.
Die Wirkungsweise des in den Fig. 1 und 2 dargestellten
Ausführungsbeispiels wird im folgenden anhand des in Fig.
5 dargestellten Signaldiagramms erläutert.
Die durchgezogene Kurve zeigt dabei den Stromverlauf des
Drainstroms ID in Abhängigkeit der Zeit. Beim Einschalten
fließt zunächst ein hoher Einschaltstrom, der dann rasch
auf einen relativ niedrigen Nominalstromwert absinkt. Die
angestrebte und durch geeignete Wahl der Eingangsspannung
VI eingestellte Drainstrom-Abschaltschwelle ist durch die
Linie DA dargestellt. Sie liegt zunächst geringfügig über
dem Maximalwert des Einschaltstroms, um dann nach einer
festgelegten Zeit auf einen geringen Wert abzusinken, der
etwas über dem Nominalstrom liegt.
Wird an den Eingangsanschluß I eine Steuereingangsspannung
VI angelegt, so wird diese in der Eingangsschaltung 16 in
vertiert und passiert dann das Signaltor 15, da im Moment
des Einschaltens die Drainstrom-Abschaltschwelle noch
nicht erreicht ist, so daß das Signal Q am zweiten Eingang
des Signaltors 15 nicht sperrt. Beim Passieren des Signal
tors 15 wird die invertierte Steuereingangsspannung noch
mals invertiert und schaltet den Transistor 11 stromlei
tend. Der Drainstrom ID, der nun zu fließen beginnt, wird
durch die Sense-Zelle 12 oder einen anderen Stromsensor
erfaßt und am Widerstand 19 der Sensorstrom-Aufbereitungsschaltung
in eine drainstromabhängige Spannung umge
wandelt. Diese drainstromabhängige Spannung beeinflußt
zusammen mit der Steuereingangsspannung VI das Potential
am Abgriff zwischen den beiden Widerständen 21, 22 und
damit die Schaltschwelle des Transistors 23, wobei diese
Schaltschwelle zusätzlich durch die an der Drain-Source-
Strecke und dem Widerstand 24 anliegende Steuereingangs
spannung VI beeinflußt wird. Bei sinkender Steuereingangs
spannung sinkt daher die Drainstrom-Abschaltschwelle.
Bei harten Lastkurzschlüssen ist die elektrische Last des
Transistors 11 mit einer niederohmigen Verbindung von
wenigen 10 mOhm kurzgeschlossen. Dies ist durch die Kurve
HL in Fig. 5 dargestellt. Weiche Lastkurzschlüsse sind
durch eine relativ hochohmige Verbindung des Transistor
drains gegen die Betriebsspannung in der Größenordnung von
einigen 100 mOhm gekennzeichnet. Ein solcher weicher Last
kurzschluß ist durch die Kurve WL dargestellt. Aus Fig. 5
ist ersichtlich, daß bei beiden Arten von Lastkurzschlüs
sen in gleicher Weise eine Abschaltung erfolgt, da die
Schwelle DA überschritten wird. Die Abschaltung ist durch
die Kurve A dargestellt, die den auf Null absinkenden
Drainstrom bei Auftreten eines Lastkurzschlusses zeigt.
Ohne die stufenförmig abgesenkte Schwelle DA, also bei
konstanter Drainstrom-Abschaltschwelle oberhalb des Maxi
malwerts des Einschaltstroms, würde bei dem dargestellten
weichen Lastkurzschluß keine Abschaltung erfolgen, und die
eingangs beschriebenen negativen Auswirkungen wären die
Folge.
Tritt somit ein Lastkurzschluß auf, so schaltet der Tran
sistor 23 und setzt dadurch den Fehlerspeicher 25. Dieser
sperrt das Signaltor 15 und hält dieses nach dieser in
ternen Abschaltung gesperrt, so daß auch der Transistor 11
im gesperrten Zustand gehalten wird. Erst durch Rücksetzen
des Eingangssignals VI wird durch Rücksetzen des Fehler
speichers 25 die gespeicherte Information gelöscht und ein
erneutes Einschalten des Transistors 11 ermöglicht.
Wie beschrieben, hat die Steuereingangsspannung somit drei
Funktionen. Sie schaltet den MOS-Transistor 11, dient zur
Stromversorgung der Abschaltlogik und stellt die Drain
strom-Abschaltschwelle ein.
In Fig. 3 ist die Erzeugung der sich verändernden Drain
strom-Abschaltschwelle über eine geänderte Steuereingangs
spannung als Beispiel dargestellt. Ein Mikrocomputer 26
oder eine andere elektronische Steuerschaltung steuert das
Endstufenbauteil 10, das somit die Endstufe für diesen
Mikrocomputer 26 darstellt. Dieser Mikrocomputer 26 hat
zwei gleichwertige Steuerausgänge 27, 28. Der erste
Steuerausgang 27 ist über einen Widerstand 29 mit dem Ein
gangsanschluß I des Endstufenbauteils 10 verbunden und
der zweite Steuerausgang 28 über einen Widerstand 30. Der
Verknüpfungspunkt der beiden Widerstände 29, 30 liegt über
einen weiteren Widerstand 31 an Masse. Durch geeignete
Wahl der Widerstände wird erreicht, daß ein Steuersignal
am Steuerausgang 27 eine hohe Steuereingangsspannung VI
und ein Steuersignal am zweiten Steuerausgang 28 eine
wesentlich niedrigere Steuereingangsspannung VI am Ein
gangsanschluß I bewirkt. Diese Spannungen werden so ein
gestellt, daß bei beiden die Eingangsschaltung 16 durch
steuert und daß andererseits die beiden unterschiedlich
hohen Drainstrom-Abschaltschwellen DA1 und DA2 eingestellt
werden. Im Mikrocomputer 26 werden nun die beiden Eingänge
so zeitlich nacheinander angesteuert, daß der in Fig. 5
dargestellte Verlauf der Drainstrom-Abschaltschwelle er
reicht wird.
Bei dem in Fig. 4 dargestellten weiteren Beispiel ent
fallen der zweite Steuerausgang 28 und der Widerstand 30.
Der Widerstand 29 ist hier durch einen Kondensator 32
überbrückt.
Das Kondensator-Widerstand-Netzwerk stellt ein Zeitglied
dar, durch das das Ausgangssignal V am Ausgang 27 des
Mikrocomputers 26 nach einer von der Dimensionierung
dieser Bauteile abhängigen Zeitfunktion gemäß der Kurve
DA' in Fig. 5 von der oberen Schwelle DA1 auf die untere
Schwelle DA2 absinkt. Hierdurch kann der "unsichere Be
reich" zwischen der Abschaltschwelle und dem Drainstrom
noch weiter verringert werden.
Claims (17)
1. Monolithisch integriertes Endstufenbauteil (10), insbesondere MOS-Endstufe, mit einem einen Gate-, einen Source- und
einen Drain-Anschluß aufweisenden Endstufenelement (11), mit Mitteln zur Erfassung des
Drainstroms und mit einer in Abhängigkeit vom Drainstrom arbeitenden Überlast-Schutz-
Einrichtung für das Endstufenelement (11), wobei ein das Endstufenelement (11) bei
Überschreitung eines vorgebbaren Stromwerts (DA bzw. DA') abschaltender Komparator
(14) vorgesehen ist und der vorgebbare Stromwert in Abhängigkeit von einer Steuereingangsspannung
(VI) für das Endstufenbauteil (10) einstellbar ist, und wobei im Komparator ein vom
Messsignal der Mittel zur Erfassung des Drainstroms beeinflussbarer Spannungsteiler
(19-22) vorgesehen ist, an dem die Steuereingangsspannung (VI) anliegt und ein Abgriff des
Spannungsteilers (19-22) mit dem Steuereingang eines Schalttransistors (23) des
Komparators (14) verbunden ist.
2. Endstufenbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der vorgebbare maximale
Stromwert (DA bzw. DA') über eine festlegbare Funktion von der Steuereingangsspannung
(VI) abhängt.
3. Endstufenbauteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Mittel zur
Erfassung des Drainstroms ein Stromsensor (12) vogesehen ist.
4. Endstufenbauteil nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Stromsensor (12) als
Sense-Zelle ausgestaltet ist, die ein dem Drainstrom annähernd proportionales Messsignal
liefert.
5. Endstufenbauteil nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein drainstromabhängiger Strom des
Stromsensors (12) über wenigstens einen Widerstand (19)
des Spannungsteilers (19-22) fließt.
6. Endstufenbauteil nach einem der vorhergehenden An
sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Komparator (14)
auf ein das Endstufenelement (11) bei Überschreitung des
vorgebbaren Sollwerts (DA bzw. DA') abschaltendes Schalt
glied (15) einwirkt.
7. Endstufenbauteil nach Anspruch 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Schaltglied (15) als ein dem Gate-
Anschluß des Endstufenelements (11) vorgeschaltetes Si
gnaltor ausgebildet ist.
8. Endstufenbauteil nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Signaltor (15) nur bei Anliegen der
Steuereingangsspannung (VI) und Anliegen eines Ausgangs
signals des Komparators (14), das einem Drainstrom unter
halb des vorgebbaren maximalen Werts entspricht, das End
stufenelement in den stromleitenden Zustand schaltet.
9. Endstufenbauteil nach einem der vorhergehenden An
sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Komparator (14)
mit einem Fehlerspeicher (25) versehen ist.
10. Endstufenbauteil nach Anspruch 9, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Komparator und/oder der ihm zugeordnete
Fehlerspeicher (25) durch Schaltflanken der Steuerein
gangsspannung (VI) rücksetzbar ausgebildet ist.
11. Endstufenbauteil nach einem der vorhergehenden An
sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereingangs
spannung (VI) zur Stromversorgung wenigstens des Kompa
rators (14) diesem zugeführt ist.
12. Endstufenbauteil nach einem der vorhergehenden An
sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereingangs
spannung (VI) an einer Eingangsschaltung (16) anliegt, die
ein Einschaltsignal für das Endstufenelement (11) nur
oberhalb eines vorgebbaren Spannungspegels der Steuer
eingangsspannung (VI) abgibt.
13. Endstufenbauteil nach einem der vorhergehenden An
sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel (27-32) zur
zeitlichen Veränderung der Steuereingangsspannung (VI)
vorgesehen sind.
14. Endstufenbauteil nach Anspruch 13, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Mittel (27-31) als zeitgesteuerter Si
gnalpegel-Umschalter ausgebildet sind.
15. Endstufenbauteil nach Anspruch 13, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Mittel (27, 29, 31, 32) als die Steuer
eingangsspannung (VI) kontinuierlich zeitlich verändernder
Funktionsgenerator ausgebildet sind.
16. Endstufenbauteil nach einem der Ansprüche 13 bis 15,
dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel (27-32) zur zeit
lichen Veränderung der Steuereingangsspannung (VI) wenig
stens teilweise im Endstufenbauteil integriert sind.
17. Endstufenbauteil nach einem der Ansprüche 13 bis 15,
dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel (17-32) zur zeit
lichen Veränderung der Steuereingangsspannung (VI) außer
halb des Endstufenbauteils angeordnet sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4320112A DE4320112C2 (de) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | Monolithisch integriertes Endstufenbauteil mit einer Überlast-Schutzeinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE4320112A DE4320112C2 (de) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | Monolithisch integriertes Endstufenbauteil mit einer Überlast-Schutzeinrichtung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4320112A1 DE4320112A1 (de) | 1994-12-22 |
DE4320112C2 true DE4320112C2 (de) | 2003-10-23 |
Family
ID=6490565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE4320112A Expired - Fee Related DE4320112C2 (de) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | Monolithisch integriertes Endstufenbauteil mit einer Überlast-Schutzeinrichtung |
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