DE19619120A1 - Schaltvorrichtung mit Leistungs-FET und Kurzschlußerkennung - Google Patents
Schaltvorrichtung mit Leistungs-FET und KurzschlußerkennungInfo
- Publication number
- DE19619120A1 DE19619120A1 DE1996119120 DE19619120A DE19619120A1 DE 19619120 A1 DE19619120 A1 DE 19619120A1 DE 1996119120 DE1996119120 DE 1996119120 DE 19619120 A DE19619120 A DE 19619120A DE 19619120 A1 DE19619120 A1 DE 19619120A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- voltage
- fet
- power fet
- connection
- short circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltvorrichtung mit einem Leistungs-FET, der
zum Schalten eines durch eine Last, die zwischen einen Betriebsspannungs
anschluß und den Drain-Anschluß des Leistungs-FET gekoppelt ist, fließenden
Stroms bestimmt ist, und vor dessen Gate-Anschluß ein Vorwiderstand ge
schaltet ist, dessen dem Gate-Anschluß abgewandten Anschluß eine Steuer
spannung für den Leistungs-FET zuführbar ist, mit einer Vorrichtung zum Er
kennen eines durch den Leistungs-FET fließenden Kurzschlußstroms, die bei
einem Kurzschluß ein Ausgangssignal erzeugt, das zum Abschalten des Lei
stungs-FET bestimmt ist, wobei die Vorrichtung zum Erkennen des Kurz
schlusses einen dem Source-Anschluß des Leistungs-FETs nachgeschalteten
Shunt-Widerstand aufweist und den Spannungsabfall an dem Shunt-Wider
stand zur Stromerfassung auswertet.
Derartige Anordnungen sind bekannt. Dabei wird das den Kurzschluß anzei
gende Ausgangssignal einer in Analogtechnik (im Gegensatz zu Digitaltech
nik) ausgeführten Ansteuerschaltung zugeführt, die nach dem Auftreten
des genannten Ausgangssignals in kürzester Zeit den FET abschaltet, so daß
Schäden am FET oder anderen Schaltungskomponenten infolge des Kurz
schlußstroms vermieden werden können.
Es wurde vom Anmelder versucht, die Ansteuerung nicht mittels einer ana
logen Schaltung, sondern mittels einer einen Mikroprozessor enthaltenden
Schaltung auszuführen, der zwar beim Auftreten des den Kurzschluß anzei
genden Signals, z. B. mittels eines dem Mikroprozessor zugeführten Inter
rupt-Signals den FET schnellstmöglich abschaltet, aber nicht so schnell ab
schalten kann wie die herkömmlichen analogen Schaltungen. Es wurde zu
nächst angenommen, daß die Größe des im Kurzschlußfall auftretenden
Überstroms durch den am Shunt-Widerstand entstehenden Spannungsabfall
infolge des großen Stroms auf zulässige Werte begrenzt wird, weil ja dieser
Spannungsabfall die am FET wirksame Steuerspannung zwischen Source-An
schluß und Gate-Anschluß verringert. In einer Untersuchung konnte dies
aber nicht bestätigt werden, im Gegenteil, im ersten Moment nach Anlegen
des Kurzschlusses war ein extrem hoher Kurzschlußstrom zu beobachten. Ur
sache hierfür sind die Gate-Source-Kapazität und der Gate-Vorwiderstand.
Über die Kapazität werden bei schnellem Spannungsanstieg an Source, was
im Kurzschlußfall ja zutrifft, Ladungen ins Gate gepumpt, die wegen des
Gate-Vorwiderstandes nicht abfließen können, die Gate-Spannung erhöht
sich demzufolge über die Ansteuerspannung hinaus, die strombegrenzende
Wirkung des Spannungsanstieges an Source wird somit nicht wirksam.
Abhilfe könnte zum einen der Entfall oder eine Reduzierung des Gate-Vor-
Widerstandes bringen, die ins Gate gepumpten Ladungsträger fließen dann - bei
geeignetem Aufbau - schnell in die Ansteuerschaltung ab, die strombe
grenzende Wirkung des Spannungsanstieges an Source wird somit wirksam.
Dabei treten jedoch durch das plötzliche Einschalten und Ausschalten des
Leistungs-FET elektromagnetische Störungen auf, die die Eignung der Schal
tung unter den Gesichtspunkten der EMV (elektromagnetische Verträglich
keit) nur mit zusätzlichen Bauelementen zur Entstörung möglich machen.
Gemäß der Erfindung kann das Ansteigen der Gate-Spannung über die An
steuerspannung hinaus durch eine einfache Klemmschaltung verhindert
werden, indem an dem Gate-Anschluß eine Klemm-Diode mit ihrem einen
Anschluß angeschlossen ist, deren anderer Anschluß im Betrieb an einer
konstanten Klemm-Spannung liegt, die die selbe Polarität wie die Steuer
spannung bei vollständig leitend geschaltetem Leistungs-FET hat, und daß
die Klemm-Spannung und der Shunt-Widerstand so bemessen sind, daß bei
einem plötzlichen Kurzschluß zwischen dem Drain-Anschluß und dem Be
triebsspannungsanschluß der durch den Leistungs-FET fließende Strom
durch die vom Spannungsabfall an dem Shunt-Widerstand bewirkte Ände
rung der Source-Spannung auf einen solchen Wert begrenzt wird, daß inner
halb einer Zeitspanne, die für das Abschalten des Leistungs-FET aufgrund
des Ausgangssignals der Vorrichtung zum Erkennen eines Kurzschlusses be
nötigt wird, eine Beschädigung des Leistungs-FET und/oder anderer Schal
tungselemente durch den Kurzschluß verhindert wird.
Der Vorteil der Erfindung liegt darin, daß auch bei sehr plötzlich auftreten
den Kurzschlüssen eine Strombegrenzung des durch den FET fließenden
Stroms infolge des plötzlich ansteigenden Spannungsabfalls an dem Shunt-
Widerstand praktisch unverzögert eintritt. Dadurch kann bei geeigneter Di
mensionierung der Strom auf solche Werte verringert werden, daß Schäden
in der Zeit, bis die Ansteuerschaltung den FET durch Absenken seiner
Steuerspannung abschaltet, nicht zu befürchten sind, selbst wenn diese Zeit
bis zum Abschalten erheblich länger sein sollte als bei herkömmlichen An
steuerschaltungen in Analogtechnik.
Bei der Erfindung ist weiter von Vorteil, daß der dem Gate-Anschluß vorge
schaltete Vorwiderstand beim Steuern des FET in Sperr-Richtung ein ver
langsamtes Abschalten des FET bewirkt, was elektromagnetische Störungen
verringert. Durch die Erfindung wird sichergestellt, daß bei geeigneter Di
mensionierung im Kurzschlußfall ein derartiges verlangsamtes Abschalten
keine Zerstörungen zur Folge hat.
Bei der im Ausführungsbeispiel gezeigten Schaltung tritt auch beim Lei
tendsteuern des FET durch den Vorwiderstand eine Verlangsamung des
Übergangs vom gesperrten in den leitenden Zustand ein, dies ebenfalls aus
Gründen der Verminderung von elektromagnetischen Störungen. Wenn in
besonderen Fällen der Einschaltvorgang des FET besonders schnell erfolgen
soll, so könnte der Vorwiderstand bei der im Ausführungsbeispiel gezeigten
Schaltung mit den dort gewählten Polaritäten der verschiedenen Spannun
gen durch eine Diode überbrückt sein, deren Kathode mit dem Gate-An
schluß des FET verbunden ist.
Die Spannungsbegrenzung am Gate wird durch die Klemm-Spannung und
die Schwellenspannung der Klemm-Diode beeinflußt.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist der Leistungs-FET ein zur An
steuerung mittels digitaler Schaltungen ausgebildeter FET. Ein solcher FET
ist für eine Gate-Spannung von 5 V zum vollständigen Erreichen des leiten
den Zustands ausgebildet, und hat beispielsweise bei 3 V Gate-Spannung be
reits einen für die Strombegrenzung deutlich wirksamen Innenwiderstand.
ln diesem Fall kann die Anordnung so getroffen sein, daß der Shunt-Wider
stand so bemessen wird, daß an ihm beim einem erhöhten Strom, der bis
zum vollständigen Abschalten des FET im Kurzschlußfall toleriert werden
soll, eine Spannung von 2 V abfällt, so daß zwischen Source und Gate noch
eine Spannung von 3 V wirksam ist.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfol
genden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung anhand der
Zeichnung, die erfindungswesentliche Einzelheiten zeigt, und aus den An
sprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu meh
reren in beliebiger Kombination bei einer Ausführungsform der Erfindung
verwirklicht sein. Es zeigen:
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Schaltung,
Fig. 2a ein Zeitdiagramm der zwischen Gate und Source wirksamen
Steuerspannung im leitenden Zustand und bei einem auftre
tenden Kurzschluß, mit und ohne Klemm-Diode,
Fig. 2b den durch den Shunt-Widerstand fließenden Strom in Abhän
gigkeit von der Zeit in einer der Fig. 2a entsprechenden Dar
stellung.
Die in Fig. 1 gezeigte Schaltung ist zur Verwendung in der Kraftfahrzeug
elektrik oder Kraftfahrzeugelektronik vorgesehen und arbeitet daher im
Beispiel mit einer Betriebsspannung von 12 V. Die Schaltung weist einen Lei
stungs-Feldeffekttransistor auf, nachfolgend FET 1 genannt. Zwischen des
sen Source-Anschluß S und Masse ist ein Shunt-Widerstand 3. Der Drain-An
schluß D des FET 1 ist über eine mittels des FET 1 mit Strom zu versorgende
Last 5 mit einer Klemme UB verbunden, die im Betrieb an der positiven Be
triebsspannung von 12 V liegt. Die Last 5 ist durch einen ohmschen Wider
stand mit dem Wert von 10 Ohm symbolisiert. Es kann sich hierbei tatsäch
lich um eine Lampe oder um einen anderen elektrischen Verbraucher han
deln. Der Einfachheit halber ist ein Verbraucher mit ohmschem Widerstand
angenommen, die Anordnung könnte aber auch einen Verbraucher mit in
duktivem Widerstand betreiben, z. B. eine Magnetspule. Es versteht sich, daß
es im Fall einer induktiven Last zweckmäßig sein kann, weitere Schaltungs
maßnahmen vorzusehen, beispielsweise in bekannter Weise eine der Last
parallel geschaltete Freilaufdiode vorzusehen.
Am Gate-Anschluß G des FET 1 ist einerseits einen Klemm-Diode 7 mit ihrer
Anode angeschlossen, deren Kathode an einer Spannung von 5 V liegt, an
dererseits ein Vorwiderstand 9, dessen anderer Anschluß den Eingang für
eine Steuerspannung bildet, die von einer Ansteuerschaltung zu liefern ist.
Am Source-Anschluß S ist eine Schwellenwertschaltung angeschlossen, die
dann, wenn die Spannung am Source-Anschluß S den Wert von 0,5 V über
schreitet, an einem Ausgang INT ein negatives Signal abgibt, das dafür ge
dacht ist, einer Ansteuerschaltung zugeführt zu werden, die den FET durch
Änderung der Steuerspannung abschaltet.
Die Schwellenwertschaltung weist einen Operationsverstärker 15 auf. Sein
invertierender Eingang ist über einen Widerstand 17 mit dem Verbindungs
punkt zwischen dem Source-Anschluß S des FET 1 und dem Shunt-Wider
stand 3 verbunden. Dessen nicht-invertierendem Eingang wird über einen
Widerstand 25 eine Schwellenspannung von 0,5 V zugeführt und anderer
seits über einen Mitkopplungswiderstand 19 mit dem Ausgang des Opera
tionsverstärkers 15 verbunden, der auch der Ausgang der Schwellenwert
schaltung ist. An diesem ist über einen Widerstand 21 eine Spannung von 5
V angeschlossen. Der Mitkopplungswiderstand 19 bewirkt zusammen mit
dem Widerstand 25 eine Hysterese der Schwellenwertschaltung.
Im Ausführungsbeispiel ist der FET 1 vom TYP IRLR024, die Klemm-Diode 7
vom TYP IN4148, der Operationsverstärker 15 vom Typ LM2901; der Shunt
widerstand 3 hat einen Wert von 0,22 Ohm, der Vorwiderstand 9 hat einen
Wert von 10 Kiloohm, der Widerstand 17 hat 10 Kiloohm, der Widerstand 19
hat 330 Kiloohm, der Widerstand 21 hat 1 Kiloohm. Der Operationsverstärker
15 liegt an einer Versorgungsspannung von 10 V, der Widerstand 25 hat
1 Kiloohm.
Das Ansteuersignal, das dem Vorwiderstand 9 zum Schalten des FET 1 zuge
führt wird, wird von einem Mikroprozessor geliefert und beträgt für den
Sperrzustand des FET 1 0 V und für den leitenden Zustand 5 V. Unter Be
rücksichtigung der Schwellenspannung von etwa 0,5 V (wegen der sehr ge
ringen Ströme) der Klemm-Diode 7 wird die am Gate G des FET 1 wirksame
Spannung gegenüber Masse auf etwa maximal 5,5 V (im Falle eines Kurz
schlusses) begrenzt.
Die Schwellenwertschaltung spricht bei einem durch den Shunt-Widerstand
3 fließenden Strom von etwa (0,5 V/0,22 Ohm =) 2,3 A an.
Der Strom im Falle eines Kurzschlusses wird auf 10 A begrenzt. Dann beträgt
die am Shunt-Widerstand 3 abfallende Spannung 2,2 V und die maximale
Gate-Source-Spannung beträgt 5,5 V - 2,2 V = 3,3 V.
Fig. 2a zeigt den prinzipiellen Verlauf der Spannung am Gate gegenüber
Masse einmal ohne Klemm-Diode (Kurve a) und einmal mit Klemm-Diode
(Kurve b). Man erkennt, daß im Fall ohne Klemm-Diode die zunächst 5 V be
tragende Gate-Spannung beim Auftreten eines Kurzschlusses auf 8,5 V an
steigt, entsprechend einem Anstieg der Source-Spannung gegenüber Masse
um 4 V bei einem Kurzschlußstrom von etwa 20 A (siehe hierzu auch Fig. 2b).
Dagegen ist mit Klemm-Diode nur ein ganz geringfügiger Spannungsanstieg
am Gate bei dem auftretenden Kurzschluß vorhanden und dementspre
chend fließt gemäß Fig. 2b gegenüber dem normalen leitenden Zustand des
FET 1 von 1 A nur ein erhöhter Strom in Kurzschlußfall von etwa 10 A. t1 ist
der Zeitpunkt des Kurzschlusses, t2 der Zeitpunkt der Abschaltung des FET 1.
Halbierter Kurzschlußstrom entspricht halbierter Verlustleistung im Fet (P =
U · I) bzw. 1/4 im Shunt (P = I²· R). Das ermöglicht kostengünstigere Bauteile.
Zur Erfindung gehören auch Ausführungsformen, bei denen die Begren
zung der Gate-Spannung auf Ansteuerpotential durch ein anderes Begren
zungselement, z. B. eine geeignet gewählte Zenerdiode, die von Gate nach
Masse geschaltet ist, erfolgt.
Claims (2)
1. Schaltvorrichtung mit einem Leistungs-FET, der zum Schalten eines durch
eine Last, die zwischen einen Betriebsspannungsanschluß und den Drain-An
schluß des Leistungs-FET gekoppelt ist, fließenden Stroms bestimmt ist, und
vor dessen Gate-Anschluß ein Vorwiderstand geschaltet ist, dessen dem
Gate-Anschluß abgewandten Anschluß eine Steuerspannung für den Lei
stungs-FET zuführbar ist, mit einer Vorrichtung zum Erkennen eines durch
den Leistungs-FET fließenden Kurzschlußstroms, die bei einem Kurzschluß
ein Ausgangssignal erzeugt, das zum Abschalten des Leistungs-FET bestimmt
ist, wobei die Vorrichtung zum Erkennen des Kurzschlusses einen dem
Source-Anschluß des Leistungs-FETs nachgeschalteten Shunt-Widerstand auf
weist und den Spannungsabfall an dem Shunt-Widerstand zur Stromerfas
sung auswertet, dadurch gekennzeichnet, daß an dem Gateanschluß eine
Klemm-Diode (7) mit ihrem einen Anschluß angeschlossen ist, deren anderer
Anschluß im Betrieb an einer konstanten Klemm-Spannung liegt, die die
selbe Polarität wie die Steuerspannung bei vollständig leitend geschaltetem
Leistungs-FET (1) hat, und daß die Klemm-Spannung und der Shunt-Wider
stand (3) so bemessen sind, daß bei einem plötzlichen Kurzschluß zwischen
dem Drain-Anschluß und dem Betriebsspannungsanschluß der durch den
Leistungs-FET (1) fließende Strom durch die vom Spannungsabfall an dem
Shunt-Widerstand (3) bewirkte Änderung der Source-Spannung auf einen
solchen Wert begrenzt wird, daß innerhalb einer Zeitspanne, die für das Ab
schalten des Leistungs-FET (1) aufgrund des Ausgangssignals der Vorrichtung
zum Erkennen eines Kurzschlusses benötigt wird, eine Beschädigung des
Leistungs-FET und/oder anderer Schaltungselemente durch den Kurzschluß
verhindert wird.
2. Schaltvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lei
stungs-FET (1) zur Ansteuerung mittels digitaler Schaltungen ausgebildet ist.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996119120 DE19619120A1 (de) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | Schaltvorrichtung mit Leistungs-FET und Kurzschlußerkennung |
JP14837497A JPH10150354A (ja) | 1996-05-11 | 1997-05-02 | 電力fet及び短絡認識部を有するスイツチ装置 |
SE9701689A SE9701689L (sv) | 1996-05-11 | 1997-05-05 | Kretsanordning med effekt-FET och kortslutningsavkänning |
FR9705553A FR2748611A1 (fr) | 1996-05-11 | 1997-05-06 | Dispositif de coupure a tec de puissance et detection de court-circuit |
US08/853,709 US5914545A (en) | 1996-05-11 | 1997-05-09 | Switching device with power FET and short-circuit detection |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996119120 DE19619120A1 (de) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | Schaltvorrichtung mit Leistungs-FET und Kurzschlußerkennung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19619120A1 true DE19619120A1 (de) | 1997-11-13 |
Family
ID=7794099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1996119120 Withdrawn DE19619120A1 (de) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | Schaltvorrichtung mit Leistungs-FET und Kurzschlußerkennung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5914545A (de) |
JP (1) | JPH10150354A (de) |
DE (1) | DE19619120A1 (de) |
FR (1) | FR2748611A1 (de) |
SE (1) | SE9701689L (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011001691A1 (de) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Vossloh-Schwabe Deutschland Gmbh | Transistorschalteranordnung mit verbesserter Abschaltcharakteristik |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6078488A (en) * | 1998-05-20 | 2000-06-20 | The Foxboro Company | Fault-tolerant analog output circuit |
US6768228B1 (en) | 2001-01-18 | 2004-07-27 | At&T Corp. | AC power protection unit |
AT410867B (de) * | 2001-04-06 | 2003-08-25 | Siemens Ag Oesterreich | Spannungsversorgung mit abschaltsicherung |
JP3779904B2 (ja) * | 2001-10-05 | 2006-05-31 | 三菱電機株式会社 | レベルシフト回路 |
US6876104B1 (en) * | 2001-11-27 | 2005-04-05 | Yazaki North America, Inc. | High-speed switching circuit and automotive accessory controller using same |
JP3779917B2 (ja) * | 2001-12-05 | 2006-05-31 | 矢崎総業株式会社 | 電界効果トランジスタ故障検出装置 |
US7106569B2 (en) * | 2002-11-27 | 2006-09-12 | Sierra Wireless, Inc. | Adaptive current limiter for wireless modem |
US7262948B2 (en) * | 2005-12-02 | 2007-08-28 | Tellabs Operations, Inc. | Power switch with simple overload protection |
US20070139844A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Horey Leonard I | Power safety circuit for small appliances |
DE102006022158A1 (de) * | 2006-05-12 | 2007-11-15 | Beckhoff Automation Gmbh | Leistungsschaltung mit Kurzschlussschutzschaltung |
US7719811B2 (en) * | 2006-09-08 | 2010-05-18 | Ford Global Technologies | FET monitoring and protecting system |
US7952488B1 (en) * | 2008-10-31 | 2011-05-31 | Netapp, Inc. | Method and system for monitoring latent faults in power supplies |
JP5411630B2 (ja) * | 2009-09-03 | 2014-02-12 | ローム株式会社 | 負荷駆動装置 |
US8823411B2 (en) * | 2010-02-08 | 2014-09-02 | Freescale Semiconductor, Inc. | Fatal failure diagnostics circuit and methodology |
CN102221656A (zh) * | 2010-04-19 | 2011-10-19 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 短路测试装置 |
CA2783100C (en) | 2011-07-14 | 2018-05-01 | Sunbeam Products, Inc. | Safety circuit for heating device |
US10817043B2 (en) * | 2011-07-26 | 2020-10-27 | Nvidia Corporation | System and method for entering and exiting sleep mode in a graphics subsystem |
DE102011054729B4 (de) * | 2011-10-21 | 2013-12-19 | Nsm-Löwen Entertainment Gmbh | Unterhaltungsspielgerät |
DE102012015911B3 (de) * | 2012-08-10 | 2013-10-24 | Audi Ag | Diagnoseeinrichtung zur Überprüfung einer Steuersignalleitung |
KR20170132922A (ko) * | 2016-05-24 | 2017-12-05 | 현대자동차주식회사 | 전력모듈 제어 시스템 및 그 제어방법 |
FR3059164B1 (fr) * | 2016-11-18 | 2020-09-18 | Continental Automotive France | Dispositif de protection d'un calculateur electronique contre un court-circuit |
EP3792622B1 (de) * | 2019-09-10 | 2023-06-07 | Mettler-Toledo GmbH | Schnittstelleneinheit zum ankoppeln einer sonde an ein messsystem |
CN111220929B (zh) * | 2020-03-04 | 2021-04-23 | 珠海格力电器股份有限公司 | 可实现短路检测的控制电路及其短路检测方法 |
US20230082396A1 (en) * | 2020-03-30 | 2023-03-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Determination device and switch system equipped therewith |
US20210409016A1 (en) * | 2020-06-26 | 2021-12-30 | Abb Schweiz Ag | Power switch short circuit protection |
DE102021116657A1 (de) * | 2021-06-28 | 2022-12-29 | Battrion Ag | Messverfahren zur Bestimmung des Stroms durch einen Shunt-Widerstand |
CN113922340B (zh) * | 2021-10-19 | 2024-01-23 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种用于驱动芯片中高侧功率管的短路保护电路 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4237119C1 (de) * | 1992-11-03 | 1994-02-24 | Texas Instruments Deutschland | Schaltungsanordnung zum kontrollierten Abschalten eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4088943A (en) * | 1977-02-25 | 1978-05-09 | Electro-Craft Corporation | Brushless DC tachometer circuit |
US4710699A (en) * | 1983-10-14 | 1987-12-01 | Omron Tateisi Electronics Co. | Electronic switching device |
US4914542A (en) * | 1988-12-27 | 1990-04-03 | Westinghouse Electric Corp. | Current limited remote power controller |
US4937697A (en) * | 1989-05-22 | 1990-06-26 | Motorola, Inc. | Semiconductor device protection circuit |
JP2674355B2 (ja) * | 1991-05-15 | 1997-11-12 | 三菱電機株式会社 | パワー素子の過電流保護装置 |
DE9208468U1 (de) * | 1992-06-24 | 1992-08-20 | Siemens AG, 8000 München | Schaltung zur Steuerung eines Polwendeschalters |
US5684663A (en) * | 1995-09-29 | 1997-11-04 | Motorola, Inc. | Protection element and method for protecting a circuit |
US5654859A (en) * | 1995-11-14 | 1997-08-05 | The Boeing Company | Fault tolerant power distribution system |
-
1996
- 1996-05-11 DE DE1996119120 patent/DE19619120A1/de not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-05-02 JP JP14837497A patent/JPH10150354A/ja active Pending
- 1997-05-05 SE SE9701689A patent/SE9701689L/ not_active Application Discontinuation
- 1997-05-06 FR FR9705553A patent/FR2748611A1/fr active Pending
- 1997-05-09 US US08/853,709 patent/US5914545A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4237119C1 (de) * | 1992-11-03 | 1994-02-24 | Texas Instruments Deutschland | Schaltungsanordnung zum kontrollierten Abschalten eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
DE-Z.: Elektronik, 1967, H. 10, S. 313-316 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011001691A1 (de) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Vossloh-Schwabe Deutschland Gmbh | Transistorschalteranordnung mit verbesserter Abschaltcharakteristik |
DE102011001691B4 (de) * | 2011-04-13 | 2013-02-07 | Vossloh-Schwabe Deutschland Gmbh | Transistorschalteranordnung mit verbesserter Abschaltcharakteristik |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5914545A (en) | 1999-06-22 |
SE9701689D0 (sv) | 1997-05-05 |
SE9701689L (sv) | 1997-11-12 |
JPH10150354A (ja) | 1998-06-02 |
FR2748611A1 (fr) | 1997-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19619120A1 (de) | Schaltvorrichtung mit Leistungs-FET und Kurzschlußerkennung | |
DE2320128C3 (de) | Zerhacker | |
DE69500031T2 (de) | Steuerungsschaltung und Anordnung für eine Niederdruckleuchtstofflampe | |
DE3123816A1 (de) | Verfahren und schaltungen zum schutz von transistoren | |
EP3221943B1 (de) | Schutzschaltung für einen überspannungs- und/oder überstromschutz | |
DE3741394C2 (de) | Schaltungsanordnung zum Schutz vor Verpolungsschäden für Lastkreise mit einem MOS-FET als Schalttransistor | |
DE3420003A1 (de) | Anordnung zum verhindern uebermaessiger verlustleistung in einer leistungsschalthalbleitervorrichtung | |
DE112019002637T5 (de) | Stromquelleneingangsschaltung und elektrischer kompressor mit integriertem wechselrichter für fahrzeuge mit dieser schaltung | |
EP1561366B1 (de) | Schaltungsanordnung zum betreiben mindestens einer leuchtdiode | |
DE3727498C2 (de) | ||
DE102015207783A1 (de) | Gegen Überspannung geschütztes elektronisches Steuergerät | |
DE4326423B4 (de) | Anordnung zur Entkopplung eines Verbrauchers von einer Gleichspannungs-Versorgungsquelle | |
EP0524425B1 (de) | Schaltungsanordnung zur Einschaltstrombegrenzung und zum Überspannungsschutz bei getakteten Stromversorgungsgeräten | |
DE19604041C1 (de) | Schaltungsanordnung zur Erkennung eines durch eine Last fließenden Laststroms | |
EP2284638A2 (de) | Netzteil-Schaltungsanordnung und Verfahren zum Betreiben einer Netzteil-Schaltungsanordnung | |
DE19602121C1 (de) | Strombegrenzungsschaltung | |
DE4142666C2 (de) | Schaltungsanordnung mit einem Halbleiterschalter zum Schalten einer Last | |
DE4237119C1 (de) | Schaltungsanordnung zum kontrollierten Abschalten eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors | |
DE10319557B4 (de) | Steuereinheit zur Drehzahlregelung mittels eines Regeltransistors einer Lüfteranordnung | |
DE10211099B4 (de) | Vorrichtung zur Ansteuerung einer elektrischen Last | |
DE3238899A1 (de) | Kurzschlussfeste ansteuerschaltung fuer einen elektrischen verbraucher | |
DE3515133A1 (de) | Kurzschlussfeste transistorendstufe | |
WO2004017481A1 (de) | Sensor-schutzschaltung | |
DE3536447C2 (de) | Kurzschluß- und überlastfeste Transistorausgangsstufe | |
DE102005014167B4 (de) | Treiberschutzschaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: TEMIC TELEFUNKEN MICROELECTRONIC GMBH, 90411 NUERN |
|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |