DE4312086C2 - Halbleiterspeichereinrichtung und Betriebsverfahren dafür - Google Patents
Halbleiterspeichereinrichtung und Betriebsverfahren dafürInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 238000011017 operating method Methods 0.000 title claims description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 claims 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 101100166255 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CEP3 gene Proteins 0.000 description 10
- 101100495436 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CSE4 gene Proteins 0.000 description 10
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 101710190981 50S ribosomal protein L6 Proteins 0.000 description 2
- AYNSTGCNKVUQIL-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCCCC)C=1C=CC(=C(C=1)C1=NC(=CC(=C1)N(CCN(C)C)C)C1=C(C=CC(=C1)CCCCCCCCCCCC)OC)OC Chemical compound C(CCCCCCCCCCC)C=1C=CC(=C(C=1)C1=NC(=CC(=C1)N(CCN(C)C)C)C1=C(C=CC(=C1)CCCCCCCCCCCC)OC)OC AYNSTGCNKVUQIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100038980 Exosome complex component CSL4 Human genes 0.000 description 2
- 101000882169 Homo sapiens Exosome complex component CSL4 Proteins 0.000 description 2
- 101100309034 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RTF1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 101000575029 Bacillus subtilis (strain 168) 50S ribosomal protein L11 Proteins 0.000 description 1
- 101000712130 Bacillus subtilis (strain 168) 50S ribosomal protein L7/L12 Proteins 0.000 description 1
- 102100035793 CD83 antigen Human genes 0.000 description 1
- 101000946856 Homo sapiens CD83 antigen Proteins 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
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Description
Die Erfindung betrifft Halbleiterspeichereinrichtungen nach den
Ansprüchen 1 bzw. 4 und ein
Verfahren nach Anspruch 13.
Fig. 24 zeigt das Blockschaltbild eines Beispiels für einen
dynamischen Direktzugriffsspeicher (im weiteren als "DRAM"
bezeichnet). Fig. 25 zeigt die Struktur des Hauptabschnitts des DRAM
von Fig. 24 genauer.
Auf einem Halbleiterchip CH sind vier Speicherblöcke gebildet. Fig.
24 zeigt jedoch nur einen Speicherblock B1 von diesen.
Ein Speicherfeld 1 weist eine Mehrzahl von Bitleitungspaaren, eine
Mehrzahl von Wortleitungen, die die Bitleitungspaare kreuzen, und
eine Mehrzahl von Speicherzellen, die an den Kreuzungen der
Bitleitungspaare mit den Wortleitungen angeordnet sind, auf. In Fig.
25 sind Bitleitungspaare BL1-BL8, eine Mehrzahl von Wortleitungen
WL, die die Bitleitungspaare BL1-BL8 kreuzen, und eine Mehrzahl von
Speicherzellen MC, die an den Kreuzungen der Bitleitungspaare BL1-
BL8 mit den Wortleitungen WL angeordnet sind, dargestellt. Die
Bitleitungspaare sind in eine Mehrzahl von Bitleitungsgruppen BG1
und BG2 aufgeteilt, die jeweils vier Bitleitungspaare umfassen. In
Fig. 25 bilden die Bitleitungspaare BL1-BL4 die Bitleitungsgruppe
BG1 und die Bitleitungspaare BL5-BL8 die Bitleitungsgruppe BG2.
Die Wortleitungen WL sind mit einem Zeilendekoder 2 verbunden, der
in Fig. 24 dargestellt ist. Der Zeilendekoder 2 wählt eine der
Wortleitungen WL aus, um die ausgewählte Wortleitung WL zu
aktivieren. Der Zeilendekoder 2 setzt das Potential der ausgewählten
Wortleitung auf einen hohen Pegel und das Potential der nicht
ausgewählten Wortleitungen auf einen niedrigen Pegel.
Eine in Fig. 24 gezeigte Leseverstärkergruppe 3 weist eine Mehrzahl
von Leseverstärkern SA (Fig. 25) auf, die jeweils mit den
Bitleitungspaaren verbunden sind. Jeder Leseverstärker SA erfaßt und
verstärkt die Potentialdifferenz auf dem entsprechenden
Bitleitungspaar.
Die in Fig. 24 gezeigte Spaltenauswahl-Schaltungsgruppe 4 weist eine
Mehrzahl von Spaltenauswahlschaltungen auf, die jeweils entsprechend
den Bitleitungsgruppen gebildet sind. In Fig. 25 sind eine
Spaltenauswahlschaltung SL1, die entsprechenden der
Bitleitungsgruppe BG1 gebildet ist, und eine Spaltenauswahlschaltung
SL2, die entsprechenden der Bitleitungsgruppe BG2 gebildet ist,
gezeigt.
Jede Spaltenauswahlschaltung weist vier Sätze von Transfergattern TG
auf, die den vier Bitleitungspaaren in der jeweiligen
Bitleitungsgruppe entsprechen. Die vier Bitleitungspaare in der
jeweiligen Bitleitungsgruppe sind über vier Sätze von
Transfergattern TG mit vier Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1-IO4
verbunden.
Ein Spaltendekoder 5 wählt eine der Bitleitungsgruppen aus und macht
vier Sätze der Transfergatter TG in der entsprechenden
Spaltenauswahlschaltung gleichzeitig leitend. Wie in Fig. 25
dargestellt ist, erzeugt der Spaltendekoder 5 ein
Spaltenauswahlsignal CSL1, das an vier Sätze der Transfergatter TG
in der Spaltenauswahlschaltung SL1 angelegt wird, und ein
Spaltenauswahlsignal CSL2, das an vier Sätze der Transfergatter TG
in der Spaltenauswahlschaltung SL2 angelegt wird.
Wie in Fig. 24 gezeigt ist, weist der Speicherblock B1 ferner einen
Eingabepuffer 6, eine 4-Bit Seriell/Parallel-Konverterschaltung 7,
einen Schreibpuffer 8, einen Vorverstärker 9, eine 4-Bit
Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 und einen Ausgabepuffer 11
auf. Der Eingabepuffer 6, die Seriell/Parallel-Konverterschaltung 7
und der Schreibpuffer 8 arbeiten bei einem Datenschreibvorgang. Der
Vorverstärker 9, die Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 und der
Ausgabepuffer 11 werden bei einem Datenlesevorgang betrieben.
Auf dem Halbleiterchip CH sind ferner ein Zeilenadreßpuffer 12, ein
Spaltenadreßpuffer 13, ein Steuersignalpuffer 14, ein CLK-Puffer 15,
ein Adreßzähler 16 und ein Taktsignalgenerator 17 gebildet.
Der Zeilenadreßpuffer 12 legt ein extern zugeführtes Adreßsignal ADD
an den Zeilendekoder 2 als Zeilenadreßsignal zu einem vorbestimmten
Zeitpunkt an. Der Spaltenadreßpuffer 13 legt ein extern zugeführtes
Adreßsignal ADD an den Adreßzähler 16 als Spaltenadreßsignal zu
einem vorbestimmten Zeitpunkt an.
Der Steuersignalpuffer 14 empfängt ein externes Zeilenadreß-
Abtastsignal /RAS, ein externes Spaltenadreß-Abtastsignal /CAS, ein
externes Schreibaktivierungssignal /WE und ein externes
Ausgabeaktivierungssignal /OE und legt diese Signale an den
Taktsignalgenerator 17 an. Der CLK-Puffer 15 empfängt ein extern
angelegtes Taktsignal CLK und führt es den jeweiligen Schaltungen
auf dem Chip zu.
Der Adreßzähler 16 empfängt das Spaltenadreßsignal vom
Spaltenadreßpuffer 13 als Startadresse und ändert nacheinander die
Startadresse in Abhängigkeit vom Taktsignal CLK. Der Adreßzähler 16
erzeugt das Spaltenadreßsignal, das zwei Bits A0 und A1 aufweist,
die der Seriell/Parallel-Konverterschaltung 7 und der
Parallel/Seriell-Konverterschaltung zugeführt werden. Die anderen
Bits A2-An in diesem Spaltenadreßsignal werden an den Spaltendekoder
5 angelegt. Der Taktsignalgenerator 17 erzeugt verschiedene
Steuersignale zum Steuern der jeweiligen Schaltungen auf dem Chip.
Nun wird der Betrieb des in Fig. 24 und 25 gezeigten DRAM in einem
Direktzugriffsmodus beschrieben.
Der Zeilendekoder 2 wählt eine der Wortleitungen WL im Speicherfeld
1 in Abhängigkeit vom Zeilenadreßsignal aus und hebt ihr Potential
auf einen hohen Pegel an. Dadurch werden Daten aus den
Speicherzellen MC, die mit der ausgewählten Wortleitung WL verbunden
sind, auf die entsprechenden Bitleitungen ausgelesen. Die gelesenen
Daten werden von den Leseverstärkern SA in der Leseverstärkergruppe
3 erfaßt und verstärkt und darin gehalten.
Anschließend wählt der Spaltendekoder 5 eine der Bitleitungsgruppen
aus, um die entsprechende Spaltenauswahlschaltung in Abhängigkeit
von den Bits A2-An im Spaltenadreßsignal zu aktivieren, die über den
Adreßzähler 16 angelegt werden. Dadurch werden die vier
Bitleitungspaare in der ausgewählten Bitleitungsgruppe über die
Spaltenauswahlschaltung mit den vier Eingabe/Ausgabeleitungspaaren
IO1-IO4 verbunden.
Im Datenlesebetrieb werden die vier Datenbits auf den vier
Bitleitungspaaren in der ausgewählten Bitleitungsgruppe über die
vier Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO4 dem Vorverstärker 9 zur
Verstärkung zugeführt. Die vom Vorverstärker 9 verstärkten vier
Datenbits werden an die Lesedatenbusse RDB1-RDB4 angelegt. Die
Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 ist von den zwei Bits A0 und
A1 im Spaltenadreßsignal abhängig, um eines der vier Datenbits auf
den Lesedatenbussen RDB1-RDB4 an den Ausgabepuffer 11 anzulegen.
Folglich wird der Wert vom Ausgabepuffer 11 dem
Eingabe/Ausgabeanschluß I/O zugeführt.
Im Datenschreibbetrieb empfängt der Eingabe/Ausgabeanschluß I/O
sequentiell externe Daten. Die Daten werden über den Eingabepuffer 6
sequentiell an die Seriell/Parallel-Konverterschaltung 7 angelegt.
Die Seriell/Parallel-Konverterschaltung 7 wandelt die Daten in
parallele Daten um und führt sie dem Schreibpuffer 8 zu. Dadurch
werden die Daten an das jeweilige der vier
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO4 angelegt. Die vier Werte auf
den Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1-IO4 werden über die aktivierte
Spaltenauswahlschaltung an die vier Bitleitungspaare in der
ausgewählten Bitleitungsgruppe angelegt, und werden in die vier
Speicherzelle MC geschrieben.
Nach der Aktivierung einer Wortleitung WL können die von den
Leseverstärkern SA in der Leseverstärkergruppe 3 gehaltenen Daten
dagegen durch sequentielles Aktivieren der Spaltenauswahlschaltungen
kontinuierlich auf die Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO4
ausgelesen werden.
Ein Modus, in dem die Spaltenauswahlschaltungen entsprechend den
extern zugeführten Adreßsignalen wahlfrei aktiviert werden, wird als
Page-Mode bezeichnet. Einen Modus, bei dem nur das Adreßsignal, das
die Startadresse festlegt, im Adreßzähler 16 eingestellt wird, und
bei dem anschließend die Spaltenauswahlschaltungen durch die vom
Adreßzähler 16 erzeugten Adreßsignale sequentiell aktiviert werden,
bezeichnet man als seriellen Modus (Serial-Mode). Weil die
Leseverstärkergruppe 3 im allgemeinen die Werte von Tausenden von
Bits hält, ermöglichen der Page-Mode und der Serial-Mode einen
Zugriff mit hoher Geschwindigkeit.
Genauer gesagt kann im Serial-Mode eine Mehrzahl von Werten, die
durch die Aktivierung einer Spaltenauswahlschaltung erhalten werden,
der Parallel/Seriell-Umwandlung unterworfen werden, oder ein
zeitlich überlappender Betrieb (Pipeline-Betrieb) kann ausgeführt
werden, wodurch die Geschwindigkeit des seriellen Zugriffs weiter
erhöht wird.
Fig. 26 zeigt einen Hauptabschnitt des DRAM von Fig. 24 und 25. Wie
in Fig. 25 dargestellt ist, weist die Bitleitungsgruppe BG1 die
Bitleitungspaare BL1-BL4 und die Bitleitungsgruppe BG2 die
Bitleitungspaare BL5-BL8 auf. Eine Bitleitungsgruppe BG3 weist die
Bitleitungspaare BL9-BL12 und eine Bitleitungsgruppe BG4 die
Bitleitungspaare BL13-BL16 auf.
Die den Bitleitungspaaren BL1-BL16 zugeordneten Spaltenadressen
werden mit Y1, Y2, . . . bzw. Y16 bezeichnet.
Die Bitleitungspaare BL1-BL4 in der Bitleitungsgruppe BG1 sind über
die Spaltenauswahlschaltung SL1 mit den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1-IO4 verbunden. Die
Bitleitungspaare BL5-BL8 in der Bitleitungsgruppe BG2 sind über die
Spaltenauswahlschaltung SL2 mit den Eingabe/Ausgabeleitungspaaren
IO1-IO4 verbunden. Die Bitleitungspaare BL9-BL12 in der
Bitleitungsgruppe BG3 sind über die Spaltenauswahlschaltung SL3 mit
den Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1-IO4 verbunden, und die
Bitleitungspaare BL13-BL16 in der Bitleitungsgruppe BG4 sind über
die Spaltenauswahlschaltung SL4 mit den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1-IO4 verbunden.
Wie oben beschrieben worden ist, sind die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO4 gemeinsam für alle
Bitleitungsgruppen gebildet. Daher ist eine gleichzeitige
Aktivierung der mehrfachen Spaltenauswahlschaltungen unmöglich.
Im Serial-Mode wird die Startadresse im Adreßzähler 16 eingestellt,
und eine Spaltenauswahlschaltung entsprechend der Startadresse wird
aktiviert.
Wie in Fig. 27 gezeigt ist, wird zunächst die
Spaltenauswahlschaltung SL1 aktiviert, wenn die Startadresse auf
einen der Werte Y1-Y4 eingestellt ist. Wenn die Startadresse auf Y1
eingestellt ist, wird mit der Aktivierung der
Spaltenauswahlschaltung SL1 sequentiell auf die Spaltenadressen Y1,
Y2, Y3 und Y4 zugegriffen. Wenn die Startadresse auf Y2 eingestellt
ist, wird mit der Aktivierung der Spaltenauswahlschaltung SL1
sequentiell auf die Spaltenadressen Y2, Y3 und Y4 zugegriffen. Wenn
die Startadresse auf Y3 eingestellt ist, wird mit der Aktivierung
der Spaltenauswahlschaltung SL1 sequentiell auf die Spaltenadressen
Y3 und Y4 zugegriffen. Wenn die Startadresse auf Y4 eingestellt ist,
wird mit der Aktivierung der Spaltenauswahlschaltung SL1 nur auf die
Spaltenadresse Y4 zugegriffen.
Wie oben beschrieben worden ist, hängt der Datenumfang, der
angesprochen werden kann, ohne daß die Aktivierung einer anderen
Spaltenauswahlschaltung erforderlich ist, von der Startadresse ab.
Wenn die Startadresse z. B. auf Y4 eingestellt wird, ist es genauer
gesagt notwendig, eine andere Spaltenauswahlschaltung zu aktivieren,
um die nächste Spaltenadresse anzusprechen. Dieses Ergebnis führt zu
dem Problem, daß die Zeitspanne von der Aktivierung der
Spaltenauswahlschaltung bis zum Betrieb des Leseverstärkers die
Bitrate bestimmt.
Dieses Problem wird nun unter Bezugnahme auf die Signaldiagramm der
Fig. 28 und 29 beschrieben.
Fig. 28 ist ein Signaldiagramm, das einen Betrieb im Serial-Mode
darstellt, wenn die Startadresse auf Y1 eingestellt wird. Fig. 29
ist ein Signaldiagramm, das einen Betrieb im Serial-Mode darstellt,
wenn die Startadresse auf Y4 eingestellt wird.
In den Fig. 28 und 29 bezeichnen D1-D12 Werte, die auf die
Bitleitungspaare BL1-BL12 (siehe Fig. 25 und 26) ausgelesen werden.
Wenn das externe Zeilenadreß-Abtastsignal /RAS auf eine niedrigen
Pegel abfällt, wird an den Zeilendekoder 2 ein externes Adreßsignal
ADD als Zeilenadreßsignal AX angelegt. Dadurch wird eine der
Wortleitungen WL aktiviert. Wenn anschließend das externe
Spaltenadreß-Abtastsignal /CAS auf eine niedrigen Pegel abfällt,
wird an den Adreßzähler 16 ein externes Adreßsignal ADD als
Spaltenadreßsignal AY angelegt. Der Adreßzähler 16 legt die zwei
Bits A0 und A1 im Spaltenadreßsignal AY an die Parallel/Seriell-
Konverterschaltung 10 an und führt die anderen Bits A2-An dem
Spaltendekoder 5 zu.
Wie in Fig. 28 gezeigt ist, wird die Startadresse auf Y1
eingestellt, wenn das Spaltenadreßsignal AY die erste Spaltenadresse
Y1 bestimmt. Zuerst hebt der Spaltendekoder 5 das
Spaltenauswahlsignal CSL1 auf einen hohen Pegel an und aktiviert die
Spaltenauswahlschaltung SL1. Dadurch werden die Daten D1-D4 auf den
Bitleitungspaaren BL1-BL4 auf die Eingabe/Ausgabeleitungspaare
IO1-IO4 ausgelesen.
Die Daten D1-D4 werden über den Vorverstärker 9 an die
Lesedatenbusse RDB1-RDB4 angelegt. Der Adreßzähler 16 zählt die
Spaltenadresse AY in Abhängigkeit vom Taktsignal CLK vom CLK-Puffer
15 sequentiell hoch. Die Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10
wählt die Daten D1-D4 sequentiell aus und führt sie dem
Ausgabepuffer 11 in Abhängigkeit von den zwei Bits A0 und A1 im
Spaltenadreßsignal AY zu. Auf diese Weise werden die Daten D1-D4 vom
Eingabe/Ausgabeanschluß I/O als Ausgabedaten Dout seriell abgegeben.
Wenn der Spaltendekoder 5 das Spaltenauswahlsignal CSL2 auf einen
hohen Pegel anhebt, werden in ähnlicher Weise die Daten D5-D8 auf
die Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO4 ausgelesen. Die Daten D5-D8
werden über den Vorverstärker 9 an die Lesedatenbusse RDB1-RDB4
angelegt. Der Adreßzähler 16 zählt die Spaltenadresse AY in
Abhängigkeit vom Taktsignal CLK vom CLK-Puffer 15 sequentiell hoch.
Die Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 wählt die Daten D5-D8
sequentiell aus und führt sie dem Ausgabepuffer 11 in Abhängigkeit
von den zwei Bits A0 und A1 im Spaltenadreßsignal AY zu. Dadurch
werden die Daten D5-D8 vom Eingabe/Ausgabeanschluß I/O als
Ausgabedaten Dout seriell abgegeben.
Auf diese Weise werden Lesedaten seriell vom Eingabe/Ausgabeanschluß
I/O abgegeben.
Wie in Fig. 29 gezeigt ist, wird die Startadresse auf Y4
eingestellt, wenn das Spaltenadreßsignal AY die Spaltenadresse Y4
bestimmt. Auch in diesem Fall hebt der Spaltendekoder 5 zuerst das
Spaltenauswahlsignal CSL1 auf einen hohen Pegel an und aktiviert die
Spaltenauswahlschaltung SL1. Dadurch werden die Daten D1-D4 auf den
Bitleitungspaaren BL1-BL4 auf die Eingabe/Ausgabeleitungspaare
IO1-IO4 ausgelesen.
Die Daten D1-D4 werden in Abhängigkeit von den zwei Bits A0 und A1
im Spaltenadreßsignal über den Vorverstärker 9 an die Lesedatenbusse
RDB1-RDB4 angelegt. Die Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 wählt
den Wert D4 aus und führt ihn dem Ausgabepuffer 11 in Abhängigkeit
von den zwei Bits A0 und A1 im Spaltenadreßsignal AY zu. Dadurch
wird der Wert D4 vom Eingabe/Ausgabeanschluß I/O als Ausgabewert
Dout abgegeben.
Wenn der Spaltendekoder 5 das Spaltenauswahlsignal CSL2 auf einen
hohen Pegel anhebt, werden in ähnlicher Weise die Daten D5-D8 auf
die Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO4 ausgelesen. Die Daten D5-D8
werden über den Vorverstärker 9 an die Lesedatenbusse RDB1-RDB4
angelegt. Der Adreßzähler 16 zählt die Spaltenadresse AY in
Abhängigkeit vom Taktsignal CLK vom CLK-Puffer 15 sequentiell hoch.
Die Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 wählt die Daten D5-D8
sequentiell aus, um sie dem Ausgabepuffer 11 in Abhängigkeit von den
zwei Bits A0 und A1 im Spaltenadreßsignal AY zuzuführen. Dadurch
werden die Daten D5-D8 vom Eingabe/Ausgabeanschluß I/O als
Ausgabedaten Dout seriell abgegeben.
In diesem Fall kann das Spaltenauswahlsignal CSL2 nur dann auf einen
hohen Pegel angehoben werden, nachdem das Spaltenauswahlsignal CSL1
auf einen niedrigen Pegel gefallen ist. Um eine gleichzeitige
Änderung der zwei Spaltenauswahlsignale in den Aktiv-Zustand zu
verhindern, ist ein zeitlicher Abstand zwischen dem Abfallen des
Spaltenauswahlsignals CSL1 und dem Anstieg des Spaltenauswahlsignals
CSL2 notwendig.
Wie in Fig. 28 gezeigt ist, gibt es keine Lücke zwischen den
Ausgabedaten, wenn das Spaltenadreßsignal AY die Spaltenadresse Y1
festlegt, und damit sinkt die Bitrate nicht ab. Wie in Fig. 29
dargestellt ist, wird jedoch eine Lücke zwischen den vom
Eingabe/Ausgabeanschluß I/O abgegebenen Werten D4 und D5 erzeugt,
wenn das Spaltenadreßsignal AY die Spaltenadresse Y4 festlegt. Damit
gibt es eine Datenlücke, wenn ein Bitleitungspaar in einer
bestimmten Bitleitungsgruppe und ein Bitleitungspaar in einer
anderen Bitleitungsgruppe nacheinander ausgewählt werden. Das
verursacht eine Verminderung der Zugriffsgeschwindigkeit und der
Bitrate.
Aus dem US-Patent 4,800,530 ist eine Halbleiterspeicherein
richtung mit einer Mehrzahl von Speicherzellen, die in einer
Mehrzahl von Zeilen und einer Mehrzahl von Spalten angeordnet
sind, und jeweils einen Wert speichern, und einer Mehrzahl
von Bitleitungen, die entsprechend der Mehrzahl von Spalten
gebildet und jeweils mit den Speicherzellen in der entspre
chenden Spalte verbunden sind, zu entnehmen. Die Mehrzahl von
Bitleitungen ist in eine Mehrzahl von Bitleitungsgruppen un
terteilt, die jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Bitleitun
gen aufweisen, und die Mehrzahl von Bitleitungsgruppen ist in
n Hauptgruppen klassifiziert. n Eingabe/Ausgabeleitungsgrup
pen sind entsprechend den n Hauptgruppen gebildet und weisen
jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen
auf. Eine Mehrzahl von Verbindungsmitteln ist entsprechend
der Mehrzahl von Bitleitungsgruppen gebildet und jeweils zwi
schen die entsprechende Bitleitungsgruppe und die entspre
chende Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe geschaltet. Ein Spalten
auswahlmittel erzeugt selektiv eine Mehrzahl von Auswahl
signalen, die der Mehrzahl von Verbindungsmittel entsprechen,
zum Auswählen von einer der Mehrzahl von Bitleitungsgruppen.
Jedes der Mehrzahl von Verbindungsmitteln wird in Abhängig
keit von dem entsprechenden Auswahlsignal aktiviert, und die
jeweilige Bitleitung in der entsprechenden Bitleitungsgruppe
wird mit der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitung in der ent
sprechenden Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe verbunden. Aus der
GB 2 135 485 A ist eine Halbleiterspeichereinrichtung zu ent
nehmen, bei der das Speicherzellenfeld in zwei Felder aufge
teilt ist und jedes dieser Felder über eine Datenleitungs
gruppe getrennt ausgelesen wird.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Halbleiterspeichereinrich
tung und ein Betriebsverfahren für eine Halbleiterspeichereinrichtung
zu schaffen, wobei ein Hochgeschwindigkeitszu
griff, ein serieller Zugriff mit hoher Geschwindigkeit und
eine hohe Bitrate und ein Hochgeschwindigkeits-Serial-Mode
ohne Beschränkung der Startadresse ermöglicht sind.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Halbleiterspeicherein
richtung mit den Merkmalen des Anspruches 1 oder des Anspru
ches 4, sie wird ebenfalls gelöst durch ein Betriebsverfahren
mit den Merkmalen des Anspruches 13.
Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung sind aus den jewei
ligen Unteransprüchen zu entnehmen.
Bei der oben beschriebenen Halbleiterspeichereinrichtung wird eine
Mehrzahl von Verbindungsschaltungen gleichzeitig oder mit einem
vorbestimmten Zeitabstand aktiviert, die mit
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen in verschiedenen Speicherfeldern
verbunden sind, wodurch eine Mehrzahl von Bitleitungsgruppen mit den
entsprechenden Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen gleichzeitig bzw. mit
einem vorbestimmten Zeitabstand verbunden werden kann.
Daher können beim Betrieb zum kontinuierlichen Auswählen einer
Bitleitung in einer ersten Bitleitungsgruppe und einer Bitleitung in
einer zweiten Bitleitungsgruppe Daten auf der Eingabe/Ausgabeleitung
der zweiten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe vorbereitet werden,
während die Eingabe/Ausgabeleitung in der ersten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe angesprochen wird. Entsprechend wird
die Zugriffsgeschwindigkeit erhöht, und es wird keine Lücke zwischen
den angesprochenen Daten erzeugt.
Wie oben beschrieben worden ist, ermöglicht die erfindungsgemäße
Halbleiterspeichereinrichtung einen Hochgeschwindigkeitszugriff.
Ferner erlaubt die Halbleiterspeichereinrichtung verschiedene
Zugriffsmodi, wie z. B. einen Page-Mode, einen Lapping-Modus und
einen Serial-Mode mit hoher Geschwindigkeit und großer Bitrate.
Außerdem kann die Halbleiterspeichereinrichtung einen
Hochgeschwindigkeits-Serial-Mode ohne Beschränkung der Startadresse
erzielen.
Weitere Einzelheiten und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus
der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von
den Figuren zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild der Gesamtstruktur eines DRAM nach
einer ersten Ausführungsform;
Fig. 2 eine spezielle Struktur des Hauptabschnitts des DRAM von
Fig. 1;
Fig. 3 einen Hauptabschnitt der in Fig. 2 gezeigten Struktur;
Fig. 4 eine Tabelle des Bereichs, der in einem Serial-Mode
angesprochen werden kann, ohne daß die Aktivierung einer
anderen Spaltenauswahlschaltung erforderlich ist;
Fig. 5 eine Tabelle des Bereichs, der in einem Adreß-Lapping-
Modus angesprochen werden kann, ohne daß die Aktivierung
einer anderen Spaltenauswahlschaltung erforderlich ist;
Fig. 6 ein Signaldiagramm zur Erläuterung des Betriebs des DRAM
von Fig. 1 und 2 in einem Serial-Mode;
Fig. 7 ein Signaldiagramm zur Erläuterung des Betriebs des DRAM
von Fig. 1 und 2 in einem Adreß-Lapping-Modus;
Fig. 8 ein Beispiel für die Struktur eines Adreßzählers;
Fig. 9 eine Wahrheitstafel für dem Adreßzähler von Fig. 8;
Fig. 10 die Teilstruktur eines Spaltendekoders;
Fig. 11 eine Wahrheitstafel für einen Vordekoder des
niederwertigen Adreßanteils nach der Erfindung und eine
Wahrheitstafel für einen gewöhnlichen Vordekoder des
niederwertigen Adreßanteils;
Fig. 12 die Struktur eines Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalters;
Fig. 13 eine Wahrheitstafel für eine Adreßumwandlungs-
Logikschaltung, die im Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter
enthalten ist;
Fig. 14 ein Schaltbild der Änderungsschaltung für den
Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter;
Fig. 15 ein Blockschaltbild der Gesamtstruktur eines DRAM nach
einer zweiten Ausführungsform;
Fig. 16 eine spezielle Struktur des Hauptabschnitts des DRAM von
Fig. 15;
Fig. 17 einen Hauptabschnitt der in Fig. 16 gezeigten Struktur;
Fig. 18 eine Tabelle der in einem Serial-Mode aktivierten
Spaltenauswahlschaltungen und der angesprochene Bereich;
Fig. 19 eine Tabelle der in einem Adreß-Lapping-Modus aktivierten
Spaltenauswahlschaltungen und der angesprochene Bereich;
Fig. 20 ein Signaldiagramm des Betriebs des DRAM von Fig. 15 in
einem Serial-Mode;
Fig. 21 ein Signaldiagramm des Betriebs des DRAM von Fig. 15 in
einem Page-Mode;
Fig. 22 das Blockschaltbild eines Beispiels für die Struktur eines
Spaltendekoders, der im DRAM der Fig. 15 enthalten ist;
Fig. 23 eine Struktur des Hauptabschnitts eines DRAM nach einer
dritten Ausführungsform;
Fig. 24 ein Blockschaltbild der Gesamtstruktur eines DRAM;
Fig. 25 eine spezielle Struktur des Hauptabschnitts des DRAM von
Fig. 24;
Fig. 26 einen Hauptabschnitt der in Fig. 25 gezeigten Struktur;
Fig. 27 eine Tabelle des Bereichs, der im DRAM von Fig. 24 und 25
angesprochen werden kann, ohne daß die Aktivierung einer
anderen Spaltenauswahlschaltung erforderlich ist;
Fig. 28 ein Signaldiagramm zur Erläuterung des Betriebs des DRAM
von Fig. 24 und 25 in einem Serial-Mode; und
Fig. 29 ein Signaldiagramm zur Erläuterung der Nachteile, die beim
Betrieb des DRAM von Fig. 24 und 25 in einem Serial-Mode
auftreten.
Fig. 1 ist ein Blockschaltbild der Gesamtstruktur eines DRAM nach
einer ersten Ausführungsform. Das in Fig. 1 gezeigte DRAM
unterscheidet sich von dem in Fig. 24 dargestellten DRAM in den
folgenden Punkten.
Es sind eine erste Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG1 und eine
zweite Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG2 gebildet. Die erste
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG1 weist
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO4 auf. Die zweite
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG2 weist
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO5-IO8 auf.
Der Spaltendekoder 5, der Adreßzähler 16 und der Taktsignalgenerator
17, die in Fig. 24 dargestellt sind, sind durch einen Spaltendekoder
5a, einen Adreßzähler 16a und einen Taktsignalgenerator 17a ersetzt
worden. Struktur und Betrieb des Spaltendekoders 5a, des
Adreßzählers 16a und des Taktsignalgenerators 17a unterscheiden sich
von den des Spaltendekoders 5, Adreßzählers 16 und
Taktsignalgenerators 17, wie später beschrieben wird.
Ferner ist ein Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter 18, der drei Bits
A0, A1 und A2 des Spaltenadreßsignals vom Adreßzähler 16a empfängt
und selektiv die Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO4 in der ersten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG1 oder die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO5-IO8 in der zweiten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG2 mit den globalen
Eingabe/Ausgabeleitungen GIO1-GIO4 in einer globalen
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe GIOG verbindet, gebildet. Die anderen
Strukturen sind ähnlich denen, die in Fig. 24 gezeigt sind.
Fig. 2 zeigt eine spezielle Struktur des Hauptabschnitts des DRAM
von Fig. 1.
Das Speicherfeld 1, die Leseverstärkergruppe 3 und die
Spaltenauswahl-Schaltungsgruppe 4 haben dieselbe Struktur wie die in
Fig. 25 dargestellten. Die ungeraden Bitleitungsgruppen, d. h. die
Bitleitungsgruppen BG1 und BG3 werden als "erste Bitleitungsgruppen"
bezeichnet und die geraden Bitleitungsgruppen, d. h. die
Bitleitungsgruppen BG2 und BG4 als "zweite Bitleitungsgruppen". Die
Mehrzahl der ersten Bitleitungsgruppen bildet eine erste Hauptgruppe
und die Mehrzahl der zweiten Bitleitungsgruppen eine zweite
Hauptgruppe.
Die vier Bitleitungspaare in jeder ersten Bitleitungsgruppe sind
über die entsprechende Spaltenauswahlschaltung jeweils mit den vier
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1-IO4 in der ersten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG1 verbunden. Die vier
Bitleitungspaare in jeder zweiten Bitleitungsgruppe sind über die
entsprechende Spaltenauswahlschaltung jeweils mit den vier
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO5-IO8 in der zweiten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG2 verbunden. Jede
Spaltenauswahlschaltung bildet eine Verbindungsschaltung.
Das DRAM dieser Ausführungsform weist die üblichen Betriebsmodi,
d. h. einen wahlfreien Modus, einen Page-Mode und einen Serial-Mode,
und einen Adreß-Lapping-Modus auf. Nun werden der Serial-Mode und
der Adreß-Lapping-Modus im DRAM dieser Ausführungsform beschrieben.
Fig. 3 zeigt nur den Hauptabschnitt der Struktur von Fig. 2. Wie in
Fig. 3 dargestellt ist, sind die ersten Bitleitungsgruppen BG1 und
BG3 über die Spaltenauswahlschaltungen SL1 bzw. SL3 mit der ersten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG1 verbunden. Die zweiten
Bitleitungsgruppen BG2 und BG4 sind über die
Spaltenauswahlschaltungen SL2 bzw. SL4 mit der zweiten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG2 verbunden.
Daher können die Spaltenauswahlschaltung entsprechend einer der
ersten Bitleitungsgruppen und die Spaltenauswahlschaltung
entsprechend einer der zweiten Bitleitungsgruppen gleichzeitig
aktiviert werden. Beispielsweise können die
Spaltenauswahlschaltungen SL1 und SL2 gleichzeitig aktiviert werden.
Ferner können die Spaltenauswahlschaltungen SL2 und SL3 gleichzeitig
aktiviert werden.
Wie bereits mit Bezugnahme auf Fig. 29 erläutert worden ist, kann
eine Lücke zwischen den Ausgabedaten für den Fall erzeugt werden,
daß die ausgewählte Startadresse die höchste Spaltenadresse (z. B. Y4
oder Y8) in der jeweiligen Bitleitungsgruppe ist. Mit anderen Worten
wird die Datenlücke erzeugt, wenn ein Bitleitungspaar in einer
bestimmten Bitleitungsgruppe und ein Bitleitungspaar in einer
nachfolgenden Bitleitungsgruppe nacheinander ausgewählt werden. In
diesem Fall sollte daher die Aktivierung der Spaltenauswahlschaltung
entsprechend der Startadresse und der Spaltenauswahlschaltung
entsprechend der nachfolgenden Spaltenadresse gleichzeitig oder
nacheinander innerhalb eines Zeitraums, der keine Datenlücke
erzeugt, ausgeführt werden.
In anderen Fällen ist es nicht notwendig, die beiden
Spaltenauswahlschaltungen gleichzeitig zu aktivieren, und sie können
nacheinander aktiviert werden, ohne die Datenlücke zu verursachen.
In einer tatsächlichen Vorrichtung wird die Aktivierungszeitspanne
der jeweiligen Spaltenauswahlschaltung im Hinblick auf die
Zugriffsgeschwindigkeit und die Leistungsaufnahme festgelegt.
Fig. 4 zeigt eine Tabelle, die die Bereiche angibt, die im Serial-
Mode angesprochen werden können, ohne daß die Aktivierung einer
anderen Spaltenauswahlschaltung notwendig ist.
Wenn die Startadresse auf einen der Werte Y1 bis Y4 gesetzt ist,
werden ursprünglich die Spaltenauswahlschaltungen SL1 und SL2
aktiviert. Wenn die Startadresse auf einen der Werte Y5 bis Y8
gesetzt ist, werden ursprünglich die Spaltenauswahlschaltungen SL2
und SL3 aktiviert. Wenn die Startadresse auf einen der Werte Y9 bis
Y12 gesetzt ist, werden ursprünglich die Spaltenauswahlschaltungen
SL3 und SL4 aktiviert.
Wenn z. B. die Startadresse auf Y1 eingestellt ist, können die
Spaltenadressen Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6, Y7 und Y8 nacheinander
angesprochen werden, ohne eine weitere Spaltenauswahlschaltung zu
aktivieren. Wenn die Startadresse auf Y2 eingestellt ist, können die
Spaltenadressen Y2, Y3, Y4, Y5, Y6, Y7 und Y8 nacheinander
angesprochen werden, ohne eine weitere Spaltenauswahlschaltung zu
aktivieren. Wenn die Startadresse auf Y3 eingestellt ist, können die
Spaltenadressen Y3, Y4, Y5, Y6, Y7 und Y8 nacheinander angesprochen
werden, ohne eine weitere Spaltenauswahlschaltung zu aktivieren.
Wenn die Startadresse auf Y4 eingestellt ist, können die
Spaltenadressen Y4, Y5, Y6, Y7 und Y8 nacheinander angesprochen
werden, ohne eine weitere Spaltenauswahlschaltung zu aktivieren.
Wie oben beschrieben worden ist, können unabhängig davon, welche
Spaltenadresse als Startadresse ausgewählt ist, mindestens fünf Bits
nacheinander angesprochen werden, ohne eine weitere
Spaltenauswahlschaltung zu aktivieren. Daher können in der
Zeitspanne dieses Zugriffs die Vorgänge von der Aktivierung der
nachfolgenden Spaltenauswahlschaltung bis zur Übertragung von Daten
an die Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 ausgeführt werden.
Fig. 5 zeigt eine Tabelle, die den Bereich angibt, der im Adreß-
Lapping-Modus angesprochen werden können, ohne daß die Aktivierung
einer anderen Spaltenauswahlschaltung notwendig ist.
Wenn die Startadresse auf einen der Werte Y1 bis Y8 eingestellt ist,
werden zunächst die Spaltenauswahlschaltungen SL1 und SL2 aktiviert.
Wenn z. B. die Startadresse auf Y1 eingestellt ist, können die
Spaltenadressen Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6, Y7 und Y8 nacheinander
angesprochen werden, ohne eine weitere Spaltenauswahlschaltung zu
aktivieren. Wenn die Startadresse auf Y2 eingestellt ist, können die
Spaltenadressen Y2, Y3, Y4, Y5, Y6, Y7, Y8 und Y1 nacheinander
angesprochen werden, ohne eine weitere Spaltenauswahlschaltung zu
aktivieren. Wenn die Startadresse auf Y3 eingestellt ist, können die
Spaltenadressen Y3, Y4, Y5, Y6, Y7, Y8, Y1 und Y2 nacheinander
angesprochen werden, ohne eine weitere Spaltenauswahlschaltung zu
aktivieren.
Wie oben beschrieben worden ist, können unabhängig davon, welche
Spaltenadresse als Startadresse ausgewählt ist, mindestens acht Bits
nacheinander angesprochen werden, ohne eine weitere
Spaltenauswahlschaltung zu aktivieren.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 6 und 7 wird nun der Betrieb im
Serial-Mode und Adreß-Lapping-Modus des DRAM dieser Ausführungsform
beschrieben. Fig. 6 zeigt ein Signaldiagramm des Betriebs im Serial-
Mode, wenn die Startadresse auf Y4 eingestellt ist. Fig. 7 ist ein
Signaldiagramm für den Betrieb im Adreß-Lapping-Modus, wenn die
erste Startadresse auf Y4 und die zweite Startadresse auf Y10
eingestellt ist.
In den Fig. 6 und 7 bezeichnen D1-D16 Daten, die auf die
Bitleitungspaare BL1-BL15 ausgelesen werden.
Wie in Fig. 6 dargestellt ist, wird im Serial-Mode ein extern
angelegtes Adreßsignal ADD als Zeilenadreßsignal AX an den
Zeilendekoder 2 angelegt, wenn das externe Zeilenadreß-Abtastsignal
/RAS auf einen niedrigen Pegel abfällt. Dadurch wird eine der
Wortleitungen WL aktiviert.
Wenn anschließend das externe Spaltenadreß-Abtastsignal /CAS auf
einen niedrigen Pegel abfällt, wird ein extern angelegtes
Adreßsignal ADD als Spaltenadreßsignal AY an den Adreßzähler 16a
angelegt. Der Adreßzähler 16a führt die zwei Bits A0 und A1 im
Spaltenadreßsignal AY der Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 zu
und legt die anderen Bits A2-An an den Spaltendekoder 5a an. Ferner
legt der Adreßzähler 16a die drei Bits A0, A1 und A2 im
Spaltenadreßsignal AY an den Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter 18
an, um die Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO8 selektiv mit den
globalen Eingabe/Ausgabeleitungspaaren GIO1-GIO4 zu verbinden.
Wenn die Spaltenadresse AY die Spaltenadresse Y4 bezeichnet, wird
die Startadresse auf Y4 eingestellt. Der Spaltendekoder 5a hebt
zuerst die Spaltenauswahlsignale CSL1 und CSL2 entsprechend einer
später beschriebenen Logik auf einen hohen Pegel an, und aktiviert
die Spaltenauswahlschaltungen SL1 und SL2 gleichzeitig in
Abhängigkeit vom Spaltenadreßsignal AY. Dadurch werden die Daten
D1-D4 auf den Bitleitungspaaren BL1-BL4 auf die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO4 und die Daten auf den
Bitleitungspaaren BL5-BL8 auf die Eingabe/Ausgabeleitungspaare
IO5-IO8 ausgelesen.
Der Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter 18 verbindet in Abhängigkeit
von den drei Bits A0, A1 und A2 im Spaltenadreßsignal AY zuerst das
Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO4 mit dem globalen
Eingabe/Ausgabeleitungspaar GIO1. Dadurch wird der Wert D4 über den
Vorverstärker 9 an den Lesedatenbus RDB4 angelegt. Anschließend
fällt das Spaltenauswahlsignal CSL1 auf einen niedrigen Pegel ab.
Die Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 wählt den Wert D4 in
Abhängigkeit von den zwei Bits A0 und A1 im Spaltenadreßsignal AY
aus und legt ihn an den Ausgabepuffer 11 an.
Der Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter 18 verbindet in Abhängigkeit
von den drei Bits A0, A1 und A2 im Spaltenadreßsignal AY, das
fortlaufend hochgezählt wird, nacheinander die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO5, IO6, IO7 und IO8 mit den globalen
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren GIO1, GIO2, GIO3 bzw. GIO4. Dadurch
werden die Daten D5-D8 über den Vorverstärker 9 an die
Lesedatenbusse RDB1-RDB4 angelegt. Anschließend fällt das
Spaltenauswahlsignal CSL2 auf einen niedrigen Pegel ab. Die
Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 wählt in Abhängigkeit von den
zwei Bits A0 und A1 im Spaltenadreßsignal AY, das fortlaufend
hochgezählt wird, nacheinander die Daten D5-D8 aus und legt sie an
den Ausgabepuffer 11 an.
Nach dem Abfall des Spaltenauswahlsignals CSL1 hebt der
Spaltendekoder 5a dann das Spaltenauswahlsignal CSL3 entsprechend
einer später beschriebenen Logik in Abhängigkeit vom
Spaltenadreßsignal AY auf einen hohen Pegel an, wodurch die Daten
D9-D12 auf die Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO4 ausgelesen
werden.
Der Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter 18 verbindet in Abhängigkeit
von den drei Bits A0, A1 und A2 im Spaltenadreßsignal AY, das
fortlaufend hochgezählt wird, die Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1,
IO2, IO3 und IO4 mit den globalen Eingabe/Ausgabeleitungspaaren
GIO1, GIO2, GIO3 bzw. GIO4. Dadurch werden die Daten D9-D12 über den
Vorverstärker 9 sequentiell an die Lesedatenbusse RDB1-RDB4
angelegt. Die Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 wählt die Daten
D9-D12 in Abhängigkeit von den zwei Bits A0 und A1 im
Spaltenadreßsignal AY, das fortlaufend hochgezählt wird, sequentiell
aus und legt sie an den Ausgabepuffer 11 an.
Nach dem Abfall des Spaltenauswahlsignals CSL2 hebt der
Spaltendekoder 5a das Spaltenauswahlsignal CSL4 entsprechend einer
später beschriebenen Logik in Abhängigkeit vom Spaltenadreßsignal AY
auf einen hohen Pegel an. Dadurch werden die Daten D13-D16 auf die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO4 ausgelesen.
Der Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter 18 verbindet in Abhängigkeit
von den drei Bits A0, A1 und A2 im Spaltenadreßsignal AY, das
fortlaufend hochgezählt wird, die Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO5,
IO6, IO7 und IO8 mit den globalen Eingabe/Ausgabeleitungspaaren
GIO1, GIO2, GIO3 bzw. GIO4. Dadurch werden die Daten D13-D16 über
den Vorverstärker 9 sequentiell an die Lesedatenbusse RDB1-RDB4
angelegt. Die Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 wählt die Daten
D13-D16 in Abhängigkeit von den zwei Bits A0 und A1 im
Spaltenadreßsignal AY, das fortlaufend hochgezählt wird, sequentiell
aus und legt sie an den Ausgabepuffer 11 an.
Auf diese Weise werden Daten seriell vom Eingabe/Ausgabeanschluß I/O
abgegeben.
Wie in Fig. 7 gezeigt ist, wird auch im Adreß-Lapping-Modus ein
extern angelegtes Adreßsignal ADD als Zeilenadreßsignal AX an den
Zeilendekoder 2 angelegt, wenn das externe Zeilenadreß-Abtastsignal
/RAS auf einen niedrigen Pegel abfällt.
Wenn anschließend das externe Spaltenadreß-Abtastsignal /CAS auf
einen niedrigen Pegel abfällt, wird ein extern angelegtes
Adreßsignal ADD als Spaltenadreßsignal AY1 an den Adreßzähler 16a
angelegt.
Wenn die Spaltenadresse AY1 die Spaltenadresse Y4 bezeichnet, wird
die erste Startadresse auf Y4 eingestellt. Der Spaltendekoder 5a
hebt die Spaltenauswahlsignale CSL1 und CSL2 entsprechend einer
später beschriebenen Logik auf einen hohen Pegel an, und aktiviert
die Spaltenauswahlschaltungen SL1 und SL2 gleichzeitig in
Abhängigkeit vom Spaltenadreßsignal AY1. Dadurch werden die Daten
D1-D4 auf den Bitleitungspaaren BL1-BL4 auf die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO4 und die Daten auf den
Bitleitungspaaren BL5-BL8 auf die Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO5-
IO8 ausgelesen.
Der Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter 18 verbindet in Abhängigkeit
von den drei Bits A0, A1 und A2 im Spaltenadreßsignal AY1 das
Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO4 mit dem globalen
Eingabe/Ausgabeleitungspaar GIO1. Dadurch wird der Wert D4 über den
Vorverstärker 9 an den Lesedatenbus RDB4 angelegt. Die
Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 wählt den Wert D4 in
Abhängigkeit von den zwei Bits A0 und A1 im Spaltenadreßsignal AY
aus und legt ihn an den Ausgabepuffer 11 an.
Der Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter 18 verbindet in Abhängigkeit
von den drei Bits A0, A1 und A2 im Spaltenadreßsignal AY1, das
fortlaufend hochgezählt wird, nacheinander die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO5, IO6, IO7 und IO8 mit den globalen
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren GIO1, GIO2, GIO3 bzw. GIO4. Dadurch
werden die Daten D5-D8 über den Vorverstärker 9 an die
Lesedatenbusse RDB1-RDB4 angelegt. Die Parallel/Seriell-
Konverterschaltung 10 wählt in Abhängigkeit von den zwei Bits A0 und
A1 im Spaltenadreßsignal AY1 nacheinander die Daten D5-D8 aus und
legt sie an den Ausgabepuffer 11 an.
Ferner verbindet der Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter 18 in
Abhängigkeit von den drei Bits A0, A1 und A2 im Spaltenadreßsignal
AY1, das fortlaufend hochgezählt wird, nacheinander die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1, IO2 und IO3 mit den globalen
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren GIO1, GIO2 bzw. GIO3. Dadurch werden
die Daten D1-D3 über den Vorverstärker 9 an die Lesedatenbusse
RDB1-RDB3 angelegt. Die Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 wählt in
Abhängigkeit von den zwei Bits A0 und A1 im Spaltenadreßsignal AY1,
das fortlaufend hochgezählt wird, nacheinander die Daten D1-D3 aus
und legt sie an den Ausgabepuffer 11 an.
Nachdem eine vorbestimmte Zeitspanne verstrichen ist, fallen die
Spaltenauswahlsignale CSL1 und CSL2 auf einen niedrigen Pegel ab.
Auf diese Weise werden die Daten D4, D5, D6, D7, D8, D1, D2 und D3
seriell vom Eingabe/Ausgabeanschluß I/O abgegeben.
Wenn das Spaltenadreß-Abtastsignal /CAS erneut auf einen niedrigen
Pegel abfällt, wird ein extern angelegtes Adreßsignal ADD als
Spaltenadreßsignal AY2 an den Adreßzähler 16a angelegt.
Für den Fall, daß das Spaltenadreßsignal AY2 die Spaltenadresse Y10
festlegt, wird die zweite Startadresse auf Y10 eingestellt. In
diesem Fall hebt der Spaltendekoder 5a die Spaltenauswahlsignale
CSL3 und CSL4 entsprechend einer später beschriebenen Logik auf
einen hohen Pegel an, und aktiviert die Spaltenauswahlschaltungen
SL3 und SL4 gleichzeitig in Abhängigkeit vom Spaltenadreßsignal AY2.
Dadurch werden die Daten D9-D12 auf den Bitleitungspaaren BL9-BL12
auf die Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO4 und die Daten auf den
Bitleitungspaaren BL13-BL16 auf die Eingabe/Ausgabeleitungspaare
IO5-IO8 ausgelesen.
In diesem Fall arbeitet der Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter 18
folgendermaßen in Abhängigkeit von den drei Bits A0, A1 und A2 im
Spaltenadreßsignal AY2, das fortlaufend hochgezählt wird. Zuerst
verbindet der Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter 18 nacheinander die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO2, IO3 und IO4 mit den globalen
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren GIO2, GIO3 bzw. GIO4, dann die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO5, IO6, IO7 und IO8 mit den globalen
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren GIO1, GIO2, GIO3 bzw. GIO4, und
anschließend das Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO1 mit dem globalen
Eingabe/Ausgabeleitungspaar GIO1.
Auf diese Weise werden die Ausgabedaten D10, D11, D12, D13, D14,
D15, D16 und D9 vom Eingabe/Ausgabeanschluß I/O abgegeben.
Nun werden genaue Strukturen des DRAM nach dieser Ausführungsform
beschrieben.
Fig. 8 zeigt ein Beispiel für die Struktur des Adreßzählers 16a und
Fig. 9 ein Beispiel für das Fortschreiten der Adresse im Adreßzähler
16a im Serial-Mode und im Adreß-Lapping-Modus.
Der Adreßzähler 16a weist einen binären Zähler 160 und ein UND-
Gatter 161 auf. Im binären Zähler 160 wird das Spaltenadreßsignal
als Startadresse eingestellt. Der binäre Zähler 160 zählt die
Startadresse herauf oder herunter und gibt sie in Abhängigkeit vom
Taktsignal CLK aus. Das UND-Gatter 161 ist zwischen einen
Übertragimpuls-Ausgangsanschluß für das dritte Bit und einen
Übertragimpuls-Eingangsanschluß für das vierte Bit im binären Zähler
160 geschaltet.
Ein Eingangsanschluß des UND-Gatters 161 empfängt ein
Modussteuersignal MD und der andere Eingangsanschluß einen
Übertragimpuls CR vom Übertragimpuls-Ausgangsanschluß für das dritte
Bit. Das UND-Gatter 161 legt das Ausgangssignal an den
Übertragimpuls-Eingangsanschluß für das vierte Bit im binären Zähler
160 an.
Im Serial-Mode wird das Modussteuersignal MD auf einen hohen Pegel
eingestellt. Dadurch schreitet die vom Adreßzähler 16a zugeführte
Adresse wie in Fig. 9(a) dargestellt fort.
Im Adreß-Lapping-Modus wird das Modussteuersignal MD auf einen
niedrigen Pegel eingestellt. Dadurch schreitet die vom Adreßzähler
16a erzeugte Adresse wie in Fig. 9(b) dargestellt fort.
Im Serial-Mode wird das Spaltenadreßsignal ausgehend von der
Startadresse in Abhängigkeit vom Taktsignal CLK fortlaufend um eins
erhöht. Im Lapping-Modus werden die drei Bits A0, A1 und A2 im
Spaltenadreßsignal ausgehend von der Startadresse in Abhängigkeit
vom Taktsignal CLK fortlaufend um eins bis auf "111" erhöht, und
dann kehren sie auf "000" zurück. Anschließend wird das
Spaltenadreßsignal in Abhängigkeit vom Taktsignal CLK fortlaufend um
eins erhöht.
Fig. 9 zeigt nur fünf Bits A4, A3, A2, A1 und A0 im Adreßsignal. Im
Serial-Mode ändern sich die Bits An-A5 im Spaltenadreßsignal. Im
Lapping-Modus ändern sich die Bits An-A5 im Spaltenadreßsignal
gegenüber den Zuständen beim Einstellen der Startadresse jedoch
nicht.
Fig. 10 zeigt einen Teil des Hauptdekoders 50 und eines
niederwertigen Vordekoders 51, die im Spaltendekoder 5a gebildet
sind. Fig. 11 stellt eine Wahrheitstafel des niederwertigen
Vordekoders und zum Vergleich eine Wahrheitstafel für einen
bekannten niederwertigen Vordekoder dar.
Der niederwertige Vordekoder 51 empfängt sowohl die zwei Bits A2 und
A3 im Spaltenadreßsignal als auch das Modussteuersignal MD. Der
niederwertige Vordekoder 51 legt die Ausgangssignale P1-P4 an den
Hauptdekoder 50 an. Der Hauptdekoder 50 hebt in Abhängigkeit von den
Ausgangssignalen P1-P4 vom niederwertigen Vordekoder 51 und den
nicht gezeigten Ausgangssignalen vom Vordekoder ein oder zwei
Spaltenauswahlsignal(e) auf einen hohen Pegel an.
Beim gewöhnlichen Vordekoder wird eines der Ausgangssignale P1-P4 in
Abhängigkeit von den zwei Bits A2 und A3 im Spaltenauswahlsignal auf
"1" angehoben, wie in Fig. 11(a) gezeigt ist.
Demgegenüber steigen im niederwertigen Vordekoder 51, der in Fig. 10
dargestellt ist, im Serial-Mode zwei der Ausgangssignale P1-P4 in
Abhängigkeit von den zwei Bits A2 und A3 im Spaltenauswahlsignal auf
"1" an, wie in Fig. 11(b) gezeigt ist. Im Adreß-Lapping-Modus
steigen zwei der Ausgangssignale P1-P4 in Abhängigkeit von den zwei
Bits A2 und A3 im Spaltenauswahlsignal auf "1" an, wie in Fig. 11(c)
gezeigt ist.
In einer wirklichen Schaltung wird die Aktivzeit eines jeden
Spaltenauswahlsignals jedoch entsprechend dem Betriebsmodus durch
eine logische Operation mit den in Fig. 10 gezeigten jeweiligen
Spaltenadreßsignalen und anderen Logikgattersignalen eingestellt.
Fig. 12 zeigt eine Struktur für den Eingabe/Ausgabeleitungs-
Umschalter 18. Der Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter 18 weist eine
Adreßkonversions-Logikschaltung 180 und einen Umschalter 181 auf.
Die Adreßkonversions-Logikschaltung 180 empfängt drei Bits A0, A1
und A2 im Spaltenadreßsignal und erzeugt Schaltsignale S1-S8. In
Fig. 13 ist eine Wahrheitstafel der Adreßkonversions-Logikschaltung
180 gezeigt. Die Adreßkonversions-Logikschaltung 180 steuert den
Umschalter 181 entsprechend der in Fig. 13 dargestellten
Wahrheitstafel.
Der Umschalter 181 verbindet eines der Eingabe/Ausgabeleitungspaare
IO1 und IO5, eines der Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO2 und IO6,
eines der Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO3 und IO7 und eines der
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO4 und IO8 mit den globalen
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren GIO1, GIO2, GIO3 bzw. GIO4 in
Abhängigkeit von den Schaltsignalen S1-S8.
Fig. 14 zeigt das Schaltbild einer genauen Struktur für den
Umschalter 181. Der Umschalter 181 weist P-Kanal Transistoren P1-P8
und N-Kanal Transistoren N1-N8 auf.
Wenn das Umschaltsignal S1 gleich "1" ist, wird das
Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO1 mit dem globalen
Eingabe/Ausgabeleitungspaar GIO1 verbunden. Wenn das Umschaltsignal
S5 gleich "1" ist, wird das Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO5 mit dem
globalen Eingabe/Ausgabeleitungspaar GIO1 verbunden. Wenn das
Umschaltsignal S2 gleich "1" ist, wird das
Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO2 mit dem globalen
Eingabe/Ausgabeleitungspaar GIO2 verbunden. Wenn das Umschaltsignal
S6 gleich "1" ist, wird das Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO6 mit dem
globalen Eingabe/Ausgabeleitungspaar GIO2 verbunden. Wenn das
Umschaltsignal S3 gleich "1" ist, wird das
Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO3 mit dem globalen
Eingabe/Ausgabeleitungspaar GIO3 verbunden. Wenn das Umschaltsignal
S7 gleich "1" ist, wird das Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO7 mit dem
globalen Eingabe/Ausgabeleitungspaar GIO3 verbunden. Wenn das
Umschaltsignal S4 gleich "1" ist, wird das
Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO4 mit dem globalen
Eingabe/Ausgabeleitungspaar GIO4 verbunden. Wenn das Umschaltsignal
S8 gleich "1" ist, wird das Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO8 mit dem
globalen Eingabe/Ausgabeleitungspaar GIO4 verbunden.
Fig. 15 ist ein Blockschaltbild der Gesamtstruktur eines DRAM nach
einer zweiten Ausführungsform. Das DRAM nach einer zweiten
Ausführungsform unterscheidet sich von dem der ersten
Ausführungsform in den folgenden Punkten.
Die Spaltenauswahl-Schaltungsgruppe 4b weist Strukturen auf, die
sich von denen der Spaltenauswahl-Schaltungsgruppe 4 unterscheiden,
wie später beschrieben wird. Der Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter
18 von Fig. 1 ist nicht mehr vorhanden, und der Vorverstärker 9 ist
über die Lesedatenbusse RDB1-RDB8 mit der Parallel/Seriell-
Konverterschaltung 10 verbunden. Die Seriell/Parallel-
Konverterschaltung 7 und die Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10
weisen im Unterschied zur ersten Ausführungsform eine 8-Bit-Struktur
auf.
Fig. 16 zeigt eine genaue Struktur für den Hauptabschnitt des DRAM
von Fig. 15. Wie in Fig. 16 gezeigt ist, weisen das Speicherfeld 1
und die Leseverstärkergruppe 3 ähnliche Strukturen wie die in Fig. 2
gezeigten auf. Die Spaltenauswahl-Schaltungsgruppe 4b weist eine
Mehrzahl von ersten Spaltenauswahlschaltungen, die entsprechend der
Mehrzahl von Bitleitungsgruppen gebildet sind, und eine Mehrzahl von
zweiten Spaltenauswahlschaltungen, die entsprechend der Mehrzahl von
Bitleitungsgruppen gebildet sind, auf. In Fig. 16 sind erste
Spaltenauswahlschaltungen SL1a-SL4a, die den Bitleitungsgruppen
BG1-BG4 entsprechen, und zweite Spaltenauswahlschaltungen SL1b-SL4b, die
den Bitleitungsgruppen BG1-BG4 entsprechen, gebildet.
Die Mehrzahl von ersten Spaltenauswahlschaltungen bildet eine erste
Verbindungsschaltungsgruppe und die Mehrzahl von zweiten
Spaltenauswahlschaltungen eine zweite Verbindungsschaltungsgruppe.
Vier Bitleitungspaare in jeder Bitleitungsgruppe sind über die
entsprechende erste Spaltenauswahlschaltung mit den vier
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1-IO4 in der ersten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG1 und ferner über die entsprechende
zweite Spaltenauswahlschaltung mit den vier
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO5-IO8 in der zweiten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG2 verbunden.
Beispielsweise sind die Bitleitungspaare BL1-BL4 in der
Bitleitungsgruppe BG1 über die erste Spaltenauswahlschaltung SL1a
mit den vier Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1-IO4 in der ersten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG1 und über die zweite
Spaltenauswahlschaltung SL1b mit den vier
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO5-IO8 in der zweiten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG2 verbunden. Die vier
Bitleitungspaare in jeder der anderen Bitleitungsgruppen sind in
ähnlicher Weise verbunden.
Der Spaltendekoder 5b erzeugt eine Mehrzahl von ersten
Spaltenauswahlsignalen zum Auswählen einer Mehrzahl von ersten
Spaltenauswahlschaltungen in der Spaltenauswahl-Schaltungsgruppe 4b
und eine Mehrzahl von zweiten Spaltenauswahlsignalen zum Auswählen
einer Mehrzahl von zweiten Spaltenauswahlschaltungen in der
Spaltenauswahl-Schaltungsgruppe 4b. Wie in Fig. 16 gezeigt ist, legt
der Spaltendekoder 5b die ersten Spaltenauswahlsignale CSL1a-CSL4a
an die ersten Spaltenauswahlschaltungen SL1a-SL4a und die zweiten
Spaltenauswahlsignale CSL1b-CSL4b an die zweiten
Spaltenauswahlschaltungen SL1b-SL4b an.
Fig. 17 zeigt schematisch einen Hauptabschnitt der in Fig. 16
dargestellten Struktur. Wie in Fig. 17 gezeigt ist, ist die
Bitleitungsgruppe BG1 über die erste und zweite
Spaltenauswahlschaltungen SL1a und SL1b mit der ersten bzw. zweiten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG1 bzw. IOG2 verbunden. Die
Bitleitungsgruppe BG2 ist über die erste und zweite
Spaltenauswahlschaltungen SL2a und SL2b mit der ersten bzw. zweiten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG1 bzw. IOG2 verbunden. Die
Bitleitungsgruppe BG3 ist über die erste und zweite
Spaltenauswahlschaltungen SL3a und SL3b mit der ersten bzw. zweiten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG1 bzw. IOG2 verbunden. Die
Bitleitungsgruppe BG4 ist über die erste und zweite
Spaltenauswahlschaltungen SL4a und SL4b mit der ersten bzw. zweiten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG1 bzw. IOG2 verbunden.
Aufgrund der oben beschriebenen Struktur können eine der ersten
Spaltenauswahlschaltungen und eine der zweiten
Spaltenauswahlschaltungen gleichzeitig aktiviert werden.
Beispielsweise können die erste Spaltenauswahlschaltung SL1a und die
zweite Spaltenauswahlschaltung SL2b gleichzeitig aktiviert werden.
Es können die zweite Spaltenauswahlschaltung SL2b und die erste
Spaltenauswahlschaltung SL3a gleichzeitig aktiviert werden.
Es ist unmöglich, die erste und die zweite Spaltenauswahlschaltung,
die mit derselben Bitleitungsgruppe verbunden sind, gleichzeitig zu
aktivieren.
Fig. 18 ist eine Tabelle, die Spaltenauswahlschaltungen zeigt, die
im Serial-Mode aktiviert werden, und den ansprechbaren Bereich. Fig.
18 zeigt den Fall, daß acht Bits gelesen werden. Fig. 19 ist eine
Tabelle, die Spaltenauswahlschaltungen zeigt, die im Adreß-Lapping-
Modus aktiviert werden, und den ansprechbaren Bereich.
Wie bereits unter Bezugnahme auf Fig. 29 beschrieben worden ist,
wird eine Lücke zwischen den Ausgabedaten erzeugt, wenn die höchste
Spaltenadresse wie z. B. Y4 oder Y8 in der jeweiligen
Bitleitungsgruppe als Startadresse ausgewählt ist. In diesem Fall
ist es daher notwendig, die erste Spaltenauswahlschaltung
entsprechend der Startadresse und die zweite Spaltenauswahlschaltung
entsprechend der nachfolgenden Spaltenadresse gleichzeitig oder
nacheinander zu aktivieren, oder die zweite Spaltenauswahlschaltung
entsprechend der Startadresse und die erste Spaltenauswahlschaltung
entsprechend der nachfolgenden Spaltenadresse gleichzeitig oder
nacheinander zu aktivieren.
In anderen Fällen kann die erste oder zweite Spaltenauswahlschaltung
entsprechend der ausgewählten Spaltenadresse beliebig und
sequentiell aktiviert werden, weil wie in Fig. 29 dargestellt keine
Lücke erzeugt wird. Welche der ersten und zweiten
Spaltenauswahlschaltung aktiviert wird, hängt von der Struktur des
Spaltendekoders 5b ab.
Beim Beispiel, das in den Fig. 18 und 19 gezeigt ist, wird stets die
erste Spaltenauswahlschaltung als erstes aktiviert. Wenn die Anzahl
der angesprochenen Bits oder die Anzahl der gelesenen Datenbits,
während die erste Spaltenauswahlschaltung aktiviert ist, gerade ist,
dann werden anschließend die ersten Spaltenauswahlschaltungen
sequentiell aktiviert. Wenn eine ungerade Anzahl von angesprochen
wird, d. h. wenn eine ungerade Anzahl von Datenbits gelesen wird,
während die erste Spaltenauswahlschaltung aktiv ist, dann werden
anschließend die zweiten Spaltenauswahlschaltungen sequentiell
aktiviert.
Für den Fall, daß acht Bits gelesen werden, wie in Fig. 18
dargestellt ist, werden die erste Spaltenauswahlschaltung SL1a und
die erste Spaltenauswahlschaltung SL2a sequentiell entsprechend
einer vorbestimmten Logik aktiviert, wenn die Startadresse auf Y1
eingestellt ist. In diesem Fall werden die Spaltenadressen Y1, Y2,
Y3 und Y4 angesprochen, und anschließend werden die Spaltenadressen
Y5, Y6, Y7 und Y8 angesprochen.
Damit werden die Daten auf den Bitleitungspaaren BL1, BL2, BL3 und
BL4 über die erste Spaltenauswahlschaltung SL1a den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1, IO2, IO3 und IO4 und die Daten
auf den Bitleitungspaaren BL5, BL6, BL7 und BL8 über die erste
Spaltenauswahlschaltung SL2a den Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1,
IO2, IO3 und IO4 zugeführt.
Wenn die Startadresse auf Y2 eingestellt ist, werden die erste
Spaltenauswahlschaltung SL1a, die zweite Spaltenauswahlschaltung
SL2b und die zweite Spaltenauswahlschaltung SL3b sequentiell
entsprechend einer vorbestimmten Logik aktiviert. In diesem Fall
werden die Spaltenadressen Y2, Y3 und Y4, die Spaltenadressen Y5,
Y6, Y7 und Y8 und ferner die Spaltenadresse Y9 angesprochen.
Damit werden die Daten auf den Bitleitungspaaren BL2, BL3 und BL4
über die erste Spaltenauswahlschaltung SL1a den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO2, IO3 und IO4 zugeführt. Die Daten
auf den Bitleitungspaaren BL5, BL6, BL7 und BL8 werden über die
zweite Spaltenauswahlschaltung SL2b den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO5, IO6, IO7 und IO8 zugeführt.
Ferner wird der Wert auf dem Bitleitungspaar BL9 über die zweite
Spaltenauswahlschaltung SL3b dem Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO5
zugeführt.
Wenn die Startadresse auf Y3 eingestellt ist, werden die erste
Spaltenauswahlschaltung SL1a, die erste Spaltenauswahlschaltung SL2a
und die erste Spaltenauswahlschaltung SL3a sequentiell entsprechend
einer vorbestimmten Logik aktiviert. In diesem Fall werden die
Spaltenadressen Y3 und Y4, die Spaltenadressen Y5, Y6, Y7 und Y8 und
ferner die Spaltenadressen Y9 und Y10 angesprochen.
Damit werden die Daten auf den Bitleitungspaaren BL3 und BL4 über
die erste Spaltenauswahlschaltung SL1a den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO3 und IO4 zugeführt. Die Daten auf
den Bitleitungspaaren BL5, BL6, BL7 und BL8 werden über die erste
Spaltenauswahlschaltung SL2a den Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1,
IO2, IO3 und IO4 zugeführt. Ferner werden die Daten auf den
Bitleitungspaaren BL9 und BL10 über die erste
Spaltenauswahlschaltung SL3a den Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1
und IO2 zugeführt.
Wenn die Startadresse auf Y4 eingestellt ist, werden die erste
Spaltenauswahlschaltung SL1a und die zweite Spaltenauswahlschaltung
SL2b gleichzeitig oder nacheinander und ferner die zweite
Spaltenauswahlschaltung SL3b entsprechend einer vorbestimmten Logik
aktiviert. In diesem Fall werden die Spaltenadresse Y4, die
Spaltenadressen Y5, Y6, Y7 und Y8 und ferner die Spaltenadressen Y9,
Y10 und Y11 angesprochen.
Damit werden die Daten auf dem Bitleitungspaar BL4 über die erste
Spaltenauswahlschaltung SL1a dem Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO1
zugeführt. Die Daten auf den Bitleitungspaaren BL5, BL6, BL7 und BL8
werden über die erste Spaltenauswahlschaltung SL2a den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO5, IO6, IO7 und IO8 zugeführt.
Ferner werden die Daten auf den Bitleitungspaaren BL9, BL10 und BL11
über die zweite Spaltenauswahlschaltung SL3b den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO5, IO6 und IO7 zugeführt.
Wie oben beschrieben worden ist, werden die erste
Spaltenauswahlschaltung SL1a und die zweite Spaltenauswahlschaltung
SL2b gleichzeitig oder nacheinander aktiviert, wenn die Startadresse
auf Y4 eingestellt ist.
Daher ist ein kontinuierlicher serieller Zugriff unabhängig davon
möglich, welche Spaltenadresse als Startadresse ausgewählt ist.
Wenn die Startadresse z. B. auf Y1 eingestellt ist, werden wie in
Fig. 19 dargestellt die erste Spaltenauswahlschaltung SL1a und die
erste Spaltenauswahlschaltung SL2a nacheinander entsprechend einer
vorbestimmten Logik aktiviert. In diesem Fall werden die
Spaltenadressen Y1, Y2, Y3 und Y4 und ferner die Spaltenadressen Y5,
Y6, Y7 und Y8 angesprochen.
Damit werden die Daten auf den Bitleitungspaaren BL1, BL2, BL3 und
BL4 über die erste Spaltenauswahlschaltung SL1a den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1, IO2, IO3 und IO4 zugeführt.
Ferner werden die Daten auf den Bitleitungspaaren BL5, BL6, BL7 und
BL8 über die erste Spaltenauswahlschaltung SL2a den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1, IO2, IO3 und IO4 zugeführt.
Wenn die Startadresse auf Y2 eingestellt ist, werden die erste
Spaltenauswahlschaltung SL1a, die zweite Spaltenauswahlschaltung
SL2b und die zweite Spaltenauswahlschaltung SL1b nacheinander
entsprechend einer vorbestimmten Logik aktiviert. In diesem Fall
werden die Spaltenadressen Y2, Y3 und Y4, die Spaltenadressen Y5,
Y6, Y7 und Y8 und ferner die Spaltenadresse Y1 angesprochen.
Damit werden die Daten auf den Bitleitungspaaren BL2, BL3 und BL4
über die erste Spaltenauswahlschaltung SL1a den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO2, IO3 und IO4 zugeführt. Die Daten
auf den Bitleitungspaaren BL5, BL6, BL7 und BL8 werden über die
zweite Spaltenauswahlschaltung SL2b den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO5, IO6, IO7 und IO8 zugeführt.
Ferner wird der Wert auf dem Bitleitungspaar BL1 über die zweite
Spaltenauswahlschaltung SL1b dem Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO5
zugeführt.
Wenn die Startadresse auf Y3 eingestellt ist, werden die erste
Spaltenauswahlschaltung SL1a, die erste Spaltenauswahlschaltung SL2a
und die erste Spaltenauswahlschaltung SL1a nacheinander entsprechend
einer vorbestimmten Logik aktiviert. In diesem Fall werden die
Spaltenadressen Y3 und Y4, die Spaltenadressen Y5, Y6, Y7 und Y8 und
ferner die Spaltenadressen Y1 und Y2 angesprochen.
Damit werden die Daten auf den Bitleitungspaaren BL3 und BL4 über
die erste Spaltenauswahlschaltung SL1a den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO3 und IO4 zugeführt. Die Daten auf
den Bitleitungspaaren BL5, BL6, BL7 und BL8 werden über die erste
Spaltenauswahlschaltung SL2a den Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1,
IO2, IO3 und IO4 zugeführt. Ferner werden die Daten auf den
Bitleitungspaaren BL1 und BL2 über die erste Spaltenauswahlschaltung
SL1a den Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1 und IO2 zugeführt.
Wenn die Startadresse auf Y4 eingestellt ist, werden die erste
Spaltenauswahlschaltung SL1a, die zweite Spaltenauswahlschaltung
SL2b gleichzeitig oder nacheinander aktiviert, und es wird ferner
die zweite Spaltenauswahlschaltung SL1b entsprechend einer
vorbestimmten Logik aktiviert. In diesem Fall werden die
Spaltenadresse Y4, die Spaltenadressen Y5, Y6, Y7 und Y8 und ferner
die Spaltenadressen Y1, Y2 und Y3 angesprochen.
Damit werden die Daten auf dem Bitleitungspaar BL4 über die erste
Spaltenauswahlschaltung SL1a dem Eingabe/Ausgabeleitungspaar IO4
zugeführt. Die Daten auf den Bitleitungspaaren BL5, BL6, BL7 und BL8
werden über die zweite Spaltenauswahlschaltung SL2b den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO5, IO6, IO7 und IO8 zugeführt.
Ferner werden die Daten auf den Bitleitungspaaren BL1, BL2 und BL3
über die zweite Spaltenauswahlschaltung SL1b den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO5, IO6 und IO7 zugeführt.
Wie oben beschrieben worden ist, werden die erste
Spaltenauswahlschaltung SL1a und die zweite Spaltenauswahlschaltung
SL2b gleichzeitig oder nacheinander aktiviert, wenn die Startadresse
auf Y4 eingestellt ist.
Daher ist ein kontinuierlicher Adreß-Lapping-Zugriff unabhängig
davon möglich, welche Spaltenadresse als Startadresse ausgewählt
ist.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 20 und 21 wird nun der Betrieb des
DRAM nach dieser Ausführungsform im Serial-Mode und Page-Mode
beschrieben. Fig. 20 zeigt ein Signaldiagramm des Betriebs im
Serial-Mode, wenn die Startadresse auf Y4 eingestellt ist. Fig. 21
zeigt ein Signaldiagramm des Betriebs, wenn im Page-Mode die Spalte
wahlfrei ausgewählt wird.
Wenn, wie in Fig. 20 gezeigt, im Serial-Mode das externe Zeilenadreß-
Abtastsignal /RAS auf einen niedrigen Pegel abfällt, wird ein extern
zugeführtes Adreßsignal ADD als Zeilenadreßsignal AX an den
Zeilendekoder 2 angelegt. Wenn anschließend das externe
Spaltenadreß-Abtastsignal /CAS auf einen niedrigen Pegel abfällt,
wird ein extern angelegtes Adreßsignal ADD als Spaltenadreßsignal AY
an den Adreßzähler 16a angelegt. Wenn die Spaltenadresse AY die
Spaltenadresse Y4 bezeichnet, wird die Startadresse auf Y4
eingestellt. Der Spaltendekoder 5b aktiviert nacheinander das ersten
Spaltenauswahlsignal CSL1a und das zweite Spaltenauswahlsignal CSL2b
entsprechend einer vorbestimmten Logik in Abhängigkeit vom
Spaltenadreßsignal AY. Dadurch werden die Daten D1-D4 auf den
Bitleitungspaaren BL1-BL4 auf die Eingabe/Ausgabeleitungspaare
IO1-IO4 und die Daten auf den Bitleitungspaaren BL5-BL8 auf die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO5-IO8 ausgelesen.
Die Daten D1-D4 auf den Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1-IO4 und
die Daten auf den Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO5-IO8 werden vom
Vorverstärker 9 verstärkt und den Lesedatenbussen RDB1-RDB8
zugeführt. Die Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 wählt in
Abhängigkeit von den drei Bits A0, A1 und A2 im Spaltenadreßsignal
AY, das fortlaufend hochgezählt wird, nacheinander die Daten D4-D8
aus und legt sie an den Ausgabepuffer 11 an.
Nach dem Abfall des Spaltenauswahlsignals CSL2b hebt der
Spaltendekoder 5b das zweite Spaltenauswahlsignal CSL3b entsprechend
einer vorbestimmten Logik in Abhängigkeit vom Spaltenadreßsignal AY
auf einen hohen Pegel an. Dadurch werden die Daten D9-D12 auf die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO5-IO8 ausgelesen. Die Daten D9-D12
auf den Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO5-IO8 werden vom
Vorverstärker 9 verstärkt und den Lesedatenbussen RDB5-RDB8
zugeführt. Die Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 wählt in
Abhängigkeit von den drei Bits A0, A1 und A2 im Spaltenadreßsignal
AY, das fortlaufend hochgezählt wird, nacheinander die Daten D9-D12
aus und legt sie an den Ausgabepuffer 11 an.
Nach dem Abfall des Spaltenauswahlsignals CSL3b hebt der
Spaltendekoder 5b das zweite Spaltenauswahlsignal CSL4b entsprechend
einer vorbestimmten Logik in Abhängigkeit vom Spaltenadreßsignal AY
auf einen hohen Pegel an. Dadurch werden die Daten D13-D16 auf die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO5-IO8 ausgelesen.
Auf diese Weise werden Daten seriell vom Eingabe/Ausgabeanschluß I/O
abgegeben.
Auch im Page-Mode wird, wie in Fig. 21 gezeigt ist, ein extern
zugeführtes Adreßsignal ADD als Zeilenadreßsignal AX an den
Zeilendekoder 2 angelegt, wenn das externe Zeilenadreß-Abtastsignal
/RAS auf einen niedrigen Pegel abfällt. Wenn anschließend das
externe Spaltenadreß-Abtastsignal /CAS auf einen niedrigen Pegel
abfällt, werden extern und wahlfrei angelegte Adreßsignale ADD als
Spaltenadreßsignal AY1, AY2, AY3, . . . an den Adreßzähler 16a
angelegt.
Beim in Fig. 21 gezeigten Beispiel legen die Spaltenadreßsignale
AY1-AY10 die Spaltenadressen Y3, Y6, Y11, Y4, Y8, Y7, Y2, Y9, Y5
bzw. Y10 fest.
Der Spaltendekoder 5b hebt das erste Spaltenauswahlsignal CSL1a auf
einen hohen Pegel an und aktiviert die erste Spaltenauswahlschaltung
SL1a entsprechend einer vorbestimmten Logik in Abhängigkeit vom
Spaltenadreßsignal AY1. Dadurch werden die Daten D1-D4 auf den
Bitleitungspaaren BL1-BL4 auf die Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-
IO4 ausgelesen. Die Daten D1-D4 auf den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO1-IO4 werden vom Vorverstärker 9
verstärkt und den Lesedatenbussen RDB1-RDB4 zugeführt. Die
Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 wählt in Abhängigkeit von den
drei Bits A0, A1 und A2 im Spaltenadreßsignal AY1 den Wert D3 aus
und legt ihn an den Ausgabepuffer 11 an.
Der Spaltendekoder 5b hebt das zweite Spaltenauswahlsignal CSL2b auf
einen hohen Pegel an und aktiviert die zweite
Spaltenauswahlschaltung SL2b entsprechend einer vorbestimmten Logik
in Abhängigkeit vom Spaltenadreßsignal AY2. Dadurch werden die Daten
D5-D8 auf den Bitleitungspaaren BL5-BL8 auf die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO5-IO8 ausgelesen. Die Daten D5-D8 auf
den Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO5-IO8 werden vom Vorverstärker 9
verstärkt und den Lesedatenbussen RDB5-RDB8 zugeführt. Die
Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 wählt in Abhängigkeit von den
drei Bits A0, A1 und A2 im Spaltenadreßsignal AY2 den Wert D6 aus
und legt ihn an den Ausgabepuffer 11 an.
Nach dem Abfall des ersten Spaltenauswahlsignals CSL1a hebt der
Spaltendekoder 5b das erste Spaltenauswahlsignal CSL3a auf einen
hohen Pegel an und aktiviert die erste Spaltenauswahlschaltung SL3a
entsprechend einer vorbestimmten Logik in Abhängigkeit vom
Spaltenadreßsignal AY3. Dadurch werden die Daten D9-D12 auf den
Bitleitungspaaren BL9-BL12 auf die Eingabe/Ausgabeleitungspaare
IO1-IO4 ausgelesen. Die Daten auf den Eingabe/Ausgabeleitungspaaren
IO1-IO4 werden vom Vorverstärker 9 verstärkt und den Lesedatenbussen
RDB1-RDB4 zugeführt. Die Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10
wählt in Abhängigkeit von den drei Bits A0, A1 und A2 im
Spaltenadreßsignal AY3 den Wert D11 aus und legt ihn an den
Ausgabepuffer 11 an.
Nach dem Abfall des zweiten Spaltenauswahlsignals CSL2b hebt der
Spaltendekoder 5b das zweite Spaltenauswahlsignal CSL1b auf einen
hohen Pegel an und aktiviert die zweite Spaltenauswahlschaltung SL1b
entsprechend einer vorbestimmten Logik in Abhängigkeit vom
Spaltenadreßsignal AY4. Dadurch werden die Daten D1-D4 auf den
Bitleitungspaaren BL1-BL4 auf die Eingabe/Ausgabeleitungspaare
IO5-IO8 ausgelesen. Die Daten D1-D4 auf den
Eingabe/Ausgabeleitungspaaren IO5-IO8 werden vom Vorverstärker 9
verstärkt und den Lesedatenbussen RDB5-RDB8 zugeführt. Die
Parallel/Seriell-Konverterschaltung 10 wählt in Abhängigkeit von den
drei Bits A0, A1 und A2 im Spaltenadreßsignal AY4 den Wert D4 aus
und legt ihn an den Ausgabepuffer 11 an.
Der Spaltendekoder 5b hebt das erste Spaltenauswahlsignal CSL2a auf
einen hohen Pegel an, nachdem das erste Spaltenauswahlsignal CSL3a
abgefallen ist, und hebt das zweite Spaltenauswahlsignal CSL3b auf
einen hohen Pegel an, nachdem das zweite Spaltenauswahlsignal CSL1b
abgefallen ist, um nacheinander die erste Spaltenauswahlschaltung
SL2a und die zweite Spaltenauswahlschaltung SL3b zu aktivieren.
Dadurch werden die Daten D5-D8 auf den Bitleitungspaaren BL5-BL8 auf
die Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO1-IO4 ausgelesen, und die Daten
D9-D12 auf den Bitleitungspaaren BL9-BL12 werden auf die
Eingabe/Ausgabeleitungspaare IO5-IO8 ausgelesen.
Auf diese Weise gibt der Eingabe/Ausgabeanschluß I/O die Daten D3,
D6, D11, D4, D8, D7, D2, D9, D5 und D10 seriell ab.
Im Page-Mode werden zum Ausführen einer wahlfreien Auswahl der
Spalten die erste Spaltenauswahlschaltung und die zweite
Spaltenauswahlschaltung abwechselnd aktiviert.
Daher können zwei Bitleitungsgruppen gleichzeitig oder nacheinander
mit der ersten bzw. zweiten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG1 bzw.
IOG2 verbunden werden. Daher kann die Spaltenauswahl gleichzeitig
für die nachfolgende Spaltenadresse ausgeführt werden, während eine
bestimmte Spaltenadresse angesprochen wird. Das ermöglicht einen
kontinuierlichen Hochgeschwindigkeitszugriff auch im Page-Mode.
Fig. 22 zeigt eine Struktur des Hauptabschnitts des Spaltendekoders
5b.
Der Spaltendekoder 5b weist Spaltenhauptdekoder 50a und 50b
Spaltenvordekoder 51a und 51b, Adreß-Latches 52a und 52b, einen
Adreßkomparator 53 und UND-Gatter 54a und 54b auf.
Wenn das externe Spaltenadreß-Abtastsignal /CAS auf einem niedrigen
Pegel liegt, wird das vom Spaltenadreßpuffer 13 angelegte
Spaltenadreßsignal im Adreßzähler 16a eingestellt.
Der Adreßzähler 16a führt einen Hochzählvorgang aus, wenn das
externe Spaltenadreß-Abtastsignal /CAS auf einem hohen Pegel liegt
Sowohl die Adreß-Latches 52a und 52b als auch der Adreßkomparator 53
empfangen die Bits A2-An im Spaltenadreßsignal, das vom Adreßzähler
16a angelegt wird. Der Adreßkomparator 53 vergleicht das vom
Adreßzähler 16a angelegte Adreßsignal mit dem von jedem der Adreß-
Latches 52a und 52b verriegelten Spaltenadreßsignal und erzeugt ein
Ausgangssignal MM, das das Vergleichsergebnis angibt.
Ein Eingangsanschluß des UND-Gatters 54a empfängt ein
ungeradzahliges Taktsignal CLKo und der andere Eingangsanschluß ein
geradzahliges Taktsignal CLKe. Das ungeradzahlige Taktsignal CLKo
erreicht einen hohen Pegel in Abhängigkeit von einem Impuls zu einem
Zeitpunkt ungerader Ordnung des Taktsignals CLK nach dem ersten
Zuführen des Spaltenadreßsignals. Das geradzahlige Taktsignal CLKe
erreicht einen hohen Pegel in Abhängigkeit von einem Impuls zu einem
Zeitpunkt gerader Ordnung des Taktsignals CLK nach dem ersten
Zuführen des Spaltenadreßsignals. Das Ausgangssignal mm des
Adreßkomparators 53 nimmt einen niedrigen Pegel an, wenn das
Vergleichsergebnis eine Übereinstimmung anzeigt, und es erreicht
einen hohen Pegel, wenn das Vergleichsergebnis keine Übereinstimmung
anzeigt.
Wenn das Ausgangssignal des UND-Gatters 54a einen hohen Pegel
annimmt, verriegelt das Adreß-Latch 52a das vom Adreßzähler 16a
zugeführte Spaltenadreßsignal und legt es an den Spaltenvordekoder
51a an. Der Spaltenvordekoder 51a dekodiert das Spaltenadreßsignal
vom Adreß-Latch 52a vor und legt das vordekodierte Signal an den
Spaltenhauptdekoder 50a an. Der Spaltenhauptdekoder 50a dekodiert
das Ausgangssignal des Spaltenvordekoders 51a und aktiviert eines
der Spaltenauswahlsignale CSL1a-CSLma.
Wenn das Ausgangssignal des UND-Gatters 54b einen hohen Pegel
annimmt, verriegelt das Adreß-Latch 52b das vom Adreßzähler 16a
zugeführte Spaltenadreßsignal und legt es an den Spaltenvordekoder
51b an. Der Spaltenvordekoder 51b dekodiert das Spaltenadreßsignal
vom Adreß-Latch 52b vor und legt das vordekodierte Signal an den
Spaltenhauptdekoder 50b an. Der Spaltenhauptdekoder 50b dekodiert
das Ausgangssignal des Spaltenvordekoders 51b und aktiviert eines
der zweiten Spaltenauswahlsignale CSL1b-CSLmb.
Entsprechend dem in Fig. 22 dargestellten Spaltendekoder 5b, wird
eines der ersten Spaltenauswahlsignale aktiviert, wenn ein neues
Spaltenadreßsignal gleichzeitig mit der Erzeugung des Impulses zu
einem Zeitpunkt ungerader Ordnung des Taktsignals CLK nach dem
Empfang des ersten Spaltenadreßsignals daran angelegt wird. Wenn ein
neues Spaltenadreßsignal gleichzeitig mit der Erzeugung des Impulses
zu einem Zeitpunkt gerader Ordnung des Taktsignals CLK nach dem
Empfang des ersten Spaltenadreßsignals daran angelegt wird, wird
eines der zweiten Spaltenauswahlsignale aktiviert.
Fig. 23 zeigt eine genaue Struktur für den Hauptabschnitt eines DRAM
nach einer dritten Ausführungsform. Die Gesamtstruktur des DRAM nach
der dritten Ausführungsform ist mit Ausnahme des Layout ähnlich der
in Fig. 1 gezeigten, wie aus den Fig. 23 und 2 ersichtlich ist.
Das Speicherfeld 1 (siehe Fig. 1) ist in ein erstes und ein zweites
Speicherfeld 11 bzw. 12 unterteilt, wie in Fig. 23 dargestellt ist.
Das erste Speicherfeld 11 weist eine Mehrzahl von ersten
Bitleitungsgruppen und das zweite Speicherfeld 12 eine Mehrzahl von
zweiten Bitleitungsgruppen auf. Wie in Fig. 23 gezeigt ist, weist
das erste Speicherfeld 11 die ersten Bitleitungsgruppen BG1 und BG3
und das zweite Speicherfeld 12 die zweiten Bitleitungsgruppen BG2
und BG4 auf.
Die Leseverstärkergruppe 3 ist in eine erste und eine zweite
Leseverstärkergruppe 31 bzw. 32 unterteilt. Die Spaltenauswahl-
Schaltungsgruppe 4 ist in eine erste und eine zweite Spaltenauswahl-
Schaltungsgruppe 41 bzw. 42 unterteilt. Wie in Fig. 23 gezeigt ist,
weist die erste Spaltenauswahl-Schaltungsgruppe 41 die
Spaltenauswahlschaltungen SL1 und SL3 und die zweite Spaltenauswahl-
Schaltungsgruppe 42 die Spaltenauswahlschaltungen SL2 und SL4 auf.
Der erste Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter IOG1 ist benachbart zu
einem Ende der jeweiligen ersten Bitleitungsgruppen BG1 und BG3 des
Speicherfeldes 11 angeordnet und erstreckt sich senkrecht zum
jeweiligen Bitleitungspaar. Der zweite Eingabe/Ausgabeleitungs-
Umschalter IOG2 ist benachbart zu einem Ende der jeweiligen zweiten
Bitleitungsgruppen BG2 und BG4 des Speicherfeldes 12 angeordnet und
erstreckt sich senkrecht zum jeweiligen Bitleitungspaar.
Der Eingabe/Ausgabeleitungs-Umschalter 18 ist zwischen der ersten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG1 und der zweiten
Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe IOG2 angeordnet.
Der Spaltendekoder 5a ist in einen ersten und einen zweiten
Spaltendekoder 5c bzw. 5d unterteilt. Der erste Spaltendekoder 5c
erzeugt eine Mehrzahl von Spaltenauswahlsignalen zum Auswählen einer
Mehrzahl von Bitleitungsgruppen im ersten Speicherfeld 11. Der
zweite Spaltendekoder 5d erzeugt eine Mehrzahl von
Spaltenauswahlsignalen zum Auswählen einer Mehrzahl von
Bitleitungsgruppen im zweiten Speicherfeld 12.
Der Betrieb dieser Ausführungsform ist ähnlich dem des DRAM nach der
ersten Ausführungsform. Nur die Signalpfade sind aufgrund der
Unterschiede im Layout verschieden.
Claims (15)
1. Halbleiterspeichereinrichtung, mit
einem Speicherfeld (1) mit einer Mehrzahl von Speicher zellen (MC), die in einer Mehrzahl von Zeilen und einer Mehrzahl von Spalten angeordnet sind und jeweils einen Wert speichern, und einer Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-BL16), die entsprechend der Mehrzahl von Spalten gebildet und jeweils mit den Speicherzellen (MC) in der entspre chenden Spalte verbunden sind,
wobei die Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-BL16) in eine Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) unterteilt ist, die jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Bitleitungen aufweisen, und die Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) in n Hauptgruppen klassifiziert ist,
n Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2), die ent sprechend den n Hauptgruppen gebildet sind und jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO1-IO4; IO5-IO8) aufweisen,
einer Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1-SL4), die entsprechend der Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) gebildet und jeweils zwischen die entsprechende Bitleitungsgruppe (BG1-BG4) und die entsprechende Ein gabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1, IOG2) geschaltet sind,
einem Spaltenauswahlmittel (5a; 5c, 5d) zum selektiven Erzeugen einer Mehrzahl von Auswahlsignalen (CSL1-CSL4), die der Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1-SL4) ent sprechen, zum Auswählen von einer der Mehrzahl von Bit leitungsgruppen (BG1-BG4), und
einem Adreßzählermittel (16a) mit einem ersten Modus zum Erzeugen eines Adreßsignals, das eine Adresse angibt, die sich ausgehend von einer Anfangsadresse sequentiell än dert, und einem zweiten Modus zum Erzeugen eines Adreß signals, das eine Adresse angibt, die in einem vorbe stimmten Bereich zyklisch ist,
wobei jedes der Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1-SL4) in Abhängigkeit von dem entsprechenden Auswahlsignal (CSL1-CSL4) aktiviert wird und die jeweiligen Bitleitun gen in der entsprechenden Bitleitungsgruppe (BG1-BG4) mit den jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitungen (IO1-IO8) in der entsprechenden Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1, IOG2) verbindet, und
das Spaltenauswahlmittel (5a; 5c, 5d) von einem Abschnitt des Adreßsignals (A2-An) abhängig ist, das vom Adreßzähl mittel (16a) erzeugt wird, und ein Mittel zum Auswählen und Aktivieren einer Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1-SL4) gleichzeitig oder mit einem vorbestimmten Zeit abstand, die mit verschiedenen Eingabe/Ausgabeleitungs gruppen (IOG1, IOG2) im Speicherfeld (1) verbunden sind, aufweist.
einem Speicherfeld (1) mit einer Mehrzahl von Speicher zellen (MC), die in einer Mehrzahl von Zeilen und einer Mehrzahl von Spalten angeordnet sind und jeweils einen Wert speichern, und einer Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-BL16), die entsprechend der Mehrzahl von Spalten gebildet und jeweils mit den Speicherzellen (MC) in der entspre chenden Spalte verbunden sind,
wobei die Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-BL16) in eine Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) unterteilt ist, die jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Bitleitungen aufweisen, und die Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) in n Hauptgruppen klassifiziert ist,
n Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2), die ent sprechend den n Hauptgruppen gebildet sind und jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO1-IO4; IO5-IO8) aufweisen,
einer Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1-SL4), die entsprechend der Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) gebildet und jeweils zwischen die entsprechende Bitleitungsgruppe (BG1-BG4) und die entsprechende Ein gabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1, IOG2) geschaltet sind,
einem Spaltenauswahlmittel (5a; 5c, 5d) zum selektiven Erzeugen einer Mehrzahl von Auswahlsignalen (CSL1-CSL4), die der Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1-SL4) ent sprechen, zum Auswählen von einer der Mehrzahl von Bit leitungsgruppen (BG1-BG4), und
einem Adreßzählermittel (16a) mit einem ersten Modus zum Erzeugen eines Adreßsignals, das eine Adresse angibt, die sich ausgehend von einer Anfangsadresse sequentiell än dert, und einem zweiten Modus zum Erzeugen eines Adreß signals, das eine Adresse angibt, die in einem vorbe stimmten Bereich zyklisch ist,
wobei jedes der Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1-SL4) in Abhängigkeit von dem entsprechenden Auswahlsignal (CSL1-CSL4) aktiviert wird und die jeweiligen Bitleitun gen in der entsprechenden Bitleitungsgruppe (BG1-BG4) mit den jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitungen (IO1-IO8) in der entsprechenden Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1, IOG2) verbindet, und
das Spaltenauswahlmittel (5a; 5c, 5d) von einem Abschnitt des Adreßsignals (A2-An) abhängig ist, das vom Adreßzähl mittel (16a) erzeugt wird, und ein Mittel zum Auswählen und Aktivieren einer Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1-SL4) gleichzeitig oder mit einem vorbestimmten Zeit abstand, die mit verschiedenen Eingabe/Ausgabeleitungs gruppen (IOG1, IOG2) im Speicherfeld (1) verbunden sind, aufweist.
2. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1, mit:
einer globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG), die gemeinsam für die n Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2) gebildet ist und eine vorbestimmte Anzahl von Einga be/Ausgabeleitungen (GIO1-GIO4) aufweist,
einem Schaltmittel (18) zum selektiven Verbinden der jewei ligen Eingabe/Ausgabeleitung (IO1-IO4; IO5-IO8) in den n Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2) mit der entspre chenden Eingabe/Ausgabeleitung (GIO1-GIO4) in der globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG) und
einem Eingabe/Ausgabeleitungs-Auswahlmittel (7, 10) zum sequentiellen Auswählen der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitun gen (GIO1-GIO4) in der globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG).
einer globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG), die gemeinsam für die n Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2) gebildet ist und eine vorbestimmte Anzahl von Einga be/Ausgabeleitungen (GIO1-GIO4) aufweist,
einem Schaltmittel (18) zum selektiven Verbinden der jewei ligen Eingabe/Ausgabeleitung (IO1-IO4; IO5-IO8) in den n Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2) mit der entspre chenden Eingabe/Ausgabeleitung (GIO1-GIO4) in der globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG) und
einem Eingabe/Ausgabeleitungs-Auswahlmittel (7, 10) zum sequentiellen Auswählen der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitun gen (GIO1-GIO4) in der globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG).
3. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 2, bei der
das Spaltenauswahlmittel (5a; 5c, 5d) eines der Mehrzahl von
Verbindungsmitteln (SL1-SL4) gleichzeitig oder mit einem
vorbestimmten Zeitabstand auswählt und aktiviert, und
das Eingabe/Ausgabeleitungs-Auswahlmittel (7, 10) vom rest
lichen Teil des Adreßsignals abhängig ist, das vom Adreßzäh
lermittel (16a) erzeugt wird, um Daten entsprechend den Ein
gabe/Ausgabeleitungen (GIO1-GIO4) in der globalen Eingabe/
Ausgabeleitungsgruppe (GIOG) sequentiell auszuwählen.
4. Halbleiterspeichereinrichtung mit:
einem Speicherfeld (1) mit einer Mehrzahl von Speicher zellen (MC), die in einer Mehrzahl von Zeilen und einer Mehrzahl von Spalten angeordnet sind und jeweils einen Wert speichern, und einer Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-BL16), die entsprechend der Mehrzahl von Spalten gebildet und jeweils mit den Speicherzellen (MC) in der entspre chenden Spalte verbunden sind,
wobei die Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-BL16) in eine Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) unterteilt ist, die jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Bitleitungen aufweisen;
n Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2), die je weils eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitun gen (IO1-IO4; IO5-IO8) aufweisen;
n Verbindungsmittelgruppen, die entsprechend den n Ein gabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2) gebildet sind, wobei jede der n Verbindungsmittelgruppen eine Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a; SL1b-SL4b) aufweist, die entsprechend der Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) gebildet und jeweils zwischen die entsprechende Bitleitungsgruppe und die entsprechende Eingabe/Ausgabe leitungsgruppe geschaltet sind;
einem Spaltenauswahlmittel (5b) zum selektiven Erzeugen einer Mehrzahl von Auswahlsignalen (CSL1a-CSL4a; CSL1b-CSL4b), die der Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a; SL1b-SL4b) in der jeweiligen Verbindungsmittel gruppe entsprechen, zum Auswählen von einer der Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4); und
einem Adreßzählermittel (16a) mit einem ersten Modus zum Erzeugen eines Adreßsignals, das eine Adresse angibt, die sich ausgehend von einer Anfangsadresse sequentiell än dert, und einem zweiten Modus zum Erzeugen eines Adreß signals, das eine Adresse angibt, die in einem vorbe stimmten Bereich zyklisch ist,
wobei jedes der Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a; SL1b-SL4b) in der jeweiligen Verbindungsmittel gruppe in Abhängigkeit vom entsprechenden Auswahlsignal (CSL1a-CSL4a; CSL1b-CSL4b) aktiviert wird und die jewei lige Bitleitung in der entsprechenden Bitleitungsgruppe (BG1-BG4) mit der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitung (IO1-IO4; IO5-IO8) in der entsprechenden Eingabe/Ausgabelei tungsgruppe (IOG1, IOG2) verbindet, und das Spaltenaus wahlmittel (5b) von einem Abschnitt des Adreßsignals (A2-An) abhängig ist, das vom Adreßzählermittel (16a) erzeugt wird, und ein Mittel zum Auswählen und Aktivieren einer Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a; SL1b-SL4b) gleichzeitig oder mit einem vorbestimmten Zeitabstand, die mit verschiedenen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2) im Speicherfeld (1) verbunden sind, auf weist.
einem Speicherfeld (1) mit einer Mehrzahl von Speicher zellen (MC), die in einer Mehrzahl von Zeilen und einer Mehrzahl von Spalten angeordnet sind und jeweils einen Wert speichern, und einer Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-BL16), die entsprechend der Mehrzahl von Spalten gebildet und jeweils mit den Speicherzellen (MC) in der entspre chenden Spalte verbunden sind,
wobei die Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-BL16) in eine Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) unterteilt ist, die jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Bitleitungen aufweisen;
n Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2), die je weils eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitun gen (IO1-IO4; IO5-IO8) aufweisen;
n Verbindungsmittelgruppen, die entsprechend den n Ein gabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2) gebildet sind, wobei jede der n Verbindungsmittelgruppen eine Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a; SL1b-SL4b) aufweist, die entsprechend der Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) gebildet und jeweils zwischen die entsprechende Bitleitungsgruppe und die entsprechende Eingabe/Ausgabe leitungsgruppe geschaltet sind;
einem Spaltenauswahlmittel (5b) zum selektiven Erzeugen einer Mehrzahl von Auswahlsignalen (CSL1a-CSL4a; CSL1b-CSL4b), die der Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a; SL1b-SL4b) in der jeweiligen Verbindungsmittel gruppe entsprechen, zum Auswählen von einer der Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4); und
einem Adreßzählermittel (16a) mit einem ersten Modus zum Erzeugen eines Adreßsignals, das eine Adresse angibt, die sich ausgehend von einer Anfangsadresse sequentiell än dert, und einem zweiten Modus zum Erzeugen eines Adreß signals, das eine Adresse angibt, die in einem vorbe stimmten Bereich zyklisch ist,
wobei jedes der Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a; SL1b-SL4b) in der jeweiligen Verbindungsmittel gruppe in Abhängigkeit vom entsprechenden Auswahlsignal (CSL1a-CSL4a; CSL1b-CSL4b) aktiviert wird und die jewei lige Bitleitung in der entsprechenden Bitleitungsgruppe (BG1-BG4) mit der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitung (IO1-IO4; IO5-IO8) in der entsprechenden Eingabe/Ausgabelei tungsgruppe (IOG1, IOG2) verbindet, und das Spaltenaus wahlmittel (5b) von einem Abschnitt des Adreßsignals (A2-An) abhängig ist, das vom Adreßzählermittel (16a) erzeugt wird, und ein Mittel zum Auswählen und Aktivieren einer Mehrzahl von Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a; SL1b-SL4b) gleichzeitig oder mit einem vorbestimmten Zeitabstand, die mit verschiedenen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2) im Speicherfeld (1) verbunden sind, auf weist.
5. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 4, mit:
einem Eingabe/Ausgabeleitungs-Auswahlmittel (7, 10) zum sequentiellen Auswählen der jeweiligen Eingabe/Ausgabe leitungen (IO1-IO4; IO5-IO8) in den n globalen Eingabe/ Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2).
einem Eingabe/Ausgabeleitungs-Auswahlmittel (7, 10) zum sequentiellen Auswählen der jeweiligen Eingabe/Ausgabe leitungen (IO1-IO4; IO5-IO8) in den n globalen Eingabe/ Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2).
6. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 5, bei dem
das Spaltenauswahlmittel (5b) eines der Mehrzahl von Verbin
dungsmitteln (SL1a-SL4a; SL1b-SL4b) gleichzeitig oder mit
einem vorbestimmten Zeitabstand auswählt und aktiviert, und
das Eingabe/Ausgabeleitungs-Auswahlmittel (7, 10) von einem
Anteil des Adreßsignals abhängig ist, das vom Adreßzählmittel
(16a) erzeugt wird, um Daten entsprechend den Eingabe/Ausga
beleitungen (GIO1-GIO8) in den n globalen Eingabe/Ausgabelei
tungsgruppen (IOG1, IOG2) sequentiell auszuwählen.
7. Halbleiterspeichereinrichtung nach einem der Ansprüche 2
bis 6, bei der
jede der Bitleitungen (BL1-BL16) ein Bitleitungspaar auf weist,
jede der Eingabe/Ausgabeleitungen (IO1-IO4; IO5-IO8) in den n Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2) ein Eingabe/Aus gabeleitungspaar aufweist und
jede der Eingabe/Ausgabeleitungen (GIO1-GIO4) in der globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG) ein Eingabe/Ausgabelei tungspaar aufweist.
jede der Bitleitungen (BL1-BL16) ein Bitleitungspaar auf weist,
jede der Eingabe/Ausgabeleitungen (IO1-IO4; IO5-IO8) in den n Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2) ein Eingabe/Aus gabeleitungspaar aufweist und
jede der Eingabe/Ausgabeleitungen (GIO1-GIO4) in der globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG) ein Eingabe/Ausgabelei tungspaar aufweist.
8. Halbleiterspeichereinrichtung nach einem der Ansprüche 1
bis 7, mit:
einer Mehrzahl von Wortleitungen (WL), die entsprechend der Mehrzahl von Zeilen gebildet und jeweils mit Speicherzellen (MC) in der entsprechenden Zeile verbunden sind,
einem Zeilenauswahlmittel (2) zum Auswählen und Aktivieren von einer der Mehrzahl von Wortleitungen (WL) und
einem Steuermittel (17a) zum Aktivieren des Adreßzählermit tels (16a), während ein Zustand beibehalten wird, in dem eine der Wortleitungen (WL) durch das Zeilenauswahlmittel (2) aktiviert ist.
einer Mehrzahl von Wortleitungen (WL), die entsprechend der Mehrzahl von Zeilen gebildet und jeweils mit Speicherzellen (MC) in der entsprechenden Zeile verbunden sind,
einem Zeilenauswahlmittel (2) zum Auswählen und Aktivieren von einer der Mehrzahl von Wortleitungen (WL) und
einem Steuermittel (17a) zum Aktivieren des Adreßzählermit tels (16a), während ein Zustand beibehalten wird, in dem eine der Wortleitungen (WL) durch das Zeilenauswahlmittel (2) aktiviert ist.
9. Halbleiterspeichereinrichtung nach einem der Ansprüche 1
bis 8, bei der
die Bitleitungsgruppen in den n Hauptgruppen abwechselnd an
geordnet sind.
10. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1 oder 4,
mit:
n Speicherfeldern, die benachbart zueinander angeordnet sind, wobei jedes der n Speicherfelder eine Mehrzahl von Speicher zellen (MC), die in einer Mehrzahl von Zeilen und einer Mehr zahl von Spalten angeordnet sind und jeweils einen Wert spei chern, und eine Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-BL4, BL9-BL12; BL5-BL8, BL13-BL16), die entsprechend der Mehrzahl von Spal ten gebildet und jeweils mit Speicherzellen der entsprechen den Spalte verbunden ist, aufweist;
n Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2), die entspre chend den n Speicherfeldern gebildet sind und jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO1-IO4; IO5-IO8) aufweisen, jeweils in der Nähe eines Endes der Mehr zahl von Bitleitungsgruppen (BG1, BG3; BG2, BG4) im entspre chenden Speicherfeld angeordnet sind und sich senkrecht zur jeweiligen Bitleitung erstrecken;
einer globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG), die ge meinsam für die n Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2) gebildet ist und eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausga beleitungen (GIO1-GIO4) aufweist,
einem Änderungsmittel (18) zum selektiven Verbinden der je weiligen Eingabe/Ausgabeleitung in den n Eingabe/Ausgabelei tungsgruppen (IOG1, IOG2) mit der entsprechenden Eingabe/Aus gabeleitung in der globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG), und
einem Eingabe/Ausgabeleitungs-Auswahlmittel (7, 10) zum se quentiellen Auswählen der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitungen in der globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG).
n Speicherfeldern, die benachbart zueinander angeordnet sind, wobei jedes der n Speicherfelder eine Mehrzahl von Speicher zellen (MC), die in einer Mehrzahl von Zeilen und einer Mehr zahl von Spalten angeordnet sind und jeweils einen Wert spei chern, und eine Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-BL4, BL9-BL12; BL5-BL8, BL13-BL16), die entsprechend der Mehrzahl von Spal ten gebildet und jeweils mit Speicherzellen der entsprechen den Spalte verbunden ist, aufweist;
n Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2), die entspre chend den n Speicherfeldern gebildet sind und jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO1-IO4; IO5-IO8) aufweisen, jeweils in der Nähe eines Endes der Mehr zahl von Bitleitungsgruppen (BG1, BG3; BG2, BG4) im entspre chenden Speicherfeld angeordnet sind und sich senkrecht zur jeweiligen Bitleitung erstrecken;
einer globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG), die ge meinsam für die n Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2) gebildet ist und eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausga beleitungen (GIO1-GIO4) aufweist,
einem Änderungsmittel (18) zum selektiven Verbinden der je weiligen Eingabe/Ausgabeleitung in den n Eingabe/Ausgabelei tungsgruppen (IOG1, IOG2) mit der entsprechenden Eingabe/Aus gabeleitung in der globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG), und
einem Eingabe/Ausgabeleitungs-Auswahlmittel (7, 10) zum se quentiellen Auswählen der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitungen in der globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG).
11. Halbleiterspeichereinrichtung nach einem der Ansprüche 1
bis 3, bei der
die Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-L16) in eine Mehrzahl von ersten Bitleitungsgruppen (BG1, BG3), die jeweils eine vorbe stimmte Anzahl von Bitleitungen aufweisen, und eine Mehrzahl von zweiten Bitleitungsgruppen (BG2, BG4), die jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Bitleitungen aufweisen, unterteilt ist;
eine erste Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1), die eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO1-IO4) aufweist, und
eine zweite Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG2), die eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO5-IO8) aufweist, vorgesehen sind;
eine Mehrzahl von ersten Verbindungsmitteln (SL1, SL3) ent sprechend der Mehrzahl von ersten Bitleitungsgruppen (BG1, BG3) gebildet und jeweils zwischen die entsprechende erste Bitleitungsgruppe und die erste Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1) geschaltet sind;
eine Mehrzahl von zweiten Verbindungsmitteln (SL2, SL4) ent sprechend der Mehrzahl von zweiten Bitleitungsgruppen (BG2, BG4) gebildet und jeweils zwischen die entsprechende zweite Bitleitungsgruppe und die zweite Eingabe/Ausgabeleitungsgrup pe (IOG2) geschaltet sind;
das Spaltenauswahlmittel (5a; 5c, 5d) selektiv eine Mehrzahl von Auswahlsignalen (CSL1-CSL4), die der Mehrzahl von ersten und zweiten Verbindungsmitteln (SL1-SL4) entsprechen, zum Auswählen von einer der Mehrzahl von ersten und zweiten Bit leitungsgruppen (BG1-BG4), erzeugt; wobei
jedes der Mehrzahl von ersten Verbindungsmitteln (SL1, SL3) in Abhängigkeit vom entsprechenden Auswahlsignal aktiviert wird und die jeweilige Bitleitung in der entsprechenden ersten Bitleitungsgruppe mit der jeweiligen Eingabe/Ausgabe leitung in der ersten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1) verbindet; und
jedes der Mehrzahl von zweiten Verbindungsmitteln (SL2, SL4) in Abhängigkeit vom entsprechenden Auswahlsignal aktiviert wird und die jeweilige Bitleitung in der entsprechenden zwei ten Bitleitungsgruppe mit der jeweiligen Eingabe/Ausgabelei tung in der zweiten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG2) ver bindet.
die Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-L16) in eine Mehrzahl von ersten Bitleitungsgruppen (BG1, BG3), die jeweils eine vorbe stimmte Anzahl von Bitleitungen aufweisen, und eine Mehrzahl von zweiten Bitleitungsgruppen (BG2, BG4), die jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Bitleitungen aufweisen, unterteilt ist;
eine erste Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1), die eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO1-IO4) aufweist, und
eine zweite Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG2), die eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO5-IO8) aufweist, vorgesehen sind;
eine Mehrzahl von ersten Verbindungsmitteln (SL1, SL3) ent sprechend der Mehrzahl von ersten Bitleitungsgruppen (BG1, BG3) gebildet und jeweils zwischen die entsprechende erste Bitleitungsgruppe und die erste Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1) geschaltet sind;
eine Mehrzahl von zweiten Verbindungsmitteln (SL2, SL4) ent sprechend der Mehrzahl von zweiten Bitleitungsgruppen (BG2, BG4) gebildet und jeweils zwischen die entsprechende zweite Bitleitungsgruppe und die zweite Eingabe/Ausgabeleitungsgrup pe (IOG2) geschaltet sind;
das Spaltenauswahlmittel (5a; 5c, 5d) selektiv eine Mehrzahl von Auswahlsignalen (CSL1-CSL4), die der Mehrzahl von ersten und zweiten Verbindungsmitteln (SL1-SL4) entsprechen, zum Auswählen von einer der Mehrzahl von ersten und zweiten Bit leitungsgruppen (BG1-BG4), erzeugt; wobei
jedes der Mehrzahl von ersten Verbindungsmitteln (SL1, SL3) in Abhängigkeit vom entsprechenden Auswahlsignal aktiviert wird und die jeweilige Bitleitung in der entsprechenden ersten Bitleitungsgruppe mit der jeweiligen Eingabe/Ausgabe leitung in der ersten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1) verbindet; und
jedes der Mehrzahl von zweiten Verbindungsmitteln (SL2, SL4) in Abhängigkeit vom entsprechenden Auswahlsignal aktiviert wird und die jeweilige Bitleitung in der entsprechenden zwei ten Bitleitungsgruppe mit der jeweiligen Eingabe/Ausgabelei tung in der zweiten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG2) ver bindet.
12. Halbleiterspeichereinrichtung nach einem der Ansprüche 4
bis 8, mit
einer ersten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1), die eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO1-IO4) aufweist;
einer zweiten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG2), die eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO5-IO8) aufweist;
einer Mehrzahl von ersten Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a), die entsprechend der Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) gebildet und jeweils zwischen die entsprechende Bitleitungs gruppe und die erste Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1) geschaltet sind;
einer Mehrzahl von zweiten Verbindungsmitteln (SL1b-SL4b), die entsprechend der Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) gebildet und jeweils zwischen die entsprechende Bitlei tungsgruppe und die zweite Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG2) geschaltet sind;
wobei das Spaltenauswahlmittel (5b) selektiv eine Mehrzahl von Auswahlsignalen (CSL1a-CSL4a, CSL1b-CSL4b), die der Mehr zahl von ersten und zweiten Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a, SL1b-SL4b) entsprechen, zum Auswählen von einer der Mehrzahl von ersten und zweiten Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a, SL1b-SL4b), erzeugt;
jedes der Mehrzahl von ersten Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a) in Abhängigkeit vom entsprechenden Auswahlsignal aktiviert wird und die jeweilige Bitleitung in der entsprechenden Bit leitungsgruppe mit der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitung in der ersten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1) verbindet; und
jedes der Mehrzahl von zweiten Verbindungsmitteln (SL1b-SL4b) in Abhängigkeit vom entsprechenden Auswahlsignal aktiviert wird und die jeweilige Bitleitung in der entsprechenden Bit leitungsgruppe mit der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitung in der zweiten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG2) verbindet.
einer ersten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1), die eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO1-IO4) aufweist;
einer zweiten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG2), die eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO5-IO8) aufweist;
einer Mehrzahl von ersten Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a), die entsprechend der Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) gebildet und jeweils zwischen die entsprechende Bitleitungs gruppe und die erste Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1) geschaltet sind;
einer Mehrzahl von zweiten Verbindungsmitteln (SL1b-SL4b), die entsprechend der Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) gebildet und jeweils zwischen die entsprechende Bitlei tungsgruppe und die zweite Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG2) geschaltet sind;
wobei das Spaltenauswahlmittel (5b) selektiv eine Mehrzahl von Auswahlsignalen (CSL1a-CSL4a, CSL1b-CSL4b), die der Mehr zahl von ersten und zweiten Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a, SL1b-SL4b) entsprechen, zum Auswählen von einer der Mehrzahl von ersten und zweiten Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a, SL1b-SL4b), erzeugt;
jedes der Mehrzahl von ersten Verbindungsmitteln (SL1a-SL4a) in Abhängigkeit vom entsprechenden Auswahlsignal aktiviert wird und die jeweilige Bitleitung in der entsprechenden Bit leitungsgruppe mit der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitung in der ersten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1) verbindet; und
jedes der Mehrzahl von zweiten Verbindungsmitteln (SL1b-SL4b) in Abhängigkeit vom entsprechenden Auswahlsignal aktiviert wird und die jeweilige Bitleitung in der entsprechenden Bit leitungsgruppe mit der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitung in der zweiten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG2) verbindet.
13. Betriebsverfahren für eine Halbleiterspeichereinrichtung
mit einem Speicherfeld (1) mit einer Mehrzahl von Speicher
zellen (MC), die in einer Mehrzahl von Zeilen und einer Mehr
zahl von Spalten angeordnet sind und jeweils einen Wert spei
chern, und einer Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-BL16), die
entsprechend der Mehrzahl von Spalten gebildet und jeweils
mit den Speicherzellen in der entsprechenden Spalte verbunden
sind,
wobei die Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-BL16) in eine Mehr zahl von ersten Bitleitungsgruppen (BG1, BG3), die jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Bitleitungen aufweisen, und eine Mehrzahl von zweiten Bitleitungsgruppen (BG2, BG4), die jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Bitleitungen aufweisen, unterteilt ist,
einer ersten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1), die eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO1-IO4) aufweist, und
einer zweiten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG2), die eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO5-IO8) aufweist, mit den Schritten:
Erzeugen eines Adreßsignals in einem ersten Modus, das eine Adresse angibt, die sich ausgehend von einer Anfangsadresse sequentiell ändert, und Erzeugen eines Adreßsignales in einem zweiten Modus, das eine Adresse angibt, die in einem vorbe stimmten Bereich zyklisch ist; und
Verbinden von einer der Mehrzahl von ersten Bitleitungsgrup pen (BG1, BG3) und einer der Mehrzahl von zweiten Bitlei tungsgruppen (BG2, BG4) mit der ersten bzw. zweiten Einga be/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1, IOG2) gleichzeitig oder in einem vorbestimmten zeitlichen Abstand in Abhängigkeit von einem Abschnitt des Adreßsignales (A2-An).
wobei die Mehrzahl von Bitleitungen (BL1-BL16) in eine Mehr zahl von ersten Bitleitungsgruppen (BG1, BG3), die jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Bitleitungen aufweisen, und eine Mehrzahl von zweiten Bitleitungsgruppen (BG2, BG4), die jeweils eine vorbestimmte Anzahl von Bitleitungen aufweisen, unterteilt ist,
einer ersten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1), die eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO1-IO4) aufweist, und
einer zweiten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG2), die eine vorbestimmte Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen (IO5-IO8) aufweist, mit den Schritten:
Erzeugen eines Adreßsignals in einem ersten Modus, das eine Adresse angibt, die sich ausgehend von einer Anfangsadresse sequentiell ändert, und Erzeugen eines Adreßsignales in einem zweiten Modus, das eine Adresse angibt, die in einem vorbe stimmten Bereich zyklisch ist; und
Verbinden von einer der Mehrzahl von ersten Bitleitungsgrup pen (BG1, BG3) und einer der Mehrzahl von zweiten Bitlei tungsgruppen (BG2, BG4) mit der ersten bzw. zweiten Einga be/Ausgabeleitungsgruppe (IOG1, IOG2) gleichzeitig oder in einem vorbestimmten zeitlichen Abstand in Abhängigkeit von einem Abschnitt des Adreßsignales (A2-An).
14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Halbleiterspeicher
einrichtung eine globale Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG)
mit einer vorbestimmten Anzahl von Eingabe/Ausgabeleitungen
(GIO1-GIO4) aufweist, mit den Schritten:
selektives Verbinden der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitung in den ersten und zweiten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2) mit der entsprechenden Eingabe/Ausgabeleitung in der globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG), und
sequentielles Auswählen der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitun gen in der globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG).
selektives Verbinden der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitung in den ersten und zweiten Eingabe/Ausgabeleitungsgruppen (IOG1, IOG2) mit der entsprechenden Eingabe/Ausgabeleitung in der globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG), und
sequentielles Auswählen der jeweiligen Eingabe/Ausgabeleitun gen in der globalen Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (GIOG).
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, wobei die Halblei
terspeichereinrichtung eine Mehrzahl von ersten Verbindungs
mitteln (SL1a-SL4a), die entsprechend der Mehrzahl von Bit
leitungsgruppen (BG1-BG4) gebildet sind und jeweils die ent
sprechende Bitleitungsgruppe und die erste Eingabe/Ausgabe
leitungsgruppe (IOG1) verbinden, aufweist und
eine Mehrzahl von zweiten Verbindungsmitteln (SL1b-SL4b), die entsprechend der Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) gebildet sind und jeweils die entsprechende Bitleitungsgruppe und die zweite Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG2) verbin den, aufweist, mit dem Schritt:
Aktivieren von einer der Mehrzahl von ersten Verbindungsmit teln (SL1a-SL4a) und einer der Mehrzahl von zweiten Verbin dungsmitteln (SL1b-SL4b) gleichzeitig oder in einem vorbe stimmten zeitlichen Abstand.
eine Mehrzahl von zweiten Verbindungsmitteln (SL1b-SL4b), die entsprechend der Mehrzahl von Bitleitungsgruppen (BG1-BG4) gebildet sind und jeweils die entsprechende Bitleitungsgruppe und die zweite Eingabe/Ausgabeleitungsgruppe (IOG2) verbin den, aufweist, mit dem Schritt:
Aktivieren von einer der Mehrzahl von ersten Verbindungsmit teln (SL1a-SL4a) und einer der Mehrzahl von zweiten Verbin dungsmitteln (SL1b-SL4b) gleichzeitig oder in einem vorbe stimmten zeitlichen Abstand.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4194097A JPH0636560A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4312086A1 DE4312086A1 (de) | 1994-01-27 |
DE4312086C2 true DE4312086C2 (de) | 2002-03-14 |
Family
ID=16318901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4312086A Expired - Fee Related DE4312086C2 (de) | 1992-07-21 | 1993-04-13 | Halbleiterspeichereinrichtung und Betriebsverfahren dafür |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5381367A (de) |
JP (1) | JPH0636560A (de) |
KR (1) | KR970006222B1 (de) |
DE (1) | DE4312086C2 (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: G11C 7/00 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |