DE4219436A1 - Verfahren zur Abscheidung glatter polykristalliner Schichten - Google Patents
Verfahren zur Abscheidung glatter polykristalliner SchichtenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung
glatter polykristalliner Schichten, insbesondere Dia
mantschichten, auf Substraten.
Polykristalline Schichten, insbesondere Diamantschich
ten, die bei niedrigen Drücken aus der Gasphase ausge
schieden werden, zeichnen sich in der Regel durch eine
große Oberflächenrauhigkeit aus, die mit zunehmender
Schichtdicke zunimmt. Durch diese Oberflächenrauhigkeit
werden viele potentielle Anwendungen polykristalliner
Diamantschichten verhindert. Grundsätzlich ist es
natürlich möglich, die Oberflächenrauhigkeit polykri
stalliner Diamantschichten nach der Abscheidung durch
geeignete Polierverfahren zu reduzieren. Diese Verfah
ren sind jedoch sehr aufwendig und führen speziell bei
größeren Flächen zu unzureichenden Ergebnissen.
In dem Übersichtsartikel von P.K. Bachmann, D. Leers,
D.U. Wiechert im Journal de Physique II 1, 907 (1991)
sind eine Reihe von Verfahren zur Abscheidung von
Diamantkristallen aus der Gasphase beschrieben. Mit
allen diesen ganz unterschiedlichen Verfahren ist es
möglich, vorgegebene Diamantkristalle zu vergrößern
bzw. auf Fremdsubstraten polykristalline Diamantschich
ten abzuscheiden. Dabei sind es lediglich die jeweilig
vorbestimmten Prozeßparameter, wie es aus dem dort
dargestellten Phasendiagramm hervorgeht, die die Art
des abgeschiedenen Diamants bestimmen. Die Wahl des
Verfahrens, d. h. ob aus der Gasphase mit Hilfe eines
Glühdrahts, mit Mikrowellenunterstützung oder in der
Flammensynthese abgeschieden wird, spielt grundsätzlich
keine Rolle.
Auf Fremdsubstraten beginnt das Wachstum an diskreten
Nukleationszentren. Die dort gebildeten Diamantkristal
le wachsen sukzessive, bis sie sich berühren und eine
geschlossene Schicht bilden. Im weiteren Verlauf des
Schichtwachstums findet ein Keimauslesemechanismus
statt, d. h. einzelne Diamantkristalle werden nach und
nach von benachbarten Kristallen überwachsen. Mit
zunehmender Schichtdicke bleiben immer weniger Kristal
le übrig, so daß die Schicht sukzessive grobkörniger
wird. In der Regel führt dieser Keimauslesemechanismus
zu einer Zunahme der Oberflächenrauhigkeit mit zuneh
mender Schichtdicke.
Es sind auch polykristalline Diamantschichten mit
unterschiedlichen Texturen bekannt. In allen Fällen
besteht eine Kopplung zwischen Texturachse und der
Oberflächenmorphologie. So besteht die Oberfläche von
110-texturierten Schichten aus stark geneigten {111}-
Facetten. Schichten mit einer <100<-Texturachse zeigen
eine rauhe Oberfläche mit {100} und {111}-Facetten. Der
Versuch, die {100}-Facetten auf Kosten der {111]-Facet
ten durch geeignete Abscheidebedingungen zu vergrößern,
führt zu einer Verkippung der {100}-Facetten und somit
wieder zu einer erhöhten Rauhigkeit. In dem Artikel von
C. Wild, P. Koidl, N. Herres, W. Müller-Sebert und T. Ecker
mann in "Proceedings of the Second International Sympo
sium on Diamond Materials" in Electrochem. Soc. Proc.
91-8, 224 (1991) werden die Wachstumsbedingungen für
verschiedene Texturachsen beschrieben. Beim Aufwachsen
von Diamant-Kristallen gemäß diesen Bedingungen ist es
aber lediglich gelungen, die genannten verkippten
{100}-Facetten zu erhalten, wobei der inhärente Kipp
winkel die Rauhigkeit der Oberfläche erhöht und die
seitlichen Nicht-{100}-Facetten z. B. eine geringere
Widerstandsfähigkeit gegenüber aggressiven Medien
zeigen.
Aus dem Artikel von M.W. Geis in "Diamond and Related
Materials", 1, 684-687 (1992) ist ein anderer Lösungs
ansatz zur Herstellung einer glatten Diamant-Oberfläche
bekannt. Hier wird ein Siliziumsubstrat derart vorge
ätzt, daß es auf der Oberfläche eine Matrix von Loch
strukturen erhält, deren Seitenwände jeweils {111}-
Ebenen entsprechen. Ein Lochelement hat z. B. eine
Seitenlänge von 100 Mikrometer. In dieses vorgeätzte
Siliziumsubstrat werden dann oktaedrische Diamantkri
stallkeime eingesetzt. Die Diamantkristallkeime werden
im wesentlichen durch Schütteln der Keime in einer über
dem Substrat stehenden Lösung verteilt und sinken bei
geeigneter Manipulation des Substrates und der Lösung
in die Löcher. Anschließend wird die Diamantoberfläche
aufgewachsen, in dem die Verfahrens-Einstellungen für
das auf {100}-Flächen ausgerichtete Wachstum benutzt
werden.
Damit ist eine im wesentlichen glatte Oberfläche er
zeugbar. Diese enthält aber verfahrensbedingt einige
Fehlstellen. Diese beruhen insbesondere: auf der Exi
stenz nicht gefüllter Lochelemente des Siliziumsubstra
tes, auf Kristallfehlern der Diamant-Keime, auf Unge
nauigkeiten in der Form und Fehlern in den Lochelemen
ten im Siliziumsubstrat selber und schließlich auf
fehlerhaften Anordnungen der Keime in den Lochelementen
mit z. B. seitlichen Winkelabweichungen der Keime.
Neben diesen die Perfektion der erzeugten Oberfläche
herabsetzenden Fehlern, die beim Aufwachsen nicht
behoben werden können, ist weiterhin nur eine glatte
Seite erzeugbar. Weiterhin kann diese Schicht nur auf
Silizium-Substraten aufgebracht werden. Bei anderen
Fremdsubstraten versagt dieses Verfahren.
Dies ist bei Anwendungen des erzeugten Kristalls in der
Optik nicht ausreichend. Die Möglichkeit nach einem
Entfernen des Siliziumsubstrates den Diamanten auf der
anderen Seite ebenfalls aufzuwachsen, ist prinzipiell
durchführbar, führt aber zum einen Qualitätsverluste
mit sich und zum anderen sind damit z. B. keine gekrümm
ten abbildenden optischen Elemente erzeugbar. Schließ
lich erfordert dieses Verfahren nach dem Stand der
Technik eine aufwendige und mehrstufige Fertigung mit
unterschiedlichsten Geräteanforderungen und zudem die
Bereithaltung einer entsprechenden Menge an oktaedri
schen Diamant-Keimen.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfin
dung die Aufgabe zugrunde, ein einfaches Verfahren der
eingangs genannten Art zu schaffen, mit dem auf belie
bigen Fremdsubstraten glatte polykristalline Schichten,
insbesondere Diamantschichten, abgeschieden werden
können, die sich auch bei großen Schichtdicken von über
100 µm durch eine sehr geringe Oberflächenrauhigkeit
auszeichnen. Ferner ist es ein Ziel der Erfindung, ein
Verfahren zur Verfügung zu stellen, daß eine einfache
Herstellung von verschiedensten optischen Fenstern
gestattet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß
das Verfahren zur Abscheidung glatter polykristalliner
Schichten, insbesondere Diamantschichten, auf Substra
ten zwei Verfahrensschritte aufweist, bei dem in einem
ersten Schritt Kristalle aufgewachsen werden, deren
<100<-Kristallrichtung senkrecht zur Substratoberfläche
ausgerichtet ist, und bei dem in einem zweiten Schritt
senkrecht zu dieser <100<-Kristallrichtung Flächen
erzeugt und vergrößert werden, bis diese die Oberfläche
der polykristallinen Schicht vollständig bedecken.
Mit dem vorliegenden Verfahren ist es möglich, glatte
Schichten mit fast ausschließlich {100}-Facetten an der
Oberfläche abzuscheiden. Neben der für viele Anwen
dungen wichtigen Glattheit der Schichten beinhaltet
dieses Verfahren weitere Vorteile. So ist bekannt, daß
im Vergleich zu den {111}-Flächen bei dem Wachstum auf
{100}-Flächen weit weniger Defekte in das Kristallgit
ter eingebaut werden. Darüber hinaus sind reine {100}-
Flächen sehr viel unempfindlicher gegenüber Oxydation
bei thermischer Belastung.
Vorzugsweise wird zwischen dem ersten und dem zweiten
Verfahrensschritt bei einer vorgegebenen Ausgangskeim
dichte mit mittlerem Keimabstand d0 bei einer Schicht
dicke zwischen 400 und 600 mal d0 umgeschaltet.
Vorteilhafterweise werden Substrate verwendet, die eine
Ausgangskeimdichte mit einem mittleren Keimabstand d0
von kleiner als einem Mikrometer aufweisen.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung wird
ein Zwischenschritt zwischen dem ersten und dem zweiten
Verfahrensschritt vorgesehen, in dem die Verfahrensbe
dingungen von denen des ersten Verfahrensschrittes zu
denen des zweiten Verfahrensschrittes hin kontinuier
lich verändert werden. Dies verringert mögliche, durch
die Umschaltung hervorgerufene Störstellen.
Mit dem Verfahren nach der Erfindung sind Optikfenster
mit einer gekrümmten Oberfläche herstellbar, wobei die
Diamantschicht auf ein Substrat mit einer der besagten
gekrümmten Oberfläche komplementären Oberfläche abge
schieden wird. Schließlich sind aufgrund der möglichen
Schichtdicke der glatten Diamantschichten auch Wärme
senken realisierbar.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind
in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung
anhand der Zeichnungen beispielhaft näher erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1 eine Computersimulation des Aufwachsens von
kubo-oktaedrischen Kristallen gemäß einem
Verfahren nach dem Stand der Technik,
Fig. 2 eine Ansicht der verschiedenen Kristallmor
phologien bei unterschiedlichen Werten des
Parameters α,
Fig. 3 eine Computersimulation des erfindungsgemä
ßen Verfahrens nach Durchführung und nach
Beendigung des ersten Verfahrensschrittes,
d. h. dem Aufwachsen von oktaedrischen oder
pseudo-oktaedrischen Kristallen, bei denen
die <100<-Richtung senkrecht zur Substrat
oberfläche steht,
Fig. 4 eine Computersimulation des Verfahrens nach
dem Ausführungsbeispiel der Erfindung nach
Durchführung und Beendigung des zweiten
Verfahrensschrittes, d. h. dem Aufwachsen von
kubo-oktaedrischen Kristallen,
Fig. 5 ein Diagramm, das die momentane Rauhigkeit
der erzeugten Oberfläche in jedem Stadium
des Verfahrens nach der Erfindung zeigt,
Fig. 6 ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen
der eingestellten Temperatur beim Mikrowel
len-unterstützten Abscheiden aus der Gaspha
se und dem Wachstumsfaktor α aus der Fig. 2
darstellt,
Fig. 7 ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen
der eingestellten Methankonzentration beim
Mikrowellen-unterstützten Abscheiden aus der
Gasphase und dem Wachstumsfaktor α aus der
Fig. 2 darstellt, und
Fig. 8 ein Streulichtdiagramm der reflektierten
Intensität eines mit dem erfindungsgemäßen
Verfahren hergestellten Diamant-Poly
kristalls.
Die Fig. 1 zeigt eine zweidimensionale Computersimula
tion des Aufwachsens von kubo-oktaedrischen Kristallen
gemäß dem Stand der Technik. Auf einem Substrat 4 sind
Keime 1 verteilt. Die hier beispielhaft fünf Keime 1
sind entlang einer hier eindimensionalen Achse 2 der
Substratoberfläche 4 angeordnet. Diese hat definitions
gemäß die Länge von 5·d0, wobei d0 als mittlerer Keim
abstand definiert ist. Die vertikale Achse 3 entspricht
der Aufwuchsrichtung.
Bei den Keimen 1 wird mit Hilfe der Verfahrensparameter
5 ein Habitus in der Form eines Kubo-Oktaeders 6 entspre
chend der Fig. 2 mit großen {111} und kleinen {100}-
Flächen eingestellt.
Dabei ergibt sich bei einem Wachstum über eine Vielzahl
von Keimdicken d0 ein Keimsterben. Wie in der Fig. 1 zu
erkennen ist, verbleiben schon nach einer Schichtdicke
von wenigen d0 einige {100}-Facetten 9 an der Oberflä
che, während andere {111}-Facetten 10 bereits von einem
Nachbarkeim überwachsen werden. Dies ist deutlich an
dem fast verschwundenem Keim am Punkte 11 zu erkennen,
dessen {111}-Facette 10′ ebenfalls überwachsen werden
wird.
Das entscheidende Kriterium für das Überleben eines
Diamantkeims ist die vertikale Wachstumsgeschwindig
keit, d. h. in Richtung der Achse 3. Da die Wachstumsge
schwindigkeit richtungsabhängig ist, hängt die vertika
le Wachstumsgeschwindigkeit von der Orientierung der
Keime 1 ab. Sie ist am größten, wenn die Richtung der
größten Wachstumsgeschwindigkeit senkrecht zur Substra
toberfläche 4 ausgerichtet ist. Die größte Wachstumsge
schwindigkeit entspricht aber nicht der durch den
einfachen Abstand zweier gegenüberliegender Flächen
vorgegebenen Richtung, sondern entspricht der Richtung
des größten Durchmessers des jeweiligen Kristalls, d. h.
z. B. der in der Fig. 2 eingezeichneten Richtung der
Verbindungsgeraden 12 → 13. Dies bedeutet, daß bei dem
in der Fig. 1 skizzierten Verfahren nach dem Stand der
Technik mit sinkendem Wachstumsparameter α die {100}-
Facetten nicht wie gewünscht parallel zum Substrat 4
nach oben wachsen, sondern diese {100}-Facetten in
einem mit sinkendem α immer größer werdenden Kippwinkel
zu der Oberfläche stehen.
Der Keimauslesemechanismus führt zur Bildung einer
Textur, d. h. zu einer Vorzugsorientierung bestimmter
Kristallrichtungen senkrecht zur Substratoberfläche.
Dabei entspricht die Texturachse der Richtung der
größten Wachstumsgeschwindigkeit. Diese wiederum läßt
sich durch Variation der Prozeßbedingungen bei der Ab
scheidung beeinflussen. Eine entscheidende Rolle spielt
dabei der Wachstumsparameter α, der durch α =
v100/v111·√3 gegeben ist, wobei mit v100 und v111 die
Wachstumsraten auf {100}- bzw. {111}-Flächen bezeichnet
sind. Fig. 2 zeigt die Morphologie isolierter Keime und
die Richtungen der größten Wachstumsgeschwindigkeit,
die von diesem Wachstumsparameter α abhängen und sich
aus der Verbindungsgerade zwischen den mit 12 und 13
gekennzeichneten Punkten ergeben.
Die Fig. 2 zeigt eine Ansicht der verschiedenen Kri
stallmorphologien bei unterschiedlichen Wachstumspara
meter α. Der Wachstumsparameter α ist dabei zwischen 1
5 und 3 dargestellt, wobei sich respektive ein Würfel und
ein Oktaeder bilden würden.
Der mit dem Bezugszeichen 38 versehene auch als pseudo-
Oktaeder bezeichnete Kristall entspricht im wesentli
chen einem Oktaeder, er verfügt lediglich an den Spit
zen des Oktaeders über sehr kleine {100}-Facetten. Bei
einem Wert von α von 2,95 ergibt sich dabei eine Abwei
chung der <100<-Richtung von der Verbindungsgerade
12 → 13 von ungefähr 1°.
Die Fig. 3 und 4 zeigen eine Computersimulation des
Zwei-Schritt-Verfahrens nach der Erfindung. Das Pro
gramm berechnet in zwei Dimensionen 2, 3 die zeitliche
Entwicklung 15 der Wachstumsfront 16 einer polykri
stallinen Schicht. Ausgangssituation ist ein Substrat
4, das statistisch mit Nukleationskeimen bedeckt ist.
Dabei ist mit d0 der mittlere Abstand zwischen diesen
Keimen bezeichnet. Es werden dabei mittlere Abstände
von 1 µm bis unter 1/10 µm realisiert. Es bleibt fest
zuhalten, daß die Fig. 3 die Aufwachsprozesse in der
Zeit in einem gegenüber Fig. 1 erheblich größeren
Maßstab darstellt. Es sind über 1000 Keime in dem
dargestellten Fenster zu sehen. Das Substrat 4 kann
z. B. aus Silizium, aber auch aus jedem anderen Halblei
ter oder auch z. B. aus metallischem Material bestehen.
Die Fig. 3 zeigt nun die Computersimulation des Verfah
rens nach beendigter Durchführung des ersten Verfah
rensschrittes, d. h. dem Aufwachsen von oktaedrischen
oder pseudo-oktaedrischen Kristallen.
Für diesen ersten Verfahrensschritt werden die Prozeß
parameter so gewählt, daß die Wachstumsgeschwindigkeit
in der Kristallrichtung <100< maximal ist. Dies ist
dann der Fall, wenn der in Fig. 2 dargestellte Wachs
tumsparameter α nahe bei 3, gleich 3 oder auch größer
als 3 ist. Unter dieser Bedingung wachsen die Diamant
kristalle in der Form von Oktaedern 8 oder Pseudo-
Oktaedern 38 auf. Pseudo-Oktaeder 38 weisen bereits
sehr kleine {100}-Flächen auf, die den Ausrichtungspro
zeß aber nicht behindern. Durch Keimauslese bleiben im
Laufe des Schichtwachstums nur die Keime 1 übrig, deren
Oktaederspitze senkrecht zur Substratoberfläche 4
ausgerichtet ist. Dies ist in der zweidimensionalen
Simulation der Fig. 3 daran zu erkennen, daß die {111}-
Facetten 10 der verbleibenden Keime 1 in einem Winkel
von 45° zur Substratschicht 4 stehen. Bei einem drei
dimensionalen Kristall beträgt der genannte Winkel
zwischen den <100<- und <111<-Richtungen 54,7°. Diese
Ausrichtung der Keime 1, d. h. die Einstellung auf einen
Wachstumsparameter von α≈3 wird z. B. durch die unten
genannten Prozeßparameter erreicht.
Nach dem ersten Schritt des Zwei-Schritt-Verfahrens
zeichnet sich die Schicht 20 durch eine sehr rauhe
Oberfläche 21 und durch eine starke Vorzugsorientierung
der Kristalle aus. Die Spitzen der Oberfläche sind als
Keimspitzen 1 alle parallel zur Wachstumsrichtung
ausgerichtet.
Die Fig. 4 zeigt die weitere Computersimulation des
Verfahrens nach Durchführung des zweiten Verfahrens
schrittes, d. h. dem Aufwachsen von kubo-oktaedrischen
Kristallen.
Im zweiten Schritt des Abscheideverfahrens wird der in
Fig. 2 dargestellte Wachstumsparameter α auf einen Wert
kleiner als 3 verringert. Dadurch bilden sich an der
Oktaederspitze {100}-Flächen, die sukzessive größer
werden und schließlich die gesamte Oberfläche 21 der
polykristallinen Schicht 20 bedecken. Die Beeinflussung
des Wachstumsparameters α geschieht z. B. bei festgehal
tener Prozeßgasmischung von Methan und Wasserstoff
durch Variation und exakte Kontrolle der Substrattempe
ratur. Eine Erhöhung der Substrattemperatur bewirkt die
angestrebte Verringerung des Wachstumsparameters α.
Alternativ kann auch der Gehalt des Kohlenwasserstoffs
verringert oder der Gasdruck in der Kammer verändert
werden. Dabei ist darauf zu achten, daß alle Verfah
rensparameter, z. B. die Temperatur je nach eingesetztem
CVD-Verfahren untereinander gekoppelt sind, und diese
für eine Verringerung des Wachstumsparameters α einzu
stellen sind.
Während des zweiten Schrittes, während also die Wachs
tumsparameter geändert sind, bilden sich an den Spitzen
kleine Flächen, die aufgrund der Vorzugsorientierung
der Spitzen 1 parallel zur Substratoberfläche 4 orien
tiert sind. Diese Flächen werden sukzessive größer und
bedecken nach einiger Zeit die gesamte Oberfläche. Zu
diesem Zeitpunkt ist dann die Oberfläche 21 von den
Rauhigkeiten im wesentlichen befreit.
Die Fig. 5 zeigt ein Rauhigkeits-Diagramm, das die
jeweilige Rauhigkeit 25 in Größen des mittleren Keimab
standes d0 der erzeugten Oberfläche 22 in jedem Stadium
des erfindungsgemäßen Verfahrens zeigt, wobei sich der
Verfahrensfortschritt aus der abgeschiedenen Schicht
dicke 26 ergibt.
Die Rauhigkeit 25 der Schichtoberfläche 22 wird als
Funktion der mittleren Schichtdicke verwendet. Es läßt
sich unschwer erkennen, daß im ersten Schritt 27 des
Abscheideverfahrens die Rauhigkeit 25 monoton ansteigt,
diese nach der Änderung der Wachstumsbedingungen nach
einer Schichtdicke 20 von d=450·d0 im zweiten Schritt
28 stark abfällt und schließlich ein Minimum erreicht
und danach wieder leicht ansteigt. Die erreichte mini
male Rauhigkeit 25 beträgt dabei 0,3·d0 und kann bei
genügend hoher Keimdichte im Nanometerbereich liegen
und wird dann ein Viertel des Wertes der üblichen
Lichtwellenlängen im sichtbaren und nahen infraroten
Spektralbereich unterschreiten.
Bei Raster-Elektronen-Mikroskopie-Aufnahmen einer
solcherart hergestellten Diamantschicht, deren Oberflä
che aus {100}-Flächen gebildet wird, zeigt sich z. B.
bei einer Schichtdicke von 150 µm eine Oberflächenrau
higkeit 25 von 60 Nanometer.
Die Fig. 6 zeigt ein Diagramm, das den Zusammenhang
zwischen der eingestellten Substrat-Temperatur 32 beim
Mikrowellen-unterstützten Abscheiden und dem Wachstums
faktor α beschreibt. Bei einem Einsatz des erfindungs
gemäßen Verfahrens im Rahmen einer Diamantkristallab
scheidung mit einem CVD-Verfahren (chemical vapour
deposition), d. h. bei einem Abscheiden des Materials
aus der Gasphase, ist hier bei einer Mikrowellen unter
stützten Abscheidung ein Wachstumsparameter α von drei
bei einem Gasgemisch von 1 bis 3 Prozent Methan in
Wasserstoff und einer Substrattemperatur von ungefähr
750 bis 870 Grad Celsius bei einem Druck von 5000
Pascal erreichbar. Beim zweiten Verfahrensschritt wird
die Temperatur 32 des Substrats 4 in den Bereich von
930 bis 1000° Celsius erhöht, ohne dabei die stoffliche
Zusammensetzung des Gasgemisches zu ändern. Dabei sinkt
dann der Wachstumsparameter α in seinem Werte auf z. B.
2,5 bis 2,7 ab.
Wenn als Regelgröße die Temperatur 32 eingesetzt werden
soll, ist die genannte Temperatur 32 in Abhängigkeit
von den anderen Verfahrensparametern so einzustellen,
daß sich im ersten Verfahrensschritt ein Wachstumspara
meter α von im wesentlichen 3 und im zweiten Schritt
ein kleinerer Wachstumsparameter α ergibt, der vorteil
hafterweise zwischen 2,5 und 2,7 liegt. Dann wird im
ersten Schritt die Wachstumsrichtung auf die <100<-
Richtung eingestellt und die aufwachsenden Kristalle
derart orientiert, so daß bei einem Wechsel der Verfah
rensbedingungen die einmal eingestellte <100<-Richtung
beibehalten wird, so daß entgegen der üblicherweise
vorgegebenen Wachstumsrichtung gemäß einer Verbindungs
geraden 12 → 13 die {100}-Facetten exakt parallel zur
Substratoberfläche 4 aufwachsen und sich eine geschlos
sene plane Diamantoberfläche ergibt.
Eine solche Veränderung von α ist ebenfalls mit einer
Absenkung des Methangehalts der Wasserstoffatmosphäre
zu erreichen.
Die Fig. 7 zeigt ein Diagramm, das den Zusammenhang
zwischen der eingestellten Methankonzentration 33 beim
Mikrowellen-unterstützten Abscheiden aus der Gasphase
und dem Wachstumsfaktor α aus der Fig. 2 darstellt.
Ausgehend von einer Methankonzentration von z. B. 2,0
Prozent in Wasserstoff im ersten Verfahrensschritt wird
im zweiten Verfahrensschritt diese Konzentration 33 auf
Werte von z. B. um 1,5 Prozent Methan in Wasserstoff
abgesenkt, so daß sich der Wachstumsparameter α zu
Werten von ungefähr 2,5 hin verschiebt.
Dabei ist es natürlich ebenfalls möglich, anstelle
eines abrupten Übergangs vom ersten Verfahrensschritt
auf den zweiten Verfahrensschritt die Verfahrensbedin
gungen fließend kontinuierlich zu verändern und unter
kontinuierlicher Veränderung der Gaszusammensetzung 33
und/oder langsamer kontinuierlicher Veränderung der
Substrattemperatur 32 von dem ersten Schritt auf den
zweiten überzugehen. Dies entspräche einem Abfahren der
in den Fig. 6 und 7 gezeigten Kurven von dem einen
vorgegebenen Endpunkt bei α≈3 bis zu dem für den zwei
ten Verfahrensschritt ausgewählten Kurvenpunkt.
Dies weist den Vorteil auf, daß während der Umstel
lungsphase weniger Störstellen in dem Kristall einge
baut werden, so daß sich anschließend auch im Innenbe
reich 20 ein störstellenfreierer Kristall ergibt.
Die Fig. 8 schließlich zeigt ein Diagramm der Winkel
verteilung des Streulichts, d. h. die Intensität 30 der
Reflektion eines mit dem Verfahren hergestellten Dia
mant-Polykristalls. Die reflektierte Intensität 30
weist eine starke Überhöhung 35 im Bereich des Winkels
31 von 0° auf. Bei 0° tritt ein spekularer Wert 35 auf,
der eine um mehrere Größenordnungen höhere Intensität
30 als das Umgebungslicht aufweist. Dieser Sprung von
drei Größenordnungen in der Intensität ist direkt mit
der maximalen Rauhigkeit 25 der Oberfläche verbunden.
Denn ein solcher spekularer Wert 35 tritt nur dann auf,
wenn die Rauhigkeit 25 der reflektierenden Oberfläche
21 kleiner als ein Viertel der Wellenlänge des Lichts
der sie beaufschlagenden Lichtquelle ist. Bei dem hier
eingesetzten Helium-Neon-Laser mit einer Wellenlänge
von 633 Nanometer ist damit die Rauhigkeit 25 sicher
kleiner als 160 Nanometer.
Das beschriebene Verfahren ist insbesondere bei allen
in dem Übersichtsartikel von P.K. Bachmann, D. Leers,
D.U. Wiechert im Journal de Physique II 1, 907 (1991)
erwähnten Abscheideprozessen einsetzbar. Es muß zuerst
darauf geachtet werden, daß sich die aus dem Phasendia
gramm ergebenden Verfahrensbedingungen eingestellt
werden, damit überhaupt ein Diamantwachstum auftritt.
Dann ist im Rahmen der sich so ergebenden Verfahrensbe
dingungen der Wachstumsparameter α entsprechend dem
oben gesagten in zwei Schritten auf die genannten Werte
von zuerst im wesentlichen 3, z. B. insbesondere größer
als 2,95, und anschließend auf Werte von 2,5 bis 2,9
einzustellen.
In dem ersten Schritt wird der Keimauslesemechanismus
ausgenutzt, um eine bestimmte Kristallrichtung, nämlich
die <100<-Richtung, senkrecht zur Substratoberfläche
auszurichten, und in dem zweiten Schritt werden senk
recht zu dieser Kristallrichtung Flächen, nämlich
{100}-Flächen, erzeugt und vergrößert, bis diese die
Oberfläche der polykristallinen Schicht vollständig
bedecken.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist die Herstellung
von Optikfenster mit einer gekrümmten Oberfläche mög
lich. Dafür wird von einem Substrat 4 ausgegangen, wel
ches eine der gewünschten gekrümmten Oberfläche komple
mentäre Oberfläche aufweist. Sofern der Krümmungsradius
des Substrates groß gegen den mittleren Keimabstand d0
ist, wird lokal jeweils ein ebenes Substrat 4 aufge
wachsen. Dann steht beim Aufwachsen der Kristalle in
dem ersten Verfahrensschritt die genannte Richtungsaus
wahl der Kristalle in <100<-Richtung jeweils senkrecht
auf der lokalen Substratoberfläche 4. Beim zweiten
Verfahrensschritt werden dann die {100}-Facetten ver
größert, so daß sich eine Diamantoberfläche 21 ergibt,
die lokal jeweils parallel zu der Substratoberfläche 4
ist. Damit ergibt sich eine senkrecht zum Substrat 4
jeweils gleichdicke Diamantschicht 20, die die Gestalt
des Substrates z. B. einer Kugelschale hat. Die ge
wünschte freistehende und als Fenster einsetzbare
Diamantschicht wird dann durch Ätzen des Substrates
erhalten. Dabei weist das gekrümmte Fenster den Vorteil
auf, daß beim Auftreten von unterschiedlichen Drücken
auf den jeweiligen Fensterseiten diese leichter als von
einer planparallelen Platte aufgenommen werden können.
Eine polykristalline Diamantschicht gemäß der Erfindung
ist sehr vorteilhaft bei Wärmesenken einzusetzen, da
die glatte Oberfläche 21 der Diamantschicht 20 einen
guten Wärmeübergang ermöglicht. Aber erst durch die mit
dem Verfahren nach der Erfindung erreichbare Dicke der
Diamantschicht 20 bis in den Millimeterbereich hinein
ist diese polykristalline Diamantschicht 20 hier sinn
voll als eine wirkungsvolle Aufnahme und Abflußmög
lichkeit für die z. B. von einem Halbleiter übertragene
Wärme anzuwenden.
Das Verfahren ist über das hier beschriebene Ausfüh
rungsbeispiel zur Abscheidung polykristalliner Diamant
schichten natürlich auch zur Herstellung von anderen
polykristallinen Schichten anwendbar, insbesondere auch
zur Herstellung von glatten Optikfenstern aus anderen
Kristallmaterialien, wobei diese Verfahren vom Fachmann
entsprechend der hier vorliegenden Lehre durchgeführt
werden können.
Claims (10)
1. Verfahren zur Abscheidung glatter polykristalli
ner Schichten, insbesondere Diamantschichten, auf Sub
straten, bei dem in einem ersten Schritt Kristalle
aufgewachsen werden, deren <100<-Kristallrichtung
senkrecht zur Substratoberfläche ausgerichtet ist, und
bei dem in einem zweiten Schritt senkrecht zu dieser
<100<-Kristallrichtung Flächen erzeugt und vergrößert
werden, bis diese die Oberfläche der polykristallinen
Schicht vollständig bedecken.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß im ersten Schritt ein Oktaeder mit einem
Wachstumsparameter α von ungefähr 3 aufgewachsen wird,
daß im zweiten Schritt der Wert des Wachstumsparameters
α abgesenkt wird, wobei der Wachstumsparameter α durch
α= v100/v111·√3 gegeben ist, wobei mit v100 und v111 die
Wachstumsraten des Kristalls auf {100}- bzw. {111}-
Flächen bezeichnet sind.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich
net, daß im ersten Schritt ein Wachstumsparameter α von
größer als 2,95 verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder Anspruch 3, da
durch gekennzeichnet, daß im zweiten Schritt ein Wachs
tumsparameter α zwischen 2,5 und 2,9 verwendet wird.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß bei einer vorgegebenen
Ausgangskeimdichte mit mittlerem Keimabstand d0 bei
einer Schichtdicke von größer als 100·d0 zwischen dem
ersten und dem zweiten Verfahrensschritt umgeschaltet
wird.
6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Substrat mit einer
Ausgangskeimdichte mit einem mittleren Keimabstand d0
verwendet wird, der kleiner als ein Mikrometer ist.
7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Zwischenschritt zwi
schen dem ersten und dem zweiten Verfahrensschritt
vorgesehen ist, in dem die Verfahrensbedingungen von
denen des ersten Verfahrensschrittes zu denen des
zweiten Verfahrensschrittes hin kontinuierlich verän
dert werden.
8. Nach dem Verfahren nach einem der vorstehenden
Ansprüche hergestelltes Optikfenster.
9. Optikfenster nach Anspruch 8, das über eine ge
krümmte Oberfläche verfügt, wobei die Diamantschicht
auf ein Substrat mit einer der besagten gekrümmten
Oberfläche komplementären Oberfläche abgeschieden wird.
10. Nach dem Verfahren nach einem der vorstehenden
Ansprüche 1 bis 7 hergestellte Wärmesenke.
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