DE4443908C2 - Verfahren zur Herstellung kristallographisch gerichteter dünner Schichten von Siliciumcarbid durch Laserablagerung von Kohlestoff auf Silicium - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht kristallinen Siliciumcarbids auf einem Silicium-Substratmaterial. Die Laserabscheidung von kristallinen Siliciumcarbidfilmen erfolgt aus Element-Targets mit Kohlenstoff auf Silicium, dessen dünne Schichten vorzugsweise epitaxial sind.

Das übliche Verfahren zum Aufbau kristalliner Siliciumcarbid-(SiC)-Schichten ist die chemische Gasphasenabscheidung (Chemical Vapour Deposition CVD) aus einem Strom kohlenstoff- und siliciumhaltiger Moleküle, z. B. Kohlenwasserstoffe und Silan. CVD-Abscheidungen werden gewöhnlich in einer Wasserstoffatmosphäre ausgeführt, und häufig ist das Substrat für die Ausbildung der dünnen Siliciumcarbidschichten ein Siliciumeinkristallwafer. In der Regel beginnt die Siliciumcarbid-CVD-Abscheidung mit einem Karbonisierungsschritt, der zuerst das Wachsen einer dünnen SiC-Schicht nur durch Reaktion des Kohlenwasserstoffs mit dem Substrat bei hoher Temperatur bewirkt. Amorphe oder polykristalline dünne SiC-Schichten können auch durch Sputtering von SiC-Targets aufgebaut werden.

In einer Reihe von Experimenten, in denen Si einem Beschuß energiereicher C⁺-Ionen ausgesetzt wurde, wurde die Bildung von dispersen SiC-Kristalliten in einer dünnen Schicht des nichtstöchiometrischen Si_xC_1-x nahe der Oberfläche berichtet. Es wird auch berichtet, daß der Beschuß von Si mit einem starken Fluß von 100 keV C⁺-Ionen eine ungeordnete C/Si-Mischung erzeugt, die bei nachfolgender Hochtemperaturbehandlung in polykristallines SiC umgewandelt wird.

In "Preparation of Oriented Silicon Carbide Films by Laser Ablation of Ceramic Silicon Carbide Targets", I. Rimai, R. Ager, E. M. Logothetis, W. H. Weber und J. Hangas, Appl. Phys. Letters, Bd. 59, 1991, S. 2266-2268 ist beschrieben, daß kristalline dünne SiC- Schichten auf Si-Wafern durch gepulste Laserablation eines Keramik-SiC-Targets aufgebaut werden können und daß diese dünnen Schichten unter geeigneten Bedingungen einen hohen Grad epitaxialer Orientierung aufweisen. Ein Nachteil dieses Vorgehens ist das Erfordernis eines Keramik-SiC-Targets als Materialquelle. Derartige Targets enthalten in der Regel für ihre Herstellung notwendige Additive, die als Verunreinigungen in die wachsende dünne Schicht übertragen werden. Die Ablationsrate solcher Targets ist relativ niedrig, wodurch ein langsames Wachstum der dünnen Schicht resultiert.

Aus Surface Science Letters, Bd. 260, 1992, S. L17-L28, J. A. Martin-Gago, J. Fraxedas, S. Ferrer und F. Comin "Electron Loss Spectroscopy Study of the Growth by Laser Ablation of ultra-thin Diamond-Like Films on Si(100)" ist es bekannt, C-Filme mit Dicken von bis zu 10 Atomlagen auf (100)-Si-Substraten herzustellen, indem unter Ultrahochvakuum-Bedingungen Graphit durch Laser behandelt wird. Der Artikel beschreibt zwar, daß sich bei Erhitzen des Überzugs auf 950°C SiC bildet - dies erfolgt aber ungeregelt unter dem aufgedampften Graphit und bei aufwendigen Bedingungen (UHV-Vakuum).

Aufgabe der Erfindung ist es demnach, die Nachteile des Standes der Technik zu überwinden und ein einfaches und ökonomisches Verfahren zur Herstellung von SiC- Filmen auf Si-Substraten anzugeben.

Die Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst.

Als Kohlenstoffatomquelle für die dünne SiC-Schicht wird eine durch Laser-Ablation eines reinen Elementar-Kohlenstofftargets erzeugte Wolke und als Siliciumatomquelle das Siliciumsubstrat selbst verwendet.

Bei Temperaturen über etwa 1000°C wird die dünne Schicht epitaxial mit dem Siliciumsubstrat ausgerichtet.

Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand der beiliegenden Zeichnungen erläutert. Hierin zeigen:

Fig. 1 schematisch eine Ausführungsform einer Laser- Gasphasenabscheidungsanordnung, die zur Abscheidung kristallinen SiC verwendet werden kann;

Fig. 2 einen Graph der Wachstumsrate der dünnen Schicht als Funktion der Temperatur für dünne Schichten, die gemäß den Ausführungsformen der Erfindung auf Silicium mit einem Kohlenstofftarget aufgebaut werden;

Fig. 3A und 3B Röntgendiffraktionsdaten erfindungsgemäß hergestellter Ausführungsformen der dünnen SiC-Schichten;

Fig. 4 einen Graph der Temperaturabhängigkeit der aus der Röntgendiffraktion der auf (100)-Silicium entsprechend Ausführungsformen der Erfindung gewachsenen dünnen SiC-Schichten abgeleiteten Kristallitgrößen; und

Fig. 5 einen Graph der Ramanspektren der auf Si von C-Targets gewachsenen dünnen Schichten entsprechend Ausführungsformen der Erfindung.

Erfindungsgemäß werden dünne Siliciumcarbid-Schichten im Vakuum unter Verwendung von Targetmaterialien aus reinen Elementen auf Silicium aufgebaut, d. h. einem nur-Kohlenstofftarget zur Bildung einer dünnen SiC-Schicht auf dem Silicium. Wie bereits erwähnt, umfaßt das Verfahren den Einsatz eines Laserstrahls zur Ablation der Targets, der elementare Atome oder Ionen erzeugt, die in Richtung des Silicium- Substratmaterials, auf dem die dünne SiC-Schicht aufgebaut wird, gerichtet sind.

Das Silicium-Substratmaterial auf dem die dünne SiC-Schicht aufgebaut ist, kann in der Hauptmenge Silicium in einem Silicium-Wafer oder eine auf einem Träger wie Aluminiumoxid (Saphir), gesintertem Quarz oder beliebigen anderen isolierenden oder leitenden Trägermaterialien vorgesehene Siliciumschicht umfassen. Die Dicke des Silicium-Substratmaterials, auf dem die dünnen Schichten aufgebaut sind, ist zur Ausführung der Erfindung keine kritische Eigenschaft, kann im allgemeinen von ungefähr 0,5 Mikrometern bis zu Millimetern variieren und ist ganz besonders bevorzugt mindestens 1 µm. Es wurde gefunden, daß die Kristallinität und Orientierung der resultierenden dünnen SiC-Schicht in praxi besonders vorteilhaft denen des kristallinen Silicium-Substratmaterials, auf dem die dünne SiC-Schicht aufgebaut ist, entsprechen, vorausgesetzt, es wird auf über 1000°C erwärmt und das Siliciumsubstrat ist ein Silicium-Einkristall. Bei Substrattemperaturen zwischen etwa 600° und 1000°C sind die resultierenden dünnen SiC-Schichten polykristallin. Das steht im Gegensatz zu den amorphen dünnen Schichten, die häufig aus zum Aufbau von SiC eingesetzten Verfahren des Standes der Technik resultieren. Im Gegensatz zu solchen Verfahren des Standes der Technik schafft das Verfahren der Erfindung vorteilhafterweise polykristalline dünne SiC-Schichten und kristalline epitaxiale dünne SiC-Schichten, ohne während der Abscheidung Wasserstoffatmosphäre zu benötigen und ohne das Erfordernis einer späteren Temperaturbehandlung.

Das in der Erfindung verwendete Siliciumbasismaterial kann jede Orientierung wie etwa orientiertes (100)- oder (111)-Silicium besitzen, wobei die Wahl der Orientierung von der Anwendung abhängig ist. Das Siliciumsubstrat kann durch jedes Mittel auf eine Temperatur von mindestens 600°C (wenn dünne Epitaxial-Schichten erwünscht sind, mit Temperaturen über 1000°C) während der Bildung der SiC-Schicht erwärmt werden. Wenn es, wie oben erwähnt, erwünscht ist, epitaxialkristalline dünne SiC-Schichten zu erzeugen, ist das Siliciumsubstrat am günstigsten ein Silicium-Einkristall. Es wurde festgestellt, daß die Abscheidungsrate des SiC mit steigender Silicium- Substrattemperatur wächst.

In der Vakuumanordung ist ein Kohlenstafftarget vorgesehen und eine Ausführungsform einer derartigen geeigneten Anordnung, die einen gepulsten Laser umfaßt, ist schematisch in Fig. 1 gezeigt. Die in der Erfindung verwendete Vakuumanordnung kann jedes zur Laser-Ablation geeignete Kohlenstofftarget enthalten. Ein typisches Vakuumsystem von 6,6 × 10^-4 Pa bis 6,6 × 10^-3 Pa Basisdruck kann eingesetzt werden. Wie für den Fachmann selbstverständlich, können auch andere geeignete Drücke eingesetzt werden; häufig sind Drücke zwischen 1,3 × 10^-4 und 1,3 Pa. In der Ausführungsform der Fig. 1 trifft ein Laserstrahl 8, beispielsweise ein Excimer-Laserstrahl, auf ein Kohlenstofftarget 5. Im allgemeinen dreht sich das Target in derartigen Systemen, und der Laserstrahl trifft unter einem Winkel von 25 bis 60° auf das Target, wo er einen kleinen Bereich des Targets, beispielsweise in der Größenordnung von 0,2 cm², beleuchtet. Ein vorteilhaft verwendeter Laser ist ein XeF- Excimer-Laser (Wellenlänge 351 nm) mit Pulsraten im Bereich von 5-20 Hz. Die 20 ns langen 200 bis 350 mJ Pulse erzielen in der Ausführungsform beim Target einen Fluß von 1 bis 3 J/cm². Beispielsweise abhängig von den optischen Absorptionseigenschaften des Targetmaterials, kann Laserlicht anderer Wellenlängen, z. B. 248 nm eines KF-Excimer-Lasers, 1060 oder 532 nm eines Nd-YAG Lasers (Neodym-Ionen in Yttrium-Aluminium-Granat) auch eingesetzt werden. Man hat gefunden, daß der Einsatz von Element-Targets, die gegenüber SiC-Targets für längerwelliges Licht weniger transparent sind, die Verwendung von nahem IR oder sichtbarem Laserlicht für die Target-Ablation ermöglicht. Dieses Licht besitzt eine bessere Strahlstabilität und -qualität als das von Excimer-Lasern, verbessert die Fokussierbarkeit, die Wolkenstabilität und daher auch die Qualität der abgeschiedenen dünnen Schicht. Während der Ablation kann das Einzelelementtarget gedreht werden, um die Oberflächenbeschädigungen auf ein Mindestmaß herabzusetzen. Das gleiche kann durch kontinuierliche Bewegung des Brennflecks durch ständiges Verlagern (geringfügig) der Richtung des Laserstrahls vor einer Fokussierlinse 3 mit einem Spiegel 2 auf einem motorisierten Kardanrahmen erreicht werden, wobei die zwei Freiheitsgrade des Kardanrahmens computergesteuert werden, so daß der Brennfleck ein Abtastmuster auf dem Target beschreibt. Die Oberfläche des Siliciumsubstrats kann durch geeignete, mit Mustern versehene Lochmasken abgedeckt werden, um eine entsprechende mit Mustern versehene dünne SiC-Schicht zu erhalten.

Die Energie der Ionen und neutralen Atome in der beim Substrat ankommenden Wolke beträgt günstigerweise höchstens mehrere zehn eV. Diese Energie kann durch Zunahme des Druckes in der Vakuumkammer auf einen geringeren Wert reguliert werden, was wichtig ist, da diese Energie die physikalischen Eigenschaften der dünnen Schicht beeinflussen kann. Die Wolke aus Atomen und Ionen tritt im allgemeinen in einem Kegel senkrecht zum Target auf und trifft auf das in einem Abstand, z. B. von 5 bis 15 cm, angeordnete Siliciumsubstrat auf. Das Laserlicht der beschriebenen Ausführungsform wurde mit dem 45° Ablenkspiegel und der 50 cm Fokussierlinse 3, beide außerhalb des Vakuumsystems angeordnet, in das Vakuumsystem übertragen. Das Licht fällt durch ein Quarzfenster 4 in die Vakuumkammer. In einem Fall wird ein reines Kohlenstofftarget 5 innerhalb der Vakuumanordnung nahe des Laserstrahlfokus bei einem Winkel von ungefähr 45° zum einfallenden Strahl stationär gehalten. Es wurde gefunden, daß die Wolke während der Laser-Ablation des Targets im allgemeinen in Richtung senkrecht zur Targetoberfläche einen scharfen Peak aufweist, was zu uneinheitlicher Abscheidung auf dem Silicium führt, aber durch ein Targetabtastverfahren korrigiert werden kann, da sich die Wolke entsprechend dem Substrat bewegt. Die neueste Technik vergrößert die Einheitlichkeit, um eine einheitliche dünne Schicht über weitere Bereiche des Substrats zu schaffen. Bei ausreichend niedrigem Druck kann der Abstand der Siliciumbasis zum Kohlenstofftarget ebenfalls vergrößert werden, um einheitlichere Abscheidung dünner Schichten zu liefern. Beispielsweise ist bei 0,13 Pa die durchschnittliche freie Weglänge in der Größenordnung von 10 cm und ist umgekehrt proportional zum Druck. Solange der Target-Substrat-Abstand in der Größenordnung oder kleiner als die durchschnittliche freie Weglänge ist, sind die Wolkeneigenschaften, die den Abscheidungsprozeß beeinflussen, druckunabhängig.

Wir fanden, daß, wenn die Atome oder Ionen der Kohlenstoffwolke das Slliciumbasismaterial berühren, durch Reaktion dieser Kohlenstoffpartikel und Silicium des Basismaterials eine dünne SiC-Schicht gebildet wird, wodurch Kohlenstoffbindungen gebildet werden. Danach, wenn die dünne SiC-Schicht weiterwächst, ist es offensichtlich, daß Diffusion von Si oder C oder beiden durch eine endliche Dicke des SiC, selbst bei niedrigen Temperaturen von etwa 1000°C, auftritt. Siliciumatome des Siliciumbasismaterials diffundieren demnach durch die gebildete dünne SiC-Schicht, um weiteres SiC zu erzeugen und/oder Kohlenstoff diffundiert durch die gebildete SiC-Schicht und reagiert mit dem Siliciumbasismaterial.

Verwendet man das Verfahren allein mit Kohlenstofftargets im Laser-Vakuumsystem, findet man, daß im wesentlichen stöchiometrische dünne SiC-Schichten günstigerweise bereits in einer Dicke bis zu ungefähr 400 nm und im allgemeinen mit erhöhten Temperaturen bis zu ungefähr 1200°C gebildet werden können. Entsprechend einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Siliciumbasis durch eine Widerstandsheizung auf ungefähr 1000 bis 1150°C erwärmt. Die Wachstumsrate der dünnen Schicht nimmt mit steigender Substrattemperatur zu, wie durch die Daten in Fig. 2 gezeigt ist, in der die Zunahme der Dicke der dünnen Schicht in nm pro Laserpuls als Funktion der Substrattemperatur während der Abscheidung für ein orientiertes (100)-Si-Substrat aufgetragen ist. Die dünne SiC-Schicht besteht aus kristallinem kubischem SiC, das die Orientierung der Siliciumbasis besitzt. Bei Substrattemperaturen oberhalb etwa 1000°C hat das auf dem (100)-Silicium-Wafern gewachsene SiC eine (100)-Orientierung und das auf dem (111)-Silicium gewachsene SiC eine (111)-Orientierung. Das wird im einzelnen durch die "Θ-2Θ" Röntgen- Diffraktionskurve in Fig. 3A und 3B dargestellt. Kurve (3A) ist eine dünne Schicht auf (100)-Si mit einem Kohlenstofftarget allein, die klar eine starke (200) Diffraktionscharakteristik der epitaxial orientierten dünnen Schicht und eine sehr schwache (111)-Diffraktion zeigt, die angibt, daß deutlich weniger als 1% der dünnen Schicht nicht orientiert ist. Kurve (3B) ist eine dünne Schicht auf (111)-Si mit nur einem Kohlenstofftarget und zeigt, im Gegensatz zur Kurve (3A), eine sehr starke (111)- Diffraktion und eine sehr schwache (200)-Diffraktion, genau wie für den Aufbau der epitaxialen dünnen Schicht erwartet.

Bei einer weiteren Ausführungsform wird ein (100)- oder (111)-Silicium-Wafer 9 auf einer mit Bornitrid isolierten Kohlenstoffschicht-Widerstandsheizung 10 für dessen Temperatursteuerung während der Abscheidung angebracht, da die Eigenschaften der resultierenden dünnen Schicht wesentlich von dieser Temperatur abhängen. Dies ist die Kristallitgröße, die durch kleine Randwinkel und Defekte bestimmt wird, wobei sie aus der Linienbreite der Röntgendiffraktion erhalten werden kann; sie wächst mit der Abscheidungstemperatur. Das wird durch die Daten in Fig. 4 gezeigt, wo die Kristallitgröße als Funktion der Substratabscheidungstemperatur für auf (100)-Si- Substraten gewachsene dünne (100)-SiC-Schichten unter Verwendung nur von Kohlenstofftargets aufgetragen ist. Die Siliciumheizanordnung wurde in der Ausführungsform in ein Belichtungsschild 11 aus Tantal eingebracht, das eine quadratische 2,5 × 2,5 cm² Öffnung gegenüber dem Substrat besitzt, um die Ablationswolke durchzulassen. In einigen Experimenten wurde eine Tantal-Lochmaske 12 gegenüber dem Substrat eingebracht, um rechtwinklige, zirkulare oder andere Formen der abgeschiedenen dünnen Schicht zu erhalten. Abscheidung mit derartigen Masken erhöht während der Abscheidung die Temperatureinheitlichkeit oberhalb der dünnen Schicht und ermöglicht genaue Bestimmungen der Abscheidungsrate mittels Kantendickemessungen eines Profilometers. Die anfängliche Substrattemperatur wurde mit einem Infrarotpyrometer 13, Fig. 1, gemessen, das einen Bandpaßfilter enthält, der das auf das Pyrometer durch ein Fenster 15 fallende Licht 14 auf das schmale 0,9 bis 1,5 µm Band begrenzt. Da die wachsende dünne SiC-Schicht für dieses Licht transparent ist, wenn die dünne Schicht anfängt zu wachsen, oszillieren die Pyrometerausgabedaten aufgrund der Bildung von stehenden Interferenzwellen dieses schmalen Lichtbandes in der dünnen Schicht. Die Trennung zwischen aufeinanderfolgenden Oszillationspeaks erfolgt, da die dünne Schichtdicke um eine Hälfte der Lichtwellenlänge in der dünnen Schicht anwächst. Die Oszillationen ermöglichen "in situ" die Überwachung des Wachstums der dünnen Schicht und erzielen, wenn der bekannte Berechnungsindex von SiC verwendet wird, dünne End- Schichtdicken in Übereinstimmung mit den Profilometermessungen. Bei diesen Beispielen wurde die Siliciumbasis etwa 7 cm vom Target entfernt mit einem diedrischen Winkel von ungefähr 45° angebracht. Demnach bildet die Wolkenachse ungefähr einen 45° Winkel mit dem Silicium-Substratmaterial, da sie etwa senkrecht zu den Targets verläuft. Der Silicium-Substrat Targetabstand und Winkel sind nicht kritisch bei der Erfindung und modifizieren hauptsächlich die Abscheidungsrate, wenn sie variiert werden.

Wenn das Kohlenstofftarget eingesetzt wird, wird bei 1140°C nach etwa 7 Abscheidungsminuten eine Dicke von 300 nm erreicht.

Die Ramanspektren von Fig. 5 von mit nur-Kohlenstofftargets aufgebauten dünnen Schichten zeigen klar das Auftreten transversaler und longitudinaler optischer Phononen nahe 793 und 970 cm^-1, die charakteristisch für kubisches SiC sind. Die beiden am Si-Substrat angebrachten dünnen Schichten zeigen ebenfalls eine zusätzlich breite Bande zwischen 940 und 990 cm^-1, die für das Si-Substrat charakteristisch ist, wohingegen diese Bande bei der dünnen SiC-Schicht, die vom selben Substrat nach dem Wachsen entfernt wurde, fehlt. Die kleinen Verschiebungen der SiC-Ramanbanden zwischen den angebrachten und entfernten dünnen Schichten sind möglicherweise auf Spannungsfeldänderungen zurückzuführen, die aus der fehlenden Anpassung zwischen Gitterkonstanten und Wärmeausdehnungs­ koeffizienten zwischen SiC- und Si herrühren. Die Stöchiometrie dieser dünnen Schichten wird ebenfalls durch Auger-Tiefenprofilmessung bestätigt. Der Einsatz von Element-Targets vergrößert gegenüber des im Stand der Technik verwendeten keramischen SiC-Targets durch erhöhte Ablationseffizienz des Targets die Wachstumsrate der abgeschiedenen dünnen SiC-Schicht. Der wesentlich schnellere Wachstumsrate liegt überraschenderweise innerhalb der gleichen Größenordnung wie die durch CVD für orientierte dünne Kristlallschichten erzielbare, wodurch dies ein sehr vorteilhaftes Verfahren ist.

Ein CVD-Verfahren für die SiC-Abscheidung hat den Nachteil, daß es bei einer hohen Wasserstoffkonzentration durchgeführt wird, der teilweise in die dünne Schicht eingebaut wird. Verglichen mit dem bekannten Sputtern und Ionenstrahltechniken für diese dünnen SiC-Schichten, kann die Erfindung vorteilhafterweise kristallergraphisch ausgerichtete dünne Schichten von kubischem SiC auf Si mit beiden (111)- und (100)- Orientierungen erzeugen, wohingegen die vorherigen dünnen Schichten entweder amorph oder bestenfalls polykristallin sind.

Die erfindungsgemäß erzeugten dünnen Schichten können für dünne Schichten in der Elektronik im Hochtemperaturbereich, Sensoranwendungen im Hochtemperaturbereich und als Kristallkeim für das Kristallzüchten in der Gasphase von kubischem SiC eingesetzt werden. Dieses Verfahren eröffnet außerdem die Möglichkeit des wasserstoffreien epitaxialen Aufbaus von kubischem dünnen SiC-Schichten auf in der Gasphase gewachsenen hexagonalen SiC-Wafern. Dies ist für elektronische Anwendungen wichtig, da kubisches SiC wahrscheinlich höhere Mobilität im Träger besitzt als die anderen Kristallformen.

Claims (7)

1. Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht kristallinen Siliciumcarbids auf einem Silicium-Substratmaterial durch Herstellung einer auf das Silicium- Substratmaterial, das eine Temperatur ≧ 600°C besitzt, gerichteten Kohlenstoffatomwolke durch Laser-Ablation eines Kohlenstofftargets in einer Vakuumanordnung, wodurch unmittelbar die kristalline dünne Siliciumcarbid-Schicht erzeugt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliciumsubstratmaterial ein Einkristall-Siliciumsubstrat mit einer Temperatur oberhalb von etwa 1000°C ist.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß kristalline dünne Siliciumcarbid-Schichten in einer Dicke bis ungefähr 4 . 10^-7 m hergestellt werden.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Laser-Ablation das Bereitstellen eines stationären oder mobilen Kohlenstofftargets umfaßt.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Laser ein XeF- Excimer-, KF-Excimer- oder Nd-YAG-Laser mit einer Wellenlänge von 1,06 und 0,532 µm ist.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Vakuum einen Druck zwischen ungefähr 13,33 × 10^-4 und 13,33 Pa hat.

7. Verwendung der dünnen SiC-Schicht, hergestellt nach einem Verfahren gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, in der Elektronik im Hochtemperaturbereich, Sensoranwendungen im Hochtemperaturbereich und als Kristallkeim für das Kri­ stallzüchten von kubischem SiC aus der Gasphase.